光耦-原材料规格书模板
074h光耦规格书
074h光耦规格书074H光耦规格书1. 引言光耦是一种电子元件，用于在电气隔离的环境中实现电气信号的传输。
本规格书旨在提供关于074H光耦的详细信息，包括其性能参数、应用范围以及使用要求等。
2. 产品描述2.1 产品名称：074H光耦2.2 产品型号：2.3 封装形式：2.4 光耦结构：3. 技术指标3.1 电气参数3.1.1 输入端- 最大输入光功率：XX mW- 光传感器响应频率：XX kHz- 输入电流：XX mA- 输入电压：XX V- 输入功耗：XX mW3.1.2 输出端- 输出电流：XX mA- 输出电压：XX V- 输出功耗：XX mW- 幅度传递比：XX dB3.2 光学参数3.2.1 发射端- 发射光功率：XX mW- 波段范围：XX nm- 发射光谱宽度：XX nm- 发射角度：XX 度- 发射一致性：XX dB3.2.2 接收端- 接收灵敏度：XX V/mW- 接收角度：XX 度- 接收一致性：XX dB- 线性动态范围：XX dB3.3 环境参数3.3.1 工作温度范围：XX ℃3.3.2 存储温度范围：XX ℃4. 应用范围074H光耦广泛应用于以下领域：4.1 高精度测量仪器4.2 电力控制设备4.3 数字逻辑电路隔离4.4 自动化设备4.5 电力传输与分配5. 使用要求5.1 安装5.1.1 检查产品是否受损5.1.2 将光耦正确安装在电路板上5.1.3 避免外界光线照射5.2 电气连接5.2.1 输入端与输出端的电气连接方式5.2.2 确保电源电压与电流满足要求5.2.3 使用正确的电缆及插头连接5.3 使用环境5.3.1 工作温度范围内使用5.3.2 避免湿度过高的环境5.3.3 避免超过规定的工作电压5.4 维护和保养5.4.1 定期检查光耦的工作状态5.4.2 清洁光耦表面的灰尘或污渍5.4.3 及时更换老化或损坏的光耦6. 标准符合性074H光耦符合以下标准和规范：- IEC 60747-5-5：XX- ISO XXXX：XX7. 产品包装与运输7.1 包装材料7.2 包装的方式7.3 运输要求8. 售后服务8.1 产品质保期8.2 售后技术支持8.3 售后服务流程8.4 售后服务联系方式9. 附件- 产品外观图纸- 产品功能测试报告- 相关认证证书10. 版本历史版本号日期修订内容11. 结论本规格书详细介绍了074H光耦的技术指标、应用范围、使用要求等内容。
厦门华联电子股份有限公司 HPC357× 光敏晶体管输出型光耦合器 产品规格书说明书
产品规格书SPECIFICATION产品名称：光敏晶体管输出型光耦合器DESCRIPTION:Photo-transistor Output Opto-coupler产品型号：HPC357×PART NO.：HPC357×电话Tel ：86-0592-*******传真Fax ：86-0592-*******网址Web ：地址：厦门市翔安区舫阳南路189号Add ：No.189,Fangyang South Road,Xiangan District,Xiamen China.拟制Prepared 审核Verified 批准Approved厦门华联电子股份有限公司Xiamen Hualian Electronics Corp.,Ltd.1概述GeneralHPC357×是光敏晶体管输出型光耦合器，将红外LED芯片和光敏晶体管芯片封装在一起，以实现电一光一电转换。
The HPC357×is Photo-transistor Output Opto-coupler,that infrared LED chip andPhoto-transistor chip are assembled on lead frame,in order to change theelectricity-light-electricity.图1产品Figure1-Product 2特点Features●光敏晶体管输出Phototransistor output●输入、输出端之间绝缘电压高Isolation voltage between input and output VISO≥3750Vrms●双列贴片式4L塑料封装SOP4L Plastic Package●UL安全认证Safety certification of UL●VDE安全认证Safety certification of VDE●符合RoHS指令最新要求及REACH法规最新要求。
原材料规格书通用模板
110
2.11
3 12
1.适用范围:本规格说明书描述了----xx公司---生产的产品性能指标
2.Model:型号：
3.Specification
产品规格
NO.
Items
Sp
cifications
1
尺寸
2
材质
3
工作温度
4
储存温度
5
重量
6
7
8
9
10
11
12
4.Battery PACK Performance Criteria
产品规格
4.BatteryPACKPerformance Criteria 4-5
产品性能检查及测试
5.Storage and Others5
贮存及其它事项
6. Protection Circuit Characteristics6
产品电路特性
7.平面尺寸图7-8
8.印刷式样图9
Handling Precautions and Guideline9
产品操作指示及注意事项
备注：1.此规格书模板主要针对不能提供规格书的公司
2.如果是电子类产品也可以提供供应商内部的模块，但必须包含规格书、图纸、样品、出货检测报告
3.结构件（含包装材料）：需包含规格书、平面尺寸图、印刷式样图、产品装箱图等、样品、出货检测报告
Specification Approval Sheet(PACK)
产品规格确认书
产品名称：
规格描述:.
