存储器扩展
计算机存储器的容量与扩展方式
计算机存储器的容量与扩展方式计算机存储器是计算机硬件中的一个重要组成部分，用于保存和处理数据。
随着计算机应用的不断发展，存储器的容量也在不断扩展，以满足对大量数据的存储和处理需求。
本文将详细介绍计算机存储器的容量与扩展方式，包括存储器的基本概念、计算机存储器的分类以及存储器扩展的不同方式。
一、存储器的基本概念1. 存储器的定义：存储器是计算机中用于保存数据的设备，它具有读写功能，可以实现对数据的存储和读取操作。
2. 存储单元：存储器是由许多存储单元组成的，每个存储单元可以存储一个字节（8位）的数据。
3. 存储器的访问速度：存储器的访问速度快，是因为它与计算机的主控制器之间通过总线相连，数据传输的速度较快。
二、计算机存储器的分类1. 内部存储器：也称为主存储器或随机访问存储器（RAM），它是计算机中最常用的存储器。
内存的容量直接决定了计算机可以同时处理的数据量大小。
2. 外部存储器：也称为辅助存储器或外部存储器（ROM），它一般用于长期存储数据，不易丢失。
常见的外部存储器包括硬盘、磁带等。
三、计算机存储器的扩展方式1. 增加存储芯片：通过增加存储芯片的数量，可以扩展计算机的存储容量。
这种方式适合于内部存储器的扩展，可以通过在计算机主板上增加内存插槽来实现。
但是，增加存储芯片的方式不适用于外部存储器的扩展。
2. 使用存储扩展卡：存储扩展卡是一种插入计算机主板上扩展槽的卡片，可以增加计算机的存储容量。
这种方式适合于用于扩展计算机的内部存储器，例如添加额外的硬盘。
3. 利用网络存储：通过网络连接，将计算机与其他设备连接起来，可以利用其他设备的存储空间。
这种方式适合于扩展计算机的外部存储空间，例如使用网络存储设备（NAS）。
4. 使用云存储：云存储是一种将数据存储在互联网上的方式，可以通过互联网将数据上传到云存储服务提供商的服务器上，实现数据的存储和访问。
这种方式适合于扩展计算机的外部存储空间，可以随时随地访问数据。
存储器扩展仿真实验报告
一、实验目的1. 理解存储器扩展的基本原理和方法。
2. 掌握位扩展和字扩展的技巧。
3. 利用仿真软件实现存储器扩展，并验证其功能。
二、实验环境1. 仿真软件：Logisim2. 硬件设备：电脑三、实验原理1. 存储器扩展的基本原理存储器扩展是指将多个存储器芯片组合在一起，以实现更大的存储容量或更高的数据位宽。
存储器扩展主要有两种方式：位扩展和字扩展。
（1）位扩展：当存储芯片的数据位小于CPU对数据位的要求时，可以通过位扩展方式解决。
位扩展时，将所有存储芯片的地址线、读写控制线并联后与CPU的地址线和读写控制线连接，各存储芯片的数据总线汇聚成更高位宽的数据总线与CPU的数据总线相连。
（2）字扩展：当存储芯片的存储容量不能满足CPU对存储容量的要求时，可以通过字扩展方式来扩展存储器。
字扩展时，将所有存储芯片的数据总线、读写控制线各自并联后与CPU数据总线、读写控制线相连，各存储芯片的片选信号由CPU高位多余的地址线译码产生。
2. 存储器扩展的方法（1）位扩展：选择合适的存储芯片，将多个存储芯片的数据总线并联，连接到CPU的数据总线上。
（2）字扩展：选择合适的存储芯片，将多个存储芯片的数据总线、读写控制线分别并联，连接到CPU的数据总线和读写控制线上。
同时，使用译码器产生片选信号，连接到各个存储芯片的片选端。
四、实验步骤1. 创建一个新的Logisim项目。
2. 在项目中添加以下模块：（1）存储芯片模块：选择合适的存储芯片，如RAM或ROM。
（2）译码器模块：根据存储芯片的数量和地址线的位数，选择合适的译码器。
（3）数据总线模块：根据位扩展或字扩展的要求，设置数据总线的位数。
（4）地址线模块：根据存储芯片的数量和地址线的位数，设置地址线的位数。
3. 连接各个模块：（1）将存储芯片的数据总线连接到数据总线模块。
（2）将存储芯片的地址线连接到地址线模块。
（3）将译码器的输出连接到各个存储芯片的片选端。
（4）将存储芯片的读写控制线连接到CPU的读写控制线上。
存储器扩展实验
实验一存储器扩展实验
1 实验目的
1)、熟悉存储器扩展方法。
2)、掌握存储器的读/写
2 实验预习要求
1)、复习教材中存储器扩展的有关内容，熟悉存储器扩展时地址总线、控制总线及数据总线的连接方法，
了解静态RAM的工作原理。
2)、预先编写好实验程序。
3 实验内容
1)、连接电路
2)、编写程序，将字母‘A’~‘Z’循环存储在扩展的SRAM 62256存储器芯片D8000H开始的单元中，然
后再将其从62256中读出并在屏幕上显示。
4 实验提示
1）、62256芯片的容量为32K⨯8位，芯片上的地址引脚A0~A14（共15根）连接至系统的地址总线A1~A15，用来对片内32K个存储单元进行寻址。
片选信号CS接至实验台的MY0。
