《电子线路》第一章习题1
电子线路(1) (董尚斌 著) 清华大学出版社 课后答案(1-3章)
h 1-4 在 PN 结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎与反向电压无关？ k 解：PN 结加反偏电压，外加电场与内电场方向相同,PN 结变宽，外加电压
全部降落在 PN 结上，而不能作用于 P 区和 N 区将少数载流子吸引过来。漂移大
. 于扩散，由于在 P 区及 N 区中少子的浓度一定，因而反向电流与反偏电压无关。 w1-5 将一个二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别？
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ni＝2.4×1013cm－3，Na＝3×1014cm－3， Nd＝2×1014cm－3 代入上式得[ ] p=1 2⎢⎣⎡−
(2
−
3) ×1014
+
(2 − 3) ×1014
2
+ 4(2.4 ×1013 )2
⎤ ⎥⎦
= 1.055 ×1014 cm−3
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第1章
低频电子线路习题
课 后 答 案 网
1-1 本征半导体与杂质半导体有什么区别？ 解 ：本征半导体是纯净的，没有掺杂的半导体，本征半导体的导电性能较差 ， 在温度为 0K 时，半导体中没有载流子，它相当于绝缘体。在室温的情况下，由 本征激 发 产 生 自 由 电 子 — 空穴对 ， 并达 到某 一 热平衡 值 ，本 征载流 子浓度
⇒
16V＜VI＜39.3V
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1-29 题图 1-29 中给出实测双极型三极管各个电极的对地电位，试判 定
这些三极管是否处于正常工作状态？如果不正常，是短路还是断路？如果正常，
解 ：万用表测量电阻时，实际上是将流过电表的电流换算为电阻值刻在表盘 上，当流过电表的电流大时，指示的电阻小，测量时，流过电表的电流由万用表 的内阻和二极管的等效直流电阻之和联合决定。
高频电子线路第1章习题参考答案PPT教学课件
调制信号的频谱搬移到高频载波附近；另外，由于调制后的
信号是高频信号，所以也提高了信道利用率，实现了信道复
用。
调制方式有模拟调调制和数字调制。在模拟调制中，用调
制信号去控制高频载波的某个参数。在调幅方式中，AM普通
调幅、抑制载波的双边带调幅（DSB）、单边带调幅
（SSB）、残留单边带调幅（VSSB）；在调频方式中，有调
寸大小可以与信号波长相比拟时，才有较高的辐射效率和接 收效率，这样，可以采用较小的信号功率，传播较远的距离， 也可获得较高的接收灵敏度。
2020/12/10
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高频电子线路习题参考解答
1－3 无线通信为什么要进行凋制？如何进行调制？
答：
因为基带调制信号都是频率比较低的信号，为了达到较高的
发射效率和接收效率，减小天线的尺寸，可以通过调制，把
频（FM）和调相（PM）。
在数字调制中，一般有频率键控（FSK）、幅度键控
（2A020S/1K2/1）0 、相位键控（PSK）等调制方法。
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第1章习题参考答案
1-1
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1-3
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2020/12/10
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高频电子线路习题参考解答
1－1 画出无线通信收发信机的原理框图，并说出各部分的功 用。 答：
话 筒
音频 放大器
调制器
变频器
激励放大
输出功 率放大
载波 振荡器
天线开关
扬 声 器
音频 放大器
解调器
中频放大 与滤波
混频器
2020/12/10
高频电子线路第1章习题参考答案__第四版
高频电子线路习题参考解答
1－3 无线通信为什么要进行凋制？如何进行调制？ 答： 因为基带调制信号都是频率比较低的信号，为了达到较高的 发射效率和接收效率，减小天线的尺寸，可以通过调制，把 调制信号的频谱搬移到高频载波附近；另外，由于调制后的 信号是高频信号，所以也提高了信道利用率，实现了信道复 用。 调制方式有模拟调调制和数字调制。在模拟调制中，用调 制信号去控制高频载波的某个参数。在调幅方式中，AM普通 调幅、抑制载波的双边带调幅（DSB）、单边带调幅 （SSB）、残留单边带调幅（VSSB）；在调频方式中，有调 频（FM）和调相（PM）。 在数字调制中，一般有频率键控（FSK）、幅度键控 （ASK）、相位键控（PSK）等调制方法。 5
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高频电子线路习题参考解答
