中电44所光电器件手册
电子元器件zvp4424a中文资料_数据手册_IC数据表
ID=-1mA, VDS= VGS
Gate-Body Leakage
IGSS
Zero Gate Voltage Drain IDSS Current
100 nA -10 µA -100 µA
VGS=± 40V, VDS=0V VDS=-240 V, VGS=0 VDS=-190V, VGS=0V, T=125°C
On-State Drain Current
Static Drain-Source On-State Resistance
Forward Transconductance (1) (2)
ID(on) RDS(on)
gfs
-0.75 -1.0
7.1 9 8.8 11
125
A
VDS=-10 V, VGS=-10V
P-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 SEPTEMBER 94 FEATURES * 240 Volt VDS * RDS(on)=9Ω * Low threshold APPLICATIONS * Electronic Hook Switch
ZVP4424A
D G S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER Drain-Source Voltage Continuous Drain Current at Tamb=25°C Pulsed Drain Current Gate Source Voltage Power Dissipation at Tamb=25°C Operating and Storage Temperature Range
Ω
2019年整理航空航天元器件的选择精品资料
美军用电子元器件相关标准参考文献：GJB5714-2006 外购器材质量监督要求GJB546B-2011 电子元器件质量保证大纲GJB3404-1998 电子元器件选用管理要求GJB4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析方法GJB/Z35-1993 元器件降额准则使用GJB/Z299-2006 电子设备可靠性预计手册GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序GJB2438A-2002 混合集成电路通用规范GJB/Z299C-2006 电子设备可靠性预计手册MIL-STD-883G（2006版）美军用微电路检测方法标准MIL-PRF-38535J（2010版）美军用集成电路制造规范MIL-PRF-38534G （2009版）美军用混合集成电路制造规范MIL-HDBK-217F 美军用电子设备可靠性预计手册附：关于筛选试验的有关原则规定1 范围：本指导性技术文件所提供的元器件失效率数据仅适用于在正常工作条件下工作的电子设备可靠性预计；凡过应力使用，超过基本失效率表所列值的任何外推（如超过规定的温度范围，或电应力比大于1或等于0）都是无效的。
（摘自GJB548B-2005）一、引言自上世纪90年代起，世界军事装备开始了一场新的变革，变革的主要特点是将机械化军事形态转变成信息化军事形态，军队实现信息化，信息化装备逐渐主宰战场。
近年来，在美国发动的多次局部战争中，信息化装备在战场决策、指挥控制、空天一体、精确打击完成作战使命方面显示了巨大的军事优势。
军用电子元器件是信息化武器装备的核心部件和基本单元，在实现信息装备的作战功能方面具有关键性作用。
当前，我国武器装备更新换代，许多新研信息化装备进入批量生产阶段，因此，军用元器件的选用、使用管理在装备研制过程中非常重要，应引起高度重视。
二、概述我国军用电子元器件标准在七十年代实行“七专”技术条件（专人、专机、专料、专批、专检、专技、专卡），八十年代开始GJB军用标准的编制，现已基本完成了覆盖主要军用电子元器件门类的国家军用标准、行业军用标准和企业军用标准的制定，许多新型装备已安装和使用了国产军用电子元器件。
结型光电器件
− 1)
(4-4)
4.1 结型光电器件工作原理
当负载电阻RL断开(IL=0)时,P端对N端的电压称 为开路电压,用UOC表示,由式(4-2)得
U OC
kT IP = ln(1 + ) q I0
(4-5)
第 四 章
一般情况下,IP>>I0,所以
