测试技术基础课程设计

测试技术基础课程设计报告

——红外线报警器

学院：机电学院

专业：

学号：

姓名：

指导教师：

完成日期：2012 年 6 月 6 月

一、绪论

1、红外线概述

近二十年来，红外辐射技术已成为一门迅速发展的新兴技术科学。它已广泛应用于生产，科研，军事，医学等各个领域。红外辐射技术是发展测量技术、遥感技术和空间科学技术的重要手段。红外辐射俗称红外线，又称红外光，它是一种人眼看不见的光线。但实际上它和其他任何光线一样，也是一种客观存在的物质。

任何物体，只要它的湿度高于绝对零度，就有红外线向周围空间辐射。它的波长介于可见光和微波之间，它的波长范围大致在0.75μM~1000μM的频谱范围之内。相对应的频率大致在4x1014~3x1011Hz之间，红外线与可见光、紫外线、χ射线、γ射线和微波、无线电波一起构成了整个无限连续的电磁波谱，在红外技术中，一般将红外辐射分为四个区域，即近红外区、中红外区、远红外区和极远红外区。0.77μM~3μM为近红外区，3μM~30μM为中红外区，30μM~1000μM为远红外区。这里所说的远近是指红外辐射在电磁波谱中与可见光的距离。

红外辐射的物理本质是热辐射。物体的温度越高，辐射出来的红外线越多，红外辐射的能量就越强。研究发现，太阳光谱各种单色光的热效应从紫色光到红色光是逐渐增大的，而且最大的热效应出现在红外辐射的频率范围内，因此人们又将红外辐射称为热辐射或热射线。

红外线在通过云雾等充满悬浮离子的物质时不易发生散射，有较强的穿透能力，还具有抗干扰能力强、易于产生、对环境影响小、不会干扰临近的无线电设备的特点，因而被广泛应用。目前红外发射器件（红外发光二极管）发出的是峰值波长0.88μM~0.94μM之间的近红外光，红外接收器件（光敏二极管、光敏三极管）的受光峰值波长为0.88μM~0.94μM之间，恰好与红外发光二极管的光峰值波长相匹配。

红外光具有反射、折射、散射、干涉、吸收等特性。能全部吸收投射到它表面的红外辐射的物体称为黑体；能全部反射的物体称为镜体；能部分反射、部分吸收的物体称为灰体。严格地讲，在自然界中，不存在黑体镜体和透明体。

红外遥控的优点：

1.采用红外线发光二极管，结构简单，易于小型化，且成本底。

2.红外线调制简单，依靠调制信号编码可实现多路控制。

3.红外线不能通过阻挡物，不会产生信号串扰等误动作。

4.功率消耗小，反映速度快。

5.对环境无污染，对人、物无损害。

6.抗干扰能力强，工作可靠。

红外传感器的分类

常见红外传感器可分为热传感器和光子传感器。

（一）、热传感器

热传感器是利用入射红外辐射引起传感器的温度变化，进而使有关物理参数发生相应的变化，通过测量有关物理参数的变化来确定红外传感器所吸收的红外辐射。热探测器的主要优点是相应波段宽，可以在室温下工作，使用简单。但是，热传感器相应时间较长，灵敏度较低，一般用于低频调制的场合。热传感器主要类型有：热敏传感器型，热电偶型，高莱气动型和热释放电型四种。

1.热敏电阻型传感器

热敏电阻是由锰、镍、钴的氧化物混合后烧解而成的，热敏电阻一般制成薄片状，当红外辐射照射在热敏电阻上，其温度升高，电阻值减少。测量热敏电阻值变化的大小，即可得知入射的红外辐射的强弱，从而可以判断产生红外辐射物体的温度。

2.热电偶型传感器

热电偶是由热电功率差别较大的两种材料构成。当红外辐射到这两种金属材料构成的闭合回路的接点上时，该接点温度升高。而另一个没有被红外辐射辐照的接点处于较低的温度，此时，在闭合回路中将产生温差电流。同时回路中产生温差电势，温差电势的大小，反映了接点吸收红外辐射的强弱。利用温差电势现象制成的红外传感器称为热电偶型红外传感器，因其时间常数较大，相应时间较长，动态特性较差，调制频率应限制在10HZ以下。

