金属钨中螺位错的运动

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金属钨中螺位错的运动

金属钨中螺位错的运动

论文学科类别:130金属钨中螺位错的运动田晓耕1, Chungho Woo21. 西安交通大学机械结构强度与振动国家重点实验室,西安,7100492. 香港理工大学机械工程系,香港,九龙,红磡摘要采用Acland势,利用分子动力学方法研究了剪切力作用下金属钨中1/2a<111>螺位错的运动。

根据线弹性理论在完好体心立方晶体中形成位错线沿<111>方向的螺位错,施加合适的边界条件对含螺位错的原子结构进行松弛,获得平衡态的位错结构。

发现平衡态的位错核心由位于{110}平面三个沿<112>方向呈对称的皱褶组成。

当外加剪力增大到一定程度时位错核心将会运动。

当剪切力较小时,位错核心运动呈现“之”字形;剪2[方向以直切力增大后,位错运动开始阶段仍呈“之”字形运动,以后位错主要沿]线运动,位错运动的速度随着施加剪切力的增加而增大。

同时发现使螺位错开始运动的派纳力明显大于刃位错的派纳力。

关键词分子动力学;螺位错;错合度The movement of screw dislocations in tungstenTian Xiaogeng1 Chungho Woo21.The State Key Laboratory of Mechanical Structural Strength & Vibration, Xi’anJiaotong University, Shaanxi, 710049, P. R. C.2.Department of Mechanical Engineering, The Hong Kong Polytechnic University,Hung Hom, Kowloon, Hong KongAbstract Using Acland potential for tungsten, the movement of 1/2a<111> screw dislocation under shear force was investigated by molecular dynamics simulation. Equilibrated core structure was obtained by relaxation of screw dislocation with proper boundary conditions. We found that the equilibrium dislocation core has three-fold symmetry and spread out in three <112> direction on {110} planes. The dislocation moves in zigzag at the beginning of the dislocation moves or when the acted shear stress is small. When the shear stress gets larger,2[ direction,and the larger shear11the dislocation will move almost in straight line in ]stress applied, the higher velocity obtained. We also found that the mobility of screw dislocations is lower than edge dislocations.Key words Molecular dynamics, Screw dislocation, Disregistry前言很多晶体的物理性质都或多或少地受到晶体中位错的影响,特别是位错的动态特性在塑性理论中起着重要的作用,如晶体中位错的密度和运动速度就直接决定了材料的塑性行为。

金属材料的强化方法和位错的关系

金属材料的强化方法和位错的关系

陶瓷材料和聚合物材料虽然比较脆,但也有滑移面的存在。

金属材料的变形主要是通过滑移实现的,位错对于理解金属材料的一些力学行为特别有用。

而位错理论可以解释材料的各种性能和行为,特别是变形、损伤和断裂机制,相应的学科为塑性力学、损伤力学和断裂力学。

另外,位错对晶体的扩散和相变等过程也有较大影响。

首先,滑移解释了金属的实际强度与根据金属键理论预测的理论强度低得多的原因。

此外,金属材料拉伸断裂时,一般沿450截面方向断裂而不会沿垂直截面的方向断裂,原因在于材料在变形过程中发生了滑移。

其次,滑移赋予了金属材料的延性。

如果材料中没有位错,铁棒就是脆性的,也就不可能采用各种加工工艺,如锻造等将金属加工成有用的形状。

第三,通过干预位错的运动,进行合金的固溶强化,控制金属或合金的力学性能。

把障碍物引入晶体就可以阻止位错的运动,造成固溶强化。

如板条状马氏体钢( F12钢)等。

第四,晶体成型加工过程中出现硬化,这是因为晶体在塑性变形过程中位错密度不断增加,使弹性应力场不断增大,位错间的交互作用不断增强,因而位错运动变得越来越困难。

第五,含裂纹材料的疲劳开裂和断裂、材料的损伤机理以及金属材料的各种强化机制都是以位错理论为基础。

金属的强化strengthening of metals通过合金化、塑性变形和热处理等手段提高金属材料的强度,称为金属的强化。

所谓强度是指材料对塑性变形和断裂的抗力,用给定条件下材料所能承受的应力来表示。

随试验条件不同,强度有不同的表示方法,如室温准静态拉伸试验所测定的屈服强度、流变强度、抗拉强度、断裂强度等(见金属力学性能的表征);压缩试验中的抗压强度;弯曲试验中的抗弯强度;疲劳试验中的疲劳强度(见疲劳);高温条件静态拉伸所测的持久强度(见蠕变)。

每一种强度都有其特殊的物理本质,所以金属的强化不是笼统的概念,而是具体反映到某个强度指标上。

一种手段对提高某一强度指标可能是有效的,而对另一强度指标未必有效。

位错规律总结

位错规律总结

位错规律总结
位错是晶体中原子位置的偏移或错位,是晶体中的结构缺陷之一。

位错可以分为边界位错和螺旋位错两种类型。

位错是晶体材料中塑性变形的主要机制之一,并且具有重要的影响。

针对位错的规律总结如下:
1. 弗兰克-瓦尔斯位错规律:当晶体中存在一组边界位错时,
位错的总长度必须守恒。

具体来说,当两个滑移面之间发生位错滑移时,位错长度之和保持不变。

2. 彼勒斯位错规律:在材料的塑性变形过程中,位错沿着最密堆积晶面方向滑动,位错的伸长方向与滑动面垂直。

3. 剪切位错规律:在晶体中,剪切位错能够沿着特定的面和方向滑动,从而引起晶体的塑性变形。

剪切位错滑移的方向与剪切应力的方向相同。

4. 螺旋位错规律:螺旋位错是一种沿晶体的螺旋线形成的位错,它具有一个以单位长度平行于位错线方向的错向矢量。

螺旋位错滑移的过程中,晶体发生类似螺旋的变形。

5. 位错相互作用规律:位错之间的相互作用和排斥是晶体塑性变形的重要因素。

当两个位错靠近时,它们可能相互吸引或排斥,从而影响晶体的位错滑移和塑性形变。

总之,位错的规律总结了位错在晶体中的行为和相互作用,对于理解晶体的塑性变形和材料性能的研究具有重要意义。

(完整版)螺型位错的特征

(完整版)螺型位错的特征

螺型位错的特征1螺型位错无额外半原子面,原子错排是呈轴对称的。

2根据位错线附近呈螺旋形排列的原子旋转方向不同, 可分为右旋和左旋螺型位错。

3螺型位错线与滑移矢量平行,因此一定是直线,而且位错线的移动方向与晶体滑移方向互相垂直。

4纯螺型位错的滑移面不是唯一的。

凡是包含螺型位错线的平面都可以作为它的滑移面。

但实际上,滑移通常是在那些原子密排面上进行。

5螺型位错线周围的点阵也发生了弹性畸变,但只有平行于位错线的切应变而无正应变,即不会引起体积膨胀和收缩,且在垂直于位错线的平面投影上,看不到原子的位移,看不出有缺陷。

6螺型位错周围的点阵畸变随离位错线距离的增加而急剧减少,故也是包含几个原子宽度的线缺陷。

刃型位错的柏氏矢量与位错线垂直,这是刃型位错的一个重要特征螺型位错的柏氏矢量与位错线平行,这是螺型位错的一个重要特征晶向指数的确定步骤:(1)以晶胞的某一阵点O为原点,建立坐标轴X,Y, Z,以点阵矢量的长度作为坐标轴的长度单位(2)过原点O作一直线0P,使其平行于待定晶向.(3)选取距原点O最近的一个阵点P,确定P点的3个坐标值。

(4)将3个坐标值化为最小整数u,v,w,加上方括号即为待定晶向的晶向指数[uvw].晶面指数标定:(1)在点阵中设定参考坐标系,但不能将坐标原点选在待确定指数的晶面上,以免出现零截距.(2)求待定晶面在三个晶轴上的截距.若该晶面与某轴平行,则此轴上截距为∞;若与某轴负方向相截,则此轴上截距为一负值。