芯片上的8个数据引脚D0~D7直接与系统的数据引脚相连。
控制信号RD、WR分别连接到实验台的MRD#和MWR#。
写操作时，芯片上的控制信号CS=0，WR=0，RD=1；读操作时，CS=0，RD=0，WR=1。
2）、实验程序流程图如图所示。
5 实验报告要求
1)、根据流程图编写实验程序，并说明在实验过程中遇到了哪些问题，是如何处理的。
2)、总结存储器系统的基本扩展方法。
3)、写出实验小结，内容包括实验心得（收获）、不足之处或今后应注意的问题等。
存储器扩展-
A9～ A0
WE CS R A M2 2114
I /O1～ I /O4
A9～ A0
WE CS R A M3 2114
I /O1～ I /O4
D7～ D4 WR
字位同时扩展连接图
I /O1～ I /O4 WE CS
R A M4 2114 A9～ A0
A9～ A0 WE CS
R A M4 2114 I /O1～ I /O4
RAM1 2114 I/O1～I/O4
I/O1～I/O4 WE CS
RAM2 2114 A9～A0
A9～A0 WE CS
RAM2 2114 I/O1～I/O4
I/O1～I/O4 WE CS
RAM3 2114 A9～A0
A9～A0 WE CS
RAM3 2114 I/O1～I/O4
I/O1～I/O4 WE CS
A11
A10
译码器
1
2
3
4
A9~A0 CPU
1 CS
1K×4
WE I/O1~4
2 CS
1K×4
WE I/O1~4
D7~D4
D3~D0
1 CS
1K×4
WE I/O1~4
2 CS
1K×4
WE I/O1~4
D7~D4
D3~D0
WE D7~D0
D7~D0
D7~D0
D7~D0
字位同时扩展构成4K×8存储器电路连接示意图
3
2. 字扩展(地址范围)
字扩展用于存储芯片的位数满足要求而字数不够的情况，是
对存储单元数量的扩3 展。
A15
2-4 译
2
码1
单片机存储器扩展
单片机存储器扩展在单片机的应用中，常常会遇到内部存储器容量不足的情况。
这时候，就需要对单片机的存储器进行扩展，以满足系统对存储容量的需求。
单片机的存储器可以分为程序存储器和数据存储器。
程序存储器用于存储单片机运行的程序代码，而数据存储器则用于存储程序运行过程中的数据。
当单片机内部的存储器无法满足应用需求时，就需要通过外部扩展来增加存储容量。
在进行存储器扩展之前，我们需要了解单片机的存储器寻址方式。
不同的单片机可能有不同的寻址方式，但通常都包括直接寻址、间接寻址和变址寻址等。
了解寻址方式对于正确进行存储器扩展至关重要。
对于程序存储器的扩展，常用的方法是使用外部只读存储器（ROM），如 EPROM（可擦除可编程只读存储器）、EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）等。
扩展时，需要将外部 ROM 与单片机的地址总线、数据总线和控制总线正确连接。
地址总线用于指定存储器的地址，数据总线用于传输数据，控制总线则用于控制存储器的读写操作。
以常见的 8051 单片机为例，它的地址总线为 16 位，可以寻址64KB 的存储空间。
如果要扩展 32KB 的程序存储器，我们可以选用一片容量为 32KB 的 EPROM 芯片，如 27256。
将 EPROM 的地址线 A0A14 与单片机的地址总线 A0 A14 相连，数据线 D0 D7 与单片机的数据总线 D0 D7 相连。
控制总线中的片选信号（CS）通常通过地址译码器来产生，以确保在特定的地址范围内选中该 EPROM 芯片。
在数据存储器的扩展方面，常用的是外部随机存取存储器（RAM），如静态 RAM（SRAM）和动态 RAM（DRAM）。
SRAM 速度较快，但价格相对较高；DRAM 价格较低，但需要不断刷新。
同样以 8051 单片机为例，如果要扩展 8KB 的数据存储器，可以选用一片 6264 SRAM 芯片。
连接方式与程序存储器扩展类似，地址线和数据线分别与单片机的对应总线相连。
存储器的扩展原理
存储器的扩展原理
存储器的扩展原理主要是通过增加存储芯片的数量来扩大存储容量。
由于单片存储芯片的容量有限，难以满足实际需求，因此需要将多片存储芯片连接在一起，以组成容量更大的存储器。
扩展存储器的方式主要有位扩展和字扩展两种。
位扩展是在位数方向上扩展，而字扩展是在字数方向上扩展。
在位扩展中，需要将多个存储芯片的位数相加，以增加数据线的数量。
例如，如果要将一个1K x 4位的存储芯片扩展
为1K x 8位的存储芯片，可以采用两片1K x 4位的存储芯片，并将它们连接在一起。
这样，两个芯片共用相同的片选信号，同时被选中，每个芯片进行读或写4位数据，两个芯片合在一起就是8位数据。
在字扩展中，需要将多个存储芯片的字数相加，以增加地址线的数量。
例如，如果要将一个1K x 8位的存储芯片扩展为2K x 8位的存储芯片，可以采用两片1K x 8位的存储芯片，并将它们连接在一起。