3.莱气动型传感器

高莱气动型传感器是利用气体吸收红外辐射后，温度升高，体积增大的特性，来反映红外辐射的强弱。它有一个气室，以一个小管道与一块柔性薄片相连。薄片的背向管道一面是反射镜。气室的前面附有吸收模，它是低热容量的薄膜。红外辐射通过窗口入射到吸收模上，吸收模将吸收的热能传给气体，使气体温度升高，气压增大，从而使柔镜移动。在室的另一边，一束可见光通过栅状光栏聚焦在柔镜上，经柔镜反射回来的栅状图像又经过栅状光栏投射到光电管上。当柔镜因压力变化而移动时，栅状图像与栅状光栏发生相对位移，使落到光电管上的光量发生改变，光电管的输出信号也发生变化，这个变化量就反映出入射红外辐射的强弱。这种传感器的特点是灵敏度高，性能稳定。但响应时间性长，结构复杂，强度较差，只适合于实验室内使用。

4.热释电型传感器

热释电型传感器是一种具有极化现象的热晶体或称“铁电体”。铁电体的极化强度（单位面积上的电荷）与温度有关。当红外线辐射照射到已经极化的铁电体薄片表面上时，引起薄片温度升高，使其极化强度降低，表面电荷减少，这相当于释放一部分电荷，所以叫做热释电型传感器。如果将负载电阻与铁电体薄片相连，则负载电阻上便产生一个电信号输出。输出信号的大小，取决于薄片温度变化的快慢，从而反映入射的红外辐射的强弱。由此可见，热释电型红外传感器的电压响应率正比于入射辐射变化的速率。当恒定的红外辐射照射在热释电传感器上时，传感器没有电信号输出。只有铁电体温度处于变化过程中，才有电信号输出。所以，必须对红外辐射进行调制（或称斩光），使恒定的辐射变成交变辐射，不断的引起传感器的温度变化，才能导致热释电产生，并输出交变的信号。

（二）、光子传感器

光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照射下，产生光子效应，使材料电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。利用光子效应所制成的红外传感器。统称光子传感器。光子传感器的主要特点灵敏度高，响应速度快，具有较高的响应频率。但其一般须在低温下工作，探测波段较窄。按照光子传感器的工作原理，一般可分为内光电和外光电传感器两种，后者又分为光电导传感器、光生伏特传感器和光磁电传感器等三种。

1.外光电传感器（ΡΕ器件）

当光辐射在某些材料的表面上时，若入射光的光子能量足够大时，就能使材料的电子逸出表面，这种现象叫外光电效应或光电子发射效应。光电二极管、光电倍增管等便属于这种类型的电子传感器。它的响应速度比较快，一般只需几个毫微秒。但电子逸出需要较大的光子能量，只适宜于近红外辐射或可见光范围内使用。

2.光电导传感器（CP器件）

当红外辐射照射在某些半导体材料表面上时，半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态，使半导体的导电率增加，这种现象叫光电导现象。利用光电导现象制成的传感器称为光导传感器，如硫化铅、硒化铅、锑化铟、碲隔汞等材料都可制光电导传感器。使用光电导传感器时，需要制冷和加一定的偏压，否则会使响应率降低，噪声大，响应波段窄，以致使红外线传感器损坏。

(1).光生伏特传感器（UΡ器件）

当红外辐射照射在某些半导体材料的PN结上时，在结内电场的作用下，自由电子移向N 区，如果PN结开路，则在PN结两端便产生一个附加电势，称为光生电动势。利用这个效应制成的传感器或PN结传感器。常用的材料为砷化铟、锑化铟、碲化汞、碲锡铅等几种。

(2).光磁电传感器（ΡΕΜ器件）

当红外辐射照射在某些半导体材料表面上时，半导体材料中有些电子和空穴将向内部扩散，在扩散中若受强磁场的作用，电子与空穴则各偏向一方，因而产生开路电压，这种现象称为光磁电效应。利用此效应制成的红外传感器，叫做光磁电传感器。光磁电传感器不需致冷，响应波段可达7μM左右，时间常数小，响应速度快，不用加偏压，内阻极低，噪声小，有良好的稳定性和可靠性。但其灵敏度低，低噪声前置放大器制作困难，因而影响了使用。

2、单片机概述

89C52引脚图以及各引脚功能

VCC：供电电压。

GND：接地。P0口：P0口为一个8位漏级开路双向I/O口，每脚可吸收8TTL门电流。当P1口的管脚第一次写1时，被定义为高阻输入。P0能够用于外部程序数据存储器，它可以被定义为数据/地址的第八位。在FIASH编程时，P0 口作为原码输入口，当FIASH进行校验时，P0输出原码，此时P0外部必须被拉高。

