蒙特卡罗背散射能谱原理

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蒙特卡罗背散射能谱模拟程序方法编写原理以及流程图

蒙特卡罗背散射能谱模拟程序方法编写原理以及流程图

蒙特卡罗背散射能谱模拟程序方法编写原理以及流程图SRIM 与Corteo 都是与TRIM 相关的模拟程序,对入射离子在靶材料中减速过程的计算依据以下三大重要近似进行:(1)二体碰撞近似(BCA ),即只考虑入射离子与周围最近的原子发生碰撞,不考虑与其他原子的相互作用;(2)中心势场近似(CPA ),即入射离子是在中心势场(屏蔽的库伦势场)中发生弹性散射,使用普适势(参考前面的ZBL 势[1]);(3)随机相近似(RPA),把靶样品视为无定型结构,本次散射结束后的飞行方向和距离决定下一次散射中心的位置,而与材料本身无关。

BCA 推测碰撞只发生在两个粒子间,碰撞中涉及到原子间力比其他周围原子产生的力大得多。

如果碰撞中的最小接近距离比原子间距小,这会是很好的近似。

但在低能或大碰撞参量的碰撞情况下,近似是有待讨论的余地。

假设在减速计算中碰撞是弹性的(总能量守恒),仅考虑弹性散射,所有与电子激发或电离相关的能损在做能损计算中单独考虑。

相互作用势是原子核势场,考虑到原子核外电子屏蔽作用,原子核有效电荷随着碰撞间距离增加而减少。

超过几个埃的距离,原子看作中性,只在偶极矩相互作用下离子化,但这在计算中务必要忽略。

因为轨道形状,屏蔽应该包括角度独立性不过这会使计算变得相当复杂,所以屏蔽函数大多数时间仅仅看作放射状并遵循随机相近似CPA 。

如绪论中讲到的Corteo 与TRIM 程序理论基础基本相同。

运用TRIM 理论的SRIM 使用普适势的形式为()∑=-=Φ41i i b e i a ρρ其中i i b a ,是被选为能够最好符合任何可能的原子对的碰撞参量,ρ是用约化单位表示的原子间隔。

我们将要在多次散射计算中用到近似,这时的屏蔽函数会有重要影响。

3.1碰撞过程近似选取计算最终做的近似是随机相近似(RPA )。

假设下一次碰撞体的位置是随机的确定的,其不仅依据角度也依据与上一次碰撞点的距离,考虑到散射中心的浓度与物质浓度N 一致。

康普顿背散射检测的蒙特卡罗模拟

康普顿背散射检测的蒙特卡罗模拟

康普顿背散射检测的蒙特卡罗模拟作者:郭凤美颜静儒王强郑玉来来源:《商情》2019年第50期【摘要】利用蒙特卡羅程序Geant4模拟康普顿背散射包裹检测,计算了X射线入射不同材料的康普顿背散射和透射情况,给出了背散射光子的空间分布以及不同塑料闪烁体厚度对探测效率的影响,为康普顿背散射探测装置的优化设计提供了理论依据。

【关键词】康普顿背散射蒙特卡罗X射线康普顿背散射(CBS)技术可以有效提供表层较低原子序数而密度较高的被检物的几何形状和空间分布特征。

康普顿背散射检测技术的主要特点是对低原子序数的物质很灵敏,适宜对海洛因、炸药等物品的检测。

但康普顿散射信号较弱,需要合理设计和优化探测装置,提高探测效率。

为优化设计探测装置,基于Geant4开展了模拟计算。

1 Geant4软件简介Geant4是由欧洲核子中心主导开发的一套用于Monte Carlo模拟的开发程序包。

并且,来自于美国,俄罗斯,日本,加拿大等国家的10多个实验室的100多名科学家都参与了Geant4程序的研制工作。

它包括了实验装置构造、粒子在材料和磁场中的输运以及粒子与物质相互作用的物理过程模型等一整套工具包。

由于它的粒子种类多,物理模型全,能量范围大的特点,使得它的应用领域越来越广泛,包括高能物理,核试验,加速器,医学,生物科学,辐射防护等多个领域。

并且,它是一个免费的软件包,可以免费下载得到Geant4程序包的源代码和技术文档。

2 蒙特卡罗模拟2.1 不同材料(塑料和铁)和不同尺寸的被检测物体的透射和背散射模拟设定入射X射线的能量为140keV点源,垂直入射边长为2、5、10和20cm的正方体样品(塑料和铁)。

测量它们的X射线背散射和透射情况。

模拟装置如图1所示。

在模拟过程中,在被检测物体两侧,采用两个探测平面接收康普顿背散射光子和透射光子。

模拟光子数为10万。

表1列出了不同尺寸被照射物质(边长为2、5、10和20cm)背散射光子数和透射光子数。

蒙特卡洛法基本原理

蒙特卡洛法基本原理

x0 = r0 ⋅ sin θ 0 ⋅ cos ϕ 0 y0 = r0 ⋅ sin θ 0 ⋅ sin ϕ 0 z0 = r0 ⋅ (cos θ 0 − cos θ max )
除圆柱面、球形表面外,还有一些表面是旋转抛物面、旋转椭球面或旋转双曲面等复 杂的旋转曲面。 对这些复杂曲面, 原则上也可采用与前面类似的方法建立发射点分布概率模 型。如某曲面在柱坐标系中的方程为 z = f ( r ) ,则表面上发射点的径向分布概率模型原则 上可表示为:
r= 0
2 2 2 rmin + Rr ⋅ (rmax − rmin )
ϕ 0 = ϕ min + Rϕ ⋅ (ϕ max − ϕ min )
(2.21)
式中, Rr 、 Rϕ 分别是发射点的径向和圆周方向分布随机数。相应的发射点直角坐标 为 (r0 cos ϕ 0 , r0 sin ϕ 0 , 0) 。 对圆柱表面、圆锥(台)表面、球形(球冠、球带) 表面等典型旋转曲面,在圆柱坐标系 下建立发射点的分布概率模型比较方便。 以球形表面为例, 如图 2.5 所示。 若球面半径为 r0 , 极角与圆周角的值域分别为 [θ min , 概率模型:

n= ±( Fx i + Fy j + Fz k ) /
Fx2 + Fy2 + Fz2
(2.15)
式中, Fx 、 Fy 、 Fz 是函数 F ( x, y, z ) 的偏导数; i 、 j 、 k 分别是 x 、 y 、 z 三个
坐标轴的方向矢量。 另外,由于某一部件表面只是其方程所表示表面中的部分区域,其边界约束可以通 过将相关的约束表面方程改写成解析不等式来表示。即
面单元 A j 吸收的抽样能束数。 从上述介绍可看出,采用 MCM 进行辐射换热计算的关键在于建立系统内物体表面的 数学描述、各种表面的热辐射统计行为概率模型、能束抽样、跟踪与统计。

利用康普顿背散射的蒙特卡罗模拟分析物质组成的研究

利用康普顿背散射的蒙特卡罗模拟分析物质组成的研究

利用康普顿背散射的蒙特卡罗模拟分析物质组成的研究
论文由四部分组成,分别为引言、原理、蒙特卡罗方法以及MCNP程序的介绍、数学建模和数据分析。

引言部分介绍了康普顿背散射成像技术发展的背景与意义以及国内外的发展研究的现状。

原理部分,即文章的第二、三章,首先介绍了γ射线与物质的三种相互作用的物理机制,然后介绍了康普顿背散射成像技术的物理原理,为实验打下理论基础。

蒙特卡罗方法以及MCNP程序介绍部分,对程序的使用方法和技巧作了详细认真的描述。

最后一部分中首先构建康普顿散射实验和MCNP模拟的实验模型,然后分别采用康普顿散射仪和MCNP程序对四种材料的散射样品进行康普顿散射实验和模拟,得到散射光子信息,并对数据进行处理和分析。

