2-6GHz混合集成功率放大器
S-C频段宽带250W功率放大器的设计
S-C频段宽带250W功率放大器的设计作者：陈昱宇刘闻李栋来源：《电子技术与软件工程》2018年第07期摘要为满足通信、电子信号系统对超宽带大功率发射源的需求，研制一款工作在s-c频段，频率范围覆盖2GHz-6GHz的超宽带功率放大器。
目前该频段单芯片最大输出功率仅25W，故选用1 6只芯片通过由威尔金森功分器和3dB电桥组成的超宽带低插损合成网络进行高效功率合成。
经一系列结构、电路优化设计后，组件最终在260*190*30mm3体积下实现了2GHz-6GHz范围内≥250W的功率输出，功率增益≥54dB，小信号增益平坦度≤±2.5dB，电源效率≥20%，信号杂散抑制≥70dBe。
【关键词】高效率超宽带大功率威尔金森功分器高杂散抑制本文对一款工作在S-C频段，频率范围覆盖2GHz～6GHz的250W固态功率放大器的研制进行了总结。
放大器内部采用16只输出功率≥25W的GaN功放芯片进行合成，合成网络由威尔金森功分器和3dB电桥组成;在功放内部设计有多重低频滤波网络、用于改善信号杂散抑制度;通过功放内部的结构、电路优化，最终功放体积为260*190*30mm3。
1 驱动放大单元设计实现驱动放大器的高增益指标需采用多级放大器进行级联。
在实际应用条件下，因各级放大器输入输出驻波、传输介质不连续、加工装配、误差等因素影响，放大器级联后增益平坦度与理论值相比存在不同程度的恶化，尤其在宽频带内，级间的反射相位有时叠加有时抵消，增大了起伏。
改善放大链增益平坦度通常有两种途径：（1）选用均衡器对增益进行补偿;（2）选用增益曲线互补的放大器级联。
为改善增益平坦度，驱动放大器设计时采用以下措施：（1）在驱动放大器输入端加Ⅱ型衰减器调节放大链增益和改善输入驻波;（2）选用三级增益曲线在2GHz-6GHz范围内互补的放大器级联;（3）在驱动放大器级联加入均衡器，均衡器作用为对频率增益特性进行纠正和降低两级放大器间的互耦，减小模块发生自激的可能。
KA2206B中文资料
芯谷科技
2.3W 双三极管功率放大器 KA2206B
概述：
KA2206B 是 一 块 由 两 通 道 功 率 放 大 器 组 成的单片集成电路。广泛应用于无线电盒式磁 带录音机的立体声及电桥放大器中。
封装外形图
功能：
● 高输出功率
立体声: Po=2.3W (典型) at Vcc=9V, RL=4Ω
波纹抑制比 输出噪声电压
串音
测试条件
符号
Vcc
Vi=0V, Stereo
立体声
Vi=-45dBm
电桥
ICCQ Gvc
立体声
CB
立 体 声 THD=10%, RL=4Ω THD=10%, RL=8Ω
电 桥 THD=10%, RL=8Ω
立体声 电桥
Po=250mW RL=4Ω
Po THD
Ri
立体声, Rg=0Ω,
R.R
IN2 NF2 POWER GND BS2 OUT2 BTL OUT
绍兴芯谷科技有限公司
1/3
www. Silicore. com. cn
CHMC
Silicore
绍兴芯谷科技有限公司
KA2206B
极 限 值 ： (Ta=25°C)
参数名称 电源电压
功耗 工作温度 贮存温度 *散热片安装在 PCB 板上。
(Rf 和 C1 与 9 脚相连) Gv=20 log (R1/(R2+Rf)
INPUT 8 R2 9
Rf
C1
+ CH1
R1
5K
10K
+
CH2
R3
-
R4
5
4 C2
1
谐波负载牵引及其方法简介
谐波负载牵引及其方法简介2013年12月Maury 微波公司北京代表处目录概述 (3)在什么情况下需要进行谐波负载牵引的测量？ (3)二次谐波负载牵引测量还是三次谐波负载牵引测量？ (4)阻抗调配及其技术演进简介 (4)谐波负载牵引的几种实现方法 (6)1）基波无源阻抗调配器并联法 (6)2）基波无源阻抗调配器串联法 (7)3）多探子谐波阻抗调配器 (7)4）有源负载牵引测量方法 (8)5）使用PNA-X的非线性测量的X参数进行测量 (9)6）纯有源混合信号负载牵引测量系统MT2000 (9)结论 (10)概述谐波负载牵引指的是在做完基波频率的负载牵引测量之后，把在基波频率上已经找到的最佳匹配阻抗点固定好，然后再改变被测器件源端和/或负载端在二次（偶尔在特殊的情况需要在三次）谐波频率上的阻抗值的同时，测量被测器件在当前基波频率阻抗状态下的重要参数，例如功率、增益、效率。
谐波负载牵引的测量结果对于提高大功率放大器的效率和改善其线性度有明显的帮助。
在有些情况下，进行谐波负载牵引和不进行谐波负载牵引对放大器的效率的影响会有超过10%到20%的差别！这种情况对于氮化镓（GaN）器件来说更为明显。
目前国内有些功放设计人员对使用谐波负载牵引的测量兴趣越来越高，但是由于负载牵引测量的应用和实践在国内除了一些用户已经积累了一定的经验之外，大多数用户对谐波负载牵引测量的必要性以及在很多能实现谐波负载牵引测量的方法中到底怎么进行选择，一直没有一份可供参考的比较全面的介绍文章。
本文针对什么时候需要进行谐波负载牵引测量和进行谐波负载牵引测量的几种方法进行介绍和比较。
在什么情况下需要进行谐波负载牵引的测量？谐波负载牵引测量固然重要，但是并不是说所有有关功放的设计和测量都需要进行谐波负载牵引测量。
一般来说，只有在以下四种情况之一，才需要进行谐波负载牵引测量，或者说进行谐波负载牵引测量才有意义。
1 在设计窄带放大器的时候如果所设计的是能够包括许多频率的宽带放大器，那么谐波负载牵引测量就没有任何意义。
Ku波段80 W固态功率合成放大器的设计
Ku波段80 W固态功率合成放大器的设计张娟;湛婷;廖原;宋志东【摘要】利用波导电桥和微带双探针设计了一种Ku波段80 W固态功率放大器.波导电桥用于提高合成通道间的隔离度,波导-微带双探针则可提高模块集成度,从而实现了高密度集成下的大功率输出.该功率放大器在13.5～14.5 GHz频率范围内可实现80 W脉冲功率输出,且合成效率高于81％,附加效率高于25％.【期刊名称】《电子科技》【年(卷),期】2014(027)006【总页数】4页(P35-38)【关键词】波导电桥;波导-微带双探针;固态功率放大器【作者】张娟;湛婷;廖原;宋志东【作者单位】西安电子工程研究所专业7部,陕西西安710100;西安电子工程研究所专业7部,陕西西安710100;西安电子工程研究所专业7部,陕西西安710100;西安电子工程研究所专业7部,陕西西安710100【正文语种】中文【中图分类】TN722功率放大器是微波毫米波系统的关键部件之一，早期的微波频段功率放大主要通过真空管器件实现［1－2］，尤其第二次世界大战期间雷达系统的应用对大功率微波技术产生了巨大的推动作用，磁控管和速调管也得到了应用，并带动了行波管技术的发展。
微波固态功率器件是20 世纪70 年代发展起来的，相比于真空管放大器，固态功率放大器以重量轻、尺寸小、可靠性高、成本低等优点备受人们青睐，其应用也日益广泛。
由于固态高功率器件受散热、阻抗匹配和工艺等条件的限制不易实现，必须采用功率合成技术将多个MMIC 功放芯片进行合成来实现高功率放大器。
根据参与合成的电磁波模式，功率合成［3－4］技术可分为电路合成和空间功率合成两大类，采用不同的功率合成方式组合又形成了复合式功率合成技术。
