电子衍射花样
TEM分析中电子衍射花样标定
TEM分析中电子衍射花样标定TEM分析中电子衍射花样的标定是指确定其中的晶格参数和晶体结构。
电子衍射是由于电子束通过晶体时,与晶体中的电子相互作用而散射产生的。
电子束通过晶体时,遇到晶体的晶面时,会发生弹性散射,产生衍射现象。
衍射光束的方向、强度和间距在电子显微镜中可以通过观察电子衍射花样来确定,进而得到晶体的晶格参数和结构信息。
在进行电子衍射花样标定之前,首先需要准备一片单晶样品。
单晶样品的制备是一个关键步骤,需要从熔融状态下使样品高度纯净的晶体生长过程中得到。
然后将单晶样品切割成薄片,通常厚度在几十纳米到一百纳米左右。
进行TEM分析时,需要将薄片放置在透明网格上,并将其放入TEM样品船中。
接下来,将TEM样品船放入TEM仪器中,并进行样品的调准和调节。
在TEM仪器中,通过侧向显示出TEM样品的像,调整样品的倾角和旋转角度,使其与电子束的传输轴垂直以及平行于透明栅中的线。
这样才能观察到电子衍射花样。
接下来是电子衍射花样的标定过程。
首先,将TEM仪器调节到电子衍射模式,并将图像显示在荧光屏上。
然后,调节TEM仪器中的操作控制器,使得样品的电子束以其中一种特定的角度来照射样品。
在进行电子衍射花样标定时,可以首先使用标准单晶样品进行实验。
标准单晶样品的晶格参数和结构已经被广泛研究和报道。
通过将标准单晶样品放入TEM仪器中,来测量其电子衍射花样,并将其与实际观察到的电子衍射花样进行对比和校准。
此外,还可以使用获得的电子衍射花样,与理论模拟的电子衍射图案进行比对。
在进行电子衍射花样的标定时,需要考虑到以下几个因素。
首先,样品的薄度和各向异性。
样品的薄度会影响电子束的穿透和样品的衍射效果。
其次,电子束的聚焦和调整,以获得清晰的电子衍射花样。
最后,还需要注意TEM仪器的标定和校准,以确保获得准确的电子衍射花样。
总结起来,TEM分析中电子衍射花样的标定是一个复杂的过程,需要准备好单晶样品,并在TEM仪器中进行样品的调准和调节。
电子衍射6(复杂电子衍射花样)—雨课堂课件
第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
菊池线的产生机理 入射电子在晶体中遭受非弹性散射→散射强度随散射方向而变 →遭受非弹性散射的电子再次受到晶面的弹性散射(Bragg衍射) →Kikuchi 线
第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
菊池线的几何特征 (1) hkl菊池线对与中心斑点到hkl衍射斑点的连线正交,而且菊
第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
所谓孪晶,通常指按一定取向关系并排生长在一起的同一物 质的两个晶粒。
上图中图a和b是CaMgSi相中的(102)孪晶在不同位向下的孪晶花样,图c 是CaMgSi相中另外一种孪晶的电子衍射花样,其孪晶面是(011)面;图d是 镁中常见的(10-12)孪晶花样。
第三章 电子衍射
池线对的间距与上述两个斑点的距离相等。
(2) 一般情况下,菊池 线对的增强线在衍射 斑点附近,减弱线在 透射斑点附近。
第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
(3) hkl菊池线对的中线对应于(hkl)面与荧光屏的截线。两条中 线的交点称为菊池极,为两晶面所属晶带轴与荧光屏的交点。
(4) 倾动晶体时,菊池 线好象与晶体固定在 一起一样发生明显的 移动。精度达0.1°
FHKL 2 [ f Au fCu fCu fCu ]2 [ f Au fCu ]2
都不消光
