8050s(贴片三极管)
三极管8050
三极管8050介绍三极管8050（Transistor 8050）是一种常规的下沉式晶体管，属于NPN型三极管。
它是一种低功耗、高输入阻抗、中等输出功率的晶体管。
由于其小尺寸和容易使用的特点，三极管8050在电子和电路设计中得到了广泛应用。
三极管8050的外观类似于一个小型的方形芯片，有三个引脚标记为E（发射极）、B（基极）和C（集电极）。
在电子电路中，它通常被用作放大器、开关和振荡器等设备。
特性封装类型三极管8050常见的封装类型有TO-92和SOT-23。
其中，TO-92封装是较为常见的封装类型，适用于手工和自动插装技术。
而SOT-23封装则更小巧，适用于电路板的紧凑设计。
电性能三极管8050具有以下电性能特点：•最大耗散功率（Pd）：500mW•高前向电流增益（hFE）：最小为40•高频带宽（fT）：5MHz•高封装温度（TJ）：150°C参数以下是三极管8050常见的参数：•额定电流（IC）：500mA•额定电压（VCEO）：25V•额定功率（PC）：500mW•最大集电极-基极电压（VCE）：25V•最大集电极-发射极电压（VBE）：5V应用三极管8050广泛应用于电子和电路设计中，以下是一些常见的应用场景：放大器三极管8050可用作放大器，将弱信号放大为较大信号，以便驱动阻抗较大的负载。
它可以用于音频放大器、射频放大器和功率放大器等应用。
开关三极管8050可用作开关，将输入信号应用于基极，根据基极电流控制输出电流的开关状态。
它可以用于各种电路开关、闪烁灯和逻辑门等应用。
振荡器三极管8050还可用于设计振荡器电路，产生特定频率的交流信号。
这些信号可以应用于无线电调制器、时钟电路和信号发生器等应用。
使用示例以下是一个使用三极管8050的放大器电路示例：Vcc ---------R1---------|-----------Vout|-----C1 |---| Tr8050-----||GND其中，Vcc表示电源电压，R1为输入电阻，C1为输入电容，Vout为输出信号。
8050三极管引脚参数
8050三极管引脚参数三极管是一种常用的电子元件，用于放大和开关电路。
8050三极管是一种小功率P型晶体管，常用于低频放大电路和开关电路中。
在使用8050三极管时，了解其引脚参数是非常重要的。
下面将详细介绍8050三极管的引脚参数。
1. E（Emitter）发射极：8050三极管的E极是用来引出发射极的引脚。
发射极是三极管中电流流入的极，它负责向外部提供电子或空穴。
在正常工作状态下，发射极与基极之间具有正向偏置，以保证三极管正常工作。
在电路中，E极通常被连接到电源的负极。
2. B（Base）基极：8050三极管的B极是用来引出基极的引脚。
基极是三极管中的控制极，当向其施加正向电压时，可以控制发射极与集电极之间的电流。
基极的电流决定了三极管的放大倍数。
在电路中，B极通常被连接到输入信号源。
3. C（Collector）集电极：8050三极管的C极是用来引出集电极的引脚。
集电极是三极管中电流流出的极，它负责从发射极吸收电子或空穴。
在电路中，C极通常被连接到负载电阻或电源的正极。
了解了8050三极管的引脚参数后，我们可以根据这些参数进行正确的连接和使用。
下面将详细介绍一下8050三极管的引脚连接方法。
1. 当使用8050三极管作为放大器时，通常将输入信号连接到基极（B极），将输出信号连接到集电极（C极），而发射极（E极）则连接到电源的负极，以提供工作电流。
这样，当输入信号施加在基极上时，根据信号的大小，控制基极电流的变化，从而实现对输出信号的放大。
2. 当使用8050三极管作为开关时，通常将负载电阻连接到集电极（C极），将输入信号连接到基极（B极），而发射极（E极）则连接到电源的负极。
当输入信号施加在基极上时，根据信号的大小，控制基极电流的变化，从而控制集电极与发射极之间的电流变化，实现对负载电阻的开关控制。
通过以上介绍，我们了解了8050三极管的引脚参数以及其在电路中的连接方法。
正确理解和使用这些参数和连接方法，可以确保三极管的正常工作，并实现期望的放大或开关功能。
8050三极管参数
8050三极管参数类型:开关型;极性:NPN;材料:硅;最大集存器电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集存器发射电(VCEO):25;频率:150 MHzPE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *KMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。
8050 为硅材料NPN型三极管;8550 为硅材料PNP型三极管。
8050S 8550S S8050 S8550 参数：耗散功率0.625W(贴片：0.3W)集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350 C8050 C8550 参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-3008050SS 8550SS 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种SS8050 SS8550 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 引脚排列多为EBCUTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400NEC的8050最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极-发射极电压(VCEO):25;频率:150 MHz .其它的8050PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1WMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K值得注意的是，在代换相应的8050或8550三极管时，除了型号匹配，放大倍数也是很重要的参数。
