桥堆
10.5.1 桥堆和半桥堆_电子线路基础轻松入门_[共2页]
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第 章整机电路识图实案之一：电源电路详解 26910这一电路的工作原理：从电源滤波电路输出的直流工作电压加到S 端，当电源开关S 接通时，电源电路向整机电路提供直流工作电压，整机电路进入工作状态；当电源开关S 断开时，电源电路不能向整机电路提供直流工作电压，整机电路进入停止工作的状态。
从这一电路中还可以看出，在电源开关S 断开后，滤波电路之前的所有电路中都有工作电压，且都在工作状态，这是这种直流回路电源开关电路的电源控制特点，在录音机中就是使用这样的电源开关电路。
为了彻底切断电源电路中的工作电压，需要将录音机的电源线拔掉。
4．识图小结关于这一电源开关电路的工作原理，还要说明下列两点。
（1）电源开关电路有控制交流市电回路和控制直流输出电压回路两种，前者控制比较彻底，将整机中的所有工作电压都断开了，后者只是断开整机的直流工作电压。
（2）在不同的电子设备中，对电源开关电路的要求是不同的，所以电源开关电路也有简单和复杂之分。
除上述几种电源开关电路之外，还有红外遥控的电源开关电路。
10.5 电源整流电路详解10.5.1 桥堆和半桥堆在讲解电源电路中的整流电路之前，先介绍桥堆及半桥堆器件，它们都是整流二极管的组合器件，常用于整流电路中。
1．外形特征图10-21所示是桥堆外形示意图及实物照片。
其中图10-21（a ）所示是扁方形的，图10-21（b ）所示是圆形的，它们的内部结构相同。
如图10-21（c ）所示，由4个二极管构成桥式电路，所以称它为桥堆。
图10-21 桥堆外形示意图及实物照片关于桥堆的外形特性，主要说明以下几点。
（1）全桥堆共有四根引脚，这四根引脚除标有“～”符号的两根引脚之间可以互换使用外，其他引脚之间不能互换使用。
半桥堆有三根引脚。
（2）它的外形除图示的两种外，还有一种椭圆形的，体积大小不一，整流电流大的桥堆其体积也大。
（3）桥堆的各引脚旁均有标记，但是这些标记不一定是标在桥堆的顶部，也可以标在。
桥堆trr影响传导的原理
桥堆trr影响传导的原理
桥堆（也称为四阻网络或H网络）是一种电路拓扑结构，由四个电阻和两个被测元件组成，通常用于电阻测量。
它的原理基于传导的影响。
当一个电流通过一个桥堆电路时，电流会根据电阻的阻值分配到每个分支电路中。
根据欧姆定律，电流通过每个电阻的电压与该电阻的阻值成正比。
因此，较小的电阻将获得更高的电流，而较大的电阻将获得较低的电流。
传导是指电流通过物质的能力。
在桥堆电路中，被测元件（如电阻或电容）可以被插入两个电阻中。
这些被测元件对电流的传导有几种影响。
1. 电阻：如果被测元件是一个电阻，它将成为电流路径的一部分，并分担电流负载。
由于电阻值的存在，电流在电阻和被测元件之间分配。
这种分配使得在被测元件两端会有电压降。
2. 电容或电感：如果被测元件是一个电容或电感，它将在电流变化时储存或释放能量。
这会导致电流的阻塞或推动，并影响整个电路的传导。
由于被测元件的阻值或电容特性可能不稳定或未知，通过测量桥堆电路中的电压和电流，可以根据电阻和电流之间的关系推断出被测元件的特性。
通过调整和测量桥堆电路中的电压，可以对被测元件的特性进行准确而精确的测量。
总而言之，桥堆电路通过被测元件的阻抗或电容特性对电流的传导产生影响，并通过测量电压和电流之间的关系进行精确的测量。
桥堆 二极管原理
桥堆二极管原理
桥堆和二极管是电子领域中常见的两个概念，它们在电路设计和电子设备中起着重要的作用。
桥堆是一种由四个二极管组成的电路，通常被用于交流电源的整流。
它利用了二极管的单向导通特性，将输入的交流电信号转换为直流电信号。
