3发光二极管(精)
光电器件——发光二极管分类与主要参数(精)
发光二极管分类与主要参数发光二极管（Light Emitting Diode），简称LED，是一种能将电能转换为光能的半导体器件，由磷化镓、砷化镓、磷砷化镓、砷磷化镓等半导体材料制成。
发光二极管在电路中用文字符号VD表示，其图形符号如图所示。
发光二极管的图形符号发光二极管的结构1.发光二极管的分类发光二极管的种类很多，分类方法各有不同。
（1）按材料分按材料的不同，LED可分为砷化镓LED、磷砷化镓LED、磷化镓LED、砷铝化镓LED等。
（2）按发光二极管的发光颜色分按发光二极管的发光颜色可分为红色、绿色、黄色、橙色等可见光发光二极管以及不可见的红外发光二极管。
（3）按发光效果分按发光效果可分为固定颜色LED变色LED两类，其中变色LED包括双色和三色等。
（4）按发光二极管的封装外形分按发光二极管的封装外形可分为圆柱形、矩形、方形、三角形、组合形发光二极管。
其中圆形发光二极管的外径有Φ2~Φ20mm等多种规格，常用的有Φ3mm、Φ5mm等。
（5）按封装形式分按封装形式有可分为有色透明封装（C）、无色透明封装（T）、有色散射封装（D）、无色散射封装（W）。
（6）按封装材料分按封装材料的不同可分为塑料封装、陶瓷封装、金属封装、树脂封装无引线封装。
常见LED的外形2．发光二极管的主要参数发光二极管的主要参数有最大工作电流I FM和最高反向电压U RM。
（1）最大工作电流I FMI FM是指发光二极管长期正常工作所允许通过的最大正向电流。
使用中不能超过此值，否则将会烧毁发光二极管。
（2）最高反向电压U RMU RM是指发光二极管在不被击穿的前提下，所能承受的最大反向电压。
使用中不应使发光二极管承受超过此参数值，否则发光二极管将可能被击穿。
发光二极管的参数还具有光参数，如峰值波长、发光强度等，其中发光强度表示发光二极管的发光亮度，由峰值波长可知发光二极管的发光颜色，如峰值波长为70nm时，发光二极管就发出红色光。
发光二极管的简易测试(精)
发光二极管的简易测试发光二极管，简称LED，是一种能把电能转换成光能的半导体器件，当管子上通过一定的正向电流时，便可以光的形式将能量释放出来，发光强度与正向电流近似成正比，发光颜色与管子的材料有关。
一、LED的主要特点(1)工作电压低，有的仅需1.5 - 1.7V即能导通发光;(2)工作电流小，典型值约1OmA;(3)具有和普通二极管相似的单向导电特性，只是死区电压略高些;(4)具有和硅稳压二极管相似的稳压特性;(5)响应时间快、从加电压到发出光的时间仅1一1Oms，响应频率可达100Hz;则使用寿命长，一般可达10万小时以上。
目前常用的发光二极管有发红光和绿光的磷化稼(GaP)LED,其正向压降V F=2.3V;发红光的磷砷化稼(GaASP) LED,其正向压降V F= 1.5 - 1.7V;以及采用碳化硅和蓝宝石材料的黄色、蓝色LED，其正向压降V F=6V。
由于LED的正向伏安曲线较陡，故在应用时，必须串接限流电阻，以免烧坏管子。
在直流电路中，限流电阻R可用下式估算:R=(E-V F)/I F在交流电路中，限流电阻R可用下式估算:R= (e-V F )/2I F，式中e为交流电源电压的有效值。
二、发光二极管的测试在无专用仪器的情况下，LED也可用万用表估测(这里以MF30型万用表为例)。
首先，将万用表置于Rx1k档或Rx100档，测量LED的正反向电阻，若正向电阻小于50kΩ，反向电阻无穷大，表明管子正常。
若正、反向均为零或均为无穷大，或正反向电阻值比较接近，均说明管子有问题。
然后，还须测量LED的发光情况。
因其正向压降为1.5V以上，故无法用Rx1, Rx1O, Rx1k档直接测量，R x1Ok档虽然使用15V电池;但内阻太高，也不能使管子导通发光。
但可采用双表法测试。