(3)取各截距的倒数。

(4)将三倒数化为互质的整数比,并加上圆括号,即为表示该晶面的指数,记为(hkl).晶带所有平行或相交于同一直线的这些晶面构成一个晶带.此直线称为晶带轴。

属此晶带的晶面称为晶带面。

不全位错若堆垛层错不是发生在晶体的整个原子面上而只是部分区域存在,那么,在层错与完整晶体的交界处就存在b不等于点阵矢量的不全位错。

面心立方晶体中有两种重要的不全位错:肖克莱不全位错弗兰克不全位错。

金属、塑性等变形的位错物理基本理论

金属、塑性等变形的位错物理基本理论
金属、塑性等变形的位错物理基本理 论
1.4.1 位错的滑移运动
(1)刃位错的滑移运动 如1-2图所示,若位错线上的原子沿切
应力方向移动不到一个原子间距,周围其 它原子稍作调整,多余半原子面和位错线 就可以向前移动一个原子间距。可见位 错移动具有易动性。
金属、塑性等变形的位错物理基本理 论
• 图1-2示出了位错由晶体的一端扫到另一端
图1-1
金属、塑性等变形的位错物理基本理 论
=
4Asin 2x
bb
4 A
设m= b
化简得
m=
G 2
——理想晶体的临界切应力。
金属、塑性等变形的位错物理基本理 论
一般工程用金属的切变模量G为 1数0量41级05。N而mm一2般, 纯m应金该属为单1晶03体10的4N临m界m切2, 应力只有(100.1)Nmm2,,由此可见, 理论计算值与实测值相差很大。如Al 计 算值为4.3103Nmm2,实测值为0.8Nmm2, 理论值为实测值的5400倍;Zn 计算值为 6.0103Nmm2,而实测值为0.18Nmm2,, 理论值约为实测值的34000倍;Fe理论计 算为13.5103Nmm2,实测值为17Nmm2, 理论值约为实测值的800倍。
=b\H 如果位错扫过的面积为A,没有扫过晶体
的整个滑移面,这时的位移量为AbA,所 以这时的切应变
=
金属、塑性等变形的位错物理基本理 论
金属、塑性等变形的位错物理基本理 论
金属、塑性等变形的位错物理基本理 论
1.5 位错在应力场中的受力 晶体塑变是其内部位错滑移的结果。位
错运动:一是受外加应力场驱使;二是晶 体内其它位错的应力场的驱使。 将“作用于位错线上驱使它运动的力”定义

金属学级热处理笔记之欧阳法创编

金属学级热处理笔记之欧阳法创编

本科生上课笔记重点宏观的塑性变形是位错在外力作用下运动的结果。

位错在晶体中的运动方式有两种:滑移slip:与金属的变形密切相关攀移climba位错的滑移是在切应力作用下进行的,存在一个最小切应力。

使刃型位错滑移的切应力必须与位错线垂直。

对于刃型位错,晶体滑移的方向与位错运动方向一致。

滑移面:位错线与柏氏矢量组成的原子面,对于刃型位错,位错线与柏氏矢量垂直,因此刃位错的滑移面是唯一确定的。

使螺型位错滑移的切应力必须与位错线平行。

对于螺型位错,晶体滑移的方向与位错运动方向垂直。

滑移面:对于螺型位错,位错线与柏氏矢量平行,因此螺型位错可以有多个滑移面。

要点(1)位错的滑移面包含柏氏矢量和位错线。

(2)对于一根位错线而言,柏氏矢量是固定不变(3 )可以通过柏氏矢量和位错线的关系来判断位错特征。

b⊥t时为刃型位错,b∥t为螺型位错,对于混合型位错,b和t的角度在0°和90°。

的。

(4)位错线不能终止于完整晶体之中。

位错通常可以在包含位错线和柏氏矢量的面上滑移,在某些情况下,还能发生垂直于滑移面方向的移动,称为攀移。

只有刃型位错会发生攀移。

攀移的本质是刃型位错半原子面的向上(正攀移)或向下运动(负攀移)。

攀移时伴随物质的迁移,需要空位的扩散,需要热激活,比滑移需要更大的能量原子正常的堆剁次序遭到破坏的现象称为堆垛层错。

面缺陷包括晶界、相界和表面前面举例晶体有规则的外形,金属内部是由大量的小的单晶体组成,称为晶粒,每个晶粒内部,原子是规则排列的。

晶粒之间的界面称为晶界。

在晶界部分,原子呈不规则排列。

晶界两侧晶粒的位相差θθ<10o 小角度晶界θ>10o 大角度晶界在晶界处,原子处于较高能量状态。

这部分能量称为晶界能点缺陷、线缺陷、面缺陷、肖脱基空位、弗兰克耳缺陷、间隙原子、置换原子、刃型位错、螺型位错、位错密度、滑移、攀移、全位错、不全位错、层错、大角度晶界、小角度晶界、晶界能刃型位错和螺型位错的特征。