结 型 光 UOC表示：在一定温度下,开路电压与光电流的对数成 电 器 正比。即,与照度或光通量的对数成正比。 件
4.4 结型光电器件的放大电路
4.4.1 结型光电器件与 晶体三极管的连接 4.4.2 结型光电器件与 集成运算放大器的连接
第 四 章 结 型 光 电 器 件
4.5 特殊结型光电二极管
4.5
特殊结型光电二极管
4.5.1 象限探测器 PIN型光电二极管 4.5.2 PIN型光电二极管 4.5.3 雪崩光电二极管 4.5.4 紫外光电二极管 4.5.5 半导体色敏器件
第 四 章 结 型 光 电 器 件
4.2
硅光电池
硅光电池结构如图(a)所示。图(b)为光电池的 电路符号。
第 四 章 结 型 光 电 器 件
为便于透光和减小串联电阻,一般硅光电池的输 出电极多做成如图 (c)的形式。
4.2
硅光电池
硅光电池的工作原理如图 (a)所示,由此可写 出硅光电池的电流方程,即
I L = I P − I D = I P − I 0 ( e qU
/ kT
− 1)
第 四 章 结 型 光 电 器 件
硅光电池的等效电路见图(b)。进一步简化,可画成图 (c)所示等效电路。
返回
4.2
硅光电池
硅光电池的特性参数 1.光照特性 1.光照特性 2.光谱特性 2.光谱特性
国芯网 芯片 导购手册.pdf
国芯网联合军工产业推出国产化芯片产品导购手册
（北京太速科技有限公司 ）国芯网主要定位于国产芯片，其宗旨是全面梳理国产芯片型号、厂家、用户，以清晰的目录、丰富的产品、便捷的沟通实现国内电子元器件制造商、销售商和应用商的互动，促进国产芯片推广应用，为民族电子信息产业发展而付出自己的一份努力！
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联系人：杨雨欣
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成都泽耀科技有限公司 AS10 -M4463D -SMA 用户手册说明书
AS10-M4463D-SMA 用户使用手册v4.0AS10-M4463D-SMAAS10-M4463D-SMA是一款433MHz，100mW，高稳定性，绕射性能强，穿墙能力优秀的工业级的无线收发一体数传模块。
采用美国芯科实验室原装进口的SI4463射频芯片设计开发，具有接收灵敏度高，抗干扰能力强的特点。
采用SMA接口方便匹配高性能天线，并严格计算设计了精确的阻抗匹配网络，使得模块发射功率足，频谱特性好，谐波小，频道串扰小，体积小。
感容器件全部采用村田B档料，配以10ppm高精度晶振，工业级标准的典范。
AS10-M4463D-SMA序号参数名称参数值摘要1 射频芯片SI4463Silicon Labs2 模块尺寸24*16不含SMA3 模块重量 3.4g含SMA4 工作频段425M~525MHz 可通过软件调节，模块采用30M晶振5 生产工艺无铅环保工艺6 接口方式2*6*2.54mm直插7 供电电压 1.8 ~ 3.6VDC 注意：高于3.6V电压，将导致模块永久损毁8 通信电平0.7VCC ~ 3.6V VCC 指模块供电电压9 实测距离2000m 晴朗空旷，最大功率，高度1.5m，1k空中速率10 发射功率最大20dBm 约100mW11 空中速率0.123k ~ 1Mbps 软件可调，建议尽量使用低空速12 关断电流0.5uA 处于掉电模式13 发射电流80mA@100dBm 供电能力必须大于200mA14 接收电流13mA 平均值15 通信接口SPI 最高速率可达10Mbps16 发射长度单个数据包1~64字节单个数据包17 接收长度单个数据包1~64字节单个数据包18 RSSI 支持支持详见芯片手册19 天线接口SMA-KE外螺纹内孔，50Ω特性阻抗20 工作温度-40 ~ +85℃ 工业级21 工作湿度10% ~ 90% 相对湿度，无冷凝22 储存温度-40 ~ +125℃ 工业级23 接收灵敏度-126dBm@1kbps 详见芯片手册引脚序号引脚名称引脚方向引脚用途1 GND 地线，连接到电源参考地2 SDN 模块工作使能控制引脚，工作时为低电平（详见SI4463）3 GPIO3 输出连接模块内部射频开关的发射，可不连接，由SI4463智能控制4 GPIO2 输出连接模块内部射频开关的接收，可不连接，由SI4463智能控制5 nSEL 输入模块片选引脚，用于开始一个SPI通信6 