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《西安电子科技大学学报》2010年度(87卷)中文总日次
最差 性 能最优 的稳健 波 束形成 算 法 ……… … ……… …… …… …… …… ……… … … 刘聪锋 ，廖桂 生 （ １・１ ） ＯＦ ＤＭＡ 系统 小 区间干 扰调度 协调 算法 … …… …… …… …… …… …… ……… …… 付 少忠 ，葛建华 （ ８ １・ ）
一
种 可提 高安 全通 信距 离 的诱 骗 态量子 密钥 分发 方案 …… …… … 刘 丹 ，裴 昌幸 ，权 东晓 ，等 （ １ ） １・ ３
用 于非监督 特 征选择 的免疫克 隆 多 目标 优化 算法 ……… … ……… 尚 荣华 ，焦李成 ，吴 建设 ，等 （ １ ） １・ ８
干扰 信道 中基 于竞 争博 弈 的准最佳 功率 分 配方案 …… …… ……… …… ……… … 景振 海 ，白宝明 （ ２ ） １・ ３
一
种 Ｎｏ Ｃ路 由器 间互连 线 的 自适 应驱 动方法 …… ……… …… …… 刘 毅 ，杨银 堂，梅 伟锋 ，等 （ ２ ） １・ ８ …… …… …… …… ……… …… …… 鲍 亮 ，陈 胜 ， 宋胜 利 ，等 （ ３ ） １・ ３
两 个前 向安全 盲签 名体制 的安 全性 分析 … …… …… ……… …… … 邱 钢 ，王 宏 ， 肖 鸿 ，等 （ １ ７ １・ ０ ）
一
种 分析 大型 阵列天 线散 射 的新方法 …… ……… …… …… …… …… … 袁宏 伟 ，龚 书喜 ，王 文 涛 （ １・１ ３ １） ……… …… …… …… …… ……… …… 陈玉峰 ，李志武 （ １・１ ９ １）
直接 时差 计数超 宽带 标签定 位 系统 … …… …… ……… …… …… …… … 黄冬 艳 ，林 基 明 ，王 波 （ １・１ ３ ６）
《长治学院学报》(自然科学版)参考文献著录格式规范及示例
一、著录原则和要求（一）每篇文献必须是作者亲自阅读过的；（二）应以国内外有代表性的学术期刊文献为主，未公开发表的资料、文件不得作为参考文献引用；（三）综合述评的参考文献一般为30篇以上，其他文章的参考文献一般不少于10篇；（四）作者应注意查阅国内外网络期刊、数据库和图书馆现刊的最新文献并引用。
二、中文参考文献著录格式及体例要求参考文献是本刊是否接受投稿的重要依据。
参考文献采用顺序编码制，参考文献著录序号按照引用文献在论文中出现的先后顺序，连续编号不能遗漏或颠倒；序号置于方括号内，排列在文中相应位置右上角，同一文献在文中被反复引用者，均用第一次出现的序号标示，每一条文献最后均以实心点结束。
论文中引用文献时，视具体情况将序号作为右上角标，或作为语句的组成部分。
如“**［1］**［2-3］***［2-6］对******作了研究，结果见文献［7］”。
文献的作者3人以内全部列出，4人以上则列出前3位，后加“，等”或“， et al”，不同作者姓名间用逗号隔开；外国人姓名采用姓前名后著录法，姓大写，名可缩写，并省略缩写点“.”。
所有中文参考文献著录格式中的句号采用中文全角状态下的“．”表示，所有西文参考文献著录格式中的标点符号采用西文半角符号，后空一格。
文献类型标志：普通图书M，会议录C，汇编G，报纸N，期刊J，学位论文D，报告R，标准S，专利P，数据库DB，计算机程序CP，电子公告EB，档案A，舆图CM，数据集DS，其他Z。
电子文献载体类型标志：磁带MT，磁盘DK，光盘CD，联机网络OL。
（一）期刊文章［序号］作者．题名［J］．刊名，年份，卷号（期号）：起止页码．例如：［1］周庆荣，张泽廷，朱美文，等．固体溶质在含夹带剂超临界流体中的溶解度［J］．化工学报，1995，46（3）：317-323.（二）专著［序号］主要责任者．书名［M］．版次（初版不列）.出版地：出版单位，出版年：起止页码．例如：［2］蒋挺大．亮聚糖［M］．北京：化学工业出版社，2001：127-128.（三）论文集［序号］作者.题名［C］.出版地：出版年：起止页码. 例如：［3］辛希孟．信息技术与信息服务国际研讨会论文集：A集［C］．北京：中国社会科学出版社，1994：7-8．（四）专著或论文集中析出的文献［序号］主要责任者．题名［文献类型标志］//编者．书或文集名．出版地：出版者，出版年：起止页码．例如：［4］郭宏，王熊，刘宗林．膜分离技术在大豆分离蛋白生产中综合利用的研究［A］//余立新．第三届全国膜和膜过程学术报告会议论文集．北京：高等教育出版社，1999：421-425.［5］钟文发．非线性规划在可燃毒物配置中的应用［C］//赵玮．运筹学的理论与应用——中国运筹学会第五届大会论文集．西安：西安电子科技大学出版社，1996：468-471.（五）学位论文［序号］主要责任者．题名［D］．保存地点：保存单位，年份．例如：［6］ 陈金梅．氟石膏生产早强快硬水泥的试验研究［D］.西安：西安建筑科学大学，2000．（六）报纸［序号］主要责任者．题名［N］．报纸名，年月日（版次）.例如：［7］陈志平．减灾设计研究新动态［N］．科技日报，1997-12-12（5）．（七）专利［序号］专利申请者或所有者．专利题名［P］．专利国别，专利号．公告日期或公开日期．例如：［8］姜锡洲．一种温热外敷药制备方案［P］．中国，881056073．1989-07-26．（八）技术标准［序号］标准代号 标准顺序号－发布年，标准名称［S］.例如：［9］ISO1210-1982，塑料——小试样接触火焰法测定塑料燃烧性［S］．（九）电子文献［序号］主要责任者．题名：其他题名信息［文献类型标志／OL］.出版地：出版者，出版年（更新或修改日期）［引用日期］．获取和访问路径．例如：［10］刘江．假如陈景润被量化考核［N/OL］．新华每日电讯，2004-03-12（7）［2004-04-04］．/ccnd/mainframe.asp?encode=gb&display= Chinese.三、外文参考文献著录格式及体例要求外文文献格式与中文文献示例基本相同，其中题名的首字母及各个实词的首字母应大写。
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感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN_AlGaN_王冲
收稿日期:2005-09-09基金项目:国家重大基础研究项目(973)资助(2002C B311904);国家部委预研项目资助(41308060106)作者简介:王 冲(1978-),男,西安电子科技大学博士研究生.感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN A /lGaN王 冲,冯 倩,郝 跃,杨 燕(西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西西安 710071)摘要:采用Cl 2/Ar 作为刻蚀气体,研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN 、Al 0.27G a 0.73N 材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响.GaN 与Al 0.27Ga 0.73N 之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小,随感应耦合等离子体功率的增大变化不大.在Cl 2/A r 为3:1的刻蚀气体中加入10%的O 2对G aN 刻蚀速率影响不大,却使Al 0.27Ga 0.73N 刻蚀速率明显下降,从而提高了GaN 与Al 0.27Ga 0.73N 之间的刻蚀选择比.对比了采用不同自偏压刻蚀的A l 0.27Ga 0.73N 材料肖特基的特性,发现反向漏电流随自偏压的增大而增大.