中长波InAsSb红外探测器国内外研究进展_孙常鸿
合集下载
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
度可在
0
.
0
_
1
0 6 eV
 ̄
0 4 0 6 eV
之 间 变 化 对 应 截止 波 长
3
0 5
?
1
丨
.
7 0
其 最小值 出 现 在 约
、
6 5
处
。
可见
I
nA s S b
材 料 探测 器 的 室 温 工 作 波 段 正 好 可 以 覆 盖 整 个 中
相比
nA s S b
长 波波 段
,
且禁 带
宽 度 随 组 分变 化 不 大
[
1
。
2
国 际 非致 冷
目
In
As S b
I
探 测 器研 宄现 状
前 国 际上 研 宄
nA s S b
材料 探 测 器 的 机 构 有 美 国 西 北 大 学
。
CQD
、
实验 室
日本
、
、
贝 尔 实 验室
、
、
英 国 兰 彻斯 特 大 学 物 理 系
亚
、
、
法 国 蒙 彼 利埃第 二 大 学 等
,
尽 管 当 时 的 响 应 率不 足
次 系 统地 研 宄 了
,
A /W
量子 效 率 也 只 有
(
6
/ 。
?
7
%
[
5
]
。
之后
他们 在 国 际 上 第
(
一
I
n A s ^S bx
在 整 个组 分 范 围 内
Eg
0 <x <
l
)
材料 的 分 子 束 外 延 关系 图和
A/ W
一
MB E) 外 延 生 长和 光学 性 质
J
.
Wu
,
J
.
Y He
.
an d
N Da
.
i
Na t
i
on a l
L ab o r ato ry f or
n rared I f
Phys
i
cs
,
ngha i Sha
ute o s ti t In f
0 0 8 3
e c h ni c al Phy T s ic s
研究 小 组产 生 了 重
要的影响
年代 至今
。
中 期 的 研 究 代表
:
:
美 国 西 北 大学
C ent er
for
Q ua ntu m D ev
i
ce s
(
CQ D ) 实 验 室
,
二
十世 纪
9 0
主要 工 作 有
:
(
l
)
+
p
/
7i
/
n
+
的 结 构 探 测 器 的 开发
;
2
、
采 用 浸没 技 术 优 化光 学 设计 可
,
3
、
采用 表 面钝 化 技 术
显 著 降 低表面 态数 量 从 而 改 善 探 测 器 性
。
这 些 方 法 的 提 出 为 后 来 探测 器 的 研 制提 供 了 很 大 的 方 便
1
5 7
(
3 )
在
G a As
衬底 上 首 次 实 现 高 晶 格 失 配 的
早 期 的 研 宄 代表
:
美 国 贝 尔 实验 室
(
,
二
1
十 世纪
0 0
)
8 0
年代
:
他 们利 用 液 相 外 延 截 止波 长
°
LP E ) 技术在 G aS b(
,
面 上 生 长成 功 了
I
nA s Sb
0 2
.
材 料 并 成 功 制 成 室温
,
4
.
5
f
un
的 背 照 射 光 电 二 极管
丨
非致 冷 型 红 外 探 测 器
阔 的 应用 前 景
容 易 实 现仪器 的 小 型 化
一
大 大 降 低 成本
本 文对 中 长 波
丨
nA
sS
b
红外
探 测 器 国 内 和 国 外 的 研 宄 近 况作
。
简要 评述
,
从 而 显 示 出 在 中 长波 红 外 波 段
nA s S b
材料 广
MW R
nd LW I R d ete ctor s
t
o
ex h i bit a
wi d e pr o s pe ct fo r th e ap pl
i
i on of t hi s m a te r ia c at
l
.
