模拟电子技术简明教程(第三版)第3章
模拟电子技术基础简明教程(第三版)课后习题答案详解
学 习 计 划 表
周一至周五
时间
内容
要求
18：00～19：30
做作业
1.限时；2.不要看书；3.不会的题先放过。
19：40～20：00
测试
如没有，则休息。
20：10～20：40
补习
1. 对作业和测试中未掌握的内容进行补习。
2. 对相关知识进行检测，直至真正掌握。
3. 对当天所学新课行梳理与归纳。
具体方法： 先自己回顾老师上课讲的，找差距。
4. 如果没有学习新课程，将上次学习的疏漏的知识点进行补习。
20：45～21：00
预习
对将要学习的知识点进行预习。
21：03～21：23
查
漏
补
缺
1.21：03～21：10英语：
掌握5个单词（1.拼写 2.发音3.翻译4.词性5.运用）并记录。
2.21：10～21：15数学：
对以往的知识点进行考查（每周2个）；
对未掌握的知识点进行补习；
模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版 (第一、二章的课后习题答案)
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术基础简明教程[第三版]习题答案解析1-
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第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。
如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ，I DO =4mA ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图R b (a)交流通路R e i U +--oU R (b)交流通路i U +--oU R 1(c)交流通路i U '+-21i i N U U N '=23L N R R ⎛⎫'= ⎪NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数时，试定性说明、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。
定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↓，↑。
u A ，↓。
u A ↓。
u A ④增大β，则I BQ 基本不变，r be ↑，基本不变u AWORD 完美格式编辑i U +--oU +(b)解：①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=Q 1WORD 完美格式编辑Q 1Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ，u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3R b 211k Ω2i U oU +_(b)图P2-7解：①直流负载线方程为：()153CE CC C c e C u V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线， 2.67.2点，且斜率为，其中1LR -'R b 211k Ω2i U oU ++图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60，V ，R b =530k Ω，R L =5M Ω，试：①估算静态工作点；值；，输入电阻。
模拟电子技术基础简明教程杨素行(第三版)
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=这个很棒，好好看不错我们一台习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20Aμ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管，已知第一个管子的，当该管的时，其I C1199β=110B I A μ=习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
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习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80A μ60Aμ40A μ20Aμ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管，已知第一个管子的，当该管的时，其I C1199β=110B I A μ=习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8C BO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
数字电子技术基础简明教程(第三版)余孟尝第三章-完成ok
第三章 组合逻辑电路【】 分析图P3.1电路的逻辑功能,写出Y 1、Y 2的逻辑函数式,列出真值表,指出电路完成了什么逻辑功能.Y 1【解】1()Y ABC A B C AB AC BC ABC ABC ABC ABC=+++•++=+++2Y AB BC AC =++由真值表可见,这是一个全加器电路。
A 、B 、C 为加数、被加数和来自低位的进位，Y 1是和，Y 2是进位输出。
【】 图3.2是对十进制数9求补的集成电路CC14561的逻辑图,写出当COMP=1;Z=0和COMP=0,Z=0时Y 1,Y 2,Y 3,Y 4的逻辑式,列出真值表。
Y 1Y 2Y 3Y 4A 1A 2A 3A 4Z【解】(1)COMP=1、Z=0时输出的逻辑式为11223234234Y A Y A Y A A Y A A A⎧=⎪=⎪⎨=⊕⎪⎪=++⎩ 〔2〕COMP=0、Z=0时输出的逻辑式为11223344Y A Y A Y A Y A =⎧⎪=⎪⎨=⎪⎪=⎩〔即不变换，真值表从略〕3个或3个以上为1时输出1，输入为其他状态时输出0。