桥堆的四个二极管分别处于导通和截止状态，通过交替导通和截止来实现整流功能。
桥堆的工作原理基于二极管的单向导通。
当输入的交流电信号的正半周时，充当正半桥的两个二极管处于导通状态，而充当负半桥的另外两个二极管则处于截止状态。
反之，当输入信号的负半周时，正负桥的导通和截止状态会互相交换。
通过这种交替导通和截止的方式，桥堆可以将输入的交流电信号整流为单向的直流电信号。
二极管则是一种半导体器件，具有非线性特性。
它有两个电极，即正极（即“阳极”）和负极（即“阴极”）。
二极管的工作原理
基于半导体材料中P型和N型区域之间的PN结。
当正向电压施加在二极管上时，电流可以从正极流向负极，二极管处于导通状态。
而当反向电压施加在二极管上时，电流无法通过，二极管处于截止状态。
二极管的导通和截止状态可以用于电路中的多种应用，如整流、开关和信号调制等。
在整流电路中，二极管可以将交流信号转换为直流信号。
在开关电路中，二极管可以充当开关，控制电流的流动。
在信号调制中，二极管可以被用于调制和解调信号。
通过研究和理解桥堆和二极管的原理，我们可以更好地应用它们于电子领域的电路设计和电子设备中，实现各种功能和应用。
常用桥堆外形、内部原理及规格
常用桥堆外形、内部原理及规格
江苏省泗阳县李口中学沈正中
桥堆（整流桥）是由两个或四个二极管组成的整流器件。
桥堆有半桥和全
桥两种，半桥又有正半桥和负半桥两种，
一个正半桥和一个负半桥就可以组成
一个全桥，如下图1。
堆桥的文字符号
用UR表示。
大功率桥堆要加散热板。
外形有扁形、圆形、方形、板凳形（分
直插与贴片）等，如图2、图3。
一般整流桥命名中有3个数字，第一
个数字代表额定电流A，后两个数字代表
额电压(数字×100 V)。
如：KBL407即为4A700V，KBPC5010即50A1000V （005、01、02、04、06、08、10分别代表电压档的50V，100V，200V，400V，600V，800V，1000V）。
常见外形及内部结构如下：
桥堆品种很多，性能优良，整流效率高，稳定性好，最大整流电流从0.5A 到50A，最高反向峰值电压从50V到1000V。
常见有以下一些规格（另外，对于电磁炉有专用的扁桥单相硅桥RS2006M-600V20A）：。
常见的快充整流桥堆KBP310、UD4KB80等型号大全
（neya）ASEMI品牌旗下常用于快充行业的，使用氮化镓材料的整流桥有多款，相比传统充电器，有哪些优势？1、充电效率高。
氮化镓的带隙比硅高得多，这意味着它可以随时间传导更高的电压。
带隙较大也意味着电流可以比硅更快地流过GaN制成的芯片，从而可以更快地进行处理，充电更快。
2、散热快。
氮化镓与前两代的半导体相比，禁带宽度大、导热系数更高。
而且可在200以上的高温下工作，能承载更高的能量密度，可靠性高，能够将过度充电的可能性降低。
3、体积小。
氮化镓材料本身优异的性能，使得做出来的氮化镓比传统硅基IGBT/MOSFET 等芯片面积更小，同时由于更耐高压，大电流，氮化镓芯片功率密度更大，因此功率密度/面积远超硅基。
此外由于使用氮化镓芯片还减少了周边的其他元件的使用，电容、电感、线圈等被动件比硅基方案少得多，也进一步缩小了体积。
今天就为大家详细列出常见的快充整流桥堆型号大全：NO.