第三章 X射线衍射强度.

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第3章 X射线衍射强度

第3章 X射线衍射强度

由于衍射线的相互干涉,某些方向的强度将会有所加强, 某些方向的强度将会减弱甚至消失,习惯上将这种现象称 为系统消光
13
X射线衍射强度理论
包括运动学理论和动力学理论.
单位晶胞对X射线的散射与结构因素
1. 一个电子对X射线的散射
由汤姆逊公式进行描述,是汤姆逊从经典电动力学的观点分析 推出的。
re 2 1 (cos2 ) 2 Ie Io ( ) R 2
消失的反射

H、K全为奇数或全为 偶数 (H+K为偶数)
H+K+L为偶数 H、K、L全为奇数或 全为偶数
H、K奇偶混杂 (H+K为奇数)
H+K+L为奇数 H、K、L奇偶混杂
第二节 单位晶胞对X射线的散射与结构因数
二、几种点阵的结构因数计算
三种点阵晶体衍射线分布见图5-20 , 图中N = H2 + K2 + L2,产生衍射的干 涉面指数平方和之比分别为, 简单点阵 体心点阵 面心点阵 12345 2 4 6 8 10 3 4 8 11 12
单位晶胞对X射线的散射与结构因素
2. 一个原子对X射线的散射
Ia f Ie
2
这里引入了f――原子散射因子
单位晶胞对X射线的散射与结构因素
推导过程:
一个原子包含Z个电子,那么可看成Z个电子散射的叠加。 (1)若不存在电子电子散射位相差:
I a Z Ae Z I e
2 2
26
单位晶胞对X射线的散射与结构因素
• 4. 底心点阵 – 每个晶胞中有2个同类原子,其坐标分别为000和1/2 1/2 0,原子散射因子相同,都为fa。

第三章 X射线衍射强度

第三章 X射线衍射强度
X射线衍射强度
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目录
添加目录项标题 X射线衍射实验方法 X射线衍射强度的应用
X射线衍射原理 X射线衍射强度影响因素
01
添加章节标题
02
X射线衍射原理
X射线衍射现象
X射线衍射原理:X射线在晶体中发生衍射,形成特定的衍射花样 衍射方向:晶体中原子间距导致X射线衍射方向不同 衍射强度:晶体结构、原子间距和X射线波长等因素影响衍射强度 衍射图谱:通过测量和记录衍射方向和强度,形成X射线衍射图谱
重要性:晶体取向分析对于材料科学研究 和工业应用具有重要意义,有助于优化材 料性能和开发新型材料。
晶粒大小与形状分析
原理:利用X射线衍射强度分析晶 体结构中的晶粒大小和形状
实验方法:通过测量衍射峰的强 度和位置,计算晶粒大小和形状 参数
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应用范围:材料科学、化学、生 物学等领域
测量系统:用于测量衍射角度和 强度,包括角度编码器和多路信 号处理器
实验步骤
样品准备:选择合适的样品,并进行必要的处理和制备 实验设置:调整实验参数,如X射线源、探测器、扫描范围等 数据采集:进行实验,记录衍射强度数据 结果分析:对采集的数据进行处理和分析,得出结论
实验数据处理
实验数据收集:确保数据准确性和完整性 数据预处理:去除异常值、进行归一化处理等 数据分析:提取特征、进行统计推断等 结果解释:结合理论知识,对实验结果进行解释和讨论
实验结果分析
衍射峰位置:确 定晶体结构和对 称性
衍射峰强度:确 定晶胞大小和原 子位置
衍射峰形状:分 析晶格畸变和晶 粒大小
衍射峰数目:确 定晶体取向和对 称性