1－2 无线通信为什么要用高频信号？“高频”信号指的 是什么？ 答： 高频信号指的是适合天线发射、传播和接收的射频信 号。 采用高频信号的原因主要是： （1）频率越高，可利用的频带宽度就越宽，信道容量就 越大，而且可以减小或避免频道间的干扰； （2）高频信号更适合电线辐射和接收，因为只有天线尺 寸大小可以与信号波长相比拟时，才有较高的辐射效率和接 收效率，这样，可以采用较小的信号功率，传播较远的距离， 也可获得较高的接收灵敏度。
高频电子线路习题ห้องสมุดไป่ตู้考解答
1－4 无线电信号的频段或波段是如何划分的？各个频段的传 播特性和应用情况如何？
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高频电子线路习题参考解答
第1章习题参考答案 1-1 1-2 1-3 1-4
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高频电子线路习题参考解答
1－1 画出无线通信收发信机的原理框图，并说出各部分的功 用。 答：
话 筒 音频 放大器 调制器 变频器 激励放大 输出功 率放大
(完整版)电子线路-梁明理第五版全答案
第1章 半导体器件的特性1.1知识点归纳1.杂质半导体与PN 结在本征半导体中掺入不同杂质就形成N 型和P 型半导体。
半导体中有两种载流子，自由电子和空穴，载流子因浓度而产生的运动成为扩散运动，因电位差而产生的运动成为漂移运动。
在同一种本征半导体基片上制作两种杂质半导体，在它们的交界面上，上述两种运动达到动态平衡，就形成了PN 结。
其基本特性是单向导电性。
2.半导体二极管一个PN 结引出电极后就构成了二极管，加上正向偏压时形成扩散电流，电流与电压呈指数关系，加反向电压时，产生漂移电流，其数值很小。
体现出单向导电性。
3晶体管晶体管具有电流放大作用，对发射极正向偏置集电极反向偏置时，从射区流到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合，形成基极电流B I ，而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流C I ，体现出B I 对C I 的控制，可将C I 视为B I 控制的电流源。
晶体管有放大、饱和、截止三个工作区域。
4.场效应管场效应管是电压控制器件，它通过栅-源电压的电场效应去控制漏极电流，因输入回路的PN 结处于反向偏置或输入端处于绝缘状态因此输入电阻远大于晶体管。
场效应管局又夹断区（即截止区）、横流区（即线性区）和可比阿安电阻区三个工作区域。
学完本章后应掌握：1.熟悉下列定义、概念和原理：自由电子与空穴，扩散与漂移，复合，空间电荷区，PN 结，耗尽层，导电沟道，二极管单向导电性，晶体管和场效应管的放大作用及三个工作区域。
2.掌握二极管、稳压管、晶体管，场效应管的外特性，主要参数的物理意义。
1.2习题与思考题详解1-1试简述PN 结的形成过程。
空间电荷压，阻挡层，耗尽层和势垒压等名称是根据什么特性提出来的。
答：PN 结的形成过程：当两块半导体结合在一起时，P 区的空穴浓度高于N 区，于是空穴将越过交界面由P 区向N 区扩散；同理，N 区的电子浓度高于P 区，电子越过交界面由N 区向P 区扩散。
多子由一区扩散到另一区时，形成另一区的少子并与该区的多子复合，因此，在交界面的一侧留下带负电荷的受主离子，另一侧留下带正电荷的施主离子。
第一章 电子线路基础题库
第一章电子线路基础题库一、填空题1.自然界中，按照导电能力来衡量，可以分为（绝缘体）、（半导体）和（导体）。
2.物质导电能力的差异是由于（物质内部的结构）不同造成的。
物质是由（原子）组成，它是由带正电的（原子核）和带负电的（电子）组成。
它们的电量（相等）。
3.对导体来说，原子核对价电子的束缚很（弱），有大量的价电子可挣脱原子核的束缚成为（自由电子）。
它们在外电场力作用下作定向运动而形成电流，所以表现出良好的（导电性）。
4.常见的半导体材料有（硅）和（锗），它们的最外层都有（4）个价电子。
5.（自由电子）和（空穴）都是一种运载电荷的粒子，两者的移动方向（相反），当形成一定的电流，电流方向就是（空穴）移动的方向。
6．在本征半导体中掺入微量的五价元素磷，磷原子的5个价电子中有(4)个电子和硅原子组成（共价键），多出的一个电子容易挣脱原子核而形成自由电子，这种半导体就称N型半导体，又称(电子半导体)。
7.在N型半导体中，（自由电子）是多子，它的浓度取决于（掺杂浓度）；（空穴）是少子，它的浓度取决于（温度）。
8.在本征半导体中掺入微量的三价元素硼，它与硅原子组成共价键时缺少一个价电子而形成一个（空穴），这种半导体就称P型半导体，又称（空穴半导体）。
9.PN结是由（扩散运动）和（漂移运动）两种运动达到动态平衡而形成的。
10.当PN结正偏时，正向电阻很（小），正向电流较（大）；当PN结反偏时，反向电阻很（大），反向电流很（小）。
11.PN结正偏时，PN结（导通），当PN结反偏时，PN结（截止）。
12.PN结具有（单向导电）、（击穿）、电容、温度等特性。
13.二极管用文字符号（D）表示，两个极分别叫（正极）和负极。
14.在表示二极管时，箭头的方向是从（P）型半导体指向（N）型半导体。
15.按二极管制造工艺的不同，二极管可分为（点接触型）、面接触型和（平面型）三种。
16.三极管用文字符号（T）表示，三个极分别为（基极）、（发射极）和（集电极）。
电子电路基础第一章答案