型号参数封装封装形式1DB207S2A 1000V DBS-4贴片2ABS2102A 65W ABS-4贴片3RABS2102A 1000V ABS-4贴片4TMBF3103A 65W TMBF贴片5TMBFR3103A 65W TMBF贴片6RYBS30103A 65W TMBF贴片7D4KB1004A 45W D3K插件8TT8M8A 65W TT贴片9MSB3073A 65W MSBL贴片10DBF3103A 50W DBF贴片11DBF4104A 65W DBF贴片12GBP-4插件13GBP-4插件14GBP-4插件15KBP-4插件16GBL4064A 600V GBL-4插件17GBL4084A 800V GBL-4插件18GBL4104A 1000V GBL-4插件19GBL6066A 600V GBL-4插件20GBL6086A 800V GBL-4插件21GBL6106A 1000V GBL-4插件22GBL8068A 600V GBL-4插件23GBL8088A 800V GBL-4插件24GBL8108A 1000V GBL-4插件25UD4KB804A 800V DIP-4插件。
电阻电容桥堆排阻封装说明
1英寸=1000mil；1英寸= 2.54 厘米；1厘米= 0.393700787 英寸电阻：0805指的是80mil*50mil的，是指外形尺寸的长与宽。
电阻的种类繁多，分为固定电阻、可变电阻和特种电阻3大类。
固定电阻的原理图符号常用名称为“Res1”和“Res2”，常用的封装模型为“AXIAL”系列的，包括“AXIAL-0.3”、“AXIAL-0.4”“AXIAL-0.5”、“AXIAL-0.6”、“AXIAL-0.7”、“AXIAL-0.8”、“AXIAL-0.9”和“AXIAL-1.0”等，其后缀的数字表示封装模型中两个焊盘的间距（单位为英寸）。
电容：根据有无极性可将电容分为无极性电容和有极性电容，电解电容的封装模型为RB系列：例如从“RB-.2/.4”到“RB-.5/.10”，其后缀的第一个数字表示封装模型中两个焊盘间的距离，根据是否可调可将电容分为固定电容和可调电容，根据材料不同可将电容分为钽电容、瓷片电容、独石电容CBB电容和电解电容等。
其后缀的数字表示封装模型中两个焊盘间的距离，单位为“英寸”。
第二个数字表示电容外形的尺寸(通常为两焊盘间距的二倍)，单位为“英寸”。
有的电解电容也采用公制尺寸，如“RB5-10.5”和“RB7.6-15”等。
通常情况下，后缀的数字越大，相应的电容的容量也就越大无极性电容的封装模型为RAD系列：例如“RAD-0.1”“RAD-0.2”“RAD-0.3”和“RAD-0.4”等，其后缀的数字表示封装模型中两个焊盘间的距离，单位为“英寸”。
通常情况下，后缀的数字越大，相应的电容的容量也就越大桥堆(2w10)：整流桥里面有四个二极管，桥堆有四个引脚，长脚的是+ 输出，和其相对的是- 输出，剩余的两个是交流~。
输出应用时~ 接交流，从+ - 之间就可以得到直流电压整流桥内部结构图片如下：排阻：A102G：字母A表示边上单端(带点处)为公共脚,字母G是误差等级，常用还有J级。
整流桥堆全桥的性能好坏检测方法
整流桥堆全桥的机能利害检测办法大多半的整流全桥上均标注有“+”.“一”.“～”符号（个中“+”为整流后输出电压的正极,“一”为输出电压的负极,两个“～”为交换电压输入端）,很轻易肯定出各电极.检测时,可经由过程火离测量“+”极与两个“～”极.“一”极与两个“～”之间各整流二极管的正.反向电阻值（与通俗二极管的测量办法雷同）是否正常,即可断定该全桥是否破坏.若测得全桥内某只二极管的正.反向电阻值均为0或均为无限大,则可断定该二极管已击穿或开路破坏.12．高压硅堆的检测高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联构成,检测时,可用万用表的R×lok挡测量其正.反向电阻值.正常的高压硅堆的正向电阻值大于200kfl,反向电阻值为无限大.若测得其正.反向均有必定电阻值,则解释该高压硅堆已被击穿破坏.13.肖特基二极管的检测二端肖特基二极管可以用万用表Rl挡测量.正常时,其正向电阻值（黑表笔接正极）为2.5～3.5Q,反向电阻值为无限大.若测得正.