3 衍射强度

3 衍射强度

• 有序化使无序固溶体因消光而失却的衍射线复出
现,这些被称为超点阵衍射线。 • 根据超点阵线条的出现及其强度可判断有序化的 出现与否并测定有序度。
§3-3 多晶体的衍射强度
• 本小节讨论最广泛应用的粉末法的衍射强度问题. • 在粉末法中影响衍射强度的因子有如下五项: • (1) 结构因子(上节已讨论)
• 本章我们将讨论X射线衍射强度
• 从一个电子、一个原子、一个晶胞、一 个晶体、粉末多晶循序渐进地介绍它们 对X射线的散射问题.
• 最后讨论粉末多晶体的衍射强度问题.
一、关于衍射强度
** 单位时间内通过与衍射方向相垂直的单位面积 上的X射线光量子数目。 **绝对强度的测量既困难又无实际意义。 **衍射强度常用同一衍射图中各衍射线强度 (积分 强度或峰高)的相对比值即相对强度表示.
度变为0)。
**对衍射强度作出系统而全面的研究 ,就要依靠结 构因子。当 X 射线照射到晶体中某个晶胞时,该晶 胞中各原子的散射波具有不同的位相和振幅,其合 成波的强度为:
2 FHKL
n n 2 = f k cos 2p ( mc H + PK K + q K L + f k sin 2p ( mk H + PK K + q k L k =1 k =1
• A(θ)-吸收因子
• r-试样直径
• 线吸收系数-μl
• 这样的吸收与θ有关。
• 平板试样的吸收因子,在入
射角与反射角相等时,吸收 与θ无关。
四、温度因子
**前面所讲的各节,均将晶体中的原子看作是 处于理想平衡位置的结点上。 **实际上,晶体中原子是处在连续不断的热振 动状态下,必然给衍射带来影响. 1.晶胞膨胀; 2.衍射线强度减小;

第三章 X射线衍射强度

第三章 X射线衍射强度

温度因子
e
2 M
IT I
式中:IT — 原子热振动影响时的强度 I — 理相状态的强度 热振动的方向无规则性,使得非衍射方 向散射强度↑,增加衍射花样背底。
5 吸收因子 A(θ )
试样对x-ray的吸收造成衍射强度的衰减。
无吸收A(θ
)=1,吸收越多,其值越小。 圆柱状试样的A(θ )是试样 l 和半径r的 函数,可通过查表求得。 1 板状试样的A(θ )与θ 无关, A( ) 2
角顶 Cs (0,0,0) FHKL = f Cs + f Cl e H + k + L = 偶数 F = f Cs+ f Cl 强度高 (110)(200)(211)… H + k + L= 奇数 F = f Cs – f Cl 强度低 (100)(111)(210)…
1 1 1 体心 Cl( 2 , 2 , 2 ) iπ(H+K+L)
2 多重性因子 P
表示多晶体中同族晶面{HKL}的等同晶面
数。
P值越大,晶面获得衍射的几率越大,对应
的衍射线越强。
d同
θ同 衍射线重叠在同一衍射线环上。
P数值随晶系及晶面指数而变化。
例:
立方晶系(a
= b = c α=β=γ=90°)
P100= 6 四方晶系(a = b≠c α=β=γ=90°) P100= 4 P001= 2
系统消光
衍射线I=0,衍射线消失,称为系统消光。
(原子在晶胞中的位置不同引起某些方向 衍射线的消失--点阵消光)。
尽管满足衍射条件,因F
= 0使衍射线消失
的现象。
对于体心点阵,可以产生衍射的晶面为

第3章 X射线的衍射强度

第3章 X射线的衍射强度
1 1 1 2 i h k l F f 1 e 4 4 4
2) 当hkl全为奇数时,Ff=Fa。h+k+l=2n+1,其中n为任 意整数,则有
1 e
i
2
h k l
1 cos

2
h k l i sin
I=A2
实际上,晶体要产生x射线衍射,x射线的波长应当 与晶体中原子间距在同一数量级。
与入射x射线平行的方向上(XX’): 相位差为0,所以Aa=ZAe 除了XX’方向:各电子的散射波之 间存在一定的相位差。 如在YY’方向上a、b两个电子产 生的散射波的波程差为CB-AD,
会产生干涉作用。 由于原子半径的尺度比x射线的波长的尺度要小,所以各电子的
四、一个晶胞对x射线的衍射
1、复杂点阵的衍射分析
简单点阵只由一种原子组成,每个晶胞只有一个原子,它 分布在晶胞的顶角上,单位晶胞的散射强度相当于一个原 子的散射强度。 复杂点阵晶胞中含有n个相同或不同种类的原子,它们除 占据单胞的顶角外,还可能出现在体心、面心或其他位置。 复杂点阵的衍射特点 (1)任何复杂点阵都是由完全相同且平行的几个简单点阵 镶嵌而成的; (2)整个复杂点阵的衍射可以看做是由各个简单点阵及基 点原子在相同方向的衍射合成结果; (3)复杂点阵的可能衍射方向不可能多余其中任何一个简 单点阵的衍射方向,只能减少或相等。
假定一个晶胞中有n个原子, 它们的坐标分别为u1v1w1、u2v2w2……unvnwn; 每个原子的原子散射因子分别为f1、f2、f3…… fn ;它们的散射波的振幅为 Aef1、Aef2、Aef3……Ae fn 各原子散射波与入射波的位相差分别为φ1、φ2、φ3、……φn。 那么,这n 个原子的散射波互相叠加合成的整个晶胞的散射波的振幅Ab为

