第3章-逻辑门电路.
第三章 逻辑门电路
数字集成电路构成了各种逻辑电路,如各种门电路、编译码器、 触发器、计数器、寄存器等。
CMOS电路相比于TTL,具有功耗低、工作电压范围宽、抗干扰能力强等优点。
最常用的TTL电路是74LS/HC等系列,使用5V的电压逻辑“0”输出电压为小于等于0.2V,逻辑“1”输出电压约为3V。通常CMOS集成电路工作电压范围为3-18V,所以不必像TTL电路那样,要用正好的5V电压。CMOS集成电压的输入电阻很高,这意味着驱动CMOS集成电路时,所消耗的驱动功率几乎可以不计。同时CMOS集成电路的耗电也非常的省,用CMOS集成电路制作的电子产品,通常都可以用于干电池供电通常用于生产RAM和交换应用系统,在计算机领域里通常指保存计算机基本启动信息(如日期、时间、启动设置等)的ROM芯片。BiCMOS成为射频电路中用得最多的工艺技术。它结合双极性集成电路BJT的高速性能和高驱动能力,以及CMOS的高密度,低功耗和低成本等优点,既可用于数字集集成电路,也可用于模拟集成电路。
延时功耗积
扇入与扇出数
扇入数:取决于逻辑门的输入端的个数。
扇出数:是指其在正常工作情况下,所能带同类门电路的最大数目。
扇出数的计算分两种情况: (a)拉电流和(b)灌电流
(a)带拉电流负载(高电平输出)
高电平扇出数:
(b)带灌电流负载(低电平输出)
特别要说明的是,源极在MOSFET里的意思是“提供多数载子的来源”。对NMOS而言,多数载流子是电子;对PMOS而言,多数载流子是电洞(空穴)。相对的,汲极(集电极)就是接受多数载流子的端点。
N沟道增强型MOSFET
结构(N沟道)
P沟道MOSFET
JFET的结构和工作原理
输入端的数目越多,则串联的管子也越多;
第3章逻辑门电路PPT 共126页
电位被钳 在2.1V
全反偏
“1” A B C
R1 3k
b1 c1 T1
+5V
R2
R4
1V
T2 T3
T4
R5
截止
F
全导通
T5
R3
(2-24)
全反偏
“1” A
B C
R1 3k
R2
b1 c1 T1
T2
逻辑关系:全1则0。
R3
+5V
uF =0.3V F
T5
饱和
输入、输出的逻辑关系式: F ABC
(2-25)
RP的临界值可计算如下:
1.4V=
R1RPRP(5 - V be1)
=
4 . 3 RP R1 RP
RP=1.4KΩ(R1=3K Ω)为安全起见,如要求输入等 效为低电平时,对TTL门电路应使RP小于1 K Ω; 如要求输入等效为高电平时,对TTL门电路应使RP 大于2K Ω。
(2-39)
例能3正.5确.3地综在传合图送以3到上.5.门两20G种所2的情示输况的入,电端应路,取中要R,P求为≤0v保.o618证=KV门OHG时1输vI2出≥V的IH高(、min低),电平 vO1=VOL也时就,是v说I2≤GV1I和L(Gm2a之x)间,的试串计联算电RP阻的应最小大于允许值是多少?已知 G1和G26均80为7,4系否列则反当相vO器1=V,OLV时C可C=能5超V,过VVILO(H=m3ax.)4V, VOL=0.2V, VIH(min)=2.0V, VIL(max)=0.8V。 G1和G2的输入特性和输出特性 见图3.5.12和图3.5.14、图3.5.16。
(2-27)
1. 输出高电平UOH、输出低电平UOL UOH2.4V UOL 0.4V 便认为合格。 典型值UOH=3.4V UOL=0.3V 。
数字逻辑第3章 门电路
逻辑式:Y=A + B
逻辑符号: A 1
B
Y
电压关系表
uA uB uY
0V 0V 0V 0V 3V 2.3V 3V 0V 2.3V 3V 3V 2.3V
真值表
ABY
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
1
1
三、三极管非门
5V
利用二极管的压降为0.7V, 保证输入电压在1V以下时,
电路可靠地截止。
A(V) Y(V) <0.8 5 >2 0.2
II H &
II L &
… …
NOH
I OH (max) I IH
N MIN ( NOH , NOL )
NOL
IOL(max) I IL
六、CMOS漏极开路门(OD)门电路(Open Drain)
1 . 问题的提出
普通门电路
在工程实践中,往往需要将两个门的输出端 能否“线与”?
并联以实现“与”逻辑功能,称为“ 线与 。
输入 0 10% tr tf
tPHL
输出
tPLH
tr:上升时间
tf:下降时间 tw:脉冲宽度 tPHL:导通传输时间
tPLH:截止传输时间
平均传输延迟时间 (Propagation delay)
tpd= tpHL+ tpLH 2
5、功耗: 静态功耗:电路的输出没有状态转换时的功耗。 动态功耗:电路在输出发生状态转换时的功耗。
PMOS
NMOS
3、增强型MOSFET的开关特性
iD管可变子类型恒
VGS1 击开/关的条(件1)N沟道增强开型/M关O的S等FE效T电:路
第三章逻辑门电路
4.74S系列——为肖特基TTL系列,进一步提高了速度。如图示。
5.74LS系列——为低功耗肖特基系列。 6.74AS系列——为先进肖特基系列,
它是74S系列的后继产品。
7.74ALS系列——为先进低 功耗肖特基系列,
t
50%
主要取决于存储时间ts, 5管门电路 tpd=40ns
o tpHL tpLH
t
4、功耗
静态功耗:当电路的输出没有状态转换时的 功耗。 例如:便携计算机、手机和PDA等。 动态功耗:CMOS电路在输出发生状态转换时的 功耗。
5、延时——功耗积
Dp tpdPD
tpd=(tPLH+tPHL)/2用平均传输延迟时间, tPLH---由低电平转换到高电平所花的时间.
