课件:二极管、三极管、晶闸管知识讲解
课件:二极管、三极管、晶闸管知识讲解
vi
+
D
+
0
t
vi
RL
vo
6
vo
-
-
0
t
(a)
(b)
稳压
稳压二极管的特点就是反向通电尚 未击穿前,其两端的电压基本保持不变。 这样,当把稳压管接入电路以后,若由 于电源电压发生波动,或其它原因造成
6
电路中各点电压变动时,负载两端的电 压将基本保持不变。 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字 表示
管加反向电压时,不管控制极加
怎样的电压,它都不会导通,而
处于截止状态,这种状态称为晶
闸管的反向阻断。
主回路加反向电压
c 触发导通 d 反向阻断
可控硅只有导通和关断两种工作状态,它具有 开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化, 此条件见下表
状态
条件
说明
从关断到导通
1、阳极电位高于是阴极电位
2、控制极有足够的正向电压和电流
图a
开关断开
b 正向阻断
(2)触发导通 在图(c)所示
电路中,晶闸管加正向电压,在
控制极上加正向触发电压,此时
指示灯亮,表明晶闸管导通,这
种状态称为晶闸管的触发导通。
(3)反向阻断 在图(d)所示
电路中,晶闸管加反向电压,即
a极接电源负极,k极接电源正极,
此时不论开关s闭合与否,指示
灯始终不亮。这说明当单向晶闸
单向可控硅的结构
不管可控硅的外形如何,它们的管芯都是由P型 硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。它有三 个PN结(J1、J2、J3),从J1结构的P1层引 出阳极A,从N2层引出阴级K,从P2层引出控制 极G,所以它是一种四6 层三端的半导体器件。
学习任务二极管三极管晶闸管及其应用PPT课件
PN结开始形成 时
价电子
空穴的移动与价电子的移动相反;
空穴的移动相当于正电荷的移动;
空穴 价电子
带空穴 的C原子
一.半导体基础知识
3)半导体导电 在半导体的两端加外电压时,半导体内部出现两部分电流:一是电子的
定向移动形成的电子电流,二是价电子的递补形成的空穴电流;
在半导体中,同时存在着电子导电和空穴导电; 自由电子和空穴统称为载流子;
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
空穴移动
Si
Si
Si
Si
Si Si Si Si
一.半导体基础知识
在外电场的作用下,有空穴的A原子可以吸引相邻B原子中的价电子 ,B原子失去价电子成了带空穴的原子,B原子也可以由相邻C原子 的价电子来递补,这样好像空穴由A原子运动到了C原子。
空穴
带空穴的A原子
带空穴的B原子
一.半导体基础知识
4.PN结及其单向导电性 1)PN结:将P型半导体和N型半导体结合在一起,在P型半导体和N型
半导体的交界面形成一个特殊的薄层,称为PN结;
一.半导体基础知识
P型半导体和N型半导体的交界面处出现 自由电子和空穴的浓度差。
由于浓度的差别,自由电子和空穴都 要从浓度高的区域向浓度低的区域 扩散。
光敏电阻
③ 对压力敏感
压敏电阻
一.半导体基础知识
掺入某种杂质后,
④
导电能 1)定义:完全纯净的、具有晶体结构的半导体称为本征半导体; 2)晶体结构(以Si为例)
一.半导体基础知识
+14 2 8 4
硅原子
si
si
si si si si si si si
第四单元半导体二极管和三极管优秀课件
扩散和漂移这一对 相反的运动最终达到 动态平衡,空间电荷 区的厚度固定不变。
形成空间电荷区浓度差
多子的扩散运动,在中间位置进行复合
扩散的结果使空间 电荷区变宽
空间电荷区也 称 PN 结
2、扩散运动和漂移运动的动态平衡
扩散强
内电场增强
漂移运动增强
两者平衡
PN结宽度基本稳定
3、PN结的单向导电性
加正向电压(正向偏置)
P接正、N接负
P 区 空间电荷区变窄
N区
---- -- + + + + + +
内电场
---- -- + + + + + +
---- -- + + + + + +
内电场
IF
外电场
+–
R
多子扩散加强 大的扩散电流
PN 结加正向电压时,正向电流较大,正向电阻 较小,称PN结处于导通状态。
加反向电压(反向偏置)
+ 44
共价健
S
S
i
i
最外层轨道上的四个电子称为价电子。
单晶硅中的共价健结构
所有的价电子都被共价键束缚,不会成为自由电子
自由电子浓度决定导电能力
价电子结合成共价键,他们既不像导体那样容易挣脱 原子核的束缚,也不像绝缘体那样束缚很紧
因此本征半导体的导电能力很弱,接近绝缘体。
3、本征激发和空穴自导由电电子
第四单元半导体二 极管和三极管
下面图片中各是什么?它们可以导电么?