客户料号：
Signature签名
Date日期
Prepared编制
Checked审核
Approved批准
光耦参数及资料
光电耦合器(光耦)参数及资料市场常见光耦内部图：4-Pin Phototransistor Output; GaAs Input 型号(规格) 厂牌CTR @10 mA I F(%)BV CEO(V)minBV CBO(V)maxV CE (sat)(V)maxt ON/ t OFF(uS)maxV ISOAC[RMS] min maxTLP521-1TOSHIBA506005570.42/3 2.5kV光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。
光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。
常用的4N系列光耦属于非线性光耦常用的线性光耦是PC817A—C系列。
非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。
线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。
开关电源中常用的光耦是线性光耦。
如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。
由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。
同时电源带负载能力下降。
在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。
常用的4脚线性光耦有PC817A----C。
PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。
常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。
以下是目前市场上常见的高速光藕型号：100K bit/S:6N138、6N139、PS87031M bit/S:6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）10M bit/S:6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。
产品规格书范本
产品规格书范本1. 引言本产品规格书旨在提供一份详细的产品规格说明，以确保生产过程中的准确性和一致性。
此规格书适用于产品的制造和交付，并可作为用户手册的一部分。
以下是产品规格书的详细描述。
2. 产品概述2.1 产品名称：[产品名称]2.2 产品型号：[产品型号]2.3 产品用途：[产品用途]3. 技术规格3.1 外观与尺寸3.1.1 外观特征：[产品外观特征的准确描述]3.1.2 尺寸要求：[产品尺寸的具体要求]3.2 性能参数3.2.1 电气参数：[产品的电气参数]3.2.2 功率要求：[产品的功率要求]3.2.3 工作温度范围：[产品的工作温度范围要求] 3.2.4 湿度范围：[产品的湿度范围要求]3.2.5 音量：[产品的音量要求]3.3 材料要求3.3.1 外壳材料：[产品外壳所使用的材料要求] 3.3.2 内部材料：[产品内部所使用的材料要求]3.4 安全性能3.4.1 电气安全：[产品的电气安全要求]3.4.2 使用安全：[产品的使用安全要求]3.4.3 环境安全：[产品在环境中的安全要求]4. 品质控制4.1 检验方法4.1.1 外观检查：[产品外观检查的具体方法]4.1.2 功能测试：[产品功能测试的具体方法] 4.1.3 性能测试：[产品性能测试的具体方法]4.2 检验标准4.2.1 外观标准：[产品外观检查的标准]4.2.2 功能标准：[产品功能测试的标准]4.2.3 性能标准：[产品性能测试的标准]5. 包装与运输5.1 包装要求5.1.1 包装材料：[产品包装所使用的材料要求] 5.1.2 包装方式：[产品包装的具体方式要求]5.2 运输方式5.2.1 运输条件：[产品运输时的环境条件要求] 5.2.2 运输包装：[产品运输所使用的包装要求]6. 维护与保养6.1 维护要求6.1.1 维护周期：[产品维护的周期要求]6.1.2 维护内容：[产品维护的具体内容要求]6.2 保养要求6.2.1 保养周期：[产品保养的周期要求]6.2.2 保养内容：[产品保养的具体内容要求]7. 售后服务7.1 保修期限7.1.1 保修期限：[产品保修的期限要求]7.2 服务内容7.2.1 维修服务：[产品售后维修服务的具体内容要求] 7.2.2 技术支持：[产品售后技术支持的具体内容要求]8. 附录8.1 附件：[相关文档的附加说明]这份产品规格书旨在确保生产过程的准确性，并为用户提供准确的产品信息。
原料规格书(空白)精选全文完整版
抗生作素成、农日残 、添加剂及重
项目
பைடு நூலகம்
规格值
修订日 试验法
频率
包确认日期 装
总重量
包装形式 单位重量 内 尺寸 包 材质
包装 封口方法 装
NO.01
部长
品质保证部 食品安全科科长 工厂品管部长
外
尺寸
包
材质
装 封口方法
批 区分方法
次 表示位置
号 表示方法
微生物管理
项目 细菌菌落总数
大肠菌群 大肠杆菌 金黄色葡萄球菌 沙门氏菌
规格值
试验法
频率
原材料特性
项目 风味 外观 品种 规格
基准
贮 藏
开封前
开封后
贮藏条件 保质期限 贮藏条件 保质期限
注意事项
品名 类别 担当者 供应商 地址
编号
营养联成系份电（话100g 含量）及理化分
项目 热 量（kcal）
水 分（g） 蛋白质（g） 脂 质（g） 炭水化合物（g） 灰 分（g）
规格值
联系传真 试验法
频率
原材料规格书
（盖章确 认）
生产厂家
纳入工厂
厂家地址
工厂地址
联系电话
联系传真
责任者
品质确认
作成者
审核者
光电耦合器产品规格书 ORPC-817说明书
产品规格书Specification Sheet品名(P/N):光电耦合器Photocoupler客户名称(Customer):本厂型号(Mfg P/N):ORPC-817日期(Date):深圳市奥伦德科技股份有限公司(股票代码：832016)Shenzhen Orient Tech Ltd.Co（Ticker Symbol：832016）Web:地址：广东深圳龙岗区黄阁路天安数码城4栋3楼A座518172Add：Block A3rd Floor No.4Building Tian'an Cyber Park Huangge Rd,LongGang Dist,Shenzhen,GD,518172版本版次：A/3●特点(Features)1.电流转换比(CTR:最小.50%工作条件I F=5mA,V CE=5V)Current conversion ratio(Min50%Working condition I F=5mA,V CE=5V)2.绝缘电压：(V ISO=5,000Vrms)Insulation Voltage=5,000Vrms，3.响应时间(tr:TYP.4μs；tf:TYP.5μs)工作条件V CE=2V,I C=2mA,R L=100Ω)Response Time(tr:TYP.4μs；tf:TYP.5μs)working condition V CE=2V,I C=2mA,R L=100Ω) 4.UL approved(No.E323844)VDE approved(No.40029733)CQC approved(No.CQC09001029446CQC130********)CE approved(No.AC/0431008)国网approved(No.SGCM013420170152)●说明(Instructions)1.ORPC-817系列光耦合器的组成是：由一个GaAs的发射管和一个NPN的晶体管组成ORPC-817photocoupler consist of one piece of GaAs emitter and one piece of NPN transistor2.ORPC-817的引脚中心距是2.54mm Pin pitch of ORPC-817is2.54mm●应用范围(Application Range)1.开关电源.Switching power supply2.电表.Ammeter3.电脑.Computer4.器具的应用,测量机.Instrumental application,measurement machine5.贮存器,复印机,自动售货机.Imbursement equipments,duplicating machine,automat6.家用电器,如风扇等.Family-use electric equipments,such as fans7.信号传输系统.Signal transforming systems●最大绝对额定值(常温=25℃)Max Absolute rated Value(Normal Temperature=25℃)参数Parameter符号Symbol额定值Rated Value单位Unit输入Inout 顺向电流Forward Current I F60mA 顺向电流峰Peak forward current(1us pulse)I FP1A 逆向电压Reverse Voltage V R6V 功消耗率Consume Power P70mW输出Output 集极与射极电压Collector and emitter Voltage V CEO80V 射极与集极电压Emitter and collector Voltage V ECO6集极电流Collector Current I C50mA 消耗功率Consume Power P C150mW总功率消耗Total Consume Power P tot200mW *1绝缘电压Insulation Voltage V iso5,000Vrms 最大绝缘电压（绝缘油中）Max Insulation Voltage V IOTM10,000V 额定脉冲绝缘电压Rated Impulse Insulation Voltage V IORM630V 工作温度Working Temperature Topr-55to+110℃存贮温度Deposit Temperature T stg-55to+125*2焊锡温度Soldering Temperature T sol260*1.交流测试,时间1分钟，湿度.=40~60%AC Test,1minute,humidity=40~60%如下是绝缘测试的方法.Insulation test method as below:(1)将产品的两端短路。