习题答案1-2 一个1000W 的电炉，接在220V 电源使用时，流过的电流有多大？ 解： A 545.4A 1150V 220W 1000====U P I1-5 标有10k Ω（称为标称值）、1/4W （额定功率）的金属膜电阻，若使用在直流电路中，试问其工作电流和电压不能超过多大数值？解：V 50V 2100W 4110000mA 5A 200110000W 41Max Max ==⨯Ω====Ω==RP U R P I1-6 求题图1-1(a )、(b )电路得U ab 。
解：设图（a ）中两电阻交点为c ，ac 支路导通，则V 226V 6=Ω⨯Ω=ca U 又由于cb 支路不导通，所以V 4=cbU 则2V V 2V 4=-=-=ca cb ab U U U设图（b ）中两电阻交点为c ，ac 支路导通，则V 13V 3=Ω⨯Ω=ca Ua5Ωb(b ) a 4 b (a )题图1-1 习题1-6电路图又由于cb 支路无回路，不导通，所以V 8=cbU 则7V V 1V 8=-=-=ca cb ab U U U1-7 电路如题图1-2所示，求（1）列出电路得基尔霍夫电压定律方程；（2）求出电流；（3）求U ab 及U cd 。
解：（1）设电流为I ，参考方向为逆时针，则02282212=+++++++-I I I I I I（2）0104=+-I即 A 4.0=I（3）V 101252122=+-=--+-=I I I I U ab0V 10-1010==-=ab cd U U1-16 电压如题图1-7(a )所示，施加于电容C 如题图1-7(b )所示，试求i (t )，并绘出波形图。
2Ω2Ω1Ω 题图1-2 习题1-7电路图解：⎪⎩⎪⎨⎧≤≤+-<≤=42,22120,21)(t t t t t u⎪⎩⎪⎨⎧≤≤-=-<≤===42,A 12120,A 121)()(t C t C dt t du C t i图形如下：-1)A (i(a ) 题图1-7 习题1-16图1-17 题图1-8所示电路中，已知u C (t )=te -t ，求i (t )及u L (t )。
电子线路第一章练习题
《电子线路第一章》习题一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为、和三大类，最常用的半导体材料是和。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成型半导体和型半导体。
3、纯净半导体又称半导体，其内部空穴和自由电子数。
N型半导体又称型半导体，其内部少数载流子是；P型半导体又称型半导体，其内部少数载流子是。
4、晶体二极管具有，即加正向电压时，二极管，加反向电压时，二极管。
一般硅二极管的导通电压约为V，锗二极管的导通电压约为；5、二极管按制造工艺不同，分为型、型6、二极管的主要参数有7、滤波器可将输入的变为较平滑的直流电。
8、半波整流电路主要由、和所构成。
9、电路如题83（a）图所示，变压器的副边电压。
（本题共12分）（1）当S1闭合，S2断开时，试判断①当v2为正半周时，处于导通状态的二极管是；（2分）②此时相应的直流输出电压的平均值V o= V；（2分）③二极管截止时所承受的最高反向工作电压为V；（3分）④根据题83（b）图所给的已知波形，画出输出电压V o的波形。
（3分）（2）若S1、S2均闭合，则此时相应的直流输出电压的平均值V o= V桥式整流滤波电路如题83图所示。
试分析：（1）当u2为正半周时，处于导通状态的二极管是；（3分）（2）若变压器的副边电压u2=20sin100t伏，此时相应的直流输出电压的平均值为V；（3分）（3）二极管截止时所承受的最高反向工作电压为V；（3分）（4）若用万用表测得负载电压U L为18V，若二极管和负载都是正常的，则故障最可能出现在元件上。
二、判断题1、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
（）2、P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
（）3、晶体二极管有一个PN结，所以有单向导电性。
（）4、晶体二极管的正向特性也有稳压作用。
（）5、硅稳压管的动态电阻小，则稳压管的稳压性能愈好。
（）6、将P型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起，其交界处形成PN结。
电子线路上册思考题(含答案)
第一章思考题：1、本征半导体中的载流子是由本征激发产生的，其特征是产生电子空穴对，故两种载流子浓度相同。
2、在本征半导体中掺入五价元素形成N型半导体，它的多子是自由电子，少子是空穴；而在半导体中掺入三价元素形成P型半导体，它的多子是空穴，少子是自由电子。
3、半导体中的两种载流子是自由电子、空穴，它们都参与导电。
由浓度差引起的载流子的运动称为扩散，而漂移运动则是载流子在内电场作用下的一种运动，这两种运动都能产生电流。
4、PN结的势垒层宽度与外加电压的方向和大小有关，它在外加正向电压作用下变窄，有利于多子作扩散运动，在外加反向电压作用下变宽，有利于少子作漂移运动。
PN结的基本特性是单向导电性，其伏安特性方程为。
5、利用PN结的击穿特性可以制成稳压管。
稳压管输出电压稳定，电流变化大。
稳压管可构成并联稳压电路，该电路工作条件为：输入电压高于输出电压、有限流电阻.6、双极性晶体管有PNP和 NPN 两种。
从结构上看，由于发射区重掺杂和基区薄，故发射区发射的载流子绝大部分都能被集电区收集，收集的载流子和发射的载流子之比为α，收集的载流子和在基区复合的载流子之比为β，在数值上，前者小于并接近1 ，后者远大于1 。
