电路与模拟电子技术基础(第三版)(真正完全版)

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《电路与模拟电子技术》第3版全部习题答案

第一章电路的基本概念和基本定律1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U 1=-5V ，U 2=2V ，U 3=U 4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI ；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI 。

P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。

本题中元件1、2、4上电流和电流为非关联参考方向，元件3上电压和电流为关联参考方向，因此 P 1=-U 1×3= -（-5）×3=15W ； P 2=-U 2×3=-2×3=-6W ；P 3=U 3×（-1）=-3×（-1）=3W ； P 4=-U 4×（-4）=-（-3）×（-4）=-12W 。

元件2、4是电源，元件1、3是负载。

1.2 在题 1.2图所示的RLC 串联电路中，已知)V 33t t C e e (u ---= 求i 、u R 和u L 。

解：电容上电压、电流为非关联参考方向,故()()33133t t t t c du di ce e e e A dt dt--=-=-⨯-=- 电阻、电感上电压、电流为关联参考方向()34t t R u Ri e e V --==-()()3313t t t t L di du Le e e e V dt dt----==⨯-=-+1.3 在题1.3图中，已知I=2A ，求U ab 和P ab 。

解：U ab =IR+2-4=2×4+2-4=6V ，电流I 与U ab 为关联参考方向，因此P ab =U ab I=6×2=12W1.4 在题1.4图中，已知 I S =2A ，U S =4V ，求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率，验证电路的功率平衡。

解：I=I S =2A ，U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ，U S 与I 为关联参考方向，电压源功率：P U =IU S =2×4=8W ， U 与I 为非关联参考方向，电流源功率：P I =-I S U=-2×6=-12W ，验算：P U +P I +P R =8-12+4=01.5 求题1.5图中的R 和U ab 、U ac 。

模拟电子技术基础简明教程(第三版)习题答案1_3

第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。

如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。

(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。

习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS 场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ，I DO =4mA ，请示意画出其转移特性曲线。

习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。

习题1-18图习题1-19图R b R e i U +oUR i U +oU R 1i U '+2i i N U U N '=LR '=定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↑。

u A ，↓。

u A ↓。

u A ④增大β，则I BQ基本不变u Ai U +oU +(b)解：①可先用近似估算法求I BQ 100.70.0220510CC BEQ b V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q l 点处，0.5,CEQ CQ U V I ≈≈解：①可先用近似估算法求I BQ 100.70.0220510CC BEQb V U mA A R μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处，0.5,U V I ≈≈Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ，u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3R b 211k Ωi U oU (b)P2-7()153CE CC C c e C V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线， 2.67.2点，且斜率为，其中1LR -'R b 211k Ωi U oU图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60，V ，R b =530k Ω，R L =5M Ω，试：①估算静态工作点；值；，输入电阻u A R b C 1R iU o U ++_(u R A β=-( u RAβ=-?ouiUAU==o ii i oU RU R R=+iU o U+_(uRAβ=-iU o U +R e 2k Ω(u A r β=-+R b 1-i U sU oU +-i UR b-sU +-R oU iU (1(1u A r +=+(1(1u A r +=+R -1o U iU 2o U r beR cR biU 1o U 2o U -+-1o i be U U r =-+2(1(1o i be U U r +=+12o o U U ≈-oU R b 2=10R =3k(//c u R A r β=R 1i U oU -m (1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(1o m i U g R U =-+R SgsU o m gs sU g U R =(1)i gs o m s gsU U U g R U =+=+1o m i m U g R U g =+12u be A r =-22k =ΩCR E1Us习题2-27P110答：①测静态工作点Q ：直流稳压电源、万用表(直流电压档)：直流稳压电源、正弦波信号发生②测电压放大倍数Au器、示波器、交流毫伏表。