MOSI 输入模块SPI数据输入引脚7 MISO 输出模块SPI数据输出引脚8 SCK 输入模块SPI时钟引脚9 IRQ 输出模块中断引脚10 GPIO1 输出模块信息输出引脚（详见SI4463 手册）11 GPIO0 输出模块信息输出引脚（详见SI4463 手册）12 VCC 供电电源，必须1.8 ~ 3.6V之间★ 关于模块的引脚定义、软件驱动及通信协议详见Silicon Labs 官方《SI4463 Datasheet》★注意事项AS10-M4463D-SMA 序号类别注意事项1静电高频模拟器件具有静电敏感特性，请尽可能避免人体接触模块上的电子元件（我司生产过程全部按照IC厂商官方防静电标准执行）。
光电耦合器件
500kHz。经过傅立叶变换，得
到含有各种频率的序列余弦函 数
U(t)=A/2+ (2 A/π) cos2πFt－ (2 A/3π) cos2π3Ft+ (2 A/5π) cos2π5Ft… (6-21)
由上式可以看出，其的直流分量为
升高逐级减弱。
误差。
A ，交流分量的幅度随频率的 2
可以用一次分量来近似地表示整个的交流分量 而不会带来太大的
② 由于干扰噪声源的内阻很大，干扰电压供出的能量却很小， 只能形成很弱的电流。而发光二极管只有在通过一定的电流时才 能发光。因此，被它抑制掉。
③ 光电耦合器件的输入、输出是用光耦合的，且被密封在管 壳内，不会受到外界光的干扰。
④ 光电耦合器件的输入、输出间寄生电容很小(为0.5 ~ 2pF)， 绝缘电阻大(为1011~1013Ω )，因而输出系统的各种干扰噪音很难通 过光电耦合器件反馈到输入系统。
合器要比成锐角的耦合器作用距离远。 图中（f）DIP封装形式的光电耦合器件。这种封装形式的器 件有多种，可将几组光电耦合器封装在一片 DIP中，用作多路信 号隔离传输。
• 3. 光电耦合器件的特点 ⑴ 具有电隔离的功能
它的输入、输出信号间完全没有电路的联系，所以输入和输出 回路的电子零位可以任意选择。绝缘电阻高达1010~l012Ω ，击穿电
(2)光电耦合器件抑制干扰噪声电平的估算
在向光电耦合器输送信息(例如矩形脉冲信号)的同时，不可避 免地进入干扰信号。这些干扰信号由系统自身产生的干扰、电源脉 动干扰、外界电火花干扰以及继电器释放所产生的反电势的泄放干
扰等。干扰信号包含各种白噪声和各种频率的尖脉冲，且以继电器
等电磁电器的开关干扰最为严 重。这些干扰信号的波形如图 6-37（a）所示。设每个干扰 脉冲宽度为1μs，重复频率为
APD050A
使用注意事项 Precautions
z 应采取必要的 ESD 防护措施，以避免芯片被静电损伤。
Take appropriate ESD protections to avoid damage.
z 由于 InP 基芯片易碎，取用时需十分小心。请勿使用镊子，推荐使用真空吸附方式取用芯片。
InP chips are fragile and easily damaged. Special caution should be used when handling. Do not handle with
吉比特以太网、同步光网络 OC-48、吉比特无源光网络、光纤信道
Gigabit Ethernet、SONET OC-48、GPON、Fiber Channel
最大绝对额定值 Absolute Maximum Rating
参数名称 Parameter
符号 Symbol
额定值 Rating 最小 Min 最大 Max
版本号：APD050A-1107
CETC44Version：APD050A-1107
联系电话： 023-62812692（技术部） 023-62830965（销售部） 通讯地址：重庆南坪花园路 14 号
4
传真：023-62831524 邮编：400060
2.5
-
-
GHz
击穿电压温度系数 Temperature coefficient of VBR
γ ID=100μA ,φe=0μw
-45～+20℃ 0.13 0.14 0.15 V/℃
+20～+85℃ 0.08 0.11 0.12
（1）工作电压范围：反向击穿电压与反向穿通电压的差值，即 VBR- VP。 Range of operation voltage：The difference of the reverse breakdown voltage and the punch-through voltage.
