《电工学-电子技术-下册》试题及解答
电工电子技术(2)习题册参考答案
第二部分
模拟电子电路的分析与计算 （教材第15章）
1、解：（1）作直流通路
IB U CC U BE U CC 12 0.05 mA 50 A ， RB RB 240
I C I B 40 50 2000 A 2 mA U CE U CC I C RC 12 2 3 6 V
CB结正偏。 （3）解：
U BB 3 V
I B 0 IC 0
所以此时晶体管处于截止状态。 BE结电压： U BE U BB 3 V ，反偏 CB结电压： U CB U CE U BE 15 (3) 18 V ，正偏 5、电路如图所示, 试分析晶体三极管的工作状态。
4、如图所示电路，在给出的三组条件下，分别求出晶体管两个P-N结的电压 U BE 、 U CB 之值，并说明晶体管工作在何种状态。 （1） U CC 15 V, U BB 5 V, R B 10 k, RC 5 k, U BE 0.7 V, 60 ； （2） U CC 15 V, U BB 5 V, R B 300 k, RC 3 k, U BE 0.7 V, 60 ； （3） U CC 15 V, U BB 3 V, RB 300 k, RC 5 k, 60 。 解：（1） IB + RB UBB IC R
（2）作微变等效电路
ib
RS
ic
b ¦ iÂ
+ ui RB _ rbe
RC RL
+ es _
+ uo _
（3）根据微变等效电路，且有
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电工学(下册)电子技术基础第4章习题解答
电工学（下册）电子技术基础第4章习题解答第4章场效应管放大电路与功率放大电路4.1图4.1所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。
说明它的开启电压Uth（或夹断电压Up）约是多少。
iD/mA-iD/mA321-10iD/mA1-32uGS/V-3-2-10uGS/V(a)-4-20uGS/V(b)(c)图4.1习题4.1图解：(a)N沟道耗尽型FETUP=－3V；(b)P沟道增强型FETUT=－4V；(c)P沟道耗尽型FETUP=2V。
4.2某MOSFET的IDSS=10mA且UP=－8V。
(1)此元件是P沟道还是N沟道？(2)计算UGS=－3V是的ID；(3)计算UGS=3V时的ID。
解：(1)N沟道；UGS3)10(1)3.9(mA)UP8U3(3)IDIDSS(1GS)10(1)18.9(mA)UP8(2)IDIDSS(14.3画出下列FET的转移特性曲线。
(1)UP=－6V，IDSS=1mA的MOSFET；(2)UT=8V，K=0.2mA/V2的MOSFET。
解：iD/mA1iD/mA3.2－6(1)ouGS/V(2)o812uGS/V4.4试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。
解：iD耗尽型N沟道增强型N沟道UPoUTUTUPuGS4.5判断图4.2所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。
解：(a)能放大增强型耗尽型P沟道P沟道(b)不能放大，增强型不能用自给偏压(c)能放大1，可增加Rd，并改为共源放大，（d）不能放大，增强型不能用自给偏压。
共漏Au将管子改为耗尽型，改电源极性。
图4.2习题4.5电路图4.6电路如图4.3所示，MOSFET的Uth=2V，Kn=50mA/V2，确定电路Q 点的IDQ和UDSQ值。
解：UGSQRg2Rg1Rg2VDD15243.13(V)10015IDQKn(UGSQUth)250(3.132)263.9(mA)UDSQVDDIDQRd2463.90.211.2(V) +VDD12V+VDD24V+VDD-9VRd1.0kΩVTRd560ΩVTRg1100kΩRd200ΩVTRgRg215kΩ10MΩ10MΩRg(a)(b)图4.3习题4.6电路图图4.4习题4.7电路图4.7试求图4.4所示每个电路的UDS，已知|IDSS|=8mA。
电工学电子技术第六版下册考试卷
1．半导体分为本征半导体和半导体两大类，其内部含有电子和两种载流子，当温度升高时，半导体的显著增强。
2．PN结是由的扩散运动和的漂移运动共同生成的，其特性是。
3．理想二极管正偏时当作短路，反偏时当作，由此得到下列四图的输出电压大小分别为：（1）（2）（3）（4）4．三只三极管各极直流电位如表所示，由此可确定三极管所处的工作状态：T1 T2 T35．测得某三极管三个极X、Y、Z的直流电位分别为3V、9V、2.7V，由此可知该三极管为型管，由材料制造，且Y为极。
6．放大器有、和三种组态。
7．放大器必须要有合适、稳定的，才能不失真地放大交流信号。
8．分析放大器动态工作情况有和两种方法，分别适用于小信号和大信号工作情况。
9．射极输出器具有电压放大倍数约等于1、和等特点，常用在多级放大器的输入级和。
10．多级放大器的电压放大倍数等于、输入电阻等于、输出电阻等于。
11．负反馈能改善放大器的工作性能，主要体现在：提高放大倍数的稳定性、] 、、改变输入输出电阻等。
12．差动放大器的工作信号分为、两类，有双端输入—双端输出、、单端输入—双端输出、等四种输入输出方式。
13．交流信号转变为直流信号要经过、、三个过程若其中一只整流管反接，会。
而晶体管串联型稳压电源由调整管、取样电路、、等四部分构成。
14．指出下列两图的反馈支路，判断反馈类型。
