三极管的识别与检测
三极管的识别与检测
不是越大 越好，需根据电路要求选择β值。β太高，易引 起自激，工作稳定性差，受温度影响也大。通常 选β在40～100之间。
UCBO、UCEO、ICM和PCM是三极管极限参数，电路的估算值不得超过这些极限参数。
测电流的放大系数
没有“β或hFE”挡的万用表测量（如MF30）将万用表置于“R×1K”挡（以NPN管 为例），红表笔接基极以外后管脚，左手拇指与中指将黑表笔与基极以外的另一管脚捏在一起， 同时用左手食指触摸余下的管脚，
这时表针应向右摆动。将基极以外的两管脚对调后再测一次。两次测量中，表针摆动幅 度较大的那一次，黑表笔所接为集电极，红表笔所接为发射极。表针摆动幅度越大，说明被测
直接识别三极管型号、 β、引脚的方法
一般情况下可以根据命名规则从三极管管壳上的符号辨别出它的型号和类型。同时 还可以从管壳上的色点的颜色来判断出管子的放大系数β值的大致范围。常用色点对β值 分档如下：
色 标
棕
红
橙
黄
绿
蓝
紫
灰
白
β 1～15 15～25 25～40 40～55 55～80 80～120 120～180 180～270 270～400
当从管壳上知道它们的型号以及β值后，还应进一步判别它们的三个电极。 90XX系列三极管管脚判别： 拿起三极管，把文字标注一面朝向自己，从左到右依次为发射极e、基极b、集电极c
三极管的管脚必须正确确认， 否则接入电路后，不但不能正常工 作，还会烧坏管子及其它电路。
四、 三极管的分类
内部结构：NPN型和PNP型管；工作频率：有低频和高频管； 功率：有小功率和大功率管； 用途：有普通管和开关管； 材料：有锗管和硅管等等。 封装材料分：金属壳、塑封管等
三极管识别及检测
频率特性测试
总结词
频率特性测试是评估三极管在不同频率下的 性能表现，对于高频应用中的三极管尤为重 要。
详细描述
频率特性测试通常使用专用的频率响应分析 仪进行。测试时，将分析仪的探头接在三极 管的输入或输出端上，然后改变测试信号的 频率，观察三极管在不同频率下的电压增益 、电流增益、相位偏移等参数的变化。通过 频率特性测试，可以评估三极管在高频条件 下的性能表现，对于设计高频电路具有重要
更换
当三极管出现损坏或性能下降时，应及时更换以 保证系统的稳定性和可靠性。
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0பைடு நூலகம் 三极管应用
在放大电路中的应用
01
02
03
放大电路
三极管作为电流放大器件， 通过基极电流控制集电极 电流，实现信号的电压放 大。
信号处理
三极管用于信号的电压放 大，提高信号的幅度和功 率，便于传输和驱动其他 电子元件。
音频放大
在音频放大电路中，三极 管将微弱的音频信号放大， 驱动扬声器发声，实现声 音的重放。
详细描述
开路故障通常表现为三极管无法正常 放大或输出信号，有时还会导致电路 无法正常工作。排除方法包括检查三 极管的引脚是否焊接良好，以及线路 是否连接正常等。
饱和与截止故障及排除
总结词
三极管饱和与截止故障是指三极管工作在饱 和区或截止区，导致电路无法正常工作。
详细描述
饱和与截止故障通常表现为电路无法正常放 大或输出信号，有时还会导致电路过热或损 坏。排除方法包括检查三极管的偏置电路是 否正常，以及负载是否过重等。
05 三极管安全使用注意事项
使用环境要求
温度
实验二极管和三极管的识别与检测实验报告
实验二极管和三极管的识别与检测一、实验目的1•熟悉晶体二板管、三段管的外形氏引脚识别方法。
2•熟悉半导体二枕管和三:枕管的类别、型号尺主要性能参數。
3•学握用万用表判别二枕管和三枕管的牧性氏其性能的好坏。
二、实验仪踣1.万用衰2.不同规格、类型的半导体二枚管和三牧管若干。
三、实验步骤及内容1•利用万用表测试晶体二机俊(1)鉴别正负檬性机械万用裘此其欧姆档的内部等效电路如图所示。
图中E为裘內电源，r为等效内阻，1为被测回路中的实际电流。
由图可见，黑表笔接表內电源的正端，红表笔接裘内电源的负端。