这样，两个芯片共用相
同的片选信号和数据线，同时被选中，每个芯片存储一个字的数据，两个芯片合在一起就是两个字的数据。
总之，通过位扩展和字扩展的方式，可以将多个存储芯片连接在一起，以组成容量更大的存储器，以满足实际需求。
存储器扩展实验报告
存储器扩展实验报告存储器扩展实验报告引言：存储器是计算机系统中至关重要的组成部分，对于数据的存储和读取起着至关重要的作用。
在计算机科学领域中，存储器扩展是一项重要的技术，可以提高计算机系统的性能和容量。
本实验旨在通过对存储器扩展的探索和实践，深入了解存储器的工作原理和扩展方法。
一、存储器的基本原理存储器是计算机中用于存储和检索数据的硬件设备。
它可以分为主存储器和辅助存储器两种类型。
主存储器是计算机系统中最重要的存储器，它用于存储正在运行的程序和数据。
辅助存储器则用于存储大量的数据和程序，常见的辅助存储器包括硬盘、光盘和闪存等。
二、存储器的扩展方法存储器的扩展方法有很多种，本实验主要探索两种常见的扩展方法：内存条扩展和虚拟内存扩展。
1. 内存条扩展内存条扩展是通过增加计算机内部的内存条数量来扩展存储器容量的方法。
在实验中，我们使用了两根相同规格的内存条，将其插入计算机主板上的内存插槽中，从而增加了系统的内存容量。
通过这种扩展方法，我们可以提高计算机的运行速度和处理能力。
2. 虚拟内存扩展虚拟内存是一种将计算机内存和硬盘空间结合起来使用的技术。
在实验中，我们通过调整计算机系统的虚拟内存设置，将部分数据和程序存储在硬盘上，从而扩展了存储器的容量。
虚拟内存的扩展方法可以有效地提高计算机的性能和运行效率。
三、实验过程与结果在实验中，我们首先进行了内存条扩展的实践。
通过将两根内存条插入计算机主板上的内存插槽中，我们成功地扩展了计算机的内存容量。
在进行实际操作时，我们注意到计算机的运行速度明显提高，程序的加载和执行时间也大大缩短。
接着，我们进行了虚拟内存扩展的实验。
通过调整计算机系统的虚拟内存设置，我们将部分数据和程序存储在硬盘上。
在实际操作中，我们发现虚拟内存的扩展使得计算机可以同时运行更多的程序，且不会出现内存不足的情况。
这大大提高了计算机的运行效率和多任务处理能力。
四、实验总结与心得通过本次实验，我们深入了解了存储器的工作原理和扩展方法。
主存储器容量扩展的方法
主存储器容量扩展的方法主存储器容量是计算机系统中重要的组成部分，它直接影响着计算机的运行速度和能力。
在现代计算机系统中，随着计算机应用场景的不断扩展，对主存储器容量的需求也越来越大。
为了满足这一需求，人们提出了各种方法来扩展主存储器容量。
本文将系统地介绍主存储器容量扩展的方法。
主存储器容量扩展的方法可以分为物理方法和逻辑方法两大类。
物理方法主要包括增设内存条、使用高密度存储器件和分布式存储系统等；逻辑方法则主要包括虚拟存储和页面置换等。
一、增设内存条增设内存条是增加主存储器容量的最简单也是最直接的方法之一。
通过增加内存条的数量，就可以扩展主存储器的容量。
这种方法的优点是简单、成本低，但也存在一定的限制，因为主板的插槽数量和支持的内存条容量有限。
二、使用高密度存储器件随着半导体技术的发展，高密度存储器件如DRAM（动态随机存储器）和NAND 闪存逐渐成为了一种常见的主存储器扩展方法。
DRAM是一种非常快速的主存储器，但它的存储密度有限；而NAND闪存具有非常高的存储密度和可擦写性，但速度相对较慢。
使用高密度存储器件扩展主存储器容量的方法有多种。
一种常见的方法是通过内存芯片的堆叠来增加DRAM芯片的存储密度。
例如，3D XPoint技术可以将多个DRAM芯片堆叠在一起，从而实现更高的存储密度。
另一种常见的方法是采用闪存作为主存储器。
闪存具有非常高的存储密度和较低的功耗，因此它在嵌入式系统和移动设备中得到了广泛的应用。
在这种方案中，计算机系统将数据从主存储器复制到闪存中，在需要时再将数据从闪存中读取到主存储器中。
这种方法的优点是可以显著提高主存储器的容量，但其缺点是速度相对较慢，并且需要额外的控制逻辑。
三、分布式存储系统分布式存储系统是一种通过网络将多个计算机的存储资源组合起来形成一个虚拟的存储系统，从而扩展主存储器容量的方法。
在分布式存储系统中，多个计算机通过网络连接在一起，彼此共享各自的存储资源。
存储器的扩展实验总结
存储器的扩展实验总结：
一、实验目的
本次实验旨在通过实际操作，深入了解存储器的扩展原理和方法，掌握存储器扩展的基本技能，提高对计算机存储系统的认识和理解。
二、实验原理
存储器扩展主要涉及地址线的扩展和数据线的扩展。
通过增加地址线和数据线的数量，可以增加存储器的容量。
此外，还可以采用位扩展、字扩展和字位同时扩展的方法来扩展存储器。
三、实验步骤
1.准备实验材料：包括存储器芯片、地址线、数据线等。