关键词:感应耦合等离子体;刻蚀速率;选择性刻蚀;选择比;刻蚀损伤中图分类号:T N325+.3 文献标识码:A 文章编号:1001-2400(2006)04-0520-04Selective etching of GaN /AlGaN by Inductively coupled plasmaW A NG Chong ,FE NG Qian ,H AO Y ue ,Y ANG Yan(M inistry of Edu.K ey Lab.o f Wide Band G ap Semico nductor M aterials and Devices ,Xidian Univ.,Xi ′an 710071,China )A bstract : A sy stema tic study of etch r ates and selectivities o f G aN and A l 0.27G a 0.73N at differentpr ocessing terms is perfo rmed using Cl 2/A r inductively coupled plasma.Selectivity betw een G aN andAl 0.27G a 0.73N decreases with the increasing D C bias and chang es a little w ith ICP pow er.A dding O 2(10%)to Cl 2/A r (3:1)g as mix ture has little effect o n etch rates of GaN ,but leads to a g reat reductionin e tch r ate s of A l 0.27G a 0.73N ,thus impr oving selectiv ity between G aN and A l 0.27G a 0.73N.Scho ttkychar acte ristics at different e tching DC biase s a re contr asted ,with the result that the leakage cur rentinc reases with the enhanced DC bias.Key Words : Inductively coupled plasma ;etching r ates ;se lective e tch ;selectivity ;e tching damage基于AlGaN /GaN 异质结的高电子迁移率晶体管(H EM T )在高温器件及大功率微波器件方面有非常好的应用前景[1].在H EM T 结构中多采用槽栅结构[2],即在AlGaN /G aN 异质结上生长一层n +GaN 层作为帽层有利于欧姆接触,而在器件制作工艺中要刻蚀掉帽层,在AlGaN 材料上制作肖特基栅来防止n +GaN 层上的肖特基栅漏电过大,这就要求对GaN /AlGaN 进行选择性刻蚀.由于Ga -N 键能达到8.92eV ,Al -N 键能达到11.52eV ,采用传统的湿法刻蚀GaN /A lGaN 材料很难获得满意的效果.干法刻蚀技术具有各向异性、对不同材料选择比差别较大、均匀性与重复性好、易于实现自动连续生产等优点,所以反应离子刻蚀(RIE )[3]、电子回旋共振等离子体(ECR )[4]、感应耦合等离子体(ICP )[5]等多种干法刻蚀方法被应用于GaN 及相关材料的刻蚀中.ICP 以其廉价的等离子体和高刻蚀速率等特点在GaN 基电子器件工艺中被广泛应用.ICP 工艺参数的优化及刻蚀气体配比对器件刻蚀工艺非常重要.目前国内对于AlGaN /GaN H EM T 的槽栅刻蚀研究还未见报道,笔者在分析了ICP 工艺参数及O 2的加入对GaN 、Al 0.27Ga 0.73N 刻蚀速率和选择比影响的基础上对GaN /AlGaN 选择性刻蚀的工艺条件进行了研究,并对比了A lGaN 刻蚀前后肖特基特性的变化.2006年8月第33卷 第4期 西安电子科技大学学报(自然科学版)JOUR NAL OF XIDI AN UNIV ER SI TY Aug.2006Vol.33 No.41 实 验GaN 、A l 0.27Ga 0.73N 材料刻蚀研究采用国产ICP 刻蚀机.该ICP 系统具有两个独立的13.56M H z 射频功率源,其中一个连接到反应室外的电感线圈上使反应室内气体产生辉光放电,另一个连接在反应室底部的射频源提供了偏置电压,给等离子体提供一定的能量,达到垂直作用于基片的目的.在每次刻蚀之前,都保证反应室内的真空度达到1x 10-3Pa 以下.刻蚀材料选用MOCVD 方法在(0001)面单面抛光蓝宝石衬底上生长的GaN 和Al 0.27Ga 0.73N 材料.Al 0.27Ga 0.73N 材料的Al 组分由材料的透射谱曲线计算得出.对生长AlGaN /GaN 异质结选用Al 组分为27%是最有利于提高H EM T 特性的,不同的A l 组分与本实验27%的A l 组分实验结果大致相同,仅由于Al 组分增大时GaN /AlGaN 选择比会略微增大,AlGaN 刻蚀速率会略微减小.在刻蚀前采用1:10的H Cl 去除材料表面氧化层.刻蚀材料时采用等离子体辅助化学气象淀积(PECVD )法淀积SiO 2作为掩模.刻蚀深度采用Am bios XP -1表面形貌分析仪进行测量,每个样品上至少测量5个点进行测量值平均后得到刻蚀深度.对A l 0.27Ga 0.73N 刻蚀前后制作肖特基二极管进行电特性的对比,肖特基结构采用环状结构,外环内外径分别为140μm 和220μm ,电子束蒸发Ti /Al /Ti /Au (30nm /150nm /50nm /60nm )在850℃的N 2中退火30s 形成欧姆接触;内圆半径为60μm ,电子束蒸发Ni /Au (30nm /200nm )形成肖特基接触.使用H P4156B 精密半导体参数测试仪对肖特基二极管电特性进行测量.2 结果及其分析下面是Cl 基等离子体刻蚀GaN 材料的反应方程式:GaN +io n Ga *+N * ,(1)N *+N * N 2 ,(2)Ga *+x Cl GaCl x .(3) 第1步中,材料表面的Ga -N 键在离子轰击下破裂,产生活性的Ga 和N 原子.第2步中N 原子相互结合形成容易析出的N 2.第3步中Ga 原子和Cl 离子生成易挥发的GaCl 2或GaCl 3.从这几步过程中也可以看出离子密度和能量对刻蚀速率的重要影响.图1 GaN 和AlGaN 刻蚀速率、选择比随ICP 功率的变化图2 G aN 和A lGa N 刻蚀速率、选择比随自偏压的变化 从图1可看出,增大ICP 射频功率,GaN 和AlGaN 刻蚀速率随之增加,这是由于反应物浓度的增加和溅蚀材料的离子流浓度的增加加强了材料化学键的断裂和对材料表面的溅蚀作用.从图2可看出,GaN 和521第4期 王 冲等:感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN /A lGaNAlG aN 的刻蚀速率随着偏压或离子能量的增加单调地增长,刻蚀速率的增加是由于高能量的离子能更有效地击破材料的化学键,同时更有利于刻蚀产物从表面被溅蚀去除.图1和2所示刻蚀过程中其他刻蚀参数为:Cl 2流量30m l/min ,Ar 流量10ml /min ;压力1Pa ;自偏压150V ;ICP 功率500W.由于GaN 材料中G a —N 的键能为8.92eV ,而AlGaN 中Al —N 的键能为11.52eV ,所以在相同刻蚀条件下AlGaN 比GaN 的刻蚀速率慢.图1中GaN 和A lGaN 的选择比随ICP 功率的增大基本不变,而图2中两者的选择比在自偏压由20V 增大到50V 的过程中由9逐渐减小到1.5,在自偏压由50V 增大到120V 过程中逐渐接近1.选择比随自偏压变化是由于AlGaN 材料刻蚀速率在自偏压小于50V 时随自偏压的增大速率增加缓慢,当自偏压大于50V 时刻蚀速率迅速增大,而G aN 的刻蚀速率从20V 到120V 一直随自偏压增大而增大.图3 无O 2和有O 2参与下GaN 和A lG aN的刻蚀速率随反应室压力的变化图4 无O 2和有O 2参与下GaN 和A lGaN的选择比随反应室压力的变化 图3和4是在无O 2和有O 2参与条件下GaN 和AlGaN 的刻蚀速率及选择比随反应室压力的变化情况.刻蚀条件为:Cl 2流量30ml /min ,Ar 流量10ml /min ,O 2流量4m l/min ;ICP 功率500W ;自偏压150V.刻蚀气体中加入O 2前G aN 和AlGaN 刻蚀速率相差不大,压力小于1Pa 时的速率增加表明在低压下反应物的增加主要影响刻蚀速率提高,在压力大于1Pa 后刻蚀速率都随压力的增大而下降,这是由于气体分子的平均自由程变小及二次淀积和聚合物的形成降低了刻蚀速率.O 2的加入使得AlG aN 的刻蚀速率大大下降而GaN 的刻蚀速率下降较少,明显增加了刻蚀选择比.当有氧气参与反应时,反应室压力为1Pa 时选择比达到最大值17.8.由于A l —O 的键能高达21.2eV ,在刻蚀AlGaN 材料时加入O 2会生成氧化层,高键能的Al —O 键明显降低了A lGaN 的刻蚀速率,而O 2的加入对GaN 的刻蚀速率影响要比AlG aN 小得多.图5 G aN 和A lG aN 的刻蚀速率及选择比随O 2流量的变化图6 AlGaN 上肖特基反向漏电随自偏压变化的比较 图5为GaN 和AlGaN 的刻蚀速率及选择比随O 2流量的变化关系,刻蚀条件为:Cl 2流量30ml /min ,522 西安电子科技大学学报(自然科学版) 第33卷Ar 流量10ml /min ,O 2流量从0～16m l/min ;ICP 功率500W ;自偏压150V.当O 2的流量大于4m l /min 后AlG aN 的刻蚀速率迅速减小到20nm /min 左右并随流量增大基本不变;而GaN 的刻蚀速率随O 2流量的增大逐渐下降,这是由于反应室压力增大以及C l 离子百分比下降所引起的速率下降.GaN 和AlGaN 的刻蚀选择比在O 2的流量为4m l /min 时达到最大值17.2.等离子体引起的刻蚀损伤对化合物半导体器件的电特性和光特性[6]都有着显著的影响.由于GaN 材料稳定的化学性质,相比其他材料在刻蚀GaN 中所使用的刻蚀条件要求有更高的功率、偏压和等离子体密度,这样就更容易发生刻蚀损伤.