（8分，每图4分）15．判断下列电路能否放大交流信号（能者画√号，否则画×号）（8分，每图2分）16（8分）放大器及三极管输出特性曲线如图所示，输入电流i i=20sinωt（μA），试作出其输出电压和输出电流波形。
17（7分）利用理想运算放大器实现下式给出的输入输出关系（给定R f =30kΩ）：V O=5V i1＋2V i2－V i318（9分）右图所示放大器中，三极管的β=50，r be=1kΩ。
（1）计算电路的静态工作点（2）计算电压放大倍数和输出电阻（作h参数等效电路计算）19（6分）如图所示OCL功率放大器，V CC=6V，R L=8Ω，计算最大输交流出功率、直流电源功率及最大转换效率。
电工学(下册)电子技术基础 第8章 习题解答
习 题 88.1 已知倒T 形电阻网络DAC 的反馈电阻R F ＝R ，U REF ＝10V ，试分别求出4位DAC 和8位DAC 的输出最大电压，并说明这种DAC 输出最大电压与位数的关系。
解 4位DAC 的最大输出电压4REF omax 4410(21)1159.37(V)22U R U R =-⨯-=-⨯⨯=- 8位DAC 的最大输出电压8REF omax 8810(21)12559.96(V)22U R U R =-⨯-=-⨯⨯=- 由此可见，最大输出电压随位数的增加而增加，但增加的幅度并不大。
8.2 巳知倒T 形电阻网络DAC 中的反馈电阻R F ＝R ，U REF ＝10V ，试分别求出4位和8位DAC 的输出最小电压，并说明这种DAC 最小输出电压与位数的关系。
解 4位DAC 的输出最小电压0REF omin 44102110.63(V)22U R U R =-⨯=-⨯⨯=- 8位DAC 的输出最小电压0REF omin 88102110.04(V)22U R U R =-⨯=-⨯⨯=- 由上可知，在U REF 和R F 相同的条件下，倒T 形电阻网络DAC 的位数越多，输出最小电压越小。
8.3已知某D/A 转换器电路输入10位二进制数，最大满度输出电压U m =5V ，试求分辨率和最小分辨电压。
解: 其分辨率为10110.0010.1%211023=≈=-, 因为最大输出电压为5V ，所以，10位DAC 能分辨的最小电压为：mVV V LSB 5005.0102315121510=≈⨯=-⨯=8.4已知某D/A 转换器，最小分辨率电压为U omin = 5 mV ，最大（满刻度）输出电压U omax = 10 V ，试问此电路输入数字量的位数n 应为多大？解: V N005.012110=-⨯, 2000005.01012==-N ,20002≈N , 11≈N所以，该电路输入二进制数字量的位数Ｎ应是11。
电工学_下册(电子技术)第六版_秦曾煌
1.晶体三极管工作在放大状态时，其发射结处于正…偏置，集URM = 14.1 V ；若采用单相桥式整流电路，则二极管承受的最高反向压降 U RM = 14.1 V 。
5.(57.5) 10= (111001.1 )2=( 39.8 )16。
6.三变量的逻辑函数共有 8个最小项。
其全部最小项之和为 1 。
7.TTL 三态门的输出包括高电平、低电平和高阻态等三种工作状态。
二、选择题：（每题2分，共12分）1.某硅三极管三个电极的电位Ve Vb 和Vc 分别为3V 、3.7V 和6V ,则该管工作在A ）状态。
A 饱和B 、截止C 、放大2.工作在甲乙类状态的互补对称功率放大电路，通常提供一个偏置电路以克服（D ）失真。
损坏A 、截止3.电路如图1所示，引入的反馈为（B 、饱和 C ）负反馈。
C 、截止和饱和交越A 、电压并联B 、电流并联 C 电压串联 电流串联4.下列电路中D ）电路。
A 、加法器B 、编码器 C 、译码器计数器5.构成一个十二进制的计数器, ）个触发器。
A 、 2B 、 46.摩根定律的正确表达式是：C 、D 12、用代数法化简如下逻辑函数为最简与或式。
B 、 D 、(6分)2.放大电路电工学期考试卷01-电子技术B、填空题：（每空2分，共30分）并宜负反馈；若想要增加输出电阻，应引入电流 负反馈。
3. 理想运算放大电路工作在线性区时，有 虚断和虚短两个重要概念。
4.已知变压器二次侧电压 U =10V,采用单相半波整流电路，二极管承受的最高反向压降Y = A B^A C C+C D +AB C +B C D解：Y = B(A AC) C(D AD BD)= B(A C) C(D A B)AB CD AC =AB BC C D AC精品文档四、图 2 所示放大电路中，已知V C C=12V,金i=90k Q,吊2=30k Q , F C=2.5k Q , R=1.5k Q , F L=10k Q , 3 =80, U B E = 0.7V。
电工学下册电工技术考试试卷及答案(题库)
PS ：题目来源网络，只作参考！如有出错，纯属扯淡！选择题参考选择题一：（没找到答案）1在 图1 示 电 路 中，U S ，I S 均 为 正 值，其 工 作 状 态 是 ( )。
(A) 电 压 源 发 出 功 率 (B) 电 流 源 发 出 功 率 (C) 电 压 源 和 电 流 源 都 不 发 出 功 率 (D) 电 压 源 和 电 流 源 都 不 发 出 功 率UI SI图 22在 图2 示 电 路 中，已 知：U S ＝1 V ，I S ＝1 A 。
电 流 I 为 ( )。
(A) 1 A (B) -1 A (C) 2 A (D) 3A3 电路如图３，各电阻值和值为已知，如果要用支路电流法求解流过电压源的电流，列出的独立的电流方程和电压方程数分别为 （ ）(A ) 3和4 ( B) 4和3 ( C) 3和3 (D) 4和4图３ 图４4电路如图４，电 路 在 达 到 稳 定 状 态 后 增 加 R ，则 该 电 路 ( )。
