减轻镀锡表面的锡须生长

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锡须生长影响因素及预防措施方案

锡须生长影响因素及预防措施方案

温度对锡须生长的影响
影响程度
温度是影响锡须生长的主要因素之一。适宜的温度范围可 以促进锡须的正常生长,而过高或过低的温度则可能导致 锡须生长的异常。
生长机制
在适宜的温度下,锡原子能够获得足够的能量进行表面扩 散,从而形成锡须。而在高温条件下,锡原子表面扩散速 度加快,可能导致锡须生长速度加快。
预防策略
预防策略
减少或避免锡产品受到机械应力的作用。在生产和加工过程中,采取 适当的操作和控制措施,确保锡产品不受到过大的机械应力。
03
锡须生长的预防措施
合理控制温度和湿度
温度控制
保持适宜的温度范围,避免过高或过 低的温度对锡须生长的影响。在高温 环境下,锡须生长速度会加快,因此 需要控制温度以减缓锡须的生长。
振动和冲击控制
减少产品或组件在运输、使用过程中受到的振动和冲击,可 以降低机械应力对锡须生长的影响。合理设计和选择包装材 料,提供良好的缓冲和保护,能够减少振动和冲击引起的锡 须生长问题。
选择抗锡须生长的材料和工艺
抗锡须材料选择
采用抗锡须性能良好的材料,如添加特定的合金元素或采用特殊的表面处理工 艺,能够提高材料的抗锡须生长能力,减少锡须的生长倾向。
效果评估
对采取湿度控制措施后的 锡须生长情况进行观察, 评估湿度控制策略的效果 。
案例三:采用抗锡须生长材料的应用实践
材料选用原则
阐述选用抗锡须生长材料的原则,如耐腐蚀性、 抗氧化性等。
材料应用实践
方法、效果等。
长期性能评估
对抗锡须生长材料在长期使用过程中的性能进行 评估,验证其稳定性和可靠性。
清洗与存储
在PCB板的生产过程中,应定期清洗板面,去除可能导致锡须生长的污 染物。同时,存储时应保持干燥通风,避免潮湿环境加速锡须生长。

锡须生长影响因素及预防措施方案

锡须生长影响因素及预防措施方案

外界因素之影響(劃傷)
避免鍍層表面劃傷將 使錫須生長機率降低
200X
外界因素之影響(折彎)
錫鍍層厚度之影響(底材為黃銅) 黃銅鍍錫當錫膜厚>2um 時,生長錫須的機會很小
鎳鍍層厚度之影響(底材為黃銅)
當鎳層厚度達2um時, 發現錫須的機會很小
樣品制作完成後,於室溫下存放12個月
錫鍍浴之影響
料間形成IMC
IMC
(Intermetallic) 量與速率不同,
此時錫鍍層錫須 Substrate
生長機會則不同
Sn Sn-X
X
底層材料之影響(底鍍層為Cu材)
Cu6Sn5
Compressive Stress
Tin Whisker is forced out
Sn Deposit
Cu Substrate
1.Sn 離子濃度之影響 2.酸濃度之影響 3.添加劑之影響 4.铜离子浓度影响
錫鍍浴之影響----Sn離子濃度
200


30g/l
面 150 積


40g/l
生 100


量 (
50
55g/l

0
55g/l 40g/l

2.5ASD
5ASD
7.5ASD
30g/l
1電0AS流D密1度5A(SDASD)
呈條紋狀生長
錫晶粒垂直方向生 長,逐漸積累
交錯方式生長
錫晶粒兩種生長方 式並存
錫須(生長形態)
繩狀
枝狀
從小丘狀開始生長
錫須生長過程中,客觀因素的影響或是錫晶粒排列取向改變使 錫須生長方向發生改變,形成不同生長形態的錫須。