将两块万用表串联起来，均置于Rx1档，这样电池总电压为3V，总内阻为50Ω，则提供给L印的工作电流大于1OmA，足以使管子导通发光。
发光二极管特性参数(精)
发光二极管特性参数IF 值通常为 20mA 被设为一个测试条件和常亮时的一个标准电流，设定不同的值用以测试二极管的各项性能参数，具体见特性曲线图。
IF 特性：1. 以正常的寿命讨论，通常标准 IF 值设为 20 － 30mA ，瞬间（ 20ms ）可增至100mA。
2. IF 增大时 LAMP 的颜色、亮度、 VF 特性及工作温度均会受到影响，它是正常工作时的一个先决条件， IF 值增大：寿命缩短、 VF 值增大、波长偏低、温度上升、亮度增大、角度不变，与相关参数间的关系见曲线图；1.VR （ LAMP 的反向崩溃电压）由于 LAMP 是二极管具有单向导电特性，反向通电时反向电流为 0 ，而反向电压高到一定程度时会把二极管击穿，刚好能把二极管击穿的电压称为反向崩溃电压，可以用“ VR ”来表示。
VR 特性：1. VR 是衡量 P/N 结反向耐压特性，当然 VR 赿高赿好；2. VR 值较低在电路中使用时经常会有反向脉冲电流经过，容易击穿变坏；3. VR 又通常被设定一定的安全值来测试反向电流（ IF 值），一般设为 5V ；4. 红、黄、黄绿等四元晶片反向电压可做到 20 － 40V ，蓝、纯绿、紫色等晶片反向电压只能做到 5V 以上。
2.IR （反向加电压时流过的电流）二极管的反向电流为 0 ，但加上反向电压时如果用较精密的电流表测量还是有很小的电流，只不过它不会影响电源或电路所以经常忽略不记，认为是 0 。
IR 特性：1. IR 是反映二极管的反向特性， IR 值太大说明 P/N 结特性不好，快被击穿； IR 值太小或为 0 说明二极管的反向很好；2. 通常 IR 值较大时 VR 值相对会小， IR 值较小时 VR 值相对会大；3. IR 的大小与晶片本身和封装制程均有关系，制程主要体现在银胶过多或侧面沾胶，双线材料焊线时焊偏，静电亦会造成反向击穿，使 IR 增大。
3.IV （ LAMP 的光照强度，一般称为 LAMP 的亮度）指 LAMP 有流过电流时的光强，单位一般用毫烛光（ mcd ）来衡量，由于一批晶片做出的 LAMP 光强均不相同，封装厂商会将其按不同的等级分类，分为低、中、高等多个等级，而 LAMP 的价格也与其亮度大小有关系。
发光二极管使用注意事项(精)
发光二极管使用注意事项
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ZHONGRUI(SHEN ZHEN)TECHNOLOGY CO., LTD.
发光二极管使用注意事项:
一.弯脚及切脚
1)在对LED进行弯脚及切脚时,弯脚及切脚的位置距胶体底面大于3mm;
2)弯脚应在焊接前进行;
3)使用LED插件时,PCB板孔与LED脚间距要相对应;
4)切脚时由于切脚机振动磨擦产生很高电压的静电,故切脚机要可靠的接地,做好防静电工作(可用吹离子风扇消除静电)
二.焊接条件:
1)加热时不要对LED施加任何压力;
2)最大焊接条件:
手动焊接波峰焊接
A 烙铁最大功率:30W A 预热最高温度:100℃
B 最高温度: 300℃ B 预热最长时间:60秒
C 焊接最长时间:3秒 C 浸焊最高温度:260℃
D 焊接位置:距离胶体底面>3mm D浸焊最长时间:5秒
E 浸焊位置: 距离胶体底面>3mm
三.防静电注意事项:
1) 所有接触LED的设备及仪器必须接地;
2) 所有接触LED的人员必须配戴防静电手腕带或防静电手套;
3) 自然天气特别干燥时,务必在生产车间及仓库等场所加以雾化(增加环境湿度)!;
4) 如有LED被静电损坏,会显示一些不良特性,如漏电电流增加,静态顺向电压降低或上升,在低电流测试时不亮或发光不正常.