(A) 因 为 发 生 换 路， 要 产 生 过 渡 过 程(B) 因 为 C 的 储 能 值 不 变， 不 产 生 过 渡 过 程(C) 因 为 有 储 能 元 件 且 发 生 换 路， 要 发 生 过 渡 过 程 (D) 因 为 没有发 生 换 路， 要 产 生 过 渡 过 程 5 在三相四线制电路中，中线的作用是（ ）。
(A) 构成电流回路 (B) 使不对称负载相电压对称 (C) 使电源线电压对称 (D)以上答案都不对6 对 称 星 形 负 载 接 于 三 相 四 线 制 电 源 上，如 图5 所 示。
若 电 源 线 电 压 为 380 V ，当 在 D 点 断 开 时，U 1 为 ( )。
(A) 220 V (B) 380 V (C) 190 V （D ）110VA B C N图 5７单相变压器原绕组额定电压为220V ，电压比K=6，则空载时副绕组的额定电压U20以及当副方电流I2为3A 时的原方电流I1分别是： ( )。
(完整版)《电工学(电子技术)》试卷及答案
《电工学（电子技术）》试卷及答案一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题分13小题，每小题2分，共26分。
1、(本小题2分)二极管的死区电压随环境温度的升高而（）。
(a) 增大(b) 不变(c) 减小2、(本小题2分)一接线有错误的放大电路如图所示，该电路错误之处是（）。
(a) 电源电压极性接反(b) 基极电阻RB 接错(c) 耦合电容C1，C2 极性接错3、(本小题2分)分压式偏置单管放大电路的发射极旁路电容CE因损坏而断开，则该电路的电压放大倍数将（）。
(a) 增大(b) 减小(c) 不变4、(本小题2分)电路如图所示，电阻RE引入的反馈为（）。
(a) 串联电压负反馈(b) 串联电流负反馈(c) 并联电压负反馈(d) 串联电压正反馈5、(本小题2分)理想运算放大器的两个输入端的输入电流等于零，其原因是（）。
(a) 同相端和反相端的输入电流相等而相位相反(b) 运放的差模输入电阻接近无穷大(c) 运放的开环电压放大倍数接近无穷大6、(本小题2分)运算放大器电路如图所示，欲构成反相比例运算电路，则虚线框内应连接( )。
(a) 电阻元件(b) 电感元件(c) 电容元件7、(本小题2分)电路如图所示，运算放大器的电源电压为12V，稳压管的稳定电压为8V，正向压降为0.6 V，当输入电压ui=-1V 时，则输出电压uO等于( )。
(a) - 12 V (b) 0.7V (c) -8V8、(本小题2分)在单相桥式整流电路中，所用整流二极管的数量是（）。
(a) 一只(b) 四只(c) 二只9、(本小题2分)直流电源电路如图所示，用虚线将它分成了五个部分，其中稳压环节是指图中（）。
(a)（2）(b)（3）(c) (4) (d) ( 5 )10、(本小题2分)电路如图所示，该电路的名称是（）。
(a) 单相桥式整流电路(b) 单相全波整流电路(c) 单相半波整流电路11、(本小题2分)由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关A、B分别有如图所示为"0"和"1"两个状态，则电灯亮的逻辑式为( )。
电工学电子技术第七版下册答案
电工学电子技术第七版下册答案【篇一：电工学(下册)电子技术基础第7章习题解答】txt>7.1 如图所示的基本rs触发器的电路图以及rd和sd的工作波形如图7.1所示，试画出q端的输出波形。
rdsd(b)图7.1 习题7.1的图解：rdsdq7.2 同步rs触发器电路中，cp，r,s的波形如图7.2所示，试画出q端对应的波形，设触发器的初始状态为0。
qcpcpsqr(a)(b)图7.2 习题7.2的图解：cpsr7.3 图7.3所示的主从结构的rs触发器各输入端的波形如图（b）所示。
sd=1，试画出q、q端对应的波形，设触发器的初始状态为 cpdsr(a)(b)图7.3 习题7.3的图解：cpdsrq7.4 试分析如图所示电路的逻辑功能。
图 7. 4习题7. 4的图解：j?qk?1qn?1?jq?kq?q所以构成t’触发器，具有计数功能。
7. 5 设jk触发器的初始状态为0，画出输出端q在时钟脉冲作用下的波形图。
1cpqcp图7.5习题7. 5的图解： jk触发器j、k端均接1时，计数。
cpq7.6 在图7.6所示的信号激励下，画出主从型边沿jk触发器的q端波形，设触发器的初始态为0。
cpjk(a)(b)图7.6 习题7.6的图解：cpjkqqcp图7.7 习题7.7的图解：cp为0时，保持；cp为1时，r=s=0，则保持，r=s=1时置0，当r=0，s=1时，置1，当r=1，s=0时，置0。
7.8如图所示的d触发器的逻辑电路和波形图如图所示，试画出输出端q的波形图，设触发器的初始态为0。
cpd（a）（b）图7. 8习题7. 8的图解： cpd7.9 图7.9所示的边沿t触发器，t和cp的输入波形如图7.9所示，画出触发器输出端q和q的波形，设触发器的初始状态为0。
qqqcpttcp(a)图7.9 习题7.9的图(b)解： t=1时计数，t=0的时候保持。
cptqq7.10 试将rs触发器分别转换为d触发器和jk触发器。
电工学下册(秦曾煌)电子技术课后答案
第14章本书包括电路的基本概念与基本定律、电路的分析方法、电路的暂态分析、正弦交流电路、三相电路、磁路与铁心线圈电路、交流电动机、直流电动机、控制电机、继电接触器控制系统、可编程控制器及其应用等内容。
晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。