CYTLP521规格书CN
概述CYTLP521是可控制的光电藕合器件，电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
四引脚封装，三种形式（DIP 、DIP-M 、SMD ）特性∙ 电流转换比 (CTR)范围: 50~600% （I F =5mA ,V CE =5V ） ∙ 输入-输出隔离电压 (Viso=5000 Vrms) ∙ 集电极-发射极击穿电压BV CEO ≥80VApplications∙ 开关电源，智能电表 ∙ 工业控制，测量仪器 ∙ 办公设备，比如复印机∙家用电器，比如空调、风扇、热水器等结构原理图和封装34Absolute Maximum Ratings (Ta=25︒C)光电特性 (Ta=25 C)C FCTR分级表图.1 测试电路INPUTTest C ircuit f or Response Time图.2电流转换比CTR(%)正向电流 I F (mA) 图.3 正向电流 vs. 正向电压曲线图正向电流IF(mA)正向电压 V F (V)图.4集电极电流IC(mA)CE图.5相对电流转换比 (%)图.6 饱和压价 V C E (s a t) (V )图集电极暗电流 I C E O (n A )图.8 响应时间 vs. 负载电阻曲线图响应负载电阻R L (k Ω)图.9 频率响应曲线图电压增益A v (d B )频率 f (kHz)图饱和压降 V C E (s a t ) (V )F外形尺寸Unit: mm (inch)0.52.31.2回流焊温度曲线图T e m p e r a t u r e ()℃25包装■ DIP-4 条管包装1)每箱数量：60000只2)内包装：i.每条管100 只，采用防静电条管，条管上有商标、防静电标志。
ii.每盒60条管3)示意图:■ SMD-4 编带包装1)每卷数量：2000只. 每箱数量：40000 只.2)内包装：每卷盘2000只.3)示意图：卓睿研发有限公司地址：邮政编码：电话Tel: 传真Fax: 电邮Email:卓睿研发有限公司保留在任何时候修改此规格的权利，以改善设计性能和提供更好的产品，恕不另行通知。
光耦参数及资料电子教案
光耦参数及资料光电耦合器(光耦)参数及资料市场常见光耦内部图：4-Pin Phototransistor Output; GaAs Input型号(规格) 厂牌CTR @10 mA IF(%)BVCEO(V)minBVCBO(V)maxVCE (sat)(V)maxtON/ tOFF(uS)maxVISOAC[RMS] min maxTLP521-1 TOSHIBA 50 600 55 7 0.4 2/3 2.5kV TLP521-2 TOSHIBA 50 600 55 7 0.4 2/3 2.5kV TLP521-4 TOSHIBA 100 600 55 7 0.4 2/3 2.5kV TLP621-1 TOSHIBA 50 600 55 7 0.4 2/3 10kV TLP721 TOSHIBA 50 600 55 7 0.4 3/3 4.0kV PS2501 NEC 80 600 80 7 0.3 3/5 5.0kV PS2561 NEC 80 400 80 7 0.3 3/5 5.0kV光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。
光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。
常用的4N系列光耦属于非线性光耦常用的线性光耦是PC817A—C系列。
非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。
线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。
开关电源中常用的光耦是线性光耦。
如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。
由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。
同时电源带负载能力下降。
在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。
常用的4脚线性光耦有PC817A----C。
PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。
光耦Optocouplers
(V)
PC817XJ000F(A) 夏普
PC817XJ000F(C)
EL817L
亿光
pdf DIP-4
pdf DIP-4
5000 5000 5000
80 160
80
200 400
80
50 600
80
价格
生产厂家 订货型号 价格(元/只) 封装
PC817XJ000F(A) 1.00 DIP-4 夏普
PC817XJ000F(C) 1.00 DIP-4
EL817L 亿光
0.80 DIP-4
数量 20~99(只) 100~499(只) 500~999(只) 1000(只)～
折扣率 见表
25%
35%
另行报价
TLP521-1 单通道 - 晶体管输出光耦
简述
TLP521-1 是一个最常用的光耦合器，其输出方式为：晶体管输出。它在电路中一般用作光电隔离, 常用在开关电源中。
特性 • 集电极－发射极电压 VCEO：最小值 55V • 电流转换效率：（IF=5mA, VCE=5V）
A ：50% ~ 6@1minute：(最小)2500 Vrms
引脚图
TLP521-1 引脚图
参数表和规格书
规格书
生产厂家 产品编号
封装
Datasheet
绝缘电压 (RMS) BVS
电流转换率 集电极 (%) －发射极电压
CTR
VCEO
最小值(V AC 1 分钟) 最小 最大
(V)
东芝 TLP521-1(A)
pdf DIP-4
价格
生产厂家 订货型号 价格(元/只) 封装 东芝 TLP521-1(A) 1.00 DIP-4
电子元器件规格书模板
电子元器件规格书模板电子元器件规格书1. 引言电子元器件规格书是为了确保电子产品的设计、制造和维修过程中的一致性和可靠性而编写的。
本规格书旨在提供对电子元器件的详细描述，包括其功能、性能、特性、尺寸、材料等方面的要求。
本文将按照规格书的一般结构，逐步介绍各个部分的内容。
2. 产品描述2.1 产品名称：在此处填写电子元器件的准确名称。
2.2 产品型号：在此处填写电子元器件的型号。
2.3 产品用途：在此处描述电子元器件的主要用途和应用场景。
3. 性能要求3.1 电气特性：- 电压要求：描述电子元器件的工作电压范围和额定电压。
- 电流要求：描述电子元器件的工作电流范围和额定电流。
- 频率要求：描述电子元器件的工作频率范围和额定频率。
3.2 功能要求：- 功能描述：详细描述电子元器件的功能和工作原理。
- 功能参数：列举电子元器件的主要功能参数，并说明其要求和测量方法。
3.3 环境要求：- 工作温度范围：描述电子元器件的工作温度范围。
- 储存温度范围：描述电子元器件的储存温度范围。
- 湿度要求：描述电子元器件的工作湿度范围和储存湿度范围。
4. 尺寸和外观要求4.1 尺寸要求：详细描述电子元器件的尺寸要求，包括长度、宽度、高度等。
4.2 外观要求：描述电子元器件的外观要求，包括颜色、表面处理等。
5. 材料要求5.1 主要材料：列举电子元器件的主要材料，并说明其要求和标准。
5.2 环保要求：描述电子元器件所使用材料的环保要求，符合相关法规和标准。
6. 可靠性要求6.1 寿命要求：描述电子元器件的设计寿命和使用寿命要求。
6.2 可靠性测试：说明对电子元器件进行可靠性测试的要求和方法。
7. 标志和包装要求7.1 标志要求：描述电子元器件上的标志要求，包括商标、型号、生产日期等。
7.2 包装要求：说明电子元器件的包装要求，包括包装材料、包装方式等。
8. 其他要求在此部分列出其他未涉及的要求，如特殊测试要求、质量控制要求等。
D207光耦规格书