四.过流保护:
1) 给LED串联保护。
半导体发光二极管测试国标(精)
基于LED各个应用领域的实际需求，LED的测试需要包含多方面的内容，包括：电特性、光特性、开关特性、颜色特性、热学特性、可靠性等。
1、电特性LED是一个由半导体无机材料构成的单极性PN结二极管，它是半导体PN结二极管中的一种，其电压-电流之间的关系称为伏安特性。
由图1可知，LED电特性参数包括正向电流、正向电压、反向电流和反向电压，LED必须在合适的电流电压驱动下才能正常工作。
通过LED电特性的测试可以获得LED的最大允许正向电压、正向电流及反向电压、电流，此外也可以测定LED的最佳工作电功率。
图 1 LED伏安特性曲线LED电特性的测试一般利用相应的恒流恒压源供电下利用电压电流表进行测试。
2、光特性类似于其它光源，LED光特性的测试主要包括光通量和发光效率、辐射通量和辐射效率、光强和光强分布特性和光谱参数等。
（1）光通量和光效有两种方法可以用于光通量的测试，积分球法和变角光度计法。
变角光度计法是测试光通量的最精确的方法，但是由于其耗时较长，所以一般采用积分球法测试光通量。
如图2所示，现有的积分球法测LED光通量中有两种测试结构，一种是将被测LED放置在球心，另外一种是放在球壁。
_h:^E8(_ d图 2 积分球法测LED光通量此外，由于积分球法测试光通量时光源对光的自吸收会对测试结果造成影响，因此，往往引入辅助灯，如图3所示。
图3 辅助灯法消除自吸收影响在测得光通量之后，配合电参数测试仪可以测得LED的发光效率。
而辐射通量和辐射效率的测试方法类似于光通量和发光效率的测试。
（2）光强和光强分布特性图4 LED光强测试中的问题如图4所示，点光源光强在空间各方向均匀分布，在不同距离处用不同接收孔径的探测器接收得到的测试结果都不会改变，但是LED由于其光强分布的不一致使得测试结果随测试距离和探测器孔径变化。
因此，CIE-127提出了两种推荐测试条件使得各个LED在同一条件下进行光强测试与评价，目前CIE-127条件已经被各LED制造商和检测机构引用。
亿光组装发光二极管LEDA1394B-3SYG-S530-E2规格书(精)
EVERLIGHT ELECTRONICS CO.,LTD.Technical Data Sheet3mm 3Pcs Circuit Board Indicator█ Features :●Low power consumption●High efficiency and low cost ●Good control and free combinations on the colors of LED lamps ●Good lock and easy to assembly ●S tackable and easy to assembly Stackable vertically and easy to assembly ●Versatile mounting on P.C board or panel ●Stackable horizontally and easy to assembly ●Pb free●The product itself will remain within RoHS compliant version█ Descriptions :●ARRAY=P lastic Holder+Combinations of Lamps●The array will easily mount the applicable lamps on any panel up to█ Applications :●ed as indicators of indicating the Degree, Functions, Positions etc, in electronic instruments.ChipMaterialEmitted Color 264-10SYGD/S530-E2AlGaInPSuper Yellow GreenGreen DiffusedEVERLIGHT ELECTRONICS CO.,LTD.REV.:1Page: 1 of 6Device Number :DAE-00001502009/5/20Prepared by: li mingA1394B/3SYG/S530-E2Lens Color PART NO. Prepared date:'http : // TEL:020-******** QQ:2462655096EVERLIGHT ELECTRONICS CO.,LTD.Technical Data Sheet3mm 3Pcs Circuit Board IndicatorPackage DimensionsNotes:2.Lead spacing is measured where the lead emerge from the package █ Absolute Maximum Ratings at Ta = 25℃Parameter SymbolRating Unit Forward Current IF 25mA Operating Temperature Topr -40 to+85℃Storage Temperature Tstg -40 to +100℃Soldering Temperature Tsol 260℃Electrostatic Discharge ESD 2000V Power Dissipation Pd 60mW Reverse VoltageVR5VNote: *1:Soldering time ≦ 5 seconds.EVERLIGHT ELECTRONICS CO.,LTD.http : // REV.:1Page:2 0f 6Device Number :DAE-0000150Prepared date:2009/5/20Prepared by:li ming1.All dimensions are in millimeters, tolerance is 0.25mm except being specifiedA1394B/3SYG/S530-E2EVERLIGHT ELECTRONICS CO.,LTD.Technical Data Sheet3mm 3Pcs Circuit Board IndicatorMin.Typ.Max.Unit I F =20mA / 2.0 2.4V V R =5V //10μA I F =20mA 2550/mcd I F =20mA /60/deg I F =20mA /575/nm I F =20mA /573/nm I F =20mA/20/nmEVERLIGHT ELECTRONICS CO.,LTD. http : // REV.:1Device Number :DAE-0000150Prepared date:Prepared by:A1394B/3SYG/S530-E22009/5/20λp λd △λV F I R Iv 2θ1/2Dominant Wavelength Spectrum RadiationBandwidthParameter Condition Forward Voltage Reverse Current Luminous Intensity Viewing Angle Peak Wavelength Symbol li mingPage:3 of 6EVERLIGHT ELECTRONICS CO.,LTD.EVERLIGHT ELECTRONICS CO.,LTD.Technical Data Sheet3mm 3Pcs Circuit Board Indicator█Reliability test items and conditions:The reliability of products shall be satisfied with items listed below. Confidence level:97% LTPD:3%NO Item Test ConditionsSample Size Failure Judgment Criteria1Solder Heat TEMP : 260℃ ± 5 ℃76 PCSH : +100℃ 15min2Temperature Cycle∫ 5 min 76 PCSL : -40℃ 15min H : +100℃ 5min3Thermal Shock ∫ 10 sec 76 PCSL : -10℃ 5min 4High Temperature Storage TEMP : 100℃76 PCS5Low Temperature Storage TEMP : -40℃76 PCSTEMP : 25℃I F = 20mA 7High Temperature / HighHumidity85℃ / 85% RH76 PCSNote:Ivt:To test Iv value of the chip before the reliablility testIv:The test value of the chip that has completed the reliablility test U:Upper Specification Limit L: Lower Specification LimitEVERLIGHT ELECTRONICS CO.,LTD. http : // REV.:1Device Number :DAE-0000150Prepared date:li mingA1394B/3SYG/S530-E2Test Hours/Cycle Ac/Re10 SECIv≦Ivt*0.5or Vf≧Uor Vf≦L 0/1300 CYCLES 1000 HRS76 PCS 6DC Operating Life 1000 HRS 0/1300 CYCLES 0/10/11000 HRS 0/10/1 Prepared by:2009/5/201000 HRS0/1Page:5 of 6EVERLIGHT ELECTRONICS CO.,LTD. Technical Data Sheet 3mm 3Pcs Circuit Board Indicator A1394B/3SYG/S530-E2 Packing Quantity Specification1.160PCS/1Plate，4Plate/1Box2. 10Boxes/1Carton Label Form Specification Pb EV ERLIG HT RoH S CPN: Customer＇s Production Number X P/N : Production Number QTY: Packing Quantity CAT: Ranks HUE:Dominant Wavelength REF: Reference LOT No: Lot Number A1394B/3SYG/S530-E2 Notes 1. Above specification may be changed without notice. EVERLIGHT will reserve authority on material change for above specification. The product itself will remain within RoHS compliant version for using outlined in these specification sheets. EVERLIGHT assumes