镀锡铜箔表面小丘和晶须的生长行为

镀锡铜箔表面小丘和晶须的生长行为

基 金 项 目 :国 家 自 然 科 学 基 金 项 目 (10831165504);河 南 省 教 育 厅 自 然 科 学 基 金 研 究 计 划 项 目 (2010A430006) 作 者 简 介 :徐 春 花 (1955- ),女 ,河 南 许 昌 人 ,教 授 ,博 士 ,主 要 研 究 方 向 为 金 属 腐 蚀 与 防 护 . 收 稿 日 期 :2010-06-13
·2·
河 南 科 技 大 学 学 报 :自 然 科 学 版 2010年
100 ℃和200 ℃空气中时效。时效在恒温箱中进行,恒温箱的温度范围是20~300 ℃,时效时间为 1~8 d。另一组镀锡铜箔样品在室温时 效 30d。 最 后,用 扫 描 电 子 显 微 镜 (JSM-5610LV 型)观 察 晶 须 形 貌。 用 X 射线衍射仪(D8型)对时效后试样的晶体结构进行分析。
面只有小丘形成。图2a为200 ℃时
效8d 后,试 样 SEM 形 貌。 图 中 尺
寸大小 不 一 的 白 色 颗 粒 为 小 丘,小
丘有不 同 程 度 的 突 起,白 色 颗 粒 位
置与样品的其他位置都是由细小的
图2 试样 SEM 表面形貌
晶粒组成。200 ℃时效8d后的颗粒状小 丘 形 貌 (见 图 2a)与 100 ℃ 时 效 6d 的 团 絮 状 小 丘 形 貌 (见 图
锡。将镀锡铜箔样品在100 ℃和200 ℃空气中时效8d,为了便于分析实验结果,将另一组镀锡铜箔样品在室
温时效30d。用扫描电子显微镜观察样品表面形貌,用 X 射线衍射仪对试 样 进 行 晶 体 结 构 分 析 。 结 果 表 明:
样 品在100 ℃时效有小丘和晶须形成,而在200 ℃时效8d和在室温时效30d没有晶须形成。晶须生长是由

关于锡须生长的资料

关于锡须生长的资料

一、什么是锡须生长锡须生长是在锡的表面按照锡的结晶形式生长的锡的可以导电的须状物,这种锡须的生长尤其是电镀锡比较明显。

锡须一般可以长到几个毫米,但是个别的可以长到10毫米,直径可以是几个微米,10个微米的比较少见。

美国宇航局太空飞行中心的一个电磁继电器发生的一次短路现象二、产生的机理有各种说法,但是比较主要的是应力产生机制。

对影响锡须生长的因素主要有:温度、湿度、热循环、应力、电场等温度循环对锡须的生长有很大的促进作用。

生长的温度在50℃最快,在20~25℃也可以生长,但一般认为在150℃就会结束生长。

三、可能产生的影响可能引起稳定的短路、瞬态短路(锡须熔断)、电弧、产生多于物(主要发生在密闭的腔体内,例如继电器、混合集成电路等)、使元件脱落,使电子元件的电性能和机械性能下降。

四、降低锡须生长引起的风险的方法:1、浸焊这种方式是在纯锡的表层浸一层锡铅的焊料,可以减缓纯锡的锡须生长。

2、给镀层覆盖一层物质锡须还可能生长。

3、剥掉原来的纯锡层后重新电镀一层锡铅对我公司生产的产品如果一定要进行端头的锡铅化我想到的有如下的方法:1、采购端头只有银钯的产品后自己进行镍和锡铅的电镀困难是采购的周期要长,现在有厂家可以生产,但是产品的容量范围没有现在的宽。

2、将现有的产品进行浸焊,这种方法的风险比较大,而且很容易引进缺陷。

3、直接对现有产品进行电镀,这种方法的缺点是容易引起损耗、绝缘电阻的降低。

其中2、3这两种方法生产的产品尺寸不容易控制,容易做大。

说明:锡须的生长和纯锡的东西在低温下的粉碎是两个概念,纯锡在低温下的粉碎是因为其发生相变而引起的,是整块金属的变化;锡须的生长是单个晶粒由于条件的允许而引起的生长,是部分金属的变化。

以下是美国军用的失效案例1. Military Airplane:G. Davy,, Northrop Grumman Electronic Systems Technical Article, October2002军用飞机2. Patriot Missile:Suspected tin whisker related problems (Fall 2000)爱国者导弹3. Phoenix Air to Air Missile:L. Corbid, "Constraints on the Use of Tin Plate in Miniature ElectronicCircuits", Proceedings 3rd International SAMPE Electronics Conference, pp. 773-779, June 20-22, 1989.Phoenix 空空导弹4. F-15 Radar: B. Nordwall, "Air Force Links Radar Problems to Growth of Tin Whiskers", AviationWeek and Space Technology, June, 20, 1986, pp. 65-70F-15 雷达5. U.S. Missile Program:J. Richardson, and B. Lasley, "Tin Whisker Initiated Vacuum Metal Arcingin Spacecraft Electronics," Proceedings 1992 Government Microcircuit Applications Conference, Vol.XVIII, pp. 119 - 122, November 10 - 12, 1992.导弹的一个部位(不会翻译)因为锡须产生了电弧(发生在电路中)6. U.S. Missile Program:K Heutel and R. Vetter, "Problem Notification: Tin Whisker growth inelectronic assemblies", Feb. 19, 1988, memorandum锡铅合金端头的产品主要应用在MIL-PRF-55681和高可靠领域。

