ROM存储器内涵EPROM2716存储器的介绍
合集下载
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
一、掩模ROM
如图4-11所示，是一个简单的4×4位的MOS ROM存储阵列，采用单译码方式。这时，有两位地址输入，经译码后，输出四条字选择线，每条字选择线选中一个字，此时位线的输出即为这个字的每一位。
此时，若有管子与其相连（如位线1和位线4），则相应的MOS管就导通，这些位线的输出就是低电表平，表示逻辑“0”；而没有管子与其相连的位线（如位线2和位线3），则输出就是高电平，表示逻辑“1”。
1．基本存储电路
可擦除可编程的ROM又称为EPROM。它的基本存储单元的结构和工作原理如图4-12所示。
与普通的P沟道增强型MOS电路相似，这种EPROM电路在N型的基片上扩展了两个高浓度的P型区，分别引出源极（S）和漏极(D)，在源极与漏极之间有一个由多晶硅做成的栅极，但它是浮空图图4-12 P沟道EPROM结构示意图的，被绝缘物SiO2所包围。在芯片制作完成时，每个单元的浮动栅极上都没有电荷，所以管子内没有导电沟道，源极与漏极之间不导电，其相应的等效电路如图4-12(b)所示，此时表示该存储单元保存的信息为“1”。
除此之外，还有一种熔丝式PROM，用户编程时，靠专用写入电路产生脉冲电流，来烧断指定的熔丝，以达到写入“1”的目的。
对PROM来讲，这个写入的过程称之为固化程序。由于击穿的二极ຫໍສະໝຸດ Baidu不能再正常工作，烧断后的熔丝不能再接上，所以这种ROM器件只能固化一次程序，数据写入后，就不能再改变了。
三、可擦除可编程的ROM
向该单元写入信息“0”：在漏极和源极（即S）之间加上十25v的电压，同时加上编程脉冲信号(宽度约为50ns)，所选中的单元在这个电压的作用下，漏极与源极之间被瞬时击穿，就会有电子通过SiO2绝缘层注入到浮动栅。在高压电源去除之后，因为浮动栅被SiO2绝缘层包围，所以注入的电子无泄漏通道，浮动栅为负，就形成了导电沟道，从而使相应单元导通，此时说明将0写入该单元。
ROM存储器内涵EPROM2716存储器的介绍
课 堂 教 学 实 施 方 案
授 课 时 间：
课 题：只读存储器ROM、主存储器的设计
5.3只读存储器ROM
指在微机系统的在线运行过程中，只能对其进行读操作，而不能进行写操作的一类存储器，在不断发展变化的过程中，ROM器件也产生了掩模ROM、PROM、EPROM、EEPROM等各种不同类型。
清除存储单元中所保存的信息：必须用一定波长的紫外光照射浮动栅，使负电荷获取足够的能量，摆脱SiO2的包围，以光电流的形式释放掉，这时，原来存储的信息也就不存在了。
由这种存储单元所构成的ROM存储器芯片，在其上方有一个石英玻璃的窗口，紫外线正是通过这个窗口来照射其内部电路而擦除信息的，一般擦除信息需用紫外线照射l5~20分钟。
(a)引脚分配图(b)内部结构框图
图4-13 Intel2716的内部结构及引脚分配
•存储阵列；Intel2716存储器芯片的存储阵列由2K×8个带有浮动栅的MOS管构成，共可保存2K×8位二进制信息；
•X译码器：又称为行译码器，可对7位行地址进行译码；
•Y译码器：又称为列译码器，可对4位列地址进行译码；
读方式
这是Intel2716连接在微机系统中的主要工作方式。在读操作时，片选信号 应为低电平，输出允许控制信号 也为低电平其时序波形如图4-14所示。
内存通常分为RAM和ROM两大部分，而RAM又分为系统区(即机器的监控程序或操作系统占用的区域)和用户区，用户区又要分成数据区和程序区，ROM的分配也类似，所以内存的地址分配是一个重要的问题。另外，目前生产的存储器芯片，单片的容量仍然是有限的，通常总是要由许多片才能组成一个存储器，这里就有一个如何产生片选信号的问题。
二、可编程的ROM
掩模ROM的存储单元在生产完成之后，其所保存的信息就已经固定下来了，这给使用者带来了不便。为了解决这个矛盾，设计制造了一种可由用户通过简易设备写入信息的ROM器件，即可编程的ROM，又称为PROM。