SN (1)
74 (2)
S (3)
195 (4)
J 封装的4位并行移位寄存器 (5)
司制造的采用陶瓷双列直插
封装形式 J:陶瓷双列直插封装 器件种类:4位并行移位寄存器 器件系列:肖特基74TTL电路系列 产品系列 74系列 制造厂商 SN:美国TEXAS公司制造
TTL集成逻辑门电路系列简介
1.74系列——为TTL集成电路的早期产品,属中速TTL器件。
输入电压在3.5V~5.0V范围对应高电平逻辑1 输入电压在0~1.5V范围对应低电平逻辑0
输入低电平上限VIL、输入高电平下限VIH、 输出低电平上限VOL、输出高电平下限VOH、
2.噪声容限
1
VOH(min) VNH VIH(min) VIL(max) VNL
1
在保证输出高、低电平基本不变 的条件下,输入电平的允许波动 范围称为输入端噪声容限。
数字电路教案-阎石-第三章-逻辑门电路
第3章逻辑门电路3.1 概述逻辑门电路:用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。
简称门电路.用逻辑1和0 分别来表示电子电路中的高、低电平的逻辑赋值方式,称为正逻辑,目前在数字技术中,大都采用正逻辑工作;若用低、高电平来表示,则称为负逻辑。
本课程采用正逻辑。
获得高、低电平的基本方法:利用半导体开关元件的导通、截止(即开、关)两种工作状态.在数字集成电路的发展过程中,同时存在着两种类型器件的发展。
一种是由三极管组成的双极型集成电路,例如晶体管-晶体管逻辑电路(简称TTL电路)及射极耦合逻辑电路(简称ECL电路).另一种是由MOS管组成的单极型集成电路,例如N-MOS逻辑电路和互补MOS(简称COMS)逻辑电路。
3。
2 分立元件门电路3。
3.1二极管的开关特性3.2.2三极管的开关特性NPN型三极管截止、放大、饱和3种工作状态的特点工作状态截止放大饱和条件i B=0 0<i B<I BS i B>I BS工作特点偏置情况发射结反偏集电结反偏u BE〈0,u BC〈0发射结正偏集电结反偏u BE>0,u BC〈0发射结正偏集电结正偏u BE〉0,u BC〉集电极电流i C=0 i C=βi B i C=I CSce间电压u CE=V CC u CE=V CC-i C R cu CE=U CES=0.3Vce间等效电阻很大,相当开关断开可变很小,相当开关闭合3.2。
3二极管门电路1、二极管与门2、二极管或门u A u B u Y D1D20V 0V 0V 5V 5V 0V 5V 5V0V4。
3V4。
3V4.3V截止截止截止导通导通截止导通导通3。
2.4三极管非门3。
2。
5组合逻辑门电路1、与非门电路2、或非门电路3.3 集成逻辑门电路一、TTL与非门1、电路结构(1)抗饱和三极管作用:使三极管工作在浅饱和状态。
因为三极管饱和越深,其工作速度越慢,为了提高工作速度,需要采用抗饱和三极管。
构成:在普通三极管的基极B和集电极C之间并接了一个肖特基二极管(简称SBD)。
数字模拟电路---第三章 逻辑门电路(1)
路。
简称门电路。
5V一、TTL 与非门图3-1 典型TTL 与非门电路3.2 TTL 集成门电路•数字集成电路中应用最广的为TTL 电路(Transister-Transister-Logic 的缩写)•由若干晶体三极管、二极管和电阻组成,TTL 集成电路有54/74系列 ①输出高电平UOH 和输出低电平UOL 。
•输出高电平U OH:至少有一个输入端接低电平时的输出电平。
•输出低电平U OL:输入全为高电平时的输出电平。
• 电压传输特性的截止区的输出电压UOH=3.6V,饱和区的输出电压UOL=0.3V。
一般产品规定U OH≥2.4V、U OL<0.4V时即为合格。
二、TTL与非门的特性参数③开门电平U ON 和关门电平U OFF 。
开门电平U ON 是保证输出电平达到额定低电平(0.3V )时,所允许输入高电平的最低值,表示使与非门开通的最小输入电平。
通常U ON =1.4V ,一般产品规定U ON ≤1.8V 。
关门电平U OFF 是保证输出电平为额定高电平(2.7V 左右)时,允许输入低电平的最大值,表示与非门关断所允许的最大输入电平。
通常U OFF ≈1V ,一般产品要求U OFF ≥0.8V 。
5). 扇入系数Ni和扇出系数N O 是指与非门的输入端数目。
扇入系数Ni是指与非门输出端连接同类门的个数。
反扇出系数NO映了与非门的带负载能力。
6)输入短路电流I IS 。
当与非门的一个输入端接地而其余输入端悬空时,流过接地输入端的电流称为输入短路电流。
7)8)平均功耗P 指在空载条件下工作时所消耗的电功率。
三、TTL门电路的改进 74LS系列 性能比较好的门电路应该是工作速度既快,功耗又小的门电路。
因此,通常用功耗和传输延迟时间的乘积(简称功耗—延迟积或pd积)来评价门电路性能的优劣。
74LS系列又称低功耗肖特基系列。
74LS系列是功耗延迟积较小的系列(一般t pd<5 ns,功耗仅有2 mW) 并得到广泛应用。
数电第三章讲解
起低阻通道,形成较大的 脉冲电流。 不仅增加了CMOS电路的 功耗,而且也成为CMOS 电路的内部干扰源。
