三极管
三极管
Q点的影响因素有很多，如电源波动、偏
置电阻的变化、管子的更换、元件的老化等等，
不过最主要的影响则是环境温度的变化。三极
管是一个对温度非常敏感的器件，随温度的变 化，三极管参数会受到影响，具体表现在以下 几个方面。
• 1.温度升高，三极管的反向电流增大
• 2.温度升高，三极管的电流放大系数β增大
• 3.温度升高，相同基极电流IB下，UBE减小，
2.2 共射放大电路
一、 放大的概念
电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大成
较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。
电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网
络表示，如图。
ui
Au
uo
1、放大体现了信号对能量的控制作用，放大的信
号是变化量。
2、放大电路的负载所获得的随信号变化的能量要
比信号本身所给出的能量大得多，这个多出的
②电感视为短路
共射电路的直流通路
用图解法分析放大器的静态工作点
直流负载线 UCE=UCC–ICRC
U CC RC
ICQ
IC Q
IB UCE
与IB所决 定的那一 条输出特 性曲线的 交点就是 Q点
UCEQ UCC
2、动态分析
计算动态参数Au、Ri、Ro时必须依据交流通路。 交流通路：是指ui单独作用（UCC=0）时，电路 中交流分量流过的通路。 画交流通路时有两个要点：
有以下两种。
IC
IB A RB
V
mA C
B E
UBE
RC USC V
UC（1）输入特性曲线
它是指一定集电极和发射极电压UCE下，三极管 的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。实 验测得三极管的输入特性曲线如下图所示。
三极管型号参数查询大全
三极管型号参数查询大全1.BC系列三极管：-BC547：NPN型三极管，最大集电极电流为100mA，最大集电极-基极电压为45V，最大功率耗散为500mW。
-BC557：PNP型三极管，最大集电极电流为100mA，最大集电极-基极电压为45V，最大功率耗散为500mW。
2.2N系列三极管：-2N2222：NPN型三极管，最大集电极电流为800mA，最大集电极-基极电压为60V，最大功率耗散为500mW。
-2N3906：PNP型三极管，最大集电极电流为200mA，最大集电极-基极电压为40V，最大功率耗散为625mW。
3.S901X系列三极管：-S9012：NPN型三极管，最大集电极电流为500mA，最大集电极-基极电压为40V，最大功率耗散为625mW。
-S9013：NPN型三极管，最大集电极电流为500mA，最大集电极-基极电压为40V，最大功率耗散为625mW。
4.JL系列三极管：-JL1117：NPN型三极管，最大集电极电流为500mA，最大集电极-基极电压为50V，最大功率耗散为625mW。
-JL2222：NPN型三极管，最大集电极电流为800mA，最大集电极-基极电压为60V，最大功率耗散为625mW。
以上仅列举了一些常用的三极管型号，每个型号具体参数可能根据不同的制造商而有所不同。
要查询具体的三极管型号参数，可以参考制造商的官方网站、数据手册或商家提供的技术资料。
一般来说，三极管的主要参数包括：- 最大集电极电流（ICmax）：三极管允许通过的最大电流。
-最大集电极-基极电压（VCEO）：三极管可承受的最大集电极-基极电压。
- 最大功率耗散（PDmax）：三极管可承受的最大功率。
-直流电流放大倍数（hFE）：三极管的放大倍数。
-开关频率（fT）：三极管可实现的最高工作频率。
同时，还需要关注三极管的引脚排列和包装形式，并根据具体的应用需求选择合适的三极管型号。
实际应用中，可以参考相关电路设计手册、电子元器件手册以及网络技术资料，以获取更详细的三极管型号参数和应用指导。
三极管的概念
三极管的概念
三极管的概念：
三极管，也称为双极型晶体管或晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
其主要功能是将微弱信号放大成幅度值较大的电信号，同时也用于实现无触点的开关操作。
三极管通常由一个N型半导体和一个P型半导体组成的两个PN结构成，这两个PN结将半导体基片分割成三个区域：基区、发射区和集电区。
基区位于中间，两侧分别为发射区和集电区。
三极管的结构包括三个端子，分别是基极（用字母b表示）、集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。
这些端子允许电流从一个区域流向另一个区域，从而实现了信号的放大和切换功能。
三极管的工作状态可以是放大状态，此时它起到放大作用；也可以是饱和状态，这时它可以作为开关使用。
三极管是电子电路的核心元件，广泛应用于各种电子设备中，包括放大器、振荡器、开关电路以及稳压器等。
此外，根据三极管的类型不同，可以分为NPN型和PNP型。
在使用三极管时，可以通过对其电流放大系数的测量来确定其好坏，这个系数通常用符号β表示。
总结来说，三极管是一种能够控制电流的半导体设备，主要用于信号放大和开关应用，它是电子学中最基本的组件之一。
三极管特性
三极管特性
三极管是一种可以在电力技术中被广泛应用的一种半导体器件，它具有很强的控制和放大能力，因此在电路中有着重要的应用。
本文主要介绍三极管的特性及其电路运用。
一、三极管特性
1.三极管主要由三个极份构成，即正极(P)、负极(N)和控制极(C)。
正极和负极之间构成PN结，它的特性是具有一个可控的双极性，具
有一个控制尖峰，被称为控制极。
