半导体制造技术必看考点
半导体知识点总结大全
半导体知识点总结大全引言半导体是一种能够在一定条件下既能导电又能阻止电流的材料。
它是电子学领域中最重要的材料之一，广泛应用于集成电路、光电器件、太阳能电池等领域。
本文将对半导体的知识点进行总结，包括半导体基本概念、半导体的电子结构、PN结、MOS场效应管、半导体器件制造工艺等内容。
一、半导体的基本概念（一）电子结构1. 原子结构：半导体中的原子是由原子核和围绕原子核轨道上的电子组成。
原子核带正电荷，电子带负电荷，原子核中的质子数等于电子数。
2. 能带：在固体中，原子之间的电子形成了能带。
能带在能量上是连续的，但在实际情况下，会出现填满的能带和空的能带。
3. 半导体中的能带：半导体材料中，能带又分为价带和导带。
价带中的电子是成对出现的，导带中的电子可以自由运动。
（二）本征半导体和杂质半导体1. 本征半导体：在原子晶格中，半导体中的电子是在能带中的，且不受任何杂质的干扰。
典型的本征半导体有硅（Si）和锗（Ge）。
2. 杂质半导体：在本征半导体中加入少量杂质，形成掺杂，会产生额外的电子或空穴，使得半导体的导电性质发生变化。
常见的杂质有磷（P）、硼（B）等。
（三）半导体的导电性质1. P型半导体：当半导体中掺入三价元素（如硼），形成P型半导体。
P型半导体中导电的主要载流子是空穴。
2. N型半导体：当半导体中掺入五价元素（如磷），形成N型半导体。
N型半导体中导电的主要载流子是自由电子。
3. 载流子浓度：半导体中的载流子浓度与掺杂浓度有很大的关系，载流子浓度的大小决定了半导体的电导率。
4. 质量作用：半导体中载流子的浓度受温度的影响，其浓度与温度成指数关系。
二、半导体器件（一）PN结1. PN结的形成：PN结是由P型半导体和N型半导体通过扩散结合形成的。
2. PN结的电子结构：PN结中的电子从N区扩散到P区，而空穴从P区扩散到N区，当N区和P区中的载流子相遇时相互复合。
3. PN结的特性：PN结具有整流作用，即在正向偏置时具有低电阻，反向偏置时具有高电阻。
半导体制造技术考试答案(考试必看
1、问答题热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。
2、问答题什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？3、问答题说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
4、问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。
5、问答题写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。
6、问答题说明影响氧化速率的因素。
7、问答题CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？8、问答题假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
9、问答题什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。
10、问答题以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。
11、问答题简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。
12、问答题什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？13、问答题简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。
14、问答题简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。
15、问答题下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别写出a-g 各段的名称。
可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段？试解释其工作原理。
16、问答题简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
17、问答题典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。
18、问答题简述RTP设备的工作原理，相对于传统高温炉管它有什么优势？19、问答题简述RTP在集成电路制造中的常见应用。
20、问答题简述几种典型真空泵的工作原理。
21、问答题影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？22、问答题下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生反应的方程式，并简述其中1～5各步的含义。
半导体制造工艺期末考试重点复习资料
1、三种重要的微波器件：转移型电子晶体管、碰撞电离雪崩渡越时间二极管、MESFET.2、晶锭获得均匀的掺杂分布：较高拉晶速率和较低旋转速率、不断向熔融液中加高纯度多晶硅，维持熔融液初始掺杂浓度不变。
3、砷化镓单晶：p型半导体掺杂材料镉和锌，n型是硒、硅和锑硅：p型掺杂材料是硼，n型是磷。
4、切割决定晶片参数：晶面结晶方向、晶片厚度（晶片直径决定）、晶面倾斜度（从晶片一端到另一端厚度差异）、晶片弯曲度(晶片中心到晶片边缘的弯曲程度）。
5、晶体缺陷：点缺陷（替位杂质、填隙杂质、空位、Frenkel，研究杂质扩散和氧化工艺）、线缺陷或位错(刃型位错和螺位错,金属易在线缺陷处析出）、面缺陷（孪晶、晶粒间界和堆垛层错，晶格大面积不连续，出现在晶体生长时）、体缺陷(杂质和掺杂原子淀积形成，由于晶体固有杂质溶解度造成）.6、最大面为主磨面，与<110>晶向垂直，其次为次磨面，指示晶向和导电类型。
7、半导体氧化方法：热氧化法、电化学阳极氧化法、等离子化学汽相淀积法。
8、晶体区别于非晶体结构：晶体结构是周期性结构，在许多分子间延展,非晶体结构完全不是周期性结构.9、平衡浓度与在氧化物表面附近的氧化剂分压值成正比。
在1000℃和1个大气压下,干氧的浓度C0是5。
2x10^16分子数/cm^3，湿氧的C0是3x10^19分子数/cm^3。
10、当表面反应时限制生长速率的主要因素时,氧化层厚度随时间呈线性变化X=B（t+）/A线性区（干氧氧化与湿氧氧化激活能为2eV,）；氧化层变厚时,氧化剂必须通过氧化层扩散，在二氧化硅界面与硅发生反应，并受扩散过程影响，氧化层厚度与氧化时间的平方根成正比，生长速率为抛物线X^2=B(t+）抛物线区（干氧氧化激活能是1。
24Ev,湿氧氧化是0.71eV). 11、线性速率常数与晶体取向有关，因为速率常数与氧原子进入硅中的结合速率和硅原子表面化学键有关；抛物线速率常数与晶体取向无关,因为它量度的是氧化剂穿过一层无序的非晶二氧化硅的过程。
第一讲：半导体基础知识(半导体制造技术)
晶体结构＝基元＋空间点阵
第七页，共80页。
晶体结构＝基元＋空间点阵
第八页，共80页。
说
明
1、基元中A、B可以是不同的原子，或相同的原子，但周围“ 环境”不同。
2、每个基元用一个格点来表示。此格点选在基元的什么地方、代表几个原子并未限制。
3、每个基元内所含的原子数＝晶体中原子的种类数。
4、布拉菲格子（B格子）的基本特征：各格点的情况（基元内涵和周围“ 环
Basis: The constituent atoms attached to each lattice
point. Every basis is identical in composition,
arrangement, and orientation.