将万用表欧姆档的量程拨到RxlOO或/?X1K档, 并将两表笔分别接到二枕管的两端如图所示，即红表笔接二枕管的负枕，而黑表笔接二•枚管的正枳，则二枚管处于正向偏虽状态，因而呈现出低电阻，此时万用表指示的电沮通常小于几千欧。
反之，若将红裘笔接二枕管的正牧，而黑表笔接二枕管的负段，则二枚管被反向偏虽，此时万用表指示的电阻值将达几百千欧。
电阻大(2)测试性能将万用表的黒表笔接二牧管正枕，红丧笔接二裤管员枕，可测得二枕管的正向电阻，此电阻值一般在几千欧以下为好。
通常要求二枕管的正向电阻愈小愈好。
将红表笔接二牧管正牧，黑表笔接二牧管负秋，可测出反向电阻。
一般要求二枕管的反向电阻应大于二百千欧以上。
若反向电阻太小，则二裤管失去单向导电作用。
如杲正、反向电阻都为无穷大，裘明管于巳断路；反之，二者都为零，丧明管于短路。
2.利用万用表测试小功率晶体三极管(0判定基枕和管子类型由于基枕与发射牧、杀积与褒电枚之间，分别是两个PN结，而PN结的反向电阻債很大，正向电阻值很小，闵此，可用万用裘的7?xlOO或Rx\K档进行测试。
先将黑表笔接晶体管的某一枚，然后将红表笔先后接其余两个枚，若两次测得的电阻都很小，则黑表笔接的为NPN型管子基枕，如图所示，若测得电阻都很大，则黑表笔所接的是PNP型管子的基枚。
若两次测得的阻值为一大一小，则黑表笔所接的电枚不爱三枕管的基枕，应另接一个电枚重新测量，以使确定管子的基枚。
概述三极管的分类、符号、识别和检测方法等内容
概述三极管的分类、符号、识别和检测方法等内容三极管是一种重要的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
它是由三个掺杂不同材料的半导体层组成的，具有放大电流、开关控制等功能。
根据不同的工作原理和结构，三极管可以分为晶体管、双极型三极管、场效应管等几种类型。
本文将对三极管的分类、符号、识别和检测方法等内容进行详细介绍。
一、三极管的分类1. 晶体管晶体管是最早被发明的一种三极管，通常由P型半导体和N型半导体组成。
晶体管分为NPN型和PNP型两种，其中NPN型的结构是先N材料后P材料，PNP型的结构则是先P材料后N材料。
晶体管主要用于放大电路中，可以通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流。
2. 双极型三极管双极型三极管是一种特殊的晶体管，其结构和工作原理与晶体管类似，但是其基极、发射极和集电极之间的结构略有不同。
双极型三极管主要包括晶体管、功率三极管、双极锁相环等几种类型，广泛应用于各种机电设备中。
3. 场效应管场效应管是一种应用最为广泛的三极管，其结构包括栅极、漏极和源极三个部分。
场效应管主要包括MOS场效应管、JFET场效应管等几种类型，其工作原理是通过控制栅极电压来调节漏极和源极之间的电流。
以上是三极管的主要分类，不同类型的三极管在电子设备中具有不同的应用场景和性能特点，了解各种类型的三极管对于电子工程师来说是十分重要的。
二、三极管的符号三极管的符号通常由一个三角形和三根线组成，分别代表基极、发射极和集电极。
对于NPN型的晶体管，三角形的底边为一个实线，表示N型材料，细线表示P型材料，而对于PNP型的晶体管，则相反。
在电路图中，三极管通常使用符号来表示其类型和连接方式，方便工程师们快速识别和设计电路。
三、三极管的识别方法1. 外观识别三极管的外观通常是一个黑色的小型元件，表面标有型号、生产厂商等信息，通过这些信息可以初步确定其类型和参数。
此外，三极管的引脚也是区分不同类型的关键因素之一，一般来说，晶体管的引脚排列为基、发、集的顺序，而场效应管则为栅、漏、源的顺序。
三极管的检测及其管脚的判别
三极管的检测及其管脚的判别使用数字万用表判断三极管管脚(图解教程）现在数字式的万用表已经是很普及的电工、电子测量工具了，它的使用方便和准确性受到得维修人员和电子爱好者的喜爱。
但有朋友会说在测量某些无件时，它不如指针式的万用表，如测三极管.我倒认为数字万用表在测量三极管时更加的方便。