MOCD207M, MOCD208M Dual Channel Phototransistor Small Outline Surface Mount Optocouplers November 2006Dual Channel Phototransistor Small Outline Surface Interfacing and coupling systems of differentMOCD207M, MOCD208M Dual Channel Phototransistor Small Outline Surface Mount Optocouplers Absolute Maximum Ratings (T A = 25°C Unless otherwise specified)Symbol Rating Value Unit EMITTER I F Forward Current – Continuous60mA I F (pk)Forward Current – Peak (PW = 100µs, 120pps) 1.0A V R Reverse Voltage 6.0V P D LED Power Dissipation @ T A = 25°C Derate above 25°C900.8mW mW/°C DETECTOR V CEO Collector-Emitter Voltage70V V CBO Collector-Base Voltage70V V ECO Emitter-Collector Voltage7.0V I C Collector Current-Continuous150mA P D Detector Power Dissipation @ T A = 25°C Derate above 25°C1501.76mW mW/°C TOTAL DEVICE V ISO Input-Output Isolation Voltage(1, 2) (f = 60Hz, 1 min. Duration)2500Vac(rms)P D T otal Device Power Dissipation @ T A = 25°C Derate above 25°C2502.94mW mW/°C T A Ambient Operating T emperature Range-40 to +100°C T stg Storage T emperature Range-40 to +125°C T L Lead Soldering T emperature (1/16” from case, 10 sec. duration)260°CMOCD207M, MOCD208M Dual Channel Phototransistor Small Outline Surface Mount Optocouplers Electrical Characteristics (T A = 25°C unless otherwise specified)(3)*T ypical values at T A = 25°C Note:1. Input-Output Isolation Voltage, V ISO, is an internal device dielectric breakdown rating.2. For this test, Pins 1, 2, 3 and 4 are common and Pins 5, 6, 7 and 8 are common.3. Always design to the specified minimum/maximum electrical limits (where applicable).4. Current T ransfer Ratio (CTR) = I C/I F x 100%.Symbol Parameter Test Conditions Device Min.Typ.*Max.Unit EMITTER V F Input Forward Voltage I F = 30mA All 1.25 1.55V I R Reverse Leakage Current V R = 6.0V All0.001100µA C Capacitance All18pF DETECTOR I CEO Collector-Emitter Dark Current V CE = 10V, T A = 25°C All 1.050nA I CEO V CE = 10V, T A = 100°C All 1.0µA V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage I C = 100µA All70100V V(BR)CEO Emitter-Collector Breakdown Voltage I E = 100µA All7.010V C CE Collector-Emitter Capacitance f = 1.0 MHz, V CE = 0V All7.0pF COUPLED CTR Current T ransfer Ratio, Collector to Emitter(4)I F = 10mA, V CE = 5V MOCD207M100200%MOCD208M40125I F = 1mA, V CE = 5V MOCD207M34MOCD208M13V CE (sat)Collector-Emitter Saturation Voltage I C = 2.0mA, I F = 10mA All0.4V t on T urn-On Time I C = 2.0mA, V CC = 10V, R L = 100ΩAll 3.0µs t off T urn-Off Time I C = 2.0mA, V CC = 10V, R L = 100ΩAll 2.8µs t r Rise Time I C = 2.0mA, V CC = 10V, R L = 100ΩAll 1.6µs t f Fall Time I C = 2.0mA, V CC = 10V, R L = 100ΩAll 2.2µs V ISO Isolation Surge Voltage(1, 2) f = 60Hz, t = 1 min., I I-O≤ 2µA All2500Vac(rms)R ISO Isolation Resistance(2)V I-O = 500V All1011ΩC ISO Isolation Capacitance(2)V I-O = 0V, f = 1MHz All0.2pFMOCD207M, MOCD208M Dual Channel Phototransistor Small Outline Surface Mount OptocouplersMOCD207M, MOCD208M Dual Channel Phototransistor Small Outline Surface Mount OptocouplersMOCD207M, MOCD208M Dual Channel Phototransistor Small Outline Surface Mount OptocouplersMOCD207M, MOCD208M Dual Channel Phototransistor Small Outline Surface Mount OptocouplersMOCD207M, MOCD208M Dual Channel Phototransistor Small Outline Surface Mount Optocouplers。
KP4010S 光耦 datasheet 规格书
NO.61P20007cosmoELECTRONICS CORPORATIONPhotocoupler ：KP4010SSHEET 1 OF 6REV.1High Reliability Photocouplerz Features1. High current transfer ratio (Vceo ：300V min) ( CTR ：Min. 600% at IF=1mA V CE =2V )2. High isolation voltage between input and output ( Viso ：5000Vrms )3. Compact surface mount type package.z Application ：1. System appliances, measuring instruments.2. Industrial robots.3. Copiers, automatic vending machines.4. Signal transmission between circuits of different potentials and impedances.5. Telephone sets.6. Copiers, facsimiles.7. Interface with various power supply circuits, power distribution boards. 8. Numerical control machines.NO.61P20007cosmoELECTRONICS CORPORATIONPhotocoupler ：KP4010SSHEET 3 OF 6REV.1z Absolute Maximum RatingsParameterSymbolRating UnitForward currentI F 50 mA Peak forward current I FM 1 A Reverse voltage V R 6 V InputPower dissipation P D 70 mW Collector-emitter voltageV CEO 300 V Emitter-collector voltage V ECO 0.1 V Collector currentI C 150 mA OutputCollector power dissipation P C 200 mW Total power dissipation P tot 200 mW Isolation voltage 1 minute V iso 5000 Vrms Operating temperature T opr -55 to +100 ℃ Storage temperatureT stg-55 to +125℃Soldering temperature 10 second T sol 260 ℃z Electro-optical CharacteristicsParameterSymbolConditions MIN. TYP . MAX.UnitForward voltageV F I F =20mA - 1.2 1.4 VPeak forward voltage V FM I FM =0.5A - - 3.5 V Reverse current I RV R =4V - - 10μA InputTerminal capacitanceC t V=0, f=1KHz - 30 - pF Output Collector dark currentI CEO V CE =200V - - 1.0 μA Current transfer ratioCTRI F =1mA, V CE =2V 600 - 9000%Collector-emitter