VDMOS基本工艺流程
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VDMOS基本工艺流程
器件的基本结构及实物图
工艺流程图
初始氧化
环光刻与环注入
环P推结与有源区光刻
JFET注入与栅氧化和JFET推结
多晶淀积与多晶激活与多晶光刻
P-注入与P阱推结与N+光刻
• RG • RG：此为栅极电阻。 • R=ρL/S • 其中，S电阻截面积、L电阻的长度、ρ电阻率；反观MOS器件的结构，
COSS理论分析
• COSS ：为栅极与漏极电容CGD同源极与漏 极电容CDS之和。而源漏间电容CDS大体上 可以认为是P阱区域与JFET区域形成的PN 结的电容。想要改变CDS，只要改变PN结 电容即可。而PN结理论计算公式以及影响 因素上面已经给出。
• 导通时间TON • 定义：
栅漏电容？？
CGS1和栅极与P型区电容CGS2部分。CGD为栅极与 漏极电容，从结构上看，即是栅极与JFET区的电 容，而整个电容结构为并联。故 • CISS=CGS1+CGS2+CGD
CISS理论计算
• 电容为C=εS/d • 其中，ε为极板间介质的介电常
数，S为极板面积，d为极板间 的距离。反观MOS器件结构， S为器件二维平面截面积，此为 固定值，d为PN结空间电荷区 长度W。 • 单边突变结PN结空间电荷区长 度W，热平衡时受杂质浓度影 响；当对PN结施加正向电压时， W变小；当施加负向电压时， W变大。 • 器件尺寸不变的情况下，我们 只考虑单位面积电容即可，即S 取1；
不 目变前；只而能电改子变迁掺移杂率浓度μn与n。单位电荷q为常数，故想要改变栅极电阻，
•CISS理论结构分析
• CISS：此为功率MOS在截止状态下的源极与漏极之 间和的。输入容量，即源栅电容CGS与栅漏电容CGD之
• CISS=CGS+CGD • 观察VDMOS结构发现，CGS分为栅极与N型区电容
栅漏电容指的是 JFET区？还是 区域？
L为栅极厚度，S为栅极二维平面的横截面。 ρ电阻率与栅极电导率σ 成倒数关系。
• σ活=是nq用μ，PO以CFL23K，N所65以N认C为为例栅，极栅是极N型分半为导SiO体2，层多和子多为晶电Si层子，，wenku.baidu.com迁多移晶率激μ 取电子迁移率μn，式中n为掺杂浓度，q为单位电荷。
• 综上，R=1/nq μn ×L/S • 由于栅氧厚度的改变会使其它参数随之改变，器件尺寸固定，故L与S
• C=ε/W
PN结正偏时，V为正；负偏时，V
为负。从式中可以看出，介电常数ε， 内建电势ψbi等均为定值，电容C与 杂质浓度成正比，可以通过改变掺
杂浓度的方法来改变电容。
CRSS理论分析
• CRSS：即CGD，为栅极与漏极之间电容，从 MOS结构上看，即为栅极与JFET区域电容。 根据上面对CISS的分析，目前最有效改变电 容的方式就是改变注入剂量，即半导体中 的掺杂浓度，来改变电容。
器件的基本结构及实物图
工艺流程图
初始氧化
环光刻与环注入
环P推结与有源区光刻
JFET注入与栅氧化和JFET推结
多晶淀积与多晶激活与多晶光刻
P-注入与P阱推结与N+光刻
• RG • RG：此为栅极电阻。 • R=ρL/S • 其中，S电阻截面积、L电阻的长度、ρ电阻率；反观MOS器件的结构，
COSS理论分析
• COSS ：为栅极与漏极电容CGD同源极与漏 极电容CDS之和。而源漏间电容CDS大体上 可以认为是P阱区域与JFET区域形成的PN 结的电容。想要改变CDS，只要改变PN结 电容即可。而PN结理论计算公式以及影响 因素上面已经给出。
• 导通时间TON • 定义：
栅漏电容？？
CGS1和栅极与P型区电容CGS2部分。CGD为栅极与 漏极电容，从结构上看，即是栅极与JFET区的电 容，而整个电容结构为并联。故 • CISS=CGS1+CGS2+CGD
CISS理论计算
• 电容为C=εS/d • 其中，ε为极板间介质的介电常
数，S为极板面积，d为极板间 的距离。反观MOS器件结构， S为器件二维平面截面积，此为 固定值，d为PN结空间电荷区 长度W。 • 单边突变结PN结空间电荷区长 度W，热平衡时受杂质浓度影 响；当对PN结施加正向电压时， W变小；当施加负向电压时， W变大。 • 器件尺寸不变的情况下，我们 只考虑单位面积电容即可，即S 取1；
不 目变前；只而能电改子变迁掺移杂率浓度μn与n。单位电荷q为常数，故想要改变栅极电阻，
•CISS理论结构分析
• CISS：此为功率MOS在截止状态下的源极与漏极之 间和的。输入容量，即源栅电容CGS与栅漏电容CGD之
• CISS=CGS+CGD • 观察VDMOS结构发现，CGS分为栅极与N型区电容
栅漏电容指的是 JFET区？还是 区域？
L为栅极厚度，S为栅极二维平面的横截面。 ρ电阻率与栅极电导率σ 成倒数关系。
• σ活=是nq用μ，PO以CFL23K，N所65以N认C为为例栅，极栅是极N型分半为导SiO体2，层多和子多为晶电Si层子，，wenku.baidu.com迁多移晶率激μ 取电子迁移率μn，式中n为掺杂浓度，q为单位电荷。
• 综上，R=1/nq μn ×L/S • 由于栅氧厚度的改变会使其它参数随之改变，器件尺寸固定，故L与S
• C=ε/W
PN结正偏时，V为正；负偏时，V
为负。从式中可以看出，介电常数ε， 内建电势ψbi等均为定值，电容C与 杂质浓度成正比，可以通过改变掺
杂浓度的方法来改变电容。
CRSS理论分析
• CRSS：即CGD，为栅极与漏极之间电容，从 MOS结构上看，即为栅极与JFET区域电容。 根据上面对CISS的分析，目前最有效改变电 容的方式就是改变注入剂量，即半导体中 的掺杂浓度，来改变电容。