材料被刻蚀后会造成材料的组成元素的比例失配,GaN 材料在Cl 基ICP 刻蚀后,材料表面处的Ga 和N 的比例会发生明显的变化,N 的含量显著减小,形成大量N 空位[7].形成元素比失配的主要原因是在刻蚀过程中高能离子的轰击下,N 元素更容易形成可挥发的物质而流失,轰击能量越高,Ga 和N 的比例失配越大.刻蚀中产生的大量N 空位,使得肖特基特性变坏,泄漏电流增大,击穿电压减小[8].肖特基的二极管反向饱和电流的大小可以用公式J sT =A *T 2exp (-q Bn /(K T ))来表示.刻蚀损伤情况越严重肖特基的反向漏电也越大,势垒高度及理想因子都会受到影响.图6表示肖特基在刻蚀前后及不同自偏压刻蚀下的反向漏电比较,反向漏电随自偏压的增大逐渐增大,其他刻蚀参数为:Cl 2流量30ml/min ,Ar 流量10ml /min ,O 2流量4ml /min ;ICP 功率500W ;反应室压力1Pa.未刻蚀材料肖特基反向漏电-6V 时为16μA ,在50V 自偏压刻蚀后漏电增大3倍,而100V 和150V 刻蚀后材料肖特基反向漏电增大了两个数量级.3 结 论以上分析了ICP 功率、自偏压、压力几个关键工艺参数及O 2加入反应气体对GaN 、Al 0.27Ga 0.73N 刻蚀速率及选择比的影响.GaN 和A lGaN 的选择比受ICP 功率影响较小,受自偏压影响较大,在自偏压20V 为最大值9,在50V 为1.5;O 2的加入提高了两者的选择比,在压力为1Pa 时达到最大值17.8,O 2流量增大到4ml /min 时选择比达到最大,而后随O 2流量继续增大逐渐减小.对采用不同偏压刻蚀下材料肖特基反向漏电与未刻蚀材料作了对比,反向漏电随自偏压的增大逐渐增大.刻蚀气体中O 2的加入能明显提高H EM T 槽栅刻蚀中GaN /A lGaN 的选择性,为了更好地控制刻蚀过程,同时保证速率,氧流量采用4ml /min ,刻蚀中选择较低的自偏压40V ,适中的ICP 功率500W ,压力1Pa 左右,能获得较高的选择比和较小的刻蚀损伤.参考文献:[1]W ang Chong ,Hao Yue ,Zhang Jinche ng.Development and Cha racteristics of AlGaN /G aN HEM T [J ].Jo urnal of XidianU niversity ,2005,32(2):234-236.[2]Eg awa T ,Ishikawa H ,Umeno M ,et al.Recessed G ate AlGaN /G aN M ODF ET on Sapphire [J ].A ppl Phy s Lett ,1999,76(1):121-126.[3]Adesida I ,M ahajan A ,A ndideh E ,et al.Reactive Io n Etching o f Gallium Nitride in Silicon T etrachlo ride P lasmas [J ].Appl.Phys.Lett ,1993,63(3):2777-2781.[4]Pear to n S J ,A be rnathy C R ,Re n F ,e t al.Dry a nd W et Etching Characteristics o f I nN ,A lN and G aN Deposited byElectro n Cyclotr on Reso na nce M olecular Beam Epita xy [J ].J V ac Sci T echno l A ,1993,(11):1772.[5]Shul R J ,M cClellan G B ,Casalnuo vo S A ,et a l.Inductively Coupled Plasma Etching o f G aN [J ].A ppl.Phy s.Lett ,1996,69(4):1119-1123.[6]Lee J M ,Chang K M ,Kim S W ,et al.D ry Etch Damage in n -type G aN and Its Recov ery by T rea tme nt with an N 2Pla sma [J ].Jounal of Applied Phy sics ,2000,87(11):7667-7670.[7]Buttari D ,Chini A ,M eneg hesso G ,et al.Systematic Cha racterizatio n of Cl 2Reactive Io n Etching fo r Improv ed Ohmics inAlGaN /G aN HEM T s [J ].I EEE Electr on Device L etters ,2002,23(2):76-78.[8]Shul R J ,Z hang L ,Baca A G ,et al.Inductiv ely Coupled Hig h -density Plasma -induced Etch Damage o f GaN M ESF ET s[J ].So lid -State Elect ronics ,2001,45(1):13-17.(编辑:郭 华) 523第4期 王 冲等:感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN /A lGaN。
自然科学中文核心期刊分级
附表１：
自然科学中文核心期刊分级一、自然科学综合类核心期刊(13３种）
二、数学学科核心期刊（１7种)
三、物理学学科核心期刊(２1种）
四、化学学科核心期刊（23种）
ﻬ地球物理学学科核心期刊（１０种）
地质学学科核心期刊(30种）
ﻬ地理学学科核心期刊（１９种)
生物科学学科期刊(27种）
系统科学学科期刊（３种)
统计学学科期刊（４种)
力学学科期刊（1２种）
ﻬ机械工程学科期刊（33种)
ﻬ材料科学与工程学科期刊（３７种）
ﻬ冶金工程学科核心期刊（3３种)
ﻬ动力工程及工程热物理学科核心期刊（１4种)
电气工程学科核心期刊(30种）
电子科学与技术学科核心期刊(４2种)
计算机科学与技术、软件工程学科核心期刊(16种）
控制科学与工程学科核心期刊（１5种)
建筑学学科核心期刊（２０种)
土木工程学科核心期刊(1３种）
ﻬ测绘科学与技术学科核心期刊（8种）
化学工程与技术学科核心期刊(36种)
矿业工程学科核心期刊(１4种)
石油与天然气工程学科核心期刊（２9种）
运输工程学科核心期刊（23种）
ﻬ农业工程学科核心期刊（20种)
环境科学与工程学科核心期刊（1９种）
ﻬ安全科学与工程学科核心期刊（５种）
基础医学学科核心期刊（58种)
临床医学、护理学学科核心期刊(2０种）
公共卫生与预防医学学科核心期刊（2６种）
ﻬ药学学科核心期刊(30种)。
电子科技大学常见一级期刊基本目录-电子科技大学图书馆
电子科技大学常见一级期刊基本目录
一、一级期刊论文范围
1．一级期刊一般应是同行专家公认的，由国家有关部委或国家一级学会（协会）主办并具有较大影响的核心期刊；一级期刊的外文版可视为一级期刊；在一级期刊发表的学术论文为一级期刊论文；
2．在国外期刊上发表的学术论文，由专业技术职务学科评议组专家认定是否属于一级期刊论文；
3．对被索引源（SCI、EI（光盘版）、ISTP、CSIC、SSCI、A&HCI、ISSHP）检索收录的学术论文，及全文发表在《人民日报》、《光明日报》学术版，被人大复印资料和《新华文摘》转载的学术论文，可视为一级期刊论文；
4．《电子科技大学学报》（自然版）上发表的学术论文，在申报高级专业技术职务必备条件或选择条件所要求的一级期刊篇数中可占一篇。
二、理、工、管、文学科常见一级期刊目录（见附一）
三、教育、技术管理、艺体、财会、图档、出版常见一级期刊目录（见附二）
附一
理、工、管、文学科常见一级期刊目录
附二
教育、技术管理、艺体、财会、图档、出版常见一级期刊目录
关于新增常见一级期刊的通知
校内各单位：
根据2006年4月13日校长办公会精神，为加强基础课教师队伍建设，新增以下期刊为我校晋升专业技术职务常见一级期刊：
特此通知。
人事处
二○○六年五月十日。
什么是“文献标识码”
什么是“文献标识码”？答：文献标识码是《中国学术期刊（光盘版）》的规范要求。
按照论文的性质，其文献标识码分为A、B、C、D、E五类。
具体为：A----理论与应用研究学术论文（包括综述报告）；B----实用性技术成果（科技）、理论学习与社会实践总结（社科）；C----业务指导与技术管理性文章（包括领导讲话、特约评论等）；D----一般动态性信息（通讯、报道、会议活动、专访等）；E---文件、资料（包括历史资料、统计资料、机构、人物、书刊、知识介绍等）。
作者可以根据上述分类原则，对所写文章标识一个文献标识码。
EI网络版EiCompendexWeb是由《工程索引》和《Ei PageOne》合并的Internet版本，该数据库每年新增500000条工程类文献，数据来自5100种工程类期刊、会议论文和技术报告，其中2600种有文摘。
90年代以后，数据库又新增了2500种文献来源。
