简易场效应管低频跨导gm检测电路
gm恒定跨导电路-概述说明以及解释
gm恒定跨导电路-概述说明以及解释1.引言1.1 概述电路中的跨导（transconductance）是指输出电流对输入电压的变化率，通常用符号gm表示。
gm恒定跨导电路（Constant gm Transconductance Circuit）是一种能够保持跨导恒定的电路结构。
通过控制跨导的恒定性，我们可以实现电路的稳定性和性能的提升。
gm恒定跨导电路在现代电子技术中具有广泛的应用。
它可以用于放大器、滤波器、混频器、振荡器等各种电路。
在放大器中，gm恒定跨导电路可以提高电压增益和带宽，从而实现信号的放大和处理。
在滤波器中，它可以通过调节跨导的恒定性来控制滤波器的频率响应，实现对特定频率信号的选择性放大和抑制。
在混频器中，gm恒定跨导电路可以将两个不同频率的信号进行混频，得到新的频率信号。
在振荡器中，它可以提供必要的反馈路径，使得振荡信号得以产生和维持。
设计和优化gm恒定跨导电路是实现其功能和性能提升的关键。
在设计中，需要考虑电路的拓扑结构、元器件的选择和布局的合理性。
通过合适的设计参数，可以实现所需的跨导恒定性。
同时，对于不同的应用场景，优化电路的功耗、带宽、稳定性等方面也是必要的。
总之，gm恒定跨导电路在现代电子技术中具有重要的地位和作用。
通过保持跨导恒定，可以实现电路的稳定性和性能的提升。
未来，随着电子技术的不断发展，gm恒定跨导电路有望在更多的领域展现其潜力和应用价值。
通过不断优化和创新，我们可以进一步提高其性能和功能，满足人们对电子设备的需求。
1.2文章结构1.2 文章结构本文将围绕着"gm恒定跨导电路"这一主题展开论述。
文章由引言、正文和结论三个部分组成，具体结构安排如下：第一部分是引言部分，主要对本文的研究对象"gm恒定跨导电路"进行概述。
在1.1小节中，将介绍gm恒定跨导电路的概念和基本原理，以便读者对该主题有一个初步的了解。
在1.2小节中，将对全文进行逻辑分析，明确各个部分的内容和论述框架。
(完整版)第四章场效应管习题答案..
第四章 场效应管基本放大电路4-1 选择填空1．场效应晶体管是用_______控制漏极电流的.a 。
栅源电流b 。
栅源电压c 。
漏源电流d 。
漏源电压 2．结型场效应管发生预夹断后，管子________。
a 。
关断b 。
进入恒流区c 。
进入饱和区 d. 可变电阻区 3．场效应管的低频跨导g m 是________.a. 常数 b 。
不是常数 c. 栅源电压有关 d. 栅源电压无关 4。
场效应管靠__________导电.a 。
一种载流子b 。
两种载流子 c. 电子 d. 空穴 5。
增强型PMOS 管的开启电压__________。
a. 大于零 b 。
小于零 c. 等于零 d. 或大于零或小于零 6. 增强型NMOS 管的开启电压__________。
a. 大于零b. 小于零 c 。
等于零 d. 或大于零或小于零 7. 只有__________场效应管才能采取自偏压电路。
a. 增强型b. 耗尽型 c 。
结型 d 。
增强型和耗尽型 8. 分压式电路中的栅极电阻R G 一般阻值很大,目的是__________。
a 。
设置合适的静态工作点b 。
减小栅极电流c. 提高电路的电压放大倍数 d 。
提高电路的输入电阻 9. 源极跟随器(共漏极放大器)的输出电阻与___________有关。
a. 管子跨导g m b 。
源极电阻R S c. 管子跨导g m 和源极电阻R S 10。
某场效应管的I DSS 为6mA ，而I DQ 自漏极流出，大小为8mA ，则该管是_______.a 。
P 沟道结型管b 。
N 沟道结型管c 。
增强型PMOS 管d 。
耗尽型PMOS 管e 。
增强型NMOS 管 f. 耗尽型NMOS 管解答：1。
b 2。
b 3.b ，c 4. a 5.b 6.a 7。
b,c 8。
d 9.c 10。
d4-2 已知题4—2图所示中各场效应管工作在恒流区,请将管子类型、电源V DD 的极性（+、—)、u GS 的极性（>0，≥0，〈0,≤0，任意）分别填写在表格中。
场效应管及其放大电路(5)
氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简
称MOS场效应管。
源极S 栅极G 漏极D
金属电极
SiO2绝缘层
符号： D
G
P型硅衬底
高掺杂N区
S 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电
阻很高，最高可达1014 。
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(2) N沟道增强型管的工作原理 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型
当UGS UGS(th）后，场效 应管才形成导电沟道，
开始导通，若漏–源之间 加上一定的电压UDS，则 有漏极电流ID产生。在 一定的UDS下漏极电流ID 的大小与栅源电压UGS有 关。所以，场效应管是
一种电压控制电流的器
件。
–ED +
S
EG
–UG+S G
D
N+
N+
P型硅衬底
N型导电沟道
在一定的漏–源电压UDS下，使管子由不导通变 为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th）。