模拟电子技术基础第三版王远张玉平机械工业出版社第3章习题答案khdaw

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3-7：如图所表示的电路图。已知 UGS=-2V,场效应管子的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V。
• 3.计算电压增益Au。
gm
= − 2I DSS U GS(off)
(1 − U GS ) U GS ( off )
= − 2 × 2 (1 − − 2 ) = 0.5ms −4 −4
1. UGD> UGS（off）
当UGS=-1V, UDS=3V时 UGD =UGS —UDS
=-4V> -5V =UGS(off)
• 所以，管子工作在可变电阻区。
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2. UGD< UGS（off）
当UGS=-2V, UDS=4V时 UGD = UGS —UDS
3-7：如图所表示的电路图。已知 UGS=-2V,场效应管子的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V。
• 1.计算ID和Rs1的值。
解：
I DQ
= I DSS
(1 − U GSQ ) 2 = U GS ( off )
−2 2 × (1 −
) 2 = 0 . 5 mA
−4
U GSQ = U GQ − U SQ = −2V
• 能。
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3-4: 判断图所示的电路能否正常放大，并说明原因。
• 图中绝缘栅型N沟道增强型的场效应管。
• d）是一个自给偏压式共源放大电路，只用于耗尽型和结型场效应管。
• 不能。
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=
gmU̇ gs RL′ U̇gs + gmU̇gsRL′

模拟电子技术基础第三版课后答案王远.doc

模拟电子技术基础第三版课后答案王远.doc模拟电子技术基础第三版课后答案王远【篇一：模电资料】术基础是高等院校电气、信息类（包括原自动化、电气类、电子类）专业知识平台重要核心课程，是学生在电子技术入门阶段的专业基础课。

课程涉及模拟信号的产生、传输及处理等方面的内容，工程实践性很强。

课程任务是使学生获得适应信息时代电子技术的基本理论、基本知识及基本分析方法。

旨在培养学生综合应用能力、创新能力和电子电路计算机分析、设计能力。

课程学习完成能为学生以后深入学习电子技术及其在专业中的应用打好两方面的基础；其一是正确使用电子电路特别是集成电路的基础；其二是为将来进一步学习设计集成电路专用芯片打好基础。

《模拟电子技术基础》是电气电子类各专业的一门重要的技术基础课。

其作用与任务是使学生获得低频电子线路方面的基本理论，基本知识和基本技能。

本课程在介绍半导体器件的基础上，重点要求掌握放大器的各种基本单元电路、放大器中的负反馈、运算放大器及其应用、直流电源等低频电子线路电路的工作原理、分析方法和设计方法，使学生具有一定的实践技能和应用能力。

培养学生分析问题、解决问题的能力和创新思维能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。

教学大纲一、课程名称模拟电子技术基础analog electronics二、学时与学分本课程学时：60 学时(课内) 本课程学分： 3.5 学分三、授课对象电类本科生、专科生四、先修课程电路理论、电路测试与实验技术五、教学目的《模拟电子技术基础》是电子类等专业入门性质的课程，是实践性很强的技术基础课。

课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析问题和解决问题的能力。

通过本课程的学习，使学生具备应用电子技术的能力，为学习后续课程和电子技术在专业中的应用打好基础。

六、主要内容、基本要求及学时分配第一章绪论主要内容基本要求学时数 2第二章半导体二极管及其基本电路主要内容基本要求学时数 4第三章半导体三极管及放大电路基础主要内容基本要求学时数18第四章场效应管放大电路主要内容基本要求学时数 4第五章功率放大电路主要内容基本要求学时数 4第六章集成电路运算放大器主要内容基本要求学时数 6第七章反馈放大电路主要内容基本要求学时数8第八章信号的运算与处理电路主要内容基本要求【篇二：模拟电子技术课程标准】t>电子与信息工程系（院）课程教学标准课程名称模拟电子技术课程类型理论＋实践授课对象三年制大专学生课程学分 4 总学时722009 年12 月《模拟电子技术》教学标准课程名称：模拟电子技术课时：72适用专业：应用电子技术、电子信息工程技术、通信技术、汽车电子技术1．课程定位模拟电子技术是电类专业的一门重要岗位能力课程，是培养生产一线高级技术应用型人才硬件能力的基本入门课程，是十分强调应用实践的工程性质的课程，对人才培养有着至关重要的作用。