第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
有序 无序
第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
2、高阶劳厄带 ✓ 所有与零层倒易面平行的倒易平面统称为高层倒易面
✓ 高层倒易面中的倒易阵点由于某些原因也有可能与倒易球 相交而形成附加的电子衍射斑点,这就是高阶劳埃斑。
得上下两层倒易面与零层倒易面同时与反射球相交的机会增加; 3)当电子衍射花样不正,使得零层倒易面倾斜时,增加了高层倒易阵
单晶电子衍射花样的标定ppt
三、单晶电子衍射花样标定 实例
例1 低碳合金钢基体的电子衍射花样
➢确定斑点所属的晶面族指数{hkl}
选中心附近A、B、C、D四斑 点
A
C D 测得RA=7.1mm,RB=
B
10.0mm,
RC=12.3mm,RD= 21.5mm
求得R2比值为2:4:6:18, 表明样品该区为体心立方点阵
u=k1l2-k2l1
v=l1h2-l2h1
w=h1k2-h2k1
单晶花样的不唯一性
二次对称性180°不唯一性问题
头两个斑点的任意性
偶合不唯一性 常出现于立方晶系的中高指数
What? 同一衍射花样有不同的指数化结果
根源:一幅衍射花样仅仅提供了样品“二维信息”
• 影响 作取向关系、计算缺陷矢量分析时 必须考虑
➢确定衍射斑点的晶面指数(hkl)
用量角器测得R之间的夹角:(RA, RB)
=90˚, (RA, RC)=55 ˚, (RA, RD)=71 ˚
A {110} {211} A斑N为2,{110},假定A为(1 -1 0)。
C
D {411}
B斑点N为4,表明属于{200}晶面族
B {200} E 尝试(200),代入晶面夹角公式得f=
会聚束花样:汇聚入射
束与单晶作用产生的盘、 线状花样。
二.单晶电子衍射花样 主要标定方法
1.标准衍射花样对照法 2.尝试-校核法
7
1.标准衍射花样对照法
(100)*晶带
常见晶体标准电子衍射花样
体心立方晶体的低指数晶带电子衍射图
(111)*晶带
体心立方晶体的低指数晶带电子衍射图
电子衍射及衍射花样标定ppt
研究人体组织、细胞等生物样品的结构和功能。
02
电子衍射实验结果分析
03
数据处理与筛选
对采集到的数据进行处理和筛选,去除异常值和噪声,确保数据的质量和可靠性。
实验数据收集与整理
01
选择合适的实验条件
根据需要选择适当的加速电压、束流强度、样品厚度等实验条件,以确保实验数据的可靠性和稳定性。
药物设计与筛选
基于生物大分子的结构信息,电子衍射技术可用于药物设计与筛选,发现能够与目标分子结合的药物分子,提高药物研发的效率和成功率。
药效机制研究
01
通过对药物作用靶点的结构分析,电子衍射技术有助于研究药物的疗效机制和作用方式。
药物研发与筛选
药物优化设计
02
基于药物的靶点结构和药效机制,电子衍射技术可以优化药物设计,提高药物的疗效和降低副作用。
研究材料合成方法
新材料研发
04
电子衍射技术在医学及生物学中的应用
医学影像分析
高分辨率成像
电子衍射技术能够提供医学影像的高分辨率成像,有助于诊断病情和评估治疗效果。
蛋白质结构分析
通过电子衍射技术,可以解析蛋白质的三维结构,有助于研究蛋白质的功能和作用机制。
生物大分子结构解析
核酸结构研究
电子衍射技术也可用于研究核酸的结构,如DNA和RNA的双螺旋结构和高级结构,揭示遗传信息的传递和表达调控机制。
高能电子衍射技术的发展将促进材料科学、物理学和化学等学科的交叉与融合。
03
原位电子衍射技术的应用将推动材料科学、物理化学等领域的发展,为实际应用提供更多有价值的信息。
原位电子衍射技术应用
01
原位电子衍射技术能够实时观察材料在特定条件下的结构变化。
非晶态材料的电子衍射花样