化工和工艺的期刊文献最多，（约占15%），计算机和数据处理占12%，应用物理占11%，电子和通信占12%，另外还有土木工程（占6%）和机械工程（占6%）等。
大约22%的数据是有主题词和摘要的会议论文，90%的文献是英文文献。
数据库每周更新数据。
Ei收录论文的两个档次1) Compendex Compendex系Computerized Engineering Index的缩写，即计算机化工程索引，为全记录式。
该数据库的文字出版物即为《工程索引》（也即光盘版和印刷版）。
它收录论文的题录、摘要、标引主题词和分类号等，并进行深加工；有没有主题词和分类号是判断论文是否被Compendex 数据库正式收录的唯一标志。
2) Ei Page One 题录。
一般不录入文摘，不标引主题词和分类号。
有的Page One 也带有摘要，但未标引主题词和分类号。
所以带有文摘不一定算做正式进入Compendex 数据库。
Ei来源期刊的三个档次①核心期刊， Compendex 数据库收录重点是下列主要工程学科：化学工程，土木工程；电子/电气工程，机械工程，冶金、矿业、石油工程，计算机工程和软件。
基于模糊控制和MIMO的ad hoc网络STDMA协议
Ａｂ ｓ ｔ ｒ ａ ｃ ｔ ： Ｉ ｎ ｔ ｈ ｅ ｔ ｒ ａ ｄ ｉ ｔ ｉ ｏ ｎ ａ １ Ｓ ｐ ａ ｃ ｅ Ｔｉ ｍｅ Ｄｉ ｖ ｉ ｓ ｉ ｏ ｎ Ｍｕ ｌ ｔ ｉ ｐ ｌ ｅ Ａｃ ｃ ｅ ｓ ｓ（ Ｓ ＴＤＭＡ ） ｐ ｒ ｏ ｔ ｏ ｃ ｏ ｌ ，ｔ ｈ ｅ ｔ ｉ ｍｅ ｓ ｌ ｏ ｔ ｉ ｓ ｎ ｏ ｔ ａ ｌ ｌ ｏ ｃ ａ ｔ ｅ ｄ ｄ ｙ ｎ ａ ｍｉ ｃ ａ ｌ ｌ ｙ ａ ｎ ｄ ｔ ｈ ｅ ｉ ｄ ｌ ｅ ｓ ｌ ｏ ｔ ｓ ｐ ｏ ｔ ｅ ｎ ｔ ｉ ａ ｌ ｌ ｙ ｅ ｘ ｉ ｓ ｔ ．Ｔｏ ａ ｄ ｄ ｒ ｅ ｓ ｓ ｔ ｈ ｅ ｉ ｓ ｓ ｕ ｅ ，ｂ ａ ｓ ｅ ｄ ｏ ｎ ｆ ｕ ｚ ｚ ｙ ｌ ｏ ｇ ｉ ｃ ｃ ｏ ｎ ｔ ｒ ｏ ｌ ａ ｎ ｄ
Ｓ Ｔ Ｄ Ｍ Ａ 能 达 到 更 高 的 网络 吞 吐量 和 时 隙利 用 率 ．
关 键 词 ：ａ ｄ ｈ ｏ ｃ网络 ； 空 间 时 分 多址 接 入 ； 多输 入 多输 出 ； 模 糊控 制
中图分类号 ： Ｔ Ｎ８ ２ ０ ． １ ５ ； ＴＰ ２ ７ ３ ．４ 文献标识码 ： Ａ 文章编号 ： １ ０ ０ １ — ２ ４ ０ ０ （ ２ ０ １ ３ ） ０ ２ — ０ ０ ６ ０ — ０ ７
ＳＴＤＭ Ａ ｐｒ ｏ ｔ ｏ ｃ ｏ ｌ ｂ ａ ｓ ｅ ｄ ｏ ｎ ｆ ｕ ｚ ｚ ｙ ｃ ｏ ｎ ｔ ｒ ｏ ｌ ａ ｎｄ Ｍ Ｉ Ｍ Ｏ ｆ ０ ｒ ａ ｄ ｈ ｏ ｃ ｎｅ ｔ ｗｏ ｒ ｋｓ
3.3VCMOS工艺下5V电源轨的ESD箝位电路
收稿日期:2017-09-28 网络出版时间:2018-03-23基金项目:国家自然科学基金资助项目(61474041)作者简介:陈迪平(1962-),男,教授,E -m a i l :c h d p @h n u .e d u .c n .网络出版地址:h t t p://k n s .c n k i .n e t /k c m s /d e t a i l /61.1076.T N.20180323.0855.002.h t m l d o i :10.3969/j.i s s n .1001-2400.2018.05.0163.3VC MO S 工艺下5V 电源轨的E S D 箝位电路陈迪平,董 刚(湖南大学物理与微电子科学学院,湖南长沙410082)摘要:基于传统栅极接地NMO S 静电放电电源箝位结构,针对5V 供电情况,通过电平移位及低漏电流续流措施,实现了3.3VC MO S 集成电路工艺条件下5V 电源轨的新型静电放电箝位电路,避免了高压工艺造成的成本增加.该电路采用分级驱动及分级泄放措施,降低了正常工作时电源箝位电路的漏电流.采用中芯国际0.18μm C MO S 集成电路工艺库模型,仿真验证了电路的正确性;流片结果通过了人体模型ʃ4000V 测试,该电路可成功用于5V 电源轨静电放电保护.关键词:静电放电;保护电路;分级驱动;泄漏电流中图分类号:T N 495 文献标识码:A 文章编号:1001-2400(2018)05-0096-06E S D p o w e r -r a i l c l a m p c i r c u i tw i t ha 5V p o w e r i n t h e 3.3VC M O S p r o c e s sC H E ND i p i n g ,D O N GG a n g(C o l l e g e o fP h y s i c s a n d M i c r o e l e c t r o n i c sS c i e n c e ,H u n a nU n i v .,C h a n gs h a 410082,C h i n a )A b s t r a c t : C o n s i d e r i n g t h e 5V p o w e r s u p p l y ,a n o v e l E S D (e l e c t r o s t a t i c d i s c h a r g e )c i r c u i tw i t h a 5V p o w e r r a i l b a s e do n a c o n v e n t i o n a lG G -NMO S (G a t e -G r o u n dNMO S )E S D p o w e r -r a i l c l a m p c i r c u i t i s d e s i g n e db y t h em e t h o do f l e v e l s h i f t e r s a n dt h e l o wf o l l o wc u r r e n t i nt h e3.3V C MO S p r o c e s s t oa v o i dah i gh e r c o s t u n d e r t h eh i g h -v o l t a g e p r o c e s s .D u e t o p r o g r e s s i v e l y d r i v i n g a n d r e l e a s i n g s t e p s o f t h e o p t i m i z e d c i r c u i t ,t h e l e a k a g e c u r r e n t i s d e c r e a s e d i na r e g u l a r o pe r a t i o n .M o r e o v e r ,t h e c i r c u i t i s v e r if i e dw i t hs i m u l a t i o n sb a s e d o nm o d e l si nt h eS M I C s0.18μm C MO S p r o c e s st e c h n o l og y l i b r a r y a n dth ef a b ri c a t e d E S D p o w e r -r a i l c l a m p c i r c u i th a s p a s s e dt h e H B M (H u m a n B o d y Mo d e l )E S Dt e s ta t ʃ4000V.T h ec i r c u i t sc a nb e s u c c e s s f u l l y u s e d f o r t h e 5V p o w e r r a i l E S D p r o t e c t i o n .K e y W o r d s : e l e c t r o -s t a t i c d i s c h a r g e ;p r o t e c t i o n c i r c u i t s ;h i e r a r c h i c a l d r i v e r ;l e a k a g e c u r r e n t 随着互补金属氧化物半导体(C o m p l e m e n t a r y M e t a l -O x i d e -S e m i c o n d u c t o r ,C MO S )集成电路工艺发展到深亚微米阶段,静电放电(E l e c t r o S t a t i cD i s c h a r g e ,E S D )保护在可靠性设计方面愈加重要[1].为了准确评估芯片的鲁棒性,在实际测试中创建了不同模型模拟可能存在的威胁形式,主要分为:人体模型(H u m a n B o d y M o d e l ,H B M )㊁机器模型(M a c h i n e M o d e l ,MM )和充电器件模型(C h a r g i n g D e v i c e M o d e l ,C D M )[2].一般民用芯片人体模型耐压标准为2k V ,测试电压抬升率为2k V /10n s .