本文提出了一种应用于Ku 波段的分支波导和波导－微带双探针过渡［5］相结合的4 路复合式功率合成网络，该结构可较好地保证功率等幅同相4 等分，以波导作为输入和输出，从而减少输出高功率能量的损耗。
纳芯威LTD NS4816多级恒定输出功率G类音频功率放大器说明书
NS4816多级恒定输出功率G类音频功率放大器1特性●内置AGC功能，3级恒定输出功率控制：● 1.2W,1W,0.8W(8Ω)●内置电荷泵电源系统●高工作效率：81%●最大输出功率Po=2.2W(RL=8Ω,VDD=4.2V,THD+N=10%)●低THD+N=0.015%(f=1kHz,RL=8Ω,Po=0.5W,VDD=3.8V)●内置热保护和过压保护功能●内置Pop和Click噪声抑制●高抗射频干扰能力●一线脉冲控制●WLCSP封装(1.63mm*1.63mm)3应用范围●移动手机和平板●便携媒体播放器2说明NS4816是一款带有自动增益控制（AGC）功能、内置高效电荷泵升压电源的免滤波器G类音频功率放大器。
芯片持续地检测输出功率并相应调整内部增益，以避免扬声器长时间的过载。
内部集成的电荷泵可以为功放的输出级产生5.9V的供电电压。
在8Ω负载和锂电池供电条件下，可以持续输出1W的恒定功率（THD+N=1%）。
NS4816最高效率高达81%，极大延长了播放音乐时电池的续航时间。
带有多级恒定输出功率的AGC技术可以帮助设计人员选择合适的功率用以匹配不同的扬声器。
NS4816采用WLCSP封装(1.63mm*1.63mm)。
4应用电路5管脚配置NS4816WLCSP的俯视图如下图所示：NS4816管脚说明：管脚编号管脚名称管脚说明A1INP音频信号输入正端A2INN音频信号输入负端A3,B3VDD电源A4SHDN一线脉冲控制端B1,B2C2N电荷泵C2电容负端B4VOP音频放大器输出正端C1C1N电荷泵C1负端C2,C4GND地D1C2P电荷泵C2正端D2C1P电荷泵C1正端D3PVDD音频功放级电源D4VON音频放大器输出负端6极限工作参数参数最小最大单位供电电压范围VDD-0.3 5.2V输入电压范围INP.INN.SHDN-0.3VDD+0.3V工作温度范围-4085℃工作结温范围-40150℃储存温度范围-65150℃最小负载阻抗4ΩHBM ESD8000VMM ESD200VθJA15-ball WLCSP 1.63x1.63mm70℃/W注：如果器件工作条件超过上述极限值，可能对器件造成永久性损坏。
绍兴芯谷科技有限公司 D2025 双通道音频功率放大电路说明书
D2025双通道音频功率放大电路概述：D2025为立体声音频功率放大集成电路，适用于各类袖珍或便携式立体声收录机中作功率放放大器。
D2025采用DIP16封装形式。
主要特点：●适用于立体声或BTL 工作模式●外接元件少●通道分离性好●电源电压范围宽（3V~12V ）●开关机时无啸声●最大电压增益45dB （可通过外接电阻调节）●软限幅●温度保护●3V 的低压下可正常使用。
功能框图：管脚排列图：DIP16温度保护启动电路50_+50_+去耦10K10K5K501162345678910111213141512345679101112131415168输出 1通道1通道 1通道 1通道D2025BTL辅助电源输入2通道 输出功放地 自举2通道2通道 反馈 滤波功放地 1通道 1通道2通道 功放地2通道 输入地反馈2通道 功放地自举引出端功能符号：极限值（绝对最大额定值，若无其它规定，Tamb=25℃）热性能参数:注：Rth（j-a）的测量方法为将器件固定在10⨯5⨯0.15cm的玻璃环氧印制板上,印制板表面覆有5cm2面积、35μm厚度的铜膜。
CHMCCHMC电特性（若无其它规定，Tamb=25℃,Vcc=9V ，R L =8Ω，f=1KHz 。
每一通道）测试与应用线路图：（一）双通道应用CHMC（二）桥式应用典型工作参数曲线：封装外形图：DIP16：Unit:mm声明：芯谷科技保留产品说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前，需确认获取的资料是否为最新版本，并验证相关信息的完整性。
任何半导体产品在特定的条件下都有失效或发生故障的可能，买方有责任在使用芯谷科技产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准，并采取相应的安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！产品提升永无止境，芯谷科技将竭诚为客户提供性能更佳、质量更优的集成电路产品。
CHMC。
双频／GSM3.6V集成功率放大器
引脚 ２ 为升 压 正 电压 输 出 ， 约为 １ Ｖ。 大 ０ 此 电 压可 用于 驱 动一 个 ＮＭＯＳ漏极 开 关 。
通 过 ８ ０Ｑ印 制微 带 线 （ 可 用分 立 片 电感 也
漏 注 隔 它有 一 个宽 频 （０ ￣ ８ ０ ｚ 内部 负 电压 产生 器 ， 入 匹配 电路 应该 与 缓 冲 器和 Ｑ１ 极 匹配 累按 。 意 ， ９ ０ １０ ＭＨ ） ｃ 它 是 基于 输 入载 波 经两 个 缓 冲 器级放 大 的Ｒ 整流 基 础上 ｄ 电容 器 包含 在 片 上 。 Ｆ （ 图 １。 这种 方 法 消 除 了采 用 Ｄ ／ Ｃ变换 器型 负 电压 见 ） ＣＤ
器 替 代 ） 电 和 匹 配 Ｑ１ 极 。微 带 线 长 度（ 供 漏 或
等 效 电感 器值 ） 可调 Ｒ 去 耦 电容 器调 节 ，以 用 Ｆ
便 得 到 第 １ 的最 大 增 益 。 级 ６ 印制微 带 线 为 Ｑ２漏 极供 电 ，微 带 线 ０Ｑ 也 为 中间级 提 供 匹 配 ，以便 最 佳驱 动 末级 。
Ｐ ｕ （ ａｔ Ｋ × Ｖ （ × Ｖ Ｖ） ｏｔＷ ｔ＝ ） Ｖ） （
图 ２ 应 用 电 路 中 的 控 制 Ｉ Ｍ Ｏ ｃ ｃ ３３ １ ０（ Ｎ ７
Ｓ ｍｉ ｎ ｕｔｒ ｅ ｃ ｄ ｃ 公司的产品） ｏ ｏ 管理所有的控制 ，偏 置和频
带 选 择功 能 。当 发送 命 令 时（ｘ ｎ Ｔ Ｅ ＝高 态 ） ，ＭＣ ３ ７ 激 ３ １０ 发 负 电压产 生 器 ＮＶ （ Ｖ 的 电源 Ｖ ，包 括 Ｖ Ｇ Ｖ。 ） 。，
2～18 GHz超宽带低噪声放大器芯片研制
2～18 GHz超宽带低噪声放大器芯片研制文晓敏;李斌【摘要】低噪声放大器在射电天文望远镜接收机中是一个重要的前端组件,其性能对接收机的灵敏度和噪声有至关重要的影响。
采用OMMIC公司70 nm GaAs mHEMT工艺研究和设计了一款工作频率为2~18 GHz的超宽带单片微波集成低噪声放大器芯片,芯片面积为2 mm×1 mm。
放大器电路采用三级级联放大、双电源供电拓扑结构,常温在片测试结果显示,全频带增益大于28 dB,噪声温度平均值为93 K,直流功耗150 mW,无条件稳定。
该放大器芯片覆盖了射电天文S,C,X,Ku 4个传统观测波段,适用于厘米波段超宽带接收前端和毫米波段超宽带中频放大模块。
【期刊名称】《天文研究与技术－国家天文台台刊》【年(卷),期】2019(16)3【总页数】7页(P278-284)【关键词】低噪声放大器;GaAs;mHEMT;超宽带;单片微波集成电路【作者】文晓敏;李斌【作者单位】中国科学院上海天文台,上海200030;中国科学院大学,北京100049【正文语种】中文【中图分类】TN722.3作为射电天文望远镜接收机前端的核心器件，低噪声放大器(Low Noise Amplifier, LNA)不仅要将天线接收到的来自外太空的微弱信号进行低噪声放大，还要求具有较高的增益抑制后级链路的噪声，保持接收系统的灵敏度。