输出电阻
ri RG ( RG1 // RG2) rO RD
RG是为了提 高输入电阻ri 而设置的。
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由于晶体管的输出特性具有恒流输出特性，漏
源电阻(即场效晶体管的输出电阻)：
rds
ID/mA
ΔU DS ΔI D
uGS C
rds是很高的，在共源极放 大电路中，漏级电阻RD与 管子的输出电阻rds并联。
增尽强 型型 ：： 当当UGUS＝GS＝0时0时，，存没在有导导电电沟沟道道，，IDI0D＝。0。耗
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3. 场效应管的主要参数
(1) 开启电压 UGS(th)：是增强型MOS管的参数
场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项
场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项场效应管的种类：场效应管K1113 管脚排列图：MOS场效应管的检测方法:（1）．准备工作测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。
最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。
再把管脚分开，然后拆掉导线。
（2）．判定电极将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。
若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。
交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。
日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。
（3）．检查放大能力（跨导）将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。
双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。
为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。
MOS场效应晶体管使用注意事项：MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。
MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：（1）. MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。
也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装（2）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
（3）. 焊接用的电烙铁必须良好接地。
（4）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS 器件焊接完成后在分开。
（5）. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。
拆机时顺序相反。
（6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。
（7）. MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。
模拟电子技术第五章场效应管及其放大电路
况，称为预夹断。源区 而未夹断沟道部分为低阻，因
的自由电子在VDS电场力 的作用下，仍能沿着沟
此，VDS增加的部分基本上降落 在该夹断区内，而沟道中的电
道向漏端漂移，一旦到 场力基本不变，漂移电流基本
达预夹断区的边界处， 不变，所以，从漏端沟道出现
就能被预夹断区内的电 场力扫至漏区，形成漏
预夹断点开始， ID基本不随VDS
VDS ＝ VD － VS =VDD－IDRD－ VS
二、小信号模型
iD Kn vGS VT 2
Kn VGSQ vgs VT 2
漏极信号 电流
Kn VGSQ VT 2 2Kn VGSQ VT vgs Knvg2s
Kn
VGSQ
VT
2 gmvgs
K
nv
2 gs
IDQ id
3. 最大漏源电压V(BR)DS
指发生雪崩击穿时，漏极电流iD急剧上升时的vDS。与vGS有关。
4. 最大栅源电压 V(BR)GS
指PN结电流开始急剧增大时的vGS。
5.2 MOSFET放大电路
5.2.1 MOSFET放大电路
1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 小信号模型分析 3. MOSFET 三种基本放大电路比较
产生谐波或 非线性失真
λ= 0
λ≠ 0
共源极放大电路
例题5.2.4:
电路如图所示，设VDD=5V， Rd=3.9kΩ， VGS=2V， VT=1V， Kn=0.8mA/V2，λ=0.02V-1。试当管工作在饱和区时，试确定电路 的小信号电压增益。
例题5.2.5:
电路如图所示，设Rg1=150kΩ，Rg2=47kΩ，VT=1V，Kn=500μA/V2，λ=0， VDD=5V，-VSS=-5V， Rd=10kΩ， R=0.5kΩ， Rs=4kΩ。求电路的电压增益和 源电压增益、输入电阻和输出电阻。
高跨导gm的场效应管
电磁波入射到金属表面时所产生的损耗有 两种：入射波的一部分从金属表面反射回 去，称之为反射损耗；另一部分穿过金属 板并被衰减，称为吸收损耗。
电磁波通过介质时，其幅度以指数方式衰 减，产生这种衰减的原因是由于介质中感 应的电流造成欧姆损耗，变为热能而耗散。
一种材料的总屏蔽效果等于吸收损耗、反 射损耗以及有关在薄层屏蔽体上多次反射 的修正的总和
近场特性：决定于场源的特性和从场 源到观察点的距离。
场源为大电流低电压（E/H<377 ）， 则近场为磁场（电感性耦合引入）
场源为小电流高电压（E/H>377 ），则 近场为电场（电容性耦合引入）
4、近场耦合
(1)电容性耦合
一个导体上的电压或干扰成分通过 分布电容使其它导体上的电位受到 影响，这种现象称为电容性耦合
低频电场中反射损耗是构成屏蔽作用的 主要因素。低频近场磁反射损耗近似等 于零，主要是吸收损耗，这时应采用磁 性材料，以增加吸收损耗。而低频电场 或平面波条件下，主要屏蔽因素是反射， 这时采用磁性材料作屏蔽体，将降低屏 蔽作用。所以应根据干扰源性质，选择 屏蔽材料。
选择屏蔽体材料的原则是：屏蔽电场或远 场的平面波（辐射场）时，宜选择铜、铝、 钢等高电导率材料。低频磁场的屏蔽，宜 选玻莫合金、锰合金、磁钢、铁等高导磁 率材料。
（1/f)噪声 白噪声
蓝噪声
噪声的基本特性可以用统计平均量来描述， 均方值表示噪声的强度，概率密度表示噪 声在幅度域里的分布密度，功率谱密度表 示噪声在频域里的特性。
两种噪声作用于系统时，设噪声电压 均方值分别为U12和U22,总噪声均方 电压U2 为
U 2 U12 U22 2CU1 • U2
化，而变化的磁通在闭合回路中产生干 扰电压。 2、产生原因： 在系统内部：线圈或变压器的漏磁 在系统外部：多数是由于两根导线在长
简易场效应管低频跨导gm检测电路
第一章方案提出依据课程设计的需要,特设计思路如下图框所示:三极管类型判别电路的功能是利用N沟道型和P沟道型电流流向相反的特性来判别。
场效应管跨导测量电路的功能是利用场效应管的电压分配特性，将对gm的测量转化为对场效应管的测量，同时实现对档位的手动调节。
场效应管gm测量电路的功能是利用比较器的原理实现8个档位的测量，显示电路的功能是利用发光二极管将测量结果显示出来。
第二章电路基本组成及工作原理第一节场效应管类型判断电路场效应管判别类型如图1所示。
由于P沟道和N沟道场效应管的电流流向相反,当两种场效应管按图中电路结构链接时,则与N沟道场效应管连接的发光二极管亮，与P沟道连接的发光二极管不亮，所以根据发光二极管的亮和灭，即可以判定场效应管是N沟道还是P沟道。
并且将P沟道场效应管翻转连接，电路即可正常工作。
（a）（b）图1第二节场效应管低频跨导测量电路当电路接入N沟道场效应管时，如图1（a）所示，电路中的电流电压表达式为：(IDSS VP都是已知参数)V GS =V G-V S由上式可以看出，除了R0可变电阻外，其余都是固定电阻，电压Vo随g m的变化而变化，同时可通过调节R0大小可以调节V gs的大小，调节最终的g m档位值。
当电路接入P沟道场效应管时，为此可采用如图1的（b）所示，电路中的电流电压的表达式为：(IDSS VP都是已知参数)V GS =V G-V S由上式可得，电压Vo将随gm的变化而变化，同时也可以通过调节R0调节gm档的位值。
第三节低频跨导档位测量电路和显示电路图2档位测量电路：如图2所示，gm档位测量电路的核心部分是由运算放大器构成的8个比较电路，其中虚线代表省略的5个运算放大器，所有放大器的反相端接g m测量电路的输出端V o或Ve，而8个相同的电阻把电源电压分成八等分，分别为18、15.75、13.5、11.25、9、6.75、4.5、2.25。
实验MOS场效应管常数测试
实验七 MOS场效应管常数测试实验项目性质：普通实验所涉及课程：半导体物理微电子器件物理微电子器件工艺薄膜电子材料计划学时：2学时一、实验目的1．熟悉场效应管参数测试仪的使用；2．测量场效应管的饱和漏电流I DSS，夹断电压V Dsat开启电压V T和沟道电导g m。
二、实验原理1．饱和漏源电流I DSS定义：栅源电压为0，漏源电压为规定值时的漏极电流称为I DSS。
测试原理如图1所示：图1 I DSS测试原理图先设定V DS、V gs满足测试条件，再按下I DSS键测试参数。
2．夹断电压V P或开启电压V T。
定义：漏源电压V DS和漏源电流I DS为规定值时，栅—源间的电压值称为V P （耗尽型）或V T（增强型）测试原理如图2所示图2 V P和V T测试原理图说明：先设定V DS、I DS满足测试条件，再按下V P（T）键测试参数。
3．低频正向跨导g m定义：输出交流短路，漏源输出交流电流与栅—源输入交流小信号电压之比称为跨导g m。
测试原理如图3图3 g m测试原理图1/（wxR D）R D r DSC D —输出交流短路C g——输入耦合电容，其值应足够大，保证栅极小信号通过G m——I DS/V gs=V测/（R D V gs）式中若V gs=10 mV , R D=100, V测=1mV则g m= V测/（R D V gs）=1mV(10mV0.1K) =1mS单位：mS——读做毫西门子说明：先设定V DS、V gs(或I DS)、f(1000H Z固定频率，机内已保证) 满足测试条件，再按下g m键测试参数。