美军军标M I L -S T D -883J /m e t h o d 3015.9规定了军用芯片标准,耐压为4k V ,测试电压抬升率为4k V /10n s [3].全芯片静电放电防护电路分为电源轨静电放电箝位电路和I /O 端口静电放电箝位电路[4].目前,用于I /O 端口的静电放电防护技术已较为成熟.受限于应用场合的特殊性及工艺限制,适于电源轨到地的静电放电箝位电路往往存在触发电压高㊁开启速度慢以及自身易损坏等缺点[5].文献[6]采用0.18μm C MO S 标准工艺,通过对传统静电放电电源箝位电路改进,提出了一种动态侦测防护电路,具有漏电流低的优点;文献2018年10月第45卷 第5期 西安电子科技大学学报(自然科学版)J O UR N A L O F X I D I A N U N I V E R S I T Y O c t .2018V o l .45 N o .5h t t p ://w w w.x d x b .n e t[7]采用0.18μm C MO S 标准工艺,基于传统接地N 沟道金属氧化物半导体(G a t e -G r o u n dN -c h a n n e lM e t a l O x i d eS e m i c o n d u c t o r ,G G -NMO S )结构,提出了一款正常工作电压为3.3V 的静电放电电源箝位电路,具有耐压值高的优点.受工艺限制,上述文献中的设计均不适于5V 电源轨的静电放电箝位保护.对于通用串行总线(U n i v e r s a l S e r i a lB u s ,U S B )等5V 供电情况,利用0.18μm C MO S 标准工艺实现时,需专门设计适于5V 电源轨的静电放电箝位电路和低压差稳压器(L o w D r o p O u t r e g u l a t o r ,L D O )电路.基于此,笔者折中考虑了电源电压㊁工艺㊁耐压值及面积等,从整体静电放电电源轨防护网络[8]出发,利用0.18μm 3.3V C MO S 工艺,通过采用电平移位及低漏电流续流措施,实现了一款适于5V 电源轨的新型静电放电箝位电路,避免了高压工艺造成的成本增加.该电路利用分级驱动措施避免了泄放电路误触发,同时加强了对泄放管的驱动能力,正常工作时关断更彻底,减小了泄放通路的漏电流.1 传统静电放电电源箝位电路1.1 静电放电电源防护简介静电放电是一个瞬态大电流事件,特点是放电电流大㊁速度快.静电放电防护电路设计的目的是在静电放电事件发生时,确保芯片引脚电压有适当的箝位措施,避免静电放电事件对芯片内部电路造成损坏.在设计中,静电放电防护分为器件级防护㊁电路级防护和系统级防护.静电放电电路级防护在保护内部电路的同时,需保证器件本身的鲁棒性,以确保芯片可靠地运行.在高电压脉冲作用下,静电放电电源箝位电路将电源轨电压箝位,避免电压过载而导致内部电路受损,同时其具备足够的电流泄放能力,吸收静电放电事件引起的瞬态大电流.静电放电防护电路在正常工作时需具备高稳定性,保证关闭;在静电放电事件发生时,能迅速响应.静电放电电源箝位电路用于基于电源轨的静电放电系统级防护网络设计和基于P A D 的静电放电系统级防护网络设计,位于电源轨之间,能及时消除电源总线和P A D 高电压脉冲对内部电路的影响[9],有效地实现不同放电模式下全芯片静电放电防护.1.2 传统静电放电电源箝位电路早期静电放电电源防护电路多采用G G -NMO S 结构,通过大尺寸的栅极接地NMO S 管实现电源轨间静电放电脉冲泄放,金属氧化物半导体(M e t a lO x i d eS e m i c o n d u c t o r ,MO S )管栅极㊁源极和衬底同时接地,漏区作为阳极接V D D ,开启电压为漏区和衬底间P N 结的反向击穿电压,漏源电压被箝位于寄生双极晶体管(B i p o l a r J u n c t i o nT r a n s i s t o r ,B J T )回扫电压点上,实现对内部电路的保护.但其存在触发电压高㊁保护能力弱以及G G -NMO S 管工艺特殊/不采用最小间距设计规则等缺点.图1 改进型G G -NMO S 电路实例基于上述不足,目前常用改进型G G -NMO S 静电放电电源箝位结构.较传统结构,加入了静电放电事件动态检测电路,以控制泄放通路通断.因泄放管是由栅极控制导通而非雪崩击穿导通,导通电压较低,能够对静电放电事件迅速响应.图1所示为典型的改进型G G -NMO S静电放电电源箝位电路,其中电阻R 和MO S 电容M 1构成动态检测电路,控制泄放管M 4的导通或关断.图1所示电路的H S p i c e 仿真波形如图2所示.图2(a )对于静电放电脉冲,节点A 电压不能及时跟随电源轨静电放电脉冲的变化,正静电放电脉冲使M 2导通,在保证M 2导通能力强于M 3的情况下,V B 上升,致使M 4导通,静电放电泄放通路打开,完成静电放电脉冲泄放;图2(b )是正常工作时,A 点电压有充足的时间上升,使B 点电压为低,泄放通路关闭,不影响电路正常工作.在U S B 等5V 供电场合,为避免高压工艺所造成的成本增加,采用0.18μm C MO S 标准工艺实现时,因工艺限制,器件正常工作电压多为1.8V 和3.3V ,图1所示结构不适于5V 电源轨的静电放电箝位防护.基于此,笔者在传统静电放电电源箝位电路的基础上,采用电平移位以及低漏电流续流措施完成了一种适于5V 电源轨的静电放电箝位电路设计,同时利用分级驱动强化了正常上电时泄放通路的关闭程度,降低了该电路正常工作时的漏电流,可靠地实现了0.18μm C MO S 标准工艺下5V 电源轨的静电放电箝位设计.79第5期 陈迪平等:3.3VC MO S 工艺下5V 电源轨的E S D 箝位电路h t t p ://w w w.x d x b .n et图2 改进型G G -NMO S 电源箝位电路的瞬态响应2 3.3VC M O S 工艺下5V 电源轨的静电放电箝位电路2.1 电路设计基于工艺限制以及上述电路的不足,笔者设计了一种适于3.3V C MO S 工艺的5V 电源轨静电放电箝位电路,如图3所示.设计分为5个部分:电平移位单元㊁低漏续流单元㊁R C 触发电路㊁分级驱动单元以及静电放电泄放单元.图3 3.3VC MO S 集成电路工艺下5V 电源轨的静电放电箝位电路正常上电响应:MO S 电容M 10两端电压V B 逐渐抬升;当上电完成后,V B 为高电平,经分级驱动单元对B 点电压波形整形,分级驱动单元输出可靠的逻辑低电平(地电位),使M 18关闭,切断了泄放支路漏电流通路.在设计中:(1)工作于亚阈值区的电平移位单元M 1~M 4.完成V D D 5(5V )到3V 左右的电平移位(一般地,亚阈值工作区MO S 场效管过驱动电压约为-100m V ,考虑到实际工艺下P 沟道金属氧化物半导体(P -c h a n n e l M e t a lO x i d eS e m i c o n d u c t o r ,P MO S )阈值电压约为-600m V ,故采用四管予以实现),以确保正常工作时,3.3V 工艺晶体管长期可靠地工作.据文献[10],亚阈值系数为C =I [D I 0(W /L ]) ,(1)其中,I D 为晶体管漏极电流;I 0=2n μC o x V 2T ,是一个只由工艺决定的电流值;W 为MO S 场效管的沟道宽度;L 为MO S 场效管的沟道长度.当C >10时,晶体管工作于强反型区;当C =1时,介于亚阈值区和强反型区的过渡区;当C <0.1时,工作于亚阈值区.施加适当偏置,可确定晶体管工作区域.(2)低漏续流单元M 5~M 8.在电路正常上电时,为电平移位单元提供适当的亚阈值电流.亚阈值区晶体管漏极电流ID 与柵源电压V G S 的近似关系为[11]89 西安电子科技大学学报(自然科学版) 第45卷h t t p ://w w w.x d x b .n e tI D =2n μC o x æèçöø÷W L V 2T e x p V G S -V T H n V æèçöø÷T ,(2)其中,V T =K T /q ,为温度电压;n =1+C d e p Co x ;C o x =ε0εr t o x ,为栅氧化层单位面积电容,ε0为真空介电常数,εr 为栅介质材料相对介电常数,t o x 为栅氧化层厚度;C d e p 为单位面积沟道耗尽层电容;μ为载流子表面迁移率;V T H 为阈值电压.据式(1)和式(2),M 5~M 8采用大比值倒比管实现,以降低正常电源电压下的漏电流.(3)分级驱动单元.完成对泄放管M 18的驱动电压波形整形,产生驱动逻辑电平,使得M 18迅速彻底地关断,降低泄放通路的漏电流.为降低正常上电过程中以及稳态时的漏电流,设计中,M 11和M 16采用长沟道晶体管予以实现.正静电放电脉冲响应:当电源正常工作时,泄放管M 17导通,起分压作用,正脉冲通过电平移位单元M 1~M 4迅速耦合到节点A .由于R C 延迟以及分级驱动单元延迟作用,M 15对正脉冲的响应快于对节点B 电位变化的响应,正脉冲使M 15导通并迅速传输到节点C ,致使泄放管M 18导通,泄放通路形成.为确保泄放通路的响应速度,电平移位单元及晶体管M 15均采用较大的宽长比予以实现,以保证静电放电事件到来时,泄放通路迅速彻底地导通.