【解】Y ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD ABC ABD ACD BCD ABC ABD ACD BCD=++++=+++=•••B D Y【】 有一水箱由大、小两台水泵M L 、M S 供水,如图P3.4所示.水箱中设置了3个水位检测元件A、B 、C 。
水面低于检测元件时，检测元件给出高电平；水面高于检测元件时，检测元件给出低电平。
现要求当水位超过C 点时水泵停止工作；水位低于C 点高于B 点时M S 单独工作；水位低于B 点而高于A 点时M L 单独工作；水位低于A 点时M L 、M S 同时工作。
试用门电路设计一个控制两台水泵的逻辑电路，要求电路尽量简单。
【解】图P3.4M L真值表中的ABC 、ABC 、ABC 、ABC 为约束项，利用卡诺图【图A3.4(a)】化简后得到S L M A BCM B⎧=+⎪⎨=⎪⎩ 〔M S 、M L 的1状态表示工作，0状态表示停止〕 逻辑图如图A3.4(b).S M A BC =+L M B =〔a 〕(b)A B CM SM L【】。
模拟电子技术简明教程(第三版)第3章
可求出： fT≈β0 f 三、共基截止频率fα — 值下降到0.707α0
时的频率。 f (1 0 ) f
f fT f
§3.3 单管共射放大电路的频率响应
单管共射放大电路在 低频时耦合电容容抗 大，不能忽略，隔直 电容与放大电路的输 入电阻构成一个RC 高通电路；
3.1.1 频率特性
频率响应（频率特性）：放大电路对不同频 率信号的稳态响应。
幅频特性：电压放大倍数的幅值与频率的函 数关系。
相频特性：电压放大倍数的相角与频率的函 数关系。
阻容耦合共射放大电路的频率特 性
3.1.2 下限频率、上限频率和通频带
下限频率fL：当电压放大倍数下降到0.707Au时， 相应的低频频率。
•
安全象只弓，不拉它就松，要想保安 全，常 把弓弦 绷。20. 10.2201 :18:090 1:18Oct -2022- Oct-20
•
加强交通建设管理，确保工程建设质 量。01: 18:0901 :18:090 1:18Th ursday, October 22, 2020
•
安全在于心细，事故出在麻痹。20.10. 2220.1 0.2201: 18:0901 :18:09 October 22, 2020
相频失真：相频特性偏离中频值的现象。 放大电路对不同频率成分信号的相移
不同，从而使输出波形产生失真，称为相 位频率失真，简称相频失真。
幅频失真和相频失真是线性失真。
产生频率失真的原因是:
1.放大电路中存在电抗性元件。 例如： 耦合电容、旁路电容、分布
电容、变压器、分布电感等;
2.三极管的()是频率的函数。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)_杨素行_课后答案
+
习题1-3 某二极管的伏安特性如图(a)所示�
①如在二极管两端通过1kΩ的电阻加上1.5V的电压�如图 (b)�此时二极管的电流 I 和电压U各为多少�
②如将图(b)中的1.5V电压改为3V�则二极管的电流和电
压各为多少�
I/mA
解�根据图解法求解 3
②
I � U �U Z � 30mA R
� IZ � I � I RL � 30 � 6 � 24mA
③
I RL
� UZ RL
� 3mA
� IZ � I � I RL � 20 � 3 � 17mA
习题1-8 设有两个相同型号的稳压管�稳压值均为6V� 当工作在正向时管压降均为0.7V�如果将他们用不同的方 法串联后接入电路�可能得到几种不同的稳压值�试画出
2kΩ 20kΩ
10V
(c)
IB � 0.465mA IC � 23.25mA U CE � �36.5V
以上算出的IC 与UCE值是荒谬 的�实质上此时三极管巳工作 在饱和区�故IB=0.465 mA� IC≈ VCC/ RC=5mA� UC E=UC ES ≈0.3V�见图P1-14(g)中C点。
习题1-16 已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性 曲线如图P1-16所示。试作出uDS=15V时的转移特性曲线�并 由特性曲线求出该场效应管的开启电压 UGS(th )和 IDO值�以及 当 uDS =15V� uGS =4V时的跨导 gm。
uDS=15V
由图可得�开启电压 UGS(th )=2V� IDO =2.5mA�
(b)交流通路
习题1-4 已知在下图中�uI = 10sinωt (V)�RL=1kΩ�试 对应地画出二极管的电流 iD、电压uD以及输出电压uO的波 形�并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向
模拟电子技术基础简明教程李小明(第三版)
模拟电子技术基础简明教程李小明(第三版)简介《模拟电子技术基础简明教程李小明(第三版)》是一本介绍模拟电子技术基础知识的简明教程，旨在帮助读者快速了解和掌握该领域的基本概念和原理。
内容概述本教程共分为以下几个部分：第一部分：基础概念该部分主要介绍了模拟电子技术的基本概念，包括信号、电路和电子器件等方面的内容。
读者可以通过研究该部分，掌握电子技术的基础知识，并为后续研究打下坚实的基础。
第二部分：电路分析与设计该部分详细讲解了电路的分析与设计方法。
包括基本电路的分析、电流电压关系、戴维南定理等内容。
读者可以通过研究该部分，了解电路分析与设计的基本原理和方法，能够独立进行简单电路的分析与设计。
第三部分：放大电路与滤波器该部分详细介绍了放大电路和滤波器的原理和应用。
包括共射放大器、共基放大器、半导体器件和滤波器等方面的内容。
读者可以通过研究该部分，了解放大电路和滤波器的基本原理和性能指标，能够进行简单的放大电路和滤波器的设计。