淬火态Al-Zn-Mg-Cu合金中位错环的形成机理研究

淬火态Al-Zn-Mg-Cu合金中位错环的形成机理研究

第39卷第6期2020年12月电㊀子㊀显㊀微㊀学㊀报JournalofChineseElectronMicroscopySocietyVol 39ꎬNo 62020 ̄12文章编号:1000 ̄6281(2020)06 ̄0650 ̄06㊀㊀淬火态Al ̄Zn ̄Mg ̄Cu合金中位错环的形成机理研究宋㊀淼ꎬ齐东卿ꎬ杜㊀奎∗ꎬ叶恒强(中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心ꎬ辽宁沈阳110016)摘㊀要㊀㊀采用透射电子显微镜和原位拉伸实验ꎬ研究了淬火态Al ̄Zn ̄Mg ̄Cu合金中三种不同组态的位错环及其形成机理ꎮ包括因Al3Zr析出相颗粒与Al基体晶格失配及热膨胀系数差异在Al3Zr颗粒周围形成的位错环ꎻ蜷线位错分解形成的位错环ꎻ以及因微区成分不均匀或局部缺陷导致的滑移带前端位错绕过或交滑移形成的位错环ꎮ研究表明ꎬ通过对纳米析出相在Al基体中微观组态的控制和高温淬火处理ꎬ可以调控Al合金中位错环的尺寸和三维空间分布ꎮ关键词㊀㊀铝合金ꎻAl3Zrꎻ位错环ꎻ透射电子显微镜中图分类号:TB3ꎻTG146ꎻTG115 21ꎻTG111 2㊀㊀文献标识码:A㊀㊀doi:10 3969/j.issn.1000 ̄6281 2020 06 005收稿日期:2020-03-31ꎻ修订日期:2020-04-23基金项目:国家自然科学基金资助项目(No.91960202)ꎻ辽宁省-沈阳材料科学国家研究中心联合研发基金(No.2019JH3/30100020).作者简介:宋淼(1986-)ꎬ男(汉族)ꎬ湖南人ꎬ助理研究员.E ̄mail:miao.song.pnnl@gmail.comꎻmsong12b@alum.imr.ac.cn∗通讯作者:杜奎(1971-)ꎬ男(汉族)ꎬ湖北人ꎬ研究员ꎬ博士研究生导师.E ̄mail:kuidu@imr.ac.cn㊀㊀位错环作为一种特殊的位错组态ꎬ因其可以阻碍位错的滑移ꎬ改善材料的力学性能ꎬ在上世纪六七十年代得到了较广泛的研究[1-4]ꎮ近年来ꎬ随着高性能工程合金的研发㊁表征技术以及材料计算模拟方法的不断进展ꎬ对位错环形成和演化机制的研究也更加深入ꎮ例如:通过计算模拟发现ꎬ铝中7个空位团簇即可形成棱柱位错环并稳定存在[5]ꎬ证实了之前很小尺寸的棱柱位错环即可稳定存在的推测ꎮHaley等[6]采用原位透射电镜详细研究了在离子辐照条件下不同的FeCrAl合金成分如何影响位错环的形成及其演化ꎬ为核用包覆材料的设计及制备提供了翔实的实验证据ꎮ通常ꎬ材料中的位错环可以通过淬火[3]㊁辐照损伤[7-8]㊁Frank ̄Read位错源的增殖[9]㊁析出相的钉扎[10-11]㊁位错的攀移或交滑移[12]等方式引入ꎮ不同形成过程得到的位错环组态和特性ꎬ以及对后续位错运动产生的影响也不相同ꎮ如Al合金经淬火处理后形成的位错环主要是由空位的聚集坍塌而成[1ꎬ3]ꎬ一般尺寸及分布不均匀ꎬ可形成小至几纳米ꎬ大至微米级尺度的位错环[13]ꎬ还可形成多层的环形位错[4]ꎮ这种空位坍塌形成的位错环可以通过攀移或沿垂直于位错环平面的柱面滑移运动[1ꎬ3]ꎮ单质钨(体心立方结构)经辐照损伤所形成的位错环可以通过空位的坍塌或孔洞的表面位错的形核㊁交滑移等方式产生ꎮ该类型位错可沿垂直于位错环平面的柱面进行滑移[14]ꎻ位错钉扎所形成的位错环一般与析出相的大小接近ꎬ常通过攀移发生运动[11]ꎮ尽管位错环能够用于改善材料的力学性能ꎬ但要实现位错环尺寸㊁分布等的有效调控仍存在一定困难ꎮ本文采用透射电子显微镜结合原位拉伸实验方法[15-16]ꎬ研究了淬火态Al ̄Zn ̄Mg ̄Cu合金中不同位错环的组态及其形成机理ꎮ实验结果有助于加深人们对铝合金变形机制的认识ꎬ为材料服役过程中位错组态的演化及控制提供实验数据和理论基础ꎮ1㊀实验材料与方法所用Al ̄Zn ̄Mg ̄Cu合金的名义成分为Al ̄7 8%Zn ̄1 6%Mg ̄1 8%Cu ̄0 13%Zr(wt.%)ꎬ其杂质元素Fe和Si的含量低于0 15%ꎮ将样品经475ħ固溶处理4h后ꎬ随炉冷却得到均匀化处理的Al ̄Zn ̄Mg ̄Cu合金或在室温(25ħ)的水中淬火得到淬火态Al ̄Zn ̄Mg ̄Cu合金ꎮTEM样品经切割㊁研磨ꎬ以及后续液氮冷却条件下的离子减薄过程制备而成ꎮ采用ThermoFisher公司的TecnaiF30型透射电子显微镜获取明场像(BFimage)和暗场像(DFimage)ꎻ用ThermoFisher公司的Titan3G260-300双球差校正透射电子显微镜获取高角环形暗场像(HAADF ̄STEMimage)ꎮ原位拉伸试验采用Gatan654型应变样品杆在室温下进行ꎮ㊀第6期宋㊀淼等:淬火态Al ̄Zn ̄Mg ̄Cu合金中位错环的形成机理研究㊀㊀2㊀实验结果与讨论2 1㊀Al ̄Zn ̄Mg ̄Cu合金微观结构表征HAADF ̄STEM像(图1a)表明在均匀化处理后未经淬火处理的Al ̄Zn ̄Mg ̄Cu合金中部分晶粒内存在大量尺寸及分布均匀的Al3Zr纳米颗粒ꎬ其平均直径为(29 9ʃ3 9)nm(图1b)ꎮ室温下ꎬAl基体和Al3Zr的晶格参数分别为4 050Å[17]和4 093Å[18](图1c)ꎬ两者之间的晶格失配为1 06%ꎮ因此ꎬ在室温条件下ꎬ实验中Al3Zr的颗粒尺寸(~30nm)可以较好地保持与Al基体的共格关系ꎮ这种Al/Al3Zr界面的共格关系可以通过g=220的Ashby ̄Brown衬度[19-20](图1d)和高倍HAADF ̄STEM像(图1eꎬ1f)得以证实ꎮ需要说明的是ꎬ实验合金中并非所有晶粒中都有如图1a所示分布均匀的Al3Zr纳米颗粒ꎮ图1㊀a.Al ̄Zn ̄Mg ̄Cu合金的HAADF ̄STEM像ꎬAl3Zr强化相如白色箭头所示ꎻb.合金中Al3Zr的平均直径及其分布ꎻc.Al基体和Al3Zr的晶格参数ꎻd.Al3Zr纳米颗粒的BFTEM像ꎻe.单个Al3Zr纳米颗粒与Al基体的HAADF ̄㊀㊀STEM像ꎻf.图e中白框区域的高倍HAADF ̄STEM像ꎮaꎬd:Bar=200nmꎻe:Bar=10nmꎻf:Bar=2nmFig.1㊀a.TheHAADF ̄STEMimageofAl ̄Zn ̄Mg ̄CualloyꎬAl3Zrprecipitatesaredenotedbywhitearrowsꎻb.AveragediameteranddistributionofAl3Zrnanoparticlesꎻc.LatticeparametersoftheAlmatrixandAl3Zrꎻd.TheBFTEMimageofAl3ZrnanoparticlesshowingthecoherentrelationshipbetweentheAlmatrixandAl3Zrꎻe.TheHAADF ̄STEMimageofa㊀㊀singleAl3Zrnanoparticleꎻf.TheenlargedimageofthewhiteboxedareainFig.1e.2 2㊀Al3Zr周边位错环的形成机理经淬火处理后ꎬ在Al基体中发现了大量的位错环(图2a)ꎬ其主要由空位的聚集坍塌所致[3-4]ꎮ通常ꎬ该类型位错环的柏氏矢量为a/3‹111›ꎬ所在晶面为{111}[1]ꎮ本实验中ꎬ临近[111]晶带轴时位错环的二维投影也证实了其所在的平面为等效的四种{111}晶面ꎬ即(111)ꎬ(111)ꎬ(111)和(111)ꎮ如图2a所示ꎬ临近[111]晶带轴的BFTEM像表明ꎬ该类型位错环主要存在三种不同的二维投影ꎬ分别用AꎬB和C位错环表示ꎮ统计发现ꎬ三种位错环的比例约为AʒBʒC=1ʒ1 8ʒ1 1ꎮ圆形二维投影表明ꎬ其中A位错环位于(111)面上ꎬC位错环位于(111)晶面ꎬB位错环位于(111)或(111)晶面ꎬ其中B位错环所占比例约为其它两种位错环的总和ꎮBF和DFTEM像(图2b)表明ꎬ位错环的中心均存在Al3Zr纳米析出相ꎬ且存在少量交叉位错环(图2c中的D)和双层位错环(图2c中的E)ꎬ这不同于一般淬火过程中空位坍塌所形成的位错环[1-2]ꎮ此外ꎬ该类型位错环的平均直径较大(207 0nmʃ41 6nm)ꎬ分布也较为均匀(图2d)ꎮ基于该类型位错环的中心存在Al3Zr纳米析出156㊀㊀电子显微学报㊀J.Chin.Electr.Microsc.Soc.