以下就是我自己的一些使用经验，我是通常是这样去判断小型的三极管器件的.大家不妨试试看是否好用或是否正确，如有意见或问题可以发信给我。
手头上有一些BC337的三极管，假设不知它是PNP管还是NPN管.图1 三极管我们知道三极管的内部就像二个二极管组合而成的。
其形式就像下图。
中间的是基极（B极）。
图2 三极管的内部形式首先我们要先找到基极并判断是PNP还是NPN管。
看上图可知,对于PNP管的基极是二个负极的共同点，NPN管的基极是二个正极的共同点。
这时我们可以用数字万用表的二极管档去测基极,看图3。
对于PNP管，当黑表笔(连表内电池负极)在基极上，红表笔去测另两个极时一般为相差不大的较小读数（一般0。
5-0.8），如表笔反过来接则为一个较大的读数(一般为1）.对于NPN表来说则是红表笔（连表内电池正极）连在基极上。
从图4，图5可以得知，手头上的BC337为NPN管，中间的管脚为基极。
图3 万用表的二极管测量档图4 判断BC337的B极和管型(1)图4 判断BC337的B极和管型(2)找到基极和知道是什么类型的管子后，就可以来判断发射极和集电极了。
如果使用指针式万用表到了这个步可能就要用到两只手了,甚至有朋友会用到嘴舌，可以说是蛮麻烦的.而利用数字表的三伋管hFE档（hFE 测量三极管直流放大倍数）去测就方便多了，当然你也可以省去上面的步骤直接用hFE去测出三极管的管脚极性,我自己则认为还是加上上面的步骤方便准确一些。
把万用表打到hFE档上,BC337卑下到NPN的小孔上，B极对上面的B字母.读数，再把它的另二脚反转，再读数.读数较大的那次极性就对上表上所标的字母，这时就对着字母去认BC337的C，E极.学会了，其它的三极管也就一样这样做了，方便快速.图5 万用表上的hFE档图6 判断C，E极图7 判断C,E极2。
三极管的识别和检测方法
三极管的识别和检测方法三极管是一种重要的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
然而，在实际应用中，我们经常需要识别和检测三极管的好坏。
本文将介绍三极管的识别和检测方法。
一、三极管的识别1．标识识别：三极管的标识通常印在管子的外壳上。
标识包括型号、规格、生产厂家等信息。
通过查看标识，我们可以了解三极管的基本参数和使用范围。
2．管脚识别：三极管有三个管脚，分别是基极、发射极和集电极。
在识别管脚时，我们可以根据标识或者使用万用表进行测量。
通常，标识会标明管脚的排列顺序。
如果没有标识，我们可以通过万用表测量每个管脚之间的电阻值，从而确定管脚的排列顺序。
二、三极管的检测1．电阻法检测：使用万用表测量三极管的各个管脚之间的电阻值，可以判断三极管的好坏。
正常情况下，基极与集电极之间的电阻值应比发射极与集电极之间的电阻值大得多，同时基极与发射极之间的电阻值应比基极与集电极之间的电阻值小得多。
如果测量的电阻值不符合这些规律，则说明三极管可能存在故障。
2．放大倍数检测：使用示波器或信号发生器等设备，可以测量三极管的放大倍数。
将信号发生器产生的信号输入到基极，观察集电极的输出信号幅度，可以计算出三极管的放大倍数。
如果放大倍数正常，则说明三极管工作正常。
3．温度稳定性检测：将三极管放置在恒温箱中，观察在不同温度下的放大倍数变化情况。
如果放大倍数变化较大，则说明三极管的温度稳定性较差，可能存在故障。
4．稳定性检测：使用示波器观察三极管的输入和输出信号波形，可以判断三极管的稳定性。
如果输入和输出信号波形存在较大差异或不稳定，则说明三极管可能存在故障。
总之，识别和检测三极管是电子设备维修和调试的重要环节。
通过掌握正确的识别和检测方法，我们可以快速准确地判断三极管的好坏，为电子设备的正常运行提供保障。
晶体管(三极管)识别与检测
认识晶体管
• 晶体管（transistor）是最常用的固体半导 体器件之一。具有检波、整流、放大、开关、 稳压、信号调制等多种功能，通常在开关、 放大、混频电路中被使用。 • 晶体管有三个极：双极性晶体管的三个 • 极，分别由N型跟P型组成发射极 （Emitter）、基极(Base) 和集电极 （Collector）