第四部分：模拟集成电路该部分介绍了模拟集成电路的基本概念和设计方法。
包括运算放大器、比较器和模拟乘法器等方面的内容。
读者可以通过研究该部分，了解模拟集成电路的基本原理和设计技巧，能够进行简单的模拟集成电路的设计和应用。
第五部分：实践案例该部分提供了一些实践案例，帮助读者将所学的理论知识应用到实际问题中。
通过研究这些实践案例，读者可以更好地理解和掌握模拟电子技术的应用。
结语《模拟电子技术基础简明教程李小明(第三版)》是一本适合初学者的模拟电子技术入门教材。
通过系统学习该教程，读者可以快速了解和掌握模拟电子技术的基本概念和原理，为今后深入学习和应用奠定基础。
模拟电子技术基础简明教程第三版教学大纲
模拟电子技术基础简明教程第三版教学大纲
课程目标
本门课程旨在介绍模拟电子技术的基础知识，包括基本电路原理、
模拟信号的产生、传输、处理和变换及常见模拟电子器件的工作原理
和特点。
通过本门课程的学习，学生将掌握模拟电子技术的基础知识，了解模拟电子技术在实际应用中的重要性，并具备基本的模拟电子电
路的设计和分析能力。
教学内容
第一章电子元器件基础
本章介绍电子元器件的基本概念和分类，包括二极管、晶体管、场
效应管、放大器、操作放大器、滤波器等。
同时，讲解电子元器件的
特性、参数和使用方法。
第二章基本电路原理
本章讲述基本电路原理，包括欧姆定律、基尔霍夫定律、电容、电
感等电路元件的特性和应用，以及这些元件在电路中的组合和应用。
第三章模拟信号的表示和处理
本章介绍模拟信号的产生、表示和处理方法，包括正弦波、方波、
三角波等基本波形的产生方法，以及滤波、放大、变换等信号处理方法。
(完整word版)模拟电子技术基础简明教程(第三版)_杨素行_课后答案
+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
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四、 波特图
根据电压放大倍数与频率之间关系的表达式， 可以画出放大电路的频率特性曲线。 在实际工作中，应用比较广泛的是对数频率特性。 这种对数频率特性又称为波特图。 所谓对数频率特性是指： 绘制频率特性时基本上采用对数坐标。 幅频特性的横坐标和纵坐标均采用对数坐标。 相频特性的横坐标采用对数坐标，纵坐标不取对数。
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五、 高通电路和低通电路
1. RC高通电路的波特图
Au = R+
R 1
jωC
1
=
1
+
1 jωRC
C
+
+
Ui
R Uo
令 fL =
1 2πτL
=1 2πRC
1
Au = 1+
1
jωτL
1
= 1 -j
fL
f
-
-
RC 高通电路
时间常数τL = RC
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2l0 g A u 2l0 g1fLf2
φ
f
0
0.1fH fH 10fH f
-450
-450/十倍频 -900
最大误差 5.710
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第二节 三极管的频率参数
共射截止频率 特征频率 共基截止频率
下页 总目录
三极管的频率参数描述三极管的电流放大系数对高频信 号的适应能力。
在中频时， 一般认为三极管的β基本上是一个常数。
当频率升高时，由于存在极间电容，三极管的电流放大 作用将被削弱，
-20dB/十倍频
特征频率是三极管的一个重要参数， O
当f > fT 时，三极管已失去放大作用， φβ
所以，不允许三极管工作在如此高的 O 频率范围。
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通频带：上限频率和下限频率之间的频率范围 称为通频带BW。
BW=fH－fL
3.1.3 频率失真
幅频失真：幅频特性偏离中频值的现象。 因放大电路对不同频率成分信号的增益
不同，从而使输出波形产生失真，称为幅度 频率失真，简称幅频失真。
相频失真：相频特性偏离中频值的现象。 放大电路对不同频率成分信号的相移
不同，从而使输出波形产生失真，称为相 位频率失真，简称相频失真。
幅频失真和相频失真是线性失真。
产生频率失真的原因是:
1.放大电路中存在电抗性元件。 例如： 耦合电容、旁路电容、分布
电容、变压器、分布电感等;
2.三极管的()是频率的函数。
§ 3.2 三极管的频率参数
在低频和中频段， 0 ;频率升高时， 值
随之下降，β 是f 的函数。
0
1 j f f
当20lgβ下降3dB时,频率f 称为共射截止频率
当β=1时对应的频率称为 特征频率fT，且有fT≈β0f
一、共射截止频率fβ — 值下降到0.707β0
时的频率。 二、特征频率fT — 值下降为1 时的频率。
3.1.1 频率特性
频率响应（频率特性）：放大电路对不同频 率信号的稳态响应。
幅频特性：电压放大倍数的幅值与频率的函 数关系。
相频特性：电压放大倍数的相角与频率的函 数关系。
阻容耦合共射放大电路的频率特 性
3.1.2 下限频率、上限频率和通频带
下限频率fL：当电压放大倍数下降到0.707Au时， 相应的低频频率。
RC
rbe
2. 低频段
在低频段，三极管的极间电容可视为开路，耦合电容
C1、C2不能忽略。 方便分析，现在只考虑C1，将C2归入第二级。画出低频等 效电路如图所示。
该电路有 一个RC电路高通环节。
U be
Ri Rs Ri
1
jC1
•
rbe rbe
U
s
其中Ri=Rb//rbe
U o
gmUbe Rc
高频时，极间电容并 联在电路中，构成一 个RC低通电路，产 生0~-90°滞后的相 移。
3.3.1 三极管的混合π型等效模型
1. 混合π模型
阻值小
阻值大
gm为跨导，它不随信 号频率的变化而变。
连接了输入回路 和输出回路
2.混合π模型的单向化（使信号单向传递）
ICμ
U b'e U ce X Cμ
（1）高通电路:信号频率越高，输出电压越接近输入电压。
.