SEL551说明书
SEL-551 培训资料深圳市中电电力技术有限公司二零零四年七月深圳市中电电力技术有限公司目录目录一概述 (1)二功能说明 (4)三安装接线 (11)四定值整定 (17)五面板操作及信号 (20)六SELogic控制方程及继电器逻辑 (25)七应用及维护操作 (30)八故障处理 (34)九主要技术参数 (36)一概述1.1主要功能SEL-551继电器是一种集保护、测量、监视、控制、逻辑编程功能于一体的过电流重合闸综合保护测控装置。
它包括各种继电器元件，可实现过电流保护和重合闸控制，其相、接地、中性点保护元件可以完全独立整定。
SEL-551继电器具有强大的可编程逻辑控制功能，可以实现复杂的电流保护及控制功能。
1.1.1保护功能采用相、负序、零序接地、中性点接地过电流元件及其它继电器元件的组合来保护馈线及其它设备，各种继电器元件组合实现的保护功能主要包括：◆六段瞬时/定时限相过电流保护◆二段瞬时/定时限负序过电流保护◆二段瞬时/定时限零序接地过电流保护◆二段瞬时/定时限中性点接地过电流保护◆相反时限过电流保护◆零序接地反时限过电流保护◆中性点接地反时限过电流保护◆负序反时限过电流保护1.1.2 监视和测量◆交流三相电量测量功能包括瞬时量测量、需求量测量。
◆事件报告和顺序事件记录1.1.3 重合闸控制最少的控制开关和接线简化了二次控制回路，重合闸次数可达到四次，重合闸的启动和闭锁可满足不同的运行方式。
1.1.4 自动化功能可编程逻辑控制方程可构造自动化方案。
继电器的通信串口提供了远方通信功能。
图一 SEL-551功能框图1.2 保护控制元件 ANSI 标准代号 元 件 名 称50 瞬时过电流元件51 反时限过电流元件79 重合闸元件 SEL-551 Relay/1断路器馈线79重合闸5250P G Q 50N 51N /3母线中性接地中性接地反时限51P G QSEL ogic ®控制方程高精度计量事件报告和顺序事件记录*LCD 面板线路断路器监控*可选功能相、零序、负序相、零序、负序反时限二功能说明2.1 保护特性SEL-551继电器包含相、负序、零序和中性点过电流元件。
《光电材料与器件》课程教学大纲
《光电材料与器件》课程教学大纲一、课程名称（中英文）中文名称：光电材料与器件英文名称：Optoelectronics Materials and Devices二、课程代码及性质专业选修课程三、学时与学分总学时：32学分：2四、先修课程无五、授课对象材料及材料加工类专业本科生六、课程教学目的（对学生知识、能力、素质培养的贡献和作用）【注：教学目的要突出各项“能力”，且与表1中的某项指标点相对应】本课程是功能材料专业的选修课之一，其教学目的包括：1、掌握激光的产生机制，光纤的传导机制以及熟悉光调制的基本原理。
2、理解光电技术在信息传输，光探测以及光伏等领域的应用原理。
3、能够关注和了解光电材料与技术在日常生活中的应用。
掌握文献检索、资料查询、现代网络搜索工具的使用方法。
能够应用现代工具撰写报告、设计文稿、陈述发言、清晰表达或回应指令。
七、教学重点与难点：课程重点：（1）光电材料的工作原理和应用。
本课程重点介绍针对半导体材料的电学性能和其在激光领域的应用。
（2）在了解半导体材料相关物理理论知识的基础上，重点学习基于半导体的光电器件的种类、应用和影响性能的因素等。
（3）重点学习的章节内容包括：第2章“激光”（6学时）、第3章“波导”（6学时）、第5章“光探测器”（4学时）。
课程难点：（1）通过本课程的学习，充分理解基于半导体材料的激光基本原理，激光器的基本构造以及应用范围。
（2）通过对光电材料及其光电器件的学习，了解影响光电材料与器件性能的因素和改进策略，从而具备设计和改进光电器件响应性能的能力。
八、教学方法与手段：教学方法：（1）课程邀请相关科研工作者做前沿报告，调动学生学习积极性。
（2）课堂讲授和相关多媒体小视频相结合，提高学生听课积极性，视频与课程内容相关，加深记忆和理解概念；（3）通过期末专题报告的形式，让学生讲解生活中与课程相关的知识或技术，台下的学生听众提问，而台上的学生为自己的观点进行辩护，从而产生互动，加深记忆和理解，更主要是能激发学生的兴趣。
光敏电阻检测光照亮度
光敏电阻检测光照亮度[最新]编号:传感器综合设计实训(论文)说明书题目: 光敏电阻检测光照亮度院 (系): 信息与通信学院专业: 电子信息工程学生姓名:学号:指导教师:2012年 6 月 20日摘要本题设计一个光照强度自动检测、显示、报警系统，实现对外界三种不同条件下光强的分档指示和报警(弱、适宜、强)。
使用光敏电阻光照强度的测量并进行显示，采取单片机对光敏电阻输出变化进行处理转换成数字量再使用数码管进行显示。
在单片机上加外围器件三个LED，通过采样到的光照射强度选择，在数码管上显示电压的大小。
本设计具有有线路简单、结构紧凑、价格低廉、性能优越等特点。