单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuits, MMIC)形式的低噪声放大器芯片是实现超宽带、低噪声、高增益器件的重要途径。
变组分高电子迁移率晶体管(Metamorphic High-eletron-mobility Transistor, mHEMT) 具有高频、高功率及噪声性能好的优点，广泛应用于雷达、遥感、辐射测量等领域[1]。
本文设计单片微波集成电路低噪声放大器芯片所用的OMMIC D007IH mHEMT工艺，拥有70 nm栅长和高掺铟沟道，在组分缓变的缓冲层上生长高铟浓度的外延活跃层，从而实现与砷化镓(GaAs)衬底的平稳过渡，因而使其具有极低的噪声和超高频特性[2]。
2～6 GHz宽带微带均衡器设计与实现
第３５卷 第１期 ２０２０年３月 西 南 科 技 大 学 学 报 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＳｏｕｔｈｗｅｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｖｏｌ．３５Ｎｏ．１ Ｍａｒ．２０２０ 收稿日期：２０１９－０６－２１ 基金项目：国家自然科学基金青年项目（６１８０１４０６） 第一作者简介：夏祖学（１９７５—），男，博士，硕导，研究方向为微波组件、天线等，Ｅ ｍａｉｌ：ｚｕｘｕｅ＿ｘｉａ＠ｓｗｕｓｔ．ｅｄｕ．ｃｎ２～６ＧＨｚ宽带微带均衡器设计与实现夏祖学１ 何坤林２ 何 杨１（１．西南科技大学信息工程学院 四川绵阳 ６２１０１０；２．广东通宇通讯股份有限公司 广东中山 ５２８４００）摘要：较好的性能、更小的尺寸、更低的成本，已经成为宽带微波组件必须满足的基本要求。
微带幅度均衡器可以有效改善宽带功率放大器的增益平坦度，使其满足指标要求。
利用λ／４的开路微带线和薄膜电阻构成谐振器，结合ＡＤＳ软件与ＨＦＳＳ软件联合仿真设计了２～６ＧＨｚ的紧凑的微带宽带均衡器，并制作了实物，实测和仿真结果基本一致，从而证明了设计方法的有效性。
关键词：宽带幅度均衡器 微带谐振器 开路枝节 薄膜电阻 协同仿真中图分类号：ＴＮ７１５ 文献标志码：Ａ 文章编号：１６７１－８７５５（２０２０）０１－００７０－０５ＤｅｓｉｇｎａｎｄＩｍｐｌｅｍｅｎｔａｔｉｏｎｏｆ２－６ＧＨｚＢｒｏａｄｂａｎｄＭｉｃｒｏｓｔｒｉｐＥｑｕａｌｉｚｅｒｓＸＩＡＺｕｘｕｅ１，ＨＥＫｕｎｌｉｎ２，ＨＥＹａｎｇ１（１．ＳｃｈｏｏｌｏｆＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＳｏｕｔｈｗｅｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｍｉａｎｙａｎｇ６２１０１０，Ｓｉｃｈｕａｎ，Ｃｈｉｎａ；２．ＧｕａｎｇｄｏｎｇＴｏｎｇｙｕＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎＣｏ．，Ｌｔｄ．，Ｚｈｏｎｇｓｈａｎ５２８４００，Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｈｉｇｈｅｒｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ，ｓｍａｌｌｅｒｓｉｚｅａｎｄｌｏｗｅｒｃｏｓｔｈａｖｅｂｅｃｏｍｅｔｈｅｂａｓｉｃｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔｓｆｏｒｂｒｏａｄ ｂａｎｄｍｉｃｒｏｗａｖｅｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ．Ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐａｍｐｌｉｔｕｄｅｅｑｕａｌｉｚｅｒｃａｎｂｅｕｓｅｄｔｏｅｆｆｅｃｔｉｖｅｌｙｉｍｐｒｏｖｅｔｈｅｇａｉｎｆｌａｔｎｅｓｓｏｆｔｈｅｂｒｏａｄｂａｎｄｐｏｗｅｒａｍｐｌｉｆｉｅｒｓｏａｓｔｏｍｅｅｔｔｈｅｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔｓ．Ｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ，ａｒｅｓｏｎａｔｏｒｗａｓｃｏｍｐｏｓｅｄｏｆλ／４ｏｐｅｎｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐｌｉｎｅｓａｎｄｔｈｉｎ ｆｉｌｍｒｅｓｉｓｔｏｒｓａｎｄａｃｏｍｐａｃｔｂｒｏａｄｂａｎｄｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐａｍｐｌｉ ｔｕｄｅｅｑｕａｌｉｚｅｒｏｆ２ｔｏ６ＧＨｚｗａｓｓｉｍｕｌａｔｅｄａｎｄｆａｂｒｉｃａｔｅｄｂｙｃｏｍｂｉｎｉｎｇＡＤＳｓｏｆｔｗａｒｅａｎｄＨＦＳＳｓｏｆｔｗａｒｅ．Ｔｈｅｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｒｅｓｕｌｔｓａｒｅｂａｓｉｃａｌｌｙｃｏｎｓｉｓｔｅｎｔｗｉｔｈｔｈｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｒｅｓｕｌｔｓ，ｗｈｉｃｈｐｒｏｖｅｔｈｅｅｆｆｅｃｔｉｖｅｎｅｓｓｏｆｔｈｅｃｏｍｐｕｔｅｒｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎｄｅｓｉｇｎｍｅｔｈｏｄ．Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：Ｂｒｏａｄｂａｎｄａｍｐｌｉｔｕｄｅｅｑｕａｌｉｚｅｒ；Ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐｒｅｓｏｎａｔｏｒ；Ｑｕａｒｔｅｒ ｗａｖｅｏｐｅｎ ｃｉｒｃｕｉｔｓｔｕｂ；Ｔｈｉｎｆｉｌｍｒｅｓｉｓｔｏｒ；Ｃｏ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ． 幅度均衡器最早应用在低频的音响、邮电通信、ＣＡＴＶ等设备中。
APA2068(国产)
回差(mV)
52 51 50 49 47 46 45 44 43 41 40 39 38 37 35 34 33 32 30 29 28 27 26 24 23 22 21 20 18 17 16
APA2068
推荐电压(V) 0
0.20 0.31 0.43 0.54 0.65 0.77 0.88 0.99 1.10 1.22 1.33 1.44 1.56 1.67 1.78 1.89 2.01 2.12 2.23 2.35 2.46 2.57 2.69 2.80 2.91 3.02 3.14 3.25 3.36 3.48
5
Page5