2．晶体管的电流分配关系晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下：C B I I β≈(1)E B C B I I I I β=+=+C C BB I I I I ββ∆==∆3．晶体管的特性曲线和三个工作区域 （1）晶体管的输入特性曲线：晶体管的输入特性曲线反映了当UCE 等于某个电压时，B I 和BE U 之间的关系。
晶体管的输入特性也存在一个死区电压。
当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现B I ，且B I 随BE U 线性变化。
（2）晶体管的输出特性曲线：晶体管的输出特性曲线反映当B I 为某个值时，C I 随CE U 变化的关系曲线。
在不同的B I 下，输出特性曲线是一组曲线。
B I =0以下区域为截止区，当CE U 比较小的区域为饱和区。
输出特性曲线近于水平部分为放大区。
（3）晶体管的三个区域：晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。
此时，C I =b I β，C I 与b I 成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性曲线的截止区。
此时，B I =0，C I =CEO I 。
晶体管发射结和集电结都处于正向偏置，即CE U 很小时，晶体管工作在饱和区。
此时，C I 虽然很大，但C I ≠b I β。
即晶体管处于失控状态，集电极电流C I 不受输入基极电流B I 的控制。
14．3 典型例题例14．1 二极管电路如例14．1图所示，试判断二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压值。
电工学下册(秦曾煌)电子技术课后答案
第14章本书包括电路的基本概念与基本定律、电路的分析方法、电路的暂态分析、正弦交流电路、三相电路、磁路与铁心线圈电路、交流电动机、直流电动机、控制电机、继电接触器控制系统、可编程控制器及其应用等内容。
晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。
2．晶体管的电流分配关系晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下：C B I I β≈(1)E B C B I I I I β=+=+C C BB I I I I ββ∆==∆3．晶体管的特性曲线和三个工作区域 （1）晶体管的输入特性曲线：晶体管的输入特性曲线反映了当UCE 等于某个电压时，B I 和BE U 之间的关系。
晶体管的输入特性也存在一个死区电压。
当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现B I ，且B I 随BE U 线性变化。
（2）晶体管的输出特性曲线：晶体管的输出特性曲线反映当B I 为某个值时，C I 随CE U 变化的关系曲线。
在不同的B I 下，输出特性曲线是一组曲线。
B I =0以下区域为截止区，当CE U 比较小的区域为饱和区。
输出特性曲线近于水平部分为放大区。
（3）晶体管的三个区域：晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。
此时，C I =b I β，C I 与b I 成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性曲线的截止区。
此时，B I =0，C I =CEO I 。
晶体管发射结和集电结都处于正向偏置，即CE U 很小时，晶体管工作在饱和区。
此时，C I 虽然很大，但C I ≠b I β。
即晶体管处于失控状态，集电极电流C I 不受输入基极电流B I 的控制。
14．3 典型例题例14．1 二极管电路如例14．1图所示，试判断二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压值。
电工学下册考试试题及答案
电工学下册考试试题及答案一、选择题1. 以下哪个元件在电工电子电路中主要用于限制电流？a) 电阻b) 电容c) 电感d) 电源答案: a) 电阻2. 交流电路中，频率表征的是什么?a) 电压的大小b) 电流的大小c) 电压或电流的变化速率d) 电压和电流的相位关系答案: c) 电压或电流的变化速率3. 以下哪个元件可以将交流电转换为直流电？a) 电容b) 电阻d) 整流器答案: d) 整流器4. 电力系统中用于将高压输电线路的电压降低的装置是什么？a) 变压器b) 电容器c) 电感器d) 电阻器答案: a) 变压器5. 以下哪个元件在电路中主要用于存储电能？a) 电阻b) 电容c) 电感d) 变压器答案: b) 电容二、判断题1. 电系统中使用的电压和电流都是直流的。
2. 二极管是一种只能传导电流的元件，不能反向导通。
答案: 错误3. 交流电的频率越高，通过导体的电流越大。
答案: 正确4. 变压器可以将交流电的电压升高或降低。
答案: 正确5. 电容器可以存储电能，并在需要时释放。
答案: 正确三、计算题1. 如果一个电路中有一个电流为2A的电阻，通过该电阻的电压为4V，求该电阻的阻值。
答案: 阻值 = 电压 / 电流= 4V / 2A = 2 Ω2. 如果一个电感器的自感系数为0.5 H，通过该电感器的电流变化率为5 A/s，求该电感器的电压。
答案: 电压 = 自感系数 ×电流变化率 = 0.5 H × 5 A/s = 2.5 V3. 如果一个交流电源的电压峰峰值为100V，频率为50 Hz，求该交流电源的有效值（即交流电压的幅值）。