Crystal= Lattice+ Basis
a i
2
a j
3
a k
§1.3 晶体的空间点阵结构
立方晶系基本的晶体结构：
常见的三个基本的立方结构及其晶格常数，分别是
简单立方、体心立方和面心立方，立方体的边长即
为晶格常数。
（1）简单立方结构（SC）
（2）体心立方结构（BCC）
（3）面心立方结构（FCC）
第十五页，共80页。
§1.3 晶体的空间点阵结构
（1）单晶：长程有序（整体有序，宏观尺度，
通常包含整块晶体材料，一般在毫米量级以
上）；
（2）多晶：长程无序，短程有序（团体有序，
成百上千个原子的尺度，每个晶粒的尺寸通常
是在微米的量级）；
（3）非晶（无定形）：基本无序（局部、个
体有序，仅限于微观尺度，通常包含几个原子
或分子的尺度，即纳米量级，一般只有十几埃
半导体考试重点‘
第一章半导体芯片制造简介：（1）发展阶段：第一个商用平面晶体管1957年Fairchild第一个IC 1958年TI第一个硅IC 1961年Fairchild第一个晶体管1947年Bell Labs外延技术1960年离子注入技术，等离子刻蚀技术，化学气相淀积技术等新技术70年代初全球第一家集成电路标准加工厂1987年台湾积体电路公司芯片加工精度在亚微米范围，出现电子束光刻，X射线光刻，深紫外光刻技术，分子束外延，薄层氧化工艺等新技术铜互连工艺1998年IBM主流产品特征尺寸在0.18 μm以下2000年特征尺寸在90nm 2004年特征尺寸在32nm 2011年准分子激光光刻，远紫外曝光光刻，电子束投影光刻有望成为主流技术铜互连技术已应用在高端电路芯片的生产工艺中（2）发展趋势：⏹IC发展的标志：特征尺寸集成度⏹摩尔定律:1964年戈登·摩尔提出内容：芯片上的晶体管数每18个月翻一番（1975年）⏹工艺材料的物理极限问题工艺技术瓶颈：光刻技术（2）集成电路工艺制造材料：⏹导体：作互连线，阻挡层，接触孔，通孔如：Al Cu，Ta Ti 及其氮化物, W⏹绝缘体：作介质层，保护层，钝化层如：SiO2 低Ｋ介质高Ｋ介质，Si3N4⏹半导体如：Ge Si GaAs GaN（3）重要的半导体材料：硅Si其特点：硅的丰裕度、更高的熔化温度允许更宽的工艺容限（硅1412摄氏度、锗937摄氏度）、更宽的工作温度范围（硅150摄氏度、锗100摄氏度）、氧化物SiO2（4）现代的IC制造⏹硅片（衬底，晶圆）：制造电子器件的基本半导体材料，是单晶，圆形，薄片⏹半导体器件制作在接近硅片表面几μm处，淀积介质层和导电材料隔离或连接器件⏹多层布线结构⏹制作两到三个月，完成450道或更多的工艺步骤（5）微芯片制造工艺流程1）制备硅片：半导体级硅提炼、单晶生长、整形切片等2）硅片制造：在其表面形成器件和互连线层的过程、薄膜生长(氧化、淀积、外延)、图像转换（光刻、刻蚀）、掺杂（热扩散、离子注入）、其他技术（清洗、平坦化等）3）硅片测试/拣选4）装配与封装：划片、切割成芯片、压焊和包封5）终测：确保集成电路通过电学和环境测试（6）微芯片的沾污导致成品率损失80%失效芯片是由沾污带来的缺陷引起的；维护一个严格的微芯片制造环境很重要；清洗技术。
半导体工艺及芯片制造复习资料简答题与答案
半导体工艺及芯片制造复习资料简答题与答案第一章、半导体产业介绍1 .什么叫集成电路？写出集成电路发展的五个时代及晶体管的数量？（15分）集成电路：将多个电子元件集成在一块衬底上，完成一定的电路或系统功能。
集成电路芯片/元件数 无集成1 小规模（SSI ）2到50 中规模（MSI ）50到5000 大规模（LSI ）5000到10万 超大规模（VLSI ） 10万至U100万 甚大规模（ULSI ） 大于100万 产业周期1960年前 20世纪60年代前期 20世纪60年代到70年代前期 20世纪70年代前期到后期 20世纪70年代后期到80年代后期 20世纪90年代后期到现在2 .写出IC 制造的5个步骤？（15分）Wafer preparation （硅片准备）Wafer fabrication （硅片制造）Wafer test/sort （硅片测试和拣选）Assembly and packaging （装配和封装）Final test （终测）3 .写出半导体产业发展方向？什么是摩尔定律？（15分）发展方向：提高芯片性能一提升速度（关键尺寸降低，集成度提高，研发采用新材料），降低功耗。
提高芯片可靠性一严格控制污染。
降低成本——线宽降低、晶片直径增加。
摩尔定律指：IC 的集成度将每隔一年翻一番。
1975年被修改为：IC 的集成度将每隔一年半翻一番。
4 .什么是特征尺寸CD ？ （10分）最小特征尺寸，称为关键尺寸（Critical Dimension, CD ） CD 常用于衡量工艺难易的标志。
5.什么是 More moore 定律和 More than Moore 定律？（10 分）“More Moore”指的是芯片特征尺寸的不断缩小。
从几何学角度指的是为了提高密度、性能和可靠性在晶圆水平和垂直方向上的特征尺寸的继续缩小。
与此关联的3D结构改善等非几何学工艺技术和新材料的运用来影响晶圆的电性能。
半导体制造必备的基础知识
半导体制造必备的基础知识半导体制造，这听起来就像是一个超级神秘又超级厉害的事儿，就好像是在微观世界里打造一个精密的小宇宙。
半导体啊，简单来说，就像是一个超级听话的小助手，它能根据我们给的指令，让电流乖乖听话。
那半导体制造呢？这就好比是培养这个小助手的过程，得特别精细，容不得半点马虎。
咱先得了解半导体的材料。
硅可是个大明星，就像盖房子的砖头一样基础又重要。
硅原子排得整整齐齐的，就像一群训练有素的士兵。
不过，这硅也不是拿来就能用的，得经过各种加工。
就像把一块普通的石头打磨成美玉一样，要提纯、拉晶。
提纯就像是把沙子里的杂质一点点挑出去，只留下最纯净的硅。
拉晶呢，就像是把这纯净的硅变成一根长长的、规则的棒子，这可需要很高的技术，就像捏糖人儿一样，得掌握好火候和手法。