关键词:光照亮度;光敏电阻;单片机;数码管器AbstractSubject to design a light intensity to be automatic detection, display, alarm system, the realization on the outside three different conditions of light intensity FenDang instructions and alarm (weak, appropriate, stronger). Use photoconductive resistance of lightintensity measurement that take the monolithic integrated circuit to change photoconductive resistance output processing converted intodigital quantity to use digital tube displayed. In the single peripheral devices with three LED, by sampling the light to illuminate intensity choice, in digital tube display voltage size. This design has a simple lines, compact structure, low prices, superior performance etc. Characteristics.Key words: light brightness; Photoconductive resistance; Single chip microcomputer; Digital pig目录引言...................................................................... .............................................. 1 1 系统概述 ..................................................................... .............................. 1 1.1 设计要求 ..................................................................... .. (1)1.2 方案设计 ..................................................................... .. (2)1.2.1方案说明 ..................................................................... ............................... 2 1.2.2方案论证 .................................................................................................... 2 2 硬件电路设计与分析 ..................................................................... ....... 3 2.1 单片机最小系统 ..................................................................... .................... 3 2.2 光敏电阻的主要特性及参数 .................................. 5 2.3 光敏电阻接入电路图 ........................................ 6 2.4 数码管显示电路 ............................................ 7 2.5 报警电路 .................................................. 7 3 软件设计 ..................................................................... .............................. 7 3.1 主程序 .................................................... 8 3.2 安装调试及测量数据分析 ....................................11 4 实训的心得体会 ..................................................................... ...............11 致谢 ................................ 错误～未定义书签。
OPA2244器件手册
OPEN-LOOP GAIN Open-Loop Voltage Gain
TA = –40°C to 85°C
FREQUENCY RESPONSE Gain-Bandwidth Product Slew Rate Settling Time 0.01% Overload Recovery Time
AOL
TEMPERATURE RANGE Specified Range Operating Range Storage Range Thermal Resistance
