三极管伏安特性课件
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电子技术
课堂小结
三极管的结构特点：三极、三区、二极 三极管的基本特征：具有电流放大作用
三极管具有电流放大作用的两个工作条件： 内部条件：三个区的特殊工艺结构 ； 外部条件：发射结正偏，集点结反偏，即：
NPN型三极管：Vc > Vb > Ve PNP型三极管：Vc < Vb < Ve
电流分配关系： IE=IC+IB
IC=βIB
一个重要数据： UBE≈0.7V或0.3V
电子技术
1、三极管是一种电流控制器件，满足内部条件和外部 条件时，具有电流放大作用。
2、电流放大作用主要体现在： 在基极引入小电流，在集电极就会得到大电流： IC=βIB
3、三极管各极电压、电流之间的关系可以用三极管的 输入、输出特性曲线来描述。 回忆：二极管的伏安特性
(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。
即：UCEUBE ， IB>IC，UCE0.3V
(3) 截止区： UBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0
11
5
二、共发射极输出特性曲线
输出特性是指在基极电流IB为一常量的情况下，三极管 的集电极ic与管压降uCE之间的关系。
ຫໍສະໝຸດ Baidu
现在我们所见的是共射输出特性曲线表示以IB为参变量 时，Ic和UCE间的关系：
即
Ic= f(UCE)|IB = 常数
实测的输出特性曲线如图所示：根据外加电压的不同，
整个曲线可划分为四个区：
40IBA=0, IC=ICEO≈0
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V) 9
输出特性曲线簇
当UCE增大到一定 值时，集电结就会 发生反向击穿，造 成集电极电流Ic剧 增，这一特性表现 在输出特性图上则
为击穿区域。
10
输出特性三个区域的特点:
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。
即： IC=IB , 且 IC = IB
放大区、截止区、饱和区、击穿区
6
放大区：发射结正偏，集电结
二、输出特性
IC(mA
)
反偏, uBE>Uon,且uCE≥uBE当UCE 大于一定的数值时，IC只与IB 有关，IC=IB。
4
100A
3
80A
60A
2
40A
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
7
饱和区：发射结正偏，集电结正
偏: uBE>Uon,且uCE<uBE ;
4
IC(mA
) 此时，ic基本不受IB控制，随uCE增大而 明显增大； IB>IC1，00A
UCE= UCES0.3V(0.1V)。
3
80A
60A
2
40A
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
8
IC(mA ) 4
100A
3
80A
截止区 : IB=0以下
60的A区域，uBE≤Uon,且
2
uCE>Ube；
三极管在电路中的三种组态
特性曲线
IB
A
RB
V UBE
IC mA
EC V UCE
EB
实验线路
4
一、共发射极输入特性曲线
输入特性：是指当UCE为某一定值时，发射结电压uBE 和基极电流iB之间的关系。 （1）UCE = 0时，输入特性曲线与二极管的正向伏安特 性曲线相似，存在死区电压UON（开启电压），硅管 0.5V,锗管0.1V。当uBE> UON时，基极才有电流产生， 硅管的导通电压0.7V,锗管为0.3V。 （2）UCE增大时，输入特性曲线右移； （3）当UCE≥1V时，曲线不再明显右移而基本重合。
课堂小结
三极管的结构特点：三极、三区、二极 三极管的基本特征：具有电流放大作用
三极管具有电流放大作用的两个工作条件： 内部条件：三个区的特殊工艺结构 ； 外部条件：发射结正偏，集点结反偏，即：
NPN型三极管：Vc > Vb > Ve PNP型三极管：Vc < Vb < Ve
电流分配关系： IE=IC+IB
IC=βIB
一个重要数据： UBE≈0.7V或0.3V
电子技术
1、三极管是一种电流控制器件，满足内部条件和外部 条件时，具有电流放大作用。
2、电流放大作用主要体现在： 在基极引入小电流，在集电极就会得到大电流： IC=βIB
3、三极管各极电压、电流之间的关系可以用三极管的 输入、输出特性曲线来描述。 回忆：二极管的伏安特性
(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。
即：UCEUBE ， IB>IC，UCE0.3V
(3) 截止区： UBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0
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二、共发射极输出特性曲线
输出特性是指在基极电流IB为一常量的情况下，三极管 的集电极ic与管压降uCE之间的关系。
ຫໍສະໝຸດ Baidu
现在我们所见的是共射输出特性曲线表示以IB为参变量 时，Ic和UCE间的关系：
即
Ic= f(UCE)|IB = 常数
实测的输出特性曲线如图所示：根据外加电压的不同，
整个曲线可划分为四个区：
40IBA=0, IC=ICEO≈0
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V) 9
输出特性曲线簇
当UCE增大到一定 值时，集电结就会 发生反向击穿，造 成集电极电流Ic剧 增，这一特性表现 在输出特性图上则
为击穿区域。
10
输出特性三个区域的特点:
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。
即： IC=IB , 且 IC = IB
放大区、截止区、饱和区、击穿区
6
放大区：发射结正偏，集电结
二、输出特性
IC(mA
)
反偏, uBE>Uon,且uCE≥uBE当UCE 大于一定的数值时，IC只与IB 有关，IC=IB。
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IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
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饱和区：发射结正偏，集电结正
偏: uBE>Uon,且uCE<uBE ;
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IC(mA
) 此时，ic基本不受IB控制，随uCE增大而 明显增大； IB>IC1，00A
UCE= UCES0.3V(0.1V)。
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80A
60A
2
40A
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
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IC(mA ) 4
100A
3
80A
截止区 : IB=0以下
60的A区域，uBE≤Uon,且
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uCE>Ube；
三极管在电路中的三种组态
特性曲线
IB
A
RB
V UBE
IC mA
EC V UCE
EB
实验线路
4
一、共发射极输入特性曲线
输入特性：是指当UCE为某一定值时，发射结电压uBE 和基极电流iB之间的关系。 （1）UCE = 0时，输入特性曲线与二极管的正向伏安特 性曲线相似，存在死区电压UON（开启电压），硅管 0.5V,锗管0.1V。当uBE> UON时，基极才有电流产生， 硅管的导通电压0.7V,锗管为0.3V。 （2）UCE增大时，输入特性曲线右移； （3）当UCE≥1V时，曲线不再明显右移而基本重合。