光刻技术也是半导体制造里的重头戏。
光刻就像是用超级精细的画笔在硅片上画画。
这个画笔可不是普通的画笔，而是一束束光线。
光线就像一把把小刀，把我们想要的图案精确地刻在硅片上。
这图案的精度那可不得了，就好比是在一根头发丝上刻字，而且还得刻得清清楚楚、规规矩矩。
要是刻歪了一点，就像炒菜的时候盐放多了一样，整个半导体可能就不好使了。
掺杂也是个关键步骤。
这就像是给一群小朋友分配不同的任务一样。
往硅里面加入一些其他的元素，让硅有不同的性质。
比如说，加入磷或者硼，就像是给硅这个小团体里加入了新的成员，改变了它们的行为模式，让电流在里面跑得更顺畅或者按照我们想要的方式跑。
薄膜沉积也不能小看。
这就像是给半导体穿上一件件不同的衣服。
一层一层的薄膜覆盖在硅片上，每一层都有自己的作用。
有的是为了保护，有的是为了传导信号。
这就像我们冬天穿衣服，内衣、毛衣、外套，各有各的功能，缺了哪一件都不行。
测试环节就像是给半导体这个小战士做体检。
得检查它各个方面是不是都合格。
就像我们去医院检查身体一样，得一项一项地查。
血压高了不行，半导体这里电流不对也不行。
要是发现有问题，就得像给病人治病一样，重新调整制造的过程。
半导体行业必备知识
半导体行业必备知识标题: 半导体行业必备知识：从基础概念到未来发展引言:半导体行业是现代科技和电子行业的核心，对我们的生活产生了深远的影响。
为了更好地理解和掌握半导体行业，本文将从基础概念开始，逐步深入探讨相关主题。
我们将介绍半导体的定义、材料和工艺，以及半导体芯片的制造和应用。
此外，我们还将讨论半导体行业的未来发展趋势和挑战，以及对环境和社会的影响。
第一部分：半导体基础知识1. 半导体的定义和特性- 解释什么是半导体，以及半导体材料的特性。
- 讨论半导体材料的能带结构和导电性质。
2. 半导体材料- 介绍常见的半导体材料，如硅(Si)和砷化镓(GaAs)。
- 分析不同材料的特点、优缺点和在半导体行业中的应用。
3. 半导体器件和工艺- 介绍半导体器件的基础结构，如二极管和晶体管。
- 解释常用的半导体工艺，如光刻和离子注入，以及它们对半导体器件性能的影响。
第二部分：半导体芯片制造和应用1. 半导体芯片制造工艺- 详细描述半导体芯片的制造过程，包括晶圆加工、沉积、刻蚀和清洗等步骤。
- 分析不同制造工艺对芯片性能和产量的影响。
2. 半导体芯片应用领域- 探讨半导体芯片在各个领域的应用，如通信、计算机、医疗和能源。
- 强调半导体芯片在现代科技和电子领域的关键作用。
第三部分：半导体行业的未来发展1. 新兴半导体技术- 介绍新兴的半导体技术，如碳纳米管和量子点。
- 分析这些技术在提高芯片性能和创新应用方面的潜力。
2. 挑战和趋势- 讨论半导体行业面临的挑战，如技术复杂性和成本压力。
- 分析行业的发展趋势，如人工智能和物联网对半导体需求的增长。
第四部分：半导体行业的环境和社会影响1. 可持续发展- 探讨半导体行业在可持续发展方面的挑战和努力。
- 分析行业在能耗、废弃物管理和碳减排方面的可持续性措施。
2. 社会责任- 强调半导体行业在社会责任方面的作用，如创造就业机会和支持教育项目。
- 讨论行业在社会和经济发展中的贡献和责任。
半导体相关知识点总结
半导体相关知识点总结半导体的本质是由于其电子结构的特殊性质。
在晶体结构中，半导体的价带和导带之间存在禁带宽度，当外界能量激发足够时，电子可以跃迁到导带中，形成电子-空穴对。
这种电子-空穴对的移动使得半导体呈现出导电性质。
半导体的主要特性包括：1. 禁带宽度：即价带和导带之间的能隙，影响着半导体的导电性质。
禁带宽度越小，半导体的导电性越好。
2. 电子-空穴对：当半导体受到外界能量激发时，电子可以从价带跃迁到导带中，留下一个空穴。
这种电子-空穴对的移动使得半导体发生导电。
3. 固体结构：半导体通常是以晶体形式存在的，具有规则的结晶结构。
晶格缺陷、杂质和界面对半导体的性质有着重要影响。
半导体材料的制备方法主要包括单晶生长、多晶生长、气相沉积等。
常见的半导体工艺包括光刻、腐蚀、离子注入、扩散等。
半导体材料的性能与应用：1. 半导体材料的性能：（1）导电性能：半导体的导电性是其最重要的性能之一。
通过控制禁带宽度和掺杂类型，可以调节半导体的电导率。
（2）光电性能：半导体材料对光的吸收、发射、透射等现象具有独特的性能，被广泛应用于光电器件领域。
（3）热电性能：半导体材料具有热电效应，可将热能转换为电能或将电能转换为热能。
（4）磁电性能：一些半导体材料具有磁电效应，在磁电存储和传感器方面有着潜在的应用价值。
2. 半导体材料的应用：（1）集成电路：半导体材料被广泛应用于集成电路中，构成了计算机、通信设备、消费类电子产品等的核心部件。
（2）光电器件：包括激光二极管、光电二极管、太阳能电池等，在通信、光储存、能源等领域有着重要作用。
（3）传感器：半导体材料的电、光、热等性能使得其在传感器领域有着广泛应用，包括压力传感器、光敏传感器、温度传感器等。
（4）功率器件：包括IGBT、MOSFET等功率器件，用于控制大功率电路和电子设备。
（5）发光器件：包括LED、OLED等，广泛应用于照明、显示等领域。
半导体技术的发展趋势：1. 新型材料的研发：包括石墨烯、二维材料、有机半导体材料等的研究，以拓展半导体应用领域。
半导体制造技术考试资料(1)
一．论述1、例出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。
（P316）第一步：气相成底膜处理，光刻的第一步是清洗、脱水和硅片表面成底膜处理，其目的是增强硅片和光刻胶之间的粘附性。
脱水烘干以去除吸附在硅片表面大部分水汽。
脱水烘干后硅片立即要用六甲基二硅胺烷（HMDS）进行成膜处理，起到粘附促进剂的作用。
第二步：旋转涂胶，成底膜处理后，硅片要立即采用旋转涂胶的方法涂上液相光刻胶材料。