答案: 有效值 = 峰峰值 / (2 ×√2) = 100V / (2 × √2) ≈ 35.4 V四、综合题一台电流为4 A的交流电机连接在额定电压为220 V、频率为50 Hz 的电源上。
假设电机的功率因数为0.8，求：1. 电机的视在功率和实际功率。
电工学(下册)电子技术基础-第2章-习题解答
习 题 22.1 电路如图2.1所示，1k ΩR =，测得D 5V U =，试问二极管VD 是否良好（设外电路无虚焊）？解：内部PN 结或电极已开路，D 已损坏。
2.2 电路如图2.2所示，二极管导通电压D(on)U 约为0.7V ，试分别估算开关断开和闭合时输出电压o U 的数值。
图2.1 习题2.1电路图 图2.2 习题2.2电路图解： S 断开：断开VD ，D 5V U =。
所以VD 导通，o 50.7 4.3V U =-=S 闭合：断开VD ，)V (1125D-=⨯+-=RR RU ，所以VD 截止，o 6V U = 2.3 分析判断图2.3所示各电路中二极管是导通还是截止，并计算电压ab U ，设图中的二极管都是理想的。
图2.3 习题2.3电路图解：（a ）断开VD ，U D =5+5=10V>0，VD 导通 ，ab 5V U =-；（b）断开VD，D2151V23U=-⨯=-+，VD截止ab252V23U=⨯=+；（c）断开VD1 VD2，D1D212V,5127VU U==-+=，所以VD1优先导通，U D2= −5V，VD2截止，U ab=0V；(d) ）断开VD1 VD2，D1D212V,12517VU U==+=所以 VD2优先导通，D15VU=- VD1截止，ab5VU=-2.4 一个无标记的二极管，分别用a和b表示其两只引脚，利用模拟万用表测量其电阻。
当红表笔接a，黑表笔接b时，测得电阻值为500。
当红表笔接b，黑表笔接a时，测得电阻值为100k。
问哪一端是二极管阳极?解：b端是阳极2.5 二极管电路如图 2.4(a)所示，设输入电压i()u t波形如图 2.4(b)所示，在05mst<<的时间间隔内，试绘出输出电压o()u t的波形，设二极管是理想的。
图2.4 习题2.5电路图解：i()2tu t=，断开VD，D6iu u=-，当Du>时，VD导通，即3st>，60.2630.20.2iouu t-=⨯+=++当Du<时，VD截止，即3st<，6Vou=()ou tt/ms2.6 在图2.5所示的电路中，设二极管为理想的，已知i30sin(V)u tω=，试分别画出输出电压ou的波形，并标出幅值。
《电工学-电子技术-下册》习题册习题解答
《电工与电子技术》习题与解答电工电子教研室第九章：半导体二极管和三极管、第十章：基本放大电路一、单项选择题*1．若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）A 、正、反向电阻相等B 、正向电阻大，反向电阻小C 、反向电阻比正向电阻大很多倍D 、正、反向电阻都等于无穷大 *2．电路如题2图所示，设二极管为理想元件，其正向导通压降为0V ，当U i =3V 时，则U 0的值( D )。
A 、不能确定B 、等于0C 、等于5VD 、等于3V**3．半导体三极管是具有( B )PN 结的器件。
A 、1个 B 、2个 C 、3个 D 、4个5．晶体管的主要特性是具有（ D ）。
A 、单向导电性B 、滤波作用C 、稳压作用D 、电流放大作用 *6．稳压管的稳压性能是利用PN 结的（ D ）。
A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C 、反向截止特性 D 、反向击穿特性8．对放大电路进行动态分析的主要任务是（ C ） A 、确定静态工作点QB 、确定集电结和发射结的偏置电压C 、确定电压放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ，r 0D 、确定静态工作点Q 、放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ，r o *9．射极输出器电路如题9图所示，C 1、C 2足够大，对输入的交流信号u 可视作短路。
则输出电压u 0与输入电压u i 之间的关系是( B )。
A 、两者反相，输出电压大于输入电压B 、两者同相，输出电压小于且近似等于输入电压C 、两者相位差90°，且大小相等D 、两者同相，输出电压大于输入电压 *11．在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻R L 增大时，电压放大倍数将( B )A 、减少B 、增大C 、保持不变D 、大小不变，符号改变 13．在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路，直流电源也视为短路，这种处理方法是( A )。
题2图题9图A 、正确的B 、不正确的C 、耦合电容视为短路是正确的，直流电源视为短路则不正确。
电工学第七版下册电子技术课后练习题含答案
电工学第七版下册电子技术课后练习题含答案前言作为一名电子技术专业的学习者，掌握电工学知识是基础中的基础。
而掌握电工学知识的最好方法，就是不断练习。
本文提供了电工学第七版下册的课后练习题及其答案。
希望能够对大家在学习电工学的过程中提供一定的帮助。
第一章电子技术基础1. 有一只20kΩ，±5%的电阻，求它允许误差的范围？答案允许误差的范围为: 20kΩ × 5% = 1kΩ所以这只电阻的阻值范围为: 20kΩ±1kΩ2. 什么是三极管？答案三极管是一种半导体器件，也叫做双极型晶体管。
它由三个掺杂浓度不同的半导体材料构成（一般为PNP或NPN），分别称为发射极、基极和集电极。