模拟电子技术基础完整(第三版)童诗白、华成英(全)ppt课件

变化。
二极管
二、本征半导体的晶体结构
完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体
称为本征半导体
+4
+4
+4
将硅或锗材料提
纯便形成单晶体，
共价
它的原子结构为键
+4
+4
价电子
+4
共价键结构。
+4
当温度 T = 0 K 时，半导体不导电，如同绝缘体。图 1.1.1
+4
+4
本征半导体结构示意图
(a)N 型半导体
(b) P 型半导体
图杂质半导体的的简化表示法
1.1.3 PN结
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。
一、PN 结的形成
P
PN结
N
图 PN 结的形成
PN 结中载流子的运动
1. 扩散运动
本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。
+4
+4
+4
自由电子
+4
+45
+4
施主原子
+4
+4
+4
图 1.1.3 N 型半导体
5 价杂质原子称为施主原子。
5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升高，基本按指数规律增加。
1.1.2 杂质半导体
杂质半导体有两种

电路与电子技术基础第3版课件第1章电路的基本概念及基本定律

子技术基础第 3 版
节点(node)—两条或两条以上支路的联接点；
回路(loop)—电路中任一闭合路径
网孔(mesh)—回路内不含有支路的回路
网络(network)—网络是指含有较多元件的电路，本课程
中网络与电路指相同概念
2.两个定理
(1)∑I=0
（对于任一节点而言）
(2)∑U=0 （对于任一闭合回路而言）
第一节电路模型
电第一：实际电路种类繁多、连接五花八门，在进行电路分析、计算时，
路要将实际的电路部件加以近似化、理想化—“电路模型”的概念。
与注意
电（1）在一定的条件下，不同器件可具有同一种模型。如：电阻、白炽
子技术
灯、电炉等（2）同一器件，在不同的应用条件下，往往采用不同形式的电路模型。如电感线圈等。
基
p=±ui
础
第
当p>0时，表示在dt时间内电场力对电荷dq作功dw，这部分能量
3
被元件吸收，所以p是元件的吸收功率；在p<0时，表示元件吸
版
收负功率，换句话说，就是元件向外部电路提供功率。
第一章电路基本概念及基本定律
第三节基尔霍夫定律
电
路 1.几个概念
与支路(branch)—每个二端元件构成一条支路或若干元件电串联、具有两个端点组成的电路；
q(t)=Cu(t)
第
3
i(t) dq(t) d[Cu(t)] C du(t)
版
dt
dt
dt
第一章电路基本概念及基本定律
电路
由上可知，流过电容的电流仅取决于该时刻的电压变化率，而于该时刻电压电压大小和电压的历史无关。特别要注意的是，通过电容的电流只能为有限值电压变化率为有限值电压不可能发生跳变。特别

电子教案-《模拟电子技术》(第3版_胡宴如)电子教案-ch21 电子课件

uCE 1 V 特性基本重合(电流分配关系确定)
导通电压 UBE(on)
硅管： (0.6 0.8) V 锗管： (0.2 0.3) V
取 0.7 V 取 0.2 V
第 2 章半导体三极管及其基本应用
二、输出特性
输出特性
iC f (uCE ) iB常数
iC / mA
4饱
50 µA
2. 放大区：IC IB ICEO
IC = ICEO 0 条件：两个结反偏
UCE(SAT)=
0.3 V (硅管) 0.1 V (锗管)
第 2 章半导体三极管及其基本应用
三、温度对特性曲线的影响
1. 温度升高，输入特性曲线向左移。
iB T2 > T1
温度每升高 1C，UBE (2 2.5) mV。
温度每升高 10C，ICBO 约增大 1 倍。
2. PCM — 集电极最大允许功率损耗 PC = iC uCE。
3. U(BR)CEO — 基极开路时 C、E 极间反向击穿电压。
U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。 U(BR)EBO — 集电极极开路时 E、B 极间反向击穿电压。
U(BR)CBO > U(BR)CEO > U(BR)EBO
base
N
发射结 — 发射区
P
发射极 E emitter
E
C
C
B
NPN 型 E
B
PNP 型 E
分类：按材料分：
硅管、锗管按结构分：
NPN、 PNP 按使用频率分：
低频管、高频管按功率分：小功率管 < 500 mW 中功率管 0.5 1 W 大功率管 > 1 W