第三章 X射线衍射强度

第三章 X射线衍射强度

由此可见,图3-2(a)中的(001) 晶面会参于衍射,而(b)中(001)面却 不产生衍射,也就是说原子位置改变,衍 射强度改变。
二 . 结构因素的概念
1. 系统消光——因原子在晶体中的位置不同或 原子种类不同,衍射线相互干涉,造成在某些 方向上衍射线强度减弱甚至消失的现象称之系 统消光。
2. 结构因数——定量地表征原子排布以及原子种 类对衍射强度影响规律的参数。即晶体结构对 衍射强度影响规律的参数。
晶体的衍射强度与参加衍射晶粒数目成正比.
∵ 参加衍射的晶粒分数=(cosθΔθ)/2 ∴ 这一数目与衍射角有关,即I ∝ cosθ。
也将这一项称为第二几何因子。
⑶单位弧长的衍射强度(第三几何因子,即 衍射线位置对强度测量的影响)
意义:描述了衍射线所处位置不同对衍射强度的影 响,即2θ↓衍射线圆弧半径↓,单位弧长上的强度↑。
2.三种衍射几何对衍射强度的影响规律
⑴.晶粒大小的影响(第一几何因子)
由于实际晶体的不完整性、入射线也不可能是绝对 单色的,且不会绝对平行而是具有一定的发散角。因此, 衍射线的强度尽管在满足布拉格方程的方向上最大,但 偏离一定的布拉格角时也不会为零,故衍射曲线呈山峰 状,具有一定的宽度,而不是严格的直线。
2
当2θ=90。时
1 cos2 2
2对x射线的散射
1. 原子核对X-ray的散射
由于散射波强度与引起散射的粒子 质量成反比,原子核质量是电子质量的1840 倍,因此原子核引起的散射强度极弱,可忽 略不计。
2 . 原子中Z个电子对X-ray的散射
⑴ . 首先假设原子中的电子集于一点,即所有 电子散射波之间无位相差,则原子序数为Z的原 子对X-ray散射波振幅Aa为电子散射波振幅Ae的 Z倍,即 :

X射线衍射强度

X射线衍射强度
那么散射振幅为:f1 Ae 、f2 Ae 、f3Ae ...fn Ae ; 各原子与O原子之间旳散射波光程差为:Φ1 、 Φ2 、Φ3 ... Φn ;
晶胞旳构造因子推导
则该晶胞旳散射振幅为这n种原子叠加:
n
Ab Ae
f j eij
j 1
引入构造参数 :
FHKL
Ab Ae
n j 1
f j eij
(100)晶面族旳P为6 (111)晶面族旳P为8 (110)晶面族旳P为12 考虑多重性因数旳影响,强度公式为
I
I0
32
R
可知晶胞中(H K L)晶面旳衍射强度:
Ib FHKL 2 I e
(四) 构造因子旳讨论
构造因子
构造因子计算式 构造因子计算例
产生衍射旳充分条件及系统消光
系统消光 消光规律
1. 构造因子:
因为: j 2 HX j KYj LZ j
其中:Xj、Yj、Zj是j原子旳阵点坐标; H K L是发生衍射旳晶面。
1. 散射X射线旳强度很弱。 假定R=1cm,2θ=0处 Ie/I0=7.94×10-23 2. 散射X射线旳强度与电子到观察点之间旳距 离旳平方成反比。这是时很轻易了解旳。 3.不同方向上,即2θ不同步,散射强度不同。 平行入射X射线方向(2θ=0 或180°)散射线强度最大。 垂直入射X射线方向(2θ=90或270°)时,散射旳强 度最弱。为平行方向旳1/2。其他方向则散射线旳强
(2) 体心立方晶胞旳构造因子
体心立方晶胞内有两个同种原子,即000和
1 2
1 2
1 2
F
2
f
cos 0
f
cos 2 ( H
2
K 2