反向电阻值均为无限大或均接近O,则解释该二极管已开路或击穿破坏.三端肖特基二极管应先测出其公共端,判别出是共阴对管,照样共阳对管,然后再分离测量两个二极管的正.厦向电阻值.整流桥堆全桥的极性判别办法极性的判别1)外不雅判别法.全桥由四只二极管构成,有四个引脚.两只二极管负极的衔接点是全桥直流输出端的“正极”,两只二极管正极的衔接点是全桥直流输出端的“负极”.大多半的整流全桥上,均标注有“+”.“-”.“~”符号.(个中“+”为整流后输出电压的正极,“-”为输出电压的负极,“~”为交换电压输入端),很轻易肯定出各电极.2)万用表检测法.假如组件的正.负极性标识表记标帜已隐约不清,也可采取万用表对其进行检测.检测时,将万用表置“R×1k”挡,黑表笔接全桥组件的某个引脚,用红表笔分离测量其余三个引脚,假如测得的阻值都为无限大,则此黑表笔所接的引脚为全桥组件的直流输出正极;假如测得的阻值均在4~l0kΩ规模内,则此时黑表所接的引脚为全桥组件直流输出负极,而其余的两个引脚则是全桥组件的交换输入引脚.。
桥堆的工作原理
桥堆的工作原理
桥堆是一种基于建立桥梁的承重原理的结构体系。
它由两个以上的支柱和一系列的横梁组成，通过将横梁连接在支柱的两端，形成一个完整的网格结构。
这种结构能够承受横向和纵向的压力，使得重物得以平稳地分布到各个支柱上。
桥堆的工作原理可以通过以下几点来理解：
1. 平衡力：在桥堆中，每个小横梁都承担着平衡力的作用。
当外部施加压力时，这些横梁会产生相应的反作用力，使得整个结构保持平衡。
2. 横向支撑：桥堆的支柱经过精心设计，能够有效地分散横向力。
当有横向力作用在结构上时，支柱会通过桥梁传递和分散这些力，使得整个结构保持稳定。
3. 垂直支撑：支柱不仅能够承担横向力，还可以承受垂直力。
当重物施加在桥堆上时，支柱会通过桥梁将这些力传递到地面，以保证结构的稳定性。
4. 合理分布：桥堆中的支柱和横梁是按照一定的分布规律布置的，这样可以确保力量的合理传递和分散。
支柱和横梁的数量、质量和位置都需要经过仔细计算和设计，以确保结构的稳定性和可靠性。
总的来说，桥堆的工作原理是基于力的平衡和分散。
通过合理
设计和搭建横梁和支柱的位置和结构，使得桥堆能够承受和分散外部施加的力，从而保证整个结构的稳定性和安全性。
桥堆-来料检验规范
1 目的
本检验规范的目的是保证本公司所购全桥的质量符合要求。
2 适用范围
仅适用于本公司生产产品无特殊要求的桥堆。
3 规范内容：
3.1测试工量具及仪表：数字万用表，游标卡尺，测力计，锡炉，浓度不低于
95%的酒精
3.2缺陷分类及定义：
A类：单位产品的极重要质量特性不符合规定，或者单位产品的质量特性极严重不符合规定。
B类：单位产品的重要质量特性不符合规定，或者单位产品的质量特性严重不符合规定。
C类：单位产品的一般质量特性不符合规定，或者单位产品的质量特性轻微不符合规定。
3.3判定依据：抽样检验依样品为标准，
3.4检验项目、标准、缺陷分类一览表。
整流桥堆全桥的性能好坏检测方法
整流桥堆全桥的【2 】机能利害检测办法大多半的整流全桥上均标注有“+”.“一”.“～”符号（个中“+”为整流后输出电压的正极,“一”为输出电压的负极,两个“～”为交换电压输入端）,很轻易肯定出各电极.检测时,可经由过程火离测量“+”极与两个“～”极.“一”极与两个“～”之间各整流二极管的正.反向电阻值（与通俗二极管的测量办法雷同）是否正常,即可断定该全桥是否破坏.若测得全桥内某只二极管的正.反向电阻值均为0或均为无限大,则可断定该二极管已击穿或开路破坏.12．高压硅堆的检测高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联构成,检测时,可用万用表的R×lok挡测量其正.反向电阻值.