文章通过分析、比对康普顿散射光子信息,证明MCNP模拟得到的数据是可靠的。

利用MCNP程序分别模拟圆柱体和立方体两种形状、四种材料的散射样品的康普顿背散射实验,得到了各个角度上的散射光子信息。

将所得数据进行分析讨论,可以确定组成散射样品物质的有效原子序数及初步判断散射样品外形。

扫描电镜背散射电子成像

扫描电镜背散射电子成像

扫描电镜背散射电子成像发布者:飞纳电镜背散射电子(BSE)是由弹性散射产生的。

当主电子束中的电子接近样品中的原子核时,受到原子核中正电荷的作用力,它们的运动轨迹发生了偏离。

背散射电子的产率取决于原子核的大小。

BSE图像对比度反应了样品表面的成分衬度。

在这篇博客中,会介绍背散射电子系数,并解释它是如何受到样品倾斜度和入射电子束能量的影响。

背散射系数背散射电子是由入射电子束中入射电子的弹性散射产生的,其能量大于50eV,在飞纳电镜之前的一篇博客中解释过。

背散射电子数量产生取决于许多因素,包括样品中材料的原子序数和电子束的加速度电压。

电子束与样品相互作用产生的背散射电子的数量被称为背散射系数 η,定义为背散射电流(IBSE)和探针电流(IP)的比值:其中 EB 是背散射电子的排出能量。

背散射系数受加速电压、原子序数 Z 以及样品表面与入射电子束的夹角的影响。

样品倾斜角度的影响背散射系数取决于入射电子与样品表面的夹角,公式如下:图1为正常条件下,不同元素(金,银,铜,铝和铍)背散射系数的角度分布,(60° 和 80°) 。

图1:背散射系数的角度分布的极坐标图:不同元素(金,银,铜,铝和铍)的 60° 和80° 。

[1]在图2的示意图中,给出了极坐标下的不同元素的背散射系数(换句话说,不同原子序数元素发射的背散射电子数量)。

当样品表面垂直于电子束时,背散射电子(BSE)发射是轴对称的,如图2左边所示。

当样本倾斜时,背散射电子(BSE)发射不再是对称的,也就意味着在这种情况下,BSD右侧接收到的信号小于左侧象限接收到的信号。

图2:由样品、背散射(BSE)探测器和极片组成的扫描电镜(SEM)示意图,左图和右图分别为水平样品和倾斜样品(Au、Ag、Cu和Be)在极坐标下的背散射系数的角分布。

当样品倾斜时,背散射系数增大,如图3所示。

在这张图中,用蒙特卡罗方法测量了不同元素(C,Al,Cu,Ag,Au)在不同倾斜角度下的背散射系数。

蒙特卡罗背散射能谱原理

蒙特卡罗背散射能谱原理

蒙特卡罗背散射能谱原理本文编写了一组利用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法运用Corteo物理思路模拟氦离子入射到单层及多层靶的背散射能谱拟合程序,将模拟结果与SIMNRA 软件和实验数据结果比对。

论文讨论了1).W,Be,Mo单层靶的模拟与SIMNRA软件结果的拟合,发现背散射能谱拟合程序与标准RBS能谱在高能处符合很好,且在低能处程序模拟值比标准值大,三种单元素厚靶的拟合都取得理想结果。

2).InGaN与SiC多层靶的实验能谱与两种模拟能谱的拟合,背散射拟合程序与标准谱形状相似,但程序的自由程随机性不能很好体现出来。

今后将对多层靶再进行划分多层,编写新的拟合程序,以求能够与实验能谱更好拟合,以便实际应用。

1.1离子束分析研究意义当今世界正是科学技术迅猛发展的时候,各种创新思想正在一步步由假想变为现实。

材料、能源与信息并列为现代科学技术的三大支柱,人类衣食住行方方面面均离不开现代科技的发展与利用。

材料包括材料元素及各种物质组成原子的性质直接影响并决定着材料的各种性能,所以通过研究离子束分析方法能够很好地对材料中重元素深度进行分析,并通过模拟软件可得到较直观的内部信息。

离子束分析总的来说是以离子束作为工具,通过它与物质相互作用来判断物质中元素组成及结构的一门学科。

具体来说是利用某一特定能量的离子(如:质子、α离子及其他重离子)束去轰击样品,使样品中的元素发生激发、电离、发射、核反应和自身散射等过程,通过测量这些过程中产生射线的能量和强度来确定样品中元素的种类和含量的一门学科。

离子束分析技术根据离子-原子核与离子-原子相互作用机制主要划分为:核反应分析(NRA),质子X荧光分析(PIXE),卢瑟福背散射分析(RBS)等。

其中背散射分析是七十年代蓬勃发展起来的一种离子束分析技术。

主要用于对样品元素的定性、定量和深度分布分析,在离子注入、薄膜技术及半导体和其他新型材料研究和生产方面,都表现出优异的特点。

基于Monte Carlo方法的光学分子散射研究

基于Monte Carlo方法的光学分子散射研究

基于Monte Carlo方法的光学分子散射研究郭瑞波【摘要】综述了分子影像中的各种方法,特别针对光学分子成像技术结合生物组织的混浊介质实例介绍了Monte Carlo方法及其模拟传播流程。

目前在非接触式光学断层成像的MC方法研究有生物组织中光传输模型和自由空间光传输模型两种方向,分别介绍了其在本领域的研究现状。

由此可知MC方法对活体组织安全快速的无损检测有重要作用。

%This paper reviewed various methods of Molecular Imaging, in particular introduced the Monte Carlo method and its analog propagation process with the case of the turbid medium of biological tissue by aiming at the Optical Imaging technique. In the current, the MC Method study of Non-contact Optical Tomography has two directions:biological tissue optical transmission model and free-space optical transmission model, and its research status in this field are introduced in this paper. So the MC method has an important role in safe and fast nondestructive testing of living tissue.【期刊名称】《价值工程》【年(卷),期】2015(000)022【总页数】2页(P135-136)【关键词】Monte Carlo方法;光子包传输;光学成像【作者】郭瑞波【作者单位】哈尔滨金融学院,哈尔滨150001【正文语种】中文【中图分类】TP391随着人们对健康的重视,先进的技术手段和医疗设备被广泛的应用于疾病检查。

蒙特卡罗法模拟低失能近轴背散射电子能谱

蒙特卡罗法模拟低失能近轴背散射电子能谱

蒙特卡罗法模拟低失能近轴背散射电子能谱
蒋昌忠
【期刊名称】《武汉大学学报:自然科学版》
【年(卷),期】2001(47)1
【摘要】用蒙特卡罗法模拟了探测到的高能同轴背散射电子的能谱 ,分析了入射电子能量、靶原子序数和探测角对归一化能谱的影响 .结果表明 :当入射电子能量增加和靶原子序数减小时 ,弹性散射峰值逐渐降低 ,背散射电子数峰位向低能端移动 ;探测角的改变对能谱形状基本没有影响 .利用较低的入射能量、较大的探测能量窗口和探测角值有利于背散射率的提高 ;大的入射电子能量和小的探测能量窗口对应较大的背散射率的相对变化率 ,探测角值对背散射率的相对变化率基本没有影响 .可以利用大的探测角值提高背散射率以改善信噪比 .
【总页数】4页(P83-86)
【关键词】扫描电子显微镜;蒙特卡罗模拟;电子能谱;近轴背散射电子;背散射率;电子能量;探测角
【作者】蒋昌忠
【作者单位】武汉大学物理科学与技术学院
【正文语种】中文
【中图分类】TN160.1;O242.2
【相关文献】
1.低失能近轴背散射电子的探测及应用 [J], 蒋昌忠;彭友贵;张文翠
2.利用低失能近轴背散射电子的扫描电镜 [J], 蒋昌忠;李承斌;曹暘;付强;范湘军
3.低失能近轴背散射电子的蒙特卡罗模拟计算 [J], 蒋昌忠
4.应用于低失能近轴背散射电子的扩展Everhart理论 [J], 蒋昌忠
5.蒙特卡罗法模拟薄样品中低失能近轴背散射电子 [J], 蒋昌忠
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蒙特卡罗方法在电子散射中的应用