X射线的衍射强度

X射线的衍射强度

有序固溶体分析
(1)完全无序 每个晶胞中含有四个平均原子(0.75 Cu+0.25Au)属面心立 方点阵。坐标000 1/2 1/2 0 1/2 0 1/2 0 1/2 1/2
FHKL=f平均[1+eπi(H+K)+eπi(H+L)+eπi(K+L)] 当H、K、L全为奇数或全为偶数时 FHKL=4 f平均=fAu+3fCu 当H、K、L为奇偶混杂时,FHKL=0消光
一个原子对X射线的散射
原子散射因子曲线 对于不同类型的原子,其原子散射因子 f 是可变的,它与sinθ和λ有关。随 sinθ/λ的值的增大而变小。 Sinθ=0时,f=Z. 原子序数越小,非相干散射越强。(核外电子所占比例增大)
一个晶胞对X射线的散射
预备知识: X射线的波前电场强度随时间的变化可以用周期函数表示:
实际上,原子中的电子是按照电子云状态分布在原子空 间的不同位置上,故各个电子散射波之间是存在位相差的, 这一位相差使得合成波的强度减弱。
一个原子对X射线的散射
X射线受到一个原子的散射
一个原子对X射线的散射
经过修正: 一个电子对X射线散射后空间某点强度可用Ie表示,那么一个 原子对X射线散射后该点的强度Ia:
fe 2 2 2
= f [1+ eπi(h+k+l) ]
F = 2 f (h+k+l)为偶数 F2 = 4f 2
F = 0 (h+k+l)为奇数
体心点阵中,只有当H+K + L为 偶数时才能产生衍射
体心立方
面心立方晶胞的结构因子
每个晶胞中有4个同类原子,分别位于000、1/2 1/2

哈工大材料成型加工方法第三章 x射线衍射强度

哈工大材料成型加工方法第三章  x射线衍射强度
• 出现超点阵。
晶胞中不是同种原子时--结构振幅的计算
• 代入 FHKL 2 公式,其结果是: • 1)当 H、K、L全奇或全偶时,
FHKL 2 ( f Au 3 fCu )2
• 2)当H、K、L奇偶混杂时,
FHKL 2 ( f Au fCu )2 0
• 有序化使无序固溶体因消光而失去的衍射 线复出现,这些被称为超点阵衍射线。根 据超点阵线条的出现及其强度可判断有序 化的出现与否并测定有序度。
• 由此可计算各种晶胞的结构振幅
结构振幅的计算
1、简单点阵
• 单胞中只有一个原子,基坐标为(0,0,0),原
子散射因数为f,根据式(2-20): FHKL 2 [ f cos2 (0)]2 [ f sin 2 (0)]2 f 2
• 该种点阵其结构因数与HKL无关,即HKL为任意整 数时均能产生衍射,例如(100)、(110)、 (111)、(200)、(210)…。能够出现的衍射
B为背射相, • 目前劳埃法用转晶法:(Rotation Method)
• 单色x-ray(K系)照射转动 的单晶体试样的衍射方法。 (θ变)
• 以样品转动轴为轴的圆环形 底片记录衍射花样。
• 此法用于测定试样的晶胞 常数,根据衍射花样能准 确测定晶体的衍射方向和 强度。
(1) 多重性因子
• 对多晶体试样,因同一{HKL}晶面族的各晶面组面 间距相同,由布拉格方程知它们具有相同的θ,其 衍射线构成同一衍射圆锥的母线。通常将同一晶 面族中等同晶面组数P称为衍射强度的多重性因数。 显然,在其它条件相间的情况下,多重性因数越 大,则参与衍射的晶粒数越多,或者说,每一晶 粒参与衍射的几率越多。
FHKL f j [cos 2 (Hx j Ky j Lz j ) i sin 2 (Hx j Ky j Lz j )] j 1