.
I
Uo
U
o
超前U
，当
i
f
0时；
. Ui
Uo 0，Uo超前Ui 90。
（2）低通电路:信号频率越低，输出电压越接近输入电压。
. I
. Ui . Uo
U
o滞后U
，当
i
f
时；
Uo 0，Uo滞后Ui 90。
使输出电压幅值下降到70.7%，相位为±45º的信号频率为 截止频率。
在研究频率特性时，三极管的低频小 号模型不再适用，而要采用高频小信号模 型。
3.1.4 波特图
实际工程中常用的是波特图（即对数频率 特性），其横坐标为频率f，幅频特性的纵坐
标 20 lg Au ，单位为分贝（dB);相频特性的纵
坐标是相角 ，不取对数。
阻容耦合放大电路波特图
3.1.5 高通电路和低通电路
因此，低频时间常数为： L (Rs Ri )C1
有下限频率：
fL
2
(Ri
1
Rs )C1
可推出低频电压放大倍数：
AusL
Ausm 1 1 j
fL
f
fL越小，放大电路的低频响应越好。
低频段频率响应分析
中频段 20dB/十倍频
20
lg
Ausl
20 lg Ausm
20 lg
1 ( fL )2 f
1、高通电路
下 限 频 率
2、低通电路
上 限 频 率
高通 电路
结电容
低通 电路
下限频率
上限频率
在低频段，随着信号频率逐渐降低，耦合电容、旁路 电容等的容抗增大，使动态信号损失，放大能力下降。
在高频段，随着信号频率逐渐升高，晶体管极间电容和
分布电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小，使动态信号 损失，放大能力下降。
3.3.2 阻容耦合单管共射放大电路的 频率响应
对于如图所示的共射放大电路，下面分低、中、 高三个频段加以研究。
共射放大电路
1 .中频段
所有的电容均可忽略。可用前面讲的h参数等效电路 分析。 中频电压放大倍数：
A usm
U O U S
Ri RS Ri
rbe rbe
gm RC
Ri RS Ri
180 (90 arctan
f )
fL
f fL时，20 lg Ausl 20 lg Ausm
f fL时，20 lg Aus 下降3dB， 135
f fL时，f 每降低10倍，20 lg Ausl 下降20dB； f 0 时，Aus 0， 90。
3. 高频段
(1 k) U b'e X Cμ
k gm RL'
等效变换后电流不变
X C 'μ
U b'e ICμ
1
X Cμ gm RL'
Cμ' (1 gm RL' )Cμ
同理可得，Cμ''
k
k
1
Cμ
3.混合π模型的主要参数
C
rbe
(1
)
UT I EQ
Ic gmUbEQ UT
第3章
放大电路的 频率响应
教学内容
§3.1 频率响应的一般概念 §3.2 三极管的频率参数 §3.3 单管共射放大电路的频率响应 §3.4 多级放大电路的频率响应
教学要求
了解单管共射放大电路fL、fH与电路参数
间的定性关系，熟悉波特图的一般知识， 以及多级放大电路与单管放大电路频宽 的定性关系。
§ 3.1 频率响应的一般概念
Ri
Rs Ri
1
jC1
• rbe rbe
gm RcU s
上下同除 （Rs+Ri)
Ri Rs Ri
•
rbe rbe
gm Rc
1
1 1
U s
j(Rs Ri )C1
Ri Rs Ri
• rbe rbe
gm Rc
1
j
1 1
U s
C1(Rs Ri )
AusL
U U
o s
Ausm 1
j
1 1
C1(Rs Ri )
f=fT时， ＝1，20lg =0 f>fT时， <1,三极管失去放大作用。
可求出： fT≈β0 f 三、共基截止频率fα — 值下降到0.707α0
时的频率。 f (1 0 ) f
f fT f
§3.3 单管共射放大电路的频率响应
单管共射放大电路在 低频时耦合电容容抗 大，不能忽略，隔直 电容与放大电路的输 入电阻构成一个RC 高通电路；