2.PN结在通电时，将会发生电流传导，当控制极连接地线时，
由于电场的作用，将产生放大的效果，从而影响PN结的电流传导。
3.三极管有npn和pnp两种类型，当控制极与正极相连时，为npn类型，当控制极与负极相连时，为pnp类型。
4.三极管具有较强的放大能力，可以放大信号，并能控制和调节信号的大小。
二、三极管的电路运用
1.电源放大器：三极管可以用来当作电源放大器，可以放大电源的电压，从而改变电源的电压等级，实现电源放大。
2.稳压器：三极管还可以作为一种稳压器，可以用来调整电路内的电压大小，以便电路在较低稳定电压下工作，使其能够稳定地运行。
3.电流放大器：三极管还可以用作电流放大器，可以把小电流放大为大电流，从而满足电路工作要求。
4.衰减器：三极管还可以用作衰减器，可以使电路的输出信号大
小衰减，从而满足工作要求。
三、总结
三极管是一种常用的半导体器件，它具有强大的控制和放大能力，因此在电路中可以实现电源放大、稳压、电流放大和衰减器等功能。
因此，三极管在电技术中有着广泛的应用。
什么是三极管
什么是三极管三极管，又被称为晶体管，是一种常见的电子元件。
它是一种半导体器件，能够用来放大电流、开关电路或作为电流稳定源。
三极管的结构和工作原理决定了它在电子电路中的重要性和广泛应用。
本文将详细介绍三极管的定义、结构、工作原理以及应用领域。
一、定义三极管是一种包含三个电极的半导体器件，通常由两种不同类型的半导体材料组成。
它的三个电极分别为基极、发射极和集电极。
三极管可用于控制电流流动，并在电子电路中实现信号放大功能。
二、结构三极管的结构由两种类型的半导体材料构成：P型半导体和N型半导体。
这两种材料的结合形成了两个 P-N 结，分别被称为基结和发射结。
其中，发射结夹在基结中间，集电极连接到基结，而发射极连接到发射结。
三、工作原理三极管的工作原理是通过调节基极电流控制集电极电流的大小。
当基极电流很小或者没有流过时，三极管处于截止状态，完全不导电。
当基极电流逐渐增大时，三极管进入放大区。
此时，三极管的集电极电流将正比于基极电流，且比基极电流大很多倍。
当基极电流进一步增大时，三极管会饱和，此时集电极电流不再随基极电流的增大而增大，达到饱和电流后保持不变。
四、应用领域由于三极管具有信号放大和电流控制的特点，因此在电子领域有广泛的应用。
以下是几个常见的三极管应用领域：1. 放大器: 三极管可以作为放大电路的关键元件，用于放大音频、视频等信号。
通过调节输入信号的电流，可以实现不同增益的放大效果。
2. 开关电路: 三极管可以用作开关电路的控制器。
在开关状态下，三极管可以让电流通过或者阻断，从而实现开关的功能。
3. 正反馈电路: 三极管可以用于正反馈电路的构建，从而实现自激振荡。
在振荡器、发射机等电子设备中都有广泛应用。
4. 电流稳定源: 三极管可以作为电流稳定源，提供一个稳定且可控的电流。
这在一些需要精确电流控制的电路中特别有用。
结论通过了解三极管的定义、结构、工作原理和应用领域，我们可以看到三极管在电子电路中的重要性和多功能性。
三极管的相关参数
三极管的相关参数三极管是一种重要的电子器件，广泛应用于电子电路中的放大、开关、斩波等功能。
它具有许多关键参数，下面将详细介绍三极管的相关参数。
1. 最大集电极电流（ICmax）：三极管可以承受的最大集电极电流。
超过这个电流极限，三极管可能会损坏。
2. 最大集电极-基极电压（VCEOmax）：三极管可以承受的最大集电极到基极的电压。
超过这个电压极限，三极管可能发生击穿。
3. 最大功耗（PDmax）：三极管可以承受的最大功耗。
超过这个功耗极限，三极管可能会过热，导致故障。
4. 最大集电极-发射极电压（VCESmax）：三极管可以承受的最大集电极到发射极的电压。
超过这个电压极限，三极管可能发生击穿。
5.最大集电极电流放大倍数（hFE）：三极管的集电极电流与基极电流之间的比例关系。
它表示三极管的放大能力，通常在工作区域内具有较高的值。
6. 饱和区（Saturation Region）：当三极管的基极电流足够大时，集电极-发射极间的电压达到最低值，此时三极管工作在饱和区。
7. 切断区（Cut-off Region）：当三极管的基极电压较低时，集电极-发射极间的电压达到最高值，此时三极管工作在切断区。
8. 属性（Transconductance）：三极管的输入特性之一，它是指集电极电流变化与基极-发射极电压变化之比，常用单位是毫安每伏特（mA/V）。
9. 剪切频率（Cut-off Frequency）：三极管的输出特性之一，它是指在特定放大倍数下，三极管的功耗输出能力降低到原来的一半所对应的频率。
10. 输入电阻（Input Resistance）：三极管的输入电阻，也称为基极电阻，是指输入端电压与输入端电流之比。
11. 输出电阻（Output Resistance）：三极管的输出电阻，是指输出端电压与输出端电流之比。
12. 射极电阻（Emitter Resistance）：三极管的发射极电阻，是指发射极电压与发射极电流之比。
三极管的作用和工作原理
三极管的作用和工作原理首先，我们来了解一下三极管的结构。
三极管由三个掺杂不同的半导体材料层叠而成，分别是发射极（E）、基极（B）和集电极（C）。
发射极连接一个P型半导体，基极连接一个N型半导体，而集电极连接一个P型半导体。
这种结构决定了三极管的放大、开关和稳压等特性。
三极管的作用主要体现在放大和开关两个方面。
在放大电路中，三极管可以放大微弱的信号，使其具有足够的能量驱动负载。
在开关电路中，三极管可以控制电路的通断，实现数字信号的处理和控制。
这两种作用使得三极管在电子技术中扮演着至关重要的角色。
接下来，我们来详细了解三极管的工作原理。