saturation V CE(sat)I F =20mA, I C =5mA - - 1.5 VIsolation resistanceR iso DC500V 5x1010 -- ΩFloating capacitance C f V=0, f=1MHz - 0.6 1.0 pF Cut-off frequencyf CV CC =5V, I C =2mA, R L =100Ω- 7 - KHzResponse time ( Rise ) t r - 60 300 μs Transfercharac- teristicsResponse time ( Fall )t fV CE =2V, I C =20mA, R L =100Ω- 50 250 μsAmbient Temperature Ta (℃) Forward Current vs.NO.61P20007cosmoELECTRONICS CORPORATIONPhotocoupler ：KP4010SSHEET 6 OF 6REV.1z NoticeThe information contained in this document is intended to be a general product description and is subject to change without notice. Please contact cosmo in order to obtain the latest device data sheets before using any cosmo device. cosmo does not assume any responsibility for use of any circuitry described. No circuit patent licenses are implied. This publication is the property of cosmo. No part of this publication may be reproduced or copied in any form or by any means, or transferred to any third party without the prior written consent of cosmo Electronics Corporation.The devices listed in this document are designed for general applications only in electronic equipment. No devices shall be deployed which require higher level of reliability such as ：– Medical and other life support equipments. – Space application.– Telecommunication equipment ( trunk lines ). – Nuclear power control equipment.Unless it received prior written approval from cosmo.cosmo takes no responsibility for damages arise form the improper usage of our device. Please contact cosmo for further information regarding the above notices.。
PA2561L1-1(NEC)光耦规格书
DATA SHEETThe information in this document is subject to change without notice.©1992Document No. P12989EJ4V0DS00 (4th edition)(Previous No. LC-2225)Date Published August 1997 NS Printed in JapanPHOTOCOUPLERPS2561-1,-2, PS2561L-1,-2HIGH ISOLATION VOLTAGE SINGLE TRANSISTOR TYPE MULTI PHOTOCOUPLER SERIESThe mark shows major revised points.DESCRIPTIONThe PS2561-1, -2 and PS2561L-1, -2 are optically coupled isolators containing a GaAs light emitting diode and an NPN silicon phototransistor.PS2561-1, -2 are in a plastic DIP (Dual In-line Package) and PS2561L-1, -2 are lead bending type (Gull-wing) for surface mount.FEATURES•High isolation voltageBV = 5 000 Vr.m.s.: standard productsBV = 3 750 Vr.m.s.: VDE0884 approved products (Option)•High collector to emitter voltage (V CEO = 80 V)•High current transfer ratio (CTR = 200 % TYP.)•High-speed switching (t r = 3 µs TYP., t f = 5 µs TYP.)•UL approved (File No. E72422 (S) )•CSA approved (No. CA 101391)•BSI approved (BS415, BS7002) No. 7112•SEMKO approved (SS4410165) No. 9317144•NEMKO approved (NEK-HD 195S6) No. A21409•DEMKO approved (Section 101, 137) No. 300535•FIMKO approved (E69-89) No. 167265-08•VDE0884 approved (Option)APPLICATIONS•Power supply •Telephone/FAX.•FA/OA equipment•Programmable logic controller2PACKAGE DIMENSIONS (in millimeters)DIP Type5.1 MAX.6.53.8M A X .4.55M A X .2.8M I N .0.652.547.620.50 ± 0.100.25M4312PS2561-1 (New Package)10.2 MAX.1.25±0.156.53.8M A X .4.55M A X .2.8M I N .0.652.547.620.50 ± 0.100.25M871265340 to 15˚PS2561-20 to 15˚PS2561-14.6 ± 0.351.25±0.156.53.8M A X .4.55M A X .2.8M I N .0.650.50 ± 0.100.25M0 to 15˚7.622.5443121.25±0.15PS2561L1-15.1 MAX.6.53.8M A X .4.25M A X .2.8M I N .0.352.547.620.50 ± 0.100.25M0 to 15˚43121.25±0.1510.161. Anode 2. Cathode 3. Emitter 4. Collector 1, 3. Anode 2, 4. Cathode 5, 7. Emitter 6, 8. Collector1. Anode2. Cathode3. Emitter4. Collector 1. Anode 2. Cathode 3. Emitter 4. Collector Caution New package 1ch only3Lead Bending Type5.1 MAX.6.53.8M A X .2.547.620.25M4312PS2561L-1 (New Package)10.2 MAX.1.25±0.156.53.8M A X .2.547.6287126534PS2561L-2PS2561L-14.6 ± 0.351.25±0.156.53.8M A X .0.25M7.622.5443121.25±0.150.05 t o 0.29.60 ± 0.40.90 ± 0.250.05 t o 0.29.60 ± 0.40.90 ± 0.250.25M0.05 t o 0.29.60 ± 0.40.90 ± 0.255.1 MAX.6.53.8M A X .2.547.620.25MPS2561L2-143121.25±0.150.05 t o 0.210.160.9 ± 0.2512.0 MAX.1. Anode2. Cathode3. Emitter4. Collector1, 3. Anode 2, 4. Cathode 5, 7. Emitter 6, 8. Collector 1. Anode 2. Cathode 3. Emitter 4. Collector 1. Anode 2. Cathode 3. Emitter 4. Collector Caution New package 1ch only4ORDERING INFORMATIONPart NumberPackageSafety Standard ApprovalApplication partnumber *1PS2561-1PS2561L-1PS2561L1-1PS2561L2-14-pin DIP4-pin DIP (lead bending surface mount)4-pin DIP (for long distance)4-pin DIP (for long distance surfacemount)Standard products PS2561-1PS2561-2PS2561L-28-pin DIP8-pin DIP (lead bending surface mount)PS2561-2PS2561-1-V PS2561L-1-V PS2561L1-1-V PS2561L2-1-V 4-pin DIP4-pin DIP (lead bending surface mount)4-pin DIP (for long distance)4-pin DIP (for long distance surfacemount)VDE0884 approved products (Option)PS2561-1PS2561-2-V PS2561L-2-V8-pin DIP8-pin DIP (lead bending surface mount)PS2561-2*1 As applying to Safety Standard, following part number should be used.