当电源未上电时,因电平移位单元M 1~M 4的响应速度过慢,采用MO S 电容M 19和M 20,迅速将正静电放电脉冲耦合到节点A 和节点C,以确保泄放通路及时可靠地导通.此举亦有助于正常上电时,静电放电电源箝位电路对正静电放电脉冲的响应.为确保泄放通路电流容量充足,静电放电泄放单元采用大的宽长比予以实现.负静电放电脉冲响应:在负静电放电脉冲作用下,晶体管M 17的漏区 衬底二极管正向导通,形成有效的泄放通路.在设计中,M 17采用宽沟道管予以实现,以确保充足的电流容量,实现对内部电路的保护.此外,负脉冲会通过电平移位单元以及MO S 电容M 19㊁M 20耦合到节点A 和节点C ,在脉冲到来时,该电路形成M 17栅极 P MO S 电阻(M 5) M 6漏极(N ) M 6衬底(P ) A V S S (地)的有效泄放通路,以避免M 17的栅氧化层被击穿.同理,可形成M 18栅极 M 16漏区(N ) M 16衬底(P ) A V S S (地)的有效泄放通路,以避免泄放管M 18的栅氧化层被击穿.文献[12]中提出,测试系统引入的电源轨残留电荷会影响静电放电箝位电路正常工作,导致泄放通路MO S 场效管电压回滞先于R C 触发单元响应而开启.笔者利用二极管D 1消除电源轨残留电荷引起的MO S 场效管回滞电压响应的偏移.在回滞电压响应存在偏移时,正静电放电脉冲作用下D 1反向击穿,负静电放电脉冲作用下D 1正向导通.此举在泄放通道因偏移而未开启的情况下,实现对内部电路保护,避免电源轨残留电荷造成静电放电电源箝位功能失效.相对于多晶硅电阻,P MO S 电阻响应更快,因此笔者采用P MOS 电阻代替多晶硅电阻,以提高电路的灵敏度,此举亦有利于减小芯片的面积.一般地,静电放电事件上升时间约为2~10n s ,持续时间约为150n s ;正常快上电时间约为100μs ,慢上电时间约为1m s .考虑分级驱动单元反相器延时,在设计及仿真模型搭建中,R C 时间常数介于0.5~50μs 之间,以确保电路在正常工作及静电放电事件作用下工作合理.图4 静电放电电源箝位电路版图设计2.2 仿真分析静电放电电源箝位电路版图设计如图4中虚线区域所示.C MO S 集成电路中器件隔离主要由反偏P N 结实现.当负静电放电脉冲放电时,电路中反向隔离的P N 结处于正向偏置,具备很强的泄放能力.因此,在电路设计中主要考虑正静电放电脉冲放电的情况.设计采用H S p i c e 仿真工具,基于S M I C 0.18μm C MO S 工艺库模型,对笔者设计的静电放电电源箝位电路进行了仿真分析.用上升时间为10n s ㊁脉宽为150n s ㊁幅度为0~10V 的方波脉冲模拟静电放电电压.笔者设计的静电放电电源箝位电路中各节点的电压波形如图5(a )所示.正静电放电脉冲作用下,节点A 和节点C 电位迅速上升并超过5V ,使得泄放晶体管打开,形成有效的泄放通路,实现对静电放电脉冲的泄放.用上升时间为100μs ㊁幅度为0~5V 的分段线性电压源模拟电源正常上电的情况,仿真结果如图5(b )所示.当电源电压正常工作时,V A 和V B 约为2.8V ,保证了静电放电电源箝位电路所有器件99第5期 陈迪平等:3.3VC MO S 工艺下5V 电源轨的E S D 箝位电路h t t p ://w w w.x d x b .n e t的正常工作.V C 为地电位,使M 18关断,有效地切断了泄放通路,降低了漏电流.比较图2,图5所示结构在保证静电放电事件和正常上电情况下,在保证电源轨箝位保护电路的正确性和有效性的同时,确保了电路核心节点的电压低于工艺要求,验证了该电路的可靠性.由此可见,笔者所设计的新型5V 电源轨静电放电箝位电路可靠地实现了3.3V C MO S 工艺下,5V 电源轨静电放电箝位防护,并通过H S p i c e 仿真验证了笔者设计的静电放电电源箝位电路的正确性和有效性.图5笔者设计的静电放电电源箝位电路响应波形图6 T L P 测试结果3 测试结果为验证上述5V 电源轨静电放电箝位电路的性能,利用中芯国际集成电路制造(上海)公司(S e m i c o n d u c t o r M a n u f a c t u r i n g In t e r n a t i o n a l C o r p o r a t i o n ,S M I C )0.18μm C MO S 工艺对该电路进行了流片.流片后的整体芯片可正常工作,笔者设计的静电放电电源箝位电路不影响整体芯片的正常工作.图6所示为该电路在传输线脉冲(T r a n s m i s s i o nL i n eP u l s e,T L P )测试平台测得的曲线,其二次击穿电流I t 2约为5.2A ,正常工作时泄漏电流约为28μA.较整体芯片而言,正常工作时该电路静态功耗影响较低,满足设计要求;基于人体模型静电放电标准M I L -S T D -883J /M e t h o d3015.9,对流片后的芯片样品进行测试,结果如表1所示.测试结果表明,笔者设计的静电放电电源箝位电路达到静电敏感等级C l a s s -3A 级,即达到设计要求,适于民用芯片静电放电防护设计.表1 静电放电测试结果测试条件引脚组合样品数灵敏度/V 测试模型:人体模型灵敏度:ʃ4000V静电敏感等级:C l a s s -3A 标准:M I L -S T D -883J /M e t h o d3015.9所有引脚到G N D (+)3+4000所有引脚到G N D (-)3-4000所有引脚到V D D 5(+)3+4000所有引脚到V D D 5(-)3-4000所有引脚到A V D D 33(+)3+4000所有引脚到A V D D 33(-)3-4000所有引脚到A V D D 18(+)3+4000所有引脚到A V D D 18(-)3-4000所有引脚到V D D I O (+)3+4000所有引脚到V D D I O (-)3-4000I O 引脚到I O 引脚(+)3+4000I O 引脚到I O 引脚(-)3-40004 结束语通过对传统静电放电电源箝位电路的结构和工作原理分析,针对其不足及工艺限制,笔者设计了一种适01 西安电子科技大学学报(自然科学版) 第45卷h t t p ://w w w.x d x b .n e t 于3.3V C MO S 工艺的5V 电源轨静电放电箝位电路.基于S M I C 0.18μm C MO S 工艺库模型,使用H S p i c e 工具仿真验证了该电路的正确性.笔者设计的静电放电箝位电路已在一款自主芯片中实际应用.设计采用0.18μmC MO S 工艺下的普通器件,降低了电路成本.流片结果通过了人体模型ʃ4000V 测试,达到静电敏感等级C l a s s -3A 级,满足设计要求.参考文献:[1]L U G Y,WA N G Y,C A OJ ,e t a l .A N o v e lL o w -l e a k a g eP o w e r -r a i lE S D C l a m p C i r c u i tw i t h A d j u s t a b l eT r i g g e r i n g V o l t a g ea n d S u p e r i o r F a l s e -t r i g g e r i n g I mm u n i t y f o r N a n o s c a l e A p p l i c a t i o n s [C ]//P r o c e e d i n g s o ft h e 2016I E E E I n t e r n a t i o n a l S y m p o s i u mo nC i r c u i t s a n dS y s t e m s .P i s c a t a w a y :I E E E ,2016:265-268.[2]S A L MA N A A,F A R B I ZF ,A P P A S WAMY A.S t a t e -o f -t h e -a r tE S DP r o t e c t i o nD e v i c e s a n dT e c h n i q u e s f o rD i g i t a l a n d A n a l o g T e c h n o l o g i e s [C ]//P r o c e e d i n g s o f t h e 2016S o i -3d -S ub t h r e s h o l dM ic r o e l e c t r o n i c sT e c h n o l o g y U n i f i e dC o n f e r e n c e .P i s c a t a w a y:I E E E ,2016:7804383.[3]D E P A R TM E N T O FD E F E N S E O F U S A.M I L -S T D -883J M e t h o d3015.9[S ].W a s h i n g t o n :D e pa r t m e n to fD e f e n s eo f U S A,2013.