第39卷相ꎬ以及存在交叉位错环的形式ꎬ推测其形成机理如图2(e~h)所示ꎮ由于Al3Zr具有Al基体相似的立方晶体结构(图1c)ꎬ且两者晶格失配较小ꎬ室温条件下的Al3Zr与Al基体以完全共格的形式存在(图1dꎬ1f)ꎮ球形共格析出相可以在周围Al基体中产生四叶草形的二维应变分布[21-22]ꎬ如图2e所示ꎮ在475ħ高温均匀化处理过程中ꎬ热膨胀系数的差异导致Al3Zr与Al基体的晶格失配增大ꎬ即由室温的1 06%增大到475ħ的~3 4%(从室温到475ħꎬAl3Zr和Al的线性热膨胀量分别为~3 4ˑ10-2[23]和~1 0ˑ10-2[24])ꎮ因此ꎬAl3Zr析出相在Al基体中引入的四叶草形应变场也会变大ꎬ同时Al基体中因高温引入的空位也会增加(图2f)ꎮ在475ħ高温均匀化处理过程中ꎬ如果因热膨胀系数的差异在Al3Zr(~30nm)析出相与Al基体间引入的所有空位缺陷在淬火过程中全部聚集坍塌ꎬ可在Al3Zr周围形成直径~53nm的位错环(远小于实际测量的207nm)ꎮ由于Al3Zr在Al基体中产生的应力场的作用ꎬ所形成的位错环稳定分布在Al3Zr球形析出相周围基体应变较小的{111}晶面上(图2g)ꎮ同时ꎬ高温均匀化处理时在Al基体中引入的空位缺陷也可扩散到Al3Zr析出相附近ꎬ促进由Al3Zr/Al基体界面失配所形成的位错环的进一步长大(图2gꎬ2h)ꎮ交叉位错环可能与两个位错环在四叶草形应力场作用下的不同{111}晶面上的同时形核长大有关ꎮ当然ꎬ后续位错运动与位错环的交割也有可能形成交叉位错环ꎮ尽管纳米强化析出相也可能通过在变形过程中对位错运动的钉扎来形成位错环ꎬ但通常ꎬ形成的位错环只是稍大于析出相或直接与析出相接触[25-26]ꎬ很难形成图2中较大直径的位错环ꎮ此外ꎬ淬火过程中引入的蜷线位错通过位错线的攀移ꎬ也可以在Al3Zr析出相的周围形成位错环ꎬ但Al3Zr析出相的存在并非形成蜷线位错必要条件ꎬ即有无Al3Zr析出相ꎬ蜷线位错都可以通过位错线的攀移形成位错环(将在图3中进一步讨论)ꎮ图2㊀a.近[111]晶带轴的BFTEM像ꎬ黑色箭头指示的为不同{111}面的较大尺寸位错环ꎻb.BF和DFTEM像显示在图a中所示每个位错环的中心均存在一个Al3Zr纳米颗粒ꎻc.交叉的位错环和双层位错环的HAADF ̄STEM像ꎻd.较大尺寸位错环的平均直径(~200nm)及其分布ꎻe ̄h.Al3Zr周围位错环的形成机理ꎻi.蜷线位错在Al3Zr颗粒周围形成的位㊀㊀㊀错环ꎮa ̄c:Bar=500nmꎻi:Bar=200nmFig.2㊀a.TheBFTEMimageofthezoneaxisnearlyalongthe[111]ꎬvariousdislocationloopsin{111}planesweredenotedbyblackarrowsꎻb.TheBFandDFTEMimagesshowingalldislocationloopsaroundAl3Zrnanoparticlesꎻc.TheHAADF ̄STEMimageofthecrosseddislocationloopsandthetwo ̄layereddislocationloopsaroundAl3Zrnanoparticlesꎻd.AveragediameterandsizedistributionofdislocationloopsinFig.2aꎻe ̄f.FormationmechanismofdislocationloopsaroundAl3Zrnanoparticlesꎻ㊀㊀㊀㊀㊀㊀i.FormationofdislocationloopsaroundAl3Zrnanoparticlesinducedbyahelicaldislocation.256㊀第6期宋㊀淼等:淬火态Al ̄Zn ̄Mg ̄Cu合金中位错环的形成机理研究㊀㊀2 3㊀Al基体及滑移带中位错环的形成机理除了上述Al3Zr析出相周围的位错环ꎬ实验中还发现了另外两种非空位聚集塌陷所形成的位错环ꎮ如图3a所示ꎬ在淬火后的Al ̄Zn ̄Mg ̄Cu合金中ꎬ形成了大量的蜷线位错[13ꎬ27]ꎮ蜷线位错的形成与位错的攀移有关[28]ꎮ不同于两根柏氏矢量符号相反的蜷线位错反应产生的位错环[28]ꎬ单根蜷线位错线也可形成位错环ꎮ当淬火过程中大量空位扩散到形成的螺旋环附近时ꎬ可进一步促进螺旋环攀移ꎬ即螺旋交叉区域位错线的不断靠近ꎬ进而形成柏氏矢量符号相反的位错线交叉并反应生成中等尺寸(112 9nmʃ37 6nm)的位错环(图3b黑色箭头所示)ꎮ如果周围仍有大量空位的存在ꎬ所形成的位错环还可发生攀移ꎬ进而反应形成贯穿的位错环(图3c)ꎮ此外ꎬ在外部应力场的作用下ꎬ局部原子的重排也可诱导位错环贯穿的发生[29]ꎮ图3d为蜷线位错形成中等尺寸位错环的机理示意图ꎮ如图3e所示ꎬ在经过淬火处理后所形成的滑移带的前端发现了大量尺寸较小(平均直径:54 8nmʃ14 6nm)的位错环ꎮ通常ꎬ在合金或单质金属中ꎬ所形成的滑移带的前端为较为平直的刃型位错ꎬ平行滑移带的为螺型位错[30-31]ꎮ然而ꎬ原位拉伸实验表明ꎬ在淬火后的Al ̄Zn ̄Mg ̄Cu合金中ꎬ所形成的滑移带前端刃型位错的滑移严重受阻(图3f中黑色箭头所示)ꎮ这可能与淬火合金中ꎬ微区成分的不均匀或局部缺陷结构有关[32]ꎮ在后续加载变形过程中ꎬ滑移带前端的位错通过绕过或交滑移等形式继续向前滑移并在Al基体中留下小尺寸位错环ꎬ如图3g中黑色箭头所示ꎮ图3h为小尺寸位错环的形成机理示意图ꎮ值得注意的是ꎬ图3(e~g)中滑移带的前端并无明显的Al3Zr析出相ꎮ图3㊀a.蜷线位错的BFTEM像ꎻb.蜷线位错形成的中等尺寸(~110nm)位错环ꎻc.在蜷线位错周围所形成的贯穿位错环ꎻd.蜷线位错周边位错环的形成机理ꎮe.滑移带前端出现的较小尺寸(~50nm)的位错环ꎻfꎬg.原位拉伸试验过程中㊀㊀在滑移带前端观察到的位错环ꎻh.滑移带前端较小尺寸位错环的形成机理示意图ꎮBar=500nmFig.3㊀a.TheBFTEMimageofhelicaldislocationsꎻb.Formationofdislocationloopsnearahelicaldislocationꎻc.Formationofpuncheddislocationloopsnearahelicaldislocationꎻd.Formationmechanismofdislocationloopsandpuncheddislocationloopsnearahelicaldislocationꎻe.Smallsizedislocationloopsinthefrontendoftheslipbandꎻfꎬg.Formationofsmallsizedislocation㊀㊀loopsinthefrontendoftheslipbandduringinsitutensionprocessꎻh.Formationmechanismofsmallsizedislocationloops.㊀㊀此外ꎬ在淬火得到Al ̄Zn ̄Mg ̄Cu合金中ꎬ除了以上三种位错环以外ꎬ实验中还观察到了一些尺寸和分布都不均匀的位错环ꎬ类似于在其它经淬火后Al合金中所观察到的位错环[1-2]ꎮ这些位错环也是经淬火过程中空位的聚集坍塌所形成的ꎮ3㊀结论本文采用透射电子显微镜研究了淬火态Al ̄Zn ̄Mg ̄Cu合金中的三类位错环及其形成机理ꎮ三种位错环主要为:(1)绕Al3Zr共格析出相形成的大尺寸356㊀㊀电子显微学报㊀J.Chin.Electr.Microsc.Soc.第39卷空位坍塌型位错环(~200nm)ꎬ其形成与Al3Zr和Al基体的晶格失配以及热膨胀系数差异所引入的缺陷以及高温Al基体中空位在Al3Zr/Al界面失配位错附近的聚集有关ꎻ(2)蜷线位错通过攀移和位错反应形成的中等尺寸的位错环(~110nm)ꎻ(3)淬火后Al合金微区成分不均匀或局部缺陷导致在滑移带前端形成尺寸较小位错环(~50nm)ꎮ该实验通过淬火态Al ̄Zn ̄Mg ̄Cu合金中不同位错环的详细研究ꎬ发现了纳米共格强化相与热处理共同作用下位错环组态的可控机理ꎬ为优化材料的综合力学性能提供了实验参考和理论支持ꎮ参考文献:[1]㊀LORETTOMHꎬCLAREBROUGHLMꎬHUMBLEP.Thenatureofdislocationloopsinquenchedaluminium[J].PhilosophicalMagazineꎬ1966ꎬ13(125):953-961.[2]㊀EDINGTONJWꎬSMLLMANRE.Faulteddislocationloopsinquenchedaluminium[J].PhilosophicalMagazineꎬ1965ꎬ11(114):1109-1123. 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位错移动方法 -回复