宇航用元器件锡晶须生长研究

宇航用元器件锡晶须生长研究

须 生长机理 的研 究和减缓锡 晶须 生长 方法 的研 究。比较 了锡 晶须长度及 密度 的测量方法 。总结 了 目前抑 制锡
晶须生长的方 法 : 不 同基底 材料 上 采用不 同厚度镀 锡 层 ; 用 N 、n等 阻挡层 ; 在 使 iI 对镀 层表 面进 行 热 处理 和 回
流 处理 ; 免使 用纯锡镀层 , 层合 金化 ; 避 镀 在镀 层表面覆 盖保形 涂层
i g,c v rn t o fr a o to h u fc ns s n o e i gwi c n om lc a n t e s ra ef ihe . h i K e r s Ae o pa e c mp n n s, n wh s e , F iu e y wo d r s c o o e t Ti ik r al r mo e d s, Gr wt c a im , M iiain, M e s rn o h me h ns t t g o a u ig ts tO e tmeh d
0 i ik r rwt c a im f t wh s e n h tg to ft go h ft ikes T meh d o ftn whs e ,g o h me h n s o i n ik r a d t e mi ai n o he rwt o i wh s r . he i n t o s fr me s rn e gh a d d n iy o i ik ra e C mp r d a u i g ln t n e st ft wh s e r o a e .Th t o so t a igg o h o i ike r u n emeh d fmi g t r wt ftn wh s ra es mma i n — rz d,i c u ig c oc fdfe e tt c n s ftn ly rwih dfe e ts b ta ̄ maeil usn a re a e u h a ie n l dn h ie o i r n hik e so a e t i r n u sri i e- tras i g b rirly rs c s n c e n n um,s ra e r fo te t n n e tte t n ft e s ra efn s e ,a o d n o a u e tn p a— ik la d idi u c e w r ame ta d h a r ame to h u c ih s v i i g a lc lp r i lt f l f i

【CN110004434A】用于抑制印制电路板锡须生长的化学浸锡镀液及施镀方法【专利】

【CN110004434A】用于抑制印制电路板锡须生长的化学浸锡镀液及施镀方法【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910260892.1(22)申请日 2019.04.02(71)申请人 电子科技大学地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号(72)发明人 王翀 罗佳玉 张东明 何为 王守绪 徐佳莹 何伍洪 陈苑明 周国云 洪延 (74)专利代理机构 电子科技大学专利中心51203代理人 甘茂(51)Int.Cl.C23C 18/31(2006.01)C23C 18/48(2006.01)C23C 18/18(2006.01)(54)发明名称用于抑制印制电路板锡须生长的化学浸锡镀液及施镀方法(57)摘要本发明属于印制电路板制备领域,提供一种用于抑制印制电路板锡须生长的化学浸锡镀液及施镀方法,通过化学浸锡过程中共沉积起到阻挡作用的金属,抑制铜锡合金的生成,达到消除锡须的目的。

本发明中化学浸锡镀液包括:浓度为20-30g/L的锡盐、浓度为10~40g/L的镍盐、钴盐中的至少一种、浓度为20~50g/L的还原剂、浓度为0.1~50g/L的络合剂、浓度为1~10g/L的稳定剂及pH调节剂。

与传统印制电路板表面终饰技术相比,使用本发明能够大大降低了锡须的生长速率,达到抑制锡须生长的目的,极大程度上减少了器件表面锡须的生长,有较好的应用前景。

权利要求书1页 说明书6页 附图2页CN 110004434 A 2019.07.12C N 110004434A权 利 要 求 书1/1页CN 110004434 A1.用于抑制印制电路板锡须生长的化学共沉积镀液,其特征在于,包括:锡盐:所述锡盐为硫酸亚锡,浓度为20-30g/L;镍盐、钴盐中的至少一种:所述镍盐为硫酸镍、乙酸镍、硝酸镍中的一种或以上,所述钴盐为硫酸钴、乙酸钴、硝酸钴中的一种或以上,浓度为10~40g/L;还原剂:所述还原剂为次亚磷酸钠,浓度为20~50g/L;络合剂:所述络合剂为柠檬酸、乳酸、苹果酸、酒石酸钾钠、硫脲、三乙醇胺、甘氨酸、乙二胺四乙酸二钠、乙二胺的一种或以上,浓度为0.1~50g/L;稳定剂:所述稳定剂为对苯二酚,浓度为1~10g/L;pH调节剂:所述pH调节剂为氨水、氢氧化钠、硫酸的一种或以上;所述化学浸锡镀液的pH值为0.5~2.0。