K eyw o rd s
:
I
nA s S b
;
i
n fr a re d det ec to r
0
引言
工 作 在 中 长 波 红 外 波 段( 5
-
1
2 nm )
。
的 红 外 探测 器 在 遥感
、
夜视
、
通信
、
工 业 探伤
,
、
资源探
Sb
测 以 及 医 学 方 面有 广 阔 的 应 用 前 景
II I
-
近 年来
、
,
在 这 个 波 段范 围 内 的 探测 器 研 宄 中
,
Ch i n es e
A c ademy
of Sc i en ce s
,
Shangha i 2 0
i
,
PR Ch
i
na
Ab s t ra ct
:
T he I I
I
-
V ter nar y a
l
ll
oy I
i
nAs Sb
er r a re d op to el e ctr oni c m a t ial s i s a ve r t ant i nf y m po r
[
室温下
nA sS b
材 料 的 载 流 子 迁移 率 可 比
材 料 的 相 应值 高
个 数量 级
;
2
,
3
]
;
更低 的 制 备 成 本
:
I
nA s S b 4
材 料 的 成 本 以 及 相 匹 配 的 衬底 材料 成 本 都较
H gCd Te 的 低廉
以 及 更 快 的 器件 响 应 速 度
其 截 止 波 长 可 表示 为
:
1
5 6
M ^n
根据
i = )
hc
/
E
g
(
eV )
=
l
.
2
 ̄
x
E
g
(
— 1
eV
)
其 常温ห้องสมุดไป่ตู้
叫
,
(
2
)
(
1
)
、
(
2
)
两式
.
,
我们 可 以 看 到
,
,
随着
在
0
-
1
.
0
之 间 变化
.
,
(
3 0 0
K) 下 的 禁 带 宽
x
=
、
基的
V
族 材料 由 于 其 具 有 更 快 的 响 应 速度 为基 础
入其 它
V
更 高 的 量子 效率
。
较低的室温
Sb
A uge r
复合 系 数 等
使所制作
,
优 良 特性 而 在 制 作 非 致 冷 探 测 器 方 面 有 很 大 的 优 势 都是 以
Ii i
目
前制 备
i l it
y
.
T he ve r y h gh
i
-
s
pe e
d r es
p
on se an d t he ab
y o f ope r ati ng a t r oo m
,
i a l a l ter i al n a te m ate r te m atur e ma ke In A s S b a p ote nt pe r
基材 料 探 测 器 的 基 本 方法
,
Sb
,
引
II I 、
族 元素
(
,
从 而 显 著 得 降 低材 料 的 禁 带 宽 度
I
的 探测 器 更 适 宣 于 工 作 在 长 波 红 外 波 段
8
-
1
2
在 这 其 中 尤 以
,
nA s S b
研 宄 得更 为 全 面
I
原 因在 于
As
相 比于
T
主要
,
目
的在 于 提 高
,
D〇
;
而 上世 纪
一
9 0
年 代 以 后 的 研 宄更 注 重 新型结 构 的 探 测 器
,
结 构更 复杂
探 测 率 和 响 应 速度 都 进 漏 电等 问 题
。
步 提 高 功 能 更 全面
,
而 且 通 过 不 同 结 构 来 减 少 非福 射复 合和 表 面
[
7]
。
这种 结 构 的 优 点 是
,
,
由 于 受 两边 两
个 重 掺杂 带 的 影 响
失进 衬 底 层
,
,
使 得 载流 子 更容 易 被 限 制在 中 间 的 活 化层 中
,
并且 能 够 有 效 阻 止 电 子流 使
降 低 了 扩 散 电 流 提 高 了 光 响 应度
。
。
于 是这种 形 式 的 探 测 器 在 红 外探 测 器 的 研
中长波
In
AsS b
红 外 探 测 器 国 内 外研 究 进 展
,
孙常 鸿
(
胡淑红
,
王奇伟
,
中 国 科学 院 上 海 技 术 物 理 研 究 所
、
上海
2 0 0 0 8 3
)
摘要
:
I
nA
s Sb
由 于 其禁 带宽 度 窄
,
电 子 迁 移 率极 高 等优 良 特 性受 到 了 世 界 各 国 的 广 泛 关注
。
对 中 长波红 外 波段 的 探 测 而 言
I
I
nA s S b
材 料 的 探 测 器 在 室 温 下 也 具 有很 高 的 探 测 率
。
,
同时
nA s Sb
探测 器 具 有 比
,
H gC dTe
探 测 器更髙 的 响 应 速 度
,
这 些 优 势 使得
。
I
n As Sb
探 测 器可 制 成
l
、
B
i
等 材料 易 于 获 取
而 相 比 于 N 来说 更利 于 被 引 入
n Sb
材料中
。
1
I n As S b
nA S nA s
l
.