8050三极管参数
8050三极管参数引言8050三极管是一种常用的PNP型晶体管，广泛应用于电子电路中。
了解和掌握8050三极管的参数是进行电路设计和故障排除的基础。
本文将介绍8050三极管的常见参数，包括最大额定值、电流增益、电压参数等。
通过详细了解这些参数，我们可以更好地应用8050三极管。
一、最大额定值8050三极管的最大额定值指的是在特定条件下，三极管能够承受的最大电流和电压。
以下是8050三极管的最大额定值参数：1.最大集电极电流 (ICmax)：这是指在指定的集电极-发射极电压下，三极管可以承受的最大电流。
对于8050三极管，典型的最大集电极电流为700mA。
2.最大集电极功率 (PCmax)：这是指在指定的集电极-发射极电压下，三极管可以承受的最大功率。
对于8050三极管，典型的最大集电极功率为625mW。
3.最大集电极-发射极电压 (VCEOmax)：这是指在指定的集电极电流下，三极管可以承受的最大电压。
对于8050三极管，典型的最大集电极-发射极电压为-40V。
二、电流增益电流增益是指三极管中输入电流与输出电流之间的比例关系。
8050三极管的电流增益参数如下：1.直流电流增益 (DC Current Gain)：直流电流增益是指在静态工作条件下，三极管的输入电流与输出电流之间的比例关系。
8050三极管的典型直流电流增益为30至200。
2.交流电流增益 (AC Current Gain)：交流电流增益是指在动态工作条件下，三极管的输入电流与输出电流之间的比例关系。
8050三极管的典型交流电流增益为50至400。
三、电压参数电压参数是指三极管在不同工作状态下的电压值。
8050三极管的电压参数如下：1.饱和电压 (VCEsat)：饱和电压是指在三极管完全导通时，集电极-发射极间的电压降。
8050三极管的典型饱和电压为-0.5V。
2.基极-发射极电压 (VBE)：基极-发射极电压是指在三极管正常工作时，基极与发射极之间的电压差。
9014,9013,8050三极管引脚图与管脚识别方法
s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极b基极c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c,s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。
用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图e b c当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
非9014,9013系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。
在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
8050三极管参数
8050三极管参数题目：8050三极管参数简述与应用导语：在电子电路领域，三极管是一种常见的电子元件，其广泛应用于放大、开关等电路中。
本文将深入探讨8050三极管的参数特性以及其在电路中的应用，帮助读者更好地理解和使用该元件。
一、8050三极管概述8050三极管是一款NPN型晶体管，具有较高的电流放大倍数和较低的饱和压降。
其结构由三个半导体区域组成：发射区、基区和集电区。
在晶体管的工作过程中，发射区与基区之间存在正向偏置，而基区与集电区之间则存在反向偏置。
二、8050三极管参数解读1. 最大集电电流（ICmax）：它表示三极管能够承受的最大集电电流。
超过该电流值，三极管可能会损坏，因此在使用时应该确保电流不超过该限制。
2. 最大集电-发射电压（VCEOmax）：它表示三极管在集电极与发射极之间能够承受的最大电压。
当超过这个电压时，三极管可能发生击穿，导致失效或损坏。
3. 最大功耗（Pmax）：它表示三极管能够承受的最大功率。
超过该功率值，三极管可能过热并损坏。
4. 直流电流放大倍数（hFE）：它表示输入电流与输出电流之间的倍数关系。
高hFE值意味着三极管具有较好的放大性能。
三、8050三极管的应用1. 放大电路：由于8050三极管具有较高的电流放大倍数，常用于放大电路中。
通过合理选择电阻和电容，可以构建各种放大电路，如B类放大电路和C类放大电路。
2. 开关电路：8050三极管还可作为开关元件使用。
在电路中，通过控制输入信号的变化，可以将三极管从导通状态切换到截止状态，或者反之。
这种开关能力使8050三极管在数字电路和模拟电路中得到广泛应用。
3. 振荡电路：利用三极管的正反馈特性，8050三极管还可以用于构建振荡电路。
该振荡电路可以在特定频率范围内产生稳定的信号输出。
结语：通过对8050三极管的参数和应用进行简要介绍，我们可以看到，它作为一款常见的晶体管元件，在电子电路中发挥着重要的作用。
了解三极管的参数特性并合理应用，能够帮助我们设计和调试电路，使电子设备工作更加稳定和高效。
SS8050三极管规格书：三极管SS8050参数与封装尺寸
Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature
300
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
1000 1500
C /C ob ib
——
V /V CB EB
Cib
f=1MHz IE=0/IC=0 Ta=25℃
Cob
3
1 0.1
350 300 250 200 150 100
50 0 0
0.3
1