第三章 X射线衍射强度

第三章  X射线衍射强度
K L H K FHKL [ f1 cos 2 (0) f 2 cos 2 ( ) f 3 cos 2 ( ) f 4 cos 2 2 2 2 2 H L K L H K ( )]2 [ f 1 sin 2 (0) f 2 sin 2 ( ) f 3 sin 2 ( ) f 4 sin 2 2 2 2 2 2 2 H L 2 ( )] f 2 [1 cos ( K L) cos ( H K ) cos ( H L)]2 2 2
• 对于简单立方: N1:N2:N3:„Nn= 1:2:3:4:5:6:8:9:10…
•对于体心立方: N1:N2:N3:…Nn=
=2:4:6:8:10: 12 : 14: 16:18 …
•对于面心立方: N1:N2:N3:…Nn=
=3:4:8:11;12:16…
(N1:N2:N3:…Nn)/N1 =1:2:3:4:5:6:8:9:10 (N1:N2:N3:…Nn)/N1 =1:2:3:4:5:6:7:8:9
f与sin/λ 有关, sin/λ 减 小时, f增大;sin =0时,f=Z; 一般情况下f〈Z
•一个晶胞对X射线的散射
1. 简单点阵只有一种原子组成,每个单胞中只有一个原子, 其位于单胞的顶角上,所以简单点阵单胞的散射强度相当 于一个原子的散射强度 2. 复杂点阵单胞中含有n个相同或不同种类的原子,它们除 占据单胞的顶角外,还可能位于体心、面心或底心位置, 所以复杂点阵单胞的散射波振幅为单胞中所有原子散射波 的合成振幅
4.消光规律与晶体点阵
点阵 简单点阵
体心点阵 面心点阵
Fhkl
2
n f j cos 2 HX j KY j LZ j j 1

第三章 X射线衍射强度

第三章 X射线衍射强度

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原子中的电子在其周围形成 电子云,当散射角2θ=0时, 电子云,当散射角 时 各电子在这个方向的散射波 之间没有光程差, 之间没有光程差,它们的合 δ = Gn − Om = r ⋅ S − r ⋅ S = r (S − S ) 成振幅为Aa=ZAe; 成振幅为 ; 当散射角2θ≠0时,如图所 当散射角 时 观察原点O和空间一点 示,观察原点 和空间一点 G的电子,它们的相干散射 的电子, 的电子 波在2θ角方向上有光程差 角方向上有光程差。 波在 角方向上有光程差。 δ = Gn − Om = r ⋅ S − r ⋅ S 0 = r (S − S 0 ) 设入射和散射方向的单位矢 量分别是S 量分别是 0和S,位矢 , 则其相位差Φ为 则其相位差 为 : GO = r 2π 2π φ= (Gn − Om) = r (S − S 0 ) λ λ
2π 2π 2π
O与A原子散射波位相差为: 与 原子散射波位相差为 原子散射波位相差为:
= Hx j + Ky j + Lz j
原子的fj作振幅 以A原子的 作振幅,以与 原子的散射波的位相差 原子的 作振幅,以与O原子的散射波的位相差 为Φ位相, 位相, 位相 则晶胞内任意A原子沿 原子沿( 则晶胞内任意 原子沿(HKL)晶面反射方向的散 ) 射波表示为: 射波表示为: iφ 2π i ( Hx j + Ky j + Lz j )
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主要内容
1 2 3 4
一个电子对X射线的散射 一个电子对 射线的散射
一个原子对X射线的散射 一个原子对 射线的散射
单位晶胞对X射线的散射 单位晶胞对 射线的散射
晶体对X射线的散射与衍射积分强度 晶体对 射线的散射与衍射积分强度