PROM的类型有多种，我们以二极管破坏型PROM为例来说明其存储原理。
这种PROM存储器在出厂时，存储体中每条字线和位线的交叉处都是两个反向串联的二极管的PN结，字线与位线之间不导通，此时，意味着该存储器中所有的存储内容均为“1”。如果用户需要写入程序，则要通过专门的PROM写入电路，产生足够大的电流把要写入“1”的那个存储位上的二极管击穿，造成这个PN结短路，只剩下顺向的二极管跨连字线和位线，这时，此位就意味着写入了“1”。读出的操作同掩模ROM。
• ：片选信号输入引脚，低电平有效，只有当该引脚转入低电平时，才能对相应的芯片进行操作；
• ：数据输出允许控制信号引脚，输入，低电平有效，用以允许数据输出；
•Vcc：+5v电源，用于在线的读操作；
•VPP：+25v电源，用于在专用装置上进行写操作；
•GND：地。
(3)．Intel2716的工作方式与操作时序
2．EPROM芯片Intel2716
Intel2716是一种2K×8的EPROM存储器芯片，双列直插式封装，24个引脚，其最基本的存储单元，就是采用如上所述的带有浮动栅的MOS管，其它的典型芯片有Ietel 2732/27128/27512等。
(1)．芯片的内部结构
Intel2716存储器芯片的内部结构框图如图4-13(b)所示，其主要组成部分包括：
•输出允许、片选和编程逻辑：实现片选及控制信息的读/写；
•数据输出缓冲器：实现对输出数据的缓冲。
(2)．芯片的外部结构：
Intel2716具有24个引脚，其引脚分配如图4-13(a)所示，各引脚的功能如下：
•Al0~A0：地址信号输入引脚，可寻址芯片的2K个存储单元；
•O7~O0：双向数据信号输入输出引脚；
5．控制信号的连接
CPU在与存储器交换信息时，通常有以下几个控制信号(对8088/8086来说)： /M（IO/ ）， , 以及WAIT信号。这些信号如何与存储器要求的控制信号相连，以实现所需的控制功能。
二、存储器芯片的扩展
存储器芯片扩展的方法有以下两种：
1．存储器芯片的位扩充
适用场合：存储器芯片的容量满足存储器系统的要求，但其字长小于存储器系统
如图4-11所示，是一个简单的4×4位的MOS ROM存储阵列，采用单译码方式。这时，有两位地址输入，经译码后，输出四条字选择线，每条字选择线选中一个字，此时位线的输出即为这个字的每一位。
此时，若有管子与其相连（如位线1和位线4），则相应的MOS管就导通，这些位线的输出就是低电表平，表示逻辑“0”；而没有管子与其相连的位线（如位线2和位线3），则输出就是高电平，表示逻辑“1”。
1．基本存储电路
可擦除可编程的ROM又称为EPROM。它的基本存储单元的结构和工作原理如图4-12所示。
与普通的P沟道增强型MOS电路相似，这种EPROM电路在N型的基片上扩展了两个高浓度的P型区，分别引出源极（S）和漏极(D)，在源极与漏极之间有一个由多晶硅做成的栅极，但它是浮空图图4-12 P沟道EPROM结构示意图的，被绝缘物SiO2所包围。在芯片制作完成时，每个单元的浮动栅极上都没有电荷，所以管子内没有导电沟道，源极与漏极之间不导电，其相应的等效电路如图4-12(b)所示，此时表示该存储单元保存的信息为“1”。
除此之外，还有一种熔丝式PROM，用户编程时，靠专用写入电路产生脉冲电流，来烧断指定的熔丝，以达到写入“1”的目的。
对PROM来讲，这个写入的过程称之为固化程序。由于击穿的二极ຫໍສະໝຸດ Baidu不能再正常工作，烧断后的熔丝不能再接上，所以这种ROM器件只能固化一次程序，数据写入后，就不能再改变了。
三、可擦除可编程的ROM
向该单元写入信息“0”：在漏极和源极（即S）之间加上十25v的电压，同时加上编程脉冲信号(宽度约为50ns)，所选中的单元在这个电压的作用下，漏极与源极之间被瞬时击穿，就会有电子通过SiO2绝缘层注入到浮动栅。在高压电源去除之后，因为浮动栅被SiO2绝缘层包围，所以注入的电子无泄漏通道，浮动栅为负，就形成了导电沟道，从而使相应单元导通，此时说明将0写入该单元。
ROM存储器内涵EPROM2716存储器的介绍