22
3. CMOS反相器的输入特性
由于信号从栅极输入, 输入电阻很大,又有一个小的寄生电容, 如果输入端没有保护电路, 输入端可能被静电感应充电至高压, 造成绝缘栅击穿,使器件永久损坏。 为避免造成栅极击穿, 实际的CMOS集成电路的每一个输入端都设有输入保
第3章 集成逻辑门电路
3.1 概述
逻辑门电路(门电路): 用来实现基本逻辑关系的电子电路 集成逻辑门电路: 将若干个逻辑门电路集成在一块半导体材料基片上
1
集成逻辑门电路有两种类型器件:
(1)由三极管组成的双极型集成电路
例如:晶体管-晶体管逻辑电路 (简称TTL:Transistor-Transistor Logic)
和增强型NMOS驱动管(TN) 串联组成
11
TP的开启电压VGS(th)P < 0 TN的开启电压VGS(th)N > 0 电路正常工作的条件: VDD >∣VGS(th)P∣+ VGS(th)N,
且VGS(th)N =∣VGS(th)P∣, TN和TP具有相同的导通电阻
Ron和截止电阻Roff。
12
2.工作原理
当输入为低电平时: TN的VGSN = 0 v < VGS(th)N 管子截止。 TP的∣VGSP ∣= VDD 管子导通, 输出为高电平VOH vO =VOH≈VDD
13
当输入为高电平VDD时
TN的VGSN = VDD >VGS(th)N, 管子导通。 TP的VGSP = 0 v > VGS(th)P 负载管截止。 输出为低电平VOL, vO =VOL≈0 v。
数字电子技术基础第三章逻辑门电路
数字电子技术基础第三章逻辑门电路
第一节 常见元器件的开关特性
3.MOS管的开关特性
A、MOS管静态开关特性
在数字电路中,MOS管也是作为 开关元件使用,一般采用增强型的 MOS管组成开关电路,并由栅源电压 uGS控制MOS管的导通和截止。
时间。
toff = ts +tf 关断时间toff:从输入信号负跃变的瞬间,到iC 下降到 0.1ICmax所经历的时间。
数字电子技术基础第三章逻辑门电路
第一节 常见元器件的开关特性
2.三极管的开关特性
B、晶体三极管动态开关特性
ton和toff一般约在几十纳秒(ns=10-9 s)范围。通常都
有toff > ton,而且ts > tf 。
0 .3V 3 .6V 3 .6V
1V 5V
3 .6V
数字电子技术基础第三章逻辑门电路
第三节 TTL和CMOS集成逻辑门电路
1.TTL集成逻辑门电路
3 .6V 3 .6V 3 .6V
2.1V
0 .3V
数字电子技术基础第三章逻辑门电路
第三节 TTL和CMOS集成逻辑门电路
1.TTL集成逻辑门电路
数字电子技术基础第三章逻辑门电路
❖ 2.教学重点:不同元器件的静态开关特性,分立元件门电路 和组合门电路,TTL和CMOS集成逻辑门电路基本功能和电气特 性。
❖ 3.教学难点:组合逻辑门电路、TTL和CMOS集成逻辑门4.课时 安排: 第一节 常见元器件的开关特性 第二节 基本逻辑门电路 第三节 TTL和CMOS集成逻辑门电路
3逻辑门电路
vGS>0
域又称为可调电阻区域。
vDS N沟道增强型MOS管输出特性曲线图
(Ⅲ)截止区
O
饱和区:当vDS≥(vGS-VGS(th)N)以后,漏极附近的沟道被夹断。 iDS不随vDS线性上升,而是达到某一数值,几乎近似不变。
截止区:vGS<VGS(th)N,还没有形成导电沟道,因此iDS=0。 2.转移特性和跨导 MOS管的转移特性是指在漏源电压v DS 一定时,栅源电压 vGS和漏源电流iDS之间的关系。 当v GS <V GS(th)N 时,i DS =0,只有当
由三个CMOS反相器和 3.1.5 CMOS门电路 一个CMOS传输门组成
3、“异或”门电 路 输入端A和B相同 0 1 当A = B = 0时 TG断开,则C=B=1, F=C=0。 当A = B = 1时, TG接通,C = B = 1, 反相器2的两只MOS 管都截止,输出F=0。 0 1 得:输入端A和B相同, 输出 F=0
PD:门电路功耗
DP值愈小,表明门电路的特性愈接近于理想情况。
6. 扇入数与扇出数
(1)门电路的扇入数决定于它的输入引脚的个 数,如:三输入逻辑门的扇入数Ni=3。 A B C A B C L Ni=3
&
≥
L
Ni=3
(2)扇出数:门电路正常工作下能带同类逻辑 门电路负载的最大个数。
a)拉电流工作情况
3.1 MOS逻辑门电路
CMOS反相器 CMOS门电路 CMOS传输门、三态门
3.1.1 数字集成电路简介
上世纪60年代初美国德克萨斯公司率先将分立元件和连 线制作在同一硅片上,形成集成电路(Integrated Circuit,简 称IC)。并且,由于微电子技术的迅速发展,使集成电路在 大多数领域内迅速取代了分立元件电路。 从总体上说,集成 电路可分为模拟集成电路、数字集成电路以及数模混合集成 电路三大类。 在数字集成电路里,根据制造工艺的不同,可分为双极型 (电子、空穴两种载流参与导电)和单极型(只有电子或空穴 一种载流子参与导电)两大类。 TTL电路是双极型数字集成电路中应用最广泛的一种,它由 于输入端是晶体管(Transistor)输出端也是晶体管而得名,即 Transistor-Transistor Logic简称TTL。双极型数字电路除TTL类 型之外,还有ECL和I2L电路。ECL是一种通过射极电阻耦合的 非饱和型高速逻辑电路,称为发射极耦合电路。I2L电路是一种 单元结构简单、功耗低、适合于制造大规模集成电路的集成注入 逻辑门电路,在大规模器件中应用。