2.搭建实验电路：将存储器芯片与地址线和数据线连接，形成完整的存储器扩展电路。
3.初始化存储器：对存储器进行初始化操作，设置初始地址和数据。
4.读取和写入数据：通过地址线和数据线，对存储器进行读取和写入操作。
5.验证结果：比较写入的数据与读取的数据，确保数据的正确性。
四、实验结果
通过实验，我们成功实现了存储器的扩展，并验证了数据的正确性。
实验结果表明，通过增加地址线和数据线的数量，可以有效地扩展存储器的容量。
五、实验总结
通过本次实验，我们深入了解了存储器的扩展原理和方法，掌握了存储器扩展的基本技能。
同时，我们也认识到在实际应用中，需要根据具体需求选择合适的扩展方法，以确保存储器的容量和性能满足要求。
此外，我们还应注意数据的正确性和稳定性，确保存储器的可靠性和稳定性。
存储器的扩展课程设计
存储器的扩展课程设计一、课程目标知识目标：1. 学生能理解存储器的基本概念，掌握存储器扩展的原理及方法。
2. 学生能了解不同类型存储器的特点，例如RAM、ROM、EEPROM等，并掌握其应用场景。
3. 学生能掌握存储器地址线和数据线的连接方式，理解存储器容量与地址线位数的关系。
技能目标：1. 学生具备分析和设计简单存储器扩展电路的能力，能运用所学知识解决实际问题。
2. 学生能运用相关软件工具（如仿真软件）进行存储器扩展电路的搭建和测试。
3. 学生通过小组合作，提高沟通与协作能力，培养团队精神。
情感态度价值观目标：1. 学生培养对电子技术学科的兴趣，提高学习积极性。
2. 学生认识到存储器扩展技术在现实生活中的应用，增强实践意识和创新意识。
3. 学生在小组合作中学会尊重他人意见，培养良好的团队合作精神和沟通能力。
课程性质：本课程为电子技术学科的一门实用技术课程，旨在帮助学生掌握存储器扩展技术的基本原理和方法，提高实践操作能力。
学生特点：本课程针对的是高年级学生，他们已经具备了一定的电子技术基础知识，具有较强的学习能力和动手能力。
教学要求：教师应注重理论与实践相结合，采用启发式教学，引导学生主动探索、积极思考，培养学生的创新意识和实际操作能力。
同时，注重评估学生在课程中的学习成果，确保课程目标的达成。
二、教学内容1. 存储器概述- 存储器的分类及特点- 存储器的基本工作原理2. 存储器扩展技术- 扩展存储器的基本原理- 地址线、数据线的连接方法- 存储器容量与地址线位数的关系3. 常用存储器芯片介绍- RAM、ROM、EEPROM等存储器芯片- 各类存储器芯片的引脚功能及内部结构4. 存储器扩展电路设计- 存储器扩展电路的设计方法- 地址译码器、数据缓冲器等组件的应用- 存储器扩展电路的仿真与测试5. 实践操作- 搭建简单存储器扩展电路- 编写测试程序，验证存储器扩展电路的功能- 分析实验结果，优化存储器扩展电路设计教学内容安排和进度：第1-2周：学习存储器概述、存储器扩展技术相关理论知识第3-4周：介绍常用存储器芯片，分析其内部结构和引脚功能第5-6周：设计存储器扩展电路，进行仿真与测试第7-8周：实践操作，搭建存储器扩展电路，编写测试程序，验证电路功能教材章节关联：本教学内容与教材中关于存储器及其扩展技术的章节紧密相关，涵盖了存储器的基本概念、工作原理、扩展方法以及实践应用等方面。
存储器扩展实验报告
一、实验目的1. 了解存储器的结构及其与CPU的连接方式。
2. 掌握存储器的位扩展、字扩展和字位扩展方法。
3. 通过实际操作，加深对存储器扩展原理的理解，提高动手实践能力。
二、实验原理存储器扩展是计算机硬件设计中常见的技术，目的是为了满足系统对存储容量的需求。
存储器扩展主要分为位扩展、字扩展和字位扩展三种方式。
1. 位扩展：当存储芯片的数据位小于CPU对数据位的要求时，可以通过位扩展来解决。
位扩展是将多个存储芯片的数据总线并联，形成一个更高位宽的数据总线，与CPU的数据总线相连。
2. 字扩展：当存储芯片的存储容量不能满足CPU对存储容量的要求时，可以通过字扩展来解决。
字扩展是将多个存储芯片的数据总线、读写控制线并联，形成一个更大容量的存储器，与CPU的数据总线、读写控制线相连。
3. 字位扩展：字位扩展是位扩展和字扩展的结合，既能扩展存储容量，又能扩展数据位宽。
三、实验设备1. 实验箱2. 逻辑分析仪3. 逻辑门电路4. 实验指导书四、实验步骤1. 搭建存储器扩展电路（1）根据实验要求，选择合适的存储芯片，如SRAM、ROM等。
（2）根据存储芯片的规格，确定存储器的容量、数据位宽和地址线位数。
（3）根据存储器的容量和位宽，计算所需的存储芯片数量。
（4）搭建存储器扩展电路，包括存储芯片、地址译码器、数据线、读写控制线等。
2. 仿真实验（1）使用逻辑分析仪观察存储器扩展电路的信号波形。
（2）通过实验指导书提供的测试程序，对存储器进行读写操作。
（3）观察逻辑分析仪的信号波形，分析存储器扩展电路的工作情况。
3. 分析实验结果（1）根据实验结果，验证存储器扩展电路是否满足实验要求。