7、晶体管是一个电流控制器件，它作共发射极使用时，其输入电流是基极电流，输出电流是集电极电流，两者关系为放大β倍；作共基极使用时其输入电流是发射极电流，输出电流是集电极电流，两者关系为α倍；无论何种组态，IB 、IC、IE三个电流一定满足 IE =IB+IC。
8、晶体管有三个工作区，分别是 放大 、 饱和 和 截止 。
使用时一定要加 偏置 电压，其目的是确定 工作点 。
晶体管开关应用时工作在 饱和 和 截止，放大应用时工作在 放大。
流过晶体管的电流只有 大小 变化，没有 方向 变化，为了放大交流信号，必须建立 静态工作点 。
9、放大器是一个 功率放大倍数大于 1 的电路，放大的含义是指对 交流信号 放大。
电子线路第二版习题答案
电子线路第二版习题答案电子线路第二版习题答案在学习电子线路的过程中，习题是非常重要的一部分。
通过解答习题，我们可以巩固所学的知识，提高自己的理解能力和解决问题的能力。
然而，有时候我们在自学过程中可能会遇到一些困难，对于一些习题的答案可能无法得到确认。
本文将为大家提供电子线路第二版习题的一些答案，以帮助大家更好地掌握这门课程。
1. 第一章习题答案1) 题目：什么是电子线路？答案：电子线路是由电子元件组成的电路系统，用于控制和传输电信号。
2) 题目：什么是电阻？答案：电阻是电流通过时产生的电压降的一种性质，用来限制电流的大小。
3) 题目：什么是电容？答案：电容是一种存储电荷的元件，其特性是能够存储电荷并在电路中释放。
2. 第二章习题答案1) 题目：什么是直流电路？答案：直流电路是电流方向不变的电路，电流始终保持一个方向。
2) 题目：什么是交流电路？答案：交流电路是电流方向不断变化的电路，电流的方向会周期性地改变。
3) 题目：什么是电压？答案：电压是电势差的一种度量，表示电荷在电路中的能量变化。
3. 第三章习题答案1) 题目：什么是串联电路？答案：串联电路是将电子元件按照一定的顺序连接起来，电流只能沿着一条路径流动。
2) 题目：什么是并联电路？答案：并联电路是将电子元件的两个端点连接在一起，电流可以分流经过不同的路径。
3) 题目：如何计算串联电路的总电阻？答案：串联电路的总电阻等于各个电阻之和。
4. 第四章习题答案1) 题目：什么是电感？答案：电感是一种储存电能的元件，通过电流变化产生电磁感应。
2) 题目：什么是电感耦合？答案：电感耦合是一种通过电感之间的耦合实现信号传输的方式。
3) 题目：如何计算电感的自感系数？答案：电感的自感系数等于电感中储存的磁能与电流的平方成正比。
通过以上的习题答案，相信大家对于电子线路的学习会有更深入的理解。
然而，习题的答案只是一个参考，更重要的是我们自己的思考和探索。
希望大家能够在学习电子线路的过程中不断思考，勇于提出问题，并通过实践来加深对电子线路的理解和应用能力。
高频电子线路第一章答案
1、LC 谐振回路有[1]和[2]两种谐振方式。
1 的正确答案：并联
2 的正确答案：串联
2、有一个LC 并联谐振电路，其电感损耗电阻为r，则谐振频率f0 是
Hz、品质因数Q 为，谐振阻抗为，当f 〈f0 时，回路阻抗呈，当f〉f0 时，回路阻抗呈。
正确答案：[无]
3、LC串联谐振回路[1]下降，频带变宽，选择性变差。
1 的正确答案：品质因素
4、通频带BW
3db
选频回路的一个重要性能指标，它的定义是传输系数下
降为中心频率对应值的时对应的上、下限频率（f
H
,f
L
）的差
值，即BW
3db
=f
H
-f
L。
正确答案：[无]
5、矩形系数K r0.1定义为单位谐振曲线N(f)值下降到[1]时的频带范围与通频带之比。
1 的正确答案： 1/10
衡量选频回路的性能指标主要有[1]、[2]、选择性和矩形系数、带内波动、插入损耗、输入输出阻抗匹配和相频特性等指标。
1 的正确答案：中心频率
2 的正确答案：通频带
对于RLC组成的并联谐振回路，假设其谐振频率为f
，带宽为BW
3db。
若输入的信号频率为时，则RLC并联谐振回路呈现[1]（纯感抗、纯电阻、纯容抗）的特性。
若输入的信号频率为时，则RLC 并联谐振回路的相移量为[2]。
1 的正确答案：纯电阻
2 的正确答案： -pi/4。
电子线路 线性部分 (第四版)第一章 习题解答
1-2 一功率管，它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制？为什么？解：否。
还受功率管工作状态的影响，在极限参数中，P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。
1-3 一功率放大器要求输出功率P 。
= 1000 W ，当集电极效率C 由40％提高到70‰时，试问直流电源提供的直流功率P D 和功率管耗散功率P C 各减小多少？解：当C1 = 40 时，P D1 = P o / C = 2500 W ，P C1 = P D1 - P o =1500 W当C2 = 70 时，P D2 = P o / C =1428.57 W ，P C2 = P D2 - P o = 428.57 W 可见，随着效率升高，P D 下降，(P D1 - P D2) = 1071.43 WP C 下降，(P C1 - P C2) = 1071.43 W1- 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线，由它接成的放大器如图1-2-1（a ）所示，已知V CC = 5 V ，试求下列条件下的P L 、P D 、C （运用图解法）：（1）R L = 10，Q 点在负载线中点，充分激励；（2）R L = 5 ，I BQ 同（1）值，I cm = I CQ ；（3）R L = 5，Q 点在负载线中点，激励同（1）值；（4）R L = 5 ，Q 点在负载线中点，充分激励。