三极管是一种电流控制器件，通过控制基极电流来控制集电极电流。
三极管在电子技术中广泛应用，尤其是在放大器、开关电路和振荡电路中使用较为广泛。
第二章半导体二极管1. 硅板在常温下引入施主原子，会发生什么变化？答案硅板在常温下引入施主原子（如磷原子），会使其变成N型半导体。
引入施主原子的过程叫做掺杂。
在N型半导体中，掺有大量的自由电子，这些自由电子会带负电荷。
由于施主原子掺入的电子不会和晶体中的晶格原子结合，因此其自由电子是比导带中的电子能量更低的电子，即位于导带下方。
2. 硅板在常温下引入受主原子，会发生什么变化？答案硅板在常温下引入受主原子（如硼原子），会使其变成P型半导体。
引入受主原子的过程叫做掺杂。
在P型半导体中，掺有大量的空穴，空穴带正电荷。
由于受主原子掺入的空穴缺少了一个电子，因此其空穴的能量比空穴带中的能量更高，即位于空穴带上方。
第三章晶体管及其基本电路1. 晶体管的三个引脚分别代表什么？答案晶体管的三个引脚分别代表：1.发射极（E）：用来连接基极和集电极之间的导体，主要负责发射电子。
2.基极（B）：设置在发射极与集电极之间的控制电极，主要控制电流。
3.集电极（C）：负责接受发射极电子，主要负责放大电流。
电工电子下册试题及答案
电工电子下册试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在三相交流电路中，线电流与相电流的关系是：A. 线电流等于相电流B. 线电流等于相电流的√3倍C. 线电流等于相电流的3倍D. 线电流与相电流无关答案：B2. 电流的单位是：A. 伏特B. 欧姆C. 安培D. 瓦特答案：C3. 以下哪种元件在电路中起到保护作用？A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 电感答案：C4. 以下哪个选项是正确的欧姆定律表达式？A. V = IRB. I = VRC. V = RID. I = VR答案：A5. 交流电的频率是指：A. 电压的变化次数B. 电流的变化次数C. 电压和电流变化的总次数D. 电压和电流变化的周期数答案：D6. 以下哪种波形是正弦波？A. 方波B. 锯齿波C. 正弦波D. 脉冲波答案：C7. 电路中，电感元件的阻抗与频率的关系是：A. 与频率成正比B. 与频率成反比C. 与频率无关D. 与频率的平方成正比答案：B8. 以下哪个选项是正确的功率因数表达式？A. PF = VIB. PF = V^2/I^2C. PF = P/SD. PF = S/P答案：C9. 变压器的工作原理是：A. 电磁感应B. 电磁转换C. 电磁辐射D. 电磁吸收答案：A10. 以下哪种材料是半导体材料？A. 铜B. 铁C. 硅D. 铝答案：C二、填空题（每题2分，共20分）1. 电路中，电阻的单位是________。
答案：欧姆2. 电路中，电感的单位是________。
答案：亨利3. 电路中，电容的单位是________。
答案：法拉4. 交流电的电压和电流的相位差为________。
答案：90度5. 电路中，电流的参考方向是________。
答案：正方向6. 电路中，功率的单位是________。
答案：瓦特7. 电路中，电阻的功率消耗可以用公式________计算。
答案：P = I^2R8. 电路中，电感的功率消耗可以用公式________计算。
(完整版)电工学(下册)电子技术基础第3章习题解答
第3章晶体三极管及其放大电路3.1 测得放大电路中的晶体三极管3个电极①、②、③的电流大小和方向如图3.1所示，试判断晶体管的类型（NPN或PNP），说明①、②、③中哪个是基极b、发射极e、集电极c，求出电流放大系数 。
图3.1 习题3.1图解：(a) ①-c ②-b ③-e PNP β=1.2/0.03=40(b) ①-b ②-e ③-c NPN β=1.5/0.01=1503.2 试判断图3.2所示电路中开关S放在1、2、3哪个位置时的I B最大；放在哪个位置时的I B最小，为什么？bVT+V CC①②③+V BBI B图3.2 习题3.2图解：在①时，发射极相当于一个二级管导通，此时I B就等于此导通电流。
在②时，三极管相当于两个并联的二极管，此时I B等于两个二级管导通电流之和，所以此时的电流最大。
在③时，发射极导通，集电结反偏，集电结收集电子，所以I B电流下降，此时电流最小。
3.3.测得某放大电路中晶体三极管各极直流电位如图3.3所示，判断晶体管三极管的类型（NPN或PNP）及三个电极，并分别说明它们是硅管还是锗管。
解：(a) ①-e ②-c ③-b 硅NPN(b) ①-b ②-c ③-e 锗PNP(c) ①-b ②-e ③-c 锗PNP图3.3 习题3.3图3.4 用万用表直流电压挡测得晶体三极管的各极对地电位如图3.4所示，判断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）。
硅管0V－3V2.7V (a)锗管 1.1V1.3V(b)硅管－5V－1.3V－0.6V (c)锗管－－0.3V(d)硅管－9V－5V－6V(e)硅管3V0V(f)图3.4 习题3.4图解：(a) 截止 (b) 饱和 (c) 放大 (d) 饱和 (e) 截止 (f) 损坏3.5 某晶体管的极限参数为I CM = 20mA 、P CM = 200mW 、U (BR)CEO = 15V ，若它的工作电流I C = 10mA ，那么它的工作电压U CE 不能超过多少？若它的工作电压U CE = 12V ，那么它的工作电流I C 不能超过多少？解：)V (1510200,15min ,min C CM (BR)CEO CE =⎭⎬⎫⎩⎨⎧=⎭⎬⎫⎩⎨⎧=I P U U)mA (67.1612200,20min ,min CE CM CM C =⎭⎬⎫⎩⎨⎧=⎭⎬⎫⎩⎨⎧=U P I I3.6 图3.5所示电路对正弦信号是否有放大作用？如果没有放大作用，则说明理由并将错误加以改正（设电容的容抗可以忽略）。