无铅纯锡电镀晶须产生的原因和控制对策概要

无铅纯锡电镀晶须产生的原因和控制对策概要

经验交流收稿日期:2004-10-14 修回日期:2005-01-14作者简介:贺岩峰(1957-,男,辽宁人,博士,教授,研究方向为电子化学品。

作者联系方式:(Emailhheyf @,(Tel021-********-302。

无铅纯锡电镀晶须产生的原因和控制对策贺岩峰, 孙江燕, 赵会然, 张丹(上海新阳电子化学有限公司,上海 201803摘要: 开发无铅化纯锡电镀技术必须首先解决锡须问题。

讨论了锡须形成的影响因素及机理。

开发出一种能有效防止锡须生成的无铅纯锡电镀添加剂,该添加剂具有结晶细致、可焊性好、消耗量低、使用维护容易等优点,从而建立了一种抑制锡须的有效方法,同时解决了纯锡电镀中的其它难题。

介绍了控制锡须的其它一些有效措施及锡须生长加速试验。

关键词: 无铅纯锡电镀; 锡须; 添加剂中图分类号: TQ153.13 文献标识码: B 文章编号: 1004-227X(200503-0044-03Reasons for whisker forming and solutions for controlling whisker oflead free pure tin electroplatingHE Yan feng,SUN Jiang yan,ZHAO Hui ran,Z HANG Dan(Shanghai Xinyang Elec tronics Chemicals Co.,Ltd.,Shanghai 201803,C hinaAbstract:Whisker problem must be firstly solved in developing a lead free pure tin elec troplating process.The af fecting factors and mechanism of whisker forming were discussed.An additive for lead free pure tin elec troplating that can effectively pre ventwhisker for ming was developed,which has advantages of fine c rystal,good solderability,lo w con sumption,easy ope ration,etc.And thereby an effective method for controlling whisker for ming as well as the solutions for other difficult proble ms in pure tin electroplating was presented.Some other effective measures for controlling whisker forming and the accele ra ted test of whisker formation were also introduced. Keywords:lead free pure tin elec troplating; tin whisker; additive1 前言目前,电子封装业可焊性镀层广泛采用锡铅合金电镀层。

电迁移诱发镀层锡须生长行为分析

电迁移诱发镀层锡须生长行为分析
第3 8 卷 第4 期
2 0 1 7年 4 月
焊 接 学 报
T R ANS AC T I ONS OF T HE C HI N A WEL DI NG I N S IT T U T I ON
V o 1 . 3 8 N o . 4
A p r i l 2ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ 0 1 7
收 稿 日期 : 2 0 1 4—1 2—1 0
线 性稳 压 电源 , 电 流密 度 为 0 . 3×1 0 A / m , 加 载 时 间( 电迁移 时 间 ) 分别 为 0 , 4 8 , 1 4 4和 2 4 0 h .经历 电 流加 载后 的试 样 分 别 在 室 温 环 境 下 放 置 ( 时效) 2 0
锡层表面锡须生长行为 的影响 , 以及不 同电流密度对 阴极 裂纹宽度的影响.结果表 明, 电迁移加速 了镀层表面锡须
的形成与生长 , 随着电迁移时间的延长 , 锡须 长度不 断增 加.此外 , 电迁移 导致 在阴极首先 出现 了圆形空洞 , 随后在 两极均形成 了圆形空洞 , 并且 在阴极处还发现有微裂 纹存在 , 随着 电流密度 增加 , 阴极裂 纹宽度也 随之增加 , 电流
就是 电迁移 导 致原子 扩散 而产 生 的压应 力 . 电迁移 ( e l e c t r o mi g r a t i o m, E M) 是 伴 随 电 子微 互 试 验 采用 的无氧 纯铜 片 的尺寸 为 4 0 m m ×1 mi l l × 0 . 2 m m, 为 使 镀 层 有 较 好 的 附着 性 和 均 匀 性 , 首
1 试 验 方 法
4 0 0 0号 ) 打磨 , 再用 A 1 0 粉 进 连 日益 极小 化 以及 电子元 器件 不 断趋 向微 型 化 和精 先将 铜片用 细 砂 纸 ( 抛光 好 的铜片先 后 置 于酒精 、 丙 酮 中进 密 化 而 出现 的一 个 问题 , 它是指 在 电流应 力作 用 下 , 行 抛光 处理 ; 清洗时间为 1 0 m i n左 右 ; 清 洗 完 毕 原 子或 离子 随 电子迁 移 而导致 的成 分偏 析 以致 出现 行 超 声 波 清 洗 , 用 电吹风机 将其 吹 干.然 后 , 利 用酸 性 电镀 液 丘 凸 和空洞 等材 料结 构缺 陷的现 象 J .尽 管对 电迁 之 后 ,

