1-4晶体管Y参数
第二章 高频小信号放大器 课后习题答案
第二章 高频小信号放大器 28页2-4 已知oe g =200us ，oe c =7pf|fe y |=45ms|re y |=0 试计算下列各值：电压增益Aco,通频带B. [解]1p =1323N N =5/20=0.25 2p =1345N N =0.25 p g =66104107.1028.61001-⨯⨯⨯⨯⨯=37.2610-⨯S ∑g =p is os g g p g p ++2221=228.5610-⨯s 通频带：L Q =∑Lg w 01=16.3 B=L Q f 00.66MHZ 电压增益：VO A =∑g y p p fe ||12=12.3 2-5单级小信号谐振放大器的交流等效电路如图2-5所示。
要求谐振频率0f =10MHz, 通频带B=500KHz ，谐振电压增益VO A =100，在工作点和工作频率上测得晶体管的y 参数为ie y =（2+j 0.5）ms re y ≈0fe y =(20-j 5)ms 310)14.015.0(-⨯+=j y oe s如果线圈品质因数600=Q ，计算谐振回路参数L 、C 和外接电阻R 的值。
【解】|fe y |=22520+=20.6ms ∑g =vo feA y =206usL Q =0f /B=20p g =L Q /0Q ⨯∑g =69610-⨯s∑g =oe g +p g +gg=117610-⨯sR=1/117610-⨯=8.5k Ω∑C =∑g /2πB=65.6p FC=∑C -oe C =65p F L=∑c w 201=5.9uH 2-6某晶体管收音机中频放大器（0f =465kHZ ）晶体管在某工作点和工作频率上的y 参数为ie y =(1+j0.19)310-⨯s re y =0 fe y =50310-⨯s oe y =(0.15+j0.14) 310-⨯s 中频变压器用TTF-1-3,其数据如题图2-6所示。
半导体器件物理(第四章 双极型晶体管及其特性)
4.1 晶体管结构与工作原理 三极电流关系
I E I B IC
对于NPN晶体管，电子电流是主要成分。电子从发射极出发，通 过发射区到达发射结，由发射结注入到基区，再由基区输运到集电结 边界，然后又集电结收集到集电区并到达集电极，最终称为集电极电 流。这就是晶体管内部载流子的传输过程。 电子电流在传输过程中有两次损失：一是在发射区，与从基区注 入过来的空穴复合损失；而是在基区体内和空穴的复合损失。因此
* 0
可见，提高电流放大系数的途径是减小基区平均掺杂浓度、减 薄基区宽度Wb以提高RsB，提高发射区平均掺杂浓度以减小RsE。另外， 提高基区杂质浓度梯度，加快载流子传输，减少复合；提高基区载 流子的寿命和迁移率，以增大载流子的扩散长度，都可以提高电流 放大系数。
4.2 晶体管的直流特性 4.2.1 晶体管的伏安特性曲线 1.共基极晶体管特性曲线
' ine 1 jCTe 1 ine re 1 jCTe 1 jreCTe
re in e
iCTe
' in e
交流发射效率
1 0 1 jre CTe
CTe
re CTe e
发射极延迟时间
4.3 晶体管的频率特性
2．发射结扩散电容充放电效应对电流放大系数的影响
虽然共基极接法的晶体管不能放大电流，但是由于集电极可以 接入阻抗较大的负载，所以仍然能够进行电压放大和功率放大。
4.1 晶体管结构与工作原理
（2）共发射极直流电流放大系数
IC 0 IB
（3）α0和β0的关系
C
IC
N
IB
B
I IC I I 0 C C E 0 I B I E IC 1 IC I E 1 0
高频电子线路习题及答案
高频电子线路习题及答案高频电子线路习题一、填空题1. 在单级单调谐振放大器中，谐振时的电压增益 Kvo=有载 QL=，通频带 BW0.7=，矩形系数 K0.1 为。
2. n 级同步单调谐振放大器级联时，n 越大，则总增益越，通频带越，选择性越。
3. 工作在临界耦合状态的双调谐放大器和工作在临界偏调的双参差放大器的通频带和矩形系数是相同的，和单级单调谐放大器相比，其通频带是其倍，矩形系数则从减小到。
4. 为了提高谐振放大器的稳定性，一是从晶体管本身想办法，即选Cb’c的晶体管；二是从电路上设法消除晶体管的反向作用，具体采用法和法。
5. 单级单调谐放大器的谐振电压增益 Kvo=QL=，通频带 BW0.7=。
，有载6. 晶体管在高频线性运用时，常采用两种等效电路分析，一种是，另一种是。
前者的优缺点是。
7. 晶体管低频小信号放大器和高频小信号放大器都是线性放大器，它们的区别是。
8. 为了提高谐振放大器的稳定性，在电路中可以采用法和法，消除或削弱晶体管的内部反馈作用。
9. 晶体管的 Y 参数等效电路中， Yre 的定义是，称为，它的意义是表示的控制作用。
10. 晶体管的 Y 参数等效电路，共有 4 个参数，Y 参数的优点是便于测量。
其中 Yfe 的意义是表示。
11. 晶体管高频小信号放大器与低频小信号放大器都是放大器，结构上的区别是前者包含有后者没有的，具有带通特性的。
12. 对小信号调谐放大器的要求是高、好。
13. 丙类高频功率放大器又称为____________功率放大器，常在广播发射系统中用作____________级。
14. 按照通角θC 来分类，θC=180 的高频功率放大器称为_____类功放； C <90 的高频功率放大器称为_____类功放。
15. 功率放大器的工作状态按照集电极电流的通角θC 的不同可分为四类：当θC= ______时，为_____类：当θC=_____时，为_____类；当θC<____时为____类；当____< θC<____时，为_____类。
3ag14晶体管参数
3ag14晶体管参数3AG14晶体管参数3AG14晶体管是一种常用的NPN型晶体管，具有以下参数：1. 最大集电极电流（Icmax）：3AG14晶体管的最大集电极电流是指在正常工作条件下，集电极电流的最大允许值。
它通常决定了晶体管的功率处理能力和热稳定性。
对于3AG14晶体管来说，其最大集电极电流一般为200mA。
2. 最大集电极-基极电压（Vceo）：3AG14晶体管的最大集电极-基极电压是指在正常工作条件下，集电极和基极之间的最大允许电压。
它反映了晶体管的电压处理能力和耐压能力。
对于3AG14晶体管来说，其最大集电极-基极电压一般为30V。
3. 最大功耗（Pd）：3AG14晶体管的最大功耗是指在正常工作条件下，晶体管能够承受的最大功耗。
它与最大集电极电流和最大集电极-基极电压有关。
对于3AG14晶体管来说，其最大功耗一般为625mW。
4. 最大集电极-发射极电压（Vce(sat)）：3AG14晶体管的最大集电极-发射极电压是指在饱和状态下，集电极和发射极之间的电压。
饱和状态是指晶体管工作在最大集电极电流下，且集电极-基极电压低于最大集电极-基极电压的情况。
对于3AG14晶体管来说，其最大集电极-发射极电压一般为0.5V。
5. 最大直流电流增益（hfe）：3AG14晶体管的最大直流电流增益是指在正常工作条件下，集电极电流变化与基极电流变化之间的比值。
它反映了晶体管的放大能力。
对于3AG14晶体管来说，其最大直流电流增益一般为100。
6. 最大频率（fT）：3AG14晶体管的最大频率是指在正常工作条件下，晶体管能够正常工作的最高频率。
它与晶体管的内部结构和工作状态有关，一般与集电极电流和集电极-基极电压有关。
对于3AG14晶体管来说，其最大频率一般为100MHz。
3AG14晶体管具有200mA的最大集电极电流，30V的最大集电极-基极电压，625mW的最大功耗，0.5V的最大集电极-发射极电压，100的最大直流电流增益以及100MHz的最大频率。
74LS系列主要芯片引脚及参数
<74LS00引脚图>74l s00 是常用的2输入四与非门集成电路，他的作用很简单顾名思义就是实现一个与非门。