在正常工作状态下，三极管有三种工作状态，分别是放大状态、截止状态和饱和状态。
在放大状态下，通过控制基极电流，可以使得集电极电流的变化成倍放大，从而实现信号的放大。
在截止状态下，通过控制基极电流，可以使得集电极电流截断，实现开关功能。
在饱和状态下，通过控制基极电流，可以使得集电极电流达到最大值，实现信号的稳压。
三极管的工作原理可以用电子的输运和控制来解释。
当外加电压使得发射结和集电结正向偏置时，发射结注入少数载流子，集电结收集少数载流子，形成电流放大。
当外加电压使得发射结和集电结反向偏置时，少数载流子被阻挡，电流截断。
这种输运和控制的机制决定了三极管的放大和开关特性。
总的来说，三极管的作用和工作原理是非常复杂的，但是通过对其结构和工作原理的了解，我们可以更好地应用它于电子技术中。
三极管的放大和开关功能使得它成为电子技术中不可或缺的器件，其工作原理也为我们理解电子技术提供了重要的基础。
希望通过本文的介绍，能够让大家对三极管有一个更深入的了解。
三极管
Vceo
在选择晶体管时， 大约为所用电源电压2倍 在选择晶体管时，Vceo大约为所用电源电压 倍 S8050的Vceo为25V 的
S8050 NPN型三极管参数 型三极管参数
c
Ic
b
Ib Ie
Vce
+
e
最大集电极电流， 最大集电极电流，即流过三极管集电极的最大电流
Icm
在选择晶体管时， 在选择晶体管时，Icm大约为三极管正常工作时流过 集电极最大电流的2倍 集电极最大电流的 倍 S8050的Icm为0.5A 的
Ec = Ic x Rc + Vce
三极管仿真电路分析
Ib、Ic、Vce 波形 波形?
集电极电压V 集电极电压 c
NPN 型 集电极电源Ec 集电极电源
基极电源E 基极电源 b
三极管仿真电路分析
Vo 集电极电压（V） 集电极电压（ Ic 集电极电流（mA） 集电极电流（
集电极电压V 集电极电压 c
驱动继电器(工作原理 驱动继电器 工作原理) 工作原理
+Vcc
3.R1、R2电阻取值
D IN4007
例如： 例如： 若Vcc=+5V,Ics=50mA,β=100， 且R2=4.7kΩ，计算R1取值。 Vcc-Vbe . . I . b= R 1 5V-0.7V R1 . . . Vbe R2 Ic > β
+Vcc
释放
D IN4007
继电器
c
输入Vi 输入 +Vcc OFF 0V R2 4.7K R1
续流二极管
S8050
b e
用NPN三极管驱动继电器电路图 三极管驱动继电器电路图
驱动继电器(工作原理 驱动继电器 工作原理) 工作原理
三极管
I / mA
600 0 20
60
40 20
0 0.4 0.8 U / V
iC
温度对输入特性的影响 600 200
负温度系数。
3、温度每升高 1C， 增 加 0.5%~1.0%。
结论：温度升高，三极 管输入特性曲线左移， 输出特性曲线上移且间 距增大。
iB
O
温度对输出特性的影
uCE
六、三极管的命名方法
三极管的命名由5部分组成，如图1.21所示。其中第二、三 部分各字母含义如表1.10所示。
表1.10 第 二 部 分
第二、三部分各字母含义 第 三 部 分
字
A B C D
母
在以后的计算中，一般作近似处理： = 。
2.集-基极反向截止电流 ICBO
ICBO –
A
+
EC
ICBO是由少数载流子的 漂移运动所形成的电流， 受温度的影响大。 温度ICBO
3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO – A + IB=0 ICEO ICEO受温度的影响大。 温度ICEO，所以IC 也相应增加。三极管的 温度特性较差。
截止
反偏 反偏
放大
正偏 反偏
饱和
正偏 正偏
解：
对NPN管而言，放大时VC ＞ VB ＞ VE 对PNP管而言，放大时VC ＜ VB ＜VE （1）放大区 （2）截止区 （3）饱和区
五、 主要参数
表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参 数也是设计电路、选用晶体管的依据。
1. 电流放大系数，
三极管分类
三极管分类三极管是一种集成电路元件，可以用来控制电路里电流和电压的流动。
它有三个端子，分别称为集电极（C）、发射极（E）和基极（B）。
三极管的发展和普及，为电子学的发展起到了重要的作用。
根据其构造不同，三极管可以分为NPN型三极管、PNP型三极管，双极三极管，JFET三极管，MOSFET三极管，氧化物半导体三极管等不同类别。
NPN型三极管由两个N型晶体管和一个P型晶体管组成，其结构是由三个圆柱体组成，三个柱体之间形成一个反射管，具有相当大的集电率。
它的工作原理是由集电极到基极之间产生饱和和反向饱和现象，基极的电流来源可以是电源，也可以是另一极。
NPN型三极管的特点是电流低，非常适合作为放大电路的放大器，电子管等。
PNP型三极管也叫“正反-三极管”，它是由三个半导体构成，两个P型半导体构成发射极和基极，一个N型半导体构成集电极。
能导位由发射极和基极的P型晶体管，当外加的正压电压在发射极和基极之间时，发射极就会产生电压，使电流从发射极流到集电极，当外加的电压越大时，电流也会越多。
它一般用于晶体管放大电路和自动调节电路，它能利用电路中电压的反馈，自动调节放大电路中信号的输出电压和电流。
双极三极管也叫晶体双极管，是一种特殊的三极管，它由两个P 型晶体管和一个N型晶体管组成，其特点是具有两个发射极和一个基极，一个发射极可以电流输出，另一个发射极电压输入，由双极三极管构成的电路可以实现信号的放大，稳定。
目前双极三极管的应用已经普及到家庭影院，电视机等音视频装置中，主要用于放大音量。
JFET三极管，它由三个半导体构成，具有良好的静电屏蔽和维持负反馈的功能。