蒙特卡罗方法在电子散射中的应用

蒙特卡罗方法在电子散射中的应用
蒙特卡罗方法是一种数值模拟技术,可以用来解决各种复杂问题。

它可以用来模拟电子散射,从而计算电子散射的散射模式。

蒙特卡罗方法的基本原理是,通过随机抽样,对模拟对象的特性进行估计。

它可以用来模拟电子散射,因为它可以模拟电子在散射过程中的行为,以及电子在不同散射角度的行为。

蒙特卡罗方法用来模拟电子散射的步骤如下:
首先,使用随机数生成器生成一系列随机数,这些随机数代表电子在散射过程中的位置。

然后,使用Monte Carlo算法,计算每一个随机点的散射概率。

最后,将每一个随机点的散射概率相加,得到整个散射模式的散射概率。

蒙特卡罗方法可以用来计算非常复杂的电子散射模式,它可以模拟电子在不同散射角度的行为,从而得到准确的结果。

它也可以用来计算电子散射中的各种参数,如能量分布、散射角度分布等。

H+、H2+-、H3+在固体中的能量损失

H+、H2+-、H3+在固体中的能量损失

H+、H2+、H3+在固体中的能量损失实验表明,团簇离子在固体中能量损失与团簇成分单独作用不等,而是具有能损歧离现象。

这种现象与团簇的种类和大小、团簇的能量、靶物质结构以及团簇成分空间关联有关。

研究团簇作用的非线性效应对于了解团簇物和物质的作用机制有很重要的意义。

这些年来,科学家对氢分子离子和质子在固体中作用进行了深入研究,得到了较充足的实验数据,并建立了各种模型,取得了很好进展。

本文是对近些年来的研究的调研总结,使用介电函数模型,蒙特卡罗计算,用氢分子离子和质子打到金靶和碳靶,分析氢团簇离子与固体作用过程,比较实验和理论模型计算结果能量损失值。

关键词:团簇;能损歧离;非线性效应;尾流效应;介电函数模型;蒙特卡罗计算第一章引言1.1选题背景在宇宙中,氢分子是一种结构最简单的分子系统,氢分子团簇是最简单的分子凝聚系统研究模型,它的理论和实验研究引起了人们广泛的注意。

一直以来,氢分子团簇的产生机理,团簇大小与束源温度和停滞气压之间的关系,以及团簇的结构与动力学是基础科学研究的热点之一。

另外,由于氢分子团簇是潜在的超流体,它可能为认识微观物质世界和研究量子现象提供新的途径[1];再加上氢分子团簇在核聚变过程中可能有重要的应用等[2],都促使人们对氢分子团簇的产生、特性、以及光与团簾相互作用等进行深入的研究。

近些年来,科学家对氢团簇的结构和动力学进行了深入的研究。

二十世纪六十年代初,科学家在研究中发现H2+和H+的能损存在差异错误!未找到引用源。

它反映了分子离子和原子离子在碰撞过程中有不同的规律。

后来科学家们研究了分子离子通过固体膜之后的传输图像,特别是H2+和H+在膜中的阻止本领差异。

最初Brandt等人[4]在实验中发现,能量约为100keV每核子的快速质子团簇H2+和H3+在碳和金膜中能量损失与具有相同速度的组成团簇质子的能量损失之和不同。

后来,Steuer等人[5]研究了氮和氧双原子团簇在碳膜中的能量损失,发现能量损失小于具有相同速度的组成团簇的两个原子离子能量损失之和,即能损比小于1。

基于蒙特卡罗方法的GaN,SiC等半导体β辐射特性研究

基于蒙特卡罗方法的GaN,SiC等半导体β辐射特性研究

摘要 : 利用 蒙特卡罗方 法研究 了 G a N 、 S i C 等几种 宽带隙半导体材料 在 8 源辐照 下的行为 。结 果表 明表层 中沉积 的 1 3 粒 子数密度 随材 料密度的增加 而增 加 , 其 最大 电子数 密度与 物质密 度 间存 在近似 的 线性关系 ; 电子数 密度随粒 子入射深度成指数衰 减 , 随横 向迁 移距 离的增 加 而迅速 衰减 , 其横 向最大迁
而一直增大 。选择合适 的宽带隙半导体材料成 为改善辐射伏特 同位素 电池性能的关键。 以S i C和 G a N为代表 的第 3代 半导体材 料, 具有宽禁带、 高击穿 场强 、 高饱 和电子漂移 速率 以及抗 辐射能力强等优点 , 并且可 以在高 温恶劣环境 下工作 , 尤其 是在强辐射场方面颇 具优势 , 已经 受 到学 术 界 和 工业 界 的 关 注和青 睐, 是当今半导体界 的国际焦点 - 1 3 ] 。
如表 1所示 。
表 1 半导体材料 属性
隙半导体 材料 在 B粒子 辐 照下 的行 为 , 理 论 研 究 中以∞s r 能谱为模 型, 构 造 了 如 图 1所 示 具
有典型 B 谱特征 的放射源 能谱 , 其峰值 能量在 E m a x / 3处 。
图1 源 1 3 能谱
电子通过物质时主要发生非弹性碰撞 、 弹 性碰撞作用。弹性碰撞不损失能量 , 所 以电子 在物质中的能量损失作用只考虑非 弹性碰撞。 般来 说 , 电子能 量低 于一 个 I 临界 能量 时 , 吸 收
移距离在 6 l l l m左右 。相对 高能 电子 而言 , 低能 电子更 容易发 生电离作 用 , 且 电子ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ的沉积 能随入射 深度 逐渐 减少 。对于 0 . 1~ 5 0 0 k e V的入射 电子 , G a N、 S i C等半导 体材料的背散射 系数大约在 0 . 0 4—0 . 3 8之