Vcc 4B 4A 4Y 3B 3A 3Y┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐__ │14 13 12 11 10 9 8│Y = AB ）│ 2输入四正与非门 74LS00│ 1 2 3 4 5 6 7│└┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘1A 1B 1Y 2A 2B 2Y GND74LS00真值表：A＝1 B=1 Y=0A＝0 B=1 Y=1A＝1 B=0 Y=1A＝0 B=0 Y=174HC138基本功能74LS138 为3 线－8 线译码器，共有54/74S138和54/74LS138 两种线路结构型式，其74LS138工作原理如下：当一个选通端（G1）为高电平，另两个选通端（/(G2A)和/(G2B)）为低电平时，可将地址端（A、B、C）的二进制编码在一个对应的输出端以低电平译出。
74LS138的作用:利用G1、/(G2A)和/(G2B)可级联扩展成24 线译码器；若外接一个反相器还可级联扩展成32 线译码器。
若将选通端中的一个作为数据输入端时，74LS138还可作数据分配器用与非门组成的3线-8线译码器74LS138图74ls138译码器内部电路3线-8线译码器74LS138的功能表备注：这里的输入端的三个A0～1有的原理图中也用A B C表示（如74H138.pdf中所示，试用于普中科技的HC-6800 V2.2单片机开发板）。
<74ls138功能表>74LS138逻辑图无论从逻辑图还是功能表我们都可以看到74LS138的八个输出管脚，任何时刻要么全为高电平1—芯片处于不工作状态，要么只有一个为低电平0，其余7个输出管脚全为高电平1。
如果出现两个输出管脚在同一个时间为0的情况，说明该芯片已经损坏。
当附加控制门的输出为高电平（S＝1）时，可由逻辑图写出74ls138逻辑图由上式可以看出，在同一个时间又是这三个变量的全部最小项的译码输出，所以也把这种译码器叫做最小项译码器。
常用晶体管参数大全查询
常用晶体管参数大全查询晶体管是一种最常见的电子器件，用于控制电流和放大信号。
它有许多参数需要掌握，这些参数对于选购和设计电路非常重要。
以下是一些常用晶体管参数的详细说明。
1.三极管类型（NPN/PNP）：晶体管有两种常见的类型分别为NPN和PNP。
NPN晶体管中，发射极和基极之间的电子流是由发射极到集电极的，而PNP晶体管中是由集电极到发射极的。
2.最大击穿电压（BVCEO/BVCBO）：指晶体管的最大集电极-发射极或集电极-发射极间可以承受的电压。
超过这个电压时，晶体管可能会发生击穿而损坏。
3.最大连续电流（IC）：指晶体管可以承受的最大电流。
超过这个电流值，晶体管可能会被加热过热而损坏。
4.最大功耗（PD）：指晶体管可以承受的最大功率，计算方法为PD=VCE×IC。
超过这个功率值，晶体管可能会被过热而损坏。
5.DC增益（hFE）：也称放大倍数，它表示晶体管的放大能力。
hFE的值越高，晶体管放大能力越强。
6.基极电流（IB）：晶体管的输入电流。
通过改变基极电流，可以控制晶体管的输出电流。
7. 饱和电压（VCEsat）：晶体管处于饱和状态时，发射极-集电极间的电压。
饱和电压越低，晶体管的开关速度越快。
8. 输入电容（Cib/Cie）：晶体管输入端的电容。
输入电容越小，晶体管对输入信号的响应越快。
9. 输出电容（Cob/Coe）：晶体管输出端的电容。
输出电容越小，晶体管的输出速度越快。
10.射极电阻（Re）：晶体管的射极电阻。
射极电阻越小，晶体管的集电极电流更容易流过。
11. 震荡频率（ft）：晶体管的最高工作频率。
这是指晶体管可以正常工作的最高频率。
12.噪声系数（NF）：噪声系数是指晶体管引入电路的噪声水平。
噪声系数越小，晶体管的噪声性能越好。
以上是一些常用的晶体管参数的详细说明，了解这些参数可以帮助我们在选购和设计电路时作出正确的决策。
3ag14晶体管参数
3ag14晶体管参数3AG14晶体管参数一、引言3AG14晶体管是一种常用的电子元件，广泛应用于电子电路中。
本文将介绍3AG14晶体管的参数以及其在电路设计中的应用。
二、3AG14晶体管的基本参数1. 最大耐压（VCEO）：3AG14晶体管能够承受的最大电压。
该参数决定了晶体管在工作时所能承受的最大电压，超过该电压将导致晶体管损坏。
2. 最大电流（IC）：3AG14晶体管能够承受的最大电流。
该参数决定了晶体管在工作时所能够通过的最大电流，超过该电流将导致晶体管过载而损坏。
3. 最大功率（P）：3AG14晶体管能够承受的最大功率。
该参数由最大电流和最大电压共同决定，超过该功率将导致晶体管过热而损坏。
4. 直流电流放大倍数（hFE）：3AG14晶体管的放大能力。
该参数表示输入电流和输出电流之间的倍数关系，决定了晶体管的放大效果。
5. 饱和电压（VCEsat）：3AG14晶体管在饱和状态下的电压。
该参数表示晶体管在饱和状态下的工作电压，超过该电压将导致晶体管无法正常开关。
6. 频率响应（fT）：3AG14晶体管的最高工作频率。
该参数表示晶体管能够正常工作的最高频率，超过该频率将导致晶体管失去放大能力。
7. 封装形式：3AG14晶体管的外观和尺寸。
根据不同的应用需求，3AG14晶体管可采用不同的封装形式，如TO-92、SOT-23等。
三、3AG14晶体管在电路设计中的应用1. 放大电路：由于3AG14晶体管具有较高的直流电流放大倍数，因此广泛应用于放大电路中。
通过控制输入电流，可以实现对输出电流的放大，从而达到信号放大的目的。
2. 开关电路：3AG14晶体管具有较低的饱和电压和较高的开关速度，因此在开关电路中具有广泛的应用。
通过控制晶体管的开关状态，可以实现对电路的开关控制。
3. 振荡电路：由于3AG14晶体管具有较高的频率响应，因此在振荡电路中也可以使用。
通过合适的电路设计，可以利用晶体管的振荡特性实现信号的产生和放大。
小信号调谐放大器实验报告
一、实验目的本次实验旨在通过搭建和调试小信号调谐放大器电路，深入了解调谐放大器的工作原理和设计方法，掌握其特性参数的测量方法，并通过实验数据分析放大器的性能，为后续高频电子线路设计打下基础。
二、实验原理小信号调谐放大器是一种高频放大器，其主要功能是对高频小信号进行线性放大。
其工作原理是利用LC并联谐振回路作为晶体管的集电极负载，通过调节谐振频率来实现对特定频率信号的放大。
实验中，我们采用共发射极接法的晶体管高频小信号调谐放大器。
晶体管的静态工作点由电阻RB1、RB2及RE决定。
放大器在高频情况下的等效电路如图1所示，其中晶体管的4个y参数分别为输入导纳yie、输出导纳yoe、正向传输导纳yfe和反向传输导纳yre。
图1 高频小信号调谐放大器等效电路三、实验仪器与设备1. 高频信号发生器：用于产生不同频率和幅度的正弦波信号。
2. 双踪示波器：用于观察放大器输入、输出信号的波形和幅度。
3. 万用表：用于测量电路中电阻、电容等元件的参数。
4. 扫频仪（可选）：用于测试放大器的幅频特性曲线。
四、实验步骤1. 搭建小信号调谐放大器电路，连接好实验仪器。
2. 调整谐振回路的电容和电感，使放大器工作在谐振频率附近。
3. 使用高频信号发生器输入不同频率和幅度的正弦波信号，观察放大器输入、输出信号的波形和幅度。
4. 使用示波器测量放大器的电压放大倍数、通频带和矩形系数等性能指标。
5. 使用扫频仪测试放大器的幅频特性曲线，进一步分析放大器的性能。
五、实验结果与分析1. 电压放大倍数通过实验，我们得到了放大器的电压放大倍数Avo，其值约为30dB。
这说明放大器对输入信号有较好的放大作用。
2. 通频带放大器的通频带BW0.7为2MHz，说明放大器对频率为2MHz的信号有较好的放大效果。
3. 矩形系数放大器的矩形系数Kr0.1为1.2，说明放大器对信号的选择性较好。
4. 幅频特性曲线通过扫频仪测试，我们得到了放大器的幅频特性曲线，如图2所示。
常用晶体管查询手册