no responsibility for any damage resulting from use of the product which does not comply with the absolute maximum ratings and the instructions included in these specification sheets.3. These specification sheets include materials protected under copyright of EVERLIGHT corporation. Please don＇t reproduce or cause anyone to reproduce them without EVERLIGHT＇sconsent. EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD. Office: No 25, Lane 76, Sec 3, Chung Yang Rd, Tucheng, Taipei 236, Taiwan, R.O.C Tel: (886-2-2267-2000, 2267-9936 Fax: 886-2267-6244, 2267-6189, 2267-6306 EVERLIGHT ELECTRONICS CO.,LTD. http : // Prepared date: 2009/5/20 'REV.: 1 Prepared by: 6 0f 6 li ming Device Number : DAE-0000150。
发光二极管选型(精)
发光二极管选型（精）1、发光二极管选型要点发光二极管的选型要关注以下特性：a、颜色;b、封装尺寸;c、正向电压;d、功耗;e、成本;f、工作温度；2、发光二极管的特点2.1 基本结构发光二极管简称为LED，组成LED的主要材料包括：管芯、粘合剂、金线、支架和环氧树脂。
下图是贴片发光二极管的制作流程：2.2分类发光二极管根据装配方式分为贴片和插件两种。
贴片发光二极管正负极标志如下图：插件发光二极管正负极标志如下图：根据发光类型还可分为普通单色发光二极管、高亮度发光二极管、变色发光二极管、闪烁发光二极管、电压控制型发光二极管、红外发光二极管等。
2.2.1普通单色发光二极管普通单色发光二极管具有体积小、工作电压低、工作电流小、发光均匀稳定、响应速度快、寿命长等优点，可用各种直流、交流、脉冲等电源驱动点亮。
它属于电流控制型半导体器件，使用时需串接合适的限流电阻。
普通单色发光二极管的发光颜色与发光的波长有关，而发光的波长又取决于制造发光二极管所用的半导体材料。
红色发光二极管的波长一般为650~700nm，琥珀色发光二极管的波长一般为630~650 nm ，橙色发光二极管的波长一般为610~630 nm左右，黄色发光二极管的波长一般为585 nm左右，绿色发光二极管的波长一般为555~570 nm。
常用的国产普通单色发光二极管有BT（厂标型号）系列、FG（部标型号）系列和2EF 系列。
常用的进口普通单色发光二极管有SLR系列和SLC系列等。
2.2.2高亮度发光二极管高亮度单色发光二极管和超高亮度单色发光二极管使用的半导体材料与普通单色发光二极管不同，所以发光的强度也不同。
通常，高亮度单色发光二极管使用砷铝化镓（GaAlAs）等材料，超高亮度单色发光二极管使用磷铟砷化镓（GaAsInP）等材料，而普通单色发光二极管使用磷化镓（GaP）或磷砷化镓（GaAsP）等材料。
2.2.3变色发光二极管变色发光二极管是能变换发光颜色的发光二极管。
LED发光二极管的结构组成(精)
LED发光二极管的结构组成LED Lamp(led 灯)主要由支架、银胶、晶片、金线、环氧树脂五种物料所组成。
一、支架：1）、支架的作用：用来导电和支撑2）、支架的组成：支架由支架素材经过电镀而形成，由里到外是素材、铜、镍、铜、银这五层所组成。
3）、支架的种类：带杯支架做聚光型，平头支架做大角度散光型的Lamp。
A、2002杯/平头：此种支架一般做对角度、亮度要求不是很高的材料，其Pin长比其他支架要短10mm左右。
Pin间距为2.28mmB、2003杯/平头：一般用来做φ5以上的Lamp，外露pin长为+29mm、-27mm。
Pin间距为2.54mm。
C、2004杯/平头:用来做φ3左右的Lamp，Pin长及间距同2003支架。
D、2004LD/DD：用来做蓝、白、纯绿、紫色的Lamp，可焊双线，杯较深。
E、2006：两极均为平头型，用来做闪烁Lamp，固IC，焊多条线。
F、2009：用来做双色的Lamp，杯内可固两颗晶片，三支pin脚控制极性。
G、2009-8/3009：用来做三色的Lamp，杯内可固三颗晶片，四支pin脚。
二、银胶银胶的作用：固定晶片和导电的作用。
银胶的主要成份：银粉占75-80%、EPOXY（环氧树脂）占10-15%、添加剂占5-10%。
银胶的使用：冷藏，使用前需解冻并充分搅拌均匀，因银胶放置长时间后，银粉会沉淀，如不搅拌均匀将会影响银胶的使用性能。
三、晶片（Chip）：发光二极管和LED芯片的结构组成1）、晶片的作用：晶片是LED Lamp的主要组成物料，是发光的半导体材料。
2）、晶片的组成：晶片是采用磷化镓（GaP）、镓铝砷（GaAlAs）或砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等材料组成，其内部结构具有单向导电性。
3）、晶片的结构：焊单线正极性（P/N结构）晶片，双线晶片。
晶片的尺寸单位：mil晶片的焊垫一般为金垫或铝垫。
其焊垫形状有圆形、方形、十字形等。
