电磁学实验-----锑化铟
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倍频特性
6
技术关键
主回路电源的性质。
确定流过锑化铟的电流强度。
7
仪器构件介绍
8
仪器构件介绍
GaAs InSb
9
实验步骤及内容
按照电路图正确连接电路。 调节锑化铟电流的输出，确定电路中锑化铟的电流强度。 调节励磁电流，测量通过InSb两端的电压值。
计算InSb阻值
10
实验步骤及内容
取样电阻R= 电磁铁 IM/mA 0 , 电压U= ；求出电流I=U/R= InSb mA;
电磁学实验——InSb磁电阻传感器特性测量
丛伟艳 空间科学与物理学院
1
项目意义
通过测量处于变化பைடு நூலகம்磁场中的锑化铟传感器的阻值，加 深对磁阻这一概念的理解，了解锑化铟随外加磁场强度的 变化的规律。 通过实验，了解磁阻效应的物理机理。
2
完成项目所需硬件
磁阻效应实验仪一套、导线若根，信号数据线一根
3
技术路线
• 实际操作时，直流电源I，不能超过350mA； • 注意毫特计的调零。
12
思考题
P101 第二题
13
4
技术路线
通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小，即 Δρ/ρ（0）。 其中Δρ=ρ（B）-ρ（0）。由于ΔR/R （0）正比于Δρ/ρ（0），因此也可以用ΔR/R（0）来 表示磁阻效应的大小。
5
技术路线
实验证明，当金属或半导体处于较弱磁场中时，一般磁阻 传感器电阻相对变化率ΔR/R（0）正比于磁感应强度B的平方， 而在强磁场中ΔR/R（0）与磁感应强度B呈线性关系。 若外界交流磁场的磁感应强度B为 B=B0COSωt （1） 设在弱磁场中 ΔR/R(0)=KB2 （2） 由（1）式和（2）式可得： R(B)=R(0)+ΔR =R(0)+R(0)×[ΔR/R(0)] =R(0)+R(0)KB02COS2ωt =R(0)+R(0)KB02+R(0)KB02COS2ωt
U/mv
B~ΔR/R(0)对应关系 B/mT R/Ω ΔR/R(0) 0 … … ……… 60 ………
350
11
注意事项
• 实验时注意InSb传感器工作电流应小于3 mA。 • InSb电流调节时，要做到“慢”“稳”，防止数字电压表 失控。
• 调节电磁铁直流电源的电流时，要做到“慢”“稳”，禁
止往复地调。 • B<60mT时，取点要密，B>60mT时取点可疏；
磁性金属和合金一般都有磁电阻现象，所谓磁电阻是指在一 定磁场下电阻改变的现象。
锑化铟性质：锑和铟的化合物。具闪锌矿型结构的晶体。 金属锑和铟在高温熔合而得。重要的半导体材料之一。经 熔炼提纯的单晶，可制成具有特殊性能的红外探测器件等。 磁阻器件应用于数字式罗盘、交通车辆检测、导航系统、 伪钞检测、位置测量等方面。
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技术关键
主回路电源的性质。
确定流过锑化铟的电流强度。
7
仪器构件介绍
8
仪器构件介绍
GaAs InSb
9
实验步骤及内容
按照电路图正确连接电路。 调节锑化铟电流的输出，确定电路中锑化铟的电流强度。 调节励磁电流，测量通过InSb两端的电压值。
计算InSb阻值
10
实验步骤及内容
取样电阻R= 电磁铁 IM/mA 0 , 电压U= ；求出电流I=U/R= InSb mA;
电磁学实验——InSb磁电阻传感器特性测量
丛伟艳 空间科学与物理学院
1
项目意义
通过测量处于变化பைடு நூலகம்磁场中的锑化铟传感器的阻值，加 深对磁阻这一概念的理解，了解锑化铟随外加磁场强度的 变化的规律。 通过实验，了解磁阻效应的物理机理。
2
完成项目所需硬件
磁阻效应实验仪一套、导线若根，信号数据线一根
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技术路线
• 实际操作时，直流电源I，不能超过350mA； • 注意毫特计的调零。
12
思考题
P101 第二题
13
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技术路线
通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小，即 Δρ/ρ（0）。 其中Δρ=ρ（B）-ρ（0）。由于ΔR/R （0）正比于Δρ/ρ（0），因此也可以用ΔR/R（0）来 表示磁阻效应的大小。
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技术路线
实验证明，当金属或半导体处于较弱磁场中时，一般磁阻 传感器电阻相对变化率ΔR/R（0）正比于磁感应强度B的平方， 而在强磁场中ΔR/R（0）与磁感应强度B呈线性关系。 若外界交流磁场的磁感应强度B为 B=B0COSωt （1） 设在弱磁场中 ΔR/R(0)=KB2 （2） 由（1）式和（2）式可得： R(B)=R(0)+ΔR =R(0)+R(0)×[ΔR/R(0)] =R(0)+R(0)KB02COS2ωt =R(0)+R(0)KB02+R(0)KB02COS2ωt
U/mv
B~ΔR/R(0)对应关系 B/mT R/Ω ΔR/R(0) 0 … … ……… 60 ………
350
11
注意事项
• 实验时注意InSb传感器工作电流应小于3 mA。 • InSb电流调节时，要做到“慢”“稳”，防止数字电压表 失控。
• 调节电磁铁直流电源的电流时，要做到“慢”“稳”，禁
止往复地调。 • B<60mT时，取点要密，B>60mT时取点可疏；
磁性金属和合金一般都有磁电阻现象，所谓磁电阻是指在一 定磁场下电阻改变的现象。
锑化铟性质：锑和铟的化合物。具闪锌矿型结构的晶体。 金属锑和铟在高温熔合而得。重要的半导体材料之一。经 熔炼提纯的单晶，可制成具有特殊性能的红外探测器件等。 磁阻器件应用于数字式罗盘、交通车辆检测、导航系统、 伪钞检测、位置测量等方面。