常用晶体管查询手册43SK74 N-FET-DG 20V 25mA 0.2W | AC121 GE-P 20V 0.3A 0.9WAC122 GE-P 30V 0.2A 0.225W | AC125 GE-P 32V 0.2AAC126 GE-P 32V 0.2A 0.5W | AC127 GE-N 32V 0.5AAC128 GE-P 32V 1A 1W | AC128/176K GE N/P PAIRED, COOLEDAC128K GE-P 32V 1A 1W | AC131 GE-P 30V 1A 0.75WAC132 GE-P 32V 0.2A 0.5W | AC138 GE-P 32V 1.2A 0.22W 1.5MHzAC141K GE-N 32V 1.2A 1W | AC151 GE-P 32V 0.2A 0.9WAC153 GE-P 32V 2A 1W | AC153K GE-P 32V 2A 1WAC176K GE-N 32V 1A 1W | AC180 GE-P 32V 1.5A 0.3W 1MHzAC187 GE-N 25V 1A 1W | AC187/188K GE N/P PAIRED,COOLEDAC187K GE-N 25V 1A 1W COOLED | AC188 GE-P 25V 1A 1WAC188K GE-P 25V 1A 1W | AD133 GE-P 50V 15A 36WAD136 GE-P 40V 10A 11W | AD139 GE-P 32V 3.5A 13WAD148 GE-P 32V 3.5A 13.5W | AD149 GE-P 50V 3.5A 27WAD161 GE-N 32V 1A 6W | AD161/162 GE N/P 32V 1A 6W PAIREDAD162 GE-P 32V 1A 6W | AD165 GE-N 25V 1A 6WAD166 GE-P 60V 5A 27.5W | AF106 GE-P 25V 10mA 220MHz VHFAF109R GE-P 20V 12mA 260MHz VHF | AF118 GE-P 70V 30mA 375mW 125MHz AF121 GE-P 25V 10mA 270MHz | AF125 GE-P 32V 10mA 75MHzAF127 GE-P 32V 10mA 75MHz | AF139 GE-P 20V 10mA 550MHzAF200 GE-P 25V 10mA 0.145W | AF201 GE-P 25V 10mA 0.145WAF239S GE-P 15V 10mA 700MHz | AF279 GE-P 15V 10mA 60mW 780MHz AF279S GE-P 20V 10mA 0.6W | AF280 GE-P UHF MIXER 550MHzAF306 GE-P 25V 15mA 60mW 500MHz | AF367 GE-P 153V 10mA UHF 800MHz AF379 GE-P UHF 1250MHz | AL102 GE-P 130V 6A 30WAL112 GE-P 130V 6A 10W | ASY27 GE-P 25V 0.2A 0.15WASY77 GE-P 60V 1A 0.26W 500KHz | ASZ15 GE-P 100V 8A 30WASZ18 GE-P 100V 8A 30W | BC107B SI-N 50V 0.2A 0.3W 250MHzBC107C SI-N 50V 0.2A 0.3W 250MHz | BC109B SI-N 30V 0.2A 0.3W 300MHzBC109C SI-N 30V 0.2A 0.3W 150MHz | BC117 SI-N 120V 50mA 0.3W >60MHz BC119 SI-N 60V 1A 0.8W 10MHz | BC135 SI-N 45V 0.2W >200MHzBC136 SI-N 60V 0.5A 0.3W >60MHz | BC139 SI-P 40V 0.5A 0.7WBC141-10 SI-N 100V 1A 0.75W 50MHz | BC141-16 SI-N 100V 1A 0.75W 50MHz BC142 SI-N 80V 1A 0.8W | BC143 SI-P 60V 1A 0.7W AF/DRIVEBC146 SI-N 20V 50mA 50mW 150MHz | BC161-16 SI-P 60V 1A 0.75W 50MHzBC177A SI-P 50V 0.1A 0.3W 130MHz | BC177B SI-P 50V 0.1A 0.3W 130MHzBC177C SI-P 50V 0.1A 0.3W 130MHz | BC190 SI-N 70V 0.1A 0.3W 250MHzBC285 SI-N 120V 0.1A 0.36W 80MHz | BC300 SI-N 120V 0.5A 6W 120MHzBC303 SI-P 85V 1A 6W 75MHz | BC313 SI-P 60V 1A 4W 50MHzBC323 SI-N 100V 5A 0.8W 100MHz | BC327-16 SI-P 50V 0.8A 625mW 100MHz BC327-25 SI-P 50V 0.8A 625mW 100MHz | BC327-40 SI-P 50V 0.8A 625mW 100MHzBC336 SI-P 25V 50mA 0.31W 50MHz | BC337-16 SI-N 50V 0.8A 625mW 150MHz BC337-25 SI-N 50V 0.8A 625mW 150MHz | BC337-40 SI-N 50V 0.8A 0.625W 150MHz BC368 SI-N 20V 1A 0.8W 100MHz | BC369 SI-P 20V 1A 0.8WBC376 SI-P 25V 1A 0.625W 150MHz | BC393 SI-P 180V 10mA 40mWBC441 SI-N 75V 2A 1W | BC448 SI-P 80V 0.3A 0.625W >100BC449 SI-N 100V 0.3A 0.625W | BC450 SI-P 100V 0.3A 0.625WBC451 SI-N 50V 0.1A 0.3W >150MHz | BC461 SI-P 75V 2A 1WBC485 SI-N 45V 1A 0.625W 200MHz | BC487B SI-N 60V 1A 0.625W 200MHzBC488 SI-P 60V 0.1A 625mW >135MHz | BC489 SI-N 80V 1A 0.625W 200MHz BC490 SI-P 80V 1A 0.625W 200MHz | BC516 P-DARL 40V 0.4A 0.625WBC517 N-DARL 40V 0.4A 0.625W | BC538 SI-N 80V 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BFW11 N-FET 30V 10mA AMPL. | BFW12 N-FET 30V 5mA AMPL.BFW16A SI-N 25V 0.3A 1.5W 1.2GHz | BFW17A SI-N 25V 0.3A 1.5W 1.1GHz BFW30 SI-N 10V 0.1A 0.25W 1.6GHz | BFW43 SI-P 150V 0.1A 0.4W 150MHz BFW44 SI-P 150V 0.1A 0.7W 50MHz | BFW92 SI-N 15V 50mA 0.3W 1.6GHz BFW92A SI-N 15V 25mA 3.2GHz 13dB | BFX34 SI-N 60V 5A 0.87WBFX37 SI-P 90V 0.1A 0.36W 70MHz | BFX38 SI-P 55V 1A 0.8W B>85BFX40 SI-P 75V 1A 0.8W B>85 | BFX48 SI-P 30V 0.1A 0.36WBFX55 SI-N 60V 0.4A 2.2W 700MHz | BFX85 SI-N 