电子仪器仪表工中级题

1将十六进制数F转成十进制等于16。（×）2二进制数1110加上101等于101011。 （×）3二进制数1110减去101等于101。（×）4当决定一件事件发生的所有条件均成立时，事件才发生，这被定义为“与”逻辑。（√）5当决定一件事件发生的所有条件均成立时，事件才发生，这被定义为“或”逻辑。（×）6条件成立时，事件发生；条件不成立时，事件不发生，这被定义为“非”逻辑。 （×）

（√）7在“或”逻辑电路及“与”逻辑电路中，所有输入变量都可互换，而不影响逻辑电路的结果，这被称为交换率。

8逻辑运算A·（B+C）=AB+AC是成立的。 （√）

（×）9与非门取反即等于或门。

10或非门的逻辑口诀是有1出1，全0出0。 （×）11同或门的逻辑口诀是有1出0，全0出1。 （×）12异或门取反即等于同或门。（√）13组合逻辑是由与、或、非三种基本逻辑组合而成的逻辑关系。 （√）14如果要实现F=（A+C）B这一逻辑关系，则需要用到1扇与门、1扇或门。 （√）15逻辑简化通常用到的方法是公式法化简和卡诺图化简。 （√）16用与非门实现逻辑电路时，通常要通过反演律将逻辑式写成与非逻辑式。 （√）17用或非门实现逻辑电路时，必须先把逻辑表达式写成与-或表达式。 （×）18TTL门电路的输入端和输出端都是由可控硅构成的。 （×）

（×）19TTL电路的基本逻辑单元是与门。

20通常TTL门电路输入为逻辑1的电平不宜超过2V。 （×）21三态门能输出高阻状态，是由于电源端的作用。 （×）2274LS系列属于TTL集成逻辑电路系列。（√）23CMOS门电路是由晶体管构成的。（×）24CMOS门电路的基本逻辑单元是与非门。（×）25CMOS或非门和CMOS三态门一样，都只要2个MOS管即能实现。（×）26同一芯片上的CMOS门可以并联增加驱动能力。（√）2774HC系列是高速CMOS标准逻辑电路系列。（√）

28CMOS门电路具有静态功耗低、抗干扰强、稳定性好等优点。（√）29基本RS触发器的输出状态转换受脉冲边沿控制。（×）30基本RS触发器的Q与输出端<imgsrc="11162.jpg">只能是互补的。（√）31同步RS触发器由2个与非门构成。（×）32主从RS触发器的输出状态受到脉冲电平控制。（×）33主从型CMOS边沿D触发器有主触发器和从触发器两个，它们均由CMOS传输门和非门构成。（√）34边沿控制D触发器的输出端Q发生状态转换时，也一定在CP脉冲到来前。（×）35在主从型CMOS边沿D触发器的基础上，再加一个组合电路就可以实现边沿JK触发器。（√）36当边沿JK触发器的输入端都为1时，输出端Q的状态翻转。（√）37单稳态触发器只有“稳态”一个工作状态。（×）38双稳态触发器有两个保持的稳定状态：“0”和“1”态。（√）39A/D转换是指将输入的模拟信号转换成数字信号。（√）40D/A转换是将输入的二进制信号转换成模拟量。（√）41N型半导体的多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。（×）42点接触型晶体二极管因其结电容很小，因此工作频率也很小，比较适用于做小信号检波。（×）43室温下，当锗晶体二极管导通后，在正常使用的电流范围内，管压降一般取0.7V。（×）44最大整流电流是指二极管运行时允许承受的最大正向平均电流。（√）45正常情况下，二极管的正向电阻阻值小于反向电阻阻值。（√）46晶体二极管的阳极电位是10V，阴极电位是20V，则该晶体二极管处于导通状态。（×）47稳压二极管的稳压作用是利用其内部PN结的正向导通来实现的。（×）48若把二个稳压值相同的稳压二极管正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值为二个稳压值相加。

（×）49变容二极管是一只工作在正向偏压下的二极管，只是在制造工艺上采取了某些措施，以保证它的结电容能随外加电压显著地改变。

（×）50发光二极管是利用PN结内电光效应发光的，当有电流流过时，就能发出光来。（√）

51光电二极管PN结工作在反向偏置状态，在光的照射下，反向电流随光照强度的增加而上升。（√）

52三极管工作于饱和状态时，其外加偏置电压为发射结正偏，集电结正偏。（√）53在三极管放大电路放大区，基极电流与集电极电流的比值保持不变，为一常数。（√）54根据输出特性曲线，三极管的工作区域可以分为截止区和饱和区，相当于一个开关。（×）55晶体三极管的集电极—发射极击穿电压BV_ceo的值是指基极开路时的集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压。

（√）

56用直流电压表测量某放大电路中的一只PNP型晶体三极管，各电极对地的电位是：

（×）U₁=-2.7V，U₂=-6V，U₃=-2V，则该晶体三极管各管脚

分别为1脚为b、2脚为c、3脚为e。

57某晶体三极管接在放大电路中,今测得它的三个管脚电位分别为-9V,-6V和-6.2V,说明这个

（√）晶体三极管是锗材料的PNP管。

58常温下,硅晶体三极管的U_BE=0.7V,且随温度升高U_BE也增加。（×）59场效应管是电流控制器件，有一种载流子参与导电，属单极型器件。（×）60场效应晶体管根据它的导电沟道可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管二种。（×）61在低压小电流工作中，场效应管可作为电压控制的可变线性电阻和导通电阻很小的无触点

（√）开关。

62基本放大电路中的耦合电容具有隔直通交作用。（√）63画放大器直流通路时，耦合电容和旁路电容应视为短路。（×）64为了稳定静态工作点，一般采用电流负反馈偏置电路。（√）65反映放大电路带负载能力的等效电阻是输入电阻。（×）66放大电路的静态工作点会随工作温度的变化而漂移，这不但会影响放大倍数的性能，还会

（√）造成输出波形的失真，使放大电路无法正常工作。

67在晶体三极管放大电路中，当电路出现截止失真时,是因为静态工作点设置得太高了。（×）68共发射极放大器的输出电压与输入电压在相位上是同相位。（×）69用PNP管组成的共发射极放大电路，具有放大作用是由于基极电流的变化量控制集电极电流

（√）的变化量的结果。

70 某个处于放大状态的直接耦合共发射极电路，用直流电压表测得输入电压为10mV时，输

（×）出电压为7V；输入电压为15mV时，输出电压为6.5V，电路的电压放大倍数为100。

71共集电极电路具有三大特点，它们是输入电阻高，输出电阻低，电压放大倍数≥1。（×）72共集放大电路本身没有电压放大作用，但由于其输出电阻很小，当负载改变时，输出电压

（√）变动很小，所以具有较好的带负载能力，可作为恒压源输出。

73由于射极输出器具有输入电阻高，对信号源影响小的特点，一般在放大电路中多用它做输

（√）入级。

74共基放大电路的电压增益比较高，它的电流增益也比较大。（×）75共基放大电路与共射放大电路的电压放大倍数在数值上大小相同，所以共基放大电路是反

（×）相放大器。

76共基放大电路输入电阻小，输出电阻大，高频振荡电路常用这种组态。（√）77场效应管放大电路用自生偏置电路时，过负的偏置电压，会使管子进入夹断而不能正常工

（√）作。