MonteCarlo方法研究低能电子束曝光沉积能分布规律

MonteCarlo方法研究低能电子束曝光沉积能分布规律

Monte C arlo 方法研究低能电子束曝光沉积能分布规律3任黎明 陈宝钦(中国科学院微电子中心,北京 100029)谭震宇(山东大学电气工程学院,济南 250061)(2001年8月24日收到;2001年9月19日收到修改稿) 建立一个描述低能电子在多元多层介质中散射的物理模型,运用M onte Carlo 方法模拟低能电子在靶体胶衬底中的复杂散射过程,在此基础上通过大量计算研究入射束能、胶层厚度、衬底材料等不同曝光条件对抗蚀剂沉积能密度分布的影响,获得沉积能分布规律:适量的低束能、薄胶层、低原子序数衬底可以使前散射电子对胶中沉积能密度分布的贡献增大、背散射电子的贡献减小,从而提高曝光分辨率.3国家“九五”科技攻关项目(批准号:972762203202)和国家重点基础研究项目(批准号:G 2000036504)资助的课题.关键词:电子束曝光,M onte Carlo 方法,低能电子散射,能量沉积PACC :3480,8220R ,8220W ,02501 引言电子束曝光具有高分辨率的特点,一直是大规模、超大规模集成电路研制的重要手段.近年来,低能电子束曝光(入射束能为几个千电子伏或更低)的研究日益活跃,文献[1,2]的实验结果表明:与高能电子束相比,低能电子束具有曝光效率高、邻近效应低等优点.然而,他们却没有从理论上充分论证其结论.另外,关于低能电子散射机理、能量沉积等许多理论问题尚待进一步深入研究.电子束曝光技术中,电子入射到固体后并不是沿直线运动,而是按某种规律随机运动,这种现象称为散射.入射电子束的散射、能量沉积过程及其在抗蚀剂中的沉积能密度分布是影响曝光分辨率的关键因素.M onte Carlo 方法是人们对随机事件的一种数学模拟方法,在物理学研究中应用广泛[3—5].电子束曝光的M onte Carlo 模拟对深入了解电子束曝光邻近效应产生的原因,探讨邻近效应的修正途径可以起到理论指导的先行作用.为此,本文运用M onte Carlo 方法对低能电子在靶体胶衬底中的复杂散射进行模拟,并在此基础上通过大量计算,研究不同曝光条件对抗蚀剂沉积能密度分布的影响,获得沉积能分布规律,旨在为电子束曝光技术的定量研究提供一定的理论依据.2 电子散射过程的M onte Carlo 模拟2.1 物理模型的建立电子在固体中的散射可归结为两类散射事件:弹性散射和非弹性散射.M onte Carlo 模拟计算的准确度取决于所选用的物理模型,当入射电子能量为几十个千电子伏以上数量级时,弹性散射和非弹性散射可分别用Rutherford 散射截面[6]和Bethe 连续能量损失公式[7]计算.然而,当入射电子能量降到几个千电子伏或更低时,由Born 近似[8]导出的Rutherford 散射截面和Bethe 公式均不适用,且能量越低,固体原子序数越高,偏差越大.因此,有必要建立一个更为严格的物理模型处理低能电子散射问题.对于低能电子在固体中的弹性散射过程,本文采用量子力学分波法求解相对论Dirac 方程获得的M ott 截面描述,这里仅给出M ott 微分截面的简写形式[9]:第51卷第3期2002年3月100023290Π2002Π51(03)Π0512207物 理 学 报ACT A PHY SIC A SI NIC AV ol.51,N o.3,March ,2002ν2002Chin.Phys.S oc.d σ(θ)d Ω=|f (θ)|2+|g (θ)|2,(1)其中f (θ)和g (θ)为利用量子力学分波法求解相对论Dirac 方程获得的入射波和散射波函数.低能电子非弹性散射平均能量损失率的计算,采用Joy 修正的Bethe 公式[10]:d E d S =-7.85×104ρZ A E ln 1.166(E +kJ )J(keV Πcm ),(2)其中ρ为介质密度,Z 为原子序数,A 为原子量,k 为修正系数.对于模拟中所用到的光刻胶PM MA 、衬底Si 和Au ,本文将k 值分别取为0.757,0.822和0.851.2.2 Monte C arlo 模拟方法电子入射固体后,要发生多次散射.电子每次散射行为由4个变量决定:前次散射终点处的能量E n 、散射角θn 、散射方位角<n 、散射步长Λn .电子在多元介质中散射,本文采用概率随机抽样方法[11]确定散射中心.确定散射中心后,计算弹性散射总截面σt ,则电子散射步长Λ、散射角θ、散射方位角<均可由随机抽样方法产生:Λ=-A ln R 1Π(ρN 0σt ),(3)R 2=∫θd σ(θ)d Ωsin θd θ∫πd σ(θ)d Ωsin θd θ,(4)<=2πR 3,(5)其中R 1,R 2,R 3均为[0,1]内均匀分布的随机数,A 为原子量,ρ为介质密度,N 0为阿伏伽德罗常数,σt 为弹性散射总截面.电子第n 次散射终点处的能量E n +1通过下式计算:E n +1=E n -d E d sEnΛn ,(6)其中E n 为电子第n -1次散射终点处的能量,Λn 为第n 次的散射步长,|d E Πd s |En为第n 次非弹性散射平均能量损失率,由(2)式计算.M onte Carlo 方法模拟电子散射过程就是依据一定的物理模型,通过计算上述各量,对每个电子的每次散射行为进行模拟,进而模拟出大量电子在固体中的运动轨迹.图1为模拟得到的不同入射束能的低能电子在靶体PM MA 2Si 中的散射轨迹图.其中PMMA 厚度取为66nm (这是实验中已制成的较小厚度),模拟电子数为20000.图1 不同入射束能电子束在PM M A 2S i 中的散射轨迹图3 沉积能密度计算电子束曝光技术中,胶中沉积能密度是研究沉积能分布规律的一个重要参数.一般而言,沉积能密度分布越陡峭,邻近效应越低,线条分辨率越高.研究沉积能密度分布,通常将电子散射效应简化为两种:前(向)散射与背(向)散射,如图2所示.相应地,将发生前散射和背散射的电子分别称为前散射电子和背散射电子.由图2可以看出:背散射使电子束变宽的程度比前散射大得多.返回胶中的背散射电子将参与对胶层的曝光作用,致使不需要曝光的区域被曝光,从而使显影出来的图形比预期的要宽,导致邻近效应加重.在分辨率要求较高的情况下,背散射是曝光精度的最大限制.由于前散射电子与背散射电子均会引起能量沉积,通常将其沉积于胶中的能量分别加以记录.图2 电子的散射效应对垂直入射的电子束,由于电子在胶中的散射关于入射中心轴对称,为了计算胶中的能量沉积,可做如下划分:如图3所示,将胶层沿电子束入射中心方向分为若干非常薄的子层,子层的厚度记为ΔZ .在每一子层上,以z 轴为中心,将胶层沿径向分为若干同心圆环,圆环半径增量记为Δr ,ΔZ 和Δr 足够3153期任黎明等:M onte Carlo 方法研究低能电子束曝光沉积能分布规律小.这样,就将胶层划分为若干个小单元.图3 能量沉积单元示意图利用M onte Carlo 方法模拟每个电子在胶中散射过程的同时,记录沉积在任一单元Ω中的能量.对大量电子进行模拟,并将所有入射电子在Ω中沉积的能量相加,便可计算出任一小单元中沉积的能量.沉积能分布主要受入射束能、胶层厚度、衬底材料等曝光条件影响.由于低能电子束曝光工艺中使用薄胶层,为便于比较不同曝光条件对胶中沉积能密度的影响,可以用沉积能面密度(即每个电子单位面积上沉积的能量)代替沉积能体密度来表示横向沉积能密度分布.按照上述能量沉积单元划分方法,沉积能面密度A (r )等于沿深度方向,胶层中对应于同一半径圆环的所有子层沉积能总和E (r )与该圆环面积及入射电子总数之比为A (r )=E (r )Π(ΔS ・N 0),(7)其中N 0为入射电子总数,ΔS 为圆环面积,ΔS =π(r +Δr )2-πr 2.3.1 入射束能的影响入射束能E 0的大小直接影响电子散射过程,对沉积能密度分布的作用较大.图4为不同入射束能电子束在Si 衬底上PM MA 胶中横向沉积能密度分布.可见入射束能越低,电子在胶中作用范围越小,沉积能密度分布曲线越陡峭,从而邻近效应越低,这正是低能电子束曝光具有极高分辨率的主要原因.表1为不同入射束能的电子在Si 衬底上66nm PM MA 胶中的纵向沉积能密度分布,其中E P ΠE T 为胶中沉积的能量E P 占沉积在胶和衬底中的总能量E T 的百分比,可以看出:电子束入射束能越低,沉积于胶中的能量占总沉积能的比例越大.因此,适量的图4 不同入射束能电子束在S i 衬底上PM M A 胶中的横向沉积能密度分布低能电子束曝光可以将大部分能量沉积于胶中,使用较小的曝光剂量即可达到充分曝光的目的,这就使低能电子束曝光具有曝光效率高的优点.另外,胶层厚度一定,电子作用深度大于胶层厚度时,入射束能E 0越低,电子与衬底的最大作用深度(Z max )越小,对衬底的损伤越轻.表1不同入射束能电子在S i 衬底上P M M A 胶中的纵向沉积能密度分布E 0ΠkeV 5432 1.5Z max Πnm42930620412084(E P ΠE T )Π%10.2515.9328.8261.1493.41 为比较前散射电子和背散射电子对胶中沉积能的影响,本文进一步计算了不同入射束能下前散射电子与背散射电子对胶中沉积能密度分布的贡献,如图5(a )和(b )所示.由图5可见:当E 0=5keV 时,除了入射点附近,背散射电子的贡献比前散射电子大得多,而且背散射电子较前散射电子作用范围大得多,胶中沉积能密度分布主要由背散射电子决定;而当E 0=1.5keV 时,背散射电子对胶中沉积能的贡献远较前散射电子的贡献小(约低两个数量级),作用范围也小,胶中沉积能密度分布取决于前散射电子.对此本文作如下分析:由能量损失率公式(2)可知,入射束能较高时,电子能量损失率较低,在胶中损失的能量较少,电子散射行程较长,因而大量电子穿越界面进入衬底,这就使得返回胶中的背散射电子数目较多,且能量较高,从而在胶中沉积较多的能量,作用范围也较宽,因此,背散射电子对胶中沉积能密度分布起决定作用.但在入射点附近,背散射电子经过的概率却较小,对沉积能密度分布贡献不大;415物 理 学 报51卷当入射电子束能量较低时,由于能量损失率较高,电子行程短,许多电子未进入衬底就已经耗尽能量,终止在胶中,这样由衬底返回胶中的背散射电子较少,且能量较低,对胶中沉积能的贡献较小.由此可以得出一个结论:适量的低能电子束曝光,可以使前散射电子比背散射电子的贡献大得多,对胶中沉积能密度分布起主导作用,从而降低邻近效应,提高分辨率.图5 不同入射束能下前散射电子与背散射电子对胶中沉积能密度分布的贡献 ———为前散射电子,……为背散射电子312 胶层厚度的影响胶膜的厚度T f 对沉积能密度分布也有重要影响.图6为入射束能为3keV 的电子在三种厚度胶层中的沉积能密度分布.可见胶层越薄,胶中沉积能密度分布范围越小,沉积能密度分布越陡峭.这就说明低能电子束曝光中,薄胶层有利于降低邻近效应,提高曝光分辨率.图6 不同厚度胶膜中沉积能密度分布另外,为了比较不同厚度胶膜情况下,前散射电子和背散射电子对胶中沉积能密度分布的影响,本文进一步计算了E 0=3keV 时,前散射电子与背散射电子在4种不同厚度胶膜中的沉积能密度分布,如图7(a )和(b )所示.可以看出:1)胶厚越薄,前散射电子与背散射电子的沉积能密度分布范围越小,但主要影响前散射电子,对于背散射电子,此趋势不明显,沉积能密度分布曲线几乎重合;2)入射点附近前散射电子对胶中沉积能的贡献较背散射电子的贡献大一个数量级,沉积能密度主要取决于前散射电子.对此本文分析如下:对前散射电子而言,由于胶层越薄,入射电子进入衬底前在胶中散射的次数越少,因而前散射电子的分布范围越小,且能量主要集中于入射点附近;而对背散射电子而言,由于低能电子在胶层中能量损失率较低,因而胶层厚度的小范围变化(由于低能电子束曝光工艺中使用薄胶层,模拟计算中胶层厚度不可能变化很大)对进入衬底的电子能量影响不大,从而对背散射电子的数量及其对沉积能密度分布的贡献影响较小.3.3 衬底材料的影响衬底材料的性质可以决定从衬底返回胶中背散射电子的数量、能谱分布等,因此对胶中沉积能密度分布也有重要影响.衬底材料对胶中沉积能密度分布的影响与入射束能有关,图8(a )和(b )给出不同束能的电子在Si 衬底和Au 衬底上66nm PM MA 胶中的横向沉积能密度分布.由图8可见,当E 0=3keV 时,两种衬底上胶中沉积能密度分布在入射点附近表现出明显差异,原子序数较低的Si 衬底,沉积能密度分布略微陡峭一些;而当E 0=1.5keV 时,不同衬底上胶中沉积能密度分布曲线几乎重合.从而表明:一定胶层厚度,入射束能较低时,衬底材料对胶中沉积能密度分布影响不大.5153期任黎明等:M onte Carlo 方法研究低能电子束曝光沉积能分布规律图7 E 0=3keV 时前散射电子(a )与背散射电子(b )对不同厚度PM M A胶中沉积能密度分布的贡献图8 不同衬底胶中沉积能密度分布 ———为S i 衬底,……为Au 衬底 为研究不同衬底材料对前散射电子与背散射电子在胶中沉积能密度分布的影响,本文进一步计算了上述两种入射束能下,Si 衬底和Au 衬底上前散射电子与背散射电子在66nm 胶中的沉积能密度分布,如图9(a )和(b )和图10(a )和(b )所示.由图9和图10可以看出:前散射电子的沉积能密度分布几乎不受衬底材料影响,衬底材料主要影响背散射电子的沉积能密度分布,而且入射束能越高,对背散射电子沉积能密度分布的影响越大.当E 0=3keV 时,由图9(a )和(b )可知,在入射点附近,对Si 衬底而言,胶中沉积能密度主要由前散射电子决定,背散射电子对沉积能的贡献比前散射电子的贡献小得多;而对Au 衬底而言,背散射电子对胶中沉积能的贡献与前散射电子的贡献差别不大(具有相同的数量级).因此,在入射点附近,Au 衬底上胶中沉积能密度要大一些.但在离入射点较远处,两种衬底上胶中背散射电子对沉积能的贡献相差不大,因而沉积能密度分布差别较小.这样就出现了图8(a )所示结果;当E 0=1.5keV 时,由图10(a )和(b )可知,背散射电子对Au 和Si 两种衬底上胶中沉积能贡献虽然稍有差异,但由于两种衬底上前散射电子对胶中沉积能的贡献相当,而前散射电子较背散射电子的贡献大得多(几乎大两个数量级),因此总而言之,两种衬底上胶中沉积能密度分布差别较小,出现了图8(b )所示结果.对此本文分析如下:由于前散射电子几乎不受衬底影响,因此无论入射束能如何变化,不同衬底几乎不影响前散射电子的沉积能密度分布,但是,入射束能E 0的大小却影响背散射电子的沉积能密度分布.当E 0较高时,进入衬底的电子数量及能量均较大,由能量损失公式(2)知:原子序数较高的衬底,其能量损失率相对较低,电子在衬底中散射所损失的能量较少,由衬底返回胶中的背散射电子数量及能量均较大;而当入射束能E 0较低时,由于进入衬底的电子的数量及能量均较小,不同衬底材料所产生的背散射电子的数目及能量差别不大,因此入射束能较低时,衬底材料变化对背散射电子沉积能密度分布的影响较小.615物 理 学 报51卷图9 E 0=3keV 时前散射电子(a )与背散射电子(b )对不同衬底胶中沉积能密度分布的贡献 图注同图8图10 E 0=115keV 时前散射电子(a )与背散射电子(b )对不同衬底胶中沉积能密度分布的贡献 图注同图84 结语由沉积能密度分布的M onte Carlo 模拟计算结果,本文通过分析和归纳,总结出沉积能的分布规律:适量的低束能、薄胶层、低原子序数衬底,可以使前散射电子对胶中沉积能密度分布的贡献增大、背 散射电子的贡献减小,从而提高曝光分辨率.当然,实际电子束曝光中,还应该兼顾其他因素,合理地选用曝光条件.例如,低束能可以提高曝光效率、降低邻近效应、减轻对衬底的损伤程度.但是,受工艺中所能达到的胶膜厚度的限制,入射束能也不可太低,否则部分光刻胶将得不到充分曝光,显影后在胶与衬底界面残留下胶膜,从而影响刻蚀精度.[1]Lee Y H ,Browning R ,M alu f N ,Owen G and Pease R F W 1992J .Vac .Sci .Technol .B 103094[2]S tark TJ ,Eden feld KM ,G riffis D P ,Radzimski ZJ and Russell P E 1993J .Vac .Sci .Technol .B 112367[3]Mu W B ,Chen P X 2001Acta Phys .Sin .50189(in Chinese )[牟维兵、陈盘训2001物理学报50189][4]W ei H L ,Liu Z L and Y ao KL 2000Acta Phys .Sin .49791(in Chinese )[魏合林、刘祖黎、姚凯伦2000物理学报49791][5]Zhao H ,W ang Y S ,Xu Z and Xu X R 1999Acta Phys .Sin .48533(in Chinese )[赵 辉、王永生、徐 征、徐叙 1999物理学报48533][6]Murata R 1974J .Appl .Phys .454410[7]Bethe H A 1933Handbook o f Physics (Berlin :S pringer )v ol 24p273[8]Murata K,K awata H and Nagam i K1987J .Vac .Sci .Technol .B 51247153期任黎明等:M onte Carlo 方法研究低能电子束曝光沉积能分布规律[9]M ott N F and M assy H S W1949The Theory o f Atomic Collision(Ox ford:Clarendon)p243[10]Joy D C and Luo S1989Scanning11176[11]Chen Y Q and M ao YJ1984Acta Phys.Sin.33621(in Chinese)[陈永祺、毛允静1984物理学报33621]Studies of energy dissipation distribution in low2energy electron beam lithographyby Monte C arlo method3Ren Li2M ing Chen Bao2Qin(Microelectronics R and D Center,Chinese Academy o f Sciences,Beijing 100029,China)T an Zhen2Y u(Electric Engineering College,Shandong Univer sity,Jinan 250061,China)(Received24August2001;revised manuscript received19September2001)AbstractA physical m odel describing the scattering processes of low2energy electrons is proposed.The M onte Carlo method was ap2 plied to simulate the com plex scattering processes of G aussian2distribution low2energy electrons in the resist substrate target.And on this basis,the in fluences of different exposure conditions such as incident beam energy,resist thickness and substrate material on energy dissipation density were investigated to obtain the regularity of energy dissipation distribution.It is indicated that ap2 propriately low beam energy,thin resist and low atom ic number substrate can increase the contribution of forward scattering elec2 trons to energy dissipation density distribution in the resist and reduce the contribution of backscattering electrons and thus im2 prove the exposure resolution.K eyw ords:electron beam lithography,M onte Carlo method,low2energy electron scattering,energy dissipation distribution PACC:3480,8220R,8220W,02503Project supported by the S pecial Funds for National Ninth Five2Y ear Science and T echnology Program of China(G rant N o.972762203202),and the S tate K ey Program of Basic Research of China(G rant N o.G2000036504).815物 理 学 报51卷。