三极管输入特性曲线
三极管输出特性曲线
晶体管分类
• 晶体管可以按照其材料、工艺、电流容量、 工作频率、封装结构、功能和用途进行分 类。 • 常见的晶体管种类有：半导体晶体管、电 力晶体管、光晶体管、双极晶体管、双极 结型晶体管 、场效应晶体管、静电感应晶 体管、单电子晶体管、绝缘栅双极晶体管 等。
三极管结构
三极管主要参数
• • • • • 三极管直流参数 三极管交流参数 三极管极限参数 三极管输入特性曲线 三极管输出特性曲线
三极管直流参数
• （1）集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时， 基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流， 它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基 极的反向饱和电流。良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的 Icbo约为1～10微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安，而硅管的 Icbo则非常小，是毫微安级。 • （2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0） 时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。 Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)IcbooIcbo和Iceo受温度影响 极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越 稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。 • （3）发射极---基极反向电流Iebo集电极开路时，在发射极与基 极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结 的反向饱和电流。 • （4）直流电流放大系数β1（或hEF）这是指共发射接法，没有 交流信号输入时，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流 的比值，即：β1=Ic/Ib
三极管的识别与检测
使用万用表的欧姆档，分别测量三极管三个引脚与其他两个引脚之间的电阻值。当某个引脚与其他两 个引脚之间的电阻值均较大时，可以初步确定该引脚为集电极。而与集电极相邻的另一个引脚则为发 射极。
工作状态的判定
1 2 3
判定方法
通过测量三极管各电极的电压或电流值，可以判 断三极管的工作状态（饱和、截止或放大）。
管脚颜色
不同品牌和型号的三极管可能有 不同的管脚颜色标识，常见的颜 色有黑、棕、红、橙、黄、蓝等 。
型号标识
型号标注位置
三极管的型号标注通常位于管壳的一 侧，字体大小和颜色可能会有所不同 。
型号组成
三极管的型号通常由字母和数字组成 ，字母表示三极管的类型，数字表示 规格参数和生产厂家等信息。
03
截止失真
噪声干扰
当三极管工作在截止区时，输出信号出现 失真现象。应调整基极电流或集电极电压 ，使三极管从截止区进入放大区。
当三极管受到噪声干扰时，会出现不稳定 的工作状态。应采取屏蔽措施，减小外界 干扰对三极管的影响。
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总结词
三极管的工作原理基于半导体PN结的电流放大效应。
详细描述
当基极输入一个微弱电流时，会在半导体内部产生电子和空穴，并在电场的作用 下分别向集电极和发射极运动，形成较大的集电极和发射极电流。这个过程实现 了输入电流对输出电流的控制，从而实现信号放大等功能。