数电-第三章逻辑门电路
了解和掌握常见时序逻辑电路的原理和应用,如寄存器、 计数器、顺序脉冲发生器等。
可编程逻辑器件应用
1 2
可编程逻辑器件简介
了解可编程逻辑器件的基本概念和分类,如PAL、 GAL、CPLD、FPGA等。
可编程逻辑器件编程
学习使用相应的开发工具和编程语言,对可编程 逻辑器件进行编程和配置,实现特定的逻辑功能。
典型组合逻辑电路
了解和掌握常见组合逻辑电路的 原理和应用,如编码器、译码器、
数据选择器、比较器等。
时序逻辑电路分析与设计
时序逻辑电路分析
分析时序逻辑电路的工作原理,包括触发器的状态转换、 时钟信号的作用等,进而理解电路的功能。
时序逻辑电路设计
根据实际需求,设计实现特定功能的时序逻辑电路。包括 确定输入、输出变量,选择适当的触发器类型,画出状态 转换图或时序图等步骤。
数电-第三章逻辑门 电路
• 逻辑门电路基本概念 • 基本逻辑门电路 • 复合逻辑门电路 • 逻辑门电路应用 • 逻辑门电路实验与仿真 • 逻辑门电路总结与展望
目录
Part
01
逻辑门电路基本概念
逻辑门定义与分类
逻辑门定义
逻辑门是数字电路中的基本单元 ,用于实现基本的逻辑运算功能 ,如与、或、非等。
逻辑符号为带有小圆圈的与门符号。
或非门电路
01
02
03
或非门逻辑功能
实现输入信号的逻辑或操 作,并取反输出结果。
或非门符号
逻辑符号为带有小圆圈的 或门符号。
或非门真值表
输入全为0时,输出为1; 输入有1时,输出为0。
异或门电路
异或门逻辑功能
实现输入信号的异或操作, 即输入信号相同时输出为0, 不同时输出为1。
第3章逻辑门电路2.
A R3
图2.2.13 有源泄放TTL与非门
有源泄放回路在转换过程中提高开关速度的原因
是它的等效电阻是可变的。在输入由低电平全部变为 高电平的瞬间,有源泄放回路 AB 两端呈现高阻抗, 使V5迅速饱和,缩短了开启时间tON;在输入由高电平 变为低电平的瞬间,有源泄放回路 AB 两端呈现低阻 抗,使V5加快截止,缩短了关闭时间tOFF(分析略)。 另外,有源泄放回路还能提高电路的抗干扰能力,
流不仅会使导通门的输出低电平抬高,而且还可能因功耗太
大而损坏两个门的输出管,这是不允许的。为了克服一般
TTL门不能直接相连的缺点,提出了OC门。
+UCC R4 V3 V4 R3 V5 +UCC R4 V3 V4 R3 F2 = 0 V5 IL F1 = 1
图2.2.17 两个TTL门输出端相连
+UCC R1 V1 V2 V5 R3 F R2 RL
铝—硅二极管),它的正向导通电压为0.4V~0.5V, 比一般硅管的正向导通电压 0.6V~0.7V低 0.2V。 这样,当三极管的 c结进入正偏后, SBD首先导 通, c 结的正偏电压被钳在 0.4V~0.5V ,使三极 管不会进入深饱和,而只能工作在微饱和状态, 从而大大提高了门电路的工作速度。当有源泄放
图 2.2.16
&
F1
F
&
F2
必须指出的是,并不是所有形式的与非门都能接成
“线与”电路。例如,一般的TTL与非门,由于采用了推拉 式输出电路,无论是输出高电平还是低电平,输出电阻都比 较低,只有几至几十 Ω。如果将两个输出端直接相连,当一 个门的输出为高电平,另一个门输出为低电平时,则会形成 一条自 +UCC 到地的低阻通路,会有一股很大的电流从截止 门的V4管灌入到导通门的V5管,如图2.2.17所示。这个大电
数字电子技术基础:第三章 逻辑门电路
逻辑符号
C
vI /vO
TG
vO /vI
C
C
υo/ υI
2. CMOS传输门电路的工作原理
vI /vO
5V到+5V
C
+5V
TP +5V vO /vI
5V TN
5V
C
设TP:|VTP|=2V, TN:VTN=2V
I的变化范围为-5V到+5V。
c=0=-5V, c =1=+5V
1)当c=0, c =1时 GSN= -5V (-5V到+5V)=(0到-10)V
在由于电路具有互补对称的性质,它的开通时间与关 闭时间是相等的。平均延迟时间:<10 ns。
动态功耗
CMOS反相器的PD与f和 2 VDD
CMOS反相器从一个稳定状态转变到另一个稳定状态时所产生的功耗
PD=PC+PT
分布电容CL充放电引起的功耗: PC CL fVD2D
CMOS管瞬时交替导通引起的功耗:PT CPD fVD2D
74标准系列 74LS系列
74AS系列
74LVC 74VAUC 低(超低)电压 速度更加快 与TTL兼容 负载能力强 抗干扰 功耗低
74ALS
3.1 概述
门电路:实现基本逻辑/复合逻辑运算的单元电路
逻辑状态的描述—— 正逻辑:高电平→1,低电平→0 负逻辑:高电平→0,低电平→1
缺点:功耗较大/速度较慢
VDD VIH(min) I OH(total) I IH(total)
… …