100V 1A 0.8WBFX89 SI-N 15V 50mA 0.2W 1.3GHz | BFY39 SI-N 45V 0.1A 0.3W 150MHzBFY50 SI-N 80V 1A 0.7W 55/175ns | BFY51 SI-N 60V 1A 0.7WBFY52 SI-N 40V 1A 0.8W 100MHz | BFY56 SI-N 60V 1A 0.8WBFY64 SI-P 40V 0.6A 0.7W | BFY88 SI-N 25V 25mA 850MHzBFY90 SI-N 15V 25mA 2GHz 8dB | BGX885N CATV AMPL. 860MHz 17dB BGY88 CATV AMP. 450MHz 35dB | BGY89 CATV AMP. 450MHz 38dBBLW32 SI-N 50V 0.65A 10W 3.5GHz | BLW60C SI-N 18V 9A 100W 650MHz BLX15 SI-N 110V 6.5A 195W 275MHz | BLY87C SI-N 36V 1.53A 20W 175MHz BLY88C SI-N 18V 3A 36W 850MHz | BLY89C SI-N 18V 6A 73W 800MHzBLY93C SI-N 65V 2A 25W 175MHz | BLY94 SI-N 65V 6A 50W 175MHz常用晶体管查询手册5BS107 N-FET 200V 0.13A 0.8W 26R | BS108 N-FET 200V 0.23A 0.8W 8EBS170 N-FET 60V 0.3A 0.8W 5R | BS208 P-FET 200V 0.2A 0.8WBS250 P-FET 45V 0.18A 0.83W | BSN254A N-FET 250V 0.3A 1W <7EBSN274 N-FET 270V 0.25A 1W <8E | BSN304 N-FET 300V 0.25A 1W <8E BSR14 SI-N 75V 0.8A <35/285ns | BSR31 SI-P 70V 1A B>100BSR50 N-DARL 60V 2A 0.8W 350MHz | BSR60 P-DARL 45V 1A 0.8WBSS123 N-FET 100V 0.17A 13/29ns | BSS38 SI-N 120V 0.1A 0.2WBSS44 SI-P 65V 5A 5W | BSS52 N-DARL 100V 1A 0.8WBSS68 SI-P 60/40V 0.8A <50/110ns | BSS89 N-FET 240V 0.3A 1W 6RBSS91 N-FET 200V 0.35A 1.5W <6E | BSS92 P-FET 200V 0.15A 1W 38/45 BSV52 SI-N 20V 0.1A 225mW 400MHz | BSV80 N-FET 40V 10mA 0.35WBSV81 N-FET 30V 50mA 0.2W 100E | BSW43 SI-N 60V 0.2A 0.3W B>180 BSW68A SI-N 150V 2A 5W 130MHz | BSW85 SI-N 75V 0.5A 0.5W 250MHz BSX20 SI-N 40V 0.5A .36W 7/18ns | BSX26 SI-N 40V 0.5A 0.36WBSX29 SI-P 12V 0.2A 0.36W 25/35 | BSX32 SI-N 65V 1A 0.8W 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0E6 BUZ332 N-FET 600V 8.5A 150W 0.8R | BUZ332A N-FET 600V 8A 150W 0.9E BUZ338 N-FET 500V 13.5A 180W <E4 | BUZ341 N-FET 200V 33A 170W 0.07E BUZ345 N-FET 100V 41A 150W <E045 | BUZ349 N-FET 100V 32A 125W BUZ380 N-FET 1000V 5.5A 125W 140 | BUZ384 N-FET 500V 10.5A 125W BUZ50A N-FET 1000V 2.5A 75W 5E | BUZ71 N-FET 50V 18A 80W 0.1R BUZ71AF N-FET 50V 11A 35W 0.12R | BUZ72A N-FET 100V 11ABUZ72AF N-FET 100V 10A 40W ISOLAT | BUZ73 N-FET 200V 7A 40W 0.4R BUZ73A N-FET 200V 5.8A 40W 0.6R | BUZ90 N-FET 600V 4.5A 70W <1E6 BUZ900 N-FET 160V 8A 125W | BUZ901 N-FET 200V 8A 125WBUZ905 P-FET 160V 8A 125W | BUZ906 P-FET 200V 8A 125WBUZ90A N-FET 600V 4A 75W 2R | BUZ90AF N-FET 600V 4.3A 75WBUZ91A N-FET 600V 8A 150W 0.9R | BUZ93 N-FET 600V 3.6A 80W <2E5 CA3018 DARLINGTON BJT ARRAY | D44H11 SI-N 80V 10A 50W 50MHzD44H8 SI-N 60V 10A 50W | D45H11 SI-N 80V 10A 50W 0.5usDTA114EK SI-P 50V 0.1A 0.2W 10K/10 | DTA114ES SI-P 50V 0.1A 10K/10KOHM DTA114TL SI-P 50V 0.1A 10KOHM | DTA114YL SI-P 50V 0.1A 10K/47KOHM DTA124ES SI-P 50V 0.1A 22K/22KOHM | DTA124XS SI-P 50V 0.1A 22K/47KOHM DTA143EK SI-P 50V 0.1A 0.2W 47/47K | DTA143ES SI-P 50V 0.1A 4K7/4K7OHMDTA144EK SI-P 50V 0.1A 0.2W 47K/47 | DTA144ES SI-P 50V 0.1A 47K/47KDTA144TS SI-P 50V 0.1A 0.3W Rb=47K | DTC114ES SI-N 50V 0.1A 10K/10KOHM DTC114TS SI-N 50V 0.1A 10K | DTC114YS SI-N 50V 0.1A 10K/47KDTC124EK SI-N 50V 0.1A 0.2W 22/22K | DTC124ES SI-N 50V 0.1A 22K/22KOHM DTC143EK SI-N 50V 0.1A 0.2W 4K7/4K | DTC143ES SI-N 50V 0.1A 4K7/4K7OHM DTC143TS SI-N 50V 0.1A 4K7OHM | DTC143XS SI-N 50V 0.1A 0.3W 4.7K/1 DTC144EK SI-N 50V 0.1A 0.2W 47/47K | DTC144ES SI-N 50V 0.1A 47K/47KOHM DTC144EU SI-N 50V 0.1A 0.2W 47/47K | DTC144TS SI-N 50V 0.1A 0.3W 47KOhm DTC144WS SI-N 50V 0.1A 0.2W 47/22K | ESM6045DV N-DARL+D 450V 84A 250W FT5754M DARLINGTON ARRAY | FT5764M DARLINGTON ARRAYGD243 GE-P 65V 3A 10W | GT20D101 N-IGBT 250V 20A 180WGT20D201 P-IGBT 