半导体:导电能力介乎于导体和绝缘体之间的 物质。
第一节 半导体的基础知识
第9章 二极管和三极管
共价键中的两个电子,称为价电子。
2020/4/6
第9章 二极管和晶体管
4
Si
Si
Si
Si
本征半导体的导电机理
本征激发:价电子在获得一定 能量(温度升高或受光照)后, 即可挣脱原子核的束缚,成为 自由电子(带负电),同时共 价键中留下一个空位,称为空 穴(带正电)。
温度愈高,晶体中产生的 自由电子便愈多。
4. 在外加电压的作用下,P 型半导体中的电流 主要是 b ,N 型半导体中的电流主要是 a 。
(a. 电子电流、b.空穴电流)
2020/4/6
第9章 二极管和晶体管
9
9.2 PN结及其单向导电性
PN 结:P型半导体和N型半导体交界面的特殊薄层
1. PN 结加正向电压(正向偏置)
P接正、N接负
---- - - ---- - - ---- - -
(1)自由电子作定向运动 电子电流 (2)价电子递补空穴 空穴电流 自由电子和空穴成对地产生的同时,又不断复合。 在一定温度下,载流子的产生和复合达到动态平衡, 半导体中载流子便维持一定的数目。
注意: (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差; (2) 温度愈高, 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。
0.04 0.06 0.08 0.10 1.50 2.30 3.10 3.95 1.54 2.36 3.18 4.05
结论:
1)三电极电流关系:IE = IB + IC
2) IC IB , IC IE 3) IC IB
把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特 性称为晶体管的电流放大作用。
(b)面接触型
结面积大、正 向电流大、结电 容大,用于工频 大电流整流电路。
电工电子技术基础第十章
第二节 晶体三极管
不同的晶体管, 值不同,即电流的放大能力不同,一般为 20 ~ 200。 ② 直流电流放大系数 I C IB 通常 晶体管的放大作用的意义: 基极电流的微小变化引起集电极电流的较大变化,当基极 电路中输入一个小的信号电流 ib ,就可以在集电极电路中得到 一个与输入信号规律相同的放大的电流信号ic。 可见,晶体管是一个电流控制元件。
操作:调节(或改变 E1 )以改变基极电流 IB 的大小,记录 每一次测得的数据。
次数
电流
IB/mA IC/mA
1
0 0.01
2
0.01 0.56
3
0.02 1.14
4
0.03 1.74
5
0.04 2.33
IE/mA
0.01
0.57
1.16
1.77
2.37
(1)直流电流分配关系:
IE IC IB
晶体三极管
一、晶体管的结构 二、晶体管的放大作用
三、晶体管的三种工作状态
四、晶体管的主要参数 五、晶体管的管型和管脚判断
第二节 晶体三极管
一、晶体管的结构
1.结构和符号
、发射区 三个区:集电区、基区 (1)结构: 两个PN 结:集电结、发射结 发射极:e 三个区对应引出三个极: 基极:b 集电极:c
第二节 晶体三极管
(2)放大状态 UBE 大于死区电压,IB > 0,集电极电流 IC 受 IB 控制,即
I C I B 或 ΔI C Δ I B
晶体管处于放大状态的条件是:发射结正偏,集电结反偏, 即VC > VB > VE (NPN管,PNP管正好相反) 。
第二节 晶体三极管
二极管、三极管、晶闸管简介
5、 二极管作用: 整流:将交流电信号转换成直流电信号。 检波:用于高频信号的调解(信号转换)。 发光:用于装饰或各种信号指示。 变容:用于各种自动调谐电路。 光电:用于光的测量;当制成大面积的光电二极管,可当做一种能源,称为光电池。
整流(利用单向导电性)
把交流电变为直流电,称为整流。一个简单的二极管半波整流电路如图(a)所示。若二极管为理想二极管,当输入一 正弦波时,由图可知:正半周时,二极管导通(相当开关闭合),vo=vi;负半周时,二极管截止(相当开关打开), vo =0。其输入、输出波形见图(b)。整流电路是直流电源的一个组成部分。
vi
+
D
+
0
t
vi
RL
vo
vo
-
-
0
t
(a)
(b)
稳压
稳压二极管的特点就是反向通电尚未击穿前,其两端的电压基本保持不变。这样,当把稳压管接 入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压 将基本保持不变。 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示