AP2068-Ver1.1 2010-4-10 EONMIC TECHNOLOGY LTD. M/P13714033198
EONMIC™
外形尺寸
SOP-16-P(150mil)
APA2068
尺寸
A A1 D D1 E E1 H L φ
毫米
Min. 1.35
Max. 1.75
0.10
0.25
电源纹波抑制比 通道分离度 信噪比
THD=10%,RL=16Ω, Fin=1kHz THD=10%,RL=32Ω, Fin=1kHz THD=1%,RL=16Ω, Fin=1kHz THD=1%,RL=32Ω, Fin=1kHz PO=125mW,RL=16Ω, Fin=1kHz PO=65mW,RL=32Ω, Fin=1kHz VIN=0.1Vrms,RL=8Ω,CB=1μF,Fin=120Hz CB=1μF,RL=32Ω, Fin=1kHz PO=75mW, SE, RL=32Ω, A_wieght
参数
测试条件
VDD
电源电压
1～6GHz宽带大功率固态功放设计
1～6GHz宽带大功率固态功放设计马佳;吴云飞;韩海生;赖署晨【摘要】伴随着有源相控阵技术的飞速发展,对功率放大器设计提出宽带、小型化、高效率、低成本的要求.通过使用GaN HEMT器件设计一款工作在1～6 GHz输出功率为50 W的宽带大功率固态功放模块.经过测试,该功放模块工作带宽超过2个倍频程,在全频段增益满足47±3dB,输入驻波≤1.5,整个功放模块的功耗≤1800W,模块效率≥25％.【期刊名称】《黑龙江工程学院学报（自然科学版）》【年(卷),期】2019(033)002【总页数】5页(P46-49,64)【关键词】宽带;大功率;效率;增益【作者】马佳;吴云飞;韩海生;赖署晨【作者单位】佳木斯大学理学院 ,黑龙江佳木斯 154007;佳木斯大学理学院 ,黑龙江佳木斯 154007;佳木斯大学理学院 ,黑龙江佳木斯 154007;佳木斯大学理学院 ,黑龙江佳木斯 154007【正文语种】中文【中图分类】O157.5随着无线通信的迅猛发展，对通信系统的需求越来越高。
对无线通信而言，发射机是必不可少的，而发射机的核心部件便是功率放大器。
因而随着需求的变化，对于功率放大器的设计需求也越来越高，特别是对功率放大器的一些指标，如输出功率、效率、带宽以及线性度这些方面的考量[1-4]。
这些指标之间又往往不可兼得，如线性度和效率指标之间往往会互相影响；现代通信系统中的Doherty功放，针对高峰均比进行设计，其显著的特点是提升了功放的工作效率，但是线性度基本上不会有所优化，需要配合数字预失真技术进行优化[5-7]。
功率放大器种类日渐繁多，形式越来越多样化，发展出诸如连续性功放[8-9]，以及一些开关类功放[10-11]，其应用领域也在不断扩展。
在军工领域，单兵电台的语音和数据通信系统。
相控阵雷达、导航、定位、遥控遥测以及电子干扰等单一的或者多功能的作战平台[12]；在民品领域，有广播发射机、电视发射机、GSM系统、3G系统[13]以及目前正在大规模商用的4G系统[14]，和即将大规模商业化的5G通信系统等多种系统并存[15-16]。
需要测量1GHz以上电磁辐射敏感度的产品即将出现
需要测量 1GHz 以上电磁辐射敏感度的产品即将出现，目前新的医学标准规定测量频率达到了 2.5GHz, 这一频率将被新的火灾探测产品标准所采用。
虽然还不是非常的确定 ,但是看起来 6GHz 的频率上限将很可能被用到消费者的产品上。
对于用来测量采用新的 RF 抗扰度标准产品的设备来讲 ,什么样的天线和放大器的组合才能保证最有效地产生新频段上所需的电场强度呢 ?哪里是最好的费用平衡点呢 ?本文说明了使用现有技术可实现的实用配置,并着重阐明了在选购组合配置过程中不可避免的权衡技术。
目前的 EMC 市场上很容易获得各种频段和功率等级的天线和功率放大器。
理想的情况下 , 你可以简单的选购一个 1GHz-6GHz 的天线 ,再配上一个 1GHz-6GHz 的功率放大器 ,然后 ,技术解决了。
众所周知 ,生活没有这么简单。
覆盖这个频段 (甚至更宽 ) 并能承受必要输入功率的天线确实能够由很多不错的厂家生产。
实际上 ,频率范围为 25MHz-7GHz 的天线也已存在 ,而且可能允许旧频率到新频率的不间断扫描。
可不幸的是 ,目前并没有一个功率放大器既能覆盖 1GHz-6GHz 同时又能提供所需功率等级。
由于这一频段需要至少两个功率放大器,因此在抗扰度测量中需要一个开关将天线连接到合适的功率放大器。
或者更好的是使用两个天线和两个功率放大器。
很明显,本文着眼于混合 -匹配的排列选方式的建立。
首要技术RF 抗扰度测量是在自动测量系统 (ATE) 的控制下进行的。
按一个键 ,被测设备就将在一个固定的时间内处于一个特定的 RF 电磁场中 ,该电磁场为一系列的预先设定的频点组成。
ATE 软件控制系统频率进行测量 ,同时监测 RF 电磁场中的设备。
图 1 为在产生所需 RF 场的天线和功放组合。
在图中距离天线一固定距离的为一虚拟测量平面。
这一平面的一个截面上各点的场强值会作为系统校准的一部分。
天线和功放组合的选购将被作为 ATE 设计的一部分 ,设计步骤如下：1.了解该部分 ATE 系统的设计规则2.寻找可能的解决方案3.分析和比较解决方案4.找到最佳解决方案要重视干扰完成产品测量所需时间的各种因素，最佳的解决方案应该考虑到性能、可能性和成本。
2~6_GHz_紧凑型、高效率GaN_MMIC_功率放大器
第 21 卷 第 8 期2023 年 8 月太赫兹科学与电子信息学报Journal of Terahertz Science and Electronic Information TechnologyVol.21，No.8Aug.，20232~6 GHz紧凑型、高效率GaN MMIC功率放大器邬佳晟，蔡道民(中国电子科技集团公司第十三研究所，河北石家庄050051)摘要：基于0.25 μm SiC衬底的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺，根据有源器件的Gm a x 和输出功率密度，选择末级功率器件尺寸并确定其最优阻抗；采用三级放大器，其栅宽比为1:4:16，实现高功率增益和高效率；利用等Q匹配技术，把偏置电路融入匹配电路中，实现简单、低损耗和宽带阻抗变换；借助电磁场寄生参数提取技术实现紧凑型芯片版图，尺寸为2.8 mm×2.0 mm。
测试结果表明，偏置条件漏极电压UD =28 V、UG=-2.2 V，在2~6 GHz频率范围内，功率放大器增益大于24 dB，饱和输出功率大于43 dBm，功率附加效率大于45%，可广泛应用于电子对抗和电子围栏等领域。