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第九章：半导体二极管和三极管、第十章：基本放大电路一、单项选择题*1．若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）A 、正、反向电阻相等B 、正向电阻大，反向电阻小C 、反向电阻比正向电阻大很多倍D 、正、反向电阻都等于无穷大 *2．电路如题2图所示，设二极管为理想元件，其正向导通压降为0V ，当U i =3V 时，则U 0的值( D )。
A 、不能确定B 、等于0C 、等于5VD 、等于3V**3．半导体三极管是具有( B )PN 结的器件。
A 、1个 B 、2个 C 、3个 D 、4个5．晶体管的主要特性是具有（ D ）。
A 、单向导电性B 、滤波作用C 、稳压作用D 、电流放大作用 *6．稳压管的稳压性能是利用PN 结的（ D ）。
A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C 、反向截止特性 D 、反向击穿特性8．对放大电路进行动态分析的主要任务是（ C ） A 、确定静态工作点QB 、确定集电结和发射结的偏置电压C 、确定电压放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ，r 0D 、确定静态工作点Q 、放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ，r o *9．射极输出器电路如题9图所示，C 1、C 2足够大，对输入的交流信号u 可视作短路。
则输出电压u 0与输入电压u i 之间的关系是( B )。
A 、两者反相，输出电压大于输入电压B 、两者同相，输出电压小于且近似等于输入电压C 、两者相位差90°，且大小相等D 、两者同相，输出电压大于输入电压 *11．在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻R L 增大时，电压放大倍数将( B )A 、减少B 、增大C 、保持不变D 、大小不变，符号改变 13．在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路，直流电源也视为短路，题2图题9图这种处理方法是( A )。
A 、正确的B 、不正确的C 、耦合电容视为短路是正确的，直流电源视为短路则不正确。
D 、耦合电容视为短路是不正确的，直流电源视为短路则正确。
14．P N 结加适量反向电压时，空间电荷区将（ A )。
A 、变宽 B 、变窄 C 、不变 D 、消失*16．题16图示三极管的微变等效电路是（ D )*19．题19图示放大电路，输入正弦电压u i 后，发生了饱和失真，为消除此失 真应采取的措施是（ C ）A.增大R LB.增大R CC.增大R BD.减小R B*21．电路如题21图所示，设二极管为理想组件，其正向导通压降为0V ，则电路中电流I 的值为（ A ）。
A.4mAB.0mAC.4AD.3mA *22．固定偏置单管交流放大电路的静态工作点Q 如题22图所示，当温度升高时，工作点Q 将（ B ）。
A.不改变B.向Q′移动C.向Q″移动D.时而向Q′移动，时而向Q″移动24．电路如题24图所示，设二极管为理想组件，其正向导通压降为0V ，则电路中电流I 的值为( B )。
A.1mA题22图 题21图题16图题19图题19图B.0mAC.1AD.3mA**25．某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q 如题25图所示，欲使静态工作点移至Q′需使 ( D )。
A.偏置电阻R B 增加B.集电极电阻Rc 减小C.集电极电阻Rc 增加D.偏置电阻R B 减小*26．半导体三极管是一种（ C ）A.电压控制电压的器件B.电压控制电流的器件C.电流控制电流的器件D.电流控制电压的器件28．题28图示放大电路中，电容C E 断开后电路的电压放大倍数的大小将（ A ）A.减小B.增大C.忽大忽小D.保持不变 29.电路如题29图所示，二极管D 1，D 2，D 3均为理想组件，则输出电压u o （ A ） A.0V B.－6V C.－18V D.+12V*30．三极管处于放大状态时（ B ）A. 发射结反偏，集电结正偏B. 发射结正偏，集电结反偏C. 发射结与集电结均正偏D. 发射结与集电结均反偏 *31．题31图所示电路中，已知V CC =12V ，R C =3kΩ，晶体管β=50，且忽略U BE ，若要使静态时U CE =6V ，则R B 应取（ B ）A ．200kΩB ．300kΩC ．360kΩD ．600kΩ二、填空题*1．N 型半导体中 自由电子 是多数载流子， 空穴 是少数载流子。
*2．二极管最重要的特性是 单向导电性 。
题25图 题28图题29图题31图*3．给半导体PN 结加正向电压时，电源的正极应接半导体的__ P__区，电源的负极通过电阻接半导体的 N 区。
*4．半导体三极管具有放大作用的外部条件是发射结 正 向偏置，集电结 反 向偏置。
5半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压 要大（或高） 。
*6．若给三极管发射结施加反向电压，可使三极管可靠的 截止 。