02
三极管外观与标识
外观特征
封装形式
三极管有多种封装形式，常见的 有TO-92、TO-92L、TO-2ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ0等，
散热设计
在长时间工作或大功率应用中 ，需要考虑三极管的散热问题 ，采取适当的散热措施。
三极管的识别与检测
结构与符号
箭头在哪个极上哪个极就是发射极
种类与符号
放大状态NPN型、PNP型三极管的各电极电位
2、日本产三极管参数的识读
第一部分：产品
名称。用数字：顺序号。用数字表示。从“11”开始。
S C 2168 A
第二部分：代号。用 字母S表示已在日本电 子工业协会注册登记 的半导体分立器件
第三部分：材料/类型。用字 第五部分：规格号。表
母表示,A:表示PNP高频管，B： 示三极管生产的生产规
VB、VC、VE大于零 且VC>VB>VE
VB、VC、VE小于零 且VC<VB<VE
处于放大状态时，NPN型、PNP型两种三极管均满足
问题1：
三极管的集电极与发射极能不能互换使用，为什么？
特点 （1）发射区体积小，掺杂浓度高 （2）集电区体积大，掺杂浓度低
结论：三极管集电极和发射极不能互换使用。
带阻三极管的检测
带阻三极管检测与普通三极管基本类似，但由于其内部接有电阻，故检 测出来的阻值大小稍有不同。选用指针式万用表，量程置于R×1K档，若带 阻三极管正常，则有如下规律： （1）B、E极之间正反向电阻都比较小（具体测量值与内接电阻有关），但 B、E极之间的正向电阻（黑笔接B，红笔接E）会略小一点，因为测正向电 阻时发射结会导通。 （2）B、C极之间正向（黑笔接B，红笔接C）电阻小，反向电阻接近无穷大。 （3）E、C极之间正反向电阻（黑笔接C，红笔接E）都接近无穷大。 检测结果与上述不相时，可判断为带阻三极管损坏。
三极管的识别与检测
晶体三极管的识别和检测晶体三极管又称半导体三极管，简称晶体管或三极管。
在三极管内，有两种载流子：电子与空穴，它们同时参与导电，故晶体三极管又称为双极型晶体三极管，它的基本功能是具有电流放大作用。
一、结构NPN和PNP型两类三极管的结构如图。
它有两个PN结（分别称为发射结和集电结），三个区（分别称为发射区、基区和集电区），从三个区域引出三个电极（分别称为发射极e、基极b和集电极c）。
发射极的箭头方向代表发射结正向导通时的电流的实际流向。
为了保证三极管具有良好的电流放大作用，在制造三极管的工艺过程中，必须作到：①使发射区的掺杂浓度最高，以有效地发射载流子；②使基区掺杂浓度最小，且区最薄，以有效地传输载流子；③使集电区面积最大，且掺杂浓度小于发射区，以有效地收集载流子。
半导体三极管亦称双极型晶体管，其种类非常多。
按照结构工艺分类，有PNP和NPN型；按照制造材料分类，有锗管和硅管；按照工作频率分类，有低频管和高频管；一般低频管用以处理频率在3MHz以下的电路中，高频管的工作频率可以达到几百兆赫。
按照允许耗散的功率大小分类，有小功率管和大功率管；一般小功率管的额定功耗在1W以下，而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。
1、共射电流放大系数β：β值一般在20～200，它是表征三极管电流放大作用的最主要的参数。
2、反向击穿电压值U(BR)CEO：指基极开路时加在c、e两端电压的最大允许值，一般为几十伏，高压大功率管可达千伏以上。
3、最大集电极电流I CM ：指由于三极管集电极电流I C过大使β值下降到规定允许值时的电流（一般指β值下降到2/3正常值时的I C值）。
实际管子在工作时超过I CM并不一定损坏，但管子的性能将变差。
4、最大管耗P CM ：指根据三极管允许的最高结温而定出的集电结最大允许耗散功率。
在实际工作中三极管的I C与U CE的乘积要小于P CM值，反之则可能烧坏管子。
5、穿透电流I CEO：指在三极管基极电流I B=0时，流过集电极的电流I C。
三极管识别及检测.