第3章 X射线衍射强度

第3章 X射线衍射强度

15
一、一个电子对X射线的散射
16
一、一个电子对X射线的散射
• 晶体中的电子散射包括:相干散射与非相干散射。
1. 相干散射: • 指入射光子与原子内层电子发生弹性碰撞作用,仅使运动
方向改变而无能量损失。又称弹性散射或汤姆逊散射。
2. 非相干散射: • 指入射光子与原子外层电子或晶体中自由电子发生非弹性
25
原子散射强度(2)
• 原子对X射线的散射情况: • 入射X射线分别照射到原子中任意A和B两电子。
• 1、在XX′方向散射波:
• 因2差为 0 。
• 相当于Z个电子集中于一点 的“理想”情况,则
• 原子散射强度为:
Ia= Z2 Ie
X射线受一个原子的散射
相对衍射强度:用同一衍射图各衍射线强度(积分强度 或峰高)的相对比值。
4
X射线衍射的强度
I
背景 强度 2
5
衍射强度曲线
如:钢中马氏体(200)α和残奥(200)γ的局部衍射曲线。
图3-l衍射线强度曲线
• 各衍射峰曲线所包围面积即为其积分强度,这两积分强度大 小比较,可算出残奥γ的含量。
6
本章的目的
它考虑了原子中各电子散射波的位相差后,各散射波合成 的结果。则原子散射强度表达为:
Ia Z2Ie
Ia f 2Ie
显然: f ≤ Z 。
28
原子散射因子 f (2)
• 原子散射因数 f 定义为:在相同条件下,一个原子散射波 与一个电子散射波的波振幅或强度之比。
Ia f 2Ie
f
(Ia
1
)2
Aa
Ie
34
三、一个晶胞对X射线的散射(4)
2、晶胞内各原子相干散射波合成波振幅: 单胞对X射线的散射:晶胞内各原子散射波合成的结果。

第3章X射线衍射强度

第3章X射线衍射强度

结构因子只与原子的种类和原子在晶
胞中的位置有关,而不受晶胞的形状 和大小的影响。
结构消光
衍射强度: I Fhkl
2
满足布拉格方程条件2dsinθ=λ但结 构因子F=0导致衍射线强度I为零的 现象称之为结构消光。
小结
一个电子对X-ray的散射情况 偏振因子
一个原子对X-ray的散射情况 原子散射因子f 一个单胞对X-ray的散射情况 结构因子
e e
h l 2i ( ) 2 2
e
k l 2i ( ) 2 2
]
h k l 2i ( ) 2 2 2
e
k 2i ( ) 2
e
h 2i ( ) 2
]
讨论:
(1)h、k、l全为偶数时, F=4fNa+4fCl |F|2=(4fNa+4fCl)2

(2)h、k、l全为奇数时, F=4fNa-4fCl |F|2=(4fNa-4fCl)2 (3)h、k、l奇偶混杂时 F=0 NaCl属于面心布拉菲点阵,可衍射的 指数是111、200、220· · · · · · 、


当h, k, l为全奇或全偶,(h + k), (k+l) 和 (h+l) 必为偶数,故F = 4f, F 2 = 16f 2 当h, k, l中有两个奇数或两个偶数时,则在(h+k),(k+l) 和(h+l)中必有两项为奇数,一项为偶数,故F = 0, F2 = 0
所以(111),(200),(220),(311)时F≠0,这些 晶面衍射线存在,而(100),(110) ,(112),(221) 等F=0,出现消光,衍射线不存在
3.3 结构因子

【材料课件】03X射线衍射强度

【材料课件】03X射线衍射强度

其中:Xj、Yj、Zj是j原子的阵点坐标; H K L是发生衍射的晶面。
所以有:
2
2
n

FHKL f j cos2 HX j KYj LZ j
j1

2
n

f j sin 2 HX j KYj LX j
6/1/2019
j1
各晶面族的多重因子列表.
6/1/2019
HNU-ZLP
32
各晶面族的多重因子列表
指数
晶系
H00 0K0 00L HHH HH0 HK0 0KL H0L HHL HKL
立方
菱方、六方
正方 斜方 单斜 三斜
6/1/2019
P
6
8 12
24
24 48
62
6
12
24
42
48
8
16
2
4
8
2
42
4
2
2
2
HNU-ZLP
它分为:点阵消光 结构消光。
四种基本点阵的消光规律 (图表)
6/1/2019
HNU-ZLP
22
四种基本点阵的消光规律
布拉菲点 阵
出现的反射
消失的反射
简单点阵
全部