将硅片被固定在真空载片台上，它是一个表面上有很多真空孔以便固定硅片的平的金属或聚四氯乙烯盘。
一定数量的液体光刻胶滴在硅片上，然后硅片旋转得到一层均匀的光刻胶图层第三步：软烘，去除光刻胶中的溶剂第四步：对准和曝光，把掩膜版图形转移到涂胶的硅片上第五步：曝光后烘培，将光刻胶在100到110的热板上进行曝光后烘培第六步：显影，在硅片表面光刻胶中产生图形。
光刻胶上的可溶解区域被化学显影剂溶解，将可见的岛或者窗口图形留在硅片表面。
最通常的显影方法是旋转、喷雾、浸润，然后显影，硅片用去离子水（DI）冲洗后甩干。
第七步：坚膜烘培，挥发掉存留的光刻胶溶剂，提高光刻胶对硅片表面的粘附性第八步：显影后检查，检查光刻胶图形的质量，找出有质量问题的硅片，描述光刻胶工艺性能以满足规范要求2.解释发生刻蚀反应的化学机理和物理机理。
（P412）干法刻蚀系统中，刻蚀作用是通过化学作用或物理作用，或者化学和物理的共同作用来实现的。
在纯化学机理中，等离子体产生的反应元素（自由基和反应原子）与硅片表面的物质发生反应。
物理机理的刻蚀中，等离子体产生的能带粒子（轰击的正离子）在强电场下朝硅片表面加速，这些离子通过溅射刻蚀作用去除未被保护的硅片表面材料。
3.描述CVD反应中的8个步骤。
(P247)1) 气体传输至淀积区域：反应气体从反应腔入口区域流动到硅片表面的淀积区域；2) 膜先驱物的形成：气相反应导致膜先驱物（将组成最初的原子和分子）和副产物的形成；3) 膜先驱物附着在硅片表面：大量膜先驱物输运到硅片表面；4)膜先驱物粘附：膜先驱物粘附在硅片表面；5) 膜先驱物扩散：膜先驱物向膜生长区域的表面扩散；6) 表面反应：表面化学反应导致膜淀积和副产物的生成；7) 副产物从表面移除：吸附（移除）表面反应的副产物8）副产物从反应腔移除：反应副产物从淀积区域随气体流动到反应腔出口并排出5.离子注入设备的5个主要子系统。
半导体制造期末复习要点
02
03
VLSI对光刻工艺的要求；
01
正胶、负胶的特点；
02
光刻胶的主要组成成分；
03
金属掩膜版的主要材料；
04
电子束制版工艺（光刻七大工艺步骤）；
05
光学曝光的方式及各自优缺点；
06
VLSI对图形转换的要求；
07选择比的概念；源自08光刻与腐蚀湿法刻蚀的概念；
01
常用微电子薄膜的湿法刻蚀过程（腐蚀液的选择）；
集成电路制造工艺
期末复习要点
超净加工车间等级划分、各净化等级适用范围；
01
超净加工车间制备方式；
02
超纯水制备方式；
03
薄膜制备
氧化膜质量控制（膜厚测量、缺陷检测）；
比色法测量氧化膜厚度的测试原理及过程；
半导体制造中对薄膜的质量要求（台阶覆盖、高深宽比填隙能力、厚度均匀性、高纯度和高密度）；
外延的概念、目的；
气相外延制备硅外延层原理及过程；
原位气相腐蚀抛光目的及过程；
影响外延生长速度因素（浓度、分压、温度、气体流速、反应腔形状）； 自掺杂产生的原因及消除措施； Si3N4膜、多晶硅膜、金属铝膜等常用微电子用膜CVD方式淀积原材料及淀积原理； CVD的分类（按压强分）； 等离子体化学气相淀积原理及其优势； 二氧化硅膜中添加P和B的原因； 硅化钨的CVD淀积原理；
02
湿法刻蚀的优缺点；
03
干法刻蚀的概念；
04
常用微电子薄膜的干法刻蚀过程（腐蚀气体的选择）；
05
湿法刻蚀、干法刻蚀的比较；
06
常用去胶方式；
07
热扩散的两种扩散方式（恒定表面源扩散、有限表面源扩散）；
工艺中常用的扩散方式及扩散杂质源（固态源、液态源、气态源）；
半导体器件重要知识点总结
半导体器件重要知识点总结一、半导体基础知识1. 半导体的概念及特性：半导体是指导电性介于导体和绝缘体之间的一类材料。
由于半导体材料的导电性能受温度、光照等外部条件的影响比较大，它可以在不同的条件下表现出不同的导电特性。
半导体材料常见的有硅、锗等。
2. P型半导体和N型半导体：P型半导体是指在半导体材料中掺入了3价元素，如硼、铝等，使其成为带正电荷的空穴主导的半导体材料。
N型半导体是指在半导体材料中掺入了5价元素，如磷、砷等，使其成为自由电子主导的半导体材料。
3. 掺杂：半导体器件在制造过程中一般都要进行掺杂，以改变其导电性能。
掺杂分为N型掺杂和P型掺杂，通过掺杂可以使半导体材料的导电性能得到调控，从而获得所需要的电子特性。
4. pn结：pn结是指将P型半导体和N型半导体直接连接而成的结构，它是构成各类半导体器件的基础之一。
pn结具有整流、发光、光电转换等特性，在各类器件中得到了广泛的应用。
二、半导体器件的基本知识1. 二极管（Diode）：二极管是一种基本的半导体器件，它采用pn结的结构，在正向偏置时可以导通，而在反向偏置时则将电流阻断。
二极管在各类电子电路中具有整流、电压稳定、信号检测等重要作用。
2. 晶体管（Transistor）：晶体管是一种由半导体材料制成的三电极器件，它采用多个pn结的结构，其主要功能是放大信号、开关电路和稳定电路等。
晶体管在各类电子器件中扮演着至关重要的作用，是现代电子技术的重要组成部分。
3. 集成电路（IC）：集成电路是将大量的半导体器件集成在一块半导体芯片上的器件，它可以实现各种功能，如存储、计算、通信等。
集成电路在现代电子技术中已成为了各类电子产品不可或缺的一部分，是现代电子产品的核心之一。
4. MOS场效应管（MOSFET）：MOSFET是一种基于金属-氧化物-半导体的结构的场效应晶体管，它在功率控制、开关电路、放大器等方面有着重要的应用。
MOSFET在各类电源、电动机控制等领域得到了广泛的应用。
集成电路半导体制造 考试知识点汇总
晶胞：晶体结构中最简单，最基本的单元按晶胞的排列方式，晶体结构分为：多晶和单晶。
晶体缺陷类型：点缺陷线缺陷面缺陷体缺陷。
硅中的晶体缺陷一般产生于晶体生长和后面硅锭和硅片加工中。
造成点缺陷的因素：晶体的生长速率，生长时的温度梯度，加工中的热处理，外来杂质的引入等。