它是采用PNP型晶体管和N型晶体管组成，其结构是一个放大管，可以把输入信号变成一个大信号，特别适合处理小信号。
JFET三极管一般用于管电路，电流检测，放大，频率等应用。
MOSFET三极管是一种半导体元件，由三个端子，源极，漏极，和极，组成。
MOSFET的特点是漏极和源极电压的变化不会对电路中的另一个端子产生影响，它也有良好的静电屏蔽性，可以把极小的电压变化变成大变化。
三极管ppt课件
晶体管截止频率影响
晶体管的截止频率限制了其放大高频信号 的能力，当输入信号频率接近或超过截止 频率时，晶体管放大倍数急剧下降。
负载效应影响
在高频段，负载效应对信号产生较大的影 响，使得输出信号的幅度和相位发生变化 。
05
三极管功率放大电路设计 与应用
功率放大电路类型及特点
甲类功率放大电路
采用单电源供电，输出端通过大容量电容与负载耦合，具 有电路简单、成本低等优点，但电源功率利用率较低且存 在较大的非线性失真。
集成功率放大器简介与应用
集成功率放大器概述
将功率放大电路与必要的辅助电路集成在同一芯片上，具 有体积小、重量轻、可靠性高等优点。
集成功率放大器的应用
广泛应用于音响设备、电视机、计算机等电子设备中，用 于驱动扬声器、耳机等负载，提供足够的输出功率和良好 的音质效果。
工作点设置在截止区，主要用于高频功率放大，效率很高但非线性失 真严重。
OCL和OTL功率放大电路设计实例
要点一
OCL（Output Capacitor Less ）功…
采用双电源供电，输出端与负载直接耦合，具有低失真、 高效率等优点，但需要较大的电源功率和输出电容。
要点二
OTL（Output Transformer Less…
02
三极管基本放大电路
共射放大电路组成及原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直 流电源
特点
电压放大倍数大，输出电阻较大，输 入电阻适中
原理
利用三极管的电流放大作用，将输入 信号放大并
共基放大电路组成及原理
01
02
03
组成
输入回路、输出回路、耦 合电容、直流电源
三极管简介
半导体双极型三极管又称晶体三极管，通常简称晶体管或三极管，它是一种电流控制电流的半导体器件，可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关。
它具有结构牢固、寿命长、体积校、耗电省等一系列独特优点，故在各个领域得到广泛应用。
基本介绍双极性晶体管（英语：bipolar transistor），全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件。
双极性晶体管是电子学历史上具有革命意义的一项发明，其发明者威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布喇顿被授予了1956年的诺贝尔物理学奖。
这种晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也称双极性载流子晶体管。
这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同，后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。
两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。
双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。
以NPN晶体管为例，按照设计，高掺杂的发射极区域的电子，通过扩散作用运动到基极。
在基极区域，空穴为多数载流子，而电子为少数载流子。
由于基极区域很薄，这些电子又通过漂移运动到达集电极，从而形成集电极电流，因此双极性晶体管被归到少数载流子设备。
双极性晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。
工作原理晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。
而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
NPN管它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。
常用三极管参数大全
常用三极管参数大全1.最大耐压（VCEO）：指三极管的集电极与发射极之间的最大耐压，也是三极管工作的最高电压。
2.最大漏极电流（ICMAX）：指三极管的最大工作电流，超过该电流可能会导致器件损坏。
3. 最大功率（Pmax）：指三极管能够承受的最大功率，超过该功率可能会导致器件损坏。
4. 最大集电极-基极电压（VCEMax）：指三极管的集电极与基极之间的最大电压，通常用于确定三极管在开关工作状态下的最大电压。
5. 最大基极电流（IBmax）：指三极管的最大基极电流，超过该电流可能会导致器件损坏。
6. 饱和区电压下降（VCEsat）：指三极管在饱和区时，集电极与发射极之间的电压降。
7. 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：指三极管在饱和区时，基极与发射极之间的电压降。
8. 输入电阻（hie）：指三极管的输入电阻，它与基极电流成正比。
9. 输出电阻（hoe）：指三极管的输出电阻，它与输出电流成正比。
10. 增大时间（tf）：指三极管从关断状态到导通状态所需的时间。
11. 减小时间（tr）：指三极管从导通状态到关断状态所需的时间。
12. 反向转换时间（tfr）：指三极管由关断状态转换为导通状态时，极化电容反向充电所需的时间。