非晶态材料的电子衍射花样非晶态材料的电子衍射花样是电子结构和物理性质研究中的重要工具。
它允许自然而生动地反映出介质结构及其动态变化,从而极大地增加了材料特性的可见性和易于操作性。
本文将讨论非晶态材料的电子衍射花样,包括其理论依据、结果的解释和应用前景。
一、非晶态材料的电子衍射花样理论依据1. 电子衍射原理:电子衍射用来研究材料结构的原理取决于X射线的衍射行为。
电子衍射花样的形成方式可以用四元素来描述:偏振电子的路径长度,衍射膜的结构,源点到衍射膜的距离和衍射膜上偏振电子途径点与衍射膜一致的晶格方向。
2. 叠加原理:电子衍射花样是由强衍射多层结构叠加而成的,而每一层结构不同,有不同的衍射角度与衍射强度。
每一层结构的叠加构成了不同细节的电子衍射花样。
二、非晶态材料的电子衍射花样结果的解释1. 电子衍射花样的结构类型:研究非晶态材料的电子衍射花样时,通常会看到两种结构类型:有序的单相(SP)结构和乱序的多相(MP)结构。
SP结构表示电子在材料中具有一定的秩序,而MP结构则表明其电子运动的无序性。
2. 结构密度:结构密度是反映电子能级或波函数在晶格空间上的分布情况,它也反映了电子结构仓的大小。
它可以在SP结构中取得最大值,表明电子能级或波函数在小晶格空间中具有较大的分布,反之MP结构中结构密度取得最小值,表明电子能级或波函数的分布比较均匀。
三、非晶态材料的电子衍射花样应用前景1. 非晶态材料的结构特性:通过测量电子衍射花样可以推断出非晶态材料的结构特性,比如描述电子态在晶格中分布的秩序或乱序情况,有助于更好地理解由原子组成的复杂结构材料。
2. 材料性质:通过电子衍射花样可以研究材料的物理性质,比如分子态特征,表面状态,电子结构及能级,电学性能等,为这类材料性质的深入了解提供有力的支撑。
四、结论电子衍射花样是揭示和预测非晶态材料结构和性质的重要手段,也是研究和设计新材料的重要工具。
它可以帮助我们更好地理解非晶态材料的结构特性和性质,从而彻底掌握材料的基本特征和性质,为进一步探索非晶态材料提供重要依据。
电子衍射及衍射花样标定精品文档
4.单晶电子衍射花样标定
5)任取不在同直线上的两个斑点 (如h1k1l1和h2k2l2 ) 确定晶带轴指数[uvw]。
求晶带轴指数:逆时针法则
h2k2l2
排列按逆时针
h1k1l1
[ uvw ] R 1 R 2 h1 k1 l1 h1 k1 l1 h2 k2 l2 h2 k2 l2
17.46mm,20.06mm,28.64mm,33.48mm;对应指数 (111),(200),(220),(311); 对应面间距d分别为 0.2355nm,0.2039nm,0.1442nm,0.1230nm
K=Rd
2.电子显微镜中的电子衍射
选区电子衍射
选区衍射就是在样品上选择一个感兴趣的区域,并限制其大小,得 到该微区电子衍射图的方法。也称微区衍射。两种方法:
4 5.05
8 10.1
8
10
220 310
220 301
验证 g 110 g 211 73 1 3
11 0 1 1 0
晶带轴为 113[ ],或倒易1面 13) 为 (
21 1 2 11
此为体心立方, 数a点 0阵 .3常 88nm
11 3
4.单晶电子衍射花样标定
例2:下图为某物质的电子衍射花样 ,试指标化并求其晶 胞参数和晶带方向。
3)会聚束花样:会聚束与单晶作用产生盘、线状花样;可以 用来确定晶体试样的厚度、强度分布、取向、点群、空间
群以及晶体缺陷等。
1.电子衍射的原理
入射束
厄瓦尔德球
o
试样
1 2q 1
L1d GFra bibliotek倒易点阵
o
G 底板
R
电子衍射花样形成示意图
电子衍射及衍射花样标定
主要内容
1.电子衍射的原理 2.电子显微镜中的电子衍射 3.多晶体电子衍射花样 4.单晶电子衍射花样标定 5.复杂电子衍射花样
