第八章 霍传感器

第八章霍尔传感器课题：霍尔传感器的原理及应用课时安排：2 课次编号：12 教材分析难点：开关型霍尔集成电路的特性重点：霍尔传感器的应用教学目的和要求1、了解霍尔传感器的工作原理；2、了解霍尔集成电路的分类；3、掌握线性型和开关型霍尔集成电路的特性；4、掌握霍尔传感器的应用。

采用教学方法和实施步骤：讲授、课堂互动、分析教具：各种霍尔元件、霍尔传感器各教学环节和内容演示1：将小型蜂鸣器的负极接到霍尔接近开关的OC门输出端，正极接V cc端。

在没有磁铁靠近时，OC门截止，蜂鸣器不响。

当磁铁靠近到一定距离（例如3mm）时，OC门导通，蜂鸣器响。

将磁铁逐渐远离霍尔接近开关到一定距离（例如5mm）时，OC门再次截止，蜂鸣器停响。

演示2：将一根导线穿过10A霍尔电流传感器的铁芯，通入0.1~1A电流，观察霍尔IC的输出电压的变化，基本与输入电流成正比。

从以上演示，引入第一节霍尔效应、霍尔元件的工作原理。

第一节霍尔元件的工作原理及特性一、工作原理金属或半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流I流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势E H，这种现象称为霍尔效应（Hall Effect），该电动势称为霍尔电动势（Hall EMF），上述半导体薄片称为霍尔元件（Hall Element）。

用霍尔元件做成的传感器称为霍尔传感器（Hall Transducer）。

图8-1霍尔元件示意图a）霍尔效应原理图b）薄膜型霍尔元件结构示意图c）图形符号d）外形霍尔属于四端元件：其中一对（即a、b端）称为激励电流端，另外一对（即c、d端）称为霍尔电动势输出端，c、d端一般应处于侧面的中点。

由实验可知，流入激励电流端的电流I越大、作用在薄片上的磁场强度B越强，霍尔电动势也就越高。

霍尔电动势E H可用下式表示E H=K H IB（8-1）式中K H——霍尔元件的灵敏度。

若磁感应强度B不垂直于霍尔元件，而是与其法线成某一角度θ时，实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向（与薄片垂直的方向）的分量，即B cosθ，这时的霍尔电动势为E H=K H IB cosθ（8-2）从式（8-2）可知，霍尔电动势与输入电流I、磁感应强度B成正比，且当B的方向改变时，霍尔电动势的方向也随之改变。

如果所施加的磁场为交变磁场，则霍尔电动势为同频率的交变电动势。

目前常用的霍尔元件材料是N型硅，霍尔元件的壳体可用塑料、环氧树脂等制造。

二、主要特性参数（1）输入电阻R i恒流源作为激励源的原因：霍尔元件两激励电流端的直流电阻称为输入电阻。

它的数值从几十欧到几百欧，视不同型号的元件而定。

温度升高，输入电阻变小，从而使输入电流I ab变大，最终引起霍尔电动势变大。

使用恒流源可以稳定霍尔原件的激励电流。

（2）最大激励电流I m激励电流增大，霍尔元件的功耗增大，元件的温度升高，从而引起霍尔电动势的温漂增大，因此每种型号的元件均规定了相应的最大激励电流，它的数值从几毫安至十几毫安。

提问：霍尔原件的最大激励电流I m为宜。

A．0mA B．±0.1 mA C．±10mA D．100mA（4）最大磁感应强度B m磁感应强度超过B m时，霍尔电动势的非线性误差将明显增大，B m的数值一般小于零点几特斯拉。

提问：为保证测量精度，图8-3中的线性霍尔IC的磁感应强度不宜超过为宜。

A．0T B．±0.10T C．±0.15T D．±100Gs第二节霍尔集成电路霍尔集成电路（又称霍尔IC）的优点：体积小、灵敏度高、输出幅度大、温漂小、对电源稳定性要求低等。

霍尔集成电路的分类：线性型和开关型两大类。

线性型的内部电路：霍尔元件和恒流源、线性差动放大器等做在一个芯片上，输出电压为伏级，比直接使用霍尔元件方便得多。

开关型霍尔集成电路的内部电路：霍尔元件、稳压电路、放大器、施密特触发器、OC门（集电极开路输出门）等电路做在同一个芯片上。

当外加磁场强度超过规定的工作点时，OC门由高阻态变为导通状态，输出变为低电平；当外加磁场强度低于释放点时，OC门重新变为高阻态，输出高电平。

图8-2线性型霍尔集成电路a）外形尺寸b）内部电路框图图8-3线性型霍尔集成电路输出特性图8-4开关型霍尔集成电路a）外形尺寸b）内部电路框图图8-5开关型霍尔集成电路的史密特输出特性注：1特斯拉（T）＝104高斯（Gs）提问：磁铁从远到近，逐渐靠近图8-5所示的开关型霍尔IC，问，多少高斯时，输出翻转？成为什么电平？表8-1具有史密特特性的OC门输出状态与磁感应强度变化之间的关系B/T OC门输出状态OC门接法磁感应强度B的变化方向及数值0 →0.02 →0.023 →0.03 →0.02 →0.016 →0接上拉电阻R L高电平①高电平②低电平低电平低电平③高电平高电不接上拉电阻R L高阻态高阻态低电平低电平低电平高阻态高①：OC门输出的高电平电压由V CC决定；②、③：OC门的迟滞区输出状态必须视B的变化方向而定.第三节霍尔传感器的应用霍尔电动势是关于I、B、θ三个变量的函数，即E H=K H IB cosθ，使其中两个量不变，将第三个量作为变量，或者固定其中一个量、其余两个量都作为变量，三个变量的多种组合等。