线缺陷：缺陷在某方向延伸，而其它两个方向延伸很小位错有两种基本形式：刃型和螺型。
造成位错的因素：可能是加工中不均匀的受冷或受热，加工中作用在硅片上的机械应力。
面缺陷是二维缺陷由于原子层错排，产生层错缺陷。
由于杂质硼、磷、砷等在硅晶体中溶解度有限，在杂质掺入数量超过固溶度时，杂质在晶体中沉积，形成体缺陷。
直拉法（CZ法）准备阶段：通入惰性气体，清洗和腐蚀多晶硅，去除其表面污物和氧化层。
准备籽晶，要求晶格完好，无缺陷。
籽晶的晶向和要生长的单晶硅棒的晶向一致。
生长阶段：引晶→缩颈→放肩→等颈生长→收尾缩颈是为消除籽晶中的原有缺陷和引晶时由于温度变化引起的新生缺陷停炉阶段：先降温，再停止通气，再开炉。
避免单晶棒在较高温度下暴露在空气中，被氧化和污染。
倒角的目的：防止硅片边缘破裂、防止热应力造成的损伤、增加外延层以及光刻胶在硅片边缘的平坦度。
硅片的规格和用途：①按直径：3英寸，4英寸，6英寸，8英寸，12英寸（300mm），18英寸（450mm）②按生长方式：CZ硅和FZ硅，外延硅CZ硅主要用于二极管，太阳能电池，集成电路，外延硅的衬底片，直径在3到12英寸间。
FZ硅主要用于高压大功率可控整流器件，直径在3到6英寸间外延硅主要用于晶体管和集成电路③按晶向：[100]型，[110]型，[111]型淀积：一种材料以物理方式沉积在晶圆表面的工艺过程。
与热氧化的区别：形成膜的来源不同淀积：形成膜的物质全部来自外部的源热氧化：从硅片表面生长，消耗衬底材料。
淀积的膜：SiO2，Si3N4，多晶硅，金属等。
薄膜特性（质量参数要求）高密度：连续的不含孔隙、厚度一致（均匀性）、对台阶的覆盖好、高的深宽比间隙填充能力、高纯度、合适的化学剂量、低的膜应力、对下层材料的粘附性。
半导体制造技术复习总结
半导体制造技术复习总结第一章半导体产业介绍1、集成电路制造的不同阶段：硅片制备、硅片制造、硅片测试/拣选、装配与封装、终测；2、硅片制造：清洗、成膜、光刻、刻蚀、掺杂；3、半导体趋势：提高芯片性能、提高芯片可靠性、降低芯片价格；4、摩尔定律：一个芯片上的晶体管数量大约每18个月翻一倍。
5、半导体趋势：①提高芯片性能：a关键尺寸（CD）－等比例缩小（Scale down)b每块芯片上的元件数－更多 c 功耗－更小②提高芯片可靠性： a无颗粒净化间的使用 b控制化学试剂纯度c分析制造工艺 d硅片检测和微芯片测试e芯片制造商成立联盟以提高系统可靠性③降低芯片价格：a.50年下降1亿倍 b减少特征尺寸＋增加硅片直径c半导体市场的大幅度增长（规模经济）第二章半导体材料特性6、最常见、最重要半导体材料－硅：a.硅的丰裕度 b.更高的熔化温度允许更宽的工艺容限c.更宽的工作温度范围d.氧化硅的自然生成7、GaAs的优点：a.比硅更高的电子迁移率; b.减少寄生电容和信号损耗; c.集成电路的速度比硅制成的电路更快; d.材料电阻率更大，在GaAs衬底上制造的半导体器件之间很容易实现隔离，不会产生电学性能的损失；e.比硅有更高的抗辐射性能。
GaAs的缺点： a.缺乏天然氧化物；b.材料的脆性； c.由于镓的相对匮乏和提纯工艺中的能量消耗，GaAs的成本相当于硅的10倍； d.砷的剧毒性需要在设备、工艺和废物清除设施中特别控制。
第三章器件技术8、等比例缩小:所有尺寸和电压都必须在通过设计模型应用时统一缩小。
第四章硅和硅片制备9、用来做芯片的高纯硅称为半导体级硅(semiconductor-grade silicon, SGS)或电子级硅西门子工艺：1.用碳加热硅石来制备冶金级硅SiC(s)+SiO2(s) Si(l)+SIO(g)+CO(g)2.将冶金级硅提纯以生成三氯硅烷Si(s)+3HCl(g) SiHCl3(g)+H2(g)3.通过三氯硅烷和氢气反应来生成SGS SiHCl3(g)+H2(g) Si(s)+3HCl(g)10、单晶硅生长：把多晶块转变成一个大单晶，并给予正确的定向和适量的N型或P型掺杂，叫做晶体生长。
半导体制造复习要点-仅供参考
一、光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化。
光刻胶的目的1. 做硅片上的图形模版（从掩膜版转移到硅片上的图形）2. 在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入）什么是光刻中常见的驻波效应？如何解决？在光刻胶的曝光区域内出现相长相消的条纹。
光刻胶在显影后，在侧壁会产生波浪状的不平整的现象叫驻波效应解决：应用抗反射涂层(ARC)可以完全消除驻波图形。
典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。
气相成底膜—涂胶→前烘→对准与曝光→曝光后烘烤→显影→坚膜→显影检查目的：增强硅片和光刻胶的粘附性。
③软烘(Soft bake)：目的是去除光刻胶中的溶剂。
软烘提高了粘附性，提升了光刻胶的均匀性，在刻蚀中得到了更好的线宽控制。
④对准和曝光(Alignment and exposure)：掩膜版与涂胶后硅片上的正确位置对准。
一旦对准，将掩膜版和硅片曝光，把掩膜版图形转移到涂胶的硅片上。
对准和曝光的重要质量指标是线宽分辨率、套准精度、颗粒和缺陷。
⑤曝光后烘培（PEB)：作用：① 减少驻波效应；② 激发化学增强光刻胶的PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影。
⑥显影(Develop)：① 显影液溶剂溶解掉光刻胶中软化部分；② 从掩膜版转移图形到光刻胶上⑦坚膜烘培(Hard bake)：作用：①完全蒸发掉光刻胶里面的溶剂； ②提高光刻胶在离子注入或刻蚀中保护下表面的能力； ③进一步增强光刻胶与硅片表面之间的黏附性； ④减少驻波效应⑧显影检查(Develop inspect)：显影后检查来确定光刻胶图形的质量。