3
REVERSE VOLTAGE V (V)
P —— T
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VCEsat (mV)
140 120 100
80 60 40 20
0 0.0
1000
300 100
30 10
3 1
1
1500 1000
300 100
30 10
3 1 0.2
1000
300 100
30 10
3 1
1
Static Characteristic
VCE=10V Ta=25℃
100
COLLECTOR POWER DISSIPATION PC (mW)
CAPACITANCE C (pF)
BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VBEsat (V)
代换S8550_S8050三极管
8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用，也有的做单管应用。
在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能正常工作。
8050为NPN型三极管8550为PNP型三极管图片一TO92封装图片二贴片封装S8050 S8550参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.6V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为EBC或ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-3508050S 8550S参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.5V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350关于C8050 C8550参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300关于8050SS 8550SS参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种关于SS8050 SS8550参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400图一是这几种三极管的管脚排列图。
8050-8550三极管引脚图与管脚识别
9011,9012,9013,9014,9015,9016,9017,9018,8050,8550三极管引脚图与管脚识别(含贴片)s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c,s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。
用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图e b c当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册首页可以查询电子资料与单片机资料，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
非9014,9013系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×1 00或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
不拆卸三极管判断其好坏的方法。
在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
8050三级的基本管参数
8050三级的基本管参数
1. 管脚配置：8050三级管为三引脚器件，分别为集电极（Collector）、基极（Base）和发射极（Emitter）。
2.封装形式：8050三级管一般采用SOT-23或TO-92等标准封装。
3.最大额定电压：8050三级管的最大额定电压一般为40V。
4.最大额定电流：8050三级管的最大额定电流一般为0.5A。
5.最大功耗：8050三级管的最大功耗一般为625mW。
6.最大工作温度：8050三级管的最大工作温度一般为150℃。
7.放大倍数：8050三级管的放大倍数（即β值）一般为100-600。
8.射极-基极饱和压降：8050三级管的射极-基极饱和压降一般为
0.6V。
9.输入电容和输出电容：8050三级管的输入电容和输出电容较小，
适合在高频应用中使用。
10.静态工作点：在直流工作条件下，8050三级管的静态工作点通常
需要在合适的偏置点上操作。
11.频率响应：8050三级管的频率响应较好，适合用于放大和开关应用。
12.可靠性和寿命：8050三级管具有良好的可靠性和较长的使用寿命。
需要注意的是，以上参数仅为8050三级管的一般参考值，在实际应
用中可能会存在一定的差异，具体参数以厂家提供的数据手册为准。
贴片SOT-23三极管对应型号