13. 正向转换时间（tff）：指三极管由导通状态转换为关断状态时，极化电容正向放电所需的时间。
14.最大效率：指在特定工作条件下，三极管从输入功率到输出功率的转换效率。
15.电流放大倍数（β）：指三极管中电流放大的倍数，即集电极电流与基极电流之比。
16.最大工作频率（fT）：指三极管能够正常工作的最高频率。
上述参数都是三极管常用的重要参数，不同型号的三极管具体数值会有所不同。
在选择三极管时，根据具体需求选择合适的参数是非常重要的。
此外，这些参数在设计电子电路时也起到了至关重要的作用。
什么是三极管它在电路中的应用有哪些
什么是三极管它在电路中的应用有哪些三极管是一种常见的电子元件，也被称为双极型晶体管（BJT）。
它是一种半导体器件，常用于电路中的放大、开关、调节及稳压等功能。
本文将详细介绍什么是三极管，以及它在电路中的各种应用。
一、什么是三极管三极管是一种由P型半导体和N型半导体组成的三层结构。
它包括一个发射极（Emitter）、一个基极（Base）和一个集电极（Collector）。
发射极和基极之间有一层非常薄的绝缘层，称作基极结（Base Junction），而基极和集电极之间有一层较厚的绝缘层，称作集电极结（Collector Junction)。
三极管有两种类型，分别是NPN型和PNP型。
NPN型三极管的发射极和基极是N型的，而集电极是P型的；PNP型三极管则相反。
它们的结构和工作原理类似，只是有些电流方向和电压极性上的差异。
三极管的工作原理基于PN结的正向和反向偏置。
当基极结处于正向偏置时，发射极和集电极之间形成一个低电阻通路，三极管处于导通状态；当基极结处于反向偏置时，发射极和集电极之间形成一个高电阻区域，三极管处于截止状态。
二、三极管在电路中的应用1. 放大器三极管最常见的应用是作为放大器。
它可以将弱小的电信号放大成较大的电流或电压信号。
在放大器电路中，输入信号通过基极输入，而输出信号则从集电极输出。
三极管的放大作用可用于音频放大器、射频放大器等各种放大器电路中。
2. 开关三极管还可作为电路的开关。
当三极管处于截止状态时，电路中没有输出；而当三极管处于导通状态时，电路中有输出。
通过控制三极管的输入信号可以实现电路的开关功能。
例如，三极管在计算机内存芯片中作为开关用于控制数据的读取和写入。
3. 调节与稳压三极管还可以用于电路的调节与稳压。
通过控制输入信号的大小和频率，可以实现对电路输出的调节。
三极管的稳压功能可通过采用特定的电路设计和外部连接元件实现，例如稳压二极管（Zener Diode）和电压调节器。
三极管
（3）反向击穿电压 BJT有两个PN结，其反向击穿电压有以下几种：
① U（BR）EBO——集电极开路时，加在基极与发射极之间的最大 反向电压。其值一般几伏～十几伏。 ② U（BR）CBO——发射极开路时，集电极与基极之间允许的最大 反向电压。其值一般为几十伏～几百伏。 ③ U （ BR ） CEO—— 基极开路 时，集电极与发射极之间 允许的最大反向电压。 在 实 际 使 用 时 ， 还 有 V(BR)CER 表示 BE 间接有电阻， V(BR)CES 表示 BE 间是短路的。
IB
c
I CBO
IC I CN
N
RC
ICIE ICBO IE
所以:
b
I EN I EP
P
VCC
IC IE
Rb V BB
N
三个电极上的电流关系:
e
IE
IE =IC+IB≈IC
10/62
(2)IC与I B之间的关系：
联立以下两式：
IC＝ IE＋ICBO
I E＝IC＋I B
c
I CBO
IC ＝ IE
iC ＝ iE
18/62
2.极间反向电流
（1）集电极基极间反向饱和电流ICBO
发射极开路时，在其集电结上加反向电压，得到反向电流。 它实际上就是一个PN结的反向电流。其大小与温度有关。 锗管：I CBO为微安数量级，
硅管：I CBO为纳安数量级。
+
ICBO b
c
+
（2）(集电极发射极间的)穿透电流
14/62
(2)输出特性曲线 iC=f(uCE) iB=const
输出特性曲线是指三极管基极电流iB为某一固定值时， 输出端集电极极电流iC和集电极-发射极间的电压偏压 uCE之间的关系曲线。iB不同曲线不同，曲线族。
三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数
三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数摘要：一、三极管简介二、三极管的主要参数1.直流参数2.交流参数3.极限参数三、参数对三极管性能的影响四、总结正文：一、三极管简介三极管，全称为半导体三极管，是一种常用的半导体器件，具有放大和开关等功能。
它由三个区域组成：n型区（发射极）、p型区（基极）和n型区（集电极）。
通过调整基极电流，可以控制集电极电流，从而实现信号的放大和开关。
二、三极管的主要参数1.直流参数直流参数主要包括静态工作点、静态电流和最大耗散功率。
静态工作点是指三极管在直流偏置下的工作状态，它决定了三极管的放大性能和稳定性。
静态电流是三极管在静态工作点下的基极电流，它影响了三极管的电流放大系数。
最大耗散功率是指三极管在最大工作电流下所能承受的热功率，它限制了器件的输出功率。
2.交流参数交流参数主要包括交流放大倍数、交流输入阻抗和交流输出阻抗。
交流放大倍数是指三极管在交流信号下的电流放大能力，它决定了三极管的信号放大性能。
交流输入阻抗是指三极管在交流信号下的输入阻抗，它影响了信号的传输效果。
交流输出阻抗是指三极管在交流信号下的输出阻抗，它影响了负载的驱动能力。
3.极限参数极限参数主要包括最大额定电压、最大额定电流和最小工作温度。