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise specified)ParameterSymbolRatingsUnitPS2561-1,PS2561L-1PS2561-2,PS2561L-2DiodeReverse Voltage V R 6V Forward Current (DC)I F80mAPower Dissipation Derating ∆P D /°C 1.5 1.2mW/°C Power Dissipation P D 150120mW/ch Peak Forward Current*1I FP 1A TransistorCollector to Emitter Voltage V CEO 80V Emitter to Collector Voltage V ECO 7V Collector CurrentI C50mA/chPower Dissipation Derating ∆P C /°C 1.5 1.2mW/°C Power DissipationP C 150120mW/ch Isolation Voltage*2BV5 0003 750*3Vr.m.s.Operating Ambient Temperature T A –55 to +100°C Storage TemperatureT stg–55 to +150°C*1PW = 100 µs, Duty Cycle = 1 %*2AC voltage for 1 minute at T A = 25 °C, RH = 60 % between input and output *3VDE0884 approved products (Option)•UL approved •CSA approved •BSI approved•NEMKO approved •DEMKO approved •SEMKO approved•FIMKO approved5ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C)ParameterSymbol Conditions MIN.TYP.MAX.Unit DiodeForward Voltage V F I F = 10 mA 1.171.4VReverse Current I R V R = 5 V5µA Terminal CapacitanceC t V = 0 V, f = 1.0 MHz 50pFTransistorCollector to Emitter Dark CurrentI CEOV CE = 80 V, I F = 0 mA100nACoupled Current Transfer Ratio *1CTR I F = 5 mA, V CE = 5 V 80200400%Collector Saturation VoltageV CE (sat)I F = 10 mA, I C = 2 mA0.3V Isolation Resistance R I-O V I-O = 1.0 kV 1011ΩIsolation Capacitance C I-O V = 0 V, f = 1.0 MHz0.5pFRise Time *2t r V CC = 10 V, I C = 2 mA, R L = 100 Ω3µsFall Time*2t f5*1CTR rank (only PS2561-1, PS2561L-1)*2Test circuit for switching timeL: 200 to 400 (%)M : 80 to 240 (%)D : 100 to 300 (%)H : 80 to 160 (%)W : 130 to 260 (%)V CCV OUTR L = 100 Ω50 ΩI F µPulse InputPW = 100 sDuty Cycle = 1/106TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise specified)150100500255075100125150 1.5 mW/˚C1.2 mW/˚C15010050255075100125150010 0001001 000100101755025–25–50V CE = 80 V10 1.00.80.60.40.20510.50.110 m A401.5 mW/˚C1.2 mW/˚C20 m A 50 m A 2 m AI F = 1 mA5 m A 70260504030201004681020 m A I F = 5 mA10m A 50 m A 40 V 24 V 10 V 5 VPS2561-1PS2561L-1PS2561-2PS2561L-2PS2561-1PS2561L-1PS2561-2PS2561L-2100 1.51.41.31.21.11.00.90.80.75010510.50.10 ˚C –25 ˚C –55 ˚C+60 ˚C +25 ˚CT A = +100 ˚CD i o d e P o w e r D i s s i p a t i o n P D (m W )T r a n s i s t o r P o w e r D i s s i p a t i o n P C (m W )Ambient Temperature T A (˚C)F o r w a r d C u r r e n t I F (m A )Forward Voltage V F (V)C o l l e c t o r C u r r e n t I C (m A )Collector to Emitter Voltage V CE (V)C o l l e c t o r t o E m i t t e rD a r k C u r r e n t I CE O (n A )Collector Saturation Voltage V CE(sat) (V)Ambient Temperature T A (˚C)Ambient Temperature T A (˚C)DIODE POWER DISSIPATION vs.AMBIENT TEMPERATURETRANSISTOR POWER DISSIPATION vs. AMBIENT TEMPERATUREFORWARD CURRENT vs.FORWARD VOLTAGECOLLECTOR CURRENT vs.COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGECOLLECTOR TO EMITTER DARKCURRENT vs. AMBIENT TEMPERATURECOLLECTOR CURRENT vs.COLLECTOR SATURATION VOLTAGEC o l l e c t o r C u r r e n t I C (m A )7PS2561-1,-2,PS2561L-1,-21.2–501.00.80.60.40.20–252550751004504003503002502001501005000.050.10.5151050501010.110 k5 k 1 k50010050101 000100101100 k50 k 10 k5 k 1 k5001000–5–10–15–200.5125102050100200500I C = 2 mA,V CC = 10 V,CTR = 290 %t f t rt dt sI F = 5 mA,V CC = 5 V,CTR = 290 %t st dt rt fI F = 5 mA,V CE = 5 V100 Ω300 ΩR L = 1 k ΩI F = 5 mA T A = 25 ˚CI F = 5 mA T A = 60 ˚C 1.21.00.80.60.40.2102103104105Normalized to 1.0at T A = 25 ˚C,I F = 5 mA, V CE = 5 VForward Current I F (mA)Ambient Temperature T A (˚C)Load Resistance R L (Ω)Frequency f (kHz)N o r m a l i z e d C u r r e n t T r a n s f e r R a t i o C T RC u r r e n t T r a n s f e r R a t i o C T R (%)N o r m a l i z e d G a i n G VLoad Resistance R L (Ω)S w i t c h i n g T i m e t ( s )µNORMALIZED CURRENT TRANSFER RATIO vs. AMBIENT