解：(1) R L = 10 时，作负载线(由V CE = V CC - I C R L )，取Q 在放大区负载线中点，充分激励，由图得V CEQ1 = 2.6V ，I CQ1 = 220mA ，I BQ1 = I bm = 2.4mA因为V cm = V CEQ1-V CE(sat) = (2.6 - 0.2) V = 2.4 V ，I cm = I CQ1 = 220 mA所以mW 26421cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ1 =1.1 W ， C = P L / P D = 24(2) 当 R L = 5 时，由V CE = V CC - I C R L作负载线，I BQ 同(1)值，即I BQ2 = 2.4mA ，得Q 2点，V CEQ2 = 3.8V ，I CQ2 = 260mA这时，V cm = V CC -V CEQ2 = 1.2 V ，I cm = I CQ2 = 260 mA所以 mW 15621cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ2 = 1.3 W ， C = P L / P D = 12(3) 当 R L = 5 ，Q 在放大区内的中点，激励同(1)，由图Q 3点，V CEQ3 = 2.75V ，I CQ3= 460mA ，I BQ3 = 4.6mA ， I bm = 2.4mA 相应的v CEmin = 1.55V ，i Cmax = 700mA 。
《电子线路》第一章
《电子线路》第一章晶体二极管及整流电路练习二晶体二极管整流电路班级：姓名：学号：成绩：一、填空题：1、将变成的过程叫做整流。
在单相整流电路中常用的整流形式有、和倍压整流等几种。
2、在整流电路中，文字符号U L表示；U2表示；U RM表示；I L表示；I F表示。
3、选用整流二极管主要考虑的两个参数是和。
4、单相半波整流电路中，若变压器次级电压U2=100伏，则负载两端电压为伏；二极管承受的最大反向电压为伏。
5、市电经半波整流输出的脉动直流电每秒脉动次，经全波或桥式整流输出的脉动直流电每秒脉动次，脉动次数越，就越平稳。
6、如图电路中，R L1两端的电压为伏，R L2两端的电压为伏。
*7、在变压器次级相电压有效值相等的情况下，三相半波整流输出电压是三相桥式整流输出电压的%。
*8、倍压整流电路利用了的充放电作用，只要输入较低的就能输出高于的直流电压，这种整流电路适用于的场合。
*9、在输出电压平均值相等的情况下，三相半波整流电路中二极管承受的最高反向电压是三相桥式整流电路的倍。
*10、接入平衡电抗器L P使双反星形整流电路中的两组三相半波整流电路能，在任一瞬间，两组中各有一个二极管，因此总输出电流平均值相当于单独一组整流电流平均值的倍。
*11、三相桥式整流电路中，在某工作时间内，只有正极电位和负极电位的二极管才导通，每个二极管在一个周期内的导通角均为。
*12、整流二极管的冷却方式有、、三种。
*13、检查硅整流堆正反向电阻时，对于小电流硅堆，可用，对于高压硅堆，应用。
二、判断题：（）*1、倍压整流电路不仅适用于正弦波，对于对称矩形波也同样适用。
（）2、选择整流二极管主要考虑两个参数：反向击穿电压和正向平均电流。
（）3、单相桥式整流电路在输入交流电压的每个半周内都有两只二极管导通。
（）4、单相全波整流电路流过每只二极管的平均电流只有负载电流的一半。
（）5、直流负载电压相同时，单相全波整流电路中二极管所承受的反向电压比单相半波整流和桥式整流高一倍。
高频电子线路第一章习题
1.1在题图1.1所示的电路中，信号源频率f0=1MHz，回路空载Q值为100，r是回路损耗电阻。
将1—1端短路，电容C 调到100pF时回路谐振。
如将1—1端开路后再串接一阻抗Z x（由电阻r x与电容C x串联），则回路失谐，C调至200pF时重新谐振，这时回路有载Q值为50。
试求电感L、未知阻抗Z x。
解：000220011(1)2534115.92(2)100200215.9115.9795.8πππω=⇒===⇒==Ω==∴===∴=+=∴=-=Ω∴=-=Ω-Ωc x x xx x x x x xf L uHC f X Q r rf C Q pF pFX Q r X r r r Qf L r r QZ r jj 总总总总总总总总空载时由谐振时, C CC 串入C 后,C C+C CC C C-C 由C1．2在题图1.2所示的电路中，已知回路谐振频率f 0=465kHz ， Q 0=100，N=160匝，N 1=40匝，N 2=10匝。
C =200pF ，R s =16k Ω，R L =1k Ω。
试求回路电感L 、有载Q 值和通频带BW 0.7。