康普顿背散射成像的蒙特卡罗模拟

康普顿背散射成像的蒙特卡罗模拟

康普顿背散射成像的蒙特卡罗模拟
曹军生;刘以农;倪建平
【期刊名称】《核电子学与探测技术》
【年(卷),期】2003(023)002
【摘要】康普顿背散射成像是利用康普顿效应判断被照射物体内部结构的方法,广泛应用于工业和医学诊断领域.介绍应用MCNP程序模拟康普顿背散射成像的问题,计算了以250keV电子轰击钨靶产生的X射线谱为源的X射线检测碳和铁的康普顿背散射光子角分布,得到这两种物质的不同散射特性.
【总页数】4页(P155-158)
【作者】曹军生;刘以农;倪建平
【作者单位】清华大学工程物理系,北京,100084;清华大学工程物理系,北
京,100084;清华大学工程物理系,北京,100084
【正文语种】中文
【中图分类】TL82;O411.3
【相关文献】
1.康普顿背散射成像中的有机物加亮效应研究 [J], 王振涛;吴志芳;王立强;周立业
2.阵列康普顿背散射成像系统设计的蒙特卡罗仿真研究 [J], 王振涛;王立强;吴志芳;周立业
3.阵列康普顿背散射成像研究 [J], 孔祥金;王立强;王杰林
4.基于精确准直线阵探测器的康普顿背散射成像仿真 [J], 王心杨;李野
5.基于微波-电子康普顿背散射的环形正负电子对撞机束流能量测量方案 [J], 董旭;黄永盛;唐光毅;陈姗红;司梅雨;张建勇
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基于Monte Carlo方法的散射介质对光束偏振态的影响分析