[4]L I O UJC ,L I N W D.I n t e g r a t e d M u l t i -l e v e l C MO SE l e c t r o s t a t i cD i s c h a r g e (M L C -E S D )P r o t e c t i o n M e d i c a lU l t r a s o u n d C h i p S y s t e m [C ]//P r o c e e d i n g s o ft h e 20163r d I n t e r n a t i o n a l C o n f e r e n c e o n G r e e n T e c h n o l o g y an d S u s t a i n a b l e D e v e l o p m e n t .W a s h i n g t o n :I E E EC o m p u t e r S o c i e t y ,2016:78-81.[5]王怡飞,白雪飞,郭立.一种C MO S I C 片上电源E S D 保护电路[J ].电子器件,2008,31(6):1780-1782.WA N G Y i f e i ,B A IX u e f e i ,G U O L i .P o w e r S y s t e m E S DP r o t e c t i o nC i r c u i tD e s i g n i nC MO S I C [J ].C h i n e s e J o u r n a l o f E l e c t i o nD e v i c e s ,2008,31(6):1780-1782.[6]刘红侠,刘青山.0.18μm C MO S 工艺下的新型E S D 保护电路设计[J ].西安电子科技大学学报,2009,36(5):867-870.L I U H o n g x i a ,L I U Q i n g s h a n .A n a l y s i sa n d D e s i g no fN o v e lE S D P r o t e c t i o nC i r c u i t i n0.18μm C MO SP r o c e s s [J ].J o u r n a l o fX i d i a nU n i v e r s i t y ,2009,36(5):867-870.[7]L I ZG,Y U ESG,S U N YS .G D NMO SD e s i g n f o rE S DP r o t e c t i o n i nS u b m i c r o nC MO SV L S I [C ]//P r o c e e d i n gs o f t h e 20091s t A s i aP a c i f i cC o n f e r e n c eo n P o s t g r a d u a t e R e s e a r c hi n M i c r o e l e c t r o n i c sa n d E l e c t r o n i c s .P i s c a t a w a y:I E E E ,2009:432-435.[8]C A OJ ,Y EZ ,WA N G Y,e t a l .A L o w -l e a k a g eP o w e rC l a m p E S D P r o t e c t i o nC i r c u i tw i t hP r o l o n g e dE S D D i s c h a r g e T i m e a n d C o m p a c tD e t e c t i o n N e t w o r k [C ]//P r o c e e d i n gso ft h e2015I E E E 11t hI n t e r n a t i o n a lC o n f e r e n c eo n A S I C .P i s c a t a w a y :I E E E ,2015:7516982.[9]L E EJH,I Y E RN M,J A I NR,e t a l .N e wV o l t a g eC o n t r o l l e dD i o d e f o r P o w e rR a i l a n dR e gu l a t o r E S DP r o t e c t i o n [C ]//P r o c e e d i n g s o f t h e 2017I E E EI n t e r n a t i o n a lR e l i a b i l i t y P h y s i c sS y m p o s i u m.P i s c a t a w a y :I E E E ,2017:7936299.[10]B I N K L E Y D M,HO P P E R C E ,T U C K E RSD,e ta l .A C A D M e t h o d o l o g y f o rO p t i m i z i n g Tr a n s i s t o rC u r r e n ta n d S i z i n g i nA n a l o g C MO SD e s i g n [J ].I E E E T r a n s a c t i o n so nC o m p u t e r -A i d e dD e s i g no f I n t e g r a t e dC i r c u i t sa n dS y s t e m s ,2003,22(2):225-237.[11]F A R Z E E NS ,R E N GY,C H E NC H.A nU l t r a -l o wP o w e rR i n g O s c i l l a t o r f o r P a s s i v eUH FR F I DT r a n s p o n d e r s [C ]//P r o c e e d i n g s o f t h e2010I E E EI n t e r n a t i o n a l53r d M i d w e s tS y m p o s i u m o n C i r c u i t sa n dS y s t e m s .P i s c a t a w a y:I E E E ,2010:558-561.[12]A S H T O N R A,W E I RBE ,W E I S SG,e t a l .V o l t a g e sb e f o r e a n da f t e rH B M S t r e s s a n dT h e i rE f f e c t o nD y n a m i c a l l yT r i g g e r e dP o w e r S u p p l y C l a m p s [C ]//P r o c e e d i n g s o f t h e 2004E l e c t r i c a lO v e r s t r e s s /E l e c t r o s t a t i cD i s c h a r g e S y m po s i u m.R o m e :E S D A s s o c i a t i o n ,2004:5272616.(编辑:郭 华)101第5期 陈迪平等:3.3VC MO S 工艺下5V 电源轨的E S D 箝位电路。
自然科学类核心期刊[1]
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XXXX大学学报自然科学版
一种改进型微带线定向耦合器及其应用
Ｔ２ Γ
ａ３
当端口 １ 与端口 ３ 之间的隔离度非常高时 ，式 （３ ）中的
Ｓ３１ 近似为 ０ ，所以 ，在空余端口所需的反射系数为
Γ ＝ － １／（ＴＣ） ．
（４ ）
从以上分析可以看出 ，调整端口 ４ 的反射系数 ，可以改变
该端口的反射信号 ．如果端口 ４ 的反射信号在端口 ３ 处的幅
图 ４ 传统微带线定向耦合器的隔离度和耦合度
图 ５ 改进的微带线定向耦合器模型
改进的微带线定向耦合器以传统定向耦合器为基础 ，但是在空余端口（端口 ４ ）引入两个分布元件 ：短路
枝节和开路 枝 节 ，如 图 ５ 所 示 ．经 过 优 化 ，各 部 分 尺 寸 为 ： Ｌ ＝ ４６ ｍｍ ，Ｗ ＝ ２畅 １ ｍｍ ，Ｓ ＝ ０畅 ２５ ｍｍ ，Ｌｐ ＝ １４ ｍｍ ；开路枝节位置 Ｌｓ ＝ ８畅 ５ ｍｍ ，开路枝节宽１畅 ５ ｍｍ ，长 ＬＯ ＝ ２畅 ６ ｍｍ ；短路枝节宽０畅 ５ ｍｍ ，长３０ ｍｍ ．为了 便于比较 ，同时也仿真了相同尺寸下文献 ［６ ］建议的定向耦合器 （经过优化） ．两种微带线定向耦合器的仿真比较结果如图 ６ 所示 ．
中端口 ４ 存在如下关系 ：
ａ４ ＝ Γ ｂ４ ．
（２ ）
将式（２）代入式（１） ，改进的定向耦合器的 Ｓ 参数可表示为一
个３ × ３ 阶的矩阵 ，即
ｂ１
Ｃ２ Γ Ｔ ＋ ＣΓ Ｉ １ ＋ ＣΓ Ｔ ａ１
ｂ２ ＝ Ｔ ＋ ＣΓ Ｉ