7．在题7图所示电路中，若仅是R L 增大，则电压放大倍数的绝对值将 增大 (增大?减小?或不变?)，输出电阻值将 不变 (增大?减小，或不变?)。
8．造成固定偏置电压放大电路静态工作点不稳定的主要原因是 温度变化 。
9．某放大电路在负载开路时，输出4V 电压；接入1k Ω负载后，其输出电压降为2V ，则放大电路的输出电阻为 1kΩ 。
10．电压并联负反馈使放大电路的输入电阻 减小 ，输出电阻 减小 。
*11．二极管具有单向导电特性，其正向电阻远远 小于 反向电阻。
当二极管加上正向电压且正向电压大于 死区 电压时，正向电流随正向电压的增加很快上升。
*12．半导体的导电能力随着温度的升高而 增大（或增强） 。
*13．PN 结加反向电压时，其空间电荷区将__变宽_ ，使__漂移__运动占优势。
*14．如果放大电路的静态基极电流太大，会产生 饱和 失真。
15．射极输出器中，输入电压和输出电压的相位是 同相的 。
*16．锗 （硅）二极管的正向电压降大小的范围是0.2～0.3（0。
6－0。
7）V 。
**17．根据三极管结构的不同，有NPN 和__ PNP __两种。
18．PN 结的基本特性是 单向导电性 。
19．三极管的静态工作点过低，将使输出电压出现_ 截止 失真。
三、简析题：**1．题1图示电路中，已知V CC =24V ，R B =800kΩ，R C =6kΩ，R L =3kΩ，U BE =0.7V ，晶体管电流放大系数β=50，r be =1.2KΩ。
试求：（1）放大电路的静态工作点(I BQ ，I CQ ，U CEQ )。
（2）电压放大倍数A u 、输入电阻r i 、输出电阻r o 。
1解：(1) 3243080010CC BQ B U I A R μ≈==⨯ 5030 1.5CQ BQ I I mA β==⨯=24 1.5615CEQ CC CQ C U U I R V =-=-⨯=题1图题7图(2) //6//35083.31.2C L u be R R A r β∙=-=-⨯=- 1.2i be r r K ≈=Ω 6O C r R K ==Ω2．在题2图所示电路中，已知三极管的β=40，电容C 1和C 2足够大，求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
2解：312240100.7BQ I =⨯⨯+50BQ I A μ=26300(1)be EQmVr I β=++ 26300820BQmV I =+=Ω 3324010820//81724010820i B be r R r ⨯⨯===Ω⨯+ 4o c r R k ==Ω(//)C L be R R Au r β-=333341081040410810130820⨯⨯⨯-⨯⨯+⨯==-**3．题3图示放大电路中三极管的U BE =0.7V ，U CC =12V ，R C =2kΩ，R B =280kΩ，R L =6kΩ，C 1、C 2足够大，输入电压有效值U i =0．1V ，输出电压有效值U 0=8V.求：三极管的电流放大系数β。
3解：CC BQ B BE U I R U =⨯+312280100.7BQ I =⨯⨯+40.4BQ I A μ=(//)80o C L u i beU R R A U r β-===- 26(//)80(300)C L BQ mVR R I β=⨯+333336210610261080(300)21061040.410β--⨯⨯⨯⨯⨯=⨯+⨯+⨯⨯ ∴50β=#*4．题4图所示放大电路中三极管的U BE =0.7V ，电阻R B1上直流压降为8V ，R C =2kΩ，R E =1.5kΩ，求U CE .。
4解：电位B V 、E V 分别是：11284B CC RB V U U V =-=-= 40.7 3.3E B BE V V U V =-=-=题2图 题3图题4图3.3 2.21.5E E C E V I mA I R ===≈ ()12 2.2(2 1.5) 4.3CE CC E C E U U I R R V=-+=-+=四、计算题：**1．题1图示放大电路中，三极管β=50、r be =1kΩ，R 2=3kΩ，R 3=1kΩ，C 1、C 2足够大，求：(1)画出放大电路的微变等效电路； (2)推导当输出端未接负载电阻R L 时的电压放大倍数 A U Uui=0的一般关系式； (3)求当输出端接负载电阻R L =3kΩ时的电压放大倍数 A u=? 1解：1）121333322333332)(1)(1)50310 2.88110(150)110(//)(//)3)(1)(1)50 1.510 1.44110(150)110o b u i e be b be o b L Lu i b be b beU I R R A UI r I R r R U I R R R R A U I r I R r R ββββββββ--===++++-⨯⨯==-⨯++⨯⨯--===++++-⨯⨯==-⨯++⨯⨯2．题2图示放大电路中，三极管的β=50，U BE =0.6V ，输入信号u i =3sinωt mV 。
对于该交流信号，C 1、C 2足够大，可视为短路。
问：(1)当π<ωt<2π时，三极管的发射结是否处于反向偏置?为什么?(2)该放大电路的电压放大倍数Au 为多少? (3)该放大电路的输入电阻和输出电阻各为多少?2解：（1）三极管的发射结总电压：题2图题1图B E B Ebu Uu =+，当π<ωt<2π时， 30be mV u -≤≤，且32t ωπ=时，3be bem u U mV =-=-故： 0.7(0.003)0.697BE BE be u U u V =+=+-=可见三极管的发射结不是处于反向偏置而是处于正向偏置。