最大额定电压是指三极管能承受的最大电压，超过该电压可能导致器件损坏。
最大额定电流是指三极管能承受的最大电流，超过该电流可能导致器件过载。
最小工作温度是指三极管能正常工作的最低温度，低于该温度可能导致器件性能下降。
三、参数对三极管性能的影响直流参数、交流参数和极限参数共同决定了三极管的性能。
静态工作点的选择影响了三极管的放大性能和稳定性；静态电流的大小影响了三极管的电流放大系数；最大耗散功率决定了器件的输出功率；交流放大倍数、交流输入阻抗和交流输出阻抗影响了三极管的信号放大性能和驱动能力；最大额定电压、最大额定电流和最小工作温度则决定了器件的可靠性和稳定性。
四、总结三极管的主要参数包括直流参数、交流参数和极限参数。
三极管 工作原理
三极管工作原理
三极管是一种常用的电子器件，其工作原理是基于PN结的正向和反向偏置。
三极管的内部由两个PN结组成，分别为发射结和集电结，以及一个共用的基区。
当PN结处于正向偏置状态时，发射结处于N型区域，集电结处于P型区域。
此时，发射结的N型区域中的自由电子会向P 型区域移动，形成电流。
同样，集电结的P型区域中的空穴也会向N型区域移动，形成电流。
在三极管正常工作时，中间的基区处于两个极性材料之间，称为浮动区域。
当在基极上加上正向电压时，浮动区域的电子被吸引到P型区域中，形成一个电子云。
这个电子云会使得发射结中的N型区域形成一个引入电子的电流，这种电流称为输入电流。
这个输入电流会放大输出电流。
通过调整基极电流，可以控制三极管的输出电流大小。
这种调节作用使得三极管可以作为放大器或开关使用。
当基极电流较小时，输出电流也较小，三极管处于截止状态。
当基极电流较大时，输出电流也较大，三极管处于饱和状态。
总而言之，三极管工作原理是基于PN结的正向和反向偏置，利用中间的基区调节输入电流来控制输出电流的大小。
这使得三极管可以在放大器与开关电路中发挥作用。
三极管的作用与接法
三极管的作用与接法
三极管是一种半导体器件，它主要有三个极：发射极（E mitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
三极管有多种类型，如NPN型和PNP型，其中NPN型三极管的发射极和集电极都是N型半导体，而PNP型三极管的发射极和集电极都是P型半导体。
三极管主要有放大器和开关两种作用。
三极管的作用：
1.放大器：三极管可以用来放大电信号。
当一个很小的电流（基极电流）通过基极时，可以控制一个很大的电流（集电极电流）流过集电极。
这样，三极管就可以放大信号。
2.开关：三极管也可以作为一个开关使用。
在数字电路中，三极管可以控制高电平和低电平的输出。
三极管的接法：
1.NPN型三极管：
发射极（Emitter）：通常连接到电源的负极或ground。
基极（Base）：连接到小信号源或控制信号。
集电极（Collector）：通常连接到电源的正极。
2.PNP型三极管：
发射极（Emitter）：通常连接到电源的正极。
基极（Base）：连接到小信号源或控制信号。
集电极（Collector）：通常连接到电源的负极或groun d。
应用实例：
放大器：当三极管工作在放大区时，基极接收的小信号电流会控制集电极的较大电流，从而放大信号。
开关：当三极管工作在饱和或截止区时，它就可以作为一个开关，控制电流的通断。
三极管在电子电路中应用非常广泛，是电子技术中不可或缺的基本元件之一。
希望这些信息对你有所帮助。
三 极 管
三极管一、晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。
基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。
发射极箭头向外。
发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。
硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
电压须在外部施用，以使晶体管操作。
施用电压以使电流朝著发射极箭头的方向移动。
施用电压时，发射极电流Ie、集电极电流Ic和基点电流Ib将产生以下的关系：Ie = Ic+Ib晶体管类型：按材料分类，可分为：硅晶体管、锗晶体管按电极分类，可分为：NPN晶体管、PNP晶体管按功能分类，可分为：光敏三极管、开关三极管、功率三极管二、三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，如图对于小功率金属封装三极管，按图示底视图位臵放臵，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放臵，则从左到右依次为e b c。
电子制作中常用的三极管有90××系列，包括低频小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪声管9014（NPN），高频小功率管9018（NPN）等。
它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。
三极管
输出特性曲线上一般可分为三个区：
IC /mA 饱和区。当发射结和 集电结均为正向偏置 IB=100 A 4 时，三极管处于饱和 0.3V，锗管约为0.1V, 状态。此时集电极电 管子深度饱和时，硅管的VCE约为 80 A 3 流IC与基极电流IB之 由于深度饱和时 VCE约等于0，晶体管在电路中犹如一个 间不再成比例关系， 闭合的开关。 放 60 A 2.3 IB的变化对IC的影响 2 大 40 A 很小。 截止区。当基极电 IB=0 流IB等于0时，晶体 UCE / V 0 管处于截止状态。 实际上当发射结电 此时 UCE小于UBE,规定： UCE=UBE晶体管工作在放大状态时，发射结正 时， 压处在正向死区范 VCC VCES I CS VCC / RC 围时，晶体管就已 偏，集电结反偏。在放大区，集电极电 为临近饱和状态，用 UCES（0.3 或 RC 经截止，为让其可 流与基极电流之间成β倍的数量关系， 0.1）表示，此时集电极临近饱和 靠截止，常使UBE 小于和等于零。 即晶体管在放大区时具有电流放大作用。 临近饱和基极电流 I BS I CS / 电流是