1、正常二极管
二极管、三极管、晶闸管简介
晶体二极管(Diode)
1、二极管的构成 核心是PN结, P性材料和N性材料结合, 有2个出线 端,即二极管有正、负两个极
应用电路
整
稳
流
压
正极
positive
PN
负极
negative
限
幅
(a)
正极
负极
(b)
2、二极管的电路符号: D VD 3、 基本特性:单向导电性
4、分类: 根据材质分为:1)硅二极管(导通电压:0.5~0.7V) 2) 锗二极管(导通电压:0.2~0.3V) 根据用途分:整流二极管、检波二极管、稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管等
电力二极管与晶闸管幻灯片PPT
绪论
三、电力电子技术的应用
1〕一般工业
直流电动机调速,交流电机的变频调速,电化学工业,冶金工业中的高频或中频 感应加热电源、淬火电源及直流电弧炉电源
信设备中的高频开关电源。大型计算机、微型计算机内部的电源现在也都采用高
频开关电源。在各种电子装置中采用高频开关电源。
5〕家用电器 变频空调器是家用电器中应用电力电子技术的典型例子之一。电视 机、音响设备、家用计算机等电子设备的电源局部也都需要电力电子技术。此外, 有些洗衣机、电冰箱、微波炉等电器也应用了电力电子技术。
个重要特征。 电力电子技术归属于电气工程学科 电气工程学科中一个最为活泼的分支,其不断进步给电气工程的现代化
以巨大的推动力。 控制理论广泛用于电力电子技术,使电力电子装置和系统的性能满足各
种需求 电力电子技术可看成“弱电控制强电〞的技术,是“弱电和强电的接口
〞,控制理论是实现该接口的强有力纽带。
2〕交通运输
电气化铁道中,电动汽车 飞机、船舶的电源等。
3〕电力系统:直流输电,柔性交流输电〔FACTS〕,无功补偿和谐波抑制,晶闸
管控制电抗器〔TCR〕、静止无功发生器〔SVG〕、有源电力滤波器〔APF〕、
电
能
质
量
控
制
等
。
4〕电子装置用电源 各种电子装置一般都需要不同电压等级的直流电源供电。通
射和射频干扰小。
绪论
五、 电力电子器件的概念和特征 (1) 主电路〔main power circuit〕——电气设备或电力系统中,直接
电力二极管和晶闸管讲义课件
电力二极管和晶闸管讲义课件一、引言本讲义课件旨在介绍电力二极管和晶闸管的根本概念、工作原理以及应用领域。
电力二极管和晶闸管是电子器件中非常重要的组成局部,对于电力系统的平安运行和电能的调控起着至关重要的作用。
通过学习本讲义,您将能够了解到电力二极管和晶闸管的特性以及在实际应用中的具体用途。
二、电力二极管2.1 根本概念电力二极管,也称为肖特基二极管,是一种具有单向导电特性的半导体器件。
它由P型半导体和N型半导体组成,其中P型半导体为阳极〔A〕端,N型半导体为阴极〔K〕端。
当正向电压作用于二极管时,电流能够从阳极端流向阴极端;而当反向电压作用于二极管时,电流几乎不会通过二极管。
2.2 工作原理电力二极管的导电特性是由肖特基效应产生的。
肖特基效应是指当P型半导体和N型半导体相接触时,由于能带结构的不连续性,形成一个肖特势垒。
在正向电压作用下,势垒降低,电子能够克服势垒,从P型半导体向N型半导体注入,形成电流;而在反向电压作用下,势垒增加,阻碍电流的流动。
2.3 应用领域电力二极管在电力系统中有着广泛的应用。
其主要作用是实现电能的整流,即将交流电转换成直流电。
电力二极管可以作为整流器使用,将交流电源转换为电流仅在一个方向上流动的直流电源。
此外,电力二极管还可以用于电压倍增电路、脉冲调制电路等方面。
三、晶闸管3.1 根本概念晶闸管是一种具有控制特性的高功率半导体器件。
它由四层半导体构成,包括三个PN结。
晶闸管有三个主要引脚,包括阳极〔A〕、阴极〔K〕和控制极〔G〕。
晶闸管的主要特点是具有单向导通性和双向控制性,其导通与截止状态可通过控制极上的信号进行控制。
3.2 工作原理晶闸管的导通与截止是由PN结的正向偏置与反向偏置来控制的。
当控制极施加正向脉冲信号时,PN结之间的势垒会降低,使得晶闸管导通;而当控制极施加反向脉冲信号或不施加信号时,PN结之间的势垒会增加,使得晶闸管截止。
3.3 应用领域晶闸管在电力系统中有着广泛的应用。
最新第2讲 二极管、三极管PPT课件
1. 分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态; 2. 已知T导通时的UBE=0.7V,若uI=5V,则β在什么范围内T 处于放大状态?在什么范围内T处于饱和状态?