SOT-23-5 Surface-Mount SO-8 Surface-Mount 8-Pin DIP
VO
ISC CLOAD
VS IQ
θJA
Single Supply: 2.2V to 36V Dual Supply: ±1.1V to ±18V
APPLICATIONS
q BATTERY POWERED SYSTEMS q PORTABLE EQUIPMENT q PCMCIA CARDS q BATTERY PACKS AND POWER SUPPLIES q CONSUMER PRODUCTS
–Input A 2 +Input A 3
+V 4 +Input B 5 –Input B 6 Output B 7
13 –Input D 12 +Input D 11 –V 10 +Input C 9 –Input C 8 Output C
8-Pin DIP, SO-8
8-Pin DIP, SO-8, MSOP-8
VOS
dVOS/dT PSRR
INPUT BIAS CURRENT
光通信产品培训手册
光通信产品培训手册光纤和光缆2019年9月概述所谓光通信就是利用光波载送信息的通信。
在载波技术方面，电磁波的通信已广泛应用于广播、电视等领域，本世纪末，随着数字技术的进步，出现了移动通信等数字无线电波技术。
在另一方面，光波作为一种波长很短的无线电波，同样也得到技术突破，目前已成为新一代的有线通信载波。
光通信技术的进步，推动了整个信息产业的飞速发展。
光纤发展概况1960年，梅曼（T.H.Maiman）发明了红宝石激光器，产生了单色相干光，实现了高速的光调制。
美国林肯实验室首先研制出利用氦氖激光器通过大气传输彩色电视，利用大气传输光信号具有以下的缺点：气候严重影响通信，如雾天；大气的密度不均匀，传输不稳定；传输设备之间要求没有阻隔利用大气传输光波的思想实际上是电磁波传输的技术，光波实质上是频率极高的电磁波（3×1014Hz），其通信的容量比一般的电磁波大万倍以上，如果光通信能够实现，它将具有划时代的意义。
早期，为了避免大气对光传输的干扰，研制了透镜光波导的技术，利用管子进行光传输，在一定距离上设置聚焦透镜，汇聚散射光和诱导光转折，但振动和温度又严重影响了光传输。
这种思想，被后来采用直至成功研制成光导纤维。
1966年，英籍华人高锟（C.K.Kao）和Hockham实验证明利用玻璃可以制作光导纤维（Optic Fiber）。
但当时的玻璃衰减达1000dB/km，无法用于传输，后经过美国贝尔实验室主席Ian Ross、英国电信研究所（BTRL，BPO）和美国康宁玻璃公司（CORNING）的Maurer 等合作，于1970年首先研制成功衰减为20 dB/km的光纤，取得重大突破。
之后，各发达国1-1。
图1-1 光纤导光原理要实现长距离的光纤通信，必须减少光纤的衰减。
高锟指出降低玻璃内过度金属杂质离子是降低光纤衰减的主要因素，1974年，光纤衰减降低到2 dB/km。
1976年通过研究发现降低玻璃内的OH离子含量就出现地衰减的长波长双窗口：1.3μm和 1.55μm。
金属键合技术及其在光电器件中的应用
32
中国光学期刊网
www . opticsjournal . net
综合 评述Review 光学器件
Vol.44, No.1 Jan. 2007
表 1 在金属键合中常用金属及光电材料的相关参数(各材料均未掺杂)
外常用的金属键合方法。
材料
熔点/K
热导率/W·cm-·1 k-1 电阻率/W·cm
3 金属键合的表征
www . opticsjournal . net
中国光学期刊网
31
Vol.44, No.1 Jan. 2007
L激光与光电子学进展 aser & Optoelectronics Progress
替厚外延薄膜材料的外延生长而 直接把所需的外延层材料或器件 键合到衬底上，从而可简化器件 工 艺 ，降 低成 本 ，改 善 器 件 的 导 电 导热性能等。
Key words optoelectronic devices；metallic bonding；technique; characterization；application；vertical cavity surface emitting laser
中图分类号 TN365
1 引言
金属键合是指通过纯金属或 合 金 ，依 靠金 属 键 、金 属 与 晶 片 表 面间的扩散、金属熔融等作用使 两个晶片面对面地键合在一起。 一般地，晶片键合技术主要分为
金属键合的历史悠久，可追溯 到 1792 年，当 时 Desagulier[4~5]就 发现两个球形铅块在外界压力作 用下会紧紧地吸附在一起。而随 后 Lord Rayleigh[4~5]则系统地研究 了玻璃片之间的相互键合，并在 光学工业中得以应用。在 20 世纪 60~70 年代期间，逐渐产生了应用 于不同器件结构的高温晶片(主要 是硅片) 键合技术，其键合机理都 是依赖于在一定的机械压力下通 过高温扩散工艺对晶片进行融 合。而应用于光电器件的金属键 合技术始于 20 世纪 80 年代，特别 在 1985 年 ，IBM 公 司 的 Laskey [6] 和东芝公司的 Shimbo 等[7]提出了 Si 片直接键合技术(SDB)，并应用 于制备 SOI 材料，此后，金属键合 技术得到了蓬勃发展。进入 21 世 纪后，Liu Chien-Chih 等[8]开展了 在半导体材料 上蒸镀 Ti、Pt、Au、 In 等金属，利用 Au-In 合金 157 益的低熔点成功地在 200 益进行 了键合。而美国爱达荷 州的 Shi Frank 等 [9] 则报道了利用 In/Sn、 Cu/Ti 等金 属膜进 行半 导体 材 料 的金属键合。几十年来人们对金 属键合技术做 了大量 的研究，使 得 该 技 术 在 电 力 电 子 、传 感 器 、三 维集成电路、光电器件及其特殊 功能和结构器件等方面的应用日 益广泛，并逐渐成为众多器件研 制领域的重要技术之一。