250V 20A 250W | H6N80 N-FET 800V 4.2A 170W 1E9 HPA100R SI-N+D 1500V 10A 150W 0.2 | HPA150R SI-N+D 1500V 15A 180W 0.2 IR2403 DARL.ARRAY 7x45V 0.4A | IR2422 7XDARLINGTON TRAN. ARRAY IRF120 N-FET 100V 9.2A 60W <58/5 | IRF140 N-FET 100V 28A 150W 0E77 IRF230 N-FET 200V 9A 75W <0E4 | IRF240 N-FET 200V 18A 125WIRF250 N-FET 200V 30A 150W | IRF330 N-FET 400V 5.5A 75W <1EIRF340 N-FET 400V 10A 125W <62/1 | IRF350 N-FET 400V 13A 150W 0.4E IRF440 N-FET 500V 8A 125W <0E85 | IRF450 N-FET 500V 13A 150WIRF520 N-FET 100V 10A 70W 0.27R | IRF530 N-FET 100V 16A 90W 0.16R IRF540 N-FET 100V 28A 150W 0.077 | IRF630 N-FET 200V 9A 75W 0.4EIRF640 N-FET 200V 18A 125W 0.18R | IRF644 N-FET 250V 14A 125W <E28 IRF730 N-FET 400V 5.5A 100W 1.0R | IRF740 N-FET 400V 10A 125W 0.55R IRF740F N-FET 400V 5.5A 40W <E55 | IRF820 N-FET 500V 3A 75W 3.0RIRF830 N-FET 500V 4.5A 100W 1.5R | IRF830F N-FET 500V 3A 35W 1.5RIRF840 N-FET 500V 4.5A 40W 0.85R | IRF840F N-FET 500V 4.5A 40W 0.85R IRF9140 P-FET 100V 19A 125W | IRF9240 P-FET 200V 11A 125W <E5IRF9530 P-FET 100V 12A 88W 0.3R | IRF9540 P-FET 100V 19.0A 150W 0R2 IRF9610 P-FET 200V 1.75A 20W 3R0 | IRF9620 P-FET 200V 3.5A 40W 1R5IRF9630 P-FET 200V 6.5A 75W 0R8 | IRF9640 P-FET 200V 11A 125W 0R5 IRFBC30 N-FET 600V 3.9A 100W 2R2 | IRFBC40 N-FET 600V 6.2A 125W 1R2 IRFBE30 N-FET 800V 4.1A 125W <3E | IRFD120 N-FET 100V 1.3A 1.3W <E27 IRFD9120 P-FET 100V 1A 1.3W <E6 | IRFD9220 P-FET 200V 0.6A 1E5 1W <9 IRFF120 N-FET 100V 6A 20W 0.3E | IRFP054 N-FET 60V 70A 230W <0E014 IRFP064 N-FET 60V 70A 300W <E009 | IRFP140 N-FET 100V 31A 180W OE77 IRFP150 N-FET 100V 40A 180W 0E55 | IRFP240 N-FET 200V 20A 150W 0E18 IRFP250 N-FET 200V 33A 180W | IRFP340 N-FET 400V 11A 150W <E55 IRFP350 N-FET 400V 18A 250W 0E3 | IRFP360 N-FET 400V 28A 410W 0.2E IRFP450 N-FET 500V 14A 180W 0E4 | IRFP460 N-FET 500V 25A 410W OE27 IRFP9140 P-FET 100V 19A 150W OE2 | IRFP9240 P-FET 200V 12A 150W IRFPC40 N-FET 600V 6.8A 150W 1.2E | IRFPC50 N-FET 600V 13A 250W 0.60E IRFPE40 N-FET 800V 5.4A 150W <2E | IRFPE50 N-FET 900V 7.8A 190W <1E2 IRFPF40 N-FET 900V 4.7A 150W <2E5 | IRFPF50 N-FET 900V 6.7A 190W <1E6 IRFR9024 P-FET 60V 9.6A 50W 0.28W | IRFZ20 N-FET 50V 15A 40W <120/70。
实验一 调谐放大器
实验一调谐放大器一、实验目的1．熟悉电子元器件和高频电路实验箱。
2．熟悉谐振回路的幅频特性分析——通频带与选择性。
3．熟悉信号源内阻及负载对谐振回路的影响，从而了解频带扩展。
4．熟悉和了解放大器的动态范围及其测试方法。
二、预习要求1．复习谐振回路的工作原理。
2．了解谐振放大器的电压放大倍数、动态范围、通频带及选择性相互之间的关系。
3．实验电路中，若电感量μH 1=L ，回路总电容pF 220=C (分布电容包括在内)，计算回路中心频率0f 。
三、实验原理1．调谐放大器的特点调谐放大器的作用是对中频和高频信号进行电压放大，对它的要求是：足够高的增益，满足设计要求的通颁带、选择性和工作的稳定性。
调谐放大器通常采用LC 调谐回路作负载，且输入信号较小，放大器工作在线性放大区。
由于采用了LC 谐振回路作为负载，因此放大器具有明显的选频作用，能将所需的信号进行足够放大，而将不需要的信号进行足够抑制。
由于被放大的信号常常占有一定带宽，因此对调谐放大器除了要求具有足够的增益和选择性外，还要求有一定的通频带宽度。
2．单调谐回路谐振放大器图1-1-1是晶体管单调谐放大器原理图及Y 参数等效电路图。
电阻1R 、2R 为晶体管T 的偏置电阻，3R 为直流反馈电阻，起稳定放大器静态工作点的作用，C 为谐振回路电容。
由LC 单回路构成集电极的负载，它调谐于放大器得中心频率，R 为降Q 电阻（降低放大器输出端谐振回路的品质因数Q 值），可加宽放大器的通频带。
（1）谐振电压增益从图中可以得出（不考虑后级ie Y 的影响）∑=g Y f A fe v )(0式中，G g g oe +=∑（2）通频带与选择性要想既得到高的增益，又保证足够宽的通频带，除了选用fe y 较大的晶体管外，还应该尽量减小谐振回路的总电容量∑C 。
∑C 也不可能很小，在极限的情况下，回路不接外加电容，回路电容由晶体管的输出电容、下级晶体管的输入电容、电感线圈的分布电容和安装电容等组成。
模拟电子技术标准实验报告 实验1-4
w.
ibm
14mV 2 18 A 1.16 K I B 18 A 10 A, 选30 A。
I E I C I B 65 30A 2mA
ju
选管 3DG6C，测量其=65。 为求r be ，设I E 2mA，则
st
26mV 1.16k 2mA
I bm 是U i 产生I B 的最大值。为避免产生截止失真，不应使输入信号工作在输入特性的弯 曲部分。故在设置基极电流时最少加 10A的起始电流。
ibm
rbe 300 1 65
ww
核算I E 与初选值是否吻合：
3）选择偏置电阻R b1 和R b2 欲使I B 稳定应使 I 1 I B ，硅管的 I 1 5 10 I B，I B 30 A , 则I 1 150 300 A . 选 I 1 220 A 。 考虑到设计任务对放大器未提出温度等特殊要求，故设计中可作常温（0--45C）处理。 基极电压可选择低一些，使V B =3V，
ww
w.