4）、晶片的发光颜色：晶片的发光颜色取决于波长，常见可见光的分类大致为：暗红色（700nm）、深红色（640-6 60nm）、红色（615-635nm）、琥珀色（600-610nm）、黄色（580-595nm）、黄绿色（565-575nm）、纯绿色（500-540nm）、蓝色（450-480nm）、紫色(380-430nm)。
发光二极管的颜色介绍(精)
发光二极管的颜色介绍中心议题：发光二极管的颜色与用途一些发光二极管产品，尤其是手电筒上的发光二极管有不同的光束颜色。
这可不是使用了什么暗藏机关来使它们看上去漂亮，不同的光颜色有着不同的应用。
下面就简单介绍一下最常见颜色和它的实际用途。
白色光有完美的颜色特性，但它会损害适应暗光的视觉，一定光源熄灭后需要一定的时间来重新适应。
红色光通常是用作夜视。
红光不会引起你瞳孔过分收缩和一旦红光熄灭时眼睛不需要重新适应黑暗。
红色也通常在单色相片处理被用作为“安全”颜色因为它不会损坏正在冲印的底片。
黄色光有着红色光和白色光的一些优点。
黄色光另外一优点就是当你阅读时减少因为长时间阅读而导致眼睛疲劳的反射和眩目的光。
绿色光也可以用作为夜视，绿色光还特别适用于在夜晚的时候阅读地图或图表。
它还不那么容易被夜视装备发现，便很容易被人眼发现，绿色光的亮度比红色光低。
蓝色光可被用作在夜晚阅读地图和通常很受军事人员青睐，因为蓝色光增加了对比度的水平。
它还可以用作戏院和演出时的后台工作灯色。
蓝绿光有着相似绿光和蓝光的夜视优点，但随着蓝绿光的颜色特性的提高，一些用户因为这个原因喜欢用蓝绿光。
红外线红光是与夜视装备一起使用的。
否则人的眼睛是看不到红外线光的。
紫外光通常是用作识别钞票是否伪造，一些紫外发光二极管光的颜色和它的波长光的颜色是否可以看见是由它的波长决定的，光的波长是以纳米为单位的也说是十亿分之一米。
发光二极管发出的光几乎都是一致的也就是说它几乎都是在一个波长，发出非常纯的颜色。
以下是光的颜色和它的波长。
中红外线红光4600nm-1600nm--不可见光低红外线红光1300nm-870nm--不可见光850nm-810nm-几乎不可见光，近红外线光780nm-当直接观察时可看见一个非常暗淡的樱桃红色光770nm-当直接观察时可看见一个深樱桃红色光740nm-深樱桃红色光红色光700nm-深红色660nm-红色645nm-鲜红色630nm-橙红620nm-橙色光615nm-红橙色光610nm-橙色光605nm-琥珀色光黄色光590nm-“钠“黄色585nm-黄色575nm-柠檬黄色/淡绿色绿色570nm-淡青绿色565nm-青绿色555nm-550nm-鲜绿色525nm-纯绿色蓝绿色505nm-青绿色/蓝绿色500nm-淡绿青色495nm-天蓝色蓝色475nm-天青蓝470nm-460nm-鲜亮蓝色450nm-纯蓝色蓝紫色444nm-深蓝色430nm-蓝紫色紫色405nm-纯紫色400nm-深紫色近紫外线光395nm-带微红的深紫色UV-A型紫外线光370nm-几乎是不可见光，受木质玻璃滤光时显现出一个暗深紫色。
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3发光二极管Φ3发光二极管产品型号Part Number芯片材质Chip Material外观颜色Lens color发光颜色Emitting Color顺向电压(V)ForwardVoltage主波长(nm)DominantWavelength发光强度(mcd)LuminousIntensity反向电流(μA)ReverseCurrent视角(deg)ViewingAngel典型值最大值典型值最小值最大值最大值半功率角Φ3*5.08毫米圆形,有帽沿,短引脚发光二极管GHR603A-3AGaP有色散射普亮红色2.12.56302.04.010GHR603A-3B GaP有色散射普亮红色2.12.56303.04.01030GHR603A-4C GaP有色散射普亮红色2.12.56301.52.01050GHR603A-4E GaP有色散射普亮红色2.12.56301.31.91050GHR703AE GaP有色散射高亮红色1.71.9630203010GHO703C-3A GaAsP/GaP 无色透明高亮橙色1.72.5630501001010GHY703A-3A GaAsP/GaP 有色散射高亮黄色2.02.559010201050GHY703C-2A GaAsP/GaP 无色透明高亮黄色2.02.559025451020GHG703A-3A GaP有色散射高亮绿色2.12.4565253510GHG703A-3CGaP有色散射高亮绿色2.12.557015251050GHG703A-3DGaP有色散射高亮绿色2.12.557010201030(Test condition)测试条件IF=10mAIF=10mAIF=10mAVR=5VIF=10mAGHR903A-2BAIGaInP有色散射超高亮红色2.02.56251503001030GHR903C-2EAIGaInP无色透明超高亮红色2.562560010001010GHR903C-2F AIGaInP无色透明超高亮红色2.12.562580012001030产品型号Part Number芯片材质Chip Material 外观颜色Lens Type发光颜色Emitting Color 顺向电压(V) Forward Voltage主波长(nm) Dominant Wavelength发光强度(mcd) Luminous Intensity反向电流(μA) Reverse