信息产业部电子第四十四所 重庆光电技术研究所 光电耦合器 说明书
输出漏电流
IOff
输出低电平
VOL
选通端高电平电流 IEH
选通端低电平电流 IEL
1.3 1.7 V IF=10mA
1
A VR=5.0V,TA=25
100
A VCC=5.0V,IF=250 A,VE=2.0V
0.3 0.6 V VCC=5.0V,IF=10mA,IOL=4mA
-0.2 -0.4 mA VCC=5.0V,VE=2.0V
３ 宽电源电压 ４ .5Ｖ － １ ５ ． ５ Ｖ ４ ． 隔离电压 １ ０ ０ ０ Ｖ ５ 低功耗 ２ ０ ｍ Ｗ （ Ｖ Ｃ Ｃ ＝ ５ ． ５ Ｖ ）
主要用途 Ａ ／ Ｄ Ｄ ／ Ａ 电路 计算机接口电路 数字通讯电路 实时控制电路等．
３ 宽电源电压 １ ０ Ｖ － １ ８ Ｖ ４ ． 隔离电压 １ ０ ０ ０ Ｖ ５ 低功耗 ４ ０ ｍ Ｗ （ Ｖ Ｃ Ｃ ＝ １ ５ ． ５ Ｖ ）
主要用途 Ａ ／ Ｄ Ｄ ／ Ａ 电路 计算机接口电路 数字通讯电路 实时控制电路等．
输出高电平 Ｖ Ｏ Ｈ 随温度 Ｔ 变化的关系
０．２５ ０．２
０．１５ ０．１
12
正向电压Ｖ Ｆ（Ｖ）
１．３
１．２８
１．２６
１．２４
１．２２
１．２
１．１８
１．１６
１．１４
１．１２
１．１
２
３
４
５
６
７
８
９
１０
输 入 电 流 ＩＦ（ｍＡ）
正向电压 ＶＦ 随输入电流 ＩＦ 变化的关系
13
重光 COERI
上升时间 下降时间
隔离特性
符号 tPHL tPLH tr tf
中国电子科技集团公司 第四十四研究所 光电耦合器 说明书
光电耦合器说明书中国电子科技集团公司 第四十四研究所目录1、光电耦合器简介 (1)2、替代国外产品情况 (4)3、光电耦合器典型应用图 (7)4、光电耦合器GH3201Z (10)5、光电耦合器GH302 (12)6、光电耦合器GH3201Z-2 (14)7、光电耦合器GH302-2 (16)8、光电耦合器GH3201Z-2A (18)9、光电耦合器GH3201Z-4 (20)10、光电耦合器GH302-4 (22)11、光电耦合器GH3201Z-6 (24)12、光电耦合器GH3201Z-B (26)13、光电耦合器GH3202Z (28)14、光电耦合器GH3202S (30)15、光电耦合器GH402S (32)16、光电耦合器GH3202J (34)17、光电耦合器GH1201Z (36)18、光电耦合器GH140Z (38)19、光电耦合器GH5520Z (40)20、光电耦合器GH332 (42)21、光电耦合器GH332-2 (44)22、光电耦合器GH1121Z (46)23、光电耦合器GH127J (48)24、光电耦合器GH1100Z (50)25、光电耦合器GH1351Z (52)26、高速光电耦合器GH1205Z (54)27、高速光电耦合器GH1403Z (56)28、高速光电耦合器GH1143Z (58)29、高速光电耦合器GH2240Z (60)30、高速光电耦合器GH5231Z (62)31、高速光电耦合器GH5231Z-F (64)32、高速光电耦合器GH5631Z (66)33、高速光电耦合器GH0630J (68)34、高速光电耦合器GH6631S (70)35、高速光电耦合器GH4440Z (72)36、高速光电耦合器GH5540Z (74)37、高速光电耦合器GH5541Z (76)38、光电耦合器GG4022Z (78)39、高压光电耦合器GH1122Z (80)40、高压光电耦合器GH1122Z-A (82)41、高速光电耦合器GH1142Z (84)42、线性光电耦合器GG4201Z (86)43、线性光电耦合器GG4202Z (88)44、线性光电耦合器GG4203Z (90)45、线性光电耦合器GG1141Z (92)46、传感器GH1190 (94)47、传感器GH1191Z (96)48、光开关GH8220Z (98)49、光开关GH4420Z (100)50、光电驱动模块HCD0201 (102)51、固体继电器GH1220Z (104)52、固体继电器GH275Z (106)53、中频检波器GH1100R (108)54、光电耦合器抗干扰能力曲线 (110)55、光电耦合器典型响应曲线 (111)光电耦合器简介 概 述光电耦合器是一种把红外光发射器件和红外光接受器件以及信号处理电路等封装在同一管座内的器件。
光电传感器的原理以及应用
1. 光敏电阻的工作原理及结构 2．光敏电阻的主要参数 3．光敏电阻的基本特性
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10
(1) 光敏电阻的工作原理及结构
当无光照时，光敏电阻值(暗电阻)很大，电路中电流很小 当有光照时，光敏电阻值(亮电阻)急剧减少，电流迅速增加