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模拟电子技术
第2章 晶体三极管及其应用
指针式万用表
注意事项：
红表笔是(表内)负极，黑表笔是(表内)正极。 在 R 1 k 档或 R 100 档进行测量。 请回答此管是
什么类型管呢？ 请回答是什么类 测量时手不要接触引脚。 型管呢？
1k 1k
C B
E B
C E
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模拟电子技术
第2章 晶体三极管及其应用
作业： 1、总结晶体三极管的测试方法，写清楚晶 体三极管管型、引脚等的具体测试过程 2、网上查资料，熟悉三极管选用应注意的 全部内容
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模拟电子技术
第2章 晶体三极管及其应用
实验三
半导体三极管的测试
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模拟电子技术
第2章 晶体三极管及其应用
一、外型、封装及引脚排列
小功率金属壳与塑料壳三极管外形图
E
C
E
C
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B
B
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模拟电子技术
第2章 晶体三极管及其应用
三极管9013参数 最大耗散功率(PCM)：0.625W 最大集电极电流(ICM)：0.5A 集电极-发射极击穿电压(VCEO)：25V 集电极-基极击穿电压(VCBO)：45V 发射极-基极击穿电压(VEBO)：5V 集电极-发射极饱和压降(VCE)：0.6V 特怔频率(fr)：150MHZ 放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122166 H144-220 I190-300
第2章 晶体三极管及其应用
二、万用表检测晶体三极管的方法
1、三颠倒，找基极 2、PN结，定管型 3、顺箭头，偏转大 4、测不出，动嘴巴
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晶体三极管的识别和检测晶体三极管又称半导体三极管，简称晶体管或三极管。
在三极管内，有两种载流子：电子与空穴，它们同时参与导电，故晶体三极管又称为双极型晶体三极管，它的基本功能是具有电流放大作用。
一、结构NPN和PNP型两类三极管的结构如图。
它有两个PN结（分别称为发射结和集电结），三个区（分别称为发射区、基区和集电区），从三个区域引出三个电极（分别称为发射极e、基极b和集电极c）。
发射极的箭头方向代表发射结正向导通时的电流的实际流向。
为了保证三极管具有良好的电流放大作用，在制造三极管的工艺过程中，必须作到：①使发射区的掺杂浓度最高，以有效地发射载流子；②使基区掺杂浓度最小，且区最薄，以有效地传输载流子；③使集电区面积最大，且掺杂浓度小于发射区，以有效地收集载流子。
半导体三极管亦称双极型晶体管，其种类非常多。
按照结构工艺分类，有PNP和NPN型；按照制造材料分类，有锗管和硅管；按照工作频率分类，有低频管和高频管；一般低频管用以处理频率在3MHz以下的电路中，高频管的工作频率可以达到几百兆赫。
按照允许耗散的功率大小分类，有小功率管和大功率管；一般小功率管的额定功耗在1W以下，而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。
1、共射电流放大系数β：β值一般在20～200，它是表征三极管电流放大作用的最主要的参数。
2、反向击穿电压值U(BR)CEO：指基极开路时加在c、e两端电压的最大允许值，一般为几十伏，高压大功率管可达千伏以上。
3、最大集电极电流I CM ：指由于三极管集电极电流I C过大使β值下降到规定允许值时的电流（一般指β值下降到2/3正常值时的I C值）。
实际管子在工作时超过I CM并不一定损坏，但管子的性能将变差。
4、最大管耗P CM ：指根据三极管允许的最高结温而定出的集电结最大允许耗散功率。
在实际工作中三极管的I C与U CE的乘积要小于P CM值，反之则可能烧坏管子。