Current视角(deg) ViewingAngel典型值最大值典型值最小值最大值最大值半功率角Φ3*5.08毫米圆形,有帽沿,长引脚发光二极管GHR603A-1AGaP有色散射普亮红色2.12.56306.07.01050GHR603A-4DGaP有色散射普亮红色2.12.56301.52.01050GHR703AGaP有色散射高亮红色1.82.563045651030GHR703A-2AGaAsP/GaP有色散射高亮红色1.82.515251030GHR703A-3A GaP有色散射高亮红色1.82.563030501040GHR703A-4A GaP有色散射高亮红色1.82.563040501040GHR703B GaP有色透明高亮红色1.82.563055851030GHR703C GaP无色透明高亮红色1.82.545751030GHO703A-2A GaAsP/GaP 有色散射高亮橙色2.02.559013231030GHO703A-2B GaAsP/GaP 有色散射高亮橙色2.02.560050701050GHO703B GaAsP/GaP 有色透明高亮橙色2.02.56002503501020GHY703A GaAsP/GaP 有色散射高亮黄色2.02.521351050GHY703A-4A GaAsP/GaP 有色散射高亮黄色2.02.55909151040GHY703B GaAsP/GaP 有色透明高亮黄色2.02.55901502501020GHG703A GaP有色散射高亮绿色2.12.557028381040GHG703A-3B GaP有色散射高亮绿色2.12.525351030GHG703A-4A GaP有色散射高亮绿色2.12.557020301030产品型号Part Number芯片材质Chip Material 外观颜色Lens Type发光颜色Emitting Color 顺向电压(V) Forward Voltage主波长(nm) Dominant Wavelength发光强度(mcd) Luminous Intensity反向电流(μA) Reverse Current视角(deg) ViewingAngel典型值最大值典型值最小值最大值最大值半功率角GHG703A-4B GaP有色散射高亮绿色2.12.557015251040GHG703B GaP有色透明高亮绿色2.12.557030401010GHG703C GaP无色透明高亮绿色2.12.557040601040GHG703C-2A GaP无色透明高亮绿色2.12.557035751020(Test condition)测试条件IF=10mAIF=10mAIF=10mAVR=5VIF=10mAGHR903AAIGaInP有色散射超高亮红色2.02.56256008001020GHR903A-2AAIGaInP有色散射超高亮红色2.02.56251702301020GHR903C-2AAIGaInP无色透明超高亮红色2.02.5625100016001010GHR903C-2BAIGaInP无色透明2.12.5625280036001020GHO903A-2A AlGaInP有色散射超高亮橙色2.02.55905507501030GHO903C AlGaInP无色透明超高亮橙色2.12.5605450055001020GHV903C-2A InGaN无色透明超高亮翠绿色3.34.05252500350010010GHV903C-2B InGaN无色透明3.34.05254000500010010GHV903C-2C InGaN无色透明超高亮蓝绿色3.04.05102000400010020GHV903C-2D InGaN无色透明超高亮翠绿色3.34.05253000500010020GHV903C-2E InGaN无色透明超高亮蓝绿色3.24.051080001200010020GHB703C InGaN无色透明3.14.0470800120010020GHB703C-2A GaN/SiC无色透明高亮蓝色3.54.045015021010020GHB703C-2B InGaN无色透明高亮蓝色3.34.0470800120010020GHB703C-2C GaN/SiC无色透明高亮蓝色3.44.046040060010020GHB703C-2D GaN/SiC无色透明3.34.04651000140010010GHB703C-2E GaN/SiC无色透明高亮蓝色3.24.04651200180010010GHB703D-2B GaN/SiC无色散射高亮蓝色3.34.04653545100150GHB703D-2C GaN/SiC无色散射高亮蓝色3.34.046520030010030GHB703D-2D GaN/SiC无色散射3.24.046535055010030x产品型号Part Number芯片材质Chip Material 外观颜色Lens Type发光颜色Emitting Color 顺向电压(V) Forward Voltage主波长(nm) Dominant Wavelength发光强度(mcd) Luminous Intensity反向电流(μA) Reverse Current视角(deg) ViewingAngel典型值最大值典型值最小值最大值最大值半功率角GHB903C-2A InGaN无色透明超高亮蓝色3.34701400180010010GHB903C-2B InGaN无色透明超高亮蓝色3.34.04705000600010020GHB903C-2C GaN/SiC无色透明超高亮蓝色3.24.04651000200010030GHB903C-2D GaN/SiC无色透明超高亮蓝色3.24.04651500250010010GHB903C-2F GaN/SiC无色透明超高亮蓝色3.24651300230010020GHW903C-2AGaN/SiC无色透明超高亮白色3.34.0---2500350010020(Test