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11
光敏电阻的结构
1.玻璃 2.光电导层 3.电极 4.绝缘衬底 5.金属壳 6.黑色绝缘玻璃 7.引线
开路电压和短路电流随温度变化的关系。 关系到应用光电池的仪器的温度漂移，影响到
测量精度或控制精度等重要指标
硅光电池的温度特性(照度1000lx)
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42
(5)稳定性
当光电池密封良好、电极引线可靠、应 用合理时，光电池的性能是相当稳定的 硅光电池的性能比硒光电池更稳定
影响性能和寿命因素： 光电池的材料及制造工艺 使用环境条件
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30
（4）温度特性
其暗电流及光电流与温度的关系
温度变化对光电流影响很小，而对暗电流影响很大。
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（5）频率响应
具有一定频率的调制光照射时，光敏管输出的 光电流(或负载上的电压)随频率的变化关系
硅光敏晶体管的频率响应
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32
光敏三极管外形
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33
其灵敏度随电压变化的稳定性、频率特性等都比真空光电管差
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6
紫外管外形
紫外线 当入射紫外线照 射在紫外管阴极板 上时，电子克服金 属表面对它的束缚 而逸出金属表面， 形成电子发射。紫 外管多用于紫外线 测量、火焰监测等。
PA44电子设备简介R(仅供学习参考)
1号导航系统，通过水平状态指示器（HSI）进行显示； 2号导航系统，通过导航指示器进行显示；
导 航 系 统
四
HSI
航道偏离指示器
GPS接收机
内置于两部 GNS430 综合航电组件中，能够跟踪和使用12 颗卫星用于定位和速度及时间计算；
通过按压GNS430面板上的 CDI，切换为 GPS 导航。 天空图
仪 表 指 示 系 统
二
水平姿态指示器HSI
该系统具有伺服控制组件，用于指示、校正系统指示航向与飞 机实际航向间的误差。
发动机仪表系统
用于实时测量发动机工作参数，监控发动机状态；
•
组成
仪表名称
转速表、进气压力表 汽缸温度表、排气温度表 滑油压力表、滑油温度表 燃油油量表 燃油压力表
监控功能
发动机功率，确定飞行状态 发动机温度，防止过热 发动机润滑情况，防止部件磨损 燃油储存量，防止燃油耗尽停车 供油情况，防止供油中断停车
通 讯 系 统
三
GNS430 综合航电组件
通讯 音量 调节 激活备用 频率 备用频率调节，外圈调 节MHz，内圈调节KHz。 按压内圈可使光标在通 讯窗口和VLOC窗口切换， 当光标位于VLOC窗口时， 如果30秒内没有进行操 作，光标回自动返回通 讯窗口。
当前 使用 频率 备用 频率
通 讯 系 统
PA-44 电子设备
2016/03/07
目录
电气 系统 灯光 系统 导航 系统
仪表 指示 系统
通讯 系统
自动 驾驶 系统
电源系统
组成
2个发电机，1个电瓶，1个外电源插座，2个电
流表、2个警告灯，多个断路器、导线及各控制部件。
• 交—直流发电机
典型光电检测器件
相机(成像)原理
数码相机的「视网膜」 • CCD（Charge Coupled Device ）
电荷耦合元件 • CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）
互补性氧化金属半导体
可记录光线变化的半导体
CCD --- Charge Coupled Device，电荷耦合元件
• 面阵CCD：器件像元排列为一平面，它包含若干行和列的结合。 • 目前达到实用阶段的像元数由25万至数百万个不等，按照片子的尺寸不同有1／3英寸、
l／2英寸、2／3英寸以至1英寸之分。
线阵CCD：一行，扫描；体积小，价格低； 面阵CCD: 整幅图像；直观；价格高，体积大；
线阵CCD
• 每次只拍摄图像的一条线，这种CCD精度高，速度慢，无法用来拍摄移动的物体，也无法使 用闪光灯。
效应（光伏效应）。
光敏电阻：当光敏电阻受到光照时， 阻值减小。
大面积光电池
红外发射、接收对管外形
红外发射管
红外接收管
光热效应
• 光热效应：材料受光照射后，光子能量与晶格相互作用，振动加剧，温度升高，材料的性质 发生变化． – 热释电效应：介质的极化强度随温度变化而变化，引起电荷表面电荷变化的现象． – 辐射热计效应：入射光的照射使材料由于受热而造成电阻率变化的现象． – 温差电效应：由两种材料制成的结点出现稳差而在两结点间产生电动势，回路中产生电 流．
1、CMOS传感器原理
（1）光照特性
2、CMOS传感器特性
CMOS传感器的主要应用也是图像的采集，也要求能够适应更宽的光照范围。因此也必须采用 非线性的处理方法和自动调整曝光时间与自动增益等处理方法。
结果与CCD相机一样损失了光电转换的线性，正因为此项，它也受限于灰度的测量。