关键词：紧凑；功率附加效率；宽带；增益；微波单片集成电路中图分类号：TN43；TN722.75 文献标志码：A doi：10.11805/TKYDA20230142~6 GHz compact GaN power amplifier MMICs with high PAEWU Jiasheng，CAI Daomin(The 13th Research Institute，CETC，Shijiazhuang Hebei 050051，China)AbstractAbstract：：Based on the 0.25 μm SiC substrate GaN High Electron Mobility Transistor(HEMT)process, the final power device size is selected and its optimal impedance is determined by the Gmaxand the unit output power density of the active device. The tertiary amplifier is adopted, and its gate widthratio is 1:4:16 to achieve high power gain and high efficiency. By using the equal-Q-matching technique,and integraing the bias circuit into the matching circuit, an impedance transformation is realized withsimple, low loss and broadband. With the help of the extraction of parasitic parameters inelectromagnetic fields, the compact chip is realized. The chip size of the Monolithic MicrowaveIntegrated Circuit(MMIC) amplifier is 2.8 mm×2.0 mm. The test results show that in the 2~6 GHzfrequency range, and under the conditions of the drain voltage of 28 V, the gate voltage -2.2 V,andcontinuous wave, the large signal gain of the MMIC amplifier is greater than 24 dB, the saturation outputpower is greater than 43 dBm, and the Power Additional Efficiency(PAE) is greater than 45%. Theproposed paver amplifier can be widely used in electronic countermeasures and electronic fence.KeywordsKeywords：：compact；Power Additional Efficiency(PAE)；broadband；gain；Monolithic Microwave Integrated Circuit(MMIC)第三代半导体器件GaN因其固有的诸多优势，包括高功率密度、高饱和电子速率、易宽带匹配和好的环境适应能力等，是当前固态微波器件研究的热点[1-4]，而宽带、高功率、高效率和高增益的微波单片集成电路(MMIC)功率放大器则一直是电子对抗、电子围栏和雷达通信等领域的关键核心器件，美国等占据领先地位[5-7]，WOLFSPEED、QORVO等公司有相关产品报道[8-9]，国内则报道较少。
深圳市矽普特 XPT4088款双通道桥接的音频功率放大器 说明书
XPT4088用户手册2011年12月网址： ; 地址：深圳市南山区科苑南路高新工业村R3-A座5楼XPT4088功能说明●XPT4088一款双通道桥接的音频功率放大器，在5V 电源电压4Ω负载时，可提供2.7W 的功率。
具有低功耗关断模式和过温保护功能。
在电路启动时，具有缓冲及防抖动功能。
●XPT4088的应用电路简单，只需要极少数外围器件输出不需要外接耦合电容或上举电容，采用QFN封装，节约电路面积，散热性能好，非常适合移动电话及各种移动设备等低电压、低功耗应用方案上使用；●XPT4088可以通过控制进入休眠模式，从而减少功耗;●XPT4088通过创新的“开关/切换噪声”抑制技术，杜绝了上电、掉电出现的噪声；●XPT4088工作稳定，增益带宽积高达3.5MHz，并且单位增益稳定。
通过配置外围电阻可以调整放大器的电压增益，方便应用。
主要特性●PO 为1% THD+N, VDD = 5V●RL = 4Ω 2.2W (typ)●RL = 8Ω 1.4W (typ)●PO 为10% THD+N, VDD = 5V●RL = 4Ω 2.7W (typ)●RL = 8Ω 1.7W (typ)●PO 为1% THD+N, VDD = 4V●RL = 4Ω 1.4W (typ)●RL = 8Ω 0.88W (typ)●掉电模式漏电流小，小于1µA●封装小，节约电路面积：QFN4×4-16L(4mm*4mm*0.75mm)●上电、掉电噪声抑制●工作电压范围：2.5V—5.5V●具有休眠控制功能实物图：应用领域●移动电话（手机等）●个人移动终端（PDA/MP3/MP4/PMP等）●台式音频设备XPT4088典型应用电路8Ω4 INA9 BYP8 INB-OUTA 3V DDGND5,6,7,13,14,16V DD/2A2A120KΩ20KΩ+OUTA 150KΩ50KΩ15 SDA3A420KΩ20KΩ+OUTB 12-OUTB 10C B1μF8ΩCs1μF Rf20KΩRf20KΩRi20KΩCi0.22μFRi20KΩCi0.22μF2,11V DDAudioInputAAudioInputBXPT4088 100KΩShutDownControlV DD网址： ; 地址：深圳市南山区科苑南路高新工业村R3-A座5楼网 址： ; 地 址：深圳市南山区科苑南路高新工业村R3-A 座5楼XPT4088芯片订购信息XPT4088的封装和引脚XPT4088管脚描述符号 SOP-16管脚号 QFN4×4-16L管脚号描述+OUTA 15 1 左声道输出端,正相V DD 9,16 2,11 电源-OUTA 1 3 左声道输出端,反相 INA 2 4 左声道输入端GND 3,4,5,11,12,145,6,7,13,14,16地BYP 7 9 内部共模电压输出 INB 6 8 右声道输入端 -OUTB 8 10 右声道输出端,反相 +OUTB10 12 右声道输出端,同相SHUTDOWN1315掉电控制管脚，低电平芯片关断，高电平正常工作XPT4088的极限参数参数 最小值 最大值 单位 说明 电源电压 2 6 V储存温度 -65 150 oC输入电压-0.3V芯片型号 封装类型 包装类型 最小包装数量 备注 XPT4088DF DFN16 编带 3000/盘 带散热片XPT4088SOSOP16管装50/管功耗mW 内部限制节温150 o C 典型值150推荐工作温度-40 85 o C推荐工作电压 2.5 5.5 V热阻34 o C/W焊接温度 215 o C 60秒内⏹芯片数字逻辑特性表1关断信号数字逻辑特性参数最小值典型值最大值单位说明电源电压为5VVIH 1.5 VVIL 1.3 V电源电压为3VVIH 1.3 VVIL 1.0 V⏹芯片性能指标特性表2芯片性能指标1（V DD＝5.0V，T A＝25o C）符号参数测试条件最小值标准值最大值单位I DD电源静态电流V IN＝0V，I O=0A,无负载5 