贴片SOT-23三极管型号标识电流V数极性封装S9012 2T1 0.3A 20V PNP SOT-23 S9013 J3 0.3A 25V NPN SOT-23 S9014 J6 0.1A 45V NPN SOT-23 S9015 M6 0.1A 45V PNP SOT-23 S9018 J8 0.05A 15V PNP SOT-23 S8050 J3Y 0.3A 25V NPN SOT-23 S8050 J3Y 0.5A 25V NPN SOT-23 S8550 2TY 0.3A 25V PNP SOT-23 S8550 2TY 0.5A 25V PNP SOT-23 SS8050 Y1 0.8A 25V NPN SOT-23 SS8050 Y1 1.5A 25V NPN SOT-23 SS8550 Y2 0.8A 25V PNP SOT-23 SS8550 Y2 1.5A 25V PNP SOT-23 MMBT3904 1AM 0.2A 40V NPN SOT-23 MMBT3906 2A 0.2A 40V PNP SOT-23 MMBT2222A 1P 0.5A 40V NPN SOT-23 MMBT2907A 2F 0.5A 40V PNP SOT-23 MMBT5401 2L 0.3A 160V PNP SOT-23 MMBT5401 2L 0.6A 160V PNP SOT-23 MMBT5551 G1 0.3A 160V NPN SOT-23 MMBT5551 G1 0.6A 160V NPN SOT-23 MMBTA42 1D 0.5A 300V NPN SOT-23 MMBTA92 2D 0.5A 300V PNP SOT-23 MMBTA44 3D 0.2A 400V NPN SOT-23 MMBTA94 4D 0.2A 400V PNP SOT-23 MMBT4401 2X 0.6A 40V NPN SOT-23 MMBT4403 2T 0.6A 40V PNP SOT-23 MMBTH10 3EM 0.05A 25V NPN SOT-23 MMBD4148 A6 0.2A 100V SOT-23 BAW56 A1 0.2A 85V SOT-23 BAV70 A4 0.2A 70V SOT-23 BAV99 A7 0.2A 70V SOT-23 BAT54 KL1 0.2A 30V SOT-23 BAT54A KL2 0.2A 30V SOT-23 BAT54C KL3 0.2A 30V SOT-23 BAT54S KL4 0.2A 30V SOT-23 BAS16 A6 0.2A 85V SOT-23 BAS21 JS 0.2A 250V SOT-23 1SS181 A3 0.3A 85V SOT-23 1SS184 B3 0.3A 85V SOT-23 1SS226 C3 0.1A 85V SOT-2378L05 L05 0.1A 5V SOT-23 TL431 431 0.1A 2.5V-36V SOT-23 TL432 432 0.1A 1.24V SOT-23 FMMT493 493 1A 60V NPN SOT-23 FMMT591 591 1A 60V PNP SOT-23 KTC3875 ALY 0.15A 50V NPN SOT-23 2SC1815 HF 0.15A 50V NPN SOT-23 2SA1015 BA 0.15A 50V PNP SOT-23 2SC945 CR 0.15A 50V NPN SOT-23 2SA733 CS 0.15A 50V PNP SOT-23 2SC2712 LG 0.15A 50V NPN SOT-23 2SC2712 LY 0.15A 50V NPN SOT-23 2SA1162 SY 0.15A 50V PNP SOT-23 2SC3356 R24 0.1A 12V NPN SOT-23 2SC3356 4G mhz R25. 0.1A 12V NPN SOT-23 2SC3356 7G mhz R25 0.1A 12V NPN SOT-23 2SC1623 L6 0.1A 50V NPN SOT-23 2SC2714 QY 0.02A 30V NPN SOT-23 2SC2757 T33 0.1A 30V NPN SOT-23 2SA1037 FR 0.15A 50V PNP SOT-23 2SC2412 BR 0.15A 50V NPN SOT-23 2SD596 DV4 0.7A 25V NPN SOT-23 2SB624 BV4 0.7A 25V PNP SOT-23 2SD1781 AFR 0.8A 32V NPN SOT-23 2SB1197 AHR 0.8A 32V PNP SOT-23 2SC3265 EY 0.8A 25V NPN SOT-23 2SA1298 IY 0.8A 25V PNP SOT-23 BC846A 1A 0.1A 65V NPN SOT-23 BC846B 1B 0.1A 65V NPN SOT-23 BC847A 1E 0.1A 45V NPN SOT-23 BC847B 1F 0.1A 45V NPN SOT-23 BC847C 1G 0.1A 45V NPN SOT-23 BC848A 1J 0.1A 30V NPN SOT-23 BC848B 1K 0.1A 30V NPN SOT-23 BC848C 1L 0.1A 30V NPN SOT-23 BC856A 3A 0.1A 65V PNP SOT-23 BC856B 3B 0.1A 65V PNP SOT-23 BC857A 3E 0.1A 45V PNP SOT-23 BC857B 3F 0.1A 45V PNP SOT-23 BC857C 3G 0.1A 45V PNP SOT-23 BC858A 3J 0.1A 30V PNP SOT-23 BC858B 3K 0.1A 30V PNP SOT-23 BC858C 3L 0.1A 30V PNP SOT-23 BC807-16 5A 0.5A 45V PNP SOT-23BC807-25 5B 0.5A 45V PNP SOT-23 BC807-40 5C 0.5A 45V PNP SOT-23 BC817-16 6A 0.5A 45V NPN SOT-23 BC817-25 6B 0.5A 45V NPN SOT-23 BC817-40 6C 0.5A 45V NPN SOT-23。