正常的高压硅堆的正向电阻值大于200kfl,反向电阻值为无限大.若测得其正.反向均有必定电阻值,则解释该高压硅堆已被击穿破坏.13.肖特基二极管的检测二端肖特基二极管可以用万用表Rl挡测量.正常时,其正向电阻值（黑表笔接正极）为2.5～3.5Q,反向电阻值为无限大.若测得正.反向电阻值均为无限大或均接近O,则解释该二极管已开路或击穿破坏.三端肖特基二极管应先测出其公共端,判别出是共阴对管,照样共阳对管,然后再分离测量两个二极管的正.厦向电阻值.整流桥堆全桥的极性判别办法极性的判别1)外不雅判别法.全桥由四只二极管构成,有四个引脚.两只二极管负极的衔接点是全桥直流输出端的“正极”,两只二极管正极的衔接点是全桥直流输出端的“负极”.大多半的整流全桥上,均标注有“+”.“-”.“~”符号.(个中“+”为整流后输出电压的正极,“-”为输出电压的负极,“~”为交换电压输入端),很轻易肯定出各电极.2)万用表检测法.假如组件的正.负极性标记已隐约不清,也可采用万用表对其进行检测.检测时,将万用表置“R×1k”挡,黑表笔接全桥组件的某个引脚,用红表笔分离测量其余三个引脚,假如测得的阻值都为无限大,则此黑表笔所接的引脚为全桥组件的直流输出正极;假如测得的阻值均在4~l0kΩ规模内,则此时黑表所接的引脚为全桥组件直流输出负极,而其余的两个引脚则是全桥组件的交换输入引脚.。
桥堆原理
桥堆原理 bridge桥堆是一种电子元件，内部由多个二极管组成。
主要作用是整流，调整电流方向。
用桥堆整流是比较好的，首先是很方便，而且它内部的四个管子一般是挑选配对的，所以其性能较接近，还有就是大功率的整流时，桥堆上都可以装散热块，使工作时性能更稳定，当然使用场合不同也要选择不同的桥堆，不能只看耐压是否够，比如高频特性等。
整流桥堆产品是由四只整流硅芯片作桥式连接，外用绝缘朔料封装而成，大功率整流桥在绝缘层外添加锌金属壳包封，增强散热。
整流桥品种多：有扁形、圆形、方形、板凳形（分直插与贴片）等，有GPP与O/J结构之分。
最大整流电流从0.5A到100A，最高反向峰值电压从50V到1600V。
半桥是将两个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路,选择整流桥要考虑整流电路和工作电压.整流桥堆一般用在全波整流电路中，它又分为全桥与半桥。
全桥是由4只整流二极管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的，图是其外形。
全桥的正向电流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多种规格，耐压值（最高反向电压）有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、8 00V、1000V等多种规格。
整流桥命名规则一般整流桥命名中有3个数字,第一个数字代表额定电流,A;后两个数字代表额电压(数字*10 0),V如:KBL407即4A，1000VKBPC5010即50A,1000V（1234567，005、01、02、04、06、08、10分别代表电压档的50V，100V，200V，400V，600V，800V，1000V），等!http://www.smdinc.hk///http://www.cdindustries.hk/new//avxtan。
桥堆的测量方法
一、桥堆外观:
二、桥堆命名规则：
一般整流桥命名中有3个数字,第一个数字代表额定电流,A;后两个数字代表额电压(数字*100),V 如:KBL407即4A，700V
KBPC5010即50A,1000V（1234567，005、01、02、04、06、08、10分别代表电压档的50V，100V，200V，400V，600V，800V，1000V）。