7 mA电源静态电流V IN＝0V，I O=0A,负载8Ω6 8 mAI OFF芯片掉电漏电流0.1 1 µAV OS输出失调电压 3.7 20 mVP O输出功率(R L=8Ω)THD+N=1%,f=1KHz1.0 1.4 WTHD+N=10%,f=1KHz1.3 1.7 WT D芯片唤醒时间100 mS THD+N 总谐波＋失真噪声P O=0.5W rms;f=1KHz0.5 0.7 %PSRR 电源电压抑制比Vrippl＝200mVP-P，正弦波，输入接10Ω电阻60 63 (f =217Hz)67 (f =1kHz)dBCrosstalk 通道分离度C B=1µF,f=1KHz7dB网址： ; 地址：深圳市南山区科苑南路高新工业村R3-A座5楼网 址： ; 地 址：深圳市南山区科苑南路高新工业村R3-A 座5楼表3 芯片性能指标2（V DD ＝3.6V ，T A ＝25o C ）符号 参数 测试条件 最小值典型值 最大值 单位 I DD电源静态电流 V IN ＝0V ，I O =0A,无负载 4.5 6 mA 电源静态电流V IN ＝0V ，I O =0A,负载8Ω5 7 mA I OFF 芯片掉电漏电流 0.1 1 µ A V OS 输出失调电压3 18 mV P O输出功率(R L =8Ω)THD+N=1%,f=1KHz 350 480 550 mW THD+N=10%,f=1KHz450620 700 mW T D 芯片唤醒时间75mS THD+N 总谐波失真＋噪声P O =0.3W rms;f=1KHz0.4 0.7% PSRR电源电压抑制比 V ripple ＝200mV P-P ，正弦波，输入接10Ω电阻 55 63 (f = 217Hz) 68 (f = 1kHz) dBCrosstalk 通道分离度C B =1µF,f=1KHz70dBXPT4088的典型参考特性总谐波失真（THD ），失真＋噪声（THD+N ），信噪比（S/N ）THD vs FrequencyT=25℃,VDD=5V,RL=8Ω,and Po=600mW 00.10.20.30.40.510010,000FREQUENCY(Hz)T H D (%)THD vs FrequencyT=25℃,VDD=3.3V,RL=8Ω,and Po=360mW 00.10.20.30.40.50.610010,000FREQUENCY(Hz)T H D (%)网 址： ; 地 址：深圳市南山区科苑南路高新工业村R3-A 座5楼THD+N vs FrequencyT=25℃,VDD=5V,RL=8Ω,and Po=600mW00.10.20.30.40.50.610010,000FREQUENCY(Hz)T H D +N (%)THD+N vs FrequencyT=25℃,VDD=3.3V,RL=8Ω,and Po=360mW00.10.20.30.40.50.60.710010,000FREQUENCY(Hz)T H D +N (%)S/N vs FrequencyT=25℃,VDD=5V,RL=8Ω,and Po=600mW 64666870727410010,000FREQUENCY(Hz)S /N (d B )S/N vs FrequencyT=25℃,VDD=3.3V,RL=8Ω,and Po=360mW 6263646566676810010,000FREQUENCY(Hz)S /N (d B )电源电压抑制比（PSRR ）PSRR vs FrequencyVDD=5V,RL=8Ω,Input 10Ω terminated -100-90-80-70-60-50-40-30-20-100101,000100,000FREQUENCY(Hz)P S R R (d B )网 址： ; 地 址：深圳市南山区科苑南路高新工业村R3-A 座5楼PSRR vs FrequencyVDD=3.3V,RL=8Ω,Input 10Ω terminated -100-90-80-70-60-50-40-30-20-100101,000100,000FREQUENCY(Hz)P S R R (d B )关断滞回（Shut Down Hysteresis ）Shutdown Hysteresis VoltageVDD=5V0.001.002.003.004.000.00.51.0 1.52.0 2.53.03.5SHUTDOWN VILTAGE(V)S U P P L Y C U R R E N T (m A )SD OFF(Play)SD ONShutdown Hysteresis VoltageVDD=3.3V012340.01.02.03.0SHUTDOWN VILTAGE(V)S U P P L Y C U R R E N T (m A )SD OFF(Play)SD ONShutdown Hysteresis VoltageVDD=2.5V012340.01.02.03.0SHUTDOWN VILTAGE(V)S U P P L Y C U R R E N T (m A )SD OFF(Play)SD ON输出功率(Output Power)网 址： ; 地 址：深圳市南山区科苑南路高新工业村R3-A 座5楼THD+N vs OutputPower VDD=5V,RL＝8Ω,andf=1KHz 0.010.101.0010.000.011OUTPUT POWER(W)T H D +N (%)THD+N vs OutputPower VDD=3.3V,RL＝8Ω,andf=1KHz0.010.11100.010.11OUTPUT POWER(W)T H D +N (%)XPT4088应用说明XPT4088内部两个通道分别集成两个运算放大器，每通道第一个放大器的增益可以调整反馈电阻来设置，后一个为电压反相跟随，从而形成增益可以配置的差分输出的放大驱动电路。
音美国奇力KRELLS300i2声道合并功放纯功放响发烧站
音美国奇力KRELL S300i 2 声道合并功放纯功放响发烧站美国奇力KRELL S300i 2 声道合并功放纯功放经典KRELL S300i 合并功放评测大部分顶尖的Hi —Fi 名厂都有分体式前后级和单声道怪兽作为镇牌之宝，也是最能体现其产品精髓的一部分。
曾几何时，这些站在Hi-Fi 塔尖的品牌开始推出合并功放，此举被一些发烧人土诟病为求销量的权宜之计。
然而合并功放的推出真的降低了拥抱名牌的门槛，花更小的代价就可以获得最超值的享受，并不见得是坏事。
当然，获得其最精华的部分肯定比旗舰单声道要困难一些，但不管怎么说，性价比确实得到了大幅度提升，合并功放基本能八九不离十，神韵还是非常具备的。
有些机型，例如去年听过的一部darTZeel 合并机，令人过“耳”不忘，那种表坝绝对一点不输分离的前后级。
随着竞争的激烈，不少Hi-Fi 工厂也进入中国，大大降低了成本，发烧友总是能淘到一些价廉物美的好东西，Krell S300i正是这样。
从Kreil S300i的背板上可以清楚地看到黑色喷字：Designed in USA ，Manufactured in China 。
很明确了，Krell S300i 拿到中国进行生产。
Krell 大大方方地标明产地在我看来是非常有诚意的一个姿态，相比一些“假洋鬼子”，这种诚恳和坦然当然更令我们感到信任，也是Krell 本身对自己产品的信任。
