答案 东大离线 20年7月 模拟电子技术基础IA赵丽红

学习中心： 院校学号： 姓名

课程名称: 模拟电子技术基础I

1 东 北 大 学 继 续 教 育 学 院

模拟电子技术基础I 试 卷（作业考核 线上2） A 卷（共 3 页）

总分 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十

得分

1、电路如图1所示，设输入电压u i 是幅值为12V 的正弦波，试分析D 1，D 2工作状态，并画出u o 的波形。（设二极管D 1，D 2为理想二级管）。

答：运放工作在开环状态，输出为方波。 uo`为和正弦波图像的正负电压方波。

uo``由于缺少R 、C 数值，可以是方波（耦合电路C 大、R 小），三角波(RC 很大）也可以是脉冲波(RC 很小)。可询问清楚再答。 uo 的波形是uo``的正半周波形。

2、据图2所示的晶体管型号及实测对地直流电压数据（设直流电压表的内阻非常大），分析：(1)管子是锗管还是硅管？(2)管子的工作状态（放大、截止、饱和或损坏）。

解：三极管截止：发射结反向偏置或零偏，集电结反偏，I |=0.1~0.2V ；若为NPN 管，发射结正偏时，U ，若为PNP 管，发射结正偏时，U =1.71-1=0.71V ；UBC =1.71-1.3=0.41V ；发射结正向偏置，集电结正偏，此管为硅 NPN ，工作在饱和区。 =-0.2-0=-0.2V ；U BC =-0.2-(-5)=4.8V ；发射结正向偏置，集电结反偏，此管为锗 PNP 。 =2-6=-4V ；UBC =2-0=2V ；发射结正向偏置压差过大，已损坏，此管为锗PNP ， 工作在饱和区。 =-5.7-(-6)=0.3V ；UBC =-5.7-0=-5.7V ；小于发射结正向偏置电压，集电结反偏，此 管为硅NPN ，工作在截止区。 =-0.3-0=-0.3V ；UBC =-0.3-(-0.1)=-0.2V ；发射结正向偏置，集电结正偏，此管为锗 PNP ，工作在饱和区。 =5.3-6=-0.7V ；UBC =5.3-5.3=0V ；发射结正向偏置，集电结零偏，此管为硅

图1 二极管电路

图2晶体管型号及实测对地直流电压数据