底心点阵 体心点阵
H、K全为奇数或全为偶数 H+K+L为偶数
H、K奇偶混 杂
H+K+L为奇 数
面心点阵 H、K、L全为奇数或全为偶数
H、K、L奇 偶混杂
因原子在晶体中位置不同或原子种类不同 而引起的某些方向上衍射线消失的现象, 称为系统消光。
根据系统消光结果以及通过测定X射线强 度的变化可以推断出原子在晶体中的位置。

X射线衍射强度

X射线衍射强度

6
衍射强度-原子种类,原子位置
电子
晶体
思路:
晶胞
原子
一个原子 核
In电子
I原子核
I原子
I晶胞
I晶体
I多晶
7
二、电子对X射线的衍射
晶体的X射线衍射作用是由电子的相干 散射引起的.
当一束X射线碰到一个电子时,该电子在X射 线电场的作用下产生强迫振动,向四周幅射振动频 率(波长)与原X射线频率相同的X射线。这就是相 干散射。电子就成为一个新的X射线源。
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四种基本点阵的消光规律
布拉菲点 阵
出现的反射 全部
消失的反射 无
简单点阵
H、K奇偶混 底心点阵 H、K全为奇数或全为偶数 杂 H+K+L为奇 体心点阵 H+K+L为偶数 数 H、K、L奇 面心点阵 H、K、L全为奇数或全为偶数 偶混杂
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结构消光
由两种以上等同点构成的点阵结构来说,一方面 要遵循点阵消光规律,另一方面,因为有附加原 子的存在,还有附加的消光,称为结构消光
(3)体心点阵
每个晶胞中有2个同类原子,其坐标为 000和1/2 1/2 1/2 ,其原子散射因子相同
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– 分析
• 当H+K+L为偶数时, • 当H+K+L为奇数时,
结论: 在体心点阵中,只有当H+K+L为偶数时 才能产生衍射
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(4)面心点阵
– 每个晶胞中有4个同类原子
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分析
• 当H、K、L全为奇数或偶数时,则(H+K)、 (H+K)、(K+L)均为偶数,这时:
这些消光规律,存在于金刚石结构、密堆六方等 结构中
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式中:Io—入射x-ray强度 m、e — 电子的质量与电荷 c— 光速 λ— 入射x-ray波长 R— 衍射仪半径 cm V— 试样被x-ray照射体积,cm3 Vo— 晶胞体积 cm3 F— 结构因子 P— 多重性因子 e-2M — 温度因子
( ) — 角因子 A(θ) — 吸收因子
同一衍射花样中,e、m、c为固定物理常数, Io、λ、R、V、Vo对同一物相的各衍射线均相 等,衍射线的相对积分强度可用 5个强度因子的乘积来表示:
而(100),(111),(210),(221)等均无散射
4. 面心晶胞:四种位置的原子坐标分别是(0 0 0)和 (½ ½ 0),( ½ 0 ½ ),(0 ½ ½)。
F fe2 i0 fe2 ih/ 2k / 2 fe fe 2 ik / 2l / 2 2 il / 2h/ 2 f 1 eihk eikl eilh
当h, k, l为全奇或全偶,(h + k),(k+l) 和
(h+l) 必为偶数,故F = 4f,F 2 = 16f 2
当h, k, l中有两个奇数或两个偶数时,则在(h+k),(k+l) 和 (h+l)中必有两项为奇数,一项为偶数,故F = 0, F2 = 0 所以(111),(200),(220),(311)有反射,而 (100),(110) ,(112),(221)等无反射。
衍射线强度的测量采用衍 射仪法,得到I~θ曲线。
每个衍射峰下面的 面积(积分面积)称 为积分强度或累积强度。
x射线衍射线束的强度
波长λ强度Io的x-ray,照射到 晶胞体积Vo的多晶试样上,被 照射晶体的体积V,与入射线 夹角为2θ方向上产生(HKL) 晶面的衍射,距试样R处记录 到的衍射线其单位长度上积分 强度为:
第三章 X射线衍射强度
X射线衍射线束的方向(第二章)