三、实验内容和实验步骤一）使用说明1 面板旋钮位置整机出厂时，面板旋钮位置预置于下列位置（可供平时使用参考）电源开关——关（倒向左侧）V GS——地键（中）按下V GS调节——反钟向到底V DS——N+键按下V DS调节——反钟向到底⏹I DS(uA)——10uA键（中）按下⏹校——DC键按下（显示器右侧）⏹参数选择（位于显示器下面，简称下排）——校键按下2 使用性校准按通整机电源（电源开关由左侧倒向右侧），预热15分钟，然后顺便校准一下整机（步骤简单，但是十分必要）。
东华大学模电题库
填空题1.在本征半导体中，自由电子浓度空穴浓度；2.在本征半导体中加入5价元素，形成型半导体，在这种半导体中，自由电子浓度空穴浓度；3.在本征半导体中加入3价元素，形成型半导体，在这种半导体中，自由电子浓度空穴浓度；4.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，少数载流子的浓度则取决于的因素；5.PN结正向偏置时，P型半导体应该接电源的极，N型半导体应该接电源的极；6.在PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层；在PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层；7.稳压管稳压工作时，应该工作在PN结的区，即P型半导体应该接电源的极，N型半导体应该接电源的极，且其工作电压必须稳压管的稳压值；8.双极性晶体管从结构上看可以分为型和型两种类型；场效应管从结构上看可以分为型和型两大类型；场效应管从导电沟道上看可以有沟道和沟道；每一种沟道又分为型和型；9.双极性三极管在放大区工作时，必须满足发射结偏置、集电结偏置；10.对于一个PNP型三极管，如果要能不失真的放大信号，发射极、基极和集电极三个电极的电位应满足条件；11.场效应管属于控制型器件，双极性三极管在用小信号等效电路分析时，可以近似看作为控制型器件；12.在三种双极性三极管的基本电路中，输入电阻最大的是，最小的是；输出电阻最小的是；同相放大信号的有，反相放大的有；13.由NPN型三极管组成的共射放大电路，如果在输出信号的顶部出现失真波形，则是失真，若由PNP型三极管组成共射放大电路，在输出信号的顶部出现失真波形，则是失真；14.U GS＝0V时，型的场效应管的导电沟道已经存在，而型的场效应管则不存在导电沟道；15.在多级放大电路中，前一级的输出电阻可以作为下一级的，下一级的输入电阻可以作为前一级的；16.放大电路的输入电阻影响其的能力，输出电阻影响其的能力；17.有两个放大倍数相同、输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，接上同一个信号源，在负载开路的情况下，测出A的输出电压小于B的输出电压，则A的电阻B的电阻；18.差分放大电路的功能是放大信号，抑制信号；19.如果差分放大电路的两个输入信号分别是V i1和V i2，那么差模信号V id=，共模型号V ic=；20.长尾差分放大电路中用恒流源代替发射极电阻R e，是为了减小电路的放大倍数，提高电路的；21.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以；22.直流负反馈是指存在于通路的负反馈，其主要功能是稳定；交流负反馈是指存在于 通路的负反馈，它可以改善放大电路的 指标；23. 为了提高放大电路的输入电阻，则可以引入 负反馈；若要稳定输出电压，则可引入 负反馈；若要减小输出电阻，则可引入 负反馈；若要稳定输出电流，则可引入 负反馈；若要减小输入电阻，则可引入 负反馈；24. 欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入 ；25. 欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入 ；26. 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 ；27. 欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入 ；28. 甲类功放电路三极管的导通角是 ，乙类功放电路三极管的导通角是 ，甲乙类功放电路三极管的导通角是 ；29. 功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大 ；30. 乙类功放中的交越失真是在输入信号的 附近产生的，产生的原因是在输入信号为零时，三极管没有合适的 ；31. 在信号运算与处理电路中，集成运算放大器都是工作在 区；并且都可以应用 和 的概念分析解决问题。
场效应晶体管放大电路
N
N
G
P+ P+
UDS G
P+ P+
UDS
UGS
S
S
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Sect
3.1.2 JFET特性曲线
1. 输出特性曲线：
iD f (U DS )∣ UGS const
可变电阻区 线性放大区 ID=gm UGS 击穿区
2. 转移特性曲线：
ID
I
DSS