位错移动方法 -回复

位错移动方法-回复位错移动方法(Dislocation movement)是晶体的一种形变方式,主要发生在金属与合金等具有结晶性质材料中。

位错是晶体中的一种缺陷,是晶格排列中的一个错位点。

在晶体中,位错以一定形式存在并沿着特定方向移动,从而引起材料的塑性变形。

位错移动方法包括滑移移动、螺旋移动和扩散移动,本文将一一介绍这三种位错移动方法。

滑移移动是位错移动的最常见方式。

当晶格中的位错沿着晶体内部某个晶面和晶向的平面滑移方向发生移动时,就是滑移运动。

滑移移动是在局部区域内相邻的原子发生位置错位而形成的一种位错。

在滑移移动中,位错以一定的步进方式沿晶面和晶方向滑移,晶格受到位错移动的作用而出现局部形变。

滑移移动可以通过很多位错来实现,一般材料中存在多种滑移系统。

滑移移动的主要特点是位错发生移动后仍保持原有的滑移面和滑移方向。

螺旋移动是另一种常见的位错移动方式。

螺旋移动是指位错围绕着螺旋线进行运动,位错线上的原子在晶面方向和晶向方向发生位移。

螺旋移动通常发生在具有空间限制的区域,例如晶界和亚晶界等特殊结构。

螺旋移动与滑移移动相比,位错移动路径更加复杂,位错沿着螺旋线进行扭转运动,形成一种扭转位错的结构。

螺旋移动也是一种塑性变形的重要方式,在材料的变形过程中起到重要的作用。

扩散移动是位错移动的一种特殊形式。

它是指原子由位错到位错之间的跳跃移动。

位错通过扩散原子的方式移动,是一种比较缓慢的变形方式。

扩散移动主要发生在高温条件下,随着温度的升高,原子的热运动增强,扩散移动的速率也会增加。

扩散移动对材料的塑性变形影响较小,但在晶体的回复和再结晶过程中起到重要作用。

总结来说,位错移动是材料塑性变形的重要方式。

滑移移动是位错最常见的移动方式,通过沿晶面和晶向的平面滑移实现;螺旋移动发生在特殊的结构位置,位错形成螺旋线进行扭转移动;扩散移动是原子通过位错之间的跳跃移动。

了解位错移动方法对于研究材料的塑性变形机制和材料性能具有重要意义,并对金属、合金的性能及应用提供了理论基础和技术支撑。

位错的运动

位错的运动

5/3/2014
刘志勇 14949732@
6
吉 首 大 学 物 理 与 机 电 工 程 学 院 JiShou University
2.3.1 刃型位错的运动 刃型位错运动的两种方式:滑移、攀移
滑移 :位错线在滑移面上的运动,如图位错线移动到晶体表面时,位错即消失, 形成柏氏矢量值大小的滑移台阶
吉 首 大 学 物 理 与 机 电 工 程 学 院 JiShou University
混合位错的滑移过程
混合位错是刃型位错和螺型位错的混合型 其运动亦是两者的组合
1点为纯螺型位错,2点为纯刃型位错,12表示混合位错。在外力作用下滑 移区不断扩大,当12位错线在滑移面上滑出晶体后,使上下两块晶体沿柏 氏矢量方向移动了一个原子间距,形成了一个滑移台阶
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位错环的运动
位错环逐渐扩大而离开晶体时,晶体上、下部相对滑动一个台阶,其方向和大小与 柏氏矢量相同 位错环也可能反向运动而逐步缩小至位错环消失,这取决于切应力τ的方向
位错环的运动方向是沿法线方向向外扩展
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5/3/2014 刘志勇 14949732@ 23
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混合位错运动
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刃位错和螺位错的讨论

刃位错和螺位错的讨论

a)
(b)
(c)
(d)
(a)原始状态的晶体(b)(c)位错滑移中间阶段(d)位错移出晶体表面, 形成一个台阶
3
LOGO
(a)
4
(b) 刃型位错的滑移
(c)
LOGO
τ
滑移面
τ
5
滑移台阶
LOGO
6
螺位错滑移
螺位错沿滑移面运动时,周围原子动作情况如图。 虚线--为螺旋线原始位置, 实线--位错滑移一个原子间距后的状态。
8
LOGO
9
位错的滑移特征
位错 类型 柏氏 矢量 位错线 运动方向
LOGO
晶体滑移 切应力 滑移面 方向 方向 数目
刃型 位错
螺型 位错 混合 位错
⊥位错线
∥位错线
⊥位错线本身 与b一致
⊥位错线本身 与b一致
与b一致 唯一 确定 与b一致 多个 与b一致
成角度
⊥位错线本身 与b一致
1运动到晶体表面时,整个上半部晶体相对下半部 刃位错滑移 移动了一个柏氏矢量晶体表面产生了高度为 b的台阶。 刃型位错的柏氏矢量 b与位错线t互相垂直,故滑移面 • 位错扫过整个滑移面,即位错运动移出晶体表面时,滑移面两边晶体将产生 一个柏氏矢量( b)的位移。 为 b与 t 决定的平面,它是唯一确定的。刃型位错移动 • 刃位错移动方向:与位错线垂直,即与其柏氏矢量b 一致。 的方向与 b方向一致,和位错线垂直。 • 刃位错滑移面:由位错线与其柏氏矢量所构成平面。
位错绕过障 碍物的机制
Thank you very much!