当我们生活中一大半常见的名牌电子产品都是在中国制造的时候，还有什么理由继续“外国的月亮比中国的圆” 。
不为虚名所累，健康发烧才是硬道理。
也正是因为Krell S300i 终于拿到国内的生产线上，所以才有可能让更多的发烧友领略Krell 的魅力。
新的设计能代表目前Krell 最高水准的当然是Evolution 系列的前后级，它的合并机也并不示弱，FBI 的推出甚至有点“功高震主” ，一度代表了合并功放的最高水准。
另外，Krell 早在上世纪九十年代就推出了KAV 系列，以300i 领头，相继还有500i、300iL 以及400Xi 等合并型号。
FL6000 用户手册说明书
1.主要特点：✓AD9361✓70MHz-6GHz✓12bit ADC&12bitADC✓支持半双工全双工，TDD/FDD模式✓RF阻抗匹配50Ω✓RX最大56MHz实时带宽✓TX最大56MHz实时带宽✓集成功率放大器（14dB@2GHz），支持发射功率最高10dBm输出✓支持内部或者外部参考时钟✓并行数字端口✓选配GPS模块，通过GPS提供参考时钟和脉冲同步信号。
2.应用场景：✓3G/4G micro and macro base stations(BTS)✓FDD and TDD active antenna systems✓Portable test equipment3.简介：FL6000高集成RF模块，可以覆盖70MHz~6GHz频段，并集成了双通道收发链路。
发送实时带宽最大56MHz，接收带宽最大56MHz。
AD9361和传统射频前端相比，可以实现低功耗，小体积等优势，并且可以保证灵敏度、动态范围性能。
FL6000比较适合应用于通用软件无线电平台。
威视锐科技提供FL6000的FPGA参考代码，用户可以方便的通过SDK软件修改射频工作状态。
4.系统结构：射频前端包括功率放大器，天线开关，balun等组件，提升了设备的实用性，FL6000与ADI的AD9361开发板主要区别如下：✓发送端，增加PA⏹支持最高发射功率10dBm✓板载双天线开关支持TDD与FDD模式切换⏹IO控制ns级切换速度⏹高隔离度，单个开关40dB隔离度✓灵活的参考时钟，通过TI时钟芯片(CDCM6028)实现可变参考图1整体框图图2收发切换射频开关名称10TRX-SW TX->TRX TRX->MUX2FDD-TDD-SWRX<-RXMUX1->RX名称10REF_SELREFINGPS module5.射频指标：表1射频指标No.Items Specifications RemarkTx 1Frequency70~6000MHz2Interface SMB3Bandwidth Up to56MHz Tx real-time bandwidth,tunable 4Transmission Power10dBm2500MHz,CW5EVM<2%6Gain Control Range89dB7Gain Step0.25dB8ACLR<-45dBc@10dBm output9Spurious TBD10SSB Suppression35dBc11LO Suppression45dBc12DAC Sample Rate(max)61.44MS/s13DAC Resolution12bitsRx 1Frequency70~6000MHz2Interface SMB3Bandwidth Up to56MHz real-time bandwidth,tunable 4Sensitivity:-90dBm@20MHz5EVM<1.5%6Gain Control Range>60dB7Gain Step1dB8Noise Figure<6dB Maximum RX gain9IIP3(@typ NF)-15dBm10ADC Sample Rate(max)61.44MS/s11ADC Resolution12bits1Voltage 3.3V&12V2ON/OFF TIME<6uS TDD model3Duplexing Model TDD/FDD4Power Consumptions<3W6管脚列表：表2管脚列表信号名称FMC管脚名称FMC管脚方向备注AD9361芯片信号CLOCKOUT LA20_N G22输出可配置时钟输出CTRL_IN0LA26_P D26输出可配置控制信号CTRL_IN1LA22_N G25输出可配置控制信号CTRL_IN2LA21_P H25输出可配置控制信号CTRL_IN3LA25_P G27输出可配置控制信号CTRL_OUT0LA25_N G28输入可配置控制信号CTRL_OUT1LA24_N H29输入可配置控制信号CTRL_OUT2LA21_N H26输入可配置控制信号CTRL_OUT3LA22_P G24输入可配置控制信号CTRL_OUT4LA23_N D24输入可配置控制信号CTRL_OUT5LA24_P H28输入可配置控制信号CTRL_OUT6LA26_N D27输入可配置控制信号CTRL_OUT7LA16_N G19输入可配置控制信号EN_AGC LA16_P G18输入AGC使能控制ENABLE LA19_N H23输入TDD切换控制RESETB LA23_P D23输入低电平复位TXNRX LA17_N_CC D21输入TDD切换控制SPI_CLK LA18_N_CC C23输入SPI总线时钟SPI_CS#LA19_P H22输入SPI总线片选SPI_MISO LA20_P G21输入SPI总线数据SPI_MOSI LA18_P_CC C22输出SPI总线数据SYNC_IN LA17_P_CC D20输入同步触发信号RX_CLK_N CLK0_M2C_N H5输出LVDS数据时钟RX_CLK_P CLK0_M2C_P H4输出LVDS数据时钟RX_FRAME_N LA06_N C11输出LVDS数据帧同步RX_FRAME_P LA06_P C10输出LVDS数据帧同步RXD_N0LA08_N G13输出LVDS数据RXD_N1LA10_N C15输出LVDS数据RXD_N2LA04_N H11输出LVDS数据RXD_N3LA03_N G10输出LVDS数据RXD_N4LA05_N D12输出LVDS数据RXD_N5LA02_N H8输出LVDS数据RXD_P0LA08_P G12输出LVDS数据RXD_P1LA10_P C14输出LVDS数据RXD_P2LA04_P H10输出LVDS数据RXD_P3LA03_P G9输出LVDS数据RXD_P4LA05_P D11输出LVDS数据RXD_P5LA02_P H7输出LVDS数据FB_CLK_N CLK1_M2C_N G3输入LVDS数据回环时钟FB_CLK_P CLK1_M2C_P G2输入LVDS数据回环时钟TX_FRAME_N LA07_N H14输入LVDS数据帧同步TX_FRAME_P LA07_P H13输入LVDS数据帧同步TXD_N0LA12_N G16输入LVDS数据TXD_N1LA11_N H17输入LVDS数据TXD_N2LA13_N D18输入LVDS数据TXD_N3LA14_N C19输入LVDS数据TXD_N4LA15_N H20输入LVDS数据TXD_N5LA09_N D15输入LVDS数据TXD_P0LA12_P