四、思考题： 1、示波器荧光屏上的波形不断移动不能稳定，试分析其原因。调节哪些旋钮才能使波形稳 定不变。 答：用示波器观察信号波形，只有当示波器内部的触发信号与所测信号同步时，才能在荧光 屏上观察到稳定的波形。 若荧光屏上的波形不断移动不能稳定， 说明触发信号与所测信号不 同步,即扫描信号（X轴）频率和被测信号（Y轴）频率不成整数倍的关系（ x n y ）,从而使 每一周期的X、Y轴信号的起扫时间不能固定，因而会使荧光屏上显示的波形不断的移动。 此时，应首先检查“触发源”开关（SOURCE）是否与Y轴方式同步（与信号输入通道保持 一致） ；然后调节“触发电平” （LEVEL） ，直至荧光屏上的信号稳定。 2、在测量中交流毫伏表和示波器荧光屏测同一输入电压时，为什么数据不同?测量直流电压 可否用交流毫伏表，为什么? 答： 交流毫伏表和示波器荧光屏测同一输入电压时数据不同是因为交流毫伏表的读数为正弦 信号的有效值，而示波器荧光屏所显示的是信号的峰峰值。 不能用交流毫伏表测量直流电压。 因为交流毫伏表的检波方式是交流有效值检波， 刻度 值是以正弦信号有效值进行标度的，所以不能用交流毫伏表测量直流电压。
电子技术——半导体三极管及其基本电路参考答案
第二章半导体三极管及其基本电路参考答案一、填空题1发射极，集电极，基，集电2、共基电路，共射电路，共集电路。
3、输入特性，输出特性4、I B，V BE5、合适的静态工作点，幅度适中6、截止，减小，增大7、输出电压，输入电压8、基极，集电极9、电压，电流10、发射，集电11、饱和，NPN12b，e，c ，NPN，硅13、发射结正偏、集电结反偏，I E=I C+I B14、增加，上移15、增大，减小16、电容，电源17、信号源，负载18、阻容耦合，直接耦合，变压器耦合。
19、第一级，输入级，差动放大电路20、阻容耦合，直接耦合，阻容耦合22、提高（增加），增加22、降低，降低23、直流，负，串联24、AF＞1，φA＋φF＝2nπ（n=0,1,2,…）25、RC，LC26、振幅平衡、相位平衡27、放大器、反馈网络28、甲类，乙类，甲乙类29、PO输出功率，PD直流电源供给功率，η/效率，乙30、甲类，甲乙类，乙类，甲乙类二、选择题1、A2、B3、C4、C5、D6、D7、D8、A9、A10、C 11、B12、A13、D14、B15、C16、A17、B18、C19、C20、D21、A22、B23、B24、B25、B26、D27、C28、A29、B30、C31、A32、D33A30、D35、D36、A37、B38、D39、C40、D、A41、B42、C43、C44、C45、B46、B47、D48、D49、B50、B51、D52、B53、B54、C55、B56、C57、D58、C59、B60、D61、B62、A63、A64、B65、C66、B三、判断题1、错2、对3、错4、错5、错6、错7、错8、对9、错10、错11、错12、错13、错14、对15、错16、对17、错18、错19、对20、错21、错22、错23、错24、错25、错26、错27、错28、错29、错30、对31、错32、对33、错34、对35、对36、对37、对38、错39、错40、错41、错42、错43、对44、错45、对46、错47、错48、对49、错四、简答题1、(2-1，中)什么是静态工作点？静态工作点对放大电路有什么影响？答：放大电路在没有输入信号时所处的状态称为静态，又称直流状态。
第三章(高频小信号放大器)习题答案
Q0 100 ，L 的匝数 N 20 ，接入系
2
数 p1 p2 0.3 。晶体管 T1 的主要参数为： f T 250MHz ， rbb 70 ， Cbc 3pF ，
yie (0.15 j1.45)mS ， yoe (0.082 j0.73)mS ， yfe (38 j4.2)mS 。静态工作点电
yoe (0.2 j1.3)mS 。求此放大器的稳定电压增益 (A v0 ） s ，要求稳定系数≥5。
解：1）由于前级与本级一样，所以有 gs gie g oe G L g 和 g
yfe ，稳定系数为 A v0
S
2 (gs gie )(g oe G L )(1 2 ) g 2 (1 2 ) yfe (1 ) yfe yre yfe ye A2 v0 y e
第四章习题 4.9 在图 4.1 中， 晶体管的直流工作点 是 VCE 8V ， IE 2mA ；工作频率 调谐回路采用中频变 f0 10.7MHz ； 压器 L13 4 H ， Q0 100 ，其抽 头为 N 23 5 匝， N13 20 匝，
N 4-5 5 匝。试计算放大器下列各值：电压增益、功率增益、通频带、回路插入损耗和稳定
系数 S（设放大器和前级匹配 gs gie ） 。晶体管在 VCE 8V ， IE 2mA 时参数如下：
gie 2860S Cie 18pF ， goe 200S Coe 7pF ， yfe 45mS fe 54 ，
yre 0.31mS fe 88.5
注：因为放大器增益与 g 有关，在本题中没有给出 g 的具体数值，g 与晶体管参数和接入系 数有关，所以只有从 S 中消去个。 若设工作频率远低于特征频率， f 0 f T ，则有 fe 0 ， re 90 ，
晶体管的参数
晶体管的参数晶体管是一种常见的电子元器件，广泛应用于电子设备和电路中。
在电路设计和分析中，了解晶体管的参数是十分重要的。
本文将介绍晶体管的几个重要参数，包括增益、阈值电压、输出电阻和频率响应等。
1. 增益：晶体管的增益是指输入和输出信号之间的放大倍数。
以BJT晶体管为例，常用的增益参数有直流电流增益（hFE）和交流电流增益（hfe）。
直流电流增益表示输入电流与输出电流的比值，在常用的晶体管参数手册中一般给出一个范围值。
交流电流增益则表示在交流条件下输入电流与输出电流的比值。
2. 阈值电压：阈值电压是指在晶体管进行开关动作时所需要的输入电压。
对于MOSFET晶体管，阈值电压是控制沟道开启状态的关键参数。
当输入电压高于阈值电压时，晶体管会被打开，允许电流通过。
当输入电压低于阈值电压时，晶体管处于关闭状态。
3. 输出电阻：输出电阻是指晶体管的输出端对外部电路的阻抗。
输出电阻越大，对外部电路的影响越小。
输出电阻可以描述晶体管输出信号的稳定性和负载能力。
对于BJT晶体管，输出电阻是一个重要的参数，可以影响放大器的性能。
4. 频率响应：频率响应是指晶体管在不同频率下的输出特性。
晶体管作为放大器时，输出信号在不同频率下的增益可能会有所变化。
频率响应参数通常以增益-频率图（Bode图）的形式给出，可以帮助设计工程师了解晶体管在不同频率下的性能表现。
除了以上几个常见参数之外，晶体管的参数还包括输入电阻、输出电容和温度特性等。
输入电阻是指晶体管的输入端对外部电路的阻抗，它可以影响信号的输入效果。
输出电容是指晶体管的输出端与输入端之间存在的电容效应，它可能会影响电路的带宽和相应速度。
需要注意的是，晶体管的参数可能存在一定的变化和尺寸差异。
因此，在实际电路设计中，选型和匹配晶体管时要结合具体使用场景和需求，同时参考厂家提供的参数手册和数据表。
总结起来，晶体管的参数是电路设计与分析过程中不可忽视的一部分。
熟悉晶体管的参数可以帮助工程师更准确地选取合适的晶体管，并优化电路设计。
第4讲晶体三极管及场效应管
2. 绝缘栅型场效应管
增强型管
大到一定 值才开启
高掺杂 耗尽层 空穴
衬底 SiO2绝缘层
反型层
uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当 反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。
动画演示
增强型MOS管uDS对iD的影响
刚出现夹断
iD随uDS的增 大而增大，可
uGD＝UGS（th）, 预夹断
变电阻区
夹断 电压
在恒流区iD时 ID， O(UuGGSS(th)1)2 式中 IDO为uGS2UGS(t时 h) 的 iD
3. 场效应管的分类 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性
结型PN沟 沟道 道((uuGGS＞ S＜00， ，uuDDS＜ S＞00)) 场效应管 绝缘栅型 耗 增尽 强型 型 PPN N沟 沟 沟 沟道 道 道 道((((uuuuG GG GSS＜ 极 SS＞ 极00， 性 ， 性uu任 D任 DS＜ S＞ 意 意 00)u)u， ， DDS＜ S＞00))
区
区
低频跨导：
夹断区（截止区）
iD几乎仅决 定于uGS
击 穿 区
夹断电压
gm
iD uGS
UDS常量
不同型号的管子UGS（off）、IDSS 将不同。
动画演示Байду номын сангаас