LOGO

在切应力τ作用下,当原 子做很小距离的移动时, 螺位错本身向左移动了一 个原子间距。 滑移台阶(阴影部分)亦向 左扩大了一个原子间距。

螺型位错滑移面受阻时交滑移的滑移面

螺型位错滑移面受阻时交滑移的滑移面

螺型位错滑移面受阻时的交滑移是晶体塑性变形中一个非常重要的问题,也是材料科学研究者们非常关注的领域之一。

在晶体中,螺型位错是晶格中原子偏离理想位置形成的一种结构缺陷,而滑移面则是位错在晶体中运动的路径。

当螺型位错滑移面受到阻碍时,晶体内部就会发生交滑移,这对材料的性能与应用具有重要意义。

1. 螺型位错滑移面:螺型位错是晶体中一种特殊的位错结构,它的运动轨迹是沿着一定的滑移面,并同时绕着滑移线做螺旋状的运动。

螺型位错与滑移面之间的相互作用十分复杂,受到晶格结构和外力的影响。

当外力作用到晶体上时,螺型位错会沿着滑移面发生移动,从而引起晶体的塑性变形。

2. 滑移面受阻:在晶体中,滑移面受到各种因素的影响,如晶体内部的其他缺陷、夹杂物,以及外界应力等。

这些因素会对滑移面的运动产生一定的阻碍,使得螺型位错无法顺利沿着原来的滑移面移动。

3. 交滑移的机制:当螺型位错运动过程中遇到滑移面的阻碍时,会引起交滑移的现象。

交滑移是指螺型位错由原来的滑移面转移到另一个滑移面上进行运动。

这种交滑移的机制十分复杂,涉及到晶体结构、位错相互作用及应力场的变化等多个因素。

4. 影响因素:影响螺型位错滑移面受阻时交滑移的因素有很多,包括晶体结构的特点、外界应力状态、温度等。

这些因素相互作用,共同决定了交滑移现象的发生和发展。

总结回顾:螺型位错滑移面受阻时的交滑移是晶体塑性变形的重要现象,对材料的塑性变形行为及性能具有重要影响。

研究交滑移的机制和影响因素,有助于深入理解晶体变形的机制,为材料科学的发展和应用提供重要的理论基础。

个人观点:螺型位错滑移面受阻时的交滑移现象涉及到晶体结构、位错运动以及应力场的复杂相互作用,是一个非常有挑战性的研究领域。

研究这一现象,有助于揭示晶体塑性变形的内在机制,为材料性能的改进和设计提供重要的理论支持。

希望本篇文章通过对螺型位错滑移面受阻时交滑移的全面评估,给您带来了更多对该主题的深入理解。

探讨这一主题从宏观到微观的层面,对于加深对晶体塑性变形机理的理解至关重要。

金属中的位错运动及其对材料性能的影响

金属中的位错运动及其对材料性能的影响

金属中的位错运动及其对材料性能的影响在材料科学领域中,位错是一种重要的材料缺陷,它指的是晶体中未能继续延伸的位置。

位错在金属中的运动是材料变形的主要原因之一。

位错的运动不仅会影响金属的机械性能,同时还会影响其电学、热学和化学性能。

因此,位错运动的研究是金属材料科学中的一个重要方向。

一、金属中位错的类型在金属材料中,有三种类型的位错:缺陷位错、滑移位错和螺位错。

缺陷位错形成于晶体内的空缺或夹杂,这些缺陷或夹杂通常是由于材料的加工或成形过程中产生的。

当晶体中形成位错时,它们可能会使晶体显得畸变或高度压缩,从而导致其他位错的形成。

滑移位错是开放堆积错的一种形式。

当晶体中的原子在确定的晶面上产生接触,然后沿着晶体的断裂面进行滑移时,就会形成滑移位错。

螺位错是位错的一种特殊类型。

它沿着某个晶面的螺旋方向滑移,具有某些独特的滑移特性。

二、位错的运动位错的运动可以发生在三个方向上:横向、长向和微观横向。

横向位错运动是指沿同一个平面的位错之间的相互作用;长向运动是指在平行于某一晶面或晶体轴的方向上的位错滑动;微观横向运动可以在晶体中的米级或亚微米尺度上发生变形。

当一个应力作用于金属的时候,它会在位错周围产生弹性应变。

当作用于该应力的原子增加时,位错会越过其位于晶体中的最低点,进入新的位于它之前的位置。

当位错靠近晶体的表面时,其运动受到侧面表面的拘束,这通常会导致表面的形状畸变。

因此,在相对较弱的应力下,位错通常更容易在晶体的内部发生运动,而在表面上容易留下痕迹。

三、位错运动对材料性能的影响位错运动对材料性能的影响非常重要。

由于位错运动的存在,金属的塑性能力得以发挥。

滑移位错在外部应力的作用下可以在晶体中移动并暴露新的原子来增加晶格常数,从而改变金属的体积和形状。

该过程是金属变形和加工的基础。

另一方面,位错的存在不仅可以引起材料变形,也可以导致材料的断裂和开裂。

当位错滑动时,其周围的晶体结构会发生变化,从而导致局部的结构扭曲和应力集中。

材料科学基础位错部分知识点

材料科学基础位错部分知识点

材料科学基础位错部分知识点第三章晶体结构缺陷(位错部分)1.刃型位错及螺型位错的特征刃型位错特征:1)刃型位错是由一个多余半原子面所组成的线缺陷;2)位错滑移矢量(柏氏向量)垂直于位错线,而且滑移面是位错线和滑移矢量所构成唯一平面;3)位错的滑移运动是通过滑移面上方的原子面相对于下方原子面移动一个滑移矢量来实现的;4)刃型位错线的形状可以是直线、折线和曲线;5)晶体中产生刃型位错时,其周围的点阵发生弹性畸变,使晶体处于受力状态,既有正应变,又有切应变。

螺型位错特征:1)螺型位错是由原子错排呈轴线对称的一种线缺陷;2)螺型位错线与滑移矢量平行,因此,位错线只能是直线;3)螺型位错线的滑移方向与晶体滑移方向、应力矢量方向互相垂直;4)位错线与滑移矢量同方向的为右螺型位错;为此系与滑移矢量异向的为左螺型位错。

刃型位错螺型位错位错线和柏氏矢量关系(判断位错类型)⊥∥滑移方向∥b∥b位错线运动方向和柏氏矢量关系∥⊥相关概念(ppt上的,大概看一看):A.位错运动与晶体滑移:通过位错运动可以在较小的外加载荷下晶体产生滑移,宏观显现为产生塑性变形。

B.位错线:位错产生点阵畸变区空间呈线状分布。

对于纯刃型位错,其可以描述为刃型位错多余半原子面的下端沿线。

为了与其它类型位错统一,位错线可表述为已滑移区与未滑移区的交界线。

C.混合型位错:在外力作用下,两部分之间发生相对滑移,在晶体内部已滑移和未滑移部分的交线既不垂直也不平行滑移方向(柏氏矢量b),这样的位错称为混合位错。

(位错线上任意一点,经矢量分解后,可分解为刃位错和螺位错分量。

晶体中位错线的形状可以是任意的。

)=l/V;单位面积内位错条数来表示位错密度:D.错位密度:单位体积内位错线的长度:ρv=n/S。

(金属中位错密度通常在106~8—1010~121/c㎡之间。

)ρs2.柏氏矢量:1)刃型位错和螺型位错的柏氏矢量表示:2)柏氏矢量的含义:柏氏矢量反映出柏氏回路包含的位错所引起点阵畸变的总累计。

金属及合金强化的位错解释

金属及合金强化的位错解释

裂纹及应力状态的影响;
03
材料的化学成分及显微组织对断裂行为也有重要影响;
温度对材料断裂行为的影响。
04
6.6.5 影响材料断裂的基本因素
位错互相截割后可以产生割阶(jog)。图6[两个刃型位错的截割]
为伯格斯矢量互相垂直的两个刃型位错发生截割的情况。 AB在Ⅰ面上移动,CD在Ⅱ面上截割后产生割阶QQ (图6b 两个刃型位错的截割]其伯格斯矢量为。从QQ与相垂直 可知QQ属刃型,位于QQ 与构成的滑移面Ⅲ上, 故可与整个 位错一起运动。因为与AB平行,截割后位错AB不受影响。
1、cottrell 气团 2、位错的交割和带割阶位错的运动 3、滑动位错与第二相质点的交互作用
202X
金属及合金强化的位错解释
1、柯氏气团(Cottrell atmosphere) 围绕于刃型位错(见滑移)周围的溶质原子聚物,又称溶质原子气团或溶质原子云,溶质原子和刃型位错的相互弹性作用称为柯氏效应。在含有溶质原子的固溶体合金中,同时存在位错与溶质,其周围均有一个应力场,这两个应力场会发生交互作用,降低系统的应变能。溶质原子与位错应力场问的弹性交互作用能越大,则交互作用越强烈。由于这种交互作用,溶质原子在晶体中将重新进行分布。刃型位错具有拉应力区及压应力区,因此溶质原子被吸引到拉应力区(见图);若置换的溶质原子比溶剂原子小时,则溶质原子被吸引到位错的压应力区。在间隙固溶体中,溶质原子在刃型位错的拉应力区偏聚,使溶质原子的浓度提高;而在压应力区,则溶质原子浓度降低。柯氏气团对位错起钉扎作用,除产生强化效应外,还可解释某些合金中出现的应变时效和明显屈服点现象的原因。柯氏气团的作用随着温度的升高而减弱。
晶体中的位错在外力作用下产生运动,在运动过程中首先遇到的是第二相质点周围的应力场(如果有这种应力场存在的话),对其产生阻碍作用,它属于长程作用。继而有两种可能,一种是位错切割质点而过,一种是位错以某种方式绕过质点

位错的运动知名专家讲座

位错的运动知名专家讲座

位错塞积群旳一种主 要效应就是:在它旳 前端引起应力集中。
三、位错旳交割:两位错相互交割,必在对方留下一 种与本身柏氏矢量大小、方向相同旳一小段位错。
1. 扭折 若小段位错位于原位错旳 滑移面上,因为线张力旳 作用,经过滑移可使小段 位错消失。
2. 割阶 若小段位错垂直于位错
旳滑移面与原位错旳滑移 面不同,小段位错不可能 靠滑移而消失。
考虑到实际晶体中位错是弯曲 旳,在远处旳应力场可能会有 部分抵消,使位错线旳线张力 不大于直位错线,一般用Gb2/2 作为位错线张力旳估算值。位 错线张力在数量上与单位长度 旳位错能相等,但要注意两者 不同旳物理意义和不同旳量纲。
第四节 在整体中旳位错
晶体中有大量位错存在,要考虑它们之间旳相互作用 及作为群体旳位错旳特征。
3. 混合位错旳滑移
沿柏氏矢量方向对晶 体施加应力,则A、B 处为符号相反旳刃位 错,C、D处为符号相 反旳螺位错,在相同 旳外力作用下,各自 运动方向相反,故位 错环只能收缩或扩展 。一样是晶体产生一 种b大小旳宏观变形。
4. 位错滑移旳方向
三、位错旳攀移
刃型位错在垂直于滑移面方向旳运动称为攀移。这 相当于多出半原子面、位错旳滑移:外切应力作用下,位错在滑移面上旳运动,造成晶体永 久变形。
1.刃位错旳滑移: 位错滑移是在切应力作用下,经过位错中 心附近旳原子沿柏氏矢量方向在滑移面上不断地做少许旳位 移(不大于一种原子间距)而逐渐实现旳。位错运动到哪里, 哪里就出现多出半原子面。在切应力作用下,滑移面上方每 列原子只移动了b/6,位错就移动了一种原子距离b,多出半 原子面也移动了一种原子距离在晶体表面出现一种滑移台阶, 这种滑移方式所需要旳应力比晶体作整体运动所需旳应力要 小得多。

【材料】【浅析位错运动的形成与分类】

【材料】【浅析位错运动的形成与分类】

浅析位错运动的形成与类型李健(同济大学材料科学与工程学院,2012级,1251654)摘要:位错是晶体材料的一种内部微观缺陷,即原子的局部不规则排列。

从几何角度看,位错属于一种线缺陷,可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界线。

本文将结合位错的基本类型来浅析位错运动的形成与类型。

关键词:刃型位错、螺型位错、滑移、攀移、交滑移0引言位错最重要和最基本的形态有刃型位错、螺型位错两种,也有介于这两者之间的混合型位错。

位错对于晶体生长、塑性变形和断裂、强度和塑性、扩散和相变等性质有着重要影响。

1956年Bollmann在不锈钢中,Hirsch在铝中独立地发现用电子显微镜透过减薄到约1000埃的金属膜能观察到位错,且膜内的温度梯度或氧化层生长所引起的应力作用下位错能够自由运动,Hirsch还制作了位错运动的影片。