检查的目的：找出光刻胶有质量问题的硅片，描述光刻胶工艺性能以满足规范要求。
二、刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。
刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形.刻蚀通常分为介质刻蚀、硅刻蚀和金属刻蚀。
干法刻蚀和湿法刻蚀干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反应，从而去掉曝露的表面材料。
芯片半导体行业必备知识
芯片半导体行业必备知识随着科技的发展和人们对高效、智能电子设备的追求，芯片半导体行业得到了迅猛发展。
作为现代电子设备的核心部件，芯片半导体的制造和应用已经成为现代工业的重要组成部分。
以下是芯片半导体行业必备的知识点：1. 半导体物理学：半导体物理学是研究半导体物理性质和特性的学科。
半导体是指电导率介于导体和绝缘体之间的材料，其特性受到温度、光照、掺杂等因素的影响。
2. MOSFET：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常见的半导体器件，被广泛应用于数字和模拟电路中。
MOSFET的主要特点是低功耗、高效率和坚固耐用。
3. CMOS：CMOS（互补金属氧化物半导体）是一种常见的集成电路技术，可用于数字、模拟和混合信号电路。
CMOS具有低功耗、高速度、高集成度和良好的抗干扰性能等优点。
4. Wafer：Wafer是指半导体晶片的主要材料，通常是硅。
在生产过程中，硅晶片被切割成薄片，然后进行加工和掺杂，最终形成芯片。
5. IC设计：IC设计（集成电路设计）是指将电路设计转化为集成电路的过程。
IC设计师需要掌握模拟电路、数字电路、信号处理、布局和验证等知识和技能。
6. FPGA：FPGA（现场可编程门阵列）是一种可编程逻辑器件，可以在系统设计阶段进行编程和测试，是常见的数字电路设计工具。
7. MEMS：MEMS（微机电系统）是一种可以制造微小机械部件的技术。
MEMS被广泛应用于传感器、气象仪器、医疗设备和无线通信等领域。
8. 5G芯片：5G芯片是指用于5G网络的芯片，包括处理器、调制解调器、射频前端等部分。
5G芯片的开发和应用是推动5G技术发展的重要动力。
以上是芯片半导体行业必备的知识点，对于从事芯片半导体设计、制造和应用的从业人员来说，掌握这些知识是非常重要的。
随着电子科技的不断发展，芯片半导体行业也将迎来更广阔的发展空间。
半导体行业必备知识
半导体行业必备知识半导体是指一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。
半导体被广泛地应用于电脑、手机、电视等电子产品中，成为现代电子产业的基础。
因此，半导体行业的发展越来越受到关注。
以下是半导体行业必备知识：1. 常见半导体元件半导体行业中常见的元件有：二极管、三极管、晶体管、场效应晶体管、可控硅等。
其中，二极管是最基本、最重要的半导体元件之一，晶体管是半导体器件中应用最广泛的器件。
2. 硅片制造过程硅片是半导体工业的主要材料之一。
硅片制造过程需要经过切割、成形、清洗等一系列过程。
硅片制造过程的精密程度决定了芯片制造的精密程度。
牢记硅片制造过程中的每个细节是半导体行业中不可或缺的知识。
3. 电路设计半导体行业需要掌握电路设计，电路设计是把电子元器件按照一定方式连接起来，形成所需功能的过程。
电路设计需要在保证功能的基础上，注重电路的稳定性和可靠性。
电路设计是半导体行业的核心知识之一。
4. 物理原理要想深入理解半导体行业，必须掌握一些与物理息息相关的知识。
了解半导体内部的电子结构、波特图、PN结、电阻电容等物理概念，有助于更好地理解半导体的本质和应用。
5. 产业链结构半导体产业链包括芯片制造、封装测试、电子产品制造等多个环节。
芯片制造是半导体产业链的核心，封装测试环节是半导体产业链中其中一个重要环节。
掌握半导体行业的产业链结构，对了解半导体行业的组织结构和发展趋势具有重要意义。
在现代科技和经济的发展趋势下，半导体行业愈发繁荣。
学习半导体行业的必备知识对找到优秀的职业机会以及实现个人职业发展大有裨益。
半导体生产制造等方面的基础知识
半导体生产制造等方面的基础知识半导体是啥呢？其实说白了，它就是我们每天都离不开的“科技小助手”。
想想手机、电脑、电视机、甚至洗衣机，里面几乎都有它的身影。
没有半导体，咱们的日子可就要大打折扣了。
那这个“半导体”到底是什么呢？它听起来好像很高大上，对吧？它的本质就是一种材料，可以既当导体又能做绝缘体。
简单来说，半导体就像个百变小天才，能根据外部条件，自己变换“角色”。
你想想，像极了那些灵活的演员，时而出现在剧场，时而在大荧幕上大放异彩。
不过，要把半导体变成有用的东西，可不是一件简单的事。
要知道，半导体的制造过程可复杂了，像是做一道大菜，从选材到做工，每一步都得精益求精。
首先要从沙子里提取出硅，这个硅可是半导体的灵魂。
想象一下，把大沙堆变成细腻的白沙子，光是这一步就得有超高的技术。
然后呢，这些硅材料得被精细加工成薄薄的晶片。
你以为这样就完了吗？错！这些晶片还得经过一层一层的“洗礼”，比如刻蚀、掺杂、氧化，简直就像给这些晶片做了一次次的“体检”，确保它们能完美发挥作用。
晶片上每个微小的电路都得经过精确控制。
你想过没有，半导体的电路可小得让你难以想象，细得像头发丝那么细，甚至还比那更细。
做一个微小的电路，就像在微缩版的城市里修建一条条道路，要精准无误，不然就得“大修”。
这些电路做起来特别精密，几乎没有什么容错空间。
像咱们平时用的手机芯片，就可能有几亿甚至上十亿个小电路！天呐，光想想就觉得头大。
说到这里，不得不提一下半导体的“硬核”技术——光刻。
它其实就是通过光照，把电路图案“照”到晶片上。
你可能会觉得，哦，这不就是照相吗？没错，原理差不多，但是光刻技术的要求可高了，稍有不慎就可能毁掉整片晶片。