I0H(total) &1
+V DD RP
&
&1
IIH(total) &
第三章 逻辑门电路
2、输入和输出的高低电压 、 ( 1 ) 输出高电平电压 VOH——在正逻辑体制中代表 在正逻辑体制中代表 逻辑“ 的输出电压 的输出电压。 的理论值为3 逻辑 “ 1”的输出电压 。 VOH 的理论值为 3.6V, , 产品规定输出高电压的最小值V ( ) 产品规定输出高电压的最小值 OH( min) =2.4V。 。
– – – – – 延迟时间td 上升时间tr r 存储时间ts 下降时间tf 开关时间:
• 开通时间ton= td + tr r • 关闭时间toff= ts + tf f • 要设法减小,提高BJT开关的运用速度
3.3 基本逻辑门电路
一、二极管与门和或门电路 1.与门电路 .
+VCC (+5V) R 3kΩ D1 A D2 B L
L = A⋅ B ⋅C
3.6V A B C 0.3V 1V
1
Rc2 R b1 4kΩ 5V
3 3 1
R c4 130Ω
3 1
1.6kΩ
T 4 导通 2 D 导通 Vo
3
4.3V 截止
1
T 22
T1 饱和 R e2 1kΩ
3.6V
T 2 3 截止
3.4.5 TTL与非门的技术参数
• 1、传输特性
– 各种类型的TTL门电路,其传输特性大同小异。
开关 断开
VF-VD (a) vi
VF
VF ≈ RL
i
IF = RL
(b) 0
-VR
t1
t
i
IF
通常把二极管从正 向导通转为反向截止 所经过的转换过程称 为发向恢复过程。 ts 存储时间 tt 渡越时间 ts+tt 反向恢复时间 VR IR = RL
第3章集成逻辑门电路
22
PN结的形成
由空间电荷区产生的、方向为N区指向P区 的内建电场阻碍了扩散运动,同时使少子产生 漂移运动,即N区的空穴向P区漂移, P区的电 子向N区漂移。
当漂移运动和扩散运动达到动态平衡时, 扩散电流等于漂移电流且方向相反,PN结中电 流为零,PN结宽度及电位差Uho为恒定值。
PN结的形成由两个运动共同形成:多子的 扩散运动和少子的漂移运动。
19
PN结的形成
多子扩散
P区
空间电荷区
N区
内电场方向
20
PN结的形成
空间电荷区
P区
N区
多子扩散 内电场方向 少子漂移
21
PN结的形成
由于载流子的浓度差,P区的空穴向N区 扩散,N区的电子向P区扩散。这种由于浓 度差引起的运动称为扩散运动。
双极型电路的缺点:功耗大。
应用领域:SSI,MSI。
5
3.1 概述
随着集成规模的增加,LSI,VLSI的出现,TTL 已不能适用,CMOS电路(单极型)得到了广泛的 使用。CMOS电路的最大优点:功耗低。随着技术 的发展,速度和驱动能力和TTL基本相同。
在单极型电路中,还包括NMOS和PMOS等。
23
PN结的形成
P区
P N结
N区
内电场方向
室温下,内电场建立的电位差: 硅:(0.6~0.8)V 锗:(0.1 ~0.3)V 24
PN 结的单向导电性
所谓“单向导电性”是指PN结在不同极性 外加电压作用下,其导电能力有极大差异的 特性。PN结最显著的特性为单向导电性。
第3章-逻辑门电路
3 逻辑门电路MOS 逻辑门电路3.1.2 求下列情况下TTL 逻辑门的扇出数:(1)74LS 门驱动同类门;(2)74LS 门驱动74ALS 系列TTL 门。
解:首先分别求出拉电流工作时的扇出数N OH 和灌电流工作时的扇出数N OL ,两者中的最小值即为扇出数。
从附录A 可查得74LS 系列电流参数的数值为I OH =,I OL =8mA ,I IH =,I IL =;74ALS 系列输入电流参数的数值为I IH =,I IL =,其实省略了表示电流流向的符号。
(1) 根据(3.1.4)和式()计算扇出数74LS 系列驱动同类门时,输出为高电平的扇出数0.4200.02OH OH IH I mA N I mA=== 输出为低电平的扇出数 8200.4OL OL IL I mA N I mA ===所以,74LS 系列驱动同类门时的扇出数N O 为20。
(2) 同理可计算出74LS 系列驱动74ALS 系列时,有0.4200.02OH OH IH I mA N I mA=== 8800.1OL OL IL I mA N I mA === 所以,74LS 系列驱动74ALS 系列时的扇出数N O 为20。
3.1.4 已知图题所示各MOSFET 管的T V =2V ,忽略电阻上的压降,试确定其工作状态(导通或截止)。
解:图题3.1.4(a )和(c )的N 沟道增强型MOS ,图题(b )和(d )为P 沟道增强型MOS 。
N 沟道增强型MOS 管得开启电压V T 为正。
当GS V <V T 时,MOS 管处于截止状态;当GS V ≥V T ,且DS v ≥(GS V —V T )时,MOS 管处于饱和导通状态。
对于图题3.1.4(a ),GS V =5V ,DS v =5V ,可以判断该MOS 管处于饱和导通状态。
对于图题3.1.4(c ),GS V =0V <V T ,所以MOS 管处于截止状态。
第三章逻辑门电路[题3.1]选择题1.三态门输出高阻状态时,是...