三、实训原理图:
四、桥堆的测量方法:
桥堆的图形符号及检测电路如图所示，其中“＋”、“－”指的是整流后输出电压的极性，而桥堆中二极管的极性则正好与此相反。
图挢堆检测
那么，需要测几次才能确定好管子的好坏呢？如图所示，可用“×10k”挡两步检查法进行检测：
第一步，测量①、②间“正”“反”向电阻，正反向阻值均应为∞；第二步，测量③、④间的正向电阻（③接黑表笔，④接红表笔）应在3～10kΩ（此范围视表型不同可略有不同）间，以上两步测量均正常，则是好的。
否则说明桥堆质量不佳或已损坏。
分析过程如下：4只二极管中只要有1只击穿短路或反向电阻变小，则无第一步结果。
若任何1只或几只断路或正向阻值增大，则第二步测得的阻值会大于10kΩ。
五、实训表格。
直插整流桥堆的生产工艺流程
直插整流桥堆的生产工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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直插整流桥堆的生产首先需要进行充分的原材料准备。
桥堆的替代原则
桥堆的替代原则1. 介绍桥堆的替代原则（Bridgehead Substitution Principle，BSP）是软件工程领域中的一个设计原则，用于指导系统架构和组件设计。
该原则旨在提高系统的可扩展性、可维护性和可复用性，同时降低系统的耦合度。
在软件开发过程中，我们经常会遇到需要更换某个组件或模块的情况。
而如果系统中其他部分对该组件或模块有过多的依赖，那么替换它将会变得非常困难。
桥堆的替代原则就是为了解决这个问题而提出的。
2. 原则内容桥堆的替代原则主要包含以下几个方面：2.1 封装变化将系统中可能发生变化的部分进行封装，使其与其他部分解耦。
通过封装变化，可以将系统中不稳定和易变的部分与稳定和不易变的部分分离开来。
这样，在需要更换某个组件或模块时，只需修改封装了变化部分的代码，而无需修改其他代码。
2.2 抽象依赖使用抽象接口来定义组件之间的依赖关系，而不是具体的实现类。
通过抽象依赖，可以降低组件之间的耦合度，使得系统更加灵活和可扩展。
2.3 显式依赖注入采用显式依赖注入的方式来传递组件之间的依赖关系。
通过将依赖关系从组件内部移到外部管理，可以使得系统更加灵活和可测试。
同时，显式依赖注入也能够帮助我们发现隐藏的依赖关系，并及时进行修复。
2.4 接口隔离原则遵循接口隔离原则，将大接口拆分为多个小接口。
这样可以避免组件之间出现不必要的依赖关系，并提高系统的内聚性和灵活性。
2.5 单一职责原则遵循单一职责原则，确保每个组件只负责一项功能。
这样可以降低组件之间的耦合度，并提高系统的可维护性和可复用性。
3. 应用场景桥堆的替代原则适用于以下几种情况：3.1 组件替换当需要更换某个组件时，如果该组件与其他部分有过多的依赖关系，那么替换它将会非常困难。
而采用桥堆的替代原则，可以将变化部分与稳定部分分离开来，从而使得组件替换变得更加容易。
3.2 模块扩展当需要对系统进行功能扩展时，如果采用了桥堆的替代原则，那么只需新增一个实现了抽象接口的模块即可。
整流桥堆全桥的性能好坏检测方法