基于Monte Carlo方法的散射介质对光束偏振态的影响分析

基于Monte Carlo方法的散射介质对光束偏振态的影响分析作者:付军来源:《科技视界》2015年第11期【摘要】为了能准确分析光束的偏振特性在大气传输过程中所受到的影响,特别是在光束发生散射后含有决定大气光学特性的偏振信息这一目的。

采用Stokes-Mueller方法处理光束偏振态,以及Monte Carlo方法对偏振光的传输特性进行建模分析。

【关键词】蒙特卡洛;偏振传输;散射【Abstract】In order to accurate analysis the influence of polarized light beam through the atmosphere, especially the light beam which scattered with large amounts of information has decided the properties of atmospheric optical. The Stokes-Mueller method is adapted to fix the polarization state of light beam,and analysis the properties of polarized light transmit simulation with Monte Carlo method. Getting the polarization of incident light which is scattered.【Key words】Monte Carlo;Polarization transmission;Scatter0 引言近些年,对偏振光束多次散射传输的模拟,主要采用的方法是Monte Carlo方法,Monte Carlo法则是通过大量随机试验来对散射传输的过程进行模拟。

这样就能对任何环境、任意条件下的散射过程进行模拟,得到的结果也与通过实验方式所得的结果相同,这些正是其他方法所存在的瓶颈。

MonteCarlo方法模拟低能电子在多元介质中散射_基于平均散射截面方法

MonteCarlo方法模拟低能电子在多元介质中散射_基于平均散射截面方法

[文章编号]10012246X (2000)0320331206Monte C arlo 方法模拟低能电子在多元介质中散射———基于平均散射截面方法谭震宇1, 何延才2(11山东工业大学电力学院,山东济南 250061; 21中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 200050)[摘 要] 应用基于平均散射截面低能电子在多元介质中散射Monte Carlo 方法,模拟E 0≤5keV低能电子在多种多元介质中散射。

计算了电子背散射系数,背散射电子能谱、角分布,入射电子、背散射电子在介质中的作用范围、沉积能分布,并与确定散射中心方法的结果比较。

两种方法计算结果广泛一致,进一步证明基于平均散射截面方法的有效性和可靠性。

入射电子能量较低,介质平均原子序数较大时,计算的背散射电子角分布不服从余弦分布律。

[关键词] 低能电子散射;Monte Carlo 方法;多元介质;平均散射截面[中图分类号] O56215 [文献标识码] A[收稿日期]1998207227;[修订日期]1999206207[基金项目]国家自然科学基金、山东省高校中青年学科带头人基金资助项目[作者简介]谭震宇(1958~),男,贵州,教授,硕士,主要从事电子与固体相互作用过程Monte Carlo 方法及应用研究.0 引 言近年来,低能电子显微分析、低能电子束曝光研究相当活跃。

这些领域中许多重要课题均涉及电子在多元介质中复杂散射模拟。

作者在文[1]中提出一个基于平均散射截面低能电子在多元介质中散射模型及Monte Carlo 计算方法,该方法将电子在多元介质中的散射等效为在单一介质中的散射,并应用于低能电子束曝光沉积能分布计算[2]。

这一工作主要涉及模拟低能电子在电子束曝光胶PMMA (C 5H 8O 2)中的散射。

基于文[1]的工作,本文对低能电子在多种多元介质,特别是组分原子序数相差较大的多元介质中散射作了模拟,计算电子在固体中作用范围、能量沉积分布,电子背散射系数,背散射电子平均作用深度、背散射电子能谱和角分布,并与确定散射中心方法比较,以进一步证明文[1]方法的有效性和可靠性。

飞点扫描x射线背散射系统研究

飞点扫描x射线背散射系统研究

飞点扫描x射线背散射系统研究飞点扫描x射线背散射系统是一种用于地下目标检测的无损检测技术,被广泛应用于地质勘探、城市地下管网的检测和文物保护等领域。

本文将介绍飞点扫描x射线背散射系统的原理、构成以及在地下目标检测中的应用。

1. 原理飞点扫描x射线背散射系统是基于x射线的无损检测技术,通过发射x射线照射目标,测量背散射x射线的能谱,并分析能谱中的信息来识别地下目标。

当x射线穿过目标时,会被目标内部的物质散射,散射出的x射线即为背散射x射线。

2. 构成飞点扫描x射线背散射系统主要由以下组成部分构成:- x射线发射器:用于产生高能x射线,通常采用贫铱的线加速器产生x射线。

- 探测器:用于测量背散射x射线的能谱,通常采用小角度散射型探测器。

- 电子学系统:用于信号放大、转换和处理,将探测器测得的能谱转化为图像。

- 显示系统:用于显示地下目标的图像,通常采用计算机显示。

3. 应用飞点扫描x射线背散射系统广泛应用于地下目标的探测和识别中。

具体应用包括:- 地质勘探:可以通过扫描地下地层,了解地下含水层和矿藏的分布情况,为资源勘探提供依据。

- 城市地下管网的检测:可以扫描地下管道的位置、坐标和组成,为城市建设和维护提供帮助。

- 文物保护:可以扫描地下古墓和文物的分布情况,非破坏性地了解文物的保存状况和价值。

4. 发展趋势随着科学技术的不断发展,飞点扫描x射线背散射系统也在不断改进和完善。

未来的发展趋势包括:- 提高分辨率:通过改进探测器和算法,提高系统的分辨率,使得系统能够更精确地探测和识别地下目标。

- 算法优化:进一步优化图像重建算法,提高系统的成像质量和速度,并且降低辐射剂量,减少对环境和人体的影响。

- 多模态融合:将飞点扫描x射线背散射系统与其他无损检测技术(如地震勘探、电磁探测等)结合,提高地下目标检测的准确性和可靠性。

飞点扫描x射线背散射系统是一种有效的地下目标检测技术,具有广泛的应用前景。

随着技术的进一步成熟和发展,相信该技术将在地质勘探、城市建设和文物保护等方面发挥更大的作用。

Monte Carlo方法模拟低能电子在多元介质中散射——基于平均散射截面方法

Monte Carlo方法模拟低能电子在多元介质中散射——基于平均散射截面方法

Monte Carlo方法模拟低能电子在多元介质中散射——基于
平均散射截面方法
谭震宇;何延才
【期刊名称】《计算物理》
【年(卷),期】2000(17)3
【摘要】应用基于平均散射截面低能电子在多元介质中散射MonteCarlo方法 ,模拟E0 ≤ 5keV低能电子在多种多元介质中散射。

计算了电子背散射系数 ,背散射电子能谱、角分布 ,入射电子、背散射电子在介质中的作用范围、沉积能分布 ,并与确定散射中心方法的结果比较。

两种方法计算结果广泛一致 ,进一步证明基于平均散射截面方法的有效性和可靠性。

入射电子能量较低 ,介质平均原子序数较大时 ,计算的背散射电子角分布不服从余弦分布律。

【总页数】6页(P331-336)
【关键词】低能电子散射;多元介质;散射;原子;蒙特卡罗法
【作者】谭震宇;何延才
【作者单位】山东工业大学电力学院;中国科学院上海硅酸盐研究所
【正文语种】中文
【中图分类】O562.5
【相关文献】
1.基于Monte Carlo方法的散射介质对光束偏振态的影响分析 [J], 付军
2.Monte Carlo方法模拟背散射电子固体表面空间分布 [J], 谭震宇;蒋定举
3.Monte Carlo方法计算低能电子作用下固体背散射电子发射及空间分布 [J], 谭震宇;何延才
4.Monte Carlo方法模拟低能电子束曝光电子散射轨迹 [J], 任黎明;陈宝钦
5.低能电子在固体表面背散射系数的直接Monte Carlo方法模拟 [J], 卓俊;牛胜利;黄流兴;朱金辉
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说明背散射电子衍射取向衬度原理