G15输入LVDS数据TXD_P1LA11_P H16输入LVDS数据TXD_P2LA13_P D17输入LVDS数据TXD_P3LA14_P C18输入LVDS数据TXD_P4LA15_P H19输入LVDS数据TXD_P5LA09_P D14输入LVDS数据FL6000附加信号CDCM_SPI_CLK LA29_N G31输入CDCM6208SPI配置总线CDCM_SPI_CS LA30_P H34输入CDCM6208SPI配置总线CDCM_SPI_MISO LA31_N G34输入CDCM6208SPI配置总线CDCM_SPI_MOSI LA30_N H35输出CDCM6208SPI配置总线CDCM_SYNC LA33_P G36输入CDCM6208同步触发GPIO_SCL SCL C30双向I2C eeprom AT24CM01GPIO_SDA SDA C31双向I2C eeprom AT24CM01PPS_1SR LA32_N H38输出GPS模块的1ppsREF_SELECT LA29_P G30输入1=外参考，0=内部GPS模块参考REF_SELECT2LA31_P G33输入0=内部VCTCXO晶振，1=外参考或GPS FDDTDD_SW LA28_N H32输入射频开关双工切换TRX_SW LA27_N C27输入射频开关双工切换TXD_GPSR LA32_P H37输出GPS模块UARTRXD_GPSR LA33_N G37输入GPS模块UART所有单端信号电平范围1.8V~2.5V7.FMC供电：扩展模块需要三种电源供电：12V：1A3.3V:1AVADJ：1A1.8V~2.5V8.FL6000尺寸图：图4FMC子板图9.FL6000实物图：图5实物图片10.FL6000典型指标测试：表3P1dB 输出功率频点(MHz)衰减值(mdB)txatt输出功率(dBm)5008e313.110008e312.615006e312.120005e312.925005e31230004e3 6.835002e37.540002e310.445002e310.250002e39.455002e3 6.358002e34.7表4接收5dB增益P1dB输入功率频点(MHz)P1dB输入(dBm) 500-10.81000-11.21500-12.12000-11.82500-73000-2.43500 2.240007.24500-3.15000-3.45500-2.5表5接收70dB增益P1dB输入功率频点(MHz)P1dB输入(dBm)500-65.81000-66.21500-67.12000-66.82500-673000-62.43500-62.34000-57.84500-53.15000-53.45500-58.8表6灵敏度频点(MHz)灵敏度(dBm)500-85.81000-88.21500-87.12000-86.82500-873000-84.43500-84.34000-81.84500-81.15000-82.45500-83.8注：带宽30.72MHz,载噪比门限3.5dB,Y520_50接收增益rx_gain=71表7相位噪声Y520_50200MHz400M1000M2000M2500M3000M3800M4500M5000M5500M 100Hz-86-82-75-71-68-66-6363-62-611KHz-103-99-92-86-85-82-81-80-79-78 10KHz-105-102-95-89-88-85-84-82-81-80 100KHz-115-112-106-99-99-95-94-92-91-901MHz-132-130-127-123-115-116-118-113-114-112。
2n6659参数
2n6659参数
2N6659 是一款中功率NPN晶体管，适用于中频，混频，放大器和振荡电路等应用。
该晶体管具有以下特点：
1. 高频特性好：其截止频率可以达到1GHz以上。
2. 高电流放大倍数：其最大直流电流放大倍数可达到400。
3. 低噪声系数：其噪声系数极低，适用于高灵敏度的应用。
4. 高温度稳定性：其参数在高温环境下稳定性好，适用于高温环境的应用。
2N6659 的参数如下：
1. 最大耗散功率：1W
2. 最大集电极-基极电压：18V
3. 最大集电极-发射极电压：8V
4. 最大集电极电流：0.5A
5. 最大功率增益：13dB
6. 截止频率：1.2GHz
7. 噪声系数：1.0dB
8. 热阻：125℃/W
2N6659 的应用范围比较广泛，可以用于高频混频电路中的稳定放大器、中频功率放大器、射频放大器、驱动器等。
在无限电视、扫描电视和触摸屏显示器等
领域都有着广泛的应用。
在无线通信中，它可以用于发射机和接收机。
在航空领域，它也可以作为雷达和通信电路中的核心器件。
总之，2N6659 具有高性能、高可靠性、适应性强等优点，是值得信赖的中功率晶体管。
太赫兹功率放大器原理
太赫兹功率放大器原理
太赫兹功率放大器是用于放大太赫兹频率范围内的信号的一种
设备。
其原理基本上与一般的射频功率放大器相似，但在太赫兹频
率范围内有一些特殊的考虑因素。
太赫兹频率范围通常指的是300 GHz到3 THz之间的频率范围，这个频率范围处于微波和红外光之间。
在这个频率范围内，电磁波
的特性介于传统的射频和光学之间，因此需要特殊设计的器件来处理。
太赫兹功率放大器的原理基本上是利用半导体器件或者其他特
殊材料来放大太赫兹频率范围内的信号。
通常使用的器件包括HBT （异质结双极晶体管）、HEMT（高电子迁移率晶体管）等。
这些器
件能够在太赫兹频率下提供足够的增益和功率输出。
另外，太赫兹功率放大器通常需要考虑到器件本身的特性和太
赫兹频率下的传输线、耦合等问题，因此在设计上需要考虑更多的
因素。
总的来说，太赫兹功率放大器的原理是利用特殊设计的器件来
放大太赫兹频率范围内的信号，并且需要考虑到太赫兹频率下的特殊特性和器件设计上的挑战。
0.38~1.45 GHz 200W宽带固态功率放大器的设计
0.38~1.45 GHz 200W宽带固态功率放大器的设计
陆燕辉;张童童;张剑;刘英;来晋明
【期刊名称】《电子信息对抗技术》
【年(卷),期】2022(37)3
【摘要】研制一种基于90°电桥合成的平衡式功率放大器。
该放大器工作于0.38~1.45 GHz频段范围,模块内部采用2个GaN固态功率放大器合成。
在工作频带内,功率放大器输出功率大于200 W,链路效率大于40%。
针对宽带大功率的应用,着重介绍宽带大功率电桥设计时的热分析。
【总页数】5页(P109-113)
【作者】陆燕辉;张童童;张剑;刘英;来晋明
【作者单位】中国电子科技集团公司第二十九研究所;四川省宽带微波电路高密度集成工程研究中心;南京电子器件研究所
【正文语种】中文
【中图分类】TN722.75
【相关文献】
1.2～6GHz宽带功率放大器模块设计
2.基于变容管的0.5 GHz～1.2 GHz宽带可调谐功率放大器设计
3.基于GaN的0.5~2.5GHz宽带功率放大器的设计
4.0.35-2GHz GaN HEMT超宽带高效率功率放大器设计
5.3.3～3.9 GHz宽带Doherty 功率放大器的设计
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