第三章逻辑门电路[题3.1] 选择题1. 三态门输出高阻状态时,是正确的说法。
A.用电压表测量指针不动B.相当于悬空C.电压不高不低D.测量电阻指针不动2. 以下电路中可以实现“线与”功能的有。
A.与非门B.三态输出门C.集电极开路门D.漏极开路门3.以下电路中常用于总线应用的有。
A.T S L门B.O C门C.漏极开路门D.C M O S与非门4.三极管作为开关使用时,要提高开关速度,可。
A.降低饱和深度B.增加饱和深度C.采用有源泄放回路D.采用抗饱和三极管5.T T L电路在正逻辑系统中,以下各种输入中相当于输入逻辑“1”。
A.悬空B.通过电阻 2.7kΩ接电源C.通过电阻 2.7kΩ接地D.通过电阻510Ω接地6.对于T T L与非门闲置输入端的处理,可以。
A.接电源B.通过电阻3kΩ接电源C.接地D.与有用输入端并联7.C M O S数字集成电路与T T L数字集成电路相比突出的优点是。
A.微功耗B.高速度C.高抗干扰能力D.电源范围宽8.逻辑表达式Y=AB可以用实现。
A.正或门B.正非门C.正与门9.要使TTL与非门工作在转折区,可使输入端对地外接电阻R I。
A.>R ONB.<R OFFC.R OFF<R I<R OND.>R OFF10.与CT4000系列相对应的国际通用标准型号为。
A.CT74S肖特基系列B. CT74LS低功耗肖特基系列C.CT74L低功耗系列D. CT74H高速系列[题3.2] 判断题(正确打√,错误的打×)1.TTL与非门的多余输入端可以接固定高电平。
()2.当TTL与非门的输入端悬空时相当于输入为逻辑1。
()3.普通的逻辑门电路的输出端不可以并联在一起,否则可能会损坏器件。
()4.CMOS OD门(漏极开路门)的输出端可以直接相连,实现线与。
()5.CMOS或非门与TTL或非门的逻辑功能完全相同。
()6.三态门的三种状态分别为:高电平、低电平、不高不低的电压。
第三章 逻辑门电路
第三章逻辑门电路[题3.1] 选择题1. 三态门输出高阻状态时,是正确的说法。
A.用电压表测量指针不动B.相当于悬空C.电压不高不低D.测量电阻指针不动2. 以下电路中可以实现“线与”功能的有。
A.与非门B.三态输出门C.集电极开路门D.漏极开路门3.以下电路中常用于总线应用的有。
A.TS L门B.O C门C.漏极开路门D.CM OS与非门4.三极管作为开关使用时,要提高开关速度,可。
A.降低饱和深度B.增加饱和深度C.采用有源泄放回路D.采用抗饱和三极管5.T TL电路在正逻辑系统中,以下各种输入中相当于输入逻辑“1”。
A.悬空B.通过电阻 2.7kΩ接电源C.通过电阻 2.7kΩ接地D.通过电阻510Ω接地6.对于T T L与非门闲置输入端的处理,可以。
A.接电源B.通过电阻3kΩ接电源C.接地D.与有用输入端并联7.C MO S数字集成电路与TT L数字集成电路相比突出的优点是。
A.微功耗B.高速度C.高抗干扰能力D.电源范围宽8.逻辑表达式Y=AB可以用实现。
A.正或门B.正非门C.正与门9.要使TTL与非门工作在转折区,可使输入端对地外接电阻R I。
A.>R ONB.<R OFFC.R OFF<R I<R OND.>R OFF10.与CT4000系列相对应的国际通用标准型号为。
A.CT74S肖特基系列B. CT74LS低功耗肖特基系列C.CT74L低功耗系列D. CT74H高速系列[题3.2] 判断题(正确打√,错误的打×)1.TTL与非门的多余输入端可以接固定高电平。
()2.当TTL与非门的输入端悬空时相当于输入为逻辑1。
()3.普通的逻辑门电路的输出端不可以并联在一起,否则可能会损坏器件。
()4.CMOS OD门(漏极开路门)的输出端可以直接相连,实现线与。
()5.CMOS或非门与TTL或非门的逻辑功能完全相同。
()6.三态门的三种状态分别为:高电平、低电平、不高不低的电压。
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3 逻辑门电路3.1 MOS 逻辑门电路3.1.2 求下列情况下TTL 逻辑门的扇出数:(1)74LS 门驱动同类门;(2)74LS 门驱动74ALS 系列TTL 门。
解:首先分别求出拉电流工作时的扇出数N OH 和灌电流工作时的扇出数N OL ,两者中的最小值即为扇出数。
从附录A 可查得74LS 系列电流参数的数值为I OH =0.4mA ,I OL =8mA ,I IH =0.02mA,I IL =0.4mA ;74ALS 系列输入电流参数的数值为I IH =0.02mA ,I IL =0.1mA ,其实省略了表示电流流向的符号。
(1) 根据(3.1.4)和式(3.1.5)计算扇出数74LS 系列驱动同类门时,输出为高电平的扇出数0.4200.02OH OH IH I mA N I mA=== 输出为低电平的扇出数 8200.4OL OL IL I mA N I mA ===所以,74LS 系列驱动同类门时的扇出数N O 为20。