模拟电子技术基础简明教程-(第三版)第一章

于扩散电流，漂移电流也称反向电流 I ；由于少数载流子浓度很低，反向电流数值非常小。
反向电流又称反向饱和电流。对温度十分敏感，随
着温度升高，
IS
将急剧增大。 19
总结：
第二节半导体二极管
当 PN 结正向偏置时，耗尽层变窄，回路
中产生一个较大的正向电流， PN 结处于导通
状态；当 PN 结反向偏置时，耗尽层变宽，回
+4
+4
+4
电子 – 空穴对
+4
+4
+4
在一定温度下电子 – 空穴对的
产生和复合达到动态平衡。
本征载流子的浓度对温度十分敏感
6
第一节半导体的特性
二、杂质半导体
在本征半导体中掺入某种特定的杂质，就成为杂质半导体。
1. N型（或电子型）半导体 (N-type semiconductor) 在4价的硅或锗中掺入少量的5价杂质元素，
29
（b) PN 结加反向电压
第二节半导体二极管
空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。
势垒电容的大小可用下式表示：
Cb
dQ dU
S l
：半导体材料的介电比系数；
S ：结面积； l ：耗尽层宽度。
由于 PN 结宽度 l 随外
Cb
加电压 U 而变化，因此势垒
电容 Cb不是一个常数。其 Cb = f (U) 曲线如图示。
第1章半导体器件
1.1 半导体的特性 1.2 半导体二极管 1.3 双极型三极管(BJT) 1.4 场效应三极管
1
第一节半导体的特性
本征半导体杂质半导体
2

模拟电子技术基础第三版王远张玉平机械工业出版社第章习题答案khdaw（..

模拟电子技术基础第二章双极型晶体三极管和基本放大电路习题解答本章习题：2-4、2-7、2-8、2-10、2-12、2-14、2-172-17、2-19、2-24、2-25作者：孟梦童瑞川徐昌洪w.k hd a w.c o 课后答案网2-4：在放大电路中测得晶体管各电极对地的直流电压如下所列，确定它们各为哪个电极，晶体管是NPN型还是PNP型？�解题思路：晶体管工作在放大区时发射结正偏、集电结反偏。

�ebcUUU>>NPN PNPcbeUUU>>⎩⎨⎧=VVBEU7.03.0锗管硅管⎩⎨⎧−−=VVUBE7.03.0锗管硅管w.khdaw.co课后答案网A 管:首先，根据x ，y 差值为0.3判断出z 为c 极，又由c 极电压最小，判断出管子为PNP 型，则e 极电压比b 极要高，故x 为e 极,y 为b 极B 管首先，根据x ，z 差值为0.3判断出y 为c 极，又由c 极电压最高，判断出管子为NPN 型，则b 极电压比e 极要高，故x 为b 极,z 为e 极VU V U V U z y x 6,7.11,12===V U V U V U z y x 5.5,1,2.5−=−=−=w.k hd a w.c o 课后答案网2-7 根据放大电路的组成原则判断电路能否正常放大？如果不能，指出其中的错误，并加以改正。

�放大电路的组成原则：�（1）要有合适的静态工作点，晶体管工作在放大区,发射结正偏、集电结反偏。

�（2）输入信号能加到基极，输出信号能够取得出来。

w.k hd a w.c o 课后答案网a)�由图可知为PNP 型�则需�电路中b 、c 两极电压为正值，e 极接地，不满足发射结正偏、集电结反偏条件。

�应该把V CC 接负电压。

cb e U U U >>w.k hd a w.c o 课后答案网b)b极对地电位为0，无基极偏置电流。

应该将b极经一电阻接VCC。

模拟电子电路及技术基础(第三版)