解：002260000000322362223610115864 5.8410(171.2)11010()103.9110160401()10 3.9110(255.7)160161.361e e e L LL L ss s sL e f L uHf CCCQ g sR k g Q g sR g n g sg n g sR k g g g g πωω------∑=⇒===⇒==⨯=Ω=='==⋅=⨯'==⋅⨯=⨯=Ω''∴=++=⨯由并联谐振:折合到线圈两端:5000.70(73.2)4310.8e esR k CQ g f BW kH zQ ω-∑∑=Ω==1．3在题图1.3所示的电路中，L=0.8uH，C1= C2=20pF，R s=10kΩ，R L=5kΩ，Q0=100。
《电子线路(I)董尚斌编课后习题答案完整版
10 10 10 10 3.33V ；由于 5 10
D2 是理想二极管，则 A 点电压也为＋3.33V，显 然，假定 D1 截止是错误的。 若 D1 导通，A 点电压为零，则输出端电压 也为零 V＝0，则通过 D1 的电流为
I
10 0 10 1mA 5 10
1-27 二极管电路如题图 1-27 所示，判断图中二极管是导通还是截止状态，并确定输 出电压 Vo。设二极管的导通压降为 0.7V。
解： 判断二极管在电路中的工作状态，常用的方法是：首先假设将要判断的二极管断 开（图中 A、B 两点之间断开） ，然后求该二极管阳极与阴极之间承受的电压。如果该电压 大于导通电压， 则说明该二极管处于正向偏置而导通， 两端的实际电压为二极管的导通压降；
5
止状态——发射结反偏、 集电结反偏。 正偏时三极管的发射结电压为： 硅管 0.7V、 锗管 0.3V。 若违反以上特点，则考虑管子是否损坏。 综合分析后得： （a）放大状态； （b）发射结断路； （c）放大状态； （d）发射结短路； （e）截止状态； （f）饱和状态； （g）发射结断路； （h）放大状态。
Eg 0 2 kT
与温度有关。
杂质半导体是在本征硅或本征锗中掺入杂质得到的，若掺入 5 价元素的杂质可得到 N 型半导体，N 半导体中的多子为自由电子，少子为空穴，由于掺入微量的杂质其导电性能得 到了极大的改善，其电导率是本征半导体的好几个数量级。在杂质半导体中，多子的浓度取 决于杂质的浓度，而少子的浓度与 ni 或正比，即与温度有很大的关系。若掺入 3 价元素的 杂质可得到 P 型半导体。 1-2 试解释空穴的作用，它与正离子有什么不同？ 解：空穴的导电实际上是价电子导电，在半导体中把它用空穴来表示，它带正电是运载 电流的基本粒子，在半导体中，施主杂质电离后，它为半导体提供了一个自由电子，自身带 正电，成为正离子，但由于它被固定在晶格中，是不能移动的。 1-3 半导体中的漂移电流与扩散电流的区别是什么？ 解： 漂移电流是在电场力的作用下载流子定向运动而形成的电流， 扩散电流是由于浓度 差而引起的载流子的定向运动而形成的电流 1-4 在 PN 结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎与反向电压无关？ 解：PN 结加反偏电压，外加电场与内电场方向相同,PN 结变宽，外加电压全部降落在 PN 结上，而不能作用于 P 区和 N 区将少数载流子吸引过来。漂移大于扩散，由于在 P 区及 N 区中少子的浓度一定，因而反向电流与反偏电压无关。 1-5 将一个二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别？ 解：将二极管看作一个电阻，其明显的特点是非线性特性。而一般由导体构成的电阻， 在有限的电压、电流范围内，基本上是线性的。 （1） 二极管的正反向电阻，其数值相差悬殊。正向电阻很小，而反向电阻很大。 （2） 二极管具有负温度系数，而导体构成的电阻具有正温度系数。 1-6 在用万用表的电阻档测二极管的正向电阻时，发现 R 10 档测出的阻值小，而用 R 100 档测出的阻值大，为什么？ 解：万用表测量电阻时，实际上是将流过电表的电流换算为电阻值刻在表盘上，当流过 电表的电流大时，指示的电阻小，测量时，流过电表的电流由万用表的内阻和二极管的等效 直流电阻之和联合决定。
电子电路第一章习题
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4
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5
1.4 埋层稳压管的性能特点是什么？(教材13页）
答 ： 埋 层 齐 纳 稳 压 管 是 精 密 、 高 稳 定 和 耐 高 温 的 器 件 。 稳 定 电 压 值 一 般 在 6.05V； 误 差 可 小 至 1m V； 温 度 稳 定 性 可 达 1.5ppm /oC ； 稳 压 值 的 长 期 稳 定 性 可 达 25ppm /1000 小 时 ； 可 达 175oC ～ 220oC 下 可 靠 工 作 。
性曲线上可以定义哪些直流参数和动态参数。
解：1.普通二极管的伏安特性曲线如图1.2.4和1.2.5所示；对设 定的静态工作点，可定义正向压降VDQ和电流IDQ，直流电阻 RD＝VIDDQQ ；可定义Q点的动态电阻rd；RD和rD均具有非线性； 可定义反向击穿电压V（BR）和反向电流IR。 2.稳压管特性曲线如图1.2.8所示。用它可以定义稳压电压、 稳定电流及改电的动态电阻rd。 3.变容管的动态特性如图1.2.10所示。它不是伏安特性，由它 可知在设定工作电压下的结电容。
ห้องสมุดไป่ตู้
iB ICBO
1
ICBO
1
1
iB
1
ICBO
1
(忽略 ICB） O
1.3.8
