发光光谱分析PPT课件

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能量效率 发光能量与激发源输入能量之间的比值 B量子 = E发光 / E吸收 如果是光致发光,又与E=hν,所以能量效率还可以表示如下: B量子 = E发光 / E吸收= hν发光 / hν吸收= ν发光 / ν吸收
光度效率 发光的流明数与激发源输入流明数的比值: B量子 =光度发光 / 光度吸收
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发光的分类:(根据激发源的不同)
光致发光:photoLuminescence PL
电致发光:electroluminescence EL
将电能直接转换为光能,又称:场致发光
1) 本征型电致发光:将发光材料夹在两块平板电极之间 (其中一块为透明电极) ,系统与交流电源连接后,发 光从透明电极一侧透射出来。
GaAs的价带-导带吸收光谱
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GaAs的导带-价带发光光谱
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间接能隙材料(如IV族半导体)中,电子由导带向价带跃迁,为 满足动量守恒,在发射光子的同时,发射和吸收一个声子。 间接跃迁的效率很低。比直接跃迁低3~4个量级。发光很弱,需 要在低温下测量
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光发射过程
光吸收的逆过程
当材料受到诸如光的照射、外加电场或电子束轰击等的激发后, 只要不因此而发生化学变化,总要回复到原来的平衡状态,在 此过程中,一部分多余的能量通过光或热的形式释放出来。
如果这部分能量是以可见光的形式发射出来,则称这种现象为发光。
发光材料的一个重要特性是它的发光持续时间。
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阴极射线发光:cathodeluminescence CL 通过电子束激发,电子的能量通常在几千电子伏以上 激发过程与光致发光不同,是一个复杂过程: 高速电子离化原子,产生高速次级电子,高速次级电子又
可以产生次级电子,最终由次级电子激发发光物质产生发光。
X射线及高能粒子发光 次级电子激发或离化发光物质而发光
可用于安全应急、交通运输、建筑装潢、仪表、电气开关显示等诸多方 面. 在安全应急方面,如消防安全设施、器材的标志,救生器材标志、 紧急疏散标志、应急指示照明和军事设施的隐蔽照明
据报道,在美国“9.11”事件中长余辉发光标志在人员疏散过
程中起了重要的作用。
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发光效率 发光材料的另一个重要特性是其发光强度,发光强度也随激发强度而 改变。通常用发光效率来表征材料的发光本领,有3种表示方法: 量子效率 发射物质辐射的量子数N(发光)与激发光源输入的量子数 N(吸收)(如果是光致发光则是光子数;如是电致发光,则是电子数。 余类推。)的比值: B量子 = N发光 / N吸收
依发光持续时间,我们可应将发光区分为荧光和磷光:
荧光(Fluorescence):激发和发射两个过程之间的间隙极短,约为 <10-8秒。只要光源一离开,荧光就会消失。
磷光(Phosphorescence):在激发源离开后,发光还会持续较长的时
间。
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还可以用余辉来表示物质发光的持续时间。余辉的定义为:当激发
另外,这些鳞状物的下方也有一个专门的“镜子”,这与发光二
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极管中的微小的“镜子”作用非常相似。
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在材料的研究中,最常用的是光致发光PL 研究固体发光时,常把发光的全过程分为两个步骤: ① 激发:物质中的可激活系统在吸收光子后跃迁到较高的能态。 ② 发射:激活系统回复到较低能态(一般为基态)而发射光子。 PL PLE
二级管之间拥有很多相似的地方。
蝴蝶翅膀上的鳞状覆盖物内包含着一些被称为“光子晶 体”(Photonic Crystals)的微小结构,而这和发光二极管中的微孔的 作用机制非常类似。对此,研究人员之一的英国埃克赛特大学专家皮 特表示:“(这些鳞状物)可以防止荧光光线在鳞状物内部被截留,同时 也能防止光线向侧面发散出去。”
低温下高纯GaAs近带边吸收光谱
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ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
ZnO:Zn磷光体在不同温度下的 激子光谱
化学发光 化学反应过程中释放出来的能量激发发光物质而发光
生物发光
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生化反应过程中释放出来的能量激发发光物质而发光
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Glowing Butterflies Shine With
Natural LEDs
非洲燕尾蝶翅膀上鳞状物 的光学显微图象
科学家在研究非洲燕尾蝶的时候,发现其翅膀上的鳞状覆盖物和发光
其发光机理:电子(材料中被激发到导带的电子,或从 电极经隧穿进入材料的电子)受到电场加速,获得足够 能量,碰撞电离或激发发光中心,导致复合发光
2) 半导体p-n结注入式电致发光:p-n结正向偏置时,电子 (空穴)注入到p(n)区,注入的少数载流子通过直接或间接的 途径与多数载流子复合,导致发光 photo diode 4
(2)激子的复合发光
一对束缚着的电子和空穴相遇复合(称为激子复合)时,会把能
量释放出来产生窄的光谱线,出现于带间复合的低能方向,且不
伴随光电导
束缚使电子-空穴对的能量低于带隙
半导体中的激子束缚能较低,属于 Wannier激子,仅在低温下是稳定的,当 温度升高,激子可能被离解,发光由激 子型复合变成带间复合
光停止时的发光亮度(或强度)J0衰减到J0的10%时,所经历的时间称 为余辉时间,简称余辉。根据余辉可将发光材料分为六个范围:
极短余辉
<1μs
短余辉
1~10μs
中短余辉
10-2~1ms
中余辉
1~100ms
长余辉
0.1~1s
极长余辉
>1s
长余辉发光材料简称长余辉材料,又称夜光材料。它是一类吸收太阳光或人工 光源所产生的光发出可见光,而且在激发停止后仍可继续发光的物质。
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固体中的光发射总是伴随着处于高能态的电子向低能态的跃迁。下面一半 导体材料为例介绍 固体中的一些主要发光过程:
(1)导带到价带的跃迁 (本征发光)
直接能隙材料,允许电子由导带向价带直接跃迁,其动量不变
带间直接复合发光只能在很纯的半导体中观察到。
掺杂半导体中,禁带中存在杂质能级,电子和空穴可被局域能级俘获,并通过 这些能级进行辐射或非辐射复合。其复合截面比直接跃迁大两个量级。
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