（1）可变电阻区
i
是uDS较小，管子尚未预夹断时
的工作区域。虚线为不同uGS是预夹
断点的轨迹，故虚线上各点
uGD=UGS(off)，则虚线上各点对应的 uDS=uGS-UGS(off)。
uDS的增大几乎全部用 来克服夹断区的电阻
iD几乎仅仅 受控于uGS，恒 流区
用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N 沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？
现代电子线路基础(新版教材)答案
第六章习题答案6.1 在题图6.1所示调谐放大器中，工作频率f o =10.7MHz,L 1-3=4μH,Q o =100, N 1-3=20匝, N 2-3=5匝, N 4-5=5匝,晶体管3DG39在f o =10.7MHz 时测得g ie =2860μS,C ie =18pF, g oe =200μS, C oe =7pF,|y fe |= 45mS,y re =0,试求放大器的电压增益A vo 和通频带BW 。
解：25.02053~13~21===N N P ， 25.02053~15~42===N N P 总电容pF 4.55)L *)f 2/((1C 20==∑πLC 振荡回路电容pF 8.53C p C p C C ie 22oe 21=--=∑ LC振荡回路固有谐振频率'0f ==10.85(MHz)固有损耗电导：''600036.710()0011g S Q L2Q f Lωπ-===⨯ 22262661200.25200100.2528601036.7100.228()oe ie G P g P g g mS ---∑=++=⨯⨯+⨯⨯+⨯=116.32L 0Q G Lω∑==)KHz (6563.167.10Q f B L 0W ===， 1210228.0104525.025.0G |y |P P A 63fe 210V -=⨯⨯⨯⨯-=-=--∑ 注：由上述计算可以看出，'0f 和0f 相差不大，即部分接入后对谐振频率影响较小，但概念要清楚。
另外，这里给出了fe y （即认为是m g ）不要通过EQ I 来计算m g 。
6.2 题图6.2是某中放单级电路图。
已知工作频率f o =30MHz,回路电感L =1.5μH, Q o =100,N 1/N 2=4,C 1~C 4均为耦合电容和旁路电容。
晶体管在工作条件下的y 参数为ie (2.8j3.5)mS y =+； re 0y ≈ fe (36j27)mS y =- oe (0.2j2)mS y =+ 试解答下列问题：(1) 画出放大器y 参数等效电路； (2) 求回路谐振电导g Σ； (3) 求回路总电容C Σ；(4) 求放大器电压增益A vo 和通频带BW ；(5) 当电路工作温度或电源电压变化时, A vo 和BW 是否变化？解：(1) y 参数等效电路如上图： (3) 由0f =22262121118784431415103010C .(pF )Lf ..∑π-===⨯⨯⨯⨯⨯ (2) 11=P ， 25.041122===N N P 由y 参数得)(58.1810302105.363pF C ie =⨯⨯⨯=-π，)(6.101030210263pF C oe =⨯⨯⨯=-π 2221218781060251858702oe ie C C P C P C .....(pF )∑=--=--⨯=491'o f .(MHz )===固有损耗电导：6066001112161022314100491101510''o o g .(S )Q LQ f L ...ωπ--====⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯ 22323612002100252810214100396oe ie G P g P g g .....(mS )---∑=++=⨯+⨯⨯+⨯= (4) 36601189039610230101510L Q .G L..ωπ--∑===⨯⨯⨯⨯⨯⨯03033789W L f B .(MHz )Q .=== 31203102510284039610fe V PP |y |.A .G .--∑⨯=-=-=-⨯(5) 当电路工作温度或电源电压变化时，会引起y 参数变化，从而vo A 和BW 会发生变化。
欧姆龙CP1H性能
一．欧姆龙（邦赛）PLC CP1H-X40DT-D1.基本性能1-1 处理速度：基本指令0.1μs；特殊指令0.3μs1-2 I/O容量：最多7个扩展单元，开关量最大320点，模拟量最大37路1-3 程序容量：20K步1-4 数据容量：32K字1-5 机型类别：本体40点，24点输入，16点输出，继电器输出或晶体管输出可选2.特殊功能2-1 4轴脉冲输出：100kHz×2和30kHz×2（X型和XA型），最大1MHz（Y型）2-2 4轴高速计数：单向100kHz或相位差50kHz×4（X型和XA型），最大1MHz（Y型）2-3 内置模拟量：4输入，2输出（XA型）3.通信功能3-1 通信接口：最大2个串行通信口（RS-232A或RS-422/485任选）本体附带一个USB编程端口3-2 通信功能：上位链接、无协议通信、NT链接（1:N）、串行网关功能、串行PLC链接功能、Modbus-RTU 简易主站4.其他功能4-1 模拟量输入手动设定4-2 2位7段码发光二极管显示故障信息4-3 支持欧姆龙中型机CJ1系列高功能模块（最大2块）4-4 支持FB/ST编程，可以利用欧姆龙的SmartFB库，与CJ1/CS1系列程序统一，可以互换。
一般规格■性能规格※CJ高功能I/O、CJCPU总线单元的存储区与CJ系列是一样的分配。
具体请见CJ样本（编号P052-CN5-05）。
CP1H 一般规格* 上述值为AC电源：常温·冷启动时的条件、DC电源：冷启动时的条件。
·AC电源的浪涌电流限制回路中使用了热敏元件(低温时电流抑制特性)。
在环境温度较高时、电源OFF时间较短的热启动时，由于热敏元件无法充分冷却，可能会出现冲击电流值超出(最大约为上述值的2倍)上述值的情况。
选用外部回路的保险丝、断路器时，请在参考熔断、检测特性等上述内容的基础上选择有一定余量的方案。
·DC电源的冲击电流限制回路使用了电容充电型的延迟回路。
高频电子线路期末复习题-基本概念
1.下列说法错误的是（D）A）LC回路串联谐振时，电感L和电容C上的电压达到最大值且为输入信号电压的Q倍，故串联谐振也称为电压谐振。
B）LC回路并联谐振时，电感L和电容C上的电流达到最大值且为输入信号电流的Q 倍，故并联谐振也称为电流谐振。
C）LC谐振回路中储存的能量是不变的，只是在线圈与电容器之间相互转换。
D）LC谐振回路中外加电动势提供回路电阻和电抗所消耗的能量。
2.当LC谐振回路谐振时的感抗或容抗，称之为特性阻抗。
用（A）表示。
B)QC)BD)ξ3.回路谐振时整个回路的阻抗（C）。
A)呈感性B)呈容性C)呈纯阻性D)为失谐时的Q倍4.高频小信号谐振放大器不稳定的主要原因是（C）。
A)增益太大B)通频带太宽C)晶体管集电极电容Cb’c的反馈作用D)谐振曲线太尖锐5.常用集电极电流半流通角θ的大小来划分功放的工作类别，丙类功放（D）。
A）θ=180B）90<θ<180C）θ=90D）θ<906.高频谐振功率放大器原工作于临界状态，如果其它条件不变，供电电压Vcc增大时，放大器的工作状态为（B）。
A）临界状态B）欠压状态C）过压状态D）甲类状态7.工作在过压工作状态的丙类谐振功率放大器，当输入电压波形是余弦信号时，集电极输出电流波形是（D）。
A)正弦波B)余弦波C)尖顶余弦脉冲D)凹顶余弦脉冲输入一个余弦信号到高频功放电路，工作状态为丙类过压，输出集电极电流为（D）。
A)余弦信号B)正弦信号C)尖顶余弦脉冲D)凹顶余弦脉冲8.满足三端式振荡器相位条件的晶体管各电极连接原则是（A）。
A)射同余异B)射异余同C)集同余异D)基同余异9.若调制信号的频率是从300HZ~3000HZ，那么，普通调幅时，调幅电路中带通滤波器的通频带的通频带宽至少应为（D）。
(最高频率的2倍)A)3000HZB)5400HZC)600HZD)6000HZ10.某已调波的数学表达式为t t t u 63102sin ))102sin(1(2)(⨯⨯+=ππ，这是一个（A ）。
通信电路课后答案(沈伟慈版)
习题解答汇编
3.8
解:
因为
U cm U cc
,如果U cm和U CC 不变,则也不变.
uBE max不变,所以Icm不变, 所以仍然工作在临界状 态..
c
1 2
g1
(
),
c随g1
(
)的增大而增大
,
即
, I c1m
.