作者简介
孙肖子，女，西安电子科技大学退休教授，原国家级电工电子教学基地主任，致力于教材建设和教学改革。
赵建勋，男，西安电子科技大学电子工程学院教授、硕士生导师，研究方向：计算电磁学、射频电路系统、微波辐射与测量系统、神经元网络形态和功能实现机理。
王新怀，男，理学博士，西安电子科技大学电子工程学院教授、博士生导师、硕士生导师，研究方向：微波毫米波电路与系统设计、智能天线与天线组阵技术研究、基于FPGA&DSP的实时信号处理系统设计。
模拟电子电路及技术基础（第三版）
2017年西安电子科技大学出版社出版的图书
01 成书过程
03 教材目录 05 作者简介
目录
02 内容简介 04 教学资源
《模拟电子电路及技术基础（第三版）》是由孙肖子主编，西安电子科技大学出版社于2017年3月出版的普通高等教育“十一五”国家级规划教材。该书可作为高等学校通信工程、电子信息工程、电气与自动化工程、测控技术与仪器、生物医学工程、微电子、电子科学与技术等有关专业的本科生或专科生“电子线路基础”“电子技术基础”等课程的教材或教学参考书，也可作为工程技术人员的参考书。
2017年3月，《模拟电子电路及技术基础（第三版）》由西安电子科技大学出版社出版发行。
内容简介
该教材分为十三章，内容包括：绪论、集成运算放大器的基本应用电路、基于集成运放和RC反馈网络的有源滤波器、常用半导体器件原理及特性、双极型晶体三极管和场效应管放大器基础、集成运算放大器内部电路、放大器的频率响应、反馈、特殊用途的集成运算放大器及其应用、集成运算放大器的非线性应用、低频功率放大电路、电源及电源管理、模拟电路系统设计及实验案例。书后的两个附录给出了部分习题答案和专用名词汉英对照表。

最新模拟电子技术基础简明教程(第三版)第四章精品ppt课件

iC1 iB b iB1 VT1
c iC
iC2
iE1= iB2 VT2
iE e
与PNP型三极管等效
β = β1+β2+β1β2 ≈ β1β2
rbe= rbe1 +（1+ β1）rbe2
c
iB b
iB1
iC1= iB2
iC VT2
VT1
iC2
iE1
iE
e
与PNP型三极管等效
β = β1 （1 +β2）≈ β1β2
集成功率放大器的电路组成集成功率放大器的主要技术指标集成功率放大器的引脚和典型接法
下页总目录
目前，利用集成电路工艺已经能够生产出品种繁多的集成功率放大器。集成功放除了具有一般集成电路的共同特点外，还有一些突出的优点，主要有温度稳定性好，电源利用率高，功耗较低，非线性失真较小等，还可以将各种保护电路也集成在芯片内部，使用更加安全。集成功放从用途划分，有通用型功放和专用型功放。从芯片内部的构成划分，有单通道功放和双通道功放，从输出功率划分，有小功率功放和大功率功放。
U C E 1 U E C 2 2 V C C
或 U C E 1 |U C E 2| 2 V C C
当VT2导电时， VT1截止，此时VT1的集电极承受反向电压。当VT2饱和时， VT1的集电极电压达到最大，此时：
U C E 1 2 V C C |U C E S 2 | 2 V C C
因此，功率三极管的集电极最大允许反向电压应为
U(BR)CEO2VCC
上页下页首页
▼ 集电极最大允许耗散功率PCM 在OCL互补对称电路中，直流电源提供的功率PV，一部分转换成输出功率Po传送给负载，另一部分则消耗在三极管内部，成为三极管的耗散功率PT ，使管子发热。

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第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。

图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=⨯=P （吸收）；W 5.15.032=⨯=P （吸收）W 15353-=⨯-=P （产生）；W 5154=⨯=P （吸收）；W 4225=⨯=P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。

1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。

图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ；V 13335=+-=I I U电流源功率：W 2621-=⋅-=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。

电压源功率：W 632-=⋅-=I P （产生），即电压源产生功率W 6。

1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。

图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=-=I ;A 1322-=-=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。

图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab -=⨯+++⨯-=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。

图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=⨯+-⨯+-=IV 221021425)32(22S =+-=⨯+-⨯+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。

图1.6 习题1.6电路图解 A 213=-=I ；A 31X -=--=I I ; V 155X -=⋅=I UV 253245X X -=⨯--⋅=I U1.7 电路如图1.7所示：（1）求图(a)中的ab 端等效电阻；（2）求图(b)中电阻R 。

图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++⨯+⨯⎪⎭⎫ ⎝⎛+⨯+=1046418666661866666abR(2) Ω=--=712432383R1.8 电路如图1.8所示：（1）求图(a)中的电压S U 和U ；（2）求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。