讨论二
2.7
ΔiC
PCMiCuCE
uCE=1V时的iC就是ICM
iC
iB
UC E
U(BR)CEO
由图示特性求出PCM、ICM、U (BR)CEO 、β。
讨论一
判断电路中二极管的工作状态,求解输出电压。
判断二极管工作状态的方法?
讨论二
1. V=2V、5V、10V时二极管中
的直流电流各为多少?
2. 若输入电压的有效值为5mV,
则上述各种情况下二极管中的交
ID
流电流各为多少? V=5V时,
rd
uD iD
UT IDQ
Q uD=V-iR
ID
V
UD R
V 较小时应实测伏安 特性,用图解法求ID。
直流电流 放大系数
IC
IB
iC
iB
ICEO(1)ICBO
交流电流放大系数
穿透电流 集电结反向电流
为什么基极开路集电极回 路会有穿透电流?
三、晶体管的共射输入特性和输出特性
1. 输入特性
iBf(uBE )UCE
为什么像PN结的伏安特性? 为什么UCE增大曲线右移? 为什么UCE增大到一定值曲 线右移就不明显了?
一、晶体管的结构和符号
为什么有孔?
小功率管
中功率管
大功率管
多子浓度高
多子浓度很 低,且很薄
面积大
晶体管有三个极、三个区、两个PN结。
二、晶体管的放大原理
放大的条 uuC BB E 件 U 0, o( n 即 u发 CE射 uB( E结集 正电 偏结 )反偏)
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可控硅的弱点有静态及动态的过载能力 较差;容易受干扰而误导通。
工作特性
在图(a)所示的电路中,晶闸管 的a、k极、指示灯HL、和电源VAA 构成的回路称为主回路。晶闸管 的g、k极、开关S和电源VGG构成 的回路称为触发电路或控制电路。 (1)正向阻断 在图(b)所示 电路中,指示灯不亮,这说明晶 闸管加正向电压,但控制极未加 正向电压时,管子不会导通,这 种状态称为晶闸管的正向阻断状 态。
二极管、三极管、晶闸管知识讲解
◆PN结
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为
P型半导体,另一侧掺杂成为N型半导
6
体,两个区域的交界处就形成了一个 特殊的薄层,称为PN结。
6
1、基本特性:单向导电性
6
2、分类: 根据材质分为:1)硅二极管(导通电压: 0.5~0.7V) 2) 锗二极管(导通电:0.2~0.3V)
c 触发导通
d 反向阻断
可控硅只有导通和关断两种工作状态,它具有 开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化, 此条件见下表
状态
从关断到导通
条件
1、阳极电位高于是阴极电位 2、控制极有足够的正向电压和电流
6
说明
两者缺一 不可
维持导通
1、阳极电位高于阴极电位 2、阳极电流大于维持电流
1、阳极电位低于阴极电位 2、阳极电流小于维持电流
6
整流(利用单向导电性)
把交流电变为直流电,称为整流。一个简单的二极 管半波整流电路如图(a)所示。若二极管为理想二极 管,当输入一正弦波时,由图可知:正半周时,二
6
极管导通(相当开关闭合),vo=vi;负半周时,二极 管截止(相当开关打开), vo =0。其输入、输出波 形见图(b)。整流电路是直流电源的一个组成部分。
6
半波可控整流波形
晶闸管承受正向电压而不导通的范围称为
控制角α,导通的范围称为导通角θ,通
过改变控制角α的大小,便可调整输出电
6
压VL的小。
6
图a
开关断开
b 正向阻断
(2)触发导通 在图(c)所示 电路中,晶闸管加正向电压,在 控制极上加正向触发电压,此时 指示灯亮,表明晶闸管导通,这 种状态称为晶闸管的触发导通。 (3)反向阻断 在图(d)所示 电路中,晶闸管加反向电压,即 a极接电源负极,k极接电源正极, 此时不论开关s闭合与否,指示 灯始终不亮。这说明当单向晶闸 管加反向电压时,不管控制极加 怎样的电压,它都不会导通,而 处于截止状态,这种状态称为晶 主回路加反向电压 闸管的反向阻断。