1）维持I、θ不变，则E H=f(B），这方面的应用有：测量磁场强度的高斯计、测量转速的霍尔转速表、磁性产品计数器、霍尔角编码器以及基于微小位移测量原理的霍尔加速度计、微压力计等。

2）维持I、B不变，则E H=f(θ），这方面的应用有角位移测量仪等。

3）维持θ不变，则E H=f(IB），即传感器的输出E H与I、B的乘积成正比，这方面的应用有模拟乘法器、霍尔功率计、电能表等。

1．角位移测量仪角位移测量仪结构示意图如图8-8所示。

霍尔器件与被测物连动，而霍尔器件又在一个恒定的磁场中转动，于是霍尔电动势E H就反映了转角θ的变化。

图8-8角位移测量仪结构示意图1－极靴2－霍尔器件3－励磁线圈发散性思维：将图8-8的铁芯气隙减小到夹紧霍尔IC的厚度。

则B正比于U i，霍尔IC的U o正比于B，可以改造为霍尔电压传感器。

与交流互感器不同的是：可以测量直流电压，如右图所示。

4．霍尔接近开关在第四章里，曾介绍过接近开关的基本概念。

用霍尔接近开关也能实现接近开关的功能，但是它只能用于铁磁材料，并且还需要建立一个较强的闭合磁场。

霍尔接近开关应用示意图如图图8-12所示。

在图8-12b中，磁极的轴线与霍尔接近开关的轴线在同一直线上。

当磁铁随运动部件移动到距霍尔接近开关几毫米时，霍尔接近开关的输出由高电平变为低电平，经驱动电路使继电器吸合或释放，控制运动部件停止移动（否则将撞坏霍尔接近开关）起到限位的作用。

图8-12霍尔接近开关应用示意图a）外形b）接近式c）滑过式d）分流翼片式1－运动部件2－软铁分流翼片提问：b）接近式c）滑过式哪一种不易损坏？为什么？在图8-12d中，磁铁和霍尔接近开关保持一定的间隙、均固定不动。

软铁制作的分流翼片与运动部件联动。

当它移动到磁铁与霍尔接近开关之间时，磁力线被屏蔽（分流），无法到达霍尔接近开关，所以此时霍尔接近开关输出跳变为高电平。

改变分流翼片的宽度可以改变霍尔接近开关的高电平与低电平的占空比。

发生性思维：电梯“平层”如何利用分流翼片的原理？霍尔传感器的其他用途：霍尔电压传感器、霍尔电流传感器、霍尔电能表、霍尔高斯计、霍尔液位计、霍尔加速度计等。

5．霍尔电流传感器能够测量直流电流，弱电回路与主回路隔离，能够输出与被测电流波形相同的“跟随电压”，容易与计算机及二次仪表接口，准确度高、线性度好、响应时间快、频带宽，不会产生过电压等。

（1）工作原理 用一环形（有时也可以是方形）导磁材料作成铁心，套在被测电流流过的导线（也称电流母线）上，将导线中电流感生的磁场聚集在铁心中。

在铁心上开一与霍尔传感器厚度相等的气隙，将霍尔线性IC 紧紧地夹在气隙中央。

电流母线通电后，磁力线就集中通过铁心中的霍尔IC ，霍尔IC 就输出与被测电流成正比的输出电压或电流。

霍尔电流传感器原理及外形如图8-13所示。

图8-13 霍尔电流传感器原理及外形a ）基本原理b ）外形1－被测电流母线 2－铁心 3－线性霍尔IC（2）技术指标及换算 霍尔电流传感器可以测量高达2000A 的电流；电流的波形可以是高达100kHz 的正弦波和电工技术较难测量的高频窄脉冲；它的低频端可以一直延伸到直流电；响应时间小于1µs ，电流上升率（d i /d t ）大于200A/μs 。

被测电流称为一次测电流I P ，将霍尔电流传感器的输出电流称为“二次侧电流” I S （霍尔传感器中并不存在二次侧）。

“匝数比”概念：I S /I P 和N P /N S 。

在霍尔电流传感器中，N P 被定义为“一次测线圈”的匝数，一般取N P =1；N S 为厂家所设定的“二次侧线圈的匝数”。

因此有：PS S P I I N N （8-3） 依据霍尔电流传感器的额定技术参数和输出电流I S 以及式（8-3），就可以计算得到被测电流。

如果将一只负载电阻R S 并联在 “二次侧”的输出电流端，就可以得到一个与“一次测电流”（被测电流）成正比的、大小为几伏的电压输出信号。

隔离作用：霍尔电流传感器的“一次测”与“二次侧”电路之间的击穿电压可以。