（2）分析存储器扩展电路的优缺点，提出改进措施。
五、实验结果与分析1. 实验结果通过实验，搭建了存储器扩展电路，实现了存储器的位扩展、字扩展和字位扩展。
逻辑分析仪的信号波形显示，存储器扩展电路工作正常，满足实验要求。
2. 实验分析（1）位扩展：通过位扩展，实现了存储器数据位宽的增加，满足了CPU对数据位宽的要求。
51单片机外部存储器的扩展
一、地址线旳译码
存储器芯片旳选择有两种措施：线选法和译码法。
1、线选法。所谓线选法，就是直接以系统旳地址线作为 存储器芯片旳片选信号，为此只需把用到旳地址线与存储 器芯片旳片选端直接相连即可。 2、译码法。所谓译码法，就是使用地址译码器对系统旳 片外地址进行译码，以其译码输出作为存储器芯片旳片选 信号。译码法又分为完全译码和部分译码两种。
ALE
8051
LE OE
P0.7
8D 8Q
P0.6
7D 7Q
P0.5
6D 6Q
P0.4
5D 5Q
P0.3
4D 4Q
P0.2
3D 3Q
P0.1
2D 2Q
P0.0
1D 1Q
74HC573 地址总线扩展电路
OE：输出允许端，为0
时芯片有效。
A7
LE：锁存控制端，高电
A6 平时，锁存器旳数据输出端
A5 Q旳状态，与数据输入端D
（1）完全译码。地址译码器使用了全部地址线，地址与存储 单元一一相应，也就是1个存储单元只占用1个唯一旳地址。
（2）部分译码。地址译码器仅使用了部分地址线，地址与存 储单元不是一一相应，而是1个存储单元占用了几种地址。
❖ 二、扩展存储器所需芯片数目旳确定
❖
若所选存储器芯片字长与单片机字长
一致，则只需扩展容量。所需芯片数目按下式
07~00 I0~I7
× 8 ）
扩
锁存器
展
74 HC 573 D0~D7
8位数据
RD
OE
WR
GND WE
图2.2-13 8031与6264的连接
单片机电子课件外部存储器的扩展
SPI接口采用主从模式，有一个主设备和一个或多个从设备。 主设备通过SCK信号线控制数据传输，从设备根据主设备的 时钟信号进行数据读写。SPI接口具有高速、简单、易扩展等 优点，适用于多种类型的存储器扩展。
I2C接口
总结词
I2C接口是一种多主机总线，常用于连接单片机和各种外设。
详细描述
I2C接口采用两线制，分别是数据线SDA和时钟线SCL。多个设备可以共用这两 根线，通过地址码进行设备间的通信。I2C接口具有简单、灵活、可靠性高等优 点，适用于连接各种传感器、存储器等外设。
详细描述
例如IDE接口、USB接口等。这些接口技术各有特点，适用于不同的应用场景。IDE接口通常用于连接硬盘等大容 量存储设备，而USB接口则具有通用性高、易于扩展等优点。
05
扩展外部存储器的硬件设计
存储器芯片的选择
闪存芯片
闪存芯片具有非易失性，断电后 数据不会丢失，且容量大、体积
小，适合存储大量数据。
随着技术的发展，单片机逐渐发展成 为嵌入式系统的重要组成部分，广泛 应用于各种领域。
现代单片机
现代单片机采用32位或64位处理器，具 有更强大的计算能力和更丰富的外设接 口，能够满足更复杂的应用需求。
03
外部存储器概述
外部存储器的分类
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)：电可 擦除可编程只读存储器，可以通过电子方式擦
除和编程。
SRAM (Static Random-Access Memory)： 静态随机存取存储器，读写速度快，但价格较
高。
Flash Memory：闪存，是一种非易失性存储 器，可以在断电后保存数据。
存储器扩展
存储器扩展存储器的扩展分为容量扩展（也叫字扩展）、位扩展和字位都扩展三种情况，容量扩展是芯片位数不变的情况下，即不增加数据线的情况下，增加芯片扩充容量。
容量扩展主要是要考虑译码方式，地址线的连接，读写信号的连接，芯片的地址范围等问题。
下面我们举例说明。
例1 用Intel2716（2K×8位）芯片将存储器扩展为4K×8位的存储器系统，并写出每个芯片的地址范围（假设A=0）。
首先要考虑需要多少片芯片，在这里有两片就可以了。
其次要考虑译码方式，使用线译码和组合译码（使用译码器的）都可以，在这里只需两片2716，使用线译码地址线也够用，使用线译码即可。
第三要考虑地址线、数据线、控制线条数。
2716的容量是2KB，需要地址线11条，还需要2条分别作为两个芯片的片选信号。
2716是8位芯片，需要8条数据线。
2716是只读存储器只需读信号即可。
第四画出存储器系统的连线图。
第五写出每片2716的地址范围。
A19 A18… A13A12A11A10… A1A1# 1 0 0 0 … 0 01 0 1 1 … 1 02# 0 1 0 0 … 0 00 1 1 1 … 1 0地址范围：1# 02000H~02FFEH2# 01000H~01FFEH例2 使用6264（8K×8）位的RAM芯片组成24K×8位的存储器系统，假设A=0，画出系统连接图，并写出各个芯片的地址范围。