ΔIC
当IB一定时，从发射区扩散到基区 的电子数大致一定。当UCE超过1V以 后，这些电子的绝大部分被拉入集 电区而形成集电极电流IC 。之后即 使UCE继续增大，集电极电流IC也不 会再有明显的增加，具有恒流特性。
UCE / V
0
当IB增大时，相应IC也增大，输出特性曲线上移， 且IC增大的 幅度比对应IB大得多。这一点正是晶体管的电流放大作用。 从输出特性曲线可求出三极管的电流放大系数β。 取任意再两条特性曲线上的平坦段，读出其基极电流之差； 再读出这两条曲线对应的集电极电流之差ΔIC=1.3mA； 于是我们可得到三极管的电流放大倍数： β=ΔIC/ΔIB=1.3÷0.04=32.5
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备注栏中“*”表示带阻尼，“--”表示不
2N3708 2N3716 2N3725 2N3740 2N3741 2N3742 2N3767 2N3771 2N3772 2N3773 2N3792 2N3819 2N3820 2N3821 2N3824 2N3866 2N3904 2N3906 2N3909 2N3958 2N3963 2N3972 2N4001 2N4033 2N4036 2N409 2N4126 2N4220 2N4236 2N427 2N428 2N4286 2N4287 2N4291 2N4302 2N4347 2N4348 2N4351 2N4391 2N4392 2N4393 2N4401 2N4403 2N4416 2N4420 2N4427 2N4906
SI-N 30V 0.03A 0.36W 80MHz SI-N 100V 10A 150W 4MHz SI-N 80V 0.5A 1W 35/60ns SI-P 60V 4A 25W >4MHz SI-N 80V 4A 25W >4MHz SI-N 300V 0.05A 1W >30MHz SI-N 100V 4A 20W >10MHz SI-N 50V 30A 150W POWER SI-N 100V 20A 150W POWER SI-N 160V 16A 150W POWER SI-P 80V 10A 150W 4MHz N-FET 25V 20mA 0.36W P-FET 20V 15mA 0.36W N-FET 50V 2.5mA 0.3W N-FET 50V 10mA 0.3W <250E SI-N 55V 0.4A 1W 175MHz SI-N 60V 0.2A .35W 300MHz SI-P 40V 0.2A .35W 250MHz P-FET 20V 10MA 0.3W N-FET 50V 5mA 0.25W SI-P 80V 0.2A 0.36W >40MHz N-FET 40V 50mA 1.8W SI-N 100V 1A 15W 40MHz SI-P 80V 1A 0.8W 150MHz SI-P 90V 1A 1W 60MHz GE-P 13V 15mA 80mW 6.8MHz SI-P 25V 200mA HF N-FET 30V 0.2A SI-P 80V 3A 1W >3MHz GE-P 30V 0.4A 0.15W B>40 GE-P 30V 0.4A 0.15W B>60 SI-N 30V 0.05A 0.25W SI-N 45V 0.1A 0.25W 40MHz SI-P 40V 0.2A 0.25W 150MH N-FET 30V 0.5mA 0.3W SI-N 140V 5A 100W 0.8MHz SI-N 140V 10A 120W >0.2MHz N-FET 30V 30mA 0.3W 140KHz N-FET 40V 50mA 30E Up<10V N-FET 40V 25mA 60E Up<5V N-FET 40V 5mA 100E Up<3V SI-N 60V 0.6A 200MHz SI-P 40V 0.6A 200MHz N-FET 30V 15mA VHF/UHF SI-N 40V 0.2A 0.36W SI-N 40V 0.4A 1W 175MHz SI-P 80V 5A 87.5W >4MHz
SI-P 80V 1A 30W SI-N 80V 1A 30W SI-N 150V 20A 140W 0.5us SI-N 55V 0.4A 4W 5mA SI-N 40V 0.5A 2.5W 1.5GHz P-FET 30V 5mA 150E Up<4V SI-N 100V 2A 10W SI-N 20V 50mA 0.2W >1GHz SI-N 80V 4A 40W 2MHz SI-N 375V 5A 100W >2MHz SI-N 80V 4A 36W >0.8MHz N-DARL 40V 0.3A 0.4W B>7K SI-N 100V 2A 10W AFSWITCH SI-P 100V 2A 10W AFSWITCH SI-P 160V 0.6A 0.31W SI-P 350V 1A 10W 15MHz N-FET 25V 0.4A 0.3W 7E N-FET 25V 1mA Up<6V N-FET 25V 2.9mA