锡须危害及其预防评估措施

锡须危害及其预防评估措施

锡须危害及其预防评估措施摘要:随着无铅工艺的推广,锡镀层的锡须生长已成为一个值得重视的问题。

锡须引起的短路失效在电子领域的危害重大,但现阶段人们还无法从根源上阻止锡须生长。

针对锡须生长机理,我们推出常温常湿、高温高湿和温度循环三个环境应力激发试验,用于提前评估产品的锡须生长情况,减少后续使用过程中锡须过度生长引起产品功能失效的情况。

关键词:无铅工艺锡须环境应力激发试验1、引言随着绿色环保意识的日益加深,欧盟在2003年颁布了《关于在电子电气设备中限制使用某些有害物质指令》【1】,全球范围开始走向了无铅化的工艺流程。

电子行业中的锡铅焊料逐渐被无铅焊料代替,但随之而来的是许多新的可靠性问题,其中最典型的为锡须生长问题。

晶须是指金属表面生长出的细丝状金属,最常见的为焊锡镀层或锡焊点表面生长的锡晶须。

锡须产生的危害大致分为以下四种情况【2】:低压条件下,较小的电流可以在相邻两个不同电势区域产生持久稳定的短路;在高压条件下,可以瞬间熔断锡须造成瞬间短路;在航天器的真空环境中,锡须短路会导致金属蒸发放电,形成一个稳定的等离子电弧,使电子设备失效;在振动环境中,锡须易脱落从而引发电路短路。

1951年,Compton、Mendizza和Arnold【3】发现了锡须导致电路短路引发电容器失效的问题,将锡须正式引入人们的视场。

1986年,F15战斗机雷达因锡须产生的短路引发失效。

2000年,爱国者Ⅱ导弹由于镀锡引脚长出引发短路的锡须而出现事故【4】。

种种迹象表明锡须问题的预防将成为无铅化进程中的重要环节。

锡须生长是一个受内部应力影响的自发过程,且和外部环境条件密切相关。

本文通过三个环境试验来施加三种不同的应力,用于评估产品的抗锡须生长能力。

最大限度排除产品后续使用过程中生长锡须引发短路失效的可能。

2、试验验证2.1 常温常湿条件以Cu基底焊Sn为例,焊接完成后存放于常温常湿条件下,Cu会向Sn晶界扩散并形成金属间化合物Cu6Sn5,并相应产生压缩应力,促使锡须的形成。

无铅纯锡电镀晶须产生的原因和控制对策

无铅纯锡电镀晶须产生的原因和控制对策

能有效防止锡须生成的无铅纯锡电镀添加剂, 该添加剂具有结晶 细致、可焊性 好、消 耗量低、使 用维护容 易等优 点, 从
而建立了一种抑制锡须的有效方法, 同时解决了纯锡电 镀中的其它难题。介绍了控 制锡须的 其它一些有 效措施及 锡
须生长加速试验。
关键词: 无铅纯锡电镀; 锡须; 添加剂
中图分类号: TQ153. 13
近 年来, 人 们提出 了 Sn Bi、Sn Cu、Sn Ag、Sn Zn 等 或 者三元合金作 为代 替 Sn Pb 的可焊 性镀层, 但是 由于 材 料的相容性、毒性、高成 本、机械性 能、润湿性 能、老化 性 能等原因, 目前尚没有一种公 认的二 元或三元 合金可 以
2005 年 3 月
无铅纯锡电镀晶须产生的原因和控制对策
Abstract: Whisker problem must be firstly solved in developing a lead free pure tin electroplating process. The af fecting factors and mechanism of whisker forming were discussed. An additive for lead free pure tin electroplating that can effectively prevent whisker forming was developed, which has advantages of fine crystal, good solderability, low con sumption, easy operation, etc. And thereby an effective method for controlling whisker forming as well as the solutions for other difficult problems in pure tin electroplating was presented. Some other effective measures for controlling whisker forming and the accelerated test of whisker formation were also introduced.