首先要考虑需要多少片芯片，在这里需要三片RAM芯片。
其次要考虑译码方式，在这里使用组合译码，即采用译码器。
第三要考虑地址线、数据线、控制线条数。
此芯片的容量是8KB，需要地址线13条，还需要3条作为74LS138译码器的三个输入端。
此芯片是8位芯片，需要8条数据线。
这是一个RAM芯片，还需要读、写信号。
第四画出存储器系统的连线图。
第五写出每片6264的地址范围。
A19 A18A17… A13A12A11A10… A1A1# 0 1 1 0 0 0 0 … 0 00 1 1 1 1 1 1 … 1 02# 1 0 1 0 0 0 0 … 0 01 0 1 1 1 1 1 … 1 03# 1 1 1 0 0 0 0 … 0 01 1 1 1 1 1 1 … 1 0地址范围：1# 60000H~63FFEH2# A0000H~A3FFEH3# E0000H~E3FFEH对于存储器扩展要注意如下问题：1、考虑清楚译码方式的选择。
存储容量的扩展
芯片 号 0
1
地址范围
最低地址 最高地址 最低地址 最高地址
片选 A10 0 0 1 1
8根数据线
片内地址 A9A8 … A0 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111
•••
•••
芯片 号 0
1 A10 A9 A1 A0
D7
D0 WE
地址范围
最低地址 最高地址 最低地址 最高地址
EC000~EDFFF EE000~EFFFF
例4： 设CPU共有16根地址线，8根数据线，并 用-MREQ（低电平有效）作访存控制信号，R/W作读写命令信号（高电平为读，低电平为写）。 现有下列存储芯片：
ROM（2K × 8位，4K × 4位，8K × 8位）， RAM（1K × 4位，2K × 8位，4K × 8位），及 74138译码器和其他门电路（门电路自定）。试 从上述规格中选用合适芯片，画出CPU和存储芯 片的连接图。要求：
例2： 设有若干片256K×8位的SRAM芯片， 问：
(1) 如何构成2048K×32位的存储器？ (2) 需要多少片RAM芯片？ (3) 该存储器需要多少字节地址位？ (4) 画出该存储器与CPU连接的结构图， 设CPU的接口信号有地址信号、数据信号、 控制信号MREQ#和R/W#。
解：采用字位扩展的方法。需要32片SRAM芯片。
MREQ# A22-2 R/W#
CPU
D31~D0
OE# A22-20 ramsel0
3-8 译码
ramsel1
ramsel2
A19-2
WE A CE
WE A CE
WE A CE
256Kx8 4片
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百色学院数计系
3. 字位扩展 当需要同时位扩充与字扩充时， 当需要同时位扩充与字扩充时，可以将上述两种 方法结合起来使用。 方法结合起来使用。 扩充需要的芯片数量计算： 扩充需要的芯片数量计算： 要构成一个容量M×N位的存储器，若使用l×k 要构成一个容量 × 位的存储器，若使用 × 位的存储器 位的芯片（ ＜ ， ），则构成这样存储 位的芯片（l＜M，k ＜ N），则构成这样存储 ）， 器需要 M×N × 1×k
由地址线数目决定
由数据线数目决定
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1. 位扩展
适用场合：存储器芯片的容量满足存储器系统的要求， 适用场合：存储器芯片的容量满足存储器系统的要求， 但其字长小于存储器系统的要求。 但其字长小于存储器系统的要求。 一块实际的存储芯片，其存储单元的位数（即字长） 一块实际的存储芯片，其存储单元的位数（即字长） 通常与实际内存单元的字长并不相等， 通常与实际内存单元的字长并不相等，如SRAM芯 芯 位等。 片2114为1K×4位，芯片 为 × 位 芯片2164为64K×1位等。 为 × 位等
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3. 字位扩展 【例5-5】用Intel2164（64K×1）构成容量为 】 （ × ） 128KB的内存，连接线路如图示。 的内存， 图示。 的内存 连接线路如图示 所需的芯片数： 所需的芯片数： （128×8 ） /（64×1）=16片 × （ × ） 片 8片组成64KB的内存模块 片组成 的内存模块 2组8内存模块构成 组 内存模块构成 内存模块构成128KB的内容容量 的内容容量
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2. 字扩展