说明背散射电子衍射取向衬度原理

说明背散射电子衍射取向衬度原理背散射电子衍射(EBSD)概述:背散射电子衍射(EBSD)是一项在扫描电镜中获得样品结晶学信息的技术。

EBSD将显微组织和晶体学分析相结合,可用来测量晶体取向、晶界取向差、鉴别物相、以及局部晶体完整性的信息。

与金相,投射,XRD,扫描等表征手段所得数据相比,EBSD数据信息量非常丰富,而且获取的晶粒取向信息更直观。

背散射电子衍射装置(EBSD):是扫描电子显微镜(SEM)的附件之一,它能提供如晶间取向、晶界类型、再结晶晶粒、微织构、相辨别和晶粒尺寸测量等完整的分析数据。

EBSD数据来自样品表面下10-50nm厚的区域,且EBSD样品检测时需要倾转70°,为避免表面高处区域遮挡低处的信号,所以要求EBSD样品表面“新鲜”、清洁、平整、良好的导电性、无应力等要求。

背散射电子衍射(EBSD)形成原理:电子背散射衍射仪一般安装在扫描电镜或电子探针上。

样品表面与水平面呈 70°左右。

当入射电子束进入样品后,会受到样品内原子的散射,其中有相当部分的电子因散射角大逃出样品表面,这部分电子称为背散射电子。

背散射电子在离开样品的过程中与样品某晶面族满足布拉格衍射条件 2dsinθ =λ的那部分电子会发生衍射,形成两个顶点为散射点、与该晶面族垂直的两个圆锥面,两个圆锥面与接收屏交截后形成一条亮带,即菊池带。

每条菊池带的中心线相当于发生布拉格衍射的晶面从样品上电子的散射点扩展后与接收屏的交截线,如下图所示。

一幅电子背散射衍射图称为一张电子背散射衍射花样(EBSP)。

一张EBSP 往往包含多根菊池带。

接收屏接收到的 EBSP 经 CCD 数码相机数字化后传送至计算机进行标定与计算。

值得指出的是, EBSP 来自于样品表面约几十纳米深度的一个薄层。

更深处的电子尽管也可能发生布拉格衍射,但在进一步离开样品表面的过程中可能再次被原子散射而改变运动方向,最终成为 EBSP 的背底。

背散射成像原理

背散射成像原理

背散射成像原理背散射成像技术是一种广泛应用于材料科学、生物医学、安全检测等领域的无损检测技术。

它通过测量物质对入射粒子的背散射信号来获取物质的内部结构、成分等信息。

近年来,随着粒子探测器、计算机技术和数据分析方法的发展,背散射成像技术在分辨率、灵敏度和成像速度等方面取得了显著进步,为各领域的科学研究和技术应用提供了有力支持。

一、背散射成像基本原理背散射成像基于粒子与物质相互作用的原理。

当入射粒子(如X射线、中子、电子等)撞击物质时,它们会与物质原子或分子发生相互作用,包括散射、吸收等过程。

其中,背散射指的是入射粒子在物质中经过一次或多次散射后,以与入射方向相反的方向逸出物质的现象。

背散射成像系统通常由粒子源、准直器、探测器、数据采集与处理系统等部分组成。

粒子源产生入射粒子,准直器将粒子束整形并指向待测物体,探测器测量背散射粒子的能量、角度等分布,数据采集与处理系统对测量数据进行处理并重建图像。

在背散射成像过程中,入射粒子与物质相互作用的机制决定了背散射信号的特征。

不同物质对入射粒子的散射和吸收能力不同,因此背散射信号的强度、能谱等特征反映了物质的内部结构、成分等信息。

通过测量背散射信号并分析其特征,可以实现对物质的无损检测和成像。

二、背散射成像技术分类根据入射粒子的种类和能量,背散射成像技术可分为多种类型,如X射线背散射成像、中子背散射成像、电子背散射成像等。

各种成像技术具有不同的特点和应用范围。

1. X射线背散射成像:X射线背散射成像利用X射线与物质原子的内壳层电子相互作用产生的康普顿散射信号进行成像。

它具有穿透力强、分辨率高等优点,适用于对较厚物质或高密度物质的检测。

在医学领域,X射线背散射成像技术已广泛应用于骨骼、牙齿等硬组织的检测和诊断。

2. 中子背散射成像:中子背散射成像利用中子与物质原子核的相互作用产生的散射信号进行成像。

由于中子对轻元素(如氢、碳、氮等)敏感,且能够穿透较厚的物质,因此中子背散射成像在材料科学、能源、安全检测等领域具有广泛应用。

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蒙特卡罗背散射能谱原理本文编写了一组利用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法运用Corteo物理思路模拟氦离子入射到单层及多层靶的背散射能谱拟合程序,将模拟结果与SIMNRA 软件和实验数据结果比对。

论文讨论了1).W,Be,Mo单层靶的模拟与SIMNRA软件结果的拟合,发现背散射能谱拟合程序与标准RBS能谱在高能处符合很好,且在低能处程序模拟值比标准值大,三种单元素厚靶的拟合都取得理想结果。

2).InGaN与SiC多层靶的实验能谱与两种模拟能谱的拟合,背散射拟合程序与标准谱形状相似,但程序的自由程随机性不能很好体现出来。

今后将对多层靶再进行划分多层,编写新的拟合程序,以求能够与实验能谱更好拟合,以便实际应用。

1.1离子束分析研究意义当今世界正是科学技术迅猛发展的时候,各种创新思想正在一步步由假想变为现实。

材料、能源与信息并列为现代科学技术的三大支柱,人类衣食住行方方面面均离不开现代科技的发展与利用。

材料包括材料元素及各种物质组成原子的性质直接影响并决定着材料的各种性能,所以通过研究离子束分析方法能够很好地对材料中重元素深度进行分析,并通过模拟软件可得到较直观的内部信息。

离子束分析总的来说是以离子束作为工具,通过它与物质相互作用来判断物质中元素组成及结构的一门学科。

具体来说是利用某一特定能量的离子(如:质子、α离子及其他重离子)束去轰击样品,使样品中的元素发生激发、电离、发射、核反应和自身散射等过程,通过测量这些过程中产生射线的能量和强度来确定样品中元素的种类和含量的一门学科。

离子束分析技术根据离子-原子核与离子-原子相互作用机制主要划分为:核反应分析(NRA),质子X荧光分析(PIXE),卢瑟福背散射分析(RBS)等。

其中背散射分析是七十年代蓬勃发展起来的一种离子束分析技术。

主要用于对样品元素的定性、定量和深度分布分析,在离子注入、薄膜技术及半导体和其他新型材料研究和生产方面,都表现出优异的特点。

卢瑟福背散射(记作RBS)是快速运动的入射离子受静止的靶原子核的库仑排斥作用而发生散射的大角度库伦散射现象。

卢瑟福背散射有时也被叫做库仑散射,因为它涉及的位势是库仑位势。

通过对散射离子能量的测量,可以确定靶原子的质量。

通过对散射产额的测量,可以定量地确定靶原子的含量。

通过对散射离子的能谱测量,可以确定靶原子的深度分布。

1.2 国内外研究现状及研究方法1.2.1 卢瑟福背散射分析的历史发展卢瑟福背散射分析是固体表面层和薄膜的简便、定量、可靠、非破坏性分析方法, 是诸多的离子束分析技术中应用最为广泛的一种微分析技术。

从背散射现象的发现到广泛应用经历了几十年的不断实践与创新,才使得RBS得到大力发展与应用。

1909年,盖革和马斯顿观察到了α粒子散射实验现象;1911年,卢瑟福揭示了该现象,确定了原子的核式结构模型,为现代物理发展奠定了基石并促进玻尔模型的提出;1957年,茹宾首次利用质子和氘束分析手机在滤膜上的烟尘离子的成分;1967年,美国测量员5号空间飞船发回月球表面背散射分析结果。