P1口：P1口是一个内部提供上拉电阻的8位双向I/O口，P1口缓冲器能接收输出4TTL 门电流。P1口管脚写入1后，被内部上拉为高，可用作输入，P1口被外部下拉为低电平时，将输出电流，这是由于内部上拉的缘故。在FLASH编程和校验时，P1口作为第八位地址接收。

P2口：P2口为一个内部上拉电阻的8位双向I/O口，P2口缓冲器可接收，输出4个TTL 门电流，当P2 口被写“1”时，其管脚被内部上拉电阻拉高，且作为输入。并因此作为输

入时，P2口的管脚被外部拉低，将输出电流。这是由于内部上拉的缘故。P2口当用于外部程序存储器或16位地址外部数据存储器进行存取时，P2口输出地址的高八位。在给出地址“1”时，它利用内部上拉优势，当对外部八位地址数据存储器进行读写时，P2口输出其特殊功能寄存器的内容。P2口在FLASH编程和校验时接收高八位地址信号和控制信号。P3口：P3口管脚是8个带内部上拉电阻的双向I/O口，可接收输出4个TTL门电流。当P3口写入“1”后，它们被内部上拉为高电平，并用作输入。作为输入，由于外部下拉为低电平，P3口将输出电流（ILL）这是由于上拉的缘故。P3口作为AT89C51的一些特殊功能口，管脚备选功能

P3.0 RXD（串行输入口）

P3.1 TXD（串行输出口）

P3.2 /INT0（外部中断0）

P3.3 /INT1（外部中断1）

P3.4 T0（记时器0外部输入）

P3.5 T1（记时器1外部输入）

P3.6 /WR（外部数据存储器写选通）

P3.7 /RD（外部数据存储器读选通）

RST：复位输入。

当振荡器复位器件时，要保持RST脚两个机器周期的高电平时间。

ALE/PROG：当访问外部存储器时，地址锁存允许的输出电平用于锁存地址的地位字节。在FLASH编程期间，此引脚用于输入编程脉冲。在平时，ALE端以不变的频率周期输出正脉冲信号，此频率为振荡器频率的1/6。因此它可用作对外部输出的脉冲或用于定时目的。然而要注意的是：每当用作外部数据存储器时，将跳过一个ALE脉冲。如想禁止ALE 的输出可在SFR8EH地址上置0。此时，ALE只有在执行MOVX，MOVC指令是ALE才起作用。另外，该引脚被略微拉高。如果微处理器在外部执行状态ALE禁止，置位无效。

PSEN：外部程序存储器的选通信号。在由外部程序存储器取指期间，每个机器周期两次/PSEN有效。但在访问外部数据存储器时，这两次有效的/PSEN信号将不出现。

EA / VPP：当/EA保持低电平时，则在此期间外部程序存储器（0000H-FFFFH），不管是否有内部程序存储器。注意加密方式1时，/EA将内部锁定为RESET；当/EA端保持高电平时，此间内部程序存储器。在FLASH编程期间，此引脚也用于施加12V编程电源（VPP）。

XTAL1：反向振荡放大器的输入及内部时钟工作电路的输入。

XTAL2：来自反向振荡器的输出。

二、红外测距工作原理及基本结构

1、红外发射接收基本器件介绍

红外线测距是利用红外光来传送控制指令信号，因此，作为红外测距中的红外光发射器件的红外发光二极管和红外光接收器件的红外光敏管，是构成红外测距系统的基本器件。（一）、红外线发射器件

1.红外线发射器件的结构与原理

红外线发射器件是最长用的为红外发光二极管，它与普通发光二极管的结构原理以及制作工艺基本相同，是只有一个PN结的半导体器件，只是所有的材料不同，制造红外发光二极管砷化钾，砷铝钾等，其中应用最多的是砷化钾。红外发光二极管一般采用环氧树脂，玻璃，塑料等封装，除白色透明材料封装外，还可见到用蓝色透明材料封装的，。红外发光二极管按发光功率的大小，可分为小功率，中功率，大功率三种。另外，红外发光二极管除顶