课 堂 教 学 实 施 方 案
授 课 时 间：
课 题：只读存储器ROM、主存储器的设计
5.3只读存储器ROM
指在微机系统的在线运行过程中，只能对其进行读操作，而不能进行写操作的一类存储器，在不断发展变化的过程中，ROM器件也产生了掩模ROM、PROM、EPROM、EEPROM等各种不同类型。
清除存储单元中所保存的信息：必须用一定波长的紫外光照射浮动栅，使负电荷获取足够的能量，摆脱SiO2的包围，以光电流的形式释放掉，这时，原来存储的信息也就不存在了。
由这种存储单元所构成的ROM存储器芯片，在其上方有一个石英玻璃的窗口，紫外线正是通过这个窗口来照射其内部电路而擦除信息的，一般擦除信息需用紫外线照射l5~20分钟。
(a)引脚分配图(b)内部结构框图
图4-13 Intel2716的内部结构及引脚分配
•存储阵列；Intel2716存储器芯片的存储阵列由2K×8个带有浮动栅的MOS管构成，共可保存2K×8位二进制信息；
•X译码器：又称为行译码器，可对7位行地址进行译码；
•Y译码器：又称为列译码器，可对4位列地址进行译码；
读方式
这是Intel2716连接在微机系统中的主要工作方式。在读操作时，片选信号 应为低电平，输出允许控制信号 也为低电平其时序波形如图4-14所示。
内存通常分为RAM和ROM两大部分，而RAM又分为系统区(即机器的监控程序或操作系统占用的区域)和用户区，用户区又要分成数据区和程序区，ROM的分配也类似，所以内存的地址分配是一个重要的问题。另外，目前生产的存储器芯片，单片的容量仍然是有限的，通常总是要由许多片才能组成一个存储器，这里就有一个如何产生片选信号的问题。
二、可编程的ROM
掩模ROM的存储单元在生产完成之后，其所保存的信息就已经固定下来了，这给使用者带来了不便。为了解决这个矛盾，设计制造了一种可由用户通过简易设备写入信息的ROM器件，即可编程的ROM，又称为PROM。
PROM的类型有多种，我们以二极管破坏型PROM为例来说明其存储原理。
这种PROM存储器在出厂时，存储体中每条字线和位线的交叉处都是两个反向串联的二极管的PN结，字线与位线之间不导通，此时，意味着该存储器中所有的存储内容均为“1”。如果用户需要写入程序，则要通过专门的PROM写入电路，产生足够大的电流把要写入“1”的那个存储位上的二极管击穿，造成这个PN结短路，只剩下顺向的二极管跨连字线和位线，这时，此位就意味着写入了“1”。读出的操作同掩模ROM。
• ：片选信号输入引脚，低电平有效，只有当该引脚转入低电平时，才能对相应的芯片进行操作；
• ：数据输出允许控制信号引脚，输入，低电平有效，用以允许数据输出；
•Vcc：+5v电源，用于在线的读操作；
•VPP：+25v电源，用于在专用装置上进行写操作；
•GND：地。
(3)．Intel2716的工作方式与操作时序
2．EPROM芯片Intel2716
Intel2716是一种2K×8的EPROM存储器芯片，双列直插式封装，24个引脚，其最基本的存储单元，就是采用如上所述的带有浮动栅的MOS管，其它的典型芯片有Ietel 2732/27128/27512等。
(1)．芯片的内部结构
Intel2716存储器芯片的内部结构框图如图4-13(b)所示，其主要组成部分包括：
•输出允许、片选和编程逻辑：实现片选及控制信息的读/写；
•数据输出缓冲器：实现对输出数据的缓冲。
(2)．芯片的外部结构：
Intel2716具有24个引脚，其引脚分配如图4-13(a)所示，各引脚的功能如下：
•Al0~A0：地址信号输入引脚，可寻址芯片的2K个存储单元；
•O7~O0：双向数据信号输入输出引脚；
5．控制信号的连接
CPU在与存储器交换信息时，通常有以下几个控制信号(对8088/8086来说)： /M（IO/ ）， , 以及WAIT信号。这些信号如何与存储器要求的控制信号相连，以实现所需的控制功能。
二、存储器芯片的扩展
存储器芯片扩展的方法有以下两种：
1．存储器芯片的位扩充
适用场合：存储器芯片的容量满足存储器系统的要求，但其字长小于存储器系统