(1
U GS UP
)
2
IDSS：饱和栅极漏极电流,
着源极、栅极的次序焊在电路上； • 电烙铁或测试仪表与场效应晶体管接触时，均
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各种场效应管所加偏压极性小结
结型
N沟道(uGS＜0) P沟道(uGS＞0)
场效应管
绝缘栅型
增强型
耗尽型
PN沟沟道道((uuGGSS＜＞00)) N沟道(uGS极性任意) P沟道(uGS极性任意)
uo
u gs
g m u gs
u ds
S
GD
Id
RG
Ui
Ugs
gm Ugs RD
RL
Uo
R2
R1
S
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动态分析：
G
电压放大倍数
Id
RL
D
RG
Ugs
Ui R2R1RD g源自 UgsRL Uo•
•
Ui Ugs
S
ri
•
ro
Au gm R'L
•
•
Uo gm Ugs (RD // RL )
ID(mA)
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UGS=6V
场效应管(MOSFET)检测方法与经验
场效应管（MOSFET）检测方法与经一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。
实验七MOS场效应管常数测试
实验七 MOS场效应管常数测试实验项目性质：普通实验所涉及课程：半导体物理微电子器件物理微电子器件工艺薄膜电子材料计划学时：2学时一、实验目的1．熟悉场效应管参数测试仪的使用；2．测量场效应管的饱和漏电流I DSS，夹断电压V Dsat开启电压V T和沟道电导g m。
二、实验原理1．饱和漏源电流I DSS定义：栅源电压为0，漏源电压为规定值时的漏极电流称为I DSS。
测试原理如图1所示：图1 I DSS测试原理图先设定V DS、V gs满足测试条件，再按下I DSS键测试参数。
2．夹断电压V P或开启电压V T。
定义：漏源电压V DS和漏源电流I DS为规定值时，栅—源间的电压值称为V P （耗尽型）或V T（增强型）测试原理如图2所示图2 V P和V T测试原理图说明：先设定V DS、I DS满足测试条件，再按下V P（T）键测试参数。
3．低频正向跨导g m定义：输出交流短路，漏源输出交流电流与栅—源输入交流小信号电压之比称为跨导g m。
测试原理如图3图3 g m测试原理图1/（wxR D）<<R D<<r DSC D —输出交流短路C g——输入耦合电容，其值应足够大，保证栅极小信号通过G m——∆I DS/∆V gs=V测/（R D⨯V gs）式中若V gs=10 mV , R D=100Ω, V测=1mV则g m= V测/（R D⨯V gs）=1mV(10mV⨯0.1KΩ) =1mS单位：mS——读做毫西门子说明：先设定V DS、V gs(或I DS)、f(1000H Z固定频率，机内已保证)满足测试条件，再按下g m键测试参数。
三、实验内容和实验步骤一）使用说明1 面板旋钮位置整机出厂时，面板旋钮位置预置于下列位置（可供平时使用参考）电源开关——关（倒向左侧）V GS——地键（中）按下V GS调节——反钟向到底V DS——N+键按下V DS调节——反钟向到底⏹I DS(uA)——10uA键（中）按下⏹校——DC键按下（显示器右侧）⏹参数选择（位于显示器下面，简称下排）——校键按下2 使用性校准按通整机电源（电源开关由左侧倒向右侧），预热15分钟，然后顺便校准一下整机（步骤简单，但是十分必要）。
MOS管被击穿的原因及解决方案(全)
MOS管被击穿的原因及解决方案（转）而MOS管被击穿的原因及解决方案如下：第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。
虽然ＭＯＳ输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。
组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。
要防止操作人员的静电干扰造成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在接触集成块前最好先接一下地。
对器件引线矫直弯曲或人工焊接时，使用的设备必须良好接地。
第二、ＭＯＳ电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为１ｍＡ在可能出现过大瞬态输入电流（超过１０ｍＡ）时，应串接输入保护电阻。
而129#在初期设计时没有加入保护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。
还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。
所以焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。
附录：静电的基本物理特征为：有吸引或排斥的力量；有电场存在，与大地有电位差；会产生放电电流。
这三种情形会对电子元件造成以下影响：1.元件吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响元件的功能和寿命。