8050s(贴片三极管)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD8050SNPN SILICON TRANSISTORLOW VOLTAGE HIGHCURRENT SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORDESCRIPTIONThe UTC 8050S is a low voltage high current small signal NPN transistor, designed for Class B push-pull audio amplifier and general purpose applications.FEATURES *Collector current up to 700mA*Collector-Emitter voltage up to 20V *Complementary to UTC 8550SORDERING INFORMATIONOrdering Number Pin AssignmentNormal Lead Free Plating Halogen-Free Package 1 2 3 Packing8050S-x-AE3-R 8050SL-x-AE3-R 8050SG-x-AE3-R SOT-23 E B C Tape Reel 8050S-x-T92-B 8050SL-x-T92-B 8050SG-x-T92-B TO-92 E C B Tape Box 8050S-x-T92-K 8050SL-x-T92-K 8050SG-x-T92-K TO-92 EC BBulkMARKING (For SOT-23 Package)ABSOLUTE MAXIMUM RATING ( Ta=25°C, unless otherwise specified )PARAMETER SYMBOL RATINGS UNITCollector-Base Voltage V CBO 30 V Collector-Emitter Voltage V CEO 20 V Emitter-Base Voltage V EBO 5 V Collector Current I C 700 mASOT-23 350 mWCollector Dissipation(Ta=25°C) TO-92 P C1 WJunction Temperature T J +150 °C Storage Temperature T STG -40 ~ +150 °CNote: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)PARAMETER SYMBOLTEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNITCollector-Base Breakdown Voltage BV CBO I C = 100μA, I E = 0 30 V Collector-Emitter Breakdown Voltage BV CEO I C = 1mA, I B = 0 20 V Emitter-Base Breakdown Voltage BV EBO I E = 100μA, I C =0 5 V Collector Cut-Off Current I CBO V CB = 30V,I E = 0 1 uA Emitter Cut-Off Current I EBOV EB = 5V, I C = 0 100nA h FE1V CE = 1V, I C = 1mA 100 400 h FE2V CE = 1V, I C = 150 mA 120 DC Current Gain(note) h FE3V CE = 1V, I C = 500mA 40 Collector-Emitter Saturation Voltage V CEO(SAT)I C = 500mA, I B = 50mA 0.5V Base-Emitter Saturation Voltage V BEO(SAT)I C = 500mA, I B = 50mA 1.2V Base-Emitter Saturation Voltage V BEO(SAT)V CE = 1V, I C = 10mA 1.0V Current Gain Bandwidth Product f T V CE = 10V, I C = 50mA 100 MHz Output Capacitance CobV CB = 10V, I E = 0, f = 1MHz 9.0 pFCLASSIFICATION OF h FE2RANK C D ERANGE 120-200 160-300 280-400TYPICAL CHARACTERISTICSC o l l e c t o r C u r r e n t , I c (m A )D C C u r r e n t G a i n , h F ES a t u r a t i o n V o l t a g e (m V )C o l l e c t o r C u r r e n t , I c (m A )C u r r e n t G a i n -B a n d w i d t h P r o d u c t , f (M H z )C a p a c i t a n c e , C o b (p F )。
8050三级管引脚参数
8050三级管引脚参数8050三级管是一种常用的晶体管，广泛应用于电子电路中。
它具有三个引脚，分别是基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。
这三个引脚的参数对于正确使用和连接三级管至关重要。
首先是基极（B）引脚。
基极是三级管的控制端，用于控制电流的流动。
在连接三级管时，基极引脚应连接到控制信号源，如微处理器或其他电路。
基极引脚的电流通常很小，一般在几微安到几毫安之间。
此外，基极引脚还具有极高的输入阻抗，可以有效地接收控制信号。
其次是发射极（E）引脚。