Po
1 2
I c1mU cm也减小了.
NF3 12dB 15.85, GPA3 40dB 10000
NF
NF1
NF2 1 NF3 1
GPA1
GPA1 GPA2
1.08
SNRin NF SNRout 108
习题解答汇编 1.9 解: 按照题意,我们直接可以得到
EA 4k T0 RA BW D NF 0.436μV
)
2
g ie
gie
( C1 C2
)2 gie
1
又
U f U f
C1
1
C2 C1
C2
习题解答汇编
反馈系数
所以
F
U f U f
C1 C2
U f
y feUi G jB
C2 C1
U
f
其中
G goe gie ge0 ,
B
C1
C2
2 LC 2
1
习题解答汇编
g 'e0
1
C2 C1 C2
2
180
:90
:60
1 0
180 180
: 1 0
90 90
: 1 0
60 60
g1 180 : g1 90 : g1 60 1:1.57 :1.8
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0 V 2
I Yr ( S ) 1 V 2 I Yo ( S ) 2 V 2
—— 输入端交流短路的反向传输导纳
0 V 1
——
0 V 1
输入端交流短路的输出导纳
四端网络等效电路：
Y (S )V Y (S )V I 1 i 1 r 2
Y (S )V Y (S )V I 2 f 1 o 2
Cbc
A2 B 2
B j ( tg 1 ) A e 2
Yoe g oe jCoe ( g ce
BCbc g m rbb A B
2 2
) j (Cbc
AC bc g m rbb A B
2 2
)
式中，
A 1 rbb g be
B Cbe rbb
Vbe Vbe Vbe rbe (1 ) (1 )re Ib I e /(1 ) I e
re
gm
——发射结电阻 ——静态跨导
re
26(mv) 26(mv) I EQ I CQ (mA)
IC IC 1 1 I EQ I CQ gm Vbe I B rbe rbe re 26 26
应用前面的分析结果，找出对应关系。 （注：短路导 纳参数只与晶体管本身有关，与外电路无关。）
Y V Y V I b ie be re ce
Y V Y V I c fe be oe ce
I Yie b V be
I Yre b V ce I Y fe c V be
Yob Yoe
1．模拟混合π型等效电路
rcc
， ree
可以忽略（掺杂浓度小）,
rbb
较大（掺杂浓度大）
2．高频混合π型等效电路
低频时，电容容抗很大，可忽略； 高频时，电容容抗很小，电阻可忽略。
管子后面的负载LC是以并联形式出现的,考虑到计算方便, 选用Y参数
3．混π电路中的几个参数
rbe ——发射结等效电阻
1.3 晶体管高频小信号等效电路与参数
1.3.1 共发晶体三极管的混合π型等效电路 1.3.2 共发晶体三极管的Y参数等效电路
1.3.3 晶体三极管的Y参数
1.3.1 共发晶体三极管的混合π型等效电路
小信号时，PN结等效电路：
rd ：微变等效电阻
Cd Cd ：势垒电容（或扩散电容）
rd
三极管结构
0 V ce
gbb [ gbe j (Cbe Cbc )] gbb gbe j (Cbe Cbc )
g bb g bb ( g m jCbc ) g be j (Cbe Cbc )
0 V ce
I Yre b V ce V
1.3.2 共发晶体三极管的Y参数等效电路
1. 有源四端网络的Y参数等效电路
网络方程：
Y (S )V Y (S )V I 1 i 1 r 2
1
I 1
+
V 1
Yi ( S ) Yr ( S )
I 2 2
+ -
V 2 Y f ( S ) Yo ( S )
2
Y (S )V Y (S )V I 2 f 1 o 2
Yoe I c V ce
be 0
gbb jCbc gbb gbe j (Cbe Cbc )
g ce jCbc ( g m g bb g be jCbe ) g bb g be j (Cbe Cbc )
. Ic c ＋ . Uce －
（同理，有共基、共集的Y参数等效电路）
1.3.3 晶体三极管的Y参数
1. 共发三极管的Y参数
一般手册上无Y参数，都是混π 参数。可以 用混π 参数来表示Y参数。
（若在 ce 两端跨接一较
=0 大电容，则 V ce
短路）
交流
Yie
I b V be
0 V ce
0 V be
以上关系式较复杂，是因为 rbb 存在，在高频时不能忽略。
简化以上几式，适当忽略 Cbc Cbe Cbc Cbe Cbc Cbe
Yie g ie jCie
Ag be BCbe A B
2 2
j
Cbc A B
由于是在输入、输出短路时确定的导纳，又称短路 导纳参数。
2. 共发三极管的Y参数等效电路
在分析高频小信放大器时，采用Ｙ参数等效电路进 行分析是比较方便的。所以在电路化简时，可将晶体管 等效成一个Ｙ参数等效电路。
c ＋ . Ube － b . Ib e V
. Ic
＋ . Uce －
一个晶体管可以看成有源四端网络
-
1
1
I 1
据方程，有：
I Yi ( S ) 1 V
+
V 1
Yi ( S ) Yr ( S )
I 2 2
+ -
V 2 Y f ( S ) Yo ( S )
2
0 1 V 2
1
—— 输出端交流短路的输入导纳 —— 输出端交流短路的正向传输导纳
I Y f (S ) 2 V 1
I Yoe c V ce
0 V ce
0 V be
0 V ce
0 V be
Yie是晶体管输出端短路时的输入导纳（下标 “ｉ”表示输入，“ｅ”表示共射组态），反 映了晶体管放大器输入电压对输入电流的控制 作用，其倒数是电路的输入阻抗。Yie参数是复 数。 Yfe是晶体管输出端短路时的正向传输导纳（下 标“f”表示正向），反映了晶体管输入电压对 输出电流的影响，即晶体管内部的控制作用,表 示晶体管的放大能力。
1 Vbe I b ( Z be ) g bb
Z be
g be
1 j (Cbe Cbc )
1 1 Vbe I b [ ] g bb g be j (Cbe Cbc )
I Yie b V be
I 同理： Y fe c Vbe
如果 rbb 0 ，则 A=1,B=0，Y参数就大大简化:
Yie g be jCbe
Yre Cbc e
• 但在高频时，
j
Y fe g m
Yoe g ce jCbc
2
rbb
一般不能忽略。
Yie gie jCie
常用的共射晶体管Y参数等效电路如下：
Yic Yie
Yrc (Yre Yie )
Yib Yie Y fe Yre Yoe
Yrb (Yre Yoe )
Y fe
Yoe
Y fc (Yre Yie )
Yoc Yie Y fe Yre Yoe
Y fb (Y fe Yoe )
2 2
呈容性
晶体管中的Y参数都呈容性，都可以用以上形式表示。 Yie和Yoe常用模和相角形式表示，Yfe和Yre常用实部和虚部形式表示。
Y fe y fe e
I Yre b Vce
j fe
gm A2 B 2
B j (tg 1 ) A e
y re e j re
0 V ce
. Ib b ＋ . Ube － Cie g ie
Yoe goe jCoe
. Ic c ＋ Coe
g oe . YreUce e) 在分析谐振放大器（并联谐振回路），比较方便。
2. 它组态的三极管的Y参数： （已知共射）
共射 共集 共基
Yie Yre
Yre是晶体管输入端短路时的反向传输导纳（下 标“r”表示反向），反映了晶体管输出电压对 输入电流的影响，即晶体管内部的反馈作用。 Yoe是晶体管输入端短路时的输出导纳（下标 “o”表示输出），反映了晶体管输出电压对输 出电流的作用，其倒数是电路的输出阻抗。
. Ib b ＋ . Ube － Yie Yoe . YreUce e (a ) . YfeUbe