2.因电场或电流破坏元件绝缘层和导体，使元件不能工作（完全破坏）。
3.因瞬间的电场软击穿或电流产生过热，使元件受伤，虽然仍能工作，但是寿命受损。
上述这三种情况中，如果元件完全破坏，必能在生产及品质测试中被察觉而排除，影响较少。
如果元件轻微受损，在正常测试中不易被发现，在这种情形下，常会因经过多次加工，甚至已在使用时，才被发现破坏，不但检查不易，而且损失亦难以预测。
静电对电子元件产生的危害不亚于严重火灾和爆炸事故的损失电子元件及产品在什么情况下会遭受静电破坏呢？可以这么说：电子产品从生产到使用的全过程都遭受静电破坏的威胁。
简易场效应管低频跨导gm检测电路
第一章 方案提出依据课程设计的需要,特设计思路如下图框所示:三极管类型判别电路的功能是利用N 沟道型和P 沟道型电流流向相反的特性来判别。
场效应管跨导测量电路的功能是利用场效应管的电压分配特性，将对gm 的测量转化为对场效应管的测量，同时实现对档位的手动调节。
场效应管gm 测量电路的功能是利用比较器的原理实现8个档位的测量，显示电路的功能是利用发光二极管将测量结果显示出来。
低频跨导gm 测量电路 显 示 电 路低频跨导gm 档位测量电路 场效应管类型电源电路第二章电路基本组成及工作原理第一节场效应管类型判断电路场效应管判别类型如图1所示。
由于P沟道和N沟道场效应管的电流流向相反,当两种场效应管按图中电路结构链接时,则与N沟道场效应管连接的发光二极管亮，与P沟道连接的发光二极管不亮，所以根据发光二极管的亮和灭，即可以判定场效应管是N沟道还是P沟道。
并且将P沟道场效应管翻转连接，电路即可正常工作。
（a）（b）图1第二节场效应管低频跨导测量电路当电路接入N沟道场效应管时，如图1（a）所示，电路中的电流电压表达式为：(IDSS VP都是已知参数)V GS =V G-V S由上式可以看出，除了R0可变电阻外，其余都是固定电阻，电压Vo随gm的变化而变化，同时可通过调节R0大小可以调节Vgs的大小，调节最终的gm档位值。
当电路接入P沟道场效应管时，为此可采用如图1的（b）所示，电路中的电流电压的表达式为：(IDSS VP都是已知参数)V GS =V G-V S由上式可得，电压Vo将随gm的变化而变化，同时也可以通过调节R0调节gm档的位值。
第三节低频跨导档位测量电路和显示电路图2档位测量电路：如图2所示，gm档位测量电路的核心部分是由运算放大器构成的8个比较电路，其中虚线代表省略的5个运算放大器，所有放大器的反相端接gm测量电路的输出端Vo或Ve，而8个相同的电阻把电源电压分成八等分，分别为18、15.75、13.5、11.25、9、6.75、4.5、2.25。
MOS管你还在一个一个检测吗？自己做一个测试板试试吧
MOS管你还在一个一个检测吗？自己做一个测试板试试吧最近接到一个项目，需要用到大量的场效应管。
从某宝买回一大堆。
怎么检测呢？一个个用万用表量吗？好像不太现实。
我们干脆自己动手做一个场效应管的检测电路吧。
根据场效应管的原理做起来也比较简单。
什么是场效应管场效应管的全称叫做金属氧化物半导体效应晶体管也称MOS管。
它可以分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。
改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。
这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。
如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。
这样的MOS 场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。
统称为PMOS晶体管。
MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
TO-220封装尺寸图场效应管的三个管脚排列mos管的三个极分别是：G（栅极），D（漏极）s（源及），要求栅极和源及之间电压大于某一特定值，漏极和源及才能导通。
它的工作原理比较类似于晶体三极管。
MOS管的管脚排列怎么万用表测量MOS管1、把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大，则MOS管漏电，不变则完好2、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，假如指针立刻返回无限大，则MOS完好。
3、把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无限大。
4、用一只100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和漏极上，然后把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，这时表针指示的值一般是0，这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极电场，因为电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，故万用表指针偏转，偏转的角度大，放电性越好。