UNI P-FET 40V 5mA Up<6V GEN.P P-FET 40V 9mA 0.31W P-FET 40V 16mA Up<9V GEN. N-FET 25V 5mA 0.31W P-FET 25V 4mA Up<4V SI-N 180V 0.6A 0.31W VID. SI-N 36V 0.6A 3W 175MHz N-FET 30V 10mA 310mW SI-N 150V 30A 140W 0.5us SI-P 120V 1A 1W SI-N 120V 1A 1W >30MHz SI-P 80V 50A 200W SI-N 80V 50A 300W >2MHz SI-N 30V 0.05A 0.7W >900MHz SI-P 15V 50mA 625mW >850MHz SI-P 80V 10A 150W >4MHz SI-N 80V 10A 150W >4MHz SI-N 60V 10A 150W >4MHz SI-P 80V 25A 200W AFPOWSW SI-N 80V 25A 200W >4MHz SI-P 140V 16A 200W 1MHz P-DARL+D 60V 12A 100W SI-N 100V 12A 150W SI-N 36V 5A PQ=30W 175MHz SI-N 70V 10A 75W AFPOWSWITCH SI-N 70V 10A 75W AFPOWSWITCH SI-P 60V 7A 40W 10MHz SI-P 45V 4A 40W
2N6211 2N6213 2N6248 2N6284 2N6287 2N6292 2N635 2N6491 2N6517 2N6520 2N6547 2N6556 2N6609 2N6660 2N6661 2N6675 2N6678 2N6716 2N6718 2N6725 2N6728 2N697 2N7002 2N914 2N918 2SA1006B 2SA1009 2SA1011 2SA1013 2SA1015 2SA1016 2SA1017 2SA1018 2SA1020 2SA1027 2SA1029 2SA1034 2SA1037 2SA1048 2SA1049 2SA1061 2SA1062 2SA1065
2N4920 2N4923 2N5038 2N5090 2N5109 2N5116 2N5154 2N5179 2N5192 2N5240 2N5298 2N5308 2N5320 2N5322 2N5401 2N5416 2N5433 2N5457 2N5458 2N5460 2N5461 2N5462 2N5484 2N5485 2N5551 2N5589 2N5639 2N5672 2N5680 2N5682 2N5684 2N5686 2N5770 2N5771 2N5876 2N5878 2N5879 2N5884 2N5886 2N6031 2N6050 2N6059 2N6083 2N6098 2N6099 2N6109 2N6124
关键参数 GE-P 35V 0.15A 0.165W GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz GE-P 30V 0.3A 0.15W B>60 SI-N 75V 1A 0.8W 60MHz SI-N 75V 1A 0.8W 70MHz SI-N 120V 0.5A 0.8W SI-N 120V 1A 1W <120MHz GE-P 60V 5A 12.5W SI-P 30V 50mA 0.15W 18MHz SI-P 15V 50mA 0.15W 10MHz SI-N 40V 0.8A 0.8W 250MHz SI-N 40V 0.8A 0.5W 300MHz 2xSI-N 100V 0.5A 0.6W >50 2xSI-N 100V 0.5A 0.6W >50 SI-N 120V 1A 0.8W 50MHz SI-N 40V 0.2A .36W 12/18ns SI-N 30V 40mA 0.2W >1GHz SI-P 12V 0.2A 1.2W 60/90ns SI-P 60V 0.6A 0.6W 45/100 SI-P 60V 0.6A 0.4W 45/100 SI-P 60V 0.6A 0.4W 45/100 SI-N 45V 0.03A >60Mz SI-N 25V 0.1A 0.2W 300MHz GE-P 40V 0.1A 0.15W 200MHz SI-N 140V 1A 0.8W 100MHz SI-N 60V 0.7A 5W 100MHz SI-N 90V 4A 25W 3MHz SI-N 100V 15A 115W 800kHz SI-N 100V 15A 115W 800kHz SI-N 100V 15A 115W 800kHz SI-P 50V 0.2A 0.36W SI-N 40V 0.5A 11.6W 500MHz SI-N 450V 1A 10W 15MHz SI-N 300V 1A 10W 15MHz SI-N 160V 3A 25W POWER SI-N 160V 10A 117W 0.8MHz SI-P 120V 0.1A 0.6W >150MHz SI-P 45V 0.6A 0.7W 200MHz SI-N 65V 0.35A 7W 500MHz SI-N 30V 0.05A 0.2W 1.4GHz SI-N 250/175V 2A 35W >10MHz SI-N 40V 0.25A 23W 400MHz SI-N 40V 0.2A 0.2W SI-N 140V 1A 0.5W 200MHz SI-N 30V 0.03A 0.36W 100MHz