1.电子衍射的原理
电子衍射花样特征
电子束照射 单晶体: 一般为斑点花样; 多晶体: 同心圆环状花样; 织构样品:弧状花样; 无定形试样(准晶、非晶):弥散环。
11 2
A 11 0
C
11
2
00 2
000
002
B
11 2
ห้องสมุดไป่ตู้
110
1 12
4.单晶电子衍射花样标定
解1:
11 2
A 11 0
C
11 2
2 2 2 1)从 R : R : R N : N : N 2 : 4 : 6 A B C 1 2 3
斑点编号 R/mm R2 Rj2/ RA2 (Rj2/ RA2 )2 N {hkl} Hkl A 7.3 53.29 1 2 2 110 110 B 12.7 161.29 3.03 6.05 6 211 C D E
2 11
12.6 14.6 16.4 158.76 213.16 268.96 2.98 4 5.05 5.96 8 10.1 6 8 10 211 220 310 220 301 121
并假定点 A 为1 1 0
因为 N=4在B, 所以 B 为 {200},
并假定点 B 为 200
4.单晶电子衍射花样标定
3)计算夹角:
h h k k l l 1 2 1 0 0 02 0 1 2 1 2 1 2 cos 4 AB 2 22 2 22 2 4 2 h k l h k l 1 1 1 2 2 2
电子衍射及衍射花样标定资料讲解
1.电子衍射的原理 -Bragg定律
l
θO
θ
d
θR
θ
dsinqP l/2
d
2d·sinq = l
❖ 各晶面的散射线干涉加强的条件是光程差为波长的整数倍,即 2dsinθ=nλ 即Bragg定律,是产生衍射的必要条件。
❖ 但是满足上述条件的要求,也未必一定产生衍射,这样,把满足布拉 格条件而不产生衍射的现象称为结构消光。
即 u=k1l2-l1k2,v=l1h2-h1l2,w=h1k2-k1h2
电子衍射基本公式
由图可知:
衍射花样投影距离:R=Ltan2θ
2θ
当θ很小
tan2θ≈2θ
sinθ≈θ
∴ tan2θ=2 sinθ ∴ R=L2 sinθ 由布拉格方程;2d Nhomakorabeainθ=λ
得到:Rd=Lλ=K
这就是电子衍射基本公式。
[001]
晶带定律:若晶面(hkl)属于晶 带轴[uvw], 则有 hu+kv+lw=0 这就是晶带定理。
已知两晶面,求其晶带轴
如果(h1k1l1)和(h2k2l2)是[uvw]晶带中的两个晶 面,则由方程组 h1u+k1v+l1w=0和h2u+k2v+l2w=0 得出 [uvw]的解是 (这应该是在立方晶体中,因为只有在 立方晶体中与某晶面指数相同的晶向才与该晶面垂直 。)
❖ 表达花样对称性的基本单元为平行四边形。
•平行四边形可用两边夹一角来表征。 •平行四边形的选择: •最短边原则:R1<R2<R3<R4 •锐角原则:60°≤θ≤90° •如图所示,选择平行四边形。
已知 h1k1l1 和 h2k2l2 可求 h3=h1+h2 k3=k1+k2 L3=L1+L2
材料研究方法电子衍射花样与标定
k2 1
l2 1
h2 2
k2 2
l2 2
算出任意两个衍射斑点的夹角。核对夹角,若符合则标定正确,否则重返设定新的晶面, 直至符合为止。
3)矢量法得其它各点。并由矢量叉乘得晶带轴指数,晶带轴与电子束的入射方向反向平行。
4)核查各过程,计算晶格常数。
四、单晶体电子衍射花样的标定
2. 未知晶体结构的花样标定
未知晶体结构时,可由N规律,初步确定其结构,再定其晶面指数。 举例2 已知相机常数K=1.700mm.nm,各直径见表,确定物相。
由N的规律确定为BCC结构,由d=Lλ/r得d,查ASTM卡片发现α-Fe最符,故为α-Fe相。
谢谢!再见!