图1.8 习题1.8电路图解（a ）V 8.10546)54(63S =+++⨯⨯=U ; V 8.48.10544=⨯+=U （b ）S S 111244U U U +-+=即 22132S S =-U U ;求得 V 12S =U 1.9滑线电阻分压器电路如图1.9(a )所示，已知Ω=500R ，额定电流为A 8.1，外加电压V 500，Ω=1001R ，求（1）输出电压o U ；（2）如果误将内阻为Ω.50，最大量程为A 2的电流表连接在输出端口，如图(b )所示，将发生什么结果？图1.9 习题1.9电路图解（1）V 40050050010050010=⨯-=⨯-=U R R R U (2）设电流表内阻为A R ，流过电流表的电流为A I （方向各下），则总电流 ()A 975.45.04005.0400100500A 1A 11=+⨯+=+-⨯-+=R R R R R R R U IA 969.4975.45.0400400A 11A =⨯+=⨯+--=I R R R R R I由于A 8.1>I 的滑线电阻额定电流，A 2A >I 的电流表量程，故设备被损坏。

1.10 计算图1.10中各支路电流。

图1.10 习题1.10电路图解 A 95.16916131311=⨯++=IA 5.45.16916131612=⨯++=I ；A 35.16916131913=⨯++=I 1.11 为扩大电流表量程，要在电流表外侧接一个与电流表并联的电阻m R ，此电阻称为分流器，其电路如图1.11所示，已知电流表内阻Ω=5g R ，若用mA 100电流表测量A 1电流时，需接多少欧姆的分流器？该电阻的功率应选择多大？图1.11 习题1.11电路图解由于m m g g R I R I =，g m g m g 1I R R I I I ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+=+=;则Ω=-=-=556.011051g g m I I R R W 45.0556.0)1.01(2m 2m =⨯-=⋅=R I P ，故分流器电阻的额定功率应选为0.5W 。

1.12 将图1.12所示电路化为最简形式。

图1.12 习题1.12电路图解图（a ）等效过程如图(c)→ (d) → (e)所示图 (b) 等效过程如图(f)→ (g) → (h)所示1.13 用电源等效变换求图1.13中的电流I 。

图1.13 习题1.13电路图解等效变换如图(a) → (b) → (c)→ (d)所示由分流公式求得 A 6.329144=⨯+=I1.14求图1.14所示电路的a 点电位和b 点电位。

图1.14 习题1.14电路图解 V 4126b =⨯-=V ;V 13b a =+-=V V1.15 利用支路电流法求图1.15中各支路电流。

图1.15 习题1.15电路图解根据KCL 、KVL 列方程有⎪⎩⎪⎨⎧=+++=-=10242123213221I I I I I I I 整理得 10)1(24)2(2222=-⨯++-⨯I I I 解得 1A 2A A 0321===I I I ；　；　1.16 利用支路电流法求图1.16所示电路的电流1I 、2I 及3I 。

图1.16 习题1.16电路图解根据KCL 、KVL 列方程有⎪⎩⎪⎨⎧=+++-=+=++0104862.06.02.03213221I I I I I I I 整理得 0)2.0(1048)4.0(6222=+⨯+++-⨯-I I I 解得 A 05.00.15A A 55.0321=-==I I I ；　；　1.17 用节点分析法求图1.17中的电压U 。

图1.17 习题1.17电路图解节点1方程为：01055.0552111=---+-V V V V节点2方程为：01105.010221=+---V V V整理得 ⎩⎨⎧-=-=-521552121V V V V , 解得 ⎪⎩⎪⎨⎧==V 940V 93521V V则V 9521-=-=V V U1.18 求图1.18所示电路的节点电压a V 。

图1.18 习题1.18电路图解列节点方程有0396631812a a a a=-+----V V V V ,解得 V 43a =V 1.19 用叠加原理求图1.19所示电路的电压U 。

图1.19 习题1.19电路图解：12V 电压源单独作用：V 4121261212633-=⨯+-⨯+='U 1A 的电流源单独作用：V 612612663631-=⎪⎭⎫⎝⎛+⨯++⨯⨯-=''U由叠加原理得V 10-=''+'=U U U1.20 用戴维南定理求图1.20所示电路的电流I 。