(2) 同理可计算出74LS 系列驱动74ALS 系列时,有0.4200.02OH OH IH I mA N I mA=== 8800.1OL OL IL I mA N I mA === 所以,74LS 系列驱动74ALS 系列时的扇出数N O 为20。
3.1.4 已知图题3.1.4所示各MOSFET 管的T V =2V ,忽略电阻上的压降,试确定其工作状态(导通或截止)。
解:图题3.1.4(a )和(c )的N 沟道增强型MOS ,图题3.1.4(b )和(d )为P 沟道增强型MOS 。
N 沟道增强型MOS 管得开启电压V T 为正。
当GS V <V T 时,MOS 管处于截止状态;当GS V ≥V T ,且DS v ≥(GS V —V T )时,MOS 管处于饱和导通状态。
对于图题3.1.4(a ),GS V =5V ,DS v =5V ,可以判断该MOS 管处于饱和导通状态。
对于图题3.1.4(c ),GS V =0V <V T ,所以MOS 管处于截止状态。
P 沟道增强型MOS 管得开启电压V T 为负。
当GS V >V T 时,MOS 管处于截止状态;当GS V ≤V T ,且DS v ≤(GS V —V T )时,MOS 管处于饱和导通状态。
对于图题3.1.4(b ),GS V =0V >﹣2V ,该MOS 管处于截止状态。
对于图题3.1.4(d ),GS V =-5V ,GS V =﹣5V ,可以判断该MOS 管处于饱和导通状态。
3.1.5 为什么说74HC 系列CMOS 与非门在﹢5V 电源工作时,输入端在以下四种接法下都属于逻辑0:(1)输入端接地;(2)输入端低于1.5V 的电源;(3)输入端同类与非门的输出低电压0.1V ;(4)输入端接10k Ω的电阻到地。
解:对于74HC 系列CMOS 门电路来说,输出和输入低电平的标准电压值为:V OL =0.1V , V IL =1.5V 。
因此,有:(1) I v =0<V IL =1.5V ,属于逻辑0。
(2) I v <1.5V=V IL ,属于逻辑0。
(3) I v =0.1V <V IL =1.5V ,属于逻辑0。
(4) 由于CMOS 管得栅极电流非常小,通常小于1uA ,在10k Ω电阻上产生的压降小于10mV 即I v <0.01V <V IL =1.5V ,故亦属于逻辑0。
3.1.6 试分析图题3.1.6所示的电路,写出其逻辑表达式,说明它是说明逻辑电路?解:该电路由两部分组成,如图题3.1.6所示,细线左边为一级与非门,虚线右边组成与或非门,其中T 1N 和T 2N 并联实现与功能,两者再与T 3N 串联实现或功能。
与非门的输出X AB =。
与或非门的输出L 为()()L A B X A B AB AB AB AB =+=+=+=该电路实现同或功能。
3.1.7 求图题3.1.7所示电路的输出逻辑表达式。
解:图题3.1.7所示电路中,1234,,,L AB L BC L D L ===实现与功能,即4123L L L L =⋅⋅,而4L L E =⋅,所以输出逻辑表达式为L AB BC D E =⋅⋅⋅。
3.1.8 用三个漏极开路与非门74HC03和一个TTL 与非门74LS00实现图题3.1.7所示的电路,已知CMOS 管截止时的漏电流I OZ =5uA, 试计算R P(min)和R P(max)。
解:第一级的两个与非门和一个非门用漏极开路与非门74HC03组成,第二级的与非门用TTL 与非门74LS00实现。
从附录A 查得74HC 系列的参数为:V OL(max)=0.33V ,I OL(max)=4 mA ,V OH(min)=3.84V ;74LS 系列的参数为:I IL(max)=0.4mA ,I IH(max)=0.02mA 。
因为三个漏极开路门的公共上拉电阻R P 的下端74LS00的一个输入端,即:在灌电流情况下,求出R P 的最小值:(max)(min)(max)()(50.33) 1.3(40.4)DD OL p OL IL total V V V R k I I mA--==≈Ω-- 在拉电流情况下,求出R P 的最大值(min)(max)()()(5 3.84)33.1(0.00530.02)DD OH p OZ total IH total V V V R k I I mA--==≈Ω+⨯+ 3.1.9 .图题.3.1.9表示三态门作总线传输的示意图,图中n 个三态门的输出接数据传输总线,D 1、D 2、…、n D 为数据输入端,CS 1、CS 2、…、i CS 为片选信号输入端。