布拉格公式 2d sin k k 1,2,3,4
应用:
布拉格方程反映了晶体结构中晶胞大小及形状的变 化。从而可以测定试样的晶体类型和晶格常数。 X射线衍射线束的强度(本章) 应用: 物相定量分析、内应力及织构测定、 固溶体有序度测定
x射线衍射线束的强度测量
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FHKL = f Cs + f Cl e iπ(H+K+L) H + k + L = 偶数 F = f Cs+ f Cl 强度高
(110)(200)(211)… H + k + L= 奇数 F = f Cs – f Cl 强度低 (100)(111)(210)…
2 多重性因子 P
表示多晶体中同族晶面{HKL}的等同晶面 数。
P值越大,晶面获得衍射的几率越大,对应 的衍射线越强。
d同 θ同 衍射线重叠在同一衍射线环上。
P数值随晶系及晶面指数而变化。
例:
立方晶系(a = b = c α=β=γ=90°) P100= 6
系统消光
衍射线I=0,衍射线消失,称为系统消光。 (原子在晶胞中的位置不同而引起的某些 方向衍射线的消失,又称为点阵消光)。
尽管满足衍射条件,因F = 0使衍射线消 失的现象。
例如:对于体心点阵,可以产生衍射的晶面 为110、200、211、220、221、310 …
衍射产生的充分必要条件是:
F = 2f F2 = 4f2
(2)如果h和k一奇一偶,则和为奇数, F = 0 F2 = 0
不论哪种情况,l值对F均无影响。111,112,113或021,022,023的F 值均为2f。011,012,013或101,102,103的F值均为0。
3. 体心晶胞,两种位置原子坐标分别是(0,0,0)和 (1/2,1/2,1/2)
I相 F 2 P ( ) e2M A( )
影响衍射强度的因素很多,讨论这一问题必须一 步步进行:
பைடு நூலகம்
一个电子对x-ray的散射强度 原子内各电子散射波合成 晶胞内各原子叠加 多晶体积分强度
二、结构因子 FHKL
FHKL
一个晶胞的相干散射(原子全部)振幅 一个电子的相干散射振幅
Ab Ae
FHKL表征单胞的相干散射与单电子散射之间的对应关 系。
①满足布拉格方程 2d sin
②结构因子不为0 FHKL 2 0
三种 点阵 衍射 线的 分布
说明:
点阵常数没有参与结构因子的计算。FHKL 只与原子种类和原子在晶胞中的位置有关, 不受晶胞形状和大小影响。
点阵类型确定,任何晶系其晶胞的系统消 光规律都是相同的。
结构中的原子为不同种类,则原子散射因 子分别代入。
数学表达式(计算公式)
n
FHKL
f ei2 (Hxj Ky j Lz j ) j
j 1
式中:FHKL— (HKL) 晶面的结构因子。 表示沿(HKL)晶面族反射方向的散射能力。
n— 晶胞中的原子数
fj— 原子的散射因子(直接查表,附录C) HKL— 晶面指数
xj yj zj— 原子坐标
1. 最简单情况,简单晶胞,仅在坐标原点 (0,0,0)处含有一个原子的晶胞
F fe2 i0 fe2 ih/ 2k / 2l / 2 f 1 eihkl
eni 1n
∴当(h+k+l)为偶数,F = 2f ,F2 = 4f 2 当(h+k+l)为奇数,F = 0,F 2 = 0
即对体心晶胞,(h+k+l)等于奇数时的衍射强度为0。
例如(110),(200),(211),(310)等均有散射;
结构消光
系统消光规则主要与晶体的对称性有关,根 据测得的系统消光条件,可决定晶体的空间 点阵及各对称要素。
两类以上等同点构成的复杂晶体结构,除遵 循所属的点阵消光外,还有附加的消光条件, 称为结构消光。(结构基元内原子位置不同 而进一步产生的附加消光)
例:氯化铯晶体的消光规律
CsCl属立方晶系,简单立方点阵。 角顶 Cs (0,0,0) 体心 Cl( 1 , 1 , 1 )
F fe2i(0) f F2 f2
即F与hkl无关,所有晶面均有反射。
2. 底心晶胞:两种位置原子,(0,0,0)(½,½,0)
F fe2i(0) fe2i(h/ 2k / 2) f [1 ei(hk ) ]
(h+k)一定是整数,分两种情况: (1)如果h和k均为偶数或均为奇数,则和为偶数
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