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21
1.10 画出NPN和PNP BJT工作在放大状态的偏置 电路；画出共基和共射BJT的输入和输出特性曲线； 说明截止区、饱和区和放大区的特点；在伏安特性 曲线上能定义哪些直流参数？哪些交流参数？说明
共射BJT的 f 、 f 和 的f 物T 理意义。
15
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16
1.8 Multisim步骤
如图搭建电路（为简化电路形式，电源直 接用交流电源，电容电阻参数可以自行修 改）
电子线路1第一章习题解答
2
解： （1） N a
3 10
14
n N
14
d
p
14
n 2 10
2
p p 10
n
np n i n 10
2
14
n 5 . 76 10
26
0
26
14 14 2 n 10 10 4 5 . 76 10 2 14 3 p 1 . 05 10 cm
VD2：VAB2＝VA－VB2＝15V－（－10V） ＝25V
二极管接入以后，因VD2承受的正向电压较VD1 高，优先导通；使A点的电位
VA ＝VB2 ＋VD2（on） ＝－10V ＋0.7V＝－9.3V。
D1因承受电压而截止。
故 VO＝VA＝－9.3V
1-28 图题1-28所示电路中稳压管的稳压 值为6V，稳定电流为10mA，额定功率为 200mW，试问 （1）当电源电压在18V至30V范围内变化 时，输出Vo＝？，稳压管是否安全？ （2）若将电源电压改为5V，Vo＝？ （3）要使稳压管起稳压作用，电源电压 的大小应满足什么条件？
则有 或
杂 本
238 10
5
本 杂
4 . 23 10
8
1-21 在室温（300K）情况下，若二极管 的反向饱和电流为1nA，问它的正向电流 为0.5mA时应加多大的电压。设二极管的 指数模型为,其中m＝1，VT＝26mV。
解： 由
vD v
I I s (e
VT
1 ) 5 10
5 . 76 10
12
cm
3
p n
电子线路1第一章习题解答PPT课件
np ni2 n2 1014 n 5.761026 0
n 1014
1014 2 4 5.761026
2
5.761012 cm3
p 1.051014 cm3
p n P型锗
（2） Na Nd 1015
pnni 2.41103 c m 3
本征半导体
（3）同理
n 9.9 1015 cm3 p 5.82 1010 cm3 n p P型锗
第一章 习题
1-18 在300K下，一个锗晶体中的施主原子数等于 2×1014cm－3，受主原子数等于3×1014cm－3。 试求这块晶体中的自由电子与空穴浓度。由此判断 它是N型还是P型锗？亦即，它的电功能主要是由 电子还是由空穴来体现？
［提示］ 若Na＝受主原子（负离子）浓度， N d＝施主原子（正离子）浓度，
则根据电中性原理，可得 NanNdp
又 np ni2
（300K下，锗的n i＝2.4×1013cm－3） 由上二式可求出n、p之值。 2）若 Na＝N d＝1015cm－3，重做上述内容。 3）若 N d＝1016cm－3，Na＝1014cm－3，重做上述 内容。
解：（1） NanNdp
31014 n 21014 p p 1014 n
2.25 106 cm 3
p0 n0 N型半导体
（2） T 500K时，
3 -Eg0
ni AT2e2kT 3.491014cm3 ni Nd
本征半导体
1-20 若在每105个硅原子中掺杂一个施主 原子，试计算在T＝300K时自由电子和空 穴热平衡浓度值，掺杂前后半导体的电导 率之比。
I1
10V 5K
2mA
流过R2电流：
I2
第1章 功率电子线路习题解
第一章 功率电子线路习题解1-3当%401=C η时，W.//P P C O D 250040100011===η，W P P P O D C 150011=-=。
当%702=C η时，W P P C O D 57.428.17.0/1000/22===η，W.P P P O D C 5742822=-=。
所以，W P D 43.107157.14282500=-=∆，W..P C 431071574281500=-=∆1- 5无散热片时，W C R R R ca th jc th th /37361)()(︒=+=+=，C Tao ︒=25：W./)(R /)T T (P th ao jM CM7833725165=-=-=CTa ︒=60：W R T T P th a jM CM 84.237/)60165(/)(=-=-=。
有散热片时，W /C ..R R R R sa )th (cs )th (jc )th (th︒=++=++=351501，C Tao ︒=25：W ./)(R /)T T (P th a jM CM67463251650=-=-=CTa ︒=60：W/)(R /)T T (P th a jM CM353601650=-=-=。
1- 6(1) 当Ω=10L R 时做负载线，取负载线在放大区内的中点作为静态工作点Q ，则由图得mA I V V CQ CEQ 220,6.2==，mA I I bm BQ 4.2==，V V V V sat CE CEQ cm 4.2)(=-=，mAI I CQ cm 2201==,mWI V P cm cm L 264102204.221213=⨯⨯⨯==-,W I V P CQ CC D 1.122.051=⨯==,%241.1/264.0/===D L C P P η。