TEMPERATURECURRENT TRANSFER RATIO vs.FORWARD CURRENTSWITCHING TIME vs.LOAD RESISTANCESWITCHING TIME vs.LOAD RESISTANCEFREQUENCY RESPONSELONG TIME CTR DEGRADATIONS w i t c h i n g T i m e t ( s )µTYP.Time (Hr)C T R (R e l a t i v e V a l u e )8TAPING SPECIFICATIONS (in millimeters)Taping DirectionPS2561L-1-E3PS2561L-1-F3PS2561L-1-E4PS2561L-1-F4Outline and Dimensions (Tape)1.55±0.12.0±0.14.0±0.11.55±0.11.75±0.14.3±0.210.3±0.10.37.5±0.116.0±0.35.6±0.18.0±0.1Outline and Dimensions (Reel)Packing: PS2561L-1-E3, E4 1 000 pcs/reel2.0±0.5R 1.013.0±0.5φ21.0±0.8φ16.4+2.0–0.0P S 2561L -1-E 3, E 4: 250P S 2561L -1-F 3, F 4: 330φ80.0±5.0φφPS2561L-1-F3, F4 2 000 pcs/reel9Taping DirectionPS2561L-2-E3PS2561L-2-E4Outline and Dimensions (Tape)1.55±0.12.0±0.14.0±0.11.55±0.11.75±0.14.3±0.210.3±0.10.37.5±0.116.0±0.310.4±0.112.0±0.1Outline and Dimensions (Reel)Packing: 1 000 pcs/reel16.4+2.0–0.080.0±5.0φ330φ2.0±0.5R 1.013.0±0.5φ21.0±0.8φ10RECOMMENDED SOLDERING CONDITIONS(1) Infrared reflow soldering • Peak reflow temperature235 °C (package surface temperature)• Time of temperature higher than 210 °C 30 seconds or less • Number of reflows Three• FluxRosin flux containing small amount of chlorine (The flux with a maximum chlorine content of 0.2 Wt % is recommended.)60 to 90 s (preheating)210 ˚C120 to 160 ˚CP a c k a g e S u r f a c e T e m p e r a t u r e T (˚C )Time (s)(heating)to 10 sto 30 s235 ˚C (peak temperature)Recommended Temperature Profile of Infrared ReflowPeak temperature 235 ˚C or belowCaution Please avoid to removed the residual flux by water after the first reflow processes.(2) Dip soldering • Temperature 260 °C or below (molten solder temperature)• Time10 seconds or less • Number of times One• FluxRosin flux containing small amount of chlorine (The flux with a maximum chlorine content of 0.2 Wt % is recommended.)11SPECIFICATION OF VDE MARKS LICENSE DOCUMENT (VDE0884)ParameterSymbolSpeckUnitApplication classification (DIN VDE 0109)for rated line voltages ≤ 300 Vr.m.s.for rated line voltages ≤ 600 Vr.m.s.IV III Climatic test class (DIN IEC 68 Teil 1/09.80)55/100/21Dielectric strength maximum operating isolation voltageTest voltage (partial discharge test procedure a for type test and random test)U pr = 1.2 × U IORM , P d < 5 pCU IORM U pr 8901 068V peak V peakTest voltage (partial discharge test procedure b for random test)U pr = 1.6 × U IORM , P d < 5 pC U pr 1 424V peakHighest permissible overvoltage U TR 6 000V peakDegree of pollution (DIN VDE 0109)2Clearance distance > 7.0mm Creepage distance> 7.0mmComparative tracking index (DIN IEC 112/VDE 0303 part 1)CTI 175Material group (DIN VDE 0109)III a Storage temperature range T stg –55 to +150°C Operating temperature rangeT A –55 to +100°C Isolation resistance, minimum value V IO = 500 V dc at T A = 25 °CV IO = 500 V dc at T A MAX. at least 100 °CRis MIN.Ris MIN.10121011ΩΩSafety maximum ratings (maximum permissible in case of fault, see thermal derating curve)Package temperatureCurrent (input current I F , Psi = 0)Power (output or total power dissipation)Isolation resistanceV IO = 500 V dc at T A = 175 °C (Tsi)Tsi Isi Psi Ris MIN.175********9°C mA mW ΩCAUTIONWithin this device there exists GaAs (Gallium Arsenide) material which is aharmful substance if ingested. Please do not under any circumstances break thehermetic seal.No part of this document may be copied or reproduced in any form or by any means without the prior written consent of NEC Corporation. NEC Corporation assumes no responsibility for any errors which may appear in this document.NEC Corporation does not assume any liability for infringement of patents, copyrights or other intellectual property rights of third parties by or arising from use of a device described herein or any other liability arising from use of such device. No license, either express, implied or otherwise, is granted under any patents, copyrights or other intellectual property rights of NEC Corporation or others.While NEC Corporation has been making continuous effort to enhance the reliability of its semiconductor devices, the possibility of defects cannot be eliminated entirely. To minimize risks of damage or injury to persons or property arising from a defect in an NEC semiconductor device, customers must incorporate sufficient safety measures in its design, such as