面发光型外，还有侧面发光型。小功率管一般采用全塑封装，也有部分是采用陶瓷底座，顶端用玻璃或环氧树脂透镜封装的，中大功率管一般采用带螺纹金属底座，以便安装散热片。随着发光功率得提高，相应体积的管子也增大。

2.红外发光二极管的主要参数

（1）正向工作电流if

是指红外发光二极管长期工作时，允许通过的最大平均电流，因为电流通过PN结时，要消耗一定的功率而引起管子发热，如管子长期超过if运行，会因过热而烧毁，因此，使用的最大平均正向工作电流不得超过If

(2)光功率P

是指输入到发光二极管的电功率转化为光输出功率的那一部分。光功率越大，发射距离越远。（3）峰值波长λP

是指红外发光二极管所发出近红外光中，光强最大值所对应的发光波长，在选用红外接收管时，其受光峰值波长应尽量靠近λP。

(4)反向漏电流Ir

是指管子未被反向击穿时反向电流的大小，希望它越小越好。

（5）响应时间t0

由于红外发光二极管PN结电容的存在，影响了它的工作频率。现在，红外发光二极管的相应时间一般为10?6~10?5S，最高工作频率为几十ΜΗΖ。

3.红外发光二极管使用事项及简易测试

（1）争相平均工作电流不要太大

管子的正向平均工作电流不得超过产品参数给出的工作电流。

（2）加装散热片

对中大功率管，工作电流一般较大，为了管子不因发热损坏，应根据实际使用电流的大小，考虑加装散热片。

（3）防水、防油污、防机械损伤

有些红外发光二极管在制作时管芯装在管座上，未加装帽封装，使用时要注意防水、防油污及机械损伤，如作为远距离控制，可加装聚光透镜，这样不仅可以大大提高作用距离，同时聚光透镜也是管子的一种封装保护。

（4）红外发光二极管安装方法

红外发光二极管安装在发射器上时，应有发射窗口，窗口可用红色或白色透明有机玻璃封口，以便能够透过红外线，又能防尘。当然，红外发光二极管也裸露在外。

（5）红外发光二极管测试方法

红外发光二极管测试方法非常简单，用万用表R X 1K档测量，正向电阻在30KΩ左右，反向电阻在200KΩ以上的管子是好的。反向电阻越大，漏电流越小，质量越好。若反向电阻只有几十KΩ，说明管子质量不好，但可使用。若管子的正向的反向电阻都为无穷大或为零，说明管子是废品，不能使用。

二.红外光敏二极管

1. 红外光敏二极管原理与结构

我们知道半导体具有光电效应，即用光照半导体，可使半导体的电阻率发生变化。利用半导体的光电效应可以制成光电二极管，不同的半导体材料对不同波长的入射光的响应是不同的。光敏二极管有顶面受光和侧面受光两种形式。它也是采用塑料、玻璃、环氧树脂等材料封装。

2.光敏二极管的主要参数

（1）光电流IL

是指在一定反向电压下，入射光强为某一定值时流过管子的电流。光敏二极管的光电流一般为几十μA，并与入射光强成正比。

（2）暗电流ID

是指在一定反向电压下，无光照时流过管子的电流。一般在50V反压下，ID小于0.1μA。

（3）反向工作电压UR

是指在无光照时，光敏二极管反向电流小于0.2μA-0.3μA时，允许的最高反向工作电压，一般在10V左右，最高可达几十伏。

（4）峰值波长λp

是指光敏二极管光谱响应最灵敏的波长范围，一般为0.88μM-0.94μM。

3.光敏二极管的简单测试

（1）电量测量法

一般用万用表R X 1K档，光敏二极管的正向电阻较普通二极管大些，约十几KΩ左右，反向电阻随光照变化。无光照时（用物体将管子挡住，不让光照射），反向电阻接近无穷大，说明漏电流大。管子的反向电阻至少应在500KΩ以上，有光照射时（在较强日光或灯光下），反向电阻越小越好，一般应在20KΩ以下。若有光照射时反向电阻为穷大或为零，说明管子是坏的。光敏二极管的引线较长的一根是正极。

（2）电量测量法

一般用万用表电压档0.5V或1V档测量，万用表的“+”、“-”分别与光敏二极管“+”、“-”相连，在光照下，电压表指示一般可达0.3V-0.4V，说明光敏二极管是好的。

三.红外光敏三极管

光敏二极管的光电流仅为μA级，光敏灵敏度还不够高，而光敏三极管的光

电流可达MA级，且具有较高的灵敏度。

1.