6
单相半波可控整流电路
6
2.工作原理 v2为正半周时,晶闸管V承受正向电压, 如果这时没加触发电压,则晶闸管处于正 向阻断状态,负载电压vL=0。 ωt1时刻给控制极加触发电压vg,晶闸 管V导通。 在ωt1~π期间,尽管vg在晶闸管导通 后即消失,但晶闸管仍然保持导通,此期 间负载电压vL与输人电压v2相等,直至 v2过零值(π时刻)时,晶闸管才自行关断。 在π~2π期间,v2进入负半周,晶闸 管承受反向电压,即使控制极加人vg也 不会导通,这时负载电压vL =0。
6
参照二极管测试方法判别三极管的基极 二极管测试
6
三级管测试
晶闸管(可控硅) 晶闸管SCR又称:晶体闸流管可控硅整
流器。
晶闸管可分单向晶闸管、双向晶闸管、 光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸 管、快速晶闸管,等等。
6
优质单向晶闸管可控硅
单向可控硅晶 闸管5000a
6
bt169d系列单向可控硅晶闸 管
两者缺一 不可
任一条件 即可
从导通到关断
半波可控整流电路
单向晶闸管在正向电压作用下,改变控制极触 发信号的触发时间,即可控制晶闸管导通的时 间,利用这种特性可以把交流电变成大小可调 的直流电,这样的电路称为可控整流电路。 1.电路构成 图所示为单相半波可控整流电路,它主要由整 流主电路和触发电路两大部分组成,可控整流 电路与普通整流电路相似,只是将整流二极管 换成晶闸管。
vi
+ vi -
D RL
+ vo
6
0 vo
t
- 0 (a ) (b) t
稳压
稳压二极管的特点就是反向通电尚 未击穿前,其两端的电压基本保持不变。 这样,当把稳压管接入电路以后,若由 于电源电压发生波动,或其它原因造成 电路中各点电压变动时,负载两端的电 压将基本保持不变。 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字 表示
6
用数字万用表测试三极管的方法: 三极管的测试
用二极管档位测量判断三极管的类型基 极b ,将三极管看成是背靠背的二极管, 按照判断二极管的方法,可以判断区分 出其中一个极为公共正极或公共负极,此 极即为基极b,对于NPN型三极管基极为公 共正极,对于PNP型三极管基极为公共负 极,以此来判断三极管是NPN型或PNP型。
6
二极管的检测
6
三极管
晶体三极管又称双极型晶体管,半导体三极管等。 分类及用途: 制造工艺不同:锗管、硅管。硅管应用广泛 结构不同:NPN、PNP,硅管大部分为NPN 工作频率不同:高频管(大于3MHZ),低频管 用途不同:普通管,开关管
6
根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制 造出三个掺杂区域,并形成两个PN结, 就构成了晶体管。
6
根据用途分:整流二极管、检波二极管、
稳压二极管、发光二极管、光电二极管、
变容二极管等
3、 二极管作用: 整流:将交流电信号转换成直流电信号。 检波:用于高频信号的调解(信号转换)。 发光:用于装饰或各种信号指示。 变容:用于各种自动调谐电路。 光电:用于光的测量;当制成大面积的 光电二极管,可当做一种能源,称为光电 池。
单向可控硅的结构
不管可控硅的外形如何,它们的管芯都是由P型 硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。它有三 个PN结(J1、J2、J3),从J1结构的P1层引 出阳极A,从N2层引出阴级K,从P2层引出控制 极G,所以它是一种四层三端的半导体器件。
6
可控硅的优点很多,例如:以小功率控 制大功率,功率放大倍数高达几十万倍; 反应极快,在微秒级内开通、关断;无 触点运行,无火花、无噪音;效率高, 成本低等等。