图1.20 习题1.20电路图解：将Ω6电阻支路开路求OC U V 4148OC =⨯-=U将所有独立源置为零，求戴维南等效电阻 Ω=40R ,A 4.0464=+=I1.21 用戴维南定理求图1.21所示电路的电压U 。

图1.21 习题1.21电路图图1.21(a)解：利用电源等效变换将图1.21等效成图1.21（a ）所示电路，再将Ω6电阻支路开路求OC UV 56331264OC =+⨯++-=UΩ=++⨯+=5.13213)21(0R V 4565.16=⨯+=U1.22 用诺顿定理求图1.22所示电路的电流I 。

图1.22 习题1.22电路图解：将Ω4电阻支路短路，求SC I A 5.25.02226SC =+-=I 将所有独立源置为零，求戴维南等效电阻 Ω=++=5.01212110R ； A 185A 90255.245.05.0==⨯+=I1.23 试求图1.23所示电路的电流I 及受控源功率。

图1.23 习题1.23电路图解（a ）0642=++I I ；A 1-=I 受控电压源功率W 44=⋅=I I P （吸收），即受控电压源吸收功率W 4。

（b ）A 236==I 受控电流源功率W 40)223(2-=+⨯-⋅=I I P （产生），即受控电流源产生功率W 40。

1.24 用电源等效变换求图1.24中的电流I 及电压源功率。

图1.24 习题1.24电路图图1.24(a)解等效变换如图1.24a 所示9)32(4=++I IA 1=IW 99-=⋅=I P －（产生），所以电压源产生功率W 9。

1.25 利用支路电流法求.图1.25中的电流　1I 及　2I 。

图1.25 习题1.25电路图解根据KCL 、KVL 列方程有⎩⎨⎧=++=662221221I I I I I 整理得 66622=+I I 解得 A 5.0A 5.121==I I ，1.26 利用节点分析法求图1. 26所示电路的各节点电压。

图1.26 习题1.26电路图解节点1： 023214=--+-U U U 节点2： V 32=V 节点3： 04232133=--+-V V U 解得 ⎩⎨⎧-==V2V 63V U1.27 用叠加原理求图1.27所示电路的电流I 和电压U 。

图1.27 习题1.27电路图解：2A 电流源单独作用：⎩⎨⎧'+⨯='='⋅+'+')2(2023I U I U U 解得 V 8.0='U ；A 6.1-='I 6V 电压源单独作用：⎩⎨⎧''⋅=''=''⋅++''+''I U I U U 20263 解得 V 2.1-=''UA 6.0-=''I由叠加原理得V 4.0-=''+'=U U U A 2.2-=''+'=I I I1.28 在图1.30所示电路中，试用戴维南定理分别求出Ω=5L R 和Ω=15L R 时的电流L I 。

图1.28 习题1.28电路图解：将L R 支路断开，求OC U 和0R V 45)21(15510OC =+⨯=+=I I U 利用外施电源法求戴维南等效电阻 I I I U 15510=+=；Ω==150IUR 当 Ω=5L R 时A 25.251545L =+=I当 Ω=15L R 时A 5.1151545L =+=I1.29 试用外施电源法求图1.29所示电路输入端口的等效电阻i R ，50β=。

r be bcR L 6K ΩeR e 2K Ω+-R b R c 4K ΩR ibI βbI iU oU 20k Ω1K Ω图1.29 习题1.29电路图解：在输入端口外加电压源U ，流出电压源的电流为I ，如下图所示，则i U R I=由图可知：b b be b b e b,()UI I U I r I I R R β=+=++可以推出i be e //[(1)]20//[1(150)2]16.75(K )b UR R r R Iβ==++=++⨯=Ω r bebcR L6K ΩeR e2K Ω+-R bR c4K ΩbI βbI UoU 20k Ω1K ΩI第2章一阶动态电路的暂态分析习题解答2.1 在图2.1所示电路中，已知()V 4cos 8t t u =，()A 201=i ，()A 102=i ，求0>t 时的()t i 1 和()t i 2。