红外光敏三极管的结构与原理红外光敏三极管与普通三极管结构一样，具有两个PN结，一般基极无引线，它可以等效成一个b c结是光敏二极管的三极管。无光照时，只有很小的集电极-基极漏电流，所以光敏三极管暗电流很小。在光照时，集电极-基极的反向电流就会因光照增大很多。当三极管的电流放大系数为时，光敏三极管的光电流要比相应光敏二极管的光电流大。

2.

红外光敏三极管的主要参数

（1）最大功耗

ΡΜ是指光敏三极管能够安全工作而不致损坏的最大耗散功率，光敏三极管的最大功耗一般为几十mW~100mW。

（2）最高工作电压

是指在光照射时，在管子不被击穿的前提下集电极与发射极之间的最高工作电压，一般为10V-几十V。光电三极管的其它参数，如光电流IL暗电流ID等与光敏二极管定义相同

3.

红外光敏三极管的简单测试

（1）电阻测量法

用万用表RX1K档，首先，万用表红表笔接C极，黑表笔接E极（管子长脚为E极，短脚为C极），由于这种接法管子所加电压极性（E为“+”、C为“-”）不符合正常工作条件，因此无论是有光照还是无光照，管子两端电阻都是非常大的，一般应接近无穷大。然后将红、黑笔调换，这种接法下所加符合正常工作条件，当无光照时（用物体遮住管子，使其不受任何光照），电阻多在无穷大附近，否则认为漏电流太大。当有光照时（将管子移致强光线下），电阻应从原来的无穷大变为几百欧，至少也应有几千欧以下，否则说明管子灵敏度太底；若电阻为无穷大，说明管子是坏的。

（2）电量测量法

将光敏三极管的C极与E极之间接上10V左右的工作电压（C为“+”、E为“-”），并在回路里接上电流表，当无光照射时，电流指示为暗电流，小于0.3μA。当有光照时，电流指示光电流；一般在0.5~0.3μA之间，有的管子可达10μA。

2、红外探测器基本结构

红外探测器的实现构想

在机器人制作中，多数系统采用单一传感器进行信息采集，超声波传感器因为存在测量盲区的问题，测距范围一般在30～300cm之间；因而，在距离障碍物0～25cm之间时，超声波传感器将出现盲区。相反，红外测距传感器的探测距离较短，一般在几十厘米之内，它可以在一定程度上弥补超声波传感器近距离无法测量的缺点。所以，在可移动机器人避障系统中我们装上红外传感器进行测距。在近距离时，红外传感器对距离信息进行测量和采集。

为了实现红外测距，在硬件设计中，我们在可移动机器人前方安装一个红外发射头与一个红外接收头，并在电路板上将红外发射驱动电路与红外接收电路ATmega16芯片的PC4、PC5口相接，并且让ATmega16芯片与RS485通讯、下载接口、键盘、报警电路与LED显示器相连接，从而构成完整的红外测距系统。

具体实现原理为红外发射驱动电路驱动发射头的红外二极管发出红外光，当红外光在遇到障碍物后反射回来，反射回来红外光由红外接收驱动电路驱动红外接收头的光敏二极管接收到，并通过电压转换，将其转换为可测量的电压值，因为红外光的强度会随距离的缩小而增强，红外接收电路转化的电压值会随之增强。又因为电压与距离成比例，通过对转换的电压的计算，我们可以知道可移动机器人与障碍物之间的距离。当可移动机器人与障碍物之间的距离达到危险范围时，由报警电路发出报警信号。

三、红外报警器的硬件设计

整个红外测距系统由单片机、最小系统、红外发射驱动电路、红外接收电路以及报警电

路组成。电路结构图如下：

单片机最小系统：

红外发射头频率探测：

由图可知红外发射头的最佳工作频率在38KHz。在40 KHz时其发射红外线的效率仅为在38KHz时的80%。

四、红外报警器软件设计

一、C语言程序设计

#include

#define uchar unsigned char

#define uint unsigned int

sbit fashe=P1^0;

sbit deng=P1^2;

void delay_nus(unsigned int i) //延时:i>=12 ,i的最小延时单12 us

{

i=i/10;

while(--i);

}

void delay_nms(unsigned int n) //延时n ms

{

n=n+1;

while(--n)

delay_nus(900); //延时1ms,同时进行补偿

}

int P3_5state(void)