19世纪70年代,固态硅探测器的发明使RBS成为一种很受欢迎的实验方法。

从20世纪60年代中后期首次应用RBS于月球表面元素成分分析至今,RBS 已发展成为一种常规的杂质成分、含量及深度分布、膜厚度分析手段,在材料、微电子、薄膜物理、能源等交叉学科领域的研究中,都有着重要的作用。

随着背散射分析方法的逐渐熟练使用,人们已经掌握元素深度分布信息的测定,在此基础上还有人通过编程运用计算机模拟卢瑟福背散射现象,对散射过程中各实验数据做进一步分析,可得到靶元素对某种特定离子的阻止本领和不同种类离子入射到靶样品中的背散射能谱以及未知靶元素相关信息等重要信息。

1.2.2 卢瑟福背散射模拟分析研究方法对卢瑟福背散射过程的模拟采用计算机模拟来实现。

所谓计算机模拟是通过建立研究对象的数学模型或描述模型,设置实验环境,并在计算机上加以体现和实验,以理解模拟程序和实验结果,用计算机对实验数据进行处理。

对卢瑟福背散射实验的模拟程序应用它的动态效果还原整个实验的过程,并获取相应类似的实验结果。

这不仅减少了真实实验的操作难度与实验的器材成本,还排除了真实实验不可预料的突发状况的可能性,并大大节省了数据处理的时间。

本实验就是通过著名的卢瑟福散射公式进行直接抽样,从而建立确定的统计模型,描述离子与靶材料原子多次散射过程,从而给出精确的背散射能谱。

在离子束分析技术中,带电离子在物质中输运过程的模拟是关键问题。

国际上,带电离子“详细历史法”( detailed history) 是研究热门,不断有新的程序出现,同时越来越多的基于蒙特卡罗方法编写的程序和软件如SRIM[1,2],Corteo[3],RUMP[4],Geant4[5]等都得到广泛应用。

SRIM是由Ziegler等人开发的一套计算带电离子在物质中的阻止本领与输运过程的蒙卡模拟程序,采用普适势ZBL(Ziegler-Biersack-Littmark)理论。

TRIM是其中的计算均匀致密靶材料的离子输运计算模块,是目前公认的标准的详细历史计算程序。

Corteo程序是加拿大蒙特利尔大学Francois Schiettekatte开发的一个离子输运快速模拟程序,理论基础与TRIM程序基本相同,只是其将散射角提前计算并储存在列表中,需要时通过索引(index)得出,而不是对每一次直接计算(TRIM),这样提高了对计算精度影响很小的情况下的计算效率。

Geant4是高能物理协会开发的模拟粒子运输的蒙特卡罗通用程序包。

基于Geant4程序源代码开放的特点,使用者可以构造不同的物理模型。

RUMP程序也是从国外引进的基于蒙特卡罗原理的专为模拟RBS实验谱而设计的软件。

RUMP运行时可对软件载入所需的背散射截面数据或新的阻止本领数据以实现非卢瑟福背散射模拟或重离子背散射模拟。

由于RUMP工作环境是采取一种命令式的对话,并搭配有在线帮助信息提示系统,所以RUMP 在谱数据处理和谱图绘制方面有很大优势。

以上几种均是基于蒙特卡罗方法开发的程序或软件,在此介绍一种不基于蒙特卡罗方法的程序SIMNRA[7]。

SIMNRA是德国Max-Planck研究所开发的计算机拟合程序,包含了常见离子在不同材料中的电子阻止本领和散射截面数据,用来分析卢瑟福散射截面和离子在靶材料中的组织本领,并将能谱转换为元素的深度分布从而实现高精度的深度分布测量。

使用时只需初步设定相关探测参量,即可进行模拟给出拟合谱,软件可自动调整薄膜组分及实验谱对照,直接给出与实验谱匹配一致的曲线,从而得到分析结果。

由于SIMNRA运用的是经典卢瑟福散射过程,未考虑离子在靶中的多次散射过程,故得到一条连续背散射能谱。

上面提到的蒙特卡罗方法,又叫统计模拟法、随机抽样技术,是一种以概率统计理论为指导的数值计算方法,常常被用来解决很多计算问题。

蒙特卡罗方法的基本思想是:方便求解数学、物理、工程技术以及管理等方面的问题。

应用蒙特卡罗方法首先建立一个概率模型或随机过程,使某参数如概率分布或数学期望等于问题的解;然后观察过程或对模型抽样试验来计算所求参数的统计特征,再用算术平均值近似为结果的解。

处理随机性问题,有时还可以根据实际物理背景的概率统计特征,用计算机程序直接进行抽样试验,从而得到问题的解答。

蒙特卡罗方法有许多的优点[8]:(1)程序模拟背散射受几何条件的限制小;(2)能够较逼真地描述具有随机性质的离子与靶物质碰撞过程;(3)可以同时计算大量入射离子与不同靶材料的物理碰撞过程;(4)容易确定计算机模拟过程带来的误差;(5)相较于真是实验,编写程序易于实现。

蒙特卡罗方法所特有的优点,使得它的应用范围越来越广。

基于以上诸多优点,本论文就是使用蒙特卡罗方法来对卢瑟福背散射现象进行模拟。

1.3本论文工作简介卢瑟福背散射在材料中的重元素深度分析方面有重要的应用。

但其必须借助计算机模拟程序来提供能谱的响应函数,才能完成实验能谱的分析。

目前的能谱模拟程序并未考虑入射离子在材料中的多次散射现象。

因此,无法给出精确的背散射能谱响应函数。

但是,在离子在靶物质中穿行的实际过程中,离子刚入射到靶材料时能量高、速度大,发生背散射几率较小,在靶中发生多次散射碰撞损失能量速度减小后才发生背散射经探测器探测到。

本毕业设计结合上述实验需求,引用Corteo离子发生多次散射的传输思想,利用蒙特卡罗方法来描述离子与靶材料原子的多次散射过程,通过模拟大量离子在靶材料中多次散射后经探测器测得的背散射几率与入射离子能量之间的关系,从而可以给出更为精确的背散射能谱。

同时,根据模拟得到的能谱响应函数,利用ROOT软件包提供的拟合软件,进一步开发解谱程序。

将实验结果与卢瑟福散射结果(SIMNRA)作比较,论文研究结果将提高背散射分析的便捷性和准确性。

第二章物理原理卢瑟福背散射分析(Rutherford backscattering Spectrometry,RBS)有时被称为高能离子散射谱学,是一种离子束分析技术,被用来分析、测量材料的结构和组分而广泛应用在材料科学中。

通过将一束确定能量的高能粒子束(通常是质子或氦离子)打到待分析材料样品中,探测背向反射离子(散射角>90。

)的能量,即可确定靶原子的类别、含量和深度分布信息。

本章对卢瑟福背散射谱学基本原理做一些简单介绍。

2.1 基本原理当一束能量Mev量级的离子(通常用α粒子)入射到靶物质中,与靶原子或原子核发生弹性碰撞(如图 2.1a)。

由于离子刚入射时能量高速度大,大部分离子沿入射方向穿透进去,还与靶原子电子发生碰撞逐渐损失能量停在靶中;但是有极小部分离子由于靶原子核库伦排斥作用发生大角度散射,从背向(散射角>90。

)散射出来。

这些入射离子与靶原子核之间的大角度库伦散射现象称为卢瑟福背散射(记作RBS)。

入射离子与靶原子弹性碰撞的运动学关系决定能量转移大小,通过对这些背散射离子能量的测量可以确定靶原子的质量。

在碰撞前后带电粒子穿透靶物质的深度决定了带电粒子能损大小,通过对能谱测量还可确定发生碰撞的靶原子在样品中的深度分布。

在碰撞时,靶原子浓度和截面决定了散射产额的多少,通过测定背散射离子的总计数,可以确定靶原子的浓度。

背散射运动学因子,背散射散射截面和能量损失因子是背散射分析的三个主要参量,它们分别关系着背散射分析的质量分辨能力、原子浓度的定量分析和深度分辨能力[9]。

图2.1a 背散射谱仪系统图2.1b 离子与靶原子的弹性碰撞过程2.2背散射运动学因子运动学因子[9]为与靶原子弹性碰撞后散射离子能量与入射离子初始能量的比值,由被分析的靶元素原子质量所决定。

将某单一能量离子束打到真空靶室中的靶样品上,使其能量低到不足以与靶核发生核反应的条件以下,入射离子和靶原子核发生(如图2.1b 所示)弹性碰撞。

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