GRIM法合成聚吡啶及其电化学性能研究

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ｖｉｌｓｅｔ（Ｖ—ＶｓｎｄＦｕｒｓｅｃｍｉｉｎＳｅｔｍ（Ｌ．ｈｓｌｏｅａＰＹｈｄｇｏｅｍａｉｂｅｐｃａＵｓｒｉ）ａｌｏｅｃｎｅＥｓｏｐｃｓｕｒＦ）ＴｅｒｕｔｓｗｄｔｔＰａｏｄｔｒａｓ．ｅｓｈｈｈｌｔ
ｚｔｏｎｒｙａｄｔｅｂａｄａｆＰａｉｎｅｅｇｎｈｎｇｐｏＰＹｒ３Ｖ。５．Ｖｎ６Ｖ。ｒｓｅｔｖｌｗｅｅ３．５ｅ９７ｅａｄ２．２ｅｅｐｃｉｅｙ．
Ｋｅｙｗｏｒ：ｐｌｐｒｄｉｅ；ＧＲＩ；ｅｅｔｏｈｍｉａｒｐｒｙ；ｂｎｇｐｄ
对其结构及热稳定性能进行了表征，紫外一可见吸收光谱（ｖ—Ｖｓ、ｕｉ）荧光发射光谱（Ｌ及电化学分析法对其光物理和电化学性能Ｆ）进行了研究。结果表明，ＰＰＹ具有较好的热稳定性能，ｓｋｓ其ｔｅ位移为１０ａ具有较好的发光特性。电化学分析显示ＰＹ具有较ｏ３ｍ，Ｐ好的电化学还原特性，具有较好的电子传输性，电子亲和能（为３３Ｖ，其Ｅ）．５ｅ电离能（为５９Ｖ，，）．７ｅ能隙（为２６ＶＥ）．２ｅ。
关键词：聚吡啶；格式置换法；电化学；能隙
ＳｎｔｓｓｏｌｐｒｄｎｅｂＲＩｅｈｏｎｉｓＥｌｃｒｃｍｉｔｙＰｒｐｅｔｙｈｅｉｆＰｏｙｙｉｉｙＧＭＭｔｄａｄｔｅｔｏｈｅｓｒｏｒｙ
导电聚合物聚吡啶（Ｐ具有较好的发光和氧化稳定ＰＹ）
（９９）丹阳恒安化工有限公司；代异丙烷为化学纯，海９．％，氯上
性－，，且易于结构改性、可选择的电导率范围宽、成型等，易在聚合物发光二极管的电子传输层、级电容器电极材料和电色超
显示等领域具有潜在的应用价值Ｊ以２５取代的吡啶单体。，合成的ＰＹ具有刚性的棒状结构，旋涂制备薄膜时可以显示Ｐ在出高度的各向异性，良好的聚合物发光材料Ｊａｍｏ是。。Ｙｍａｔｏ首次采用催化缩合法制备了ＰＹ，该法反应温度高，Ｐ但反应周期
ＫＮＧＤａ—ｌｎ，ＷＡｉＬａＡｉａＮＧＪｎ，ＵＯＸｉｏ—ｘａ，ＰＮ一ｎＳＮＧＣａｇ —ｗｅｉＡＪｇ，Ｏｈｎｉ
（ｃｏｌｆｈｍｉｌｎｉｅｒｇｅｉｎｖｒｔｏｅｈｏｏｙＡｈｉｅｅ２００，ｈｎ）Ｓｈｏｏｅｃｇｅｎ，Ｈｆｉｓｙｆｃｎｌ，ｎｕｆ３０９ＣｉａＣａＥｎｉｅＵｅｉＴｇＨｉＡｂｔａｔＰｌｐｒｉｅＰＹ）ｗｓｙｔｅｉｄｖｅＧｉａｅａｅｉｍｔｏＧＩｓｒｃ：ｏｙｉｎ（Ｐｙｄａｎｈｓｅｉｔｒｎｒｍｔｈｓｅｄ（ＲＭ）ｆｍ２５一ｄｂｏｏｙｉｓｚａｈｇｄｔｓｈｒ，ｏｉｒｍｐｒ－ｄｎ．ＴｅｓｕｔｒｎｅｌｓｂｌｙｏＰｅｅｃａｃｒｅｙｍａｓｆｎｒｒｄａｓｒｔｎｓｅｔｍｔ（Ｒ）ａｄｉｅｈｒｃｅａｄｔｒｔｉｔｆＹｗｒｈｒｔｚｄｂｅｎｆｅｂｏｐｉｐｃｏｅｙＩｔｕｈｍａａｉＰａｅｉｏｉａｏｒｒｎｔｅｏｒｖｔｃａａｙｉ（Ｇ）ｒｓｅｔｅ．ＴｅｐｏｐｙｉｌｈｒｃｅｚｔｎｏＰｅｅｓｄｅｒｕｈｔｅＵｈｒｇａｉｒｎｌｓＴ，ｅｐｃｉｌｈｈｔｈｓａｃａａｔａｉｆＹｗｒｔｉｔｏｇＶ— ｍｍｅｉｓｖｙｏｃｉｒｏＰｕｄｈｈ
２１０１年３９卷第ｌ４期
广州化工
・５・４
ＧＩ法合成聚吡啶及其电化学性能研究丰ＲＭ
康达莲，汪瑾，罗小霞，潘杰峰，宋长伟
舍肥２００）３０９
（合肥工业大学化工学院，安徽
摘
要：，一以２５二溴吡啶为原料，通过格式置换法（ＲＭ）ＧＩ合成了聚吡啶（Ｐ）ＰＹ。采用红外吸收光谱（Ｒ及热重分析（ＧＩ）Ｔ）
ｂｌｙａｄｆｏｅｃｎｅｐｐｒｙ，ａｈｔｋｓｓｉｓ１０ｎｉｉｎｌｒｓｅｃｒｅｔｔｕｏｎｄｔｅｓｏｅｈｆｗａｍ．Ｔｈｌｃｒｃｅｃｌｐｏｅｔｓａｓａｕｅｙｃ．ｔ３ｅｅｅｔｏｈｍｉａｒｐｒｙｗａｌｏｍｅｓｒｄｂｙｃｉｏｍｍｅｒ．ＰＰｈａｏｄｒｄｃｉｎｃａａｔｒｓｉｓａｄｅｅｔｏｒｎｍｉｓｏｌｃｖｈａｔｙＹｄｇｏｅｕｔｏｈｒｃｅｔｃｎｌｃｒｎｔａｓｓｉｎ．Ｔｈｌｃｒｎａｆｎｔｎｒ，ｔｏｉｉｅｅｅｔｏｆｉｙｅｅｇｉｙｈｅｉｎ－