{

return (P1&0x02)?1:0;

}

int main(void)

{

int counter;

int irDetectRight;

P2_1=0;

while(1)

{

for(counter=0;counter<38;counter++)

{

fashe=1;

// P1_3=1;

// P3_4=1;

delay_nus(13);

fashe=0;

// P1_3=0;

// P3_4=0;

delay_nus(13);

}

irDetectRight=P3_5state();

if(!irDetectRight)

deng=1;

else

deng=0;

delay_nms(100);

}

}

二．LABVIEW设计

本次课程设计我们做的是一个简易实用的红外报警器，当前方有物体时，指示灯就会亮，反之，没有物体时，指示灯就不亮，基于这个原理，我们用labview做了这么一个程序，来使这个功能更加具体化。

在这里，当前方有障碍物时，采集到的电压信号小于4.86v，当前方没有障碍物时，电压信号大于4.86v，基于此用一个条件语句即可完成任务：从采集卡采进来的电压信号与4.86进行比较，如果电压值大于4.86v，条件语句执行真条件，即提示，前方没有障碍物，当电压小于4.86v时吗，指示灯发光，同时蜂鸣器报警，给出提示语句，小心，前方有障碍物，条件语句执行假条件。这样，通过板卡采集信号和DAQ小助手进行处理可以很容易的检测到前方是否有障碍物。

下面是条件语句的真假条件语句：

假条件语句：

真条件语句：

为了更清楚显示采集到的电压，我们把采集到的电压信号用波形图来显示，这样，既直观又清楚。波形图程序如下：

通过实验检测，确实完成了相应功能，当前方没有障碍物时，指示灯不亮，同时提示前方没有障碍物，如图所示：

当前方有障碍物时，指示灯亮，蜂鸣器报警，同时提示，前方有障碍物，如图所示：

五．实物图演示：

焊电路好焊，调试可不是件容易的事，在焊接时任何的一个小失误都可能导致电路的功能不能实现，我们组在焊完之后，用各种仪器测量，不懂的地方找老师请教，终于在几周之后，使电路实现了应有的功能，电路演示如图所示：

有障碍物时，指示灯亮，如图所示：

没有障碍物时，指示灯不亮，如图所示：

六.心得体会

这次课设，说实话做的很艰难，因为以前没做过测控方面的课设，对一些测试仪器和设备不大会用，对一测试软件更是不大了解，所以这次做的时间很长。从开始准备到开始焊接，我们组找了很多的资料，查阅了很多关于红外线报警器的相关知识，弄清楚了它的基本原理与思路，这就为我们下一步的焊接做准备了。

在焊接的时候，先布局，把每一个元件的大体位置确定下来，这样才能保持电路板的整齐，然后是焊接，焊的时候要小心，注意安全，也要注意焊点的要求，焊线时要整理好，布置好走向，使线显得整齐，这样整个电路板的整体质量才高。这样，经过两天的艰苦奋战，电路终于焊接完成。也就是说，我们已经完成了总量的一半，接下来，该开始调试了。

没调试之前，就听说调试很费力，这就使我们的信心稍受打击，再加上，我们对各种仪器的不太熟悉，更没有多少信心了，果不其然，当接上线的时候，我们的电路并不能实现它原有的功能，这次我们彻底没信心了。

幸亏学长在一旁帮助我们，鼓励我们，我们才重新振作起来，于是，我们开始再次查阅各种资料，检查电路的连接，努力地了解各种仪器的使用方法，了解单片机的各种功能和引脚功能。终于，在老师和学长的帮助下，经过将近两个星期的调试，终于使电路实现了原有的功能。这期间的辛苦当然也只有我们知道，虽然辛苦，但我们还是希望多进行一些这样的课设，这样可以很好地锻炼我们的动手操作能力，使我们学到的知识得到很好的实践，增强我们理论联系实际的能力。

在这次课设中，我主要负责软件方面的事情，如labview，同时也和他们一起调试程序，检查错误，还有演讲，展示我们组做的作品，这个过程虽然艰难，但也充满乐趣，因为以前没有接触过labview，所以这次花了很长时间才弄清楚，最终出色的完成了任务。

七．参考文献

[1]熊诗波，黄长艺．机械工程测试技术基础．机械工业出版社．2006．

[2]刘胜，张兰勇，章佳荣，刘刚．Labview2009程序设计．电子工业出版社．2010．