Ｉ２ Γ Ｃ ＋ Ｔ Γ Ｉ ａ２ ． （３）
ｂ３
１ ＋ ＣΓ Ｔ Ｃ ＋ ＴΓ Ｉ
（１ ．西安电子科技大学 天线与微波技术重点实验室 ，陕西 西安 ７１００７１ ； ２ ．西安工业大学 ，陕西 西安 ７１００３２）
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(4) 下角标中的非物理量。
静态贝叶斯博弈主动防御策略选取方法_王晋东_余定坤_张恒巍_王娜
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西安电子科技大学学报（自然科学版）
第 43 卷
近。 Min Yu 等人[4-6]提出了攻防随机博弈模型， 对网络攻防状态的动态变化进行建模， 并应用于防御策略选 [7] 取等方面，不足之处在于状态转移概率函数不易确定。林旺群等人 将动态博弈模型引入网络主动防御中， 通过“虚拟节点”将网络攻防图转化为网络博弈树，存在的问题在于基于完全信息假设，且未充分考虑策略 收益量化问题。刘玉岭等人[8]将不完全信息静态博弈模型运用于蠕虫策略绩效评估方面，存在的问题是未 考虑防御者多种类型的情况，且仅对纯策略贝叶斯均衡进行了分析。Nguyen K C 人[9]建立了不完全信息静 态博弈模型对传感器网络安全防御进行分析， 存在的问题是模型未对攻击者类型进行划分， 攻防策略简单， [10] 且策略收益量化仅为假设，未结合网络的实际情况。Liu P 等人 运用基于动机的方法建立了 AIOS 模型， 并运用不完全信息静态博弈来推理该模型，存在的问题是收益量化基于假设而非网络具体情况，且攻击者 类型分类简单，仅分为好与坏。Cristina C 等人[11]运用不完全信息博弈对无线 Ad Hoc 网络发生的攻击行为 进行分析，存在的问题是未对攻击者详细分类，收益量化简单，且仅对均衡存在情况进行讨论，并未赋予 均衡实际意义。 目前基于博弈模型的最优防御策略选取方法，多采用完全信息假设，不贴近网络实际情况，使用场合 受限，实用性不强。而基于不完全信息博弈的网络安全防御，多数没有或简单考虑攻击者的类型，未划分 防御者类型，策略收益量化简单，未结合网络实际。另外，在策略选取时，仅给出混合策略对防御策略进 行选取操作性不强。针对以上问题，本文贡献如下： （1）本文建立了基于静态贝叶斯博弈的主动防御模型， 考虑了多种防御者类型，并全面详细地分析了博弈的混合策略贝叶斯均衡； （2）本文提出了基于防御效能 的最优策略选取方法，将攻击者混合策略均衡概率分布看作防御者对攻击者可能采取行动的可信预测;（3） 通过防御者对攻击者可能采取行动的可信预测计算防御策略效能，并给出了最优防御策略选取算法，指导 防御者进行策略选取。
《自然资源学报》论文格式
附件一：《自然资源学报》稿件基本格式要求（共10条）文稿请用A4纸打印两份邮寄或发E-mail(地址:zrzyxb@),每篇论文请勿超6页（每个页码为39字×44行，字体5宋,包括页下地脚、图、表、中英文摘要和参考文献等），下列各项须齐全。
1 题名20字内2 作者姓名、单位例：李志刚1，陈向东1，王平2，张玉顺3（1．大连理工大学工业装备结构分析国家重点实验室，辽宁大连116024；2.国家地震局工程力学研究所，黑龙江哈尔滨150080；3.广东省地震研究所，广东广州510070）3 中文摘要：300字内（应包括研究目的、方法、结果和结论，应有实际数据等支撑，忌指示性）4 中文关键词：不少于4个（第1个：该文工作或内容所属二级学科名称；第2个：成果名称或文内若干个成果的总类别名称；第3个：研究方法的具体名称或所用方法的名称；第4个：前3个关键词中未出现的、但被该文作为主要研究对象的事或物质的名称，或在文题中出现的作者认为重要的名词），各词间用“；”分隔；5 中图分类号：以《中国图书馆分类法》第四版分类6 文献标识码：如下：A——理论与应用研究学术论文（包括综述报告）B——实用性技术成果报告（科技）、理论学习与社会实践总结（社科）C——业务指导与技术管理性文章（包括领导讲话、特约评论等）D——一般动态性信息（通讯、报道、会议活动、专访等）E——文件、资料（包括历史资料、统计资料、机构、人物、书刊、知识介绍等）不属于上述各类的文章以及文摘、零讯、补白、广告、启事等不加文献标识码。
7 篇首页地脚下按序排收稿日期：例:1998-06-09；修订日期1998-12-20基金项目：例:国家自然科学基金资助项目（39370561）；国家科技攻关项目（95-004-05-06）（第一）作者简介：100字内，按姓名（出生年-），性别（民族——汉族可省略），籍贯，职称，学位，研究方向.顺序列出. 例:千怀遂(1956-),男,河南武陡人,教授,硕士,主要研究遥感技术应用和自然环境变化及其影响。
西安电子科技大学学报(自然科学版)参考文献著录格式及示例
西安电子科技大学学报（自然科学版）参考文献著录格式及示例参考文献采用顺序编码制，即参考文献著录序号按照引用文献在论文中出现的先后顺序连续编号，不能遗漏或颠倒。
序号置于方括号内，排列在文中相应位置右上角；同一文献在文中被反复引用者，均用第一次出现的序号标示。
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RD—MUSIC的二维DOA估计方法
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第X卷第X期JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY V ol.XX No.X doi：10.3969/j.issn.1001-2400.2XXX.0X.0
中文题目（小2号，占4行，居中）
××2,1，×××3，×××3,1（4号仿宋，占1行，居中）
(1. 西安电子科技大学×××××，陕西西安710071；
2．西安电子科技大学×××××，陕西西安710071；
3. 西安电子科技大学×××××，陕西西安710071)（小5号楷体）
摘要：华文楷体（小5号）(中文摘要及关键词左右各缩进2个字符)
关键词：华文楷体（小5号）
中图分类号：文献标识码：A文章编号：1001-2400(2XXX)0X-0-0（小5号）
Software implementation of the dynamic modeling code(4号黑，占4行，居中) MO Mo2,1, MO Momo3, MO Momo3,1(5号斜，占1行，居中)
(1. School of Electronic Engineering, Xidian Univ., Xi’an 710071, China; 2. School of Electronic Engineering,
Xidian Univ., Xi’an 710071, China; 3. School of Electronic Engineering, Xidian Univ., Xi’an 710071,
China)(小5号)
Abstract: （小5号）
Key Words: （小5号）
（空1行）(英文摘要及关键词左右各缩进2个字符)。
正文(5号宋体)
1题目名(4号黑，占3行，居左)
正文(5号宋体)
1.1题目名（5号黑，占1行，居左）
正文(5号宋体)
1.1.1题目名（5号仿宋，占1行，居左）
正文(5号宋体)
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收稿日期：网络出版日期：
说明：（具体格式参见附件：学报版式样张.pdf）
1．首页篇眉格式如第1页篇眉所示（无页码）。
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3．奇数页篇眉格式如第3页篇眉所示（页码在上，居右）。
4．所有的页眉，脚注均为小5号，宋体。
5．表题居中：表1统计结果（5号黑）。
文中表格采用三线表。
表格中的文字为小5号宋体。
表题为5号黑体居中。
（具体格式参见附件：学报版式样张.pdf）
6. 文中串文图的尺寸控制在65mm×70mm(高×宽)以内。
通栏图(以(a)~(c)三个并排图为例)的尺寸控制在70 mm×160mm(高×宽)以内，如果图比较大（如(a)~(m)这种大图），其宽度最好控制在160mm以内。
所有图中的文字均为6号宋体。
（具体格式参见附件：学报版式样张.pdf）
7．图题：图1 XXX示意图（小5号楷体）。
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变量尽量用单个字母（可以带上下标）表示。
常数和文字均用正体字母表示，如自然数e、虚数单位i或j、圆周率π。
11. 公式：公式居中，公式号居右。
公式转行时所有的行末均以运算符号结束，而不能将运算符号移至下行行首；公式中的字符为5号字。
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参考文献：（5号黑体，占2行，居左）（具体格式参见附件：学报版式样张.pdf）
[1] 小5号（居左）
第X期×××等：中文题名 3 奇数页篇眉格式如本页篇眉所示（页码在上，居右）。