适用场合： 适用场合：存储器芯片的字长符合存储器系统的 要求，但其容量小于存储器系统的要求。 要求，但其容量小于存储器系统的要求。 这时，可使用到地址译码电路，以其输入的地址 这时，可使用到地址译码电路， 码来区分高位地址，而以其输出端的控制线来对 码来区分高位地址， 具有相同低位地址的几片存储器芯片进行片选。 具有相同低位地址的几片存储器芯片进行片选。 地址译码电路是一种可以将地址码翻译成相应控 译码器， 译码器等 译码器等。 制信号的电路。 译码器 制信号的电路。有2-4译码器，3-8译码器等。
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6.4.1 存储器芯片的扩充技术
任何存储芯片的容量都是有限的， 任何存储芯片的容量都是有限的，要构成一定容 量的内存，往往单个芯片不能满足要求， 量的内存，往往单个芯片不能满足要求，这时就 需要用多个存储芯片进行组合， 需要用多个存储芯片进行组合，以满足对存储容 量的要求。 这种组合称为存储器的扩展。 量的要求。 这种组合称为存储器的扩展 存储器的扩展。
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6.4.1 存储器芯片的扩展技术
存储器芯片扩充的方法有3 存储器芯片扩充的方法有3种 ： 1 位扩展 字扩展 字位扩展
2
3
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1. 位扩展
适用场合：存储器芯片的容量满足存储器系统的要求， 适用场合：存储器芯片的容量满足存储器系统的要求， 但其字长小于存储器系统的要求。 但其字长小于存储器系统的要求。
D7~D0
#2
D7~D0
#1
D7~D0
数据总线
D7~D0
取值范围
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存储器芯片取值范围 地 A15 A14 0 0 1 1
0 0 0 0
址 A13~A0 到全1 全0到全 到全 到全1 全0到全 到全 到全1 全0到全 到全 全0到全 到全1 到全
译码器 选中的 芯片 输出 Y0 Y1 Y2 Y3 #1 #2 #3 #4
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这是你们收获的季节,丰收去吧！
1. 位扩展
假设要存储字符A 假设要存储字符 （ASCII码41H=0100 0001B） 码 ）
地址总线AB 地址总线
4KB
/写信号 读/写信号
R/W
片选信号
A11~A0 4K×4 × SRAM CS D3~D0
R/W
A11~A0 4K×4 × SRAM CS D3~D0
数据总线
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/写信号 读/写信号
R/W
片选信号
A11~A0 4K×4 × SRAM CS D3~D0
R/W
A11~A0 4K×4 × SRAM CS D3~D0
D7~D4
D3~D0
0100 0001
数据总线DB 数据总线
位扩充连接示意图
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2. 字扩展
CPU是根据存储器的地址访问相应的内 是根据存储器的地址访问相应的内 地址总线AB 地址总线 地址是唯一的， 容，地址是唯一的，因此每一块芯片的 地址范围不同， 地址范围不同，则可以连接译码器不同 的输出端对存储器芯片进行片选。 的输出端对存储器芯片进行片选。
A13~A0 CS A13~A0 CS A13~A0 CS A13~A0 CS
#1
D7~D0
#2
D7~D0
#3
D7~D0
#4
D7~D0
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6.4.1 存储器芯片的扩充技术
微机系统的规模、应用场合不同， 微机系统的规模、应用场合不同，对存储器系统 的容量、类型的要求也必不相同。 的容量、类型的要求也必不相同。 一般情况下，需要用不同类型，不同规格的存储 一般情况下，需要用不同类型， 器芯片，通过适当的硬件连接， 器芯片，通过适当的硬件连接，来构成所需要的 存储器系统，这就是本节所需要讨论的内容。 存储器系统，这就是本节所需要讨论的内容。
A15~A0 A15~A0 A15~A0 A15~A0 A15~A0 CS A15~A0 CS A15~A0 CS A15~A0#2 CS #1 CS #1 CS #1 CS #1 CS #1 #1 D7~D0 #1 D7~D0 D7~D0 D7~D0 D7~D0 D7~D0 D7~D0 D7~D0
地址范围 0000H~3FFFH 0400H~7FFFH 8000H~BFFFH C000H~FFFFH