五、多晶体的电子衍射花样
多晶体的电子衍射花样等同于多晶体的X射线衍射花样,为系列同心圆。 其花样标定相对简单,同样分以下两种情况: 1.已知晶体结构 具体步骤如下: 1)测定各同心圆直径Di,算得各半径Ri; 2)由Ri/K(K为相机常数)算得1/di; 3)对照已知晶体PDF卡片上的di值,直接确定各环的晶面指数{hkl}。 2.未知晶体结构
四、单晶体电子衍射花样的标定
6)由确定了的两个斑点指数(h1k1l1)和(h2k2l2),通过矢量合成其它点
7)定出晶带轴。
u k1l 2 k 2l1
v
l1h2
l 2h1
w h1k 2 h2k1
8)系统核查各过程,算出晶格常数。
举例1已知纯镍(fcc)简单电子 衍射花样(a=0.3523nm),花样 见图,定谱。
当晶体的点阵结构未知时,首先分析斑点的特点,确定其所属的点阵结构,然后再由前面所 介绍的8步骤标定其衍射花样。如何确定其点阵结构呢?主要从斑点的对称特点(见表6-1) 或1/d2值的递增规律(见表6-2)来确定。 花样标定的具体步骤: 1)判断是否简单电子衍射谱。如是则选择三个与中心斑点最近斑点:P1、 P2、P3,并与中心构成平行四边形,并测量三个斑点至中心的距离ri。 2)测量各衍射斑点间的夹角。 3)由rd=Lλ,将测的距离换算成面间距di。 4)由试样成分及处理工艺及其它分析手段,初步估计物相,并找出相应的卡片,与实验得到 的di对照,得出相应的{hkl}. 5)用试探法选择一套指数,使其满足矢量叠加原理。 6)由已标定好的指数,根据ASTM卡片所提供的晶系计算相应的夹角,检验计算的夹角是否 与实测的夹角相符。 7)若各斑点均已指数化,夹角关系也符合,则被鉴定的物相即为STAM卡片相,否则重新标 定指数。
sade
03 电子衍射花样分析
2) 多晶衍射花样
多晶电子衍射图是一 系列同心圆环,圆环 的半径与衍射面的面 间距有关。
NiFe多晶纳米薄膜的电子衍射源自SADE03 电子衍射花样分析
多晶电子衍射花样分析 测量各个衍射环的半径ri; 计算各ri2 并找出整数比值规律,估计所鉴定 材料的晶体结构或点阵类型; 用公式ridi=Lλ计算di; 估计各衍射环的相对强度,由三强线的d值 查ASTM卡索引找出最符合的几张卡片再核 算d值和相对强度,并参照实际情况确定物 相。
SADE
选区电子衍射原理示意图
SADE
02 选区电子衍射(SAED)基本原理
选区电子衍射分析技术特点 1、晶体样品形貌特征和微区晶体学性质得到同时反映; 2、电子衍射花样直观反映晶体的点阵结构和晶体取向; 3、电子衍射花样: 单晶体—排列整齐的斑点; 多晶体—不同半径的同心圆环;
SADE
SADE
03 电子衍射花样分析
3) 非晶态物质衍射花样
SADE
SADE
THANKS
SADE
准花样就是各种晶体点阵主要晶带的倒易截面,它可以根据晶带定理和相应 晶体点阵的消光规律绘出(二维倒易面的画法)。
由近及远测定各个斑点的R值; 根据衍射基本公式R=λL/d求出相应晶面间距; 查ASTM卡片,找出对应的物相和{hkl}指数; 确定(hkl),求晶带轴指数; 因为电子显微镜的精度有限,很可能出现几张卡片上d值均和测定 的d值相近,此时应根据待测晶体的其它资料,如化学成份等来排 除不可能出现的相。
SAED
TEM 在晶体学中的简单应用
SADE
CONTENTS
SADE
01
02
常见的电子衍射花样
电子衍射及衍射花样标定
q
d
q L
q
G’ r
O
G’’
立方晶体[001]晶带
晶体中,与某一晶向[uvw]平行的 所有晶面(hkl)属于同一晶带, 称为[uvw]晶带,该晶向[uvw]称 为此晶带的晶带轴. 如 [001] 晶 带 中 包 括 ( 100 ) , (010)、(110)、(210)等 晶面。
[001]
晶带定律:若晶面(hkl)属于晶 带轴[uvw], 则有 hu+kv+lw=0 这就是晶带定理。
相机常数未知、晶体结构已知时衍射花样的标定
以立方晶系为例来讨论电子衍射花样的标定 电子衍射基本公式
同一物相,同一衍射花样而言, 为常数,有 R12:R22 :R32:…Rn2=N1:N2:N3:…Nn
立方晶系点阵消光规律 R12:R22 :R32:…Rn2=N1:N2:N3:…Nn
衍射 线序 号n 1 2 3 4 简单立方 体心立方
H、K、L全奇或全偶
4.单晶电子衍射花样标定
例:下图为某物质的电子衍射花样 ,试指标化并求其晶 胞参数和晶带方向。 RA=7.1mm, RB=10.0mm, RC=12.3mm, (RARB)90o, (rArC)55o.