此后,对各种蚀坑和生长图形的考察以及滑移线的形成,早已证明位错是可动的。

1刃型位错的运动刃型位错相当于局部滑移区的边界,晶体某一区域受压缩作用后,造成质点滑移,滑移面和未滑移面的交界处有一条交界线,称之为位错线。

位错线以上部分的原子间距较密、下部分原子间距较疏,原子间距疏密不均的现象视为线缺陷,这类线缺陷为刃型位错。

如果在刃型位错的特点是滑移方向垂直于位错线,平行于Burgers矢量。

此外,把多余半原子面在滑移面的上边的刃型位错称为正刃型位错,反之为负刃型位错。

1.1刃型位错的滑移运动如果在刃型位错的滑移面上施加一个垂直于位错线的切应力,这个位错线就很容易在滑移面上运动起来。

这种运动只牵涉到靠近位错心部为数不多的一些原子,而离位错心部较远的原子不受位错移动的影响,因而使位错移动的切应力是很小的。

图为刃型位错滑移示意图。

在外加力t的作用下,位错中心的原子从“.”位置移动到“。

”位置,使得位错在滑移面上向左移动了一个原子间距。

如果切应力t继续作用下去,位错就会继续向左逐步移动。

当位错线沿滑移面滑移(如图b所示)通过整个晶体时,就会在晶体表面沿Burgers矢量方向产生宽度为Burgers矢量大小的台阶,造成晶体的塑性形变。

《位错的运动与交割》课件

《位错的运动与交割》课件
混合型位错的滑移过程
不同类型位错的滑移方向与外加切应力和柏氏矢量的方向不同。刃 型位错的滑移方向与外加切应力τ及柏氏矢量一致,正、负刃型位错 方向相反;螺型位错的滑移方向与外加切应力τ及柏氏矢量垂直,左、 右螺型位错方向相反;混合型位错的滑移方向与外加切应力τ及柏氏 矢量成一定角度,晶体的滑移方向与外加切应力τ及柏氏矢量相一致。
螺型位错滑移的示意图 (a)原始位置;(b)位错向左移动了一个原子间距;(c)滑移过程
3.混合型位错的滑移运动
混合型位错的移动运动如图所示。根据确定位错线运动方向的 右手法则,即以拇指代表沿着柏氏矢量b移动的那部分晶体,食指代 表位错线方向,则中指就表示位错线移动方向,该混合位错在外加 切应力τ作用下,将沿其各点的法线方向在滑移面上向外扩展,最终 使上下两块晶体沿柏氏矢量方向移动一个b大小的距离。
《位错的运动与交割》
1 位错的运动
1.刃型位错的滑移运动
刃型位错滑移的示意图 (a)滑移时周围原子的位移; (b)滑移过程
2 . 螺型位错及混合型位错的滑移运动
螺型位错运动时,当位错线沿滑移面滑过整个晶体时,同样 会在晶体表面沿柏氏矢量方向产生宽度为一个柏氏矢量的台阶。 在滑移时,螺型位错的移动方向与位错线垂直,也与柏氏矢量 垂直。
位错的滑移方向与外加切应力τ及柏氏矢量的关系 (a)刃型位错;(b)螺型位错;(c)混合型位错
4 刃型位错的攀移运动
刃型位错在垂直于滑移面方向的运动称为攀移。通常把多余 半原子面向上运动称为正攀移,向下运动称为负攀移。刃型位错 的攀移相当于多余半原子面的伸长或缩短,可通过物质迁移即原 子或空位的扩散来实现。螺型位错没有多余的半原子面,因此不 会发生攀移运动。
3 两个柏氏矢量互相垂直的螺型位错交割

螺旋位错的运动方式

螺旋位错的运动方式

螺旋位错的运动方式
嘿,朋友们!今天咱来聊聊螺旋位错的运动方式,这可真是个神奇又有趣的玩意儿啊!
你看啊,螺旋位错就像是一个在材料世界里调皮的小精灵。

它的运动呢,有点像个爱溜达的小孩子,这里走走,那里逛逛。

想象一下,螺旋位错在晶体里那可是自由自在的呀!它能顺着某个方向慢慢悠悠地“溜达”,这种溜达可不简单,它能改变晶体的一些性质呢!就好像一个小小的改变能引发一系列的连锁反应。

它的运动方式有时候会让人捉摸不透,一会儿快,一会儿慢。

这不就跟我们有时候做事一样嘛,心情好的时候效率高,心情不好的时候就慢悠悠的。

而且哦,螺旋位错的运动还会受到周围环境的影响呢!就好比我们人在不同的场合会有不同的表现。

周围的其他位错啦,晶体的结构啦,都会对它的“行动路线”产生影响。

它有时候会遇到一些“阻碍”,哎呀,这可咋办呢?它可不会轻易放弃,会想办法绕过去或者冲过去。

这股子倔强劲是不是很像我们遇到困难时不放弃的样子呀?
螺旋位错的运动虽然看似无序,但其实也有它的规律可循。

这就像我们的生活,看似每天都不一样,但其实也有一些固定的模式和习惯。

我们研究螺旋位错的运动方式,不就是为了更好地理解材料的性质和行为嘛。

就像我们了解自己的习惯和性格,才能更好地和别人相处,更好地生活呀!
总之呢,螺旋位错的运动方式充满了奥秘和趣味,让我们不断去探索,去发现。

它让我们看到了材料世界里的精彩和奇妙,也让我们更加感叹大自然的鬼斧神工啊!难道不是吗?。

1-5位错的运动

1-5位错的运动

▲ Cation generator (similar to Frank-Read source)
Primary slip plane
edge
b
b
b
Cross slip plane
交滑移 cross slip
作用原滑移面上运动受阻—交滑移—新 滑移面—滑移继续交滑移只能是螺位错才 能发生 说明:交滑移不是塑性变形的主要机制— 可避开障碍物—便于滑移 结论:交滑移能力——影响滑移进行—— 进一步影响塑性变形
定义:每增加单位长度的位错线所做的功或增加的位错能 -位错的线张力。
如果受到外力或内力的作用,晶体中的位错将呈弯曲弧形。 为达到新的平衡状态,位错弯曲所受的作用力与其自身的 线张力之间必须达到平衡。 -位错的向心恢复力
保持位错线弯曲所需的切应力与曲率半径成反比,曲率半径越小, 所需的切应力越大,这一关系式对于位错的运动及增殖有着重要的意义.。
Fe
slip
Fe3 C
Slip can be blocked by large precipitates. Blocking dislocations increases strength but lowers ductility.
Fe
climb slip
slip
Fe3 C
Climb allows dislocations to move around obstacles.
螺型位错滑移时周围原子的移动情况代表下层晶面的原子代表上层晶面的原子原位错线处在11处在切应力作用下位错线周围的原子作小量的位移移动到虚线所标志的位置即位错线移动到22处表示位错线向左移动了一个原子间距
正刃型位错
负刃型位错
Deformed microstructure of Ti3Al-Nb alloy (TEM ) 位错环 dislocation loop
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论文学科类别:130金属钨中螺位错的运动田晓耕1, Chungho Woo21. 西安交通大学机械结构强度与振动国家重点实验室,西安,7100492. 香港理工大学机械工程系,香港,九龙,红磡摘要采用Acland势,利用分子动力学方法研究了剪切力作用下金属钨中1/2a<111>螺位错的运动。

根据线弹性理论在完好体心立方晶体中形成位错线沿<111>方向的螺位错,施加合适的边界条件对含螺位错的原子结构进行松弛,获得平衡态的位错结构。

发现平衡态的位错核心由位于{110}平面三个沿<112>方向呈对称的皱褶组成。

当外加剪力增大到一定程度时位错核心将会运动。

当剪切力较小时,位错核心运动呈现“之”字形;剪2[方向以直切力增大后,位错运动开始阶段仍呈“之”字形运动,以后位错主要沿]线运动,位错运动的速度随着施加剪切力的增加而增大。