再比如，半导体芯片里的每一个小小的“开关”都得能够瞬间开关，准确无误。
这个开关，就是我们日常用的“晶体管”，它让所有电子设备能像人的神经系统一样，快速反应。
说到反应，这也是半导体最厉害的地方。
它们可以在不同的环境下，改变自己的导电性能，处理各种信号。
半导体制造技术总结
第一章2、列出20世纪上半叶对半导体产业发展做出贡献的4种不同产业。
P2答：真空管电子学、无线电通信、机械制表机及固体物理。
3、什么时间、什么地点、由谁发明了固体晶体管？P3 答：1947年12月16日在贝尔电话实验室由威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿发明了固体晶体管。
5、列出5个集成时代，指出每个时代的时间段，并给出每个时代每个芯片上的元件数。
P46、什么是硅片？什么是衬底？什么是芯片？答：芯片也称为管芯（单数和复数芯片或集成电路），硅圆片通常被称为衬底8、列出集成电路制造的5个重要步骤，简要描述每个步骤。
P410、列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势。
P811、什么是芯片的关键尺寸？这种尺寸为何重要？P9 13、什么是摩尔定律？它预测了什么？这个定律正确吗？P1014、自1947年以来靠什么因素使芯片价格降低？给出这种变化的两个原因。
16、描述硅片技师和设备技师的职责。
P16第三章11.解释pn结反偏时发生的情况。
P45答：导致通过二极管的电流很小，甚至没有电流。
12.解释pn结正偏时发生的情况。
P45答：将一正偏施加于pn结，电路中n区电子从偏压电源负极被排斥。
多余的电子从负极注入到充满空穴的p区，使n区中留下电子的空穴。
同时，p区的空穴从偏压电源正极被排斥。
由偏压电源正极提供的空穴中和由偏压电源负极提供的电子。
空穴和电子在结区复合以及克服势垒电压大大的减小了阻止电流的行为。
只要偏压对二极管能维持一个固定的空穴和电子注入，电流就将持续的通过电路。
13.双极晶体管有多少个电极、结和类型？电极的名称分别是什么？类型名称分别是什么？P46答：有三电极和两个pn结、两种类型。
电极名称：发射极、基极、集电极。
类型名称：pnp、npn.16．BJT是什么类型的放大器器件？它是怎么根据能量要求影响它的应用的？P47答：驱动电流的电流放大器件。
发射极和集电极都是n型的重掺杂，比如砷或磷。
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1、问答题说明影响氧化速率的因素。
2、问答题个投影曝光系统采用ArF光源，数值孔径为0.6，设
k1=0.6，n=0.5，计算其理论分辨率和焦深。
3、填空题研究细胞结构和功能异常与疾病关系的细胞生物学分支称为（）。
4、问答题什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？
5、问答题说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
6、问答题典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。
7、问答题什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。
8、问答题分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方向。
9、问答题简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。
10、问答题
下图为一个典型的离子注入系统。
（1）给出1~6数字标识部分的名称，简述其作用。
（2）阐述部件2的工作原理。
11、问答题
采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？
12、问答题离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞？两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系？
13、问答题
下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生反应的方程式，并简述其中1～5各步的含义。
14、问答题MEMSSi加工工艺主要分为哪两类，它们最基本的区别是什么？
15、问答题什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应？如何解决？
16、问答题根据曝光方式的不同，光学光刻机可以分成几类？各有什么优缺点？
17、问答题杂质原子的扩散方式有哪几种？它们各自发生的条件是什么？从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散的机理。
18、问答题写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。
19、问答题热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
20、问答题简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。
21、问答题射频放电与直流放电相比有何优点？
22、问答题CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
23、问答题简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么？