condition)测试条件IF=20mAIF=20mAIF=20mAVR=5VIF=20mAΦ3*5.08毫米圆形,有帽沿,超长引脚发光二极管GHR603A-3CGaP有色散射普亮红色2.12.56301.52.51050(Test condition)测试条件IF=10mAIF=10mAIF=10mAVR=5VIF=10mA产品型号Part Number芯片材质Chip Material外观颜色Lens Type发光颜色Emitting Color顺向电压(V)ForwardVoltage主波长(nm)DominantWavelength发光强度(mcd)LuminousIntensity反向电流(μA)ReverseCurrent视角(deg)ViewingAngel典型值最大值典型值最小值最大值最大值半功率角Φ3*5.0毫米圆形,有帽沿,正面缺口,短引脚发光二极管GHR603A-1BGaP有色散射普亮红色2.12.56303.55.51030GHR703A-1AGaP有色散射高亮红色1.82.563010201020GHY703A-1AGaAsP/GaP有色散射高亮黄色2.12.559015201030(Test condition)测试条件IF=10mAIF=10mAIF=10mAVR=5VIF=10mAΦ3*5.0毫米圆形,有帽沿,正面缺口,长引脚发光二极管GHR703A-1BGaP有色散射高亮红色1.82.063045651030(Test condition)测试条件IF=10mAIF=10mAIF=10mAVR=5VIF=10mA产品型号Part Number芯片材质Chip Material外观颜色Lens Type发光颜色Emitting Color顺向电压(V)ForwardVoltage主波长(nm)DominantWavelength发光强度(mcd)LuminousIntensity反向电流(μA)ReverseCurrent视角(deg)ViewingAngel典型值最大值典型值最小值最大值最大值半功率角GHB703D-2AGaN/SiC无色散射高亮蓝色3.14.046525050010030(Test condition)测试条件IF=20mAIF=20mAIF=20mAVR=5VIF=20mAΦ3*4.3毫米圆形,无帽沿,短引脚发光二极管GHR703A-1DGaP有色散射高亮红色1.82.563020401050GHR703A-1EGaP有色散射高亮红色1.82.563030401050GHY703A-1EGaAsP/GaP有色散射高亮黄色2.02.559010201050GHG703A-1EGaP有色散射高亮绿色2.12.557025351040(Test condition)测试条件IF=10mAIF=10mAIF=10mAVR=5VIF=10mAGHR903A-1AGaAsP/GaP有色散射超高亮红色2.02.56251002001050GHR903C-2DGaP无色透明超高亮红色2.12.5635751251010GHB703C-3AGaN/SiC无色透明高亮蓝色3.24.04651200180010010(Test condition)测试条件IF=20mAIF=20mAIF=20mAVR=5VIF=20mA产品型号Part Number芯片材质Chip Material外观颜色Lens Type发光颜色Emitting Color顺向电压(V)ForwardVoltage主波长(nm)DominantWavelength发光强度(mcd)LuminousIntensity反向电流(μA)ReverseCurrent视角(deg)ViewingAngel典型值最大值典型值最小值最大值最大值半功率角Φ3*4.3毫米圆形,无帽沿,长引脚发光二极管GHG703A-1DGaP有色散射高亮绿色2.12.557025351040(Test condition)测试条件IF=10mAIF=10mAIF=10mAVR=5VIF=10mAGHR903B-1AGaAsP/GaP有色透明超高亮红色2.02.56252004001040GHB903C-2EGaN/SiC无色透明超高亮蓝色3.24.04651000260010010(Test condition)测试条件IF=20mAIF=20mAIF=20mAVR=5VIF=20mAΦ3*5.3毫米圆形,正面缺口,长引脚发光二极管产品型号Part Number芯片材质Chip Material外观颜色Lens Type发光颜色Emitting Color顺向电压(V)Voltage主波长(nm)DominantWavelength发光强度(mcd)LuminousIntensity反向电流(μA)ReverseCurrent视角(deg)ViewingAngel典型值最大值典型值最小值最大值最大值半功率角GHO703A-1BGaAsP/GaP有色散射高亮橙色1.92.562520301040GHG703A-1GGaP有色散射高亮绿色2.12.557020301030(Test condition)测试条件IF=10mAIF=10mAVR=5VIF=10mAGHY903A-1AAlGaInP有色散射超高亮黄色2.12.55902703301030GHB703B-1AInGaN有色透明高亮蓝色3.44.0470600100010010(Test condition)测试条件IF=20mAIF=20mAIF=20mAVR=5VIF=20mAΦ3*3.6毫米圆形,大帽沿发光二极管GHB703C-1AInGaN无色透明高亮蓝色3.34.047040060010040(Test condition)测试条件IF=20mAIF=20mAIF=20mAVR=5VIF=20mA备注:离环氧体1.6mm处焊接,焊接温度≤260℃,焊接时间≤5S.。