发射极是三级管的输出端，用于输出电流。
在连接三级管时，发射极引脚应连接到负载电路或其他电子元件。
发射极引脚的电流通常较大，一般在几十毫安到几百毫安之间。
此外，发射极引脚还具有较低的输出阻抗，可以有效地输出电流。
最后是集电极（C）引脚。
集电极是三级管的输入端，用于输入电流。
在连接三级管时，集电极引脚应连接到电源正极或其他电子元件。
集电极引脚的电流通常较大，一般在几十毫安到几百毫安之间。
此外，集电极引脚还具有较低的输入阻抗，可以有效地接收输入电流。
除了这些基本参数外，8050三级管还具有其他一些重要的参数。
例如，最大集电极电流（IC max）是指三级管能够承受的最大集电极电流。
超过这个电流值，三级管可能会受到损坏。
另外，最大集电极-发射极电压（VCEO max）是指三级管能够承受的最大集电极-发射极电压。
超过这个电压值，三级管可能会发生击穿。
在使用8050三级管时，我们需要根据具体的应用需求选择合适的参数。
例如，如果需要控制较大的电流，则需要选择具有较大IC max的三级管。
如果需要承受较高的电压，则需要选择具有较大VCEOmax的三级管。
此外，还需要注意三级管的极性，确保正确连接引脚。
总之，8050三级管是一种常用的晶体管，具有基极、发射极和集电极三个引脚。
这些引脚的参数对于正确使用和连接三级管非常重要。
我们需要了解基极、发射极和集电极引脚的功能和特性，并根据具体需求选择合适的参数。
三极管8050和8550对管的参数
图１8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列图２8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。
8050 为硅材料NPN型三极管；8550 为硅材料PNP型三极管。
8050S 8550S S8050 S8550 参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出按三极管后缀号分为B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350C8050 C8550 参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-3008050SS 8550SS 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400引脚排列有EBC ECB两种SS8050 SS8550 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400NEC的8050最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极-发射极电压（VCEO）:25;频率:150 MHz .其它的8050PE8050 硅NPN 30V 1.5A 1.1WMC8050 硅NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K3DG8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K值得注意的是，在代换相应的8050或8550三极管时，除了型号匹配，放大倍数也是很重要的参数。
常用贴片三极管丝印与型号对照表
9011 1T9012 2T9013 J39014 J69015 M69016 Y6 >>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>> 9018 J8S8050 J3YS8550 2TY8050 Y18550 Y22SA1015 BA2SC1815 HF2SC945 CR >>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>> MMBT3904 1AMMMBT3906 2AMMBT2222 1PMMBT5401 2LMMBT5551 G1MMBTA42 1DMMBTA92 2DBC807-16 5ABC807-25 5BBC807-40 5CBC817-16 6ABC817-25 6BBC817-40 6CBC846A 1ABC846B 1BBC847A 1EBC847B 1FBC847C 1GBC848A 1JBC848B 1KBC848C 1LBC856A 3ABC856B 3BBC857A 3EBC857B 3FBC858A 3JBC858B 3KBC858C 3L >>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>2SA733 CSUN2111 V1UN2112 V2UN2113 V3UN2211 V4UN2212 V5UN2213 V6 >>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>2SC3356 R232SC3838 AD2N7002 702 >>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>> 2SC2062 W。
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
8050S
NPN SILICON TRANSISTOR
LOW VOLTAGE HIGH
CURRENT SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 8050S is a low voltage high current small signal NPN transistor, designed for Class B push-pull audio amplifier and general purpose applications.