redundancy, fire-containment, and anti-failure features.NEC devices are classified into the following three quality grades:"Standard", "Special", and "Specific". The Specific quality grade applies only to devices developed based on a customer designated "quality assurance program" for a specific application. The recommended applications of a device depend on its quality grade, as indicated below. Customers must check the quality grade of each device before using it in a particular application.Standard: Computers, office equipment, communications equipment, test and measurement equipment, audio and visual equipment, home electronic appliances, machine tools, personal electronicequipment and industrial robotsSpecial: Transportation equipment (automobiles, trains, ships, etc.), traffic control systems, anti-disaster systems, anti-crime systems, safety equipment and medical equipment (not specifically designedfor life support)Specific: Aircrafts, aerospace equipment, submersible repeaters, nuclear reactor control systems, life support systems or medical equipment for life support, etc.The quality grade of NEC devices is "Standard" unless otherwise specified in NEC's Data Sheets or Data Books. If customers intend to use NEC devices for applications other than those specified for Standard quality grade, they should contact an NEC sales representative in advance.Anti-radioactive design is not implemented in this product.M4 96. 5。
部品规格书-光耦2012-11-16
XXXXXXX有限公司部品规格书1.适用范围: 适合于816系列光电耦合器。
一. 外型尺寸图：1.LTV-816光耦尺寸图：二. 光耦实物图：三. 测试电路图：四. 输出波形图：五.光电特性：CTR=I C/I F X100% 六. 传输特性：七. 光耦检测项目：1.包装标识：供应商应具有生产厂家的代理资格证书及相关质量保证书，内外包装应防静电、防潮、密封，标识清楚，外箱包装具备下述内容：a. 名牌商标b. 型号规格c. CTR 范围代码d. 封装地e. 数量f. 制造年月、批号2. 外观：元件本体商标、型号、CTR范围代码、批号应与外包装相符，表面不应该有锈蚀、裂痕和其它损伤，形状规则大小统一，管脚分布整齐光洁，刻字圆点（表示第一脚）清楚，耐清洗剂清洗。
3. 尺寸：符合供货方提供的我公司认可的尺寸要求。
（游标卡尺）4. 可焊性：各管脚需有良好的可焊性，光亮易锡（30W 烙铁Φ 0.6锡丝）5.电性能：6. 万用表检测光电耦合器:6.1 用RX100(或者RX1K)档测量发射管的正、反向电阻，检测单向导电性。
6.2 分别测量接收管的集电结与发射结的正、反向电阻，均应单向导电，然后测量穿透电流Iceo 应等于零。
6.3 用RX10K 档检查发射管与接收管的绝缘电阻应为无穷大。
有条件者最好选兆欧表实测绝缘电阻值，但兆欧表的额定电压不得超过光电耦合器的绝缘电压V DC 值，测量时间不超过一分钟。
6.4 光电耦合器的输入端和输出端之间是绝缘的，绝缘电阻根据封装形式有差异，一般大于1010，耐压超过1KV 。
7. 半导体特性图示仪检测：注：X 轴：0.2V/格，Y 轴：5mA/格。
测试输入端正向电压V F =1.2V ，反向耐压V R =6V 输出端电压V CEO =80V , V ECO =6V8. 耐压测试：输入端两脚短接,输出端两脚短接后，输入与输出端打耐压5KV、1mA 、1min9. 盐雾试验：检测光耦管脚是否生锈。
亿光光电开关(对射式光耦)ITR9707规格书
Opto Interrupter 020-22074733 QQ 2462655096
█ Features
․Fast response time ․High analytic ․Cut-off visible wavelength λp=940nm ․High sensitivity ․Pb free ․This product itself will remain within RoHS compliant version
Prepared date：2009/4/14
Rev .3
Page: 5 of 8
Prepared by：huangzw
█ Typical Electrical/Optical/Characteristics Curves for PT
ITR9707
cycle
value>20%
L : -40℃ 15 min
H : +100℃ 5 min
300
3
Thermal Shock
10 sec
22 PCs
0/1
cycle
L : -10℃
5 min
4
High Temperature TEMP. : +100℃
1000 hrs 22 PCs
0/1
Storage
Everlight Electronics Co., Ltd. Device No：DRX-0000017
Prepared date：2009/4/14
Rev .3
Page: 2 of 8
Prepared by：huangzw
█ Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃)
tlp624光耦规格书
tlp624光耦规格书一、产品概述TLP624 光耦是一款高性能的光电耦合器件，广泛应用于电子电路中的信号隔离、传输和控制等领域。
它采用了先进的光耦合技术，能够有效地将输入信号与输出信号进行电气隔离，从而提高系统的稳定性和可靠性。
二、主要特点1、高隔离电压TLP624 光耦具有高达 5000Vrms 的隔离电压，能够在高压环境下可靠工作，有效保护电路中的敏感元件免受高电压的损害。
2、高速传输该光耦的传输速度快，典型传输延迟时间仅为5μs，能够满足高速数字信号传输的要求。
3、低输入电流输入侧的工作电流低，仅需 5mA 即可保证正常工作，有助于降低系统的功耗。
4、宽工作温度范围TLP624 光耦可以在－55°C 至 100°C 的温度范围内正常工作，适应各种恶劣的工作环境。
5、小型封装采用 DIP-8 封装，体积小巧，便于在电路板上进行安装和布线，节省空间。
三、技术规格1、输入特性正向电流（IF）：5mA（典型值）正向电压（VF）：12V（典型值）输入反向电压（VR）：5V（最大值）2、输出特性集电极发射极电压（VCEO）：55V（最小值）发射极集电极电压（VECO）：7V（最小值）集电极电流（IC）：50mA（最大值）输出饱和电压（VCE(sat)）：04V（典型值，IC ＝ 10mA）3、隔离特性隔离电压（VISO）：5000Vrms（最小值）电容（CISO）：06pF（典型值）4、传输特性电流传输比（CTR）：50% 至 600%（在 IF ＝ 5mA，VCE ＝ 5V 时）传输延迟时间（tPLH/tPHL）：5μs（最大值）四、引脚定义1、引脚 1：阳极（Anode）2、引脚 2：阴极（Cathode）3、引脚 3：发射极（Emitter）4、引脚 4：集电极（Collector）5、引脚 5：空脚6、引脚 6：空脚7、引脚 7：发射极（Emitter）8、引脚 8：集电极（Collector）五、工作原理TLP624 光耦由一个发光二极管（LED）和一个光敏三极管组成。
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供应商L O G O
供应商公司名称
原材料规格书
原材料名称描述
原材料英文名称描述
物料代码
拟制: 审核: 批准:
XXXX-XX-XX发布
供应商公司名称(供应商代码)
签章位置
1.产品简介
需注明脚距和穿透距离等安规信息
2. 产品的命名规则和本体标志说明
3、电气参数
需含有防静电等级指标：
人体放电模式
机器放电模式
需含有潮敏等级
4. 封装/引脚/内部电路图
5. 特征曲线图
6. 结构尺寸图(工程图面, 封装尺寸)
7.信赖性试验方法
8.主要组成材料
9. 中国RoHS执行情况
10.包装方式(贴片编带,插件小袋装,个数,袋数,包装标识)
11. 使用注意事项
11.1 防静电事项
11.2 潮湿事项
11.3 焊接注意事项
11.4 装备注意事项
等等
12 在正常情况下产品上机不良率
13 备注声明该规格书/产品主要适用于何种应用范围;所列内容如有对我司不适用的条款需列出说明;。