5、穿透电流I CEO：指在三极管基极电流I B=0时，流过集电极的电流I C。
它表明基极对集电极电流失控的程度。
小功率硅管的I CEO约为0.1mA，锗管的值要比它大1000倍，大功率硅管的I CEO约为mA数量级。
6、特征频率f T：指三极管的β值下降到1时所对应的工作频率。
f T的典型值约在100～1000MHz之间，实际工作频率。
二、半导体器件的命名方法1．中国半导体器件的命名法根据中华人民共和国国家标准，半导体器件型号由五部分组成，其每一部分的含义见表2-15。
表2-15 国产半导体器件的型号命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件的电极数目用汉语拼音字母表示器件的材料和极性用汉语拼音字母表示器件的类别用数字表示器件序号用汉语拼音字母表示规格号符号意义符号意义符号意义4 52 二极管 ABCD N型锗材料P型锗材料N型硅材料P型硅材料PVWCZLSNUK普通管微波管稳压管参量管整流管整流堆隧道管阻尼管光电器件开关管3 三极管 ABCDE PNP型锗材料NPN型锗材料PNP型硅材料NPN型硅材料化合物材料XGDAUK低频小功率管（f T＞3MHz,P C＜1W）高频小功率管（f T≥3MHz,P C＜1W）低频大功率（f T≤3MHz,P C≥1W）高频大功率（f T≥3MHz,P C≥1W）光电器件开关管IYBJ可控整流器体效应器件雪崩管阶跃恢复管CSBTFHPINJG场效应器件半导体特殊器件复合管PIN型管激光器件例如: 3AD50C表示低频大功率PNP型锗管；3DG6E表示高频小功率NPN型硅管。
2. 美国半导体器件命名法根据美国电子工业协会（EIA）规定的半导体器件型号命名方法如表2-16所示。
表2-16 美国半导体器件型号的命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用符号表示器件的等级用数字表示PN结数目用字母表示材料用数字表示器件登记序号用字母表示同一器件的不同档次符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义J 军品 1 二极管N 表示不加热即半导体器件2～4位数字登记顺序号A、B、C…表示器件改进型无非军品2 三极管3 四极管例如: 1N4148表示开关二极管，2N3464表示高频大功率NPN型硅管。
3．日本半导体器件命名法表2-17 日本半导体器件命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件的电极数目用字母表示半导体器件用拉丁字母表示器件的结构和类型用2～3位数字表示器件登记顺序号用拉丁字母表示同一种型号器件的改进型符号意义符号意义符号意义0 光电器件S 半导体器件1 二极管A 高频PNP型三极管快速开关三极管2 三极管 B 低频大功率PNP管3 有三个PN结的器件C 高频及快速开关NPN三极管D 低频大功率NPN管F P控制极可控硅G N控制极可控硅H N基极单结管J P沟道场效应管K N沟道场效应管M 双向可控硅例如: 2SA53表示高频PNP型三极管，1S92表示半导体二极管。
4．欧洲半导体器件命名法由于目前欧洲各国没有明确统一的标准半导体器件型号命名法，故他们大都使用国际电子联合会的标准。
半导体器件的型号一般由四部分组成，其基本含义如表2-18。
表2-18 欧洲半导体器件命名法第一部分第二部分第三部分第四部分用字母表示器件使用的材料用字母表示器件的类型及主要特性用数字或字母加数字表示登记号用字母表示对同一型号器件的改进符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义A 锗材料 A 检波二极管、开关二极管、混频二极管P 光敏器件三位数字代表半导体器件的登记序号（同一类型器件使用一个登记号）ABCDE表示同一型号的半导体器件在某一参数方面的分档标志B 硅材料B变容二极管Q 发光器件C 砷化镓 C 低频小功率三极管R 小功率可控硅D 锑化铟 D 低频大功率三极管S 小功率开关管R 复合材料E 隧道二极管T 大功率可控硅F 高频小功率三极管U 大功率开关管一个字母二位数字代表专用半导体器件的登记序号（同一类型器件使用一个登记号）G 复合器件、其他器件X 倍增二极管H 磁敏二极管Y 整流二极管K 霍尔器件Z 稳压二极管L 高频大功率三极管补充说明：欧洲半导体器件型号除以上基本组成部分外，为进一步标明器件的特性，或对器件进一步分类，有时还加有后缀，后缀用破折号与基本部分分开。