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第一章方案提出依据课程设计的需要,特设计思路如下图框所示:三极管类型判别电路的功能是利用N沟道型和P沟道型电流流向相反的特性来判别。
场效应管跨导测量电路的功能是利用场效应管的电压分配特性，将对gm的测量转化为对场效应管的测量，同时实现对档位的手动调节。
场效应管gm测量电路的功能是利用比较器的原理实现8个档位的测量，显示电路的功能是利用发光二极管将测量结果显示出来。
第二章电路基本组成及工作原理第一节场效应管类型判断电路场效应管判别类型如图1所示。
由于P沟道和N沟道场效应管的电流流向相反,当两种场效应管按图中电路结构链接时,则与N沟道场效应管连接的发光二极管亮，与P沟道连接的发光二极管不亮，所以根据发光二极管的亮和灭，即可以判定场效应管是N沟道还是P沟道。
并且将P沟道场效应管翻转连接，电路即可正常工作。
（a）（b）图1第二节场效应管低频跨导测量电路当电路接入N沟道场效应管时，如图1（a）所示，电路中的电流电压表达式为：(IDSS VP都是已知参数)V GS =V G-V S由上式可以看出，除了R0可变电阻外，其余都是固定电阻，电压Vo随gm的变化而变化，同时可通过调节R0大小可以调节Vgs的大小，调节最终的gm档位值。
当电路接入P沟道场效应管时，为此可采用如图1的（b）所示，电路中的电流电压的表达式为：(IDSS VP都是已知参数)V GS =V G-V S由上式可得，电压Vo将随gm的变化而变化，同时也可以通过调节R0调节gm档的位值。
第三节低频跨导档位测量电路和显示电路图2档位测量电路：如图2所示，gm档位测量电路的核心部分是由运算放大器构成的8个比较电路，其中虚线代表省略的5个运算放大器，所有放大器的反相端接gm测量电路的输出端Vo或Ve，而8个相同的电阻把电源电压分成八等分，分别为18、15.75、13.5、11.25、9、6.75、4.5、2.25。
这样通过测量值和标准电压的比较就可以把gm的8个值分入8个档位。
根据比较的结果，如果测量值大于标准电压，就输出低电平，反之输出高电平。
显示电路：如图表3虚线左侧电路所示，显示电路是通过八个发光二极管来实现的。
通过运算放大器输出的高低电平，发光二极管产生亮和灭，这样就知道gm属于哪一个档位，达到显示的作用。
注意运放的输出电流要与发光二极管的驱动电流匹配。
若在显示电路的前端接入译码电路，可以减少发光二极管的数目。
第四节电源电路电源电路可以采用两种方式来实现：第一种是采用电池供电，第二种方法如图2所示，直接从电网供电，通过变压器电路，整流装置，滤波电路和稳压电路将电网中的220V交流电压转化为+18V直流电压。
电路中变压器采用常规的铁心变压器，整流电路采用二极管桥式整流电路，C1，C2，C3，C4完成滤波功能，稳压电路采用三端稳压集成芯片来实现。
电源电路图图3第三章元件的介绍第一节场效应管的基本类型场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗型和增强型;P沟耗尽型和增强型分四大类.第二节场效应管的原理下面以N沟道结型场效应管介绍工作原理，对P沟道结型场效应管可以用对偶方法得出。
场效应管的漏极电流ID与沟道的宽窄有关，沟道宽时，沟道内电阻小，ID大；沟道窄时，沟道内电阻大，ID小。
要改变沟道的宽窄可在栅源极间加反向电压-VGS和在漏源极间加正向电压VDS。
图3.1.2 沟道受VGS控制当漏源电压VDS由零开始增大时，沟道内各点的电位由漏极d 端至源极s 端逐减小，因而PN结上各点的反压由d端至s端也逐渐降低，沟道内耗尽层上宽下窄，沟道为楔形分布，如图3.1.3(a)所示，这时沟道的截面积变化不大，沟道内呈现的电阻可近似看成不变，ID 随VDS线性增加，如图3.1.4中VGS=0时的OA段。
当漏源电压增大时，耗尽层增宽，沟道截面积减小，沟道内电阻增大，ID 随VDS增加减慢，场效应管的结构及功能介绍1、结型场效应管的结构场效应管的结构如图6.18所示，它是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域，用P+表示，形成两个P+N结。
N型半导体的两端引出两个电极，分别称为漏极D和源极S。
把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。
如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。
它们从源极S出发，流向漏极D。
电流方向由D指向S，称为漏极电流ID.。
由于导电沟道是N型的，故称为N沟道结型场效应管。
2、作用：场效应管的作用1、场效应管可应用于放大。
由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
场效应管作用2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
场效应管的作用3、场效应管可以用作可变电阻。
场效应管作用4、场效应管可以便地用作恒流源。
场效应管的作用5、场效应管可以用作电子开关。
3、场效应管的应用场效应管在恒流区内工作时，当GS电压变化△VGS时，D极电流相应变化△iD。
若将△iD通过较大的RL，从RL上取出的△V0=△iDRL，可能比△VGS大许多倍，即△VGS得到了放大。
所以场效应管和晶体管一样在电路中可起放大的作用。
第三节运放LM324的介绍LM324是四运放集成电路,它采用14脚双列直插塑料封装,外形如图所示。