同时发现使螺位错开始运动的派纳力明显大于刃位错的派纳力。

关键词分子动力学;螺位错;错合度The movement of screw dislocations in tungstenTian Xiaogeng1 Chungho Woo21.The State Key Laboratory of Mechanical Structural Strength & Vibration, Xi’anJiaotong University, Shaanxi, 710049, P. R. C.2.Department of Mechanical Engineering, The Hong Kong Polytechnic University,Hung Hom, Kowloon, Hong KongAbstract Using Acland potential for tungsten, the movement of 1/2a<111> screw dislocation under shear force was investigated by molecular dynamics simulation. Equilibrated core structure was obtained by relaxation of screw dislocation with proper boundary conditions. We found that the equilibrium dislocation core has three-fold symmetry and spread out in three <112> direction on {110} planes. The dislocation moves in zigzag at the beginning of the dislocation moves or when the acted shear stress is small. When the shear stress gets larger,2[ direction,and the larger shear11the dislocation will move almost in straight line in ]stress applied, the higher velocity obtained. We also found that the mobility of screw dislocations is lower than edge dislocations.Key words Molecular dynamics, Screw dislocation, Disregistry前言很多晶体的物理性质都或多或少地受到晶体中位错的影响,特别是位错的动态特性在塑性理论中起着重要的作用,如晶体中位错的密度和运动速度就直接决定了材料的塑性行为。

因此从理论上深刻理解位错特性对了解晶体材料的特性是非常重要的。

随着高性能计算机的快速发展,在描述材料结构和特性方面利用化学和物理模型进行原子级模拟成为非常重要的手段。

Vitek在1976年完成了螺位错运动的原子级研究[1],采用三种不同的原子势获得剪切力作用下螺位错的运动特性。

体心立方晶体金属中的1/2a<111>螺位错被采用不同模拟方法进行过研究,Xu和Moriarty研究了金属钼中1/2a<111>螺位错的核结构、核能量、派纳力和双扭节(kink-pair)形成能等;对过渡金属中的1/2a<111>螺位错则采用从第一原理广义虚势理论(MGPT)得到的多离子原子势[2],[3]进行研究;Ismail-Beigi和Arias采用从头开始方法研究了过渡金属钼和钽中的1/2a<111>螺位错[4],获得含有对称和紧凑位错核心的体心立方晶体塑性特性相反于基于连续介质和原子间势得到、已被普遍接受的塑性特性;Schroll等采用嵌入原子势方法研究了化合物NiAl中位错核心的特性及其运动特性,确定了含有刃位错、螺位错和混合位错的直线位错的特性[5]。

本文采用Acland势,应用分子动力学方法研究体心立方晶体金属钨中螺位错在剪切力作用下的运动特性,发现螺位错的运动方向和速度与所施加的剪切力大小有关,而且使螺位错运动的派纳力比使刃位错运动的派纳力大许多。

1模拟方法位错可以完全由伯格斯矢量b和位错线描述,不失一般性,产生位错原子结构的方法如下:根据各向异性弹性理论获得位错的原子晶格坐标,通过改变完好结构中原子的空间位置从而在晶体中获得一个位错[6],将周期边界条件施加在平行于位错线方向以得到一个无限长的直线位错,结构最外面的原子被固定在由弹性解得到的位置(或采用周期边界条件),内部的原子可以自由运动,然后采用共轭梯度算法对形成位错的结构进行松弛,使各个原子获得它们的平衡位置,系统的应变能达到最小。

根据位错结构特点,刃位错除位错线方向施加周期边界条件外,另外两个与位错线垂直的方向也可以施加周期边界条件,表示结构沿这两个方向位错将周期性出现。

但对于螺位错,其结构在垂直于位错线的平面内不满足周期性条件,因此不能施加周期边界条件,只能施加固定边界条件。

有学者在研究螺位错时仍采用周期边界条件,他们在研究的原子结构中形成四个螺位错,两两相邻的螺位错形成时采用反方向处理(下面介绍螺位错形成时会加以说明),以此四个螺位错为基本单元就可以采用周期边界条件处理[7],表示两个相反的螺位错周期地在结构中重复出现。

但这样处理不适合研究单个位错在剪切力作用下的移动,本文采用固定边界条件,为了消除固定边界对位错核心运动的影响,结构形成时保证在垂直于位错线方向的尺寸足够大。

如果以位错线所在位置为圆柱轴线,研究发现,当圆柱形原子结构的半径超过35个晶格常数(约100Å)时,{100}螺位错的运动特性几乎不受边界条件的影响[5]。

分析中,原子间的作用采用Acland 势函数描述,利用线弹性理论计算得到螺位错结构中各原子的空间位置。

形成螺位错时取位错线[111]平行于x 轴,y 轴平行于晶体结构的]112[方向,则z 轴平行于]110[。

根据螺位错的形成可知,在完好原子结构上形成螺位错时,原子在x 方向有位移随着θ角从0增大到2π有0到b 的位移,如图1所示,可以表示为 )/(tan 221y z b b u x −==ππθ (1) 其中b 为伯格斯矢量,a b 3=,a 为原子结构晶格常数。

而在y 和z 方向没有位移,即0==z y u u 。

如果将式(1)中右端项前加一“-”即可得到与式(1)相反方向的螺位错。

我们所用的原子结构为14b ×226b ×114b ,其中14b 为位错线方向,位错线位于结构中心。

沿x 方向施加周期边界条件,表示位错沿x 方向无限伸长。

在y 和z 方向则采用固定边界条件。

根据已有研究,这么大的原子结构内位错可以运动相当远的距离而不受固定边界的影响[8]。

当螺位错形成并施加合理的边界条件后采用嵌入原子势通过“分子静止”(molecular static )对结构进行松弛,每个原子与其周围原子的相互作用由所建立的钨的嵌入原子势描述。

一般情况下,嵌入原子势由两部分组成:(1)描述原子之间引力和斥力的经典对势;(2)计及每个原子局部电子云密度的嵌入能。

松弛中以结构的应变能作为是否达到平衡的判据。

当整个结构原子的应变能达到最小值时表示获得平衡状态,松弛过程即可结束。

在我们的模拟中,当松弛进行15000步后系统的应变能不再减小,就是说位错结构达到了它的平衡状态,由此获得的平衡态位错原子结构将用于位错运动的模拟研究。

模拟中采用的单步时间步长是0.001皮秒,因此获得平衡态的时间为15皮秒,因此,以下的所有分析都从15皮秒(松弛的结束时间)开始。

松弛后的螺位错原子结构和坐标系选取如图2所示,x 轴沿着[111]方向,在图中垂直于纸面。

图中原子的颜色与原子的应变能相关,原子应变能愈大(相对大小),颜色愈亮,白色代表应变能最大,灰色代表应变能最小。

从图中可以发现只有位错核心附近的原子应变能较大,远离核心的原子应变能都明显减小;而且,图中三条虚线所在位置原子的应变能比其相邻原子的应变能都大,沿着虚线箭头方向原子的应变能逐渐减小。

三条虚线平分平面、互成120°,由虚线上应变能最大的三个原子(虚线无箭头一端所对应的原子)构成的等边三角形的形心就是螺位错的核心。

所得螺位错结构中螺位错圆柱(位错线为圆柱轴心)单位长度内原子的应变能与于圆柱半径的关系与位错理论[6]描述关系完全吻合,说明所形成的螺位错结构是合理的。

]图1 螺位错的形成示意 图2 螺位错的结构我们通过对以上获得平衡态含螺位错的原子结构施加均匀剪切力31τ获得螺位错的运动特性。

在实际模拟时,是通过对结构施加相应的位移边界条件获得均匀的剪切应变获得剪应力。

2 结果和讨论模拟中我们采用的剪切模量为µ =160Gpa ,晶格常数0a =0.316452nm ,钨的原子量为m =183。

剪切应力31τ施加时从0开始,并以0.1%µ 的步长逐渐增大。

因为确定螺位错的位错核心不像刃位错那么简单,刃位错位错核心就是在垂直于位错线的平面内应变能最大的那个原子所处的位置,不同平面应变能最大的原子就组成了刃位错的位错线;而螺位错的核心不在任何一个原子上,在由应变能最大的三个相邻原子组成的区域中心,如图2中位错核心在三个白色原子(能量最大的原子,即带箭头虚线尾部所在位置的原子)组成三角形的中心。

根据螺位错的结构特点可知,这三个白色原子在<111>方向相对于其相邻其它原子的位移都大。

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