试问:(1)CS 信号如何进行控制,以便数据D 1、D 2、…、n D 通过该总线进行正常传输;(2)CS 信号能否有两个或两个以上同时有效?如果CS 出现两个或两个以上有效,可能发生什么情况?(3)如果CS 信号均无效,总线处在什么状态?解:(1)根据图题3.1.9可知,片选信号CS 1、CS 2、…、i CS 为高电平有效,当i CS =1时,第i 个三态门被选中,其输入数据被送到数据传输总线上。
根据数据传输的速度,分时地给CS 1、CS 2、…、i CS 端以正脉冲信号,使其相应的三态门的输出数据能分时地到达总线上。
(2)CS 信号不能有两个或两个以上同时有效,否则两个不同的信号将在总线上发生冲突。
即总线不能同时既为0又为1。
(3)如果所有CS 信号均无效,总线处于高阻状态。
3.1.10 某厂生产的双互补对及反相器(4007)引出端如图题3.1.10所示,试分别连接:(1)三个反相器;(2)三输入端或非门;(3)三输入端与非门;(4)或与非门[()L C A B =+];(5)传输门(一个非门控制两个传输门分时传送)。
解:(1)三个反相器将图题3.1.10所示电路按下列方式连接,可以得到三个反相器。
①8、13相连,6端为输入,8端为输出,14端接V DD,7端接地;②1、5相连,3端为输入,5端为输出,2端接V DD,4端接地;③10端为输入,12端为输出,11端接V DD,9端接地。
(2)三输入端或非门电路图如图题解3.1.10(a)所示。
(3)三输入端与非门电路图如图题解3.1.10(b)所示。
(4)或与非门电路图如图题解3.1.10(c)所示。
(5)传输门电路图如图题解3.1.10(d)所示,由6端输入的信号控制TG1、TG2、分时传送数据。
6端接低电平时,TG1、导通,2端得数据传送到12端;6端接高电平时,TG2导通,4端得数据传送到12端。
3.1.11试分析图题3.1.11所示某CMOS器件的电路,写出其逻辑表达式,说明它是什么逻辑电路。
解:电路由两个输入反相器、一个输出反相器、一个传输门T1、T2、和T3构成的电路组成。
传输门由B和B控制,当B=0时传输门导通,当B=1时传输门截止。
T1、T2、和T3构成电路的工作状态由B控制,当B=1时T1、T3均截止,T1、T2、和T3构成的电路不工作;当B=0时T1、T3均导通,T1、T2和T3构成的电路工作,并且起反相作用,其输出等于A。
综上所述,当B=0时,T1、T2、和T3构成的电路不工作,传输门导通,输出L=A;当B=1=。
列出真值表如表题解3.1.11时T1、T2、和T3构成的电路工作,传输门截止,输出L A=+=⊕,故电路为异或门电路。
所示。
其逻辑表达式L AB AB A B3.1.12试分析图题3.1.12所示的CMOS电路,说明它们的逻辑功能。
解:对于图题3.1.12(a)所示的CMOS电路,当EN=0时,T P2和T N2均导通,T P1和=;当EN=1时,T P2和T N2均截止,无论A为高电平T N2构成的的反相器正常工作,L A还是低电平,输出端均为高阻状态,其真值表如表题解3.1.12所示,该电路是低电平使能三态非门,其表示符号如图题解3.1.12(a)所示。
图题3.1.12(b)所示的CMOS电路,EN=0时,T P2导通,或非门打开,T P1和T N1构成的反相器正常工作,L=A;当EN=1时,T P2截止,或非门输出低电平,使T N1截止,输出端处于高阻状态,该电路是低电平使能三态缓冲器,其标示符号如图题解3.1.12(b)所示。
同理可以分析图题3.1.12(c)和图题3.1.12(d)所示的CMOS电路,它们分别为高电平使能三态缓冲器和低电平使能三态非门,其标示符号分别如图题解3.1.12(c)和图题解3.1.12(d )所示。
3.1.13 试分析图题3.1.13所示传输门的电路,写出其逻辑表达式,说明它是说明逻辑电路。
解:对于图题3.1.13所示的电路,输入信号A 作为传输门的控制信号,输入信号B 通过传输门与输出L 相连。
当A=0时,传输门TG 1导通,TG 2断开,L=B ;当A=1时,传输门TG 1断开,TG 2导通,L B =;其真值表如表题解3.1.13所示,该电路实现异或功能,L A B =⊕。
3.1.14 由CMOS 传输门构成的电路如图题3.1.14所示,试列出其真值表,说明该电路的逻辑功能。
解:当CS=1时,4个传输门均为断开状态,输出处于高阻状态。
当CS=0时,4个传输门的工作状态由A 和B 决定,A=B=0时,TG 1和TG 2导通,TG 3和TG 4截止,L=1。
依此分析电路可以列出真值表如表题解3.1.14所示,根据真值表可得L A B =+。
该电路实现三态输出的2输入的或非功能。
3.2 TTL逻辑门电路3.2.2为什么说TTL与非门的输入端在以下四种接法下,都属于逻辑1:(1)输入端悬空;(2)输入端接高于2V的电源;(3)输入端接同类与非门的输出高电压3.6V;(4)输入端接10kΩ电阻到地。