图题1-6(2) 当Ω=5L R ,mA I I BQ BQ 4.212==时，V V CEQ 8.32=，mA I CQ 2302=，VV V V CEQCC cm 2.18.352=-=-=，mA I I CQ cm 2602==，mWP L 156102602.1213=⨯⨯=-，W I V P CQ CC D 3.126.052=⨯==，%123.1/156.0/===D L C P P η。
《电子线路》第一章习题1
习题11如图1所示的正常电路中，那些指示灯可能发亮？2.如图2所示电路中的指示灯能发亮吗？3.什么是半导体？在半导体中存在哪两种载流子？什么是P型半导体和N型半导体？什么是PN结？4.下列各题的后面括号内，提供几种答案，选择正确的内容填在相应的空格线上：（1）简单地把一块P型半导体和一块N型半导体接触到一起形成PN结。
（能；不能；不一定）（2）二极管导通时，则二极管两端所加的是电压。
（正向偏置；反向偏置；无偏置）（3）当二极管两端所加的是正向偏置电压大于电压时，二极管才能导通。
（击穿；饱和；门坎）（4）二极管两端的反向偏置电压增高时，在达到电压以前，通过的电流很小。
（击穿；最大；短路）5．测量电流时，为保护线圈式电表的脆弱转动部件，不致因接错直流电源的极性或通过电流太大而损坏，常在表头处串联或并联一个二极管，如图5（a）、(b)所示。
试分别说明这两种接法的二极管各起什么作用。
6．有人在测一个二极管反向电阻时，为了使万用表测试棒和管脚接触良好，有人在测一个二极管反向电阻时，为了使万用表测试棒和管脚接触良好，他用两手把两端接触处捏紧，结果发现管子的反向电阻比较小，认为不合格，但用在电子设备上却工作正常。
这是什么原因? 7．如图7（a）、(b)所示两个电路中，设V1、V2均为理想二极管(即正向导通时其正向电阻和正向压降为零，反向截止时其反向电阻为无穷大的二极管)。
试判断图（a）及图（b）中的二极管是导通还是截止，A、B端的电压VAB=?电压VCD=？8．图8所示电路为发光二极管用于直流电压指示的电路，设发光二极管正向导通电压为1.5V，判断发光二极管能否发光并求流过发光二极管的电流。
9．画出桥式半流电路图。
若负载电阻RL=0.9KΩ，负载电流IL=10mA，试求：(1)电源变压器的二次电压V2;(2)整流二极管承受的最大反向电压VRM；（3）流过二极管的平均电流IV。
10．画出桥式全波整流电路图。
若输出电压VL=9V，负载电流IL=1A，试求：（1）电源变压器二次绕组电压V2；（2）整流二极管承受的最大反向电压VRM;过二极管的平均电流IV。
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习题1
1如图1所示的正常电路中，那些指示灯可能发亮？
2.如图2所示电路中的指示灯能发亮吗？
3.什么是半导体？在半导体中存在哪两种载流子？什么是P型半导体和N型半导体？什么是PN结？
4.下列各题的后面括号内，提供几种答案，选择正确的内容填在相应的空格线上：
（1）简单地把一块P型半导体和一块N型半导体接触到一起形成PN结。
（能；不能；不一定）
（2）二极管导通时，则二极管两端所加的是电压。
（正向偏置；反向偏置；无偏置）
（3）当二极管两端所加的是正向偏置电压大于电压时，二极管才能导通。
（击穿；饱和；门坎）
（4）二极管两端的反向偏置电压增高时，在达到电压以前，通过的电流很小。
（击穿；最大；短路）
5．测量电流时，为保护线圈式电表的脆弱转动部件，不致因接错直流电源的极性或通过电流太大而损坏，常在表头处串联或并联一个二极管，如图5（a）、(b)所示。
试分别说明这两种接法的二极管各起什么作用。
6．有人在测一个二极管反向电阻时，为了使万用表测试棒和管脚接触良好，有人在测一个二极管反向电阻时，为了使万用表测试棒和管脚接触良好，他用两手把两端接触处捏紧，结果发现管子的反向电阻比较小，认为不合格，但用在电子设备上却工作正常。
这是什么原因? 7．如图7（a）、(b)所示两个电路中，设V1、V2均为理想二极管(即正向导通时其正向电阻和正向压降为零，反向截止时其反向电阻为无穷大的二极管)。
试判断图（a）及图（b）中的二极管是导通还是截止，A、B端的电压VAB=?电压VCD=？
8．图8所示电路为发光二极管用于直流电压指示的电路，设发光二极管正向导通电压为1.5V，判断发光二极管能否发光并求流过发光二极管的电流。
9．画出桥式半流电路图。
若负载电阻RL=0.9KΩ，负载电流IL=10mA，试求：(1)电源变压器的二次电压V2;(2)整流二极管承受的最大反向电压VRM；（3）流过二极管的平均电流IV。
10．画出桥式全波整流电路图。
若输出电压VL=9V，负载电流IL=1A，试求：（1）电源变压器二次绕组电压V2；（2）整流二极管承受的最大反向电压VRM;过二极管的平均电流IV。
11．简单图1.0.6所示电路的工作原理。
12．如图1.0.7所示单相桥式整流电路中：（1）若有一个二极管V1内部短路，整流电路会出现什么现象？（2）若有一个二极管V2虚焊（断路），整流电路会出现什么现象？（3）若有一个二极管V3方向接反，整流电路会出现什么现象？
13．稳压二极管和普通二极管的伏安特性的规律是否相似？两者在工作中能否互换使用？14．画出一个带有硅稳压二极管稳压电路的桥式整流电路并简述稳压原理。