A
C
B 000
4.单晶电子衍射花样标定
解2:
2 2 2 1)由 RA : RB : RC N1 : N2 : N3 2 : 4 : 6
晶面间距
立方晶系的晶面间距公式为:
d
四方晶系的晶面间距公式为:
a h2 k 2 l 2
1 h2 k 2 l 2 2 2 a c
d
六方晶系的晶面间距公式为:
d
a 4 2 a (h hk k 2 ) ( ) 2 l 2 3 c
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电子衍射的历史与特点(2)
¾ 电子衍射已成为当今研究物质微观结构的重要手段,是 电子显微学的重要分支。
¾ 电子衍射可在电子衍射仪或电子显微镜中进行。电子衍 射分为低能电子衍射和高能电子衍射,前者电子加速电 压较低(10~500V),电子能量低。电子的波动性就是 利用低能电子衍射得到证实的。目前,低能电子衍射广 泛用于表面结构分析。高能电子衍射的加速电压 ≥100kV,电子显微镜中的电子衍射就是高能电子衍射。
¾ 单晶电子衍射谱与倒易点 阵一样具有几何图形与对 称性。
La3Cu2VO9晶体的电子衍射图
3.单晶电子衍射谱
电子衍射图的Leabharlann 何特征• 根据厄瓦尔德球(反射球)作图法可 知,入射电子束在晶体内产生衍射的 条件是倒易点G是否落在以O为中心、 以1/λ为半径的反射球面上,只要倒 易点与球面相截,就满足布拉格条件。
电子衍射的历史与特点(7)
电子衍射和X射线衍射不同之处
¾ 第三,因为电子波的波长短,采用爱瓦德球图解时,反 射球的半径很大,在衍射角θ较小的范围内反射球的球 面可以近似地看成是一个平面,从而也可以认为电子衍 射产生的衍射斑点大致分布在一个二维倒易截面内。这 个结果使晶体产生的衍射花样能比较直观地反映晶体内 各晶面的位向,给分析带来不少方便。
电子衍射的历史与特点(5)
电子衍射和X射线衍射共同点与差别
电子衍射与X射线衍射的主要区别在于 ¾电子波的波长短,受物质的散射强(原子对电子的散射 能力比X射线高一万倍)。 ¾电子波长短,决定了电子衍射的几何特点,它使单晶的 电子衍射谱和晶体倒易点阵的二维截面完全相似,从而使 晶体几何关系的研究变得简单多了。 ¾散射强决定了电子衍射的光学特点:第一,衍射束强度 有时几乎与透射束相当;第二,由于散射强度高,导致电 子穿透能力有限,因而比较适用于研究微晶、表面和薄膜 晶体。
¾ (1)物相分析和结构分析; ¾ (2)确定晶体位向; ¾ (3)确定晶体缺陷的结构及其晶体学特征。
电子衍射的历史与特点(4)
电子衍射和X射线衍射共同点与差别
¾ 电子衍射的原理和X射线衍射相似,是以满足(或基 本满足)布拉格方程作为产生衍射的必要条件。
¾ 两种衍射技术得到的衍射花样在几何特征上也大致 相似:多晶体的电子衍射花样是一系列不同半径的 同心圆环,单晶衍射花样由排列得十分整齐的许多 斑点所组成,而非晶体物质的衍射花样只有一个漫 散的中心斑点。
¾ 最后,原子对电子的散射能力远高于它对X射线的散射 能力(约高出四个数量级),故电子衍射束的强度较 大,摄取衍射花样时曝光时间仅需数秒钟。
2.电子衍射的基本公式和相机常数
¾左图为电子衍射的几何关系 图,当电子束I0照射到试样晶 面间距为d的晶面组(hkl), 在满足布拉格条件是,将产生 衍射。 ¾透射束和衍射束在相机底版 相交得到透射斑点Q和衍射斑 点P,它们的距离为R。由图 可知:
• Rd = Lλ ,如果考虑到
这说明衍射斑点的R矢量是产生这一斑 点的晶面组倒易矢量g的按比例放大。 所以衍射谱就是落在厄瓦尔德球面上所 有倒易点构成的图形的投影放大像。
3.单晶电子衍射谱
¾ 由于电子束波长很短,加速电压100kV时 为0.0037nm,反射球半径为270nm-1。如 果晶体的低指数晶面间距为0.2nm,相应 的倒易矢量长度为5nm,则OO*约为低指 数晶面倒易矢量长度O*G的50倍。
电子衍射的历史与特点(6)
电子衍射和X射线衍射不同之处
• 首先,电子波的波长比X射线短得多,在同样满足布 拉格条件时,它的衍射角θ很小,约为1∼2°。而X射 线产生衍射时,其衍射角最大可以到80°。
• 其次,在进行电子衍射操作时采用薄晶样品,薄样品 的倒易阵点会沿着样品厚度方向延伸成杆状,因此, 增加了倒易阵点和爱瓦尔德球相交截的机会,结果使 略为偏离布格条件的电子束也能发生衍射。
¾K为相机常数。如果K d = Lλ R = K R
值已知,即可由衍射
斑点的R值计算出晶面 电子衍射中R与1/d的正比关
组d值:
系是衍射斑点指标化的基础。
3.单晶电子衍射谱
¾ 单晶电子衍射得到的衍射 花样是一系列按一定几何 图形配置的衍射斑点。
¾ 根据厄瓦尔德作图法,只 要倒易点与球面相截就满 足布拉格条件。衍射谱就 是落在厄瓦尔德球面上所 有倒易点构成的图形的投 影放大像。
¾ 普通电子显微镜的“宽束”衍射(束斑直径≈1μm)只能 得到较大体积内的统计平均信息,而微束衍射可研究分 析材料中亚纳米尺度颗料、单个位错、层错、畴界面和 无序结构,可测定点群和空间群。
电子衍射的历史与特点(3)
¾ 电子衍射的优点是可以原位同时得到微观形貌和结构 信息,并能进行对照分析。电子显微镜物镜背焦面上 的衍射像常称为电子衍射花样。电子衍射作为一种独 特的结构分析方法,在材料科学中得到广泛应用,主 要有以下三个方面:
四、电子衍射
1.电子衍射的历史与特点; 2.电子衍射的基本公式和相机常数; 3.单晶电子衍射谱; 4.多晶电子衍射谱; 5.非晶电子衍射谱; 6.电子衍射的误差; 7.衍射与成像关系;
1.电子衍射的历史与特点
¾1927年,戴维森(Davisson)和革末(Germer)就已用电 子衍射实验证实了电子的波动性,但电子衍射的发展速度远远 落后于X射线衍射。 ¾50年代,才随着电子显微镜的发展,把成像和衍射有机地联 系起来后,为物相分析和晶体结构分析研究开拓了新的途径。 ¾许多材料和粘土矿物中的晶粒只有几十微米大小,有时甚至小 到几百纳米,不能用X射线进行单个晶体的衍射,但却可以用电 子显微镜在放大几万倍的情况下,用选区电子衍射和微束电子 衍射来确定其物相或研究这些微晶的晶体结构。 ¾另一方面,薄膜器件和薄晶体透射电子显微术的发展显著地扩 大了电子衍射的研究和范围,并促进了衍射理论的进一步发展。
R = Ltg2θ
2.电子衍射的基本公式和相机常数
R = Ltg2θ 由于电子波长很短,电子衍射的2θ很小,所以
tg2θ ≈ sin 2θ ≈ 2sinθ 代入布拉格公式2d sinθ = λ,得:
Rd = Lλ
这就是电子衍射基本公式。
L为衍射相机长度,当加速电压一定时,λ值确定, L和λ的乘积为一常数: K = Lλ