0000H ~ 3FFFH
0 1 0 1
0 1
A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1Leabharlann 0 10 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
A0
Y0
2-4 译码器
A1
Y1 Y2 Y3
(b)逻辑关系表 逻辑关系表
(a)逻辑符号 逻辑符号
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2. 字扩展
A15 A14 2-4 译码器 Y0 Y1 Y2 Y3
A13~A0
地址总线 CPU
A13~A0 CS A13~A0 CS A13~A0 CS A13~A0 CS
#4
D7~D0
#3
2114
A
0
1
0
0
0 0
0
1 要用这一芯片来构成实际上按字 节组织的内存空间，就需要进行 节组织的内存空间，
要用这一芯片来构成实际上按字 节组织的内存空间，就需要进行 位的扩充，以满足字长的要求。 位的扩充，以满足字长的要求。
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1. 位扩展
位扩展构成的存储器系统的每个单元中的内容被 位扩展构成的存储器系统的每个单元中的内容被 存储在不同的存储芯片上。 存储在不同的存储芯片上。 位的存储器芯片经位扩充构成4KB的存 例: 用4K×4位的存储器芯片经位扩充构成 × 位的存储器芯片经位扩充构成 的存 2片 存储芯片，扩充如图示 储器， 图示。 储器，需要 2片 存储芯片，扩充如图示。 4K×8 × =2片 片 4K×4 ×
微机原理与接口技术
主讲： 主讲：
第六章 存储器及其接口
概述 6.1 存储器的分类与组成 6.2 随机存取存储器（RAM） 随机存取存储器（ ） 6.3 只读存储器（ROM） 只读存储器（ ） 6.4 存储器的连接
6.4.1 存储器芯片的扩充技术 6.4.2 存储器与 存储器与CPU的连接 的连接 6.4.3 存储器与 存储器与CPU连接应注意的一些问题 连接应注意的一些问题 片选译码 片内译码
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3. 字位扩充
3. 字位扩充
百色学院数计系
小结 存储器扩充可以分为3个步骤： 存储器扩充可以分为 个步骤： 个步骤
STEP1 选择适合的芯片； 选择适合的芯片；
根据要求将芯片“多片并联” 根据要求将芯片“多片并联” STEP2 进行位扩充，设计出满足字 进行位扩充， 长要求的“存储模块” 长要求的“存储模块”； 对“存储模块”进行字扩充 存储模块” STEP3 ，构成符合要求的存储器。 构成符合要求的存储器。
字扩展连接示意图
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2. 字扩展
位的存储器芯片组成64K×8位存储器， 位存储器， 例：用16K×8位的存储器芯片组成 × 位的存储器芯片组成 × 位存储器 4片 片 连接线路如图示 图示。 需要存储芯片 ，连接线路如图示。 64K×8 × =4片 片 16K×8 × 16K×8位 × 位 14根地址线 根地址线A0~A13 根地址线
读/写信号 写信号
R/W A10~A0 R/W A10~A0
4KB
Y0
译码 电路
CS
2K×8 × SRAM D7~D0
2K×8 × SRAM CS D7~D0
Y1
数据总线DB 数据总线
字扩充连接示意图
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2. 字扩展
输入 输出 A1 A0 Y3 Y2 Y1 Y0 0 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1 0 1 1 0 1 1 1
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3. 字位扩展
微型机中内存的构成就是字位扩充的一个很好的 例子。 例子。 首先，存储器芯片生产厂制造出一个个独立的存 首先，存储器芯片生产厂制造出一个个独立的存 储芯片， 储芯片，如64M ×1，128M×1等； ， × 等 然后内存条生产厂将若干个芯片用位扩充的方法 然后内存条生产厂将若干个芯片用位扩充的方法 位扩充 组装成内存模块（ 内存条），如用64M×1的 ），如用 组装成内存模块（即内存条），如用 × 的 芯片组成64MB的内存条； 的内存条； 芯片组成 的内存条 最后， 最后，用户根据实际需要购买若干根内存条插到 主板上构成自己的内存系统 内存系统， 字扩充。 主板上构成自己的内存系统，即字扩充。