材 料特 色
可 以看作 是
I II
-
I
x
Sb x S bx
V
x
族 的 伪 二 元 半 导 体材 料
和 温度
T
2
,
根据
W
:
i
e de r
i
〇
cm
Hz
/
W
[
响 应率 峰 值 达 到
6
]
。
4 8
响 应 速度 可 达 <
I
1
0 n s
的水平
同 时 内 量 子效 率 也 可 达 到
,
4 7
%
4
,
由 于 他们 进 行 了
些关于
n A sSb
材料 的 基 本 性 质 的 研 究 因 此 对 后 来 世 界 各 地 的
I
nA s S b
等 人提 出 的 经 验 公 式
1 [
]
,
I
.
i
x
禁带 宽 度 与 组 分
a A x
I
T
之 间 的 关 系 可 表示 为
2
O
^
E
(
x
,
r) = a 4
-
- -
1
1
0 8 7 6 X+ 0 7 0X
. .
^
+
3
.
4 x
l
0
x r(l
-
x)
2
1
0 +r
i
(
)
i
n ed n re c ent d e cad e s due t o wh i ch h as b ee n w i de y con ce r
hi gh e e ctr on mo b i
l l it
ts
na rr ow e ne r gy g ap a nd e xt re me l y
l
究 中 被 广泛 应用 用
G aA s
(
该 双异 质 结 具 体 结 构 为
,
+
p
 ̄
-
A
x
l
〇 〇7
.
n〇
.
9 3
S b /7 r
1 /
-
I
nA s 〇 〇 6 S b〇
.
.
9
i
)
/n
+
-
A
l
(
).
〇7
丨
n〇
.
9
3
Sb
,
作 为 衬底
测 得 室 温 下 探 测 率 ET
2
8
l
0
cm
Hz
2
/
W
,
量子 效 率 可 达
,
第
一
次得 出 了 禁 带 宽 度
1
随组 分
x
的 变化
Eg
随 温度 变化 的经 验 公 式
1
并 且 制 得 了 截 止 波长 达
ET
=
2
.
5
1
f
i
m
2 /
的 红 外探 测 器
,
,
室温电
0
.
子 迀 移 率达 到
,
5 0 0 0 c m /V s
2
,
其
7 7
K 下 的 探测率
,
3 x
l
〇
另外
,
。
和
H gC dTe
,
丨
材 料在 某 些 方 面 显 现 出 独 特 的 优 势
:
具 有 相 对更 高 的
[
稳定性
:
HgC d Te
:
材料中 高
I
Hg
蒸 气 压 导 致 材 料 的 不 稳 定 性 和 不均 匀 性增 加
H gC d Te
2
]
;
更 高 的 电子
一
空穴 迁 移 率
、
另外
,
在印度
a As S b
南非
保加 利
。
波兰
、
比利 时
、
加 拿大
乌 克兰
,
、
以 色 列等 地都 有 关 于
、
I
材 料或 器 件 方 面 的 研 宄
,
早期 的 研 究 主 要 集 中 在 材 料 生 长 探 测 器 的 探测 率
(
简 单 结 构 的 光导
光 伏探 测 器 的 研 制
4 0
%
。
2
)
提 出 了 几 种 改 进探 测 器 性 能 的 方法
Ji
:
1
、
调 整 材 料 参 数 可 以 抑 制 非 辐 射 复合 几 率 比
,
如 活 性 层 的 掺 杂 可 有效 减 少 室 温 探 测 器 的 有 效 提 高探 测 器 感 光 面积
能
。
;
A u ge r
复合
,
to
Hg C dTe
.
I
n thi s pap e r w e int rodu ce t he
I
a
rc h for I nA s S b in fr are d d ev e lo pm en t o f d om e st i c an d ov er s ea s r e se a
关 键词
:
I
nA s Sb
探测器
D ev e
l
o p m e nt of C
.
M W IR
,
an d LW I R In As S b I n fr a r e d D e t ec to rs
H
.
S un
S
.
H H u Q W Wan g
.
,
.
.
,