整流桥堆全桥的性能好坏检测方法大多数的整流全桥上均标注有“+”、“一”、“～”符号其中“+”为整流后输出电压的正极,“一”为输出电压的负极,两个“～”为交流电压输入端,很容易确定出各电极;检测时,可通过分别测量“+”极与两个“～”极、“一”极与两个“～”之间各整流的正、反向值与普通二极管的测量方法相同是否正常,即可判断该全桥是否损坏;若测得全桥内某只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大,则可判断该二极管已击穿或开路损坏;12．高压硅堆的检测高压硅堆内部是由多只高压整流二极管硅粒串联组成,检测时,可用万用表的R×lok挡测量其正、反向电阻值;正常的高压硅堆的正向电阻值大于200kfl,反向电阻值为无穷大;若测得其正、反向均有一定电阻值,则说明该高压硅堆已被击穿损坏;13.肖特基二极管的检测二端肖特基二极管可以用万用表Rl挡测量;正常时,其正向电阻值黑表笔接正极为～,反向电阻值为无穷大;若测得正、反向电阻值均为无穷大或均接近O,则说明该二极管已开路或击穿损坏;三端肖特基二极管应先测出其公共端,判别出是共阴对管,还是共阳对管,然后再分别测量两个二极管的正、厦向电阻值;整流桥堆全桥的极性判别方法极性的判别1外观判别法;全桥由四只二极管组成,有四个引脚;两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”,两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”;大多数的整流全桥上,均标注有“+”、“-”、“~”符号.其中“+”为整流后输出电压的正极,“-”为输出电压的负极,“~”为交流电压输入端,很容易确定出各电极;2万用表检测法;如果组件的正、负极性标记已模糊不清,也可采用万用表对其进行检测;检测时,将万用表置“R×1k”挡,黑表笔接全桥组件的某个引脚,用红表笔分别测量其余三个引脚,如果测得的阻值都为无穷大,则此黑表笔所接的引脚为全桥组件的直流输出正极;如果测得的阻值均在4~l0kΩ范围内,则此时黑表所接的引脚为全桥组件直流输出负极,而其余的两个引脚则是全桥组件的交流输入引脚;。
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桥堆（bridge）
简化
桥堆原理图
桥堆是一种电子元件，内部由多个二极管组成。
主要作用是整流，调整电流方向。
用桥堆整流是比较好的，首先是很方便，而且它内部的四个管子一般是挑选配对的，所以其性能较接近，还有就是大功率的整流时，桥堆上都可以装散热块，使工作时性能更稳定，当然使用场合不同也要选择不同的桥堆，不能只看耐压是否够，比如高频特性等。
整流桥堆产品是由四只整流硅芯片作桥式连接，外用绝缘朔料封装而成，大功率整流桥在绝缘层外添加锌金属壳包封，增强散热。
整流桥品种多：有扁形、圆形、方形、板凳形（分直插与贴片）等，有GPP与O/J结构之分。
最大整流电流从0.5A到100A，最高反向峰值电压从50V到1600V。
半桥是将两个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路,
选择整流桥要考虑整流电路和工作电压.优质的厂家有广州国信电子科技有限公司（文斯特电子）的G系列整流桥堆,进口品牌有ST、IR,台系的SEP、GD等。
整流桥堆一般用在全波整流电路中，它又分为全桥与半桥。
全桥是由4只整流二极管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的，图是其外形。
全桥的正向电流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、5 0A等多种规格，耐压值（最高反向电压）有25V、50V、100V、200V、300V、400 V、500V、600V、800V、1000V等多种规格。
整流桥命名规则
一般整流桥命名中有3个数字,第一个数字代表额定电流,A;后两个数字代表额电压(数字*100),V；
如:KBL407即4A，1000V
KBPC5010即50A,1000V（1234567，005、01、02、04、06、08、10分别代表电压档的50V，100V，200V，400V，600V，800V，1000V）。