常见的后缀有以下几种。
（1）稳压二极管型号后缀的第一部分是一个字母，用来表示器件标称稳定电压值的允许误差范围。
其代表的意义如表2-19。
表2-19 稳压二极管后缀字母的含义符号 A B C D E 允许误差% ±1 ±2 ±5 ±10 ±20后缀的第二部分是数字，表示稳压二极管的标称稳定电压的整数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
（2）整流二极管和可控硅型号的后缀是数字，表示其最大反向电压值，单位是伏。
例如BZY88-C9V1表示标称稳压值是9.1V、精度为±5%的硅稳压二极管；BTX64-200表示反向耐压为200V的大功率可控硅；BU406D表示大功率硅开关三极管。
三、几种常用半导体三极管的性能1. 常用小功率半导体三极管 ,常用小功率半导体三极管的特性见表2-20。
表2-20 常用小功率半导体三极管特性型号极限参数直流参数交流参数类型P CM(mW)I CM(mA)V(BR)CEO(V)I CEO(uA)V CE(sat)(V)βf T(MHz)C ob(pF)CS9011300 100 18 0.05 0.3 28150 3.5 NPN 39E F G H I54 72 97 132CS9012EFG H 600 500 25 0.5 0.664150 PNP7896118144CS9013EFG H 400 500 25 0.5 0.664150 NPN7896118144CS9014300 100 18 0.05 0.3 60150 NPN 60A B C D 100 200 400CS9015AB C D 310600 100 18 0.050.5 60 50 6PNP0.760100100200400CS9016 310 25 20 0.05 0.3 28～97500 NPNCS9017 310 100 12 0.05 0.528～72600 2 NPNCS9018 310 100 12 0.05 0.528～72700 NPN8050 1000 1500 2585～300100 NPN8550 1000 1500 2585～300100 PNP2．常用大功率三极管大功率三极管具有输出功率大、反向耐压高等特点，主要用于功率放大、电源变换、低频开关等电路中。
常用的大功率三极管型号及特性如表2-21所示。
表2-21 常用大功率三极管的主要参数型号极限参数直流参数交流参数NPN PNP P CM(W) I CM(A) U(BR)CEO(V) βf M(MHz)2N5758 2N6226150 6 100 25～10012N5759 2N6227 120 20～80 2N5760 2N6228 140 15～602N6058 2N8053100 8 60≥1000 42N8058 2N8054 802N3713 2N3789150 10 60≥15 42N3714 2N3790 802N5832 2N6228 100 25～1001 2N5633 2N6230 120 20～802N5634 2N6231 140 15～602N6282 2N6285 6020 60 750～18k 42N5303 2N5745 140 80 15～60 200 2N6284 2N6287 160 100 750～18k 42N5031 2N4398200 30 4015～60 22N5032 2N4399 602N6327 2N6330 806～30 3 2N6328 2N6331 100四、半导体三极管的正确使用1．半导体三极管的管脚判别在安装半导体三极管之前，首先搞清楚三极管的管脚排列。
一方面可以通过查手册获得，另一方面也可利用电子仪器进行测量，下面讲一下利用万用表判定三极管管脚的方法。
首先判定PNP型和NPN型晶体管：用万用表的R×1k（或R×100）档，用黑表笔接三极管的任一管脚，用红表笔分别接其他两管脚。
若表针指示的两阻值均很大，那么黑表笔所接的那个管脚是PNP型管的基极；如果万用表指示的两个阻值均很小，那么黑表笔所接的管脚是NPN型的基极；如果表针指示的阻值一个很大，一个很小，那么黑表笔所接的管脚不是基极。
需要新换一个管脚重试，直到满足要求为止。