它的内部包含四组形式完全相同的运算放大器, 除电源共用外,四组运放相互独立。
每一组运算放大器可用图1所示的符号来表示,它有5个引出脚,其中“+”、“-”为两个信号输入端,“V+”、“V-”为正、负电源端,“V o”为输出端。
两个信号输入端中,Vi-（-）为反相输入端,表示运放输出端V o 的信号与该输入端的位相反;Vi+（+）为同相输入端,表示运放输出端V o 的信号与该输入端的相位相同。
当去掉运放的反馈电阻时,或者说反馈电阻趋于无穷大时(即开环状态),理论上认为运放的开环放大倍数也为无穷大(实际上是很大,如LM324运放开环放大倍数为100dB，既10万倍)。
此时运放便形成一个电压比较器，其输出如不是高电平（V+），就是低电平（V-或接地）。
当正输入端电压高于负输入端电压时，运放输出低电平。
第四节LED灯的介绍LED原理。
LED是Light Emitting Diode即发光二极管的缩写，最早于1962年由GE（General Electric Company）研究人员Nick Holonyak Jr.发明。
其I-V特性与普通二极管比较类似，所不同的是其内部PN结具有发光特性。
发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，即PN结。
当PN 结导通时，两种不同的载流子：空穴和电子在不同的电极电压作用下从电极流向PN结。
当空穴和电子相遇而产生复合，电子会跌落到较低的能阶，同时以光子的方式释放出能量，即辐射发光。
任何二极管都会有此发光的特性（通常非可见光且发光效率非常低），不同的是发光二极管通过使用特殊的材料、特殊的工艺，使得PN结发光的效率提高，发光的频率一致，从而得到可使用的特定频率的光。
通常所说的LED是指能发出可见光的发光二极管。
第五节元件清单第四章参数计算由低频跨导的档位测量电路得知关于Vgs有8个档位分别是18、15.75、13.5、11.25、9、6.75、4.5、2.25。
当把某一类型场效应管放入检测电路中时，测得的Vgs应为上述某两个档位之间。
这两个档位较小的所连接的二极管和较小档位以前的二极管是亮的，而以后的都是灭的。
已知场效应管的Idss,Vp，由Vgs可得gm的八个档位值。
第五章总结作为一名电气系系，电子信息工程专业大二的学生，我觉得能做类似的课程设计是十分有意义，而且是十分必要的。
已度过的大学时间里我们大多数接触的是专业基础课。
我们在课堂上掌握的仅仅是专业基础课的理论面，如何把我们所学到的专业基础理论知识用到实践中去呢？我想做类似的大作业就为我们提供了良好的实践平台。
为了让自己的设计更加完善，一次次翻阅设计手册是十分必要的,一切都要有据可依，有理可寻，不切实际的构想永远只能是构想，无法升级为设计。
另外；小组共同设计给我们提供了团体协作的途径，让我们更能有利于进行思考和设计，一个人的力量是有限的，但是团体的力量是无穷的，在设计过程中要进行换位思考，综合大家的力量进行初步的理论设计，然后要独立的完成自己的设计思路。
在学习理论知识的同时也要参加实践活动，同时，分组设计也有利于我们同学之间的团体协作。
在这次课程设计作业的过程中由于在设计方面我们没有经验，理论基础知识掌握得不牢固，在设计中难免会出现这样那样的问题，这些都暴露出了前期我在这些方面知识的欠缺和经验的不足。
对于我来说，收获最大的是方法和能力；那些分析和解决问题的能力。
在整个课程设计的过程中，我发现我们学生在经验方面十分缺乏，空有理论知识，没有理性的知识；有些东西可能与实际脱节。
总体来说，我觉得像课程设计这种类型的作业对我们的帮助还是很大的，它需要我们将学过的相关知识系统地联系起来，从中暴露出自身的不足，以待改进！本次的课程设计，培养了我综合应用数电和模电课程及其他课程的理论知识和理论联系实际，应用生产实际知识解决工程实际问题的能力；在设计的过程中还培养出了我们的团队精神，同学们共同协作，解决了许多个人无法解决的问题；在今后的学习过程中我们会更加努力和团结。
但是由于水平有限，难免会有错误，还望老师批评指正。
附录附录一电源电路总图附录二几种常用的场效应管参数一夹断电压V P当VDS =10V，ID=50mA时的VGS值。
二饱和漏极电流I DSS当VDS =10V，VGS=0V时的ID值。
对结型场效应管，IDSS是能输出的最大漏极电流。
三最大漏源电压V(BR)DS与VGS 有关，VGS愈负，其值愈小。
四最大栅源电压V(BR)GS为PN结的反向击穿电压五直流输入电阻R GS正常运用时PN结反偏，其值可达107Ω以上。
六低频互导(跨导)gm定义为它表明了输入栅源电压vGS 对输出漏极电流iD的控制能力，相当于转移特性上Q点的斜率，如图3.1.7所示图3.1.7gm是表征场效应管放大能力的重要参数，单位为mA/V=ms，其值一般为十分之几~几mS(比三极管小一个数量级)。
对式(3.1.3)微分，可得(3.1.6)式中(3.1.7)=0时的跨导。
为VGS参考文献1. 何小艇主编, 电子系统设计, 浙江大学出版社, 2001年6月2. 姚福安主编, 电子电路设计与实践, 山东科学技术出版社, 2001年10月3. 王澄非主编, 电路与数字逻辑设计实践, 东南大学出版社, 1999年10月4. 李银华主编, 电子线路设计指导, 北京航空航天大学, 2005年6月5. 康光华主编, 电子技术基础, 高教出版社, 2003年。