FEATURES *Collector current up to 700mA
*Collector-Emitter voltage up to 20V *Complementary to UTC 8550S
ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Normal Lead Free Plating Halogen-Free Package 1 2 3 Packing
8050S-x-AE3-R 8050SL-x-AE3-R 8050SG-x-AE3-R SOT-23 E B C Tape Reel 8050S-x-T92-B 8050SL-x-T92-B 8050SG-x-T92-B TO-92 E C B Tape Box 8050S-x-T92-K 8050SL-x-T92-K 8050SG-x-T92-K TO-92 E
C B
Bulk
MARKING (For SOT-23 Package)
ABSOLUTE MAXIMUM RATING ( Ta=25°C, unless otherwise specified )
PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT
Collector-Base Voltage V CBO 30 V Collector-Emitter Voltage V CEO 20 V Emitter-Base Voltage V EBO 5 V Collector Current I C 700 mA
SOT-23 350 mW
Collector Dissipation(Ta=25°C) TO-92 P C
1 W
Junction Temperature T J +150 °C Storage Temperature T STG -40 ~ +150 °C
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER SYMBOL
TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
Collector-Base Breakdown Voltage BV CBO I C = 100μA, I E = 0 30 V Collector-Emitter Breakdown Voltage BV CEO I C = 1mA, I B = 0 20 V Emitter-Base Breakdown Voltage BV EBO I E = 100μA, I C =0 5 V Collector Cut-Off Current I CBO V CB = 30V,I E = 0 1 uA Emitter Cut-Off Current I EBO
V EB = 5V, I C = 0 100nA h FE1
V CE = 1V, I C = 1mA 100 400 h FE2
V CE = 1V, I C = 150 mA 120 DC Current Gain(note) h FE3
V CE = 1V, I C = 500mA 40 Collector-Emitter Saturation Voltage V CEO(SAT)I C = 500mA, I B = 50mA 0.5V Base-Emitter Saturation Voltage V BEO(SAT)I C = 500mA, I B = 50mA 1.2V Base-Emitter Saturation Voltage V BEO(SAT)V CE = 1V, I C = 10mA 1.0V Current Gain Bandwidth Product f T V CE = 10V, I C = 50mA 100 MHz Output Capacitance Cob
V CB = 10V, I E = 0, f = 1MHz 9.0 pF
CLASSIFICATION OF h FE2
RANK C D E
RANGE 120-200 160-300 280-400
TYPICAL CHARACTERISTICS
C o l l e c t o r C u r r e n t , I c (m A )
D C C u r r e n t G a i n , h F E
S a t u r a t i o n V o l t a g e (m V )
C o l l e c t o r C u r r e n t , I c (m A )
C u r r e n t G a i n -B a n d w i d t h P r o d u c t , f (M H z )
C a p a c i t a n c e , C o b (p F )。