24、问答题热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。
25、问答题在MEMS加工中，为了精确控制腐蚀深度，有哪几种腐蚀停止技术，分别说一下其腐蚀停止原理。
26、问答题什么是离子分布的偏斜度和峭度，和标准高斯分布有什么区别？
27、问答题采用无定形掩膜的情况下进行注入，若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000，掩蔽膜的厚度应为多少？用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。
28、问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。
29、问答题应力分为压应力和张应力，下图的形状是由于哪种应力产生的？请在图上标出应力的方向。
如果要让上面的结构材料变得平整，要怎么做？
30、问答题以P2O5为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。
31、问答题
简述硼和磷的退火特性。
32、问答题
Si-SiO2界面电荷有哪几种？简述其来源及处理办法。
33、问答题画出侧墙转移工艺和self-aligned double patterning（SADP）的工艺流程图。
34、问答题什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？
35、问答题
下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。
36、问答题什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的问题？
37、问答题简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。
38、问答题在铜互连中，为什么要用铜扩散阻挡层？阻挡层分成哪几种，分别起什么作用？
39、问答题假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
40、问答题浸没式光刻机相对于传统的光刻机有何不同。
41、问答题物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。
42、问答题简述RTP设备的工作原理，相对于传统高温炉管它有什么优势？
43、问答题常用溅射技术有哪几种，简述它们的工作原理和特点。
44、问答题简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
45、问答题对RTP来说，很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。
分析滑移产生的原因。
如果温
度上升速度加快后，滑移现象变得更为严重，这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的？
46、问答题在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱分析法最常见，简述其工作原理和优缺点。
47、问答题在光刻中，能够在增加分辨率的同时增加聚焦深度吗？为什么？
48、问答题什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？
49、问答题对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。
现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。
应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
50、问答题一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖。
所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。
（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。
（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？
51、问答题简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。
52、问答题什么是两步扩散工艺，其两步扩散的目的分别是什么？
53、问答题影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？
54、问答题分别画出单大马士革和双大马士革工艺流程图。
55、问答题简述几种典型真空泵的工作原理。
56、问答题简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。
57、问答题
以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。
58、问答题集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？
59、问答题简述RTP在集成电路制造中的常见应用。
60、问答题下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别写出a-g 各段的名称。
可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段？试解释其工作原理。
61、问答题根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？。