浅谈锡金属须

浅谈锡金属须

浅谈锡金属须
徐鸿国
【期刊名称】《电镀与精饰》
【年(卷),期】1990(12)1
【摘要】我国电子电器工业近年来发展甚快,为保证产品质量,逐步建立起包括原材料选择、生产过程、运送过程的质量保证体系,尤其对电子元件的可焊性和功能性电镀进行了多方面的探索,如衡量引线质量的十一项标准中,其中六项是有关电镀质量,由此可见功能性电镀在电子产品中的重要性.现在电子产品的可焊性镀层,按其要求采用镀金、镀银、镀锡和铅锡合金等.这些镀层均能达到良好的可焊性的导电性.但是若不注意电镀工艺的严格操作,电镀后的产品在存放过程中有可能长出金属须.至今为止。

【总页数】1页(P26)
【作者】徐鸿国
【作者单位】无
【正文语种】中文
【中图分类】TQ153.13
【相关文献】
1.浅谈水轮发电机弹性金属塑料瓦锡边翻边原因及处理 [J], 吕志涛
2.在无铅组装中控制锡须改变锡镀层的化学成分和进行烘烤,可以减轻锡须的生长[J], Michael Hundt
3.云南某含锡多金属硫化矿选锡组合捕收剂试验研究 [J], 曹阳;童雄;谢贤;宋强;吴雅菡;程雅芝
4.云南某含锡多金属硫化矿选锡组合捕收剂试验研究 [J], 曹阳;童雄;谢贤;宋强;吴雅菡;程雅芝
5.锡精炼废渣中有价金属锡和铜的化学形态分析 [J], 张永涛;李星桥;马宝权;屈则惠;邸金芝
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减轻镀锡表面的锡须生长
使用纯锡铅表面处理时,可能会生长锡须,这是值得关注的问题之一。

近年来,人们已经做了大量的测试和分析工作,对于锡须在各种不同环境条件下的生长成因,有更多了解。

本文将讨论,在电子设备工程联合委员会(JEDEC)标准推荐的三个加速测试期间,锡须生长的机制。

作者:Sheila Chopin、Peng Su博士
人们对减轻纯锡表面处理中生长锡须的现象已经有了广泛的研究。

这些研究数据说明,形成锡须的主要原因是表面的应力增大,它受到由各种因素的影响。

举个例子,电镀过程会因为颗粒大小、厚薄和污染物水平不同而影响镀锡表面的应力状态。

像温度和湿度这样的应用条件,也会诱导微观结构发生某种改变,从而影响锡须的生长速度。

本文讨论在电子设备工程联合委员会(JEDEC)推荐的三个测试条件下进行的测试。

在一定程度上,这些测试代表一些常见的实地应用条件。

在测试结果的基础上研制减轻锡须生长的技术,可以有效地用于现实环境。

加速测试
JEDEC推荐的测试条件摘要列于表1。

对于空气对空气温度循环(AATC)测试,允许的温度范围是-40℃到85℃;但本文中所有研究使用的温度范围是-55℃到85℃。

在热循环测试中,导致锡须生长的原因,是三个测试中最简单的。

因为锡和引脚结构材料之间的热膨胀系数(CTE)不同,温度变化会在锡表面产生热应力。

由于使用的温度范围较宽,在一个很短的时间内,在表面中会产生很高的热应力,因而忽视由于速度较慢的机制而产生的应力。

在确定热应力大小时,锡颗粒的结晶方向是另一个重要因素。

锡晶格是各向异性的,这意味着,在不同的结晶面,或者沿着不同结晶方向,机械特性(如杨氏模量和热膨胀系数)有可能会发生变化。

对于镀锡表面,因为它通常由一层晶粒组成,我们需要关注只是水平方向元件的膨胀系数(CTE)和膨胀量(E)。

图1是这个模型的简化一维视图。

图1说明晶粒方向影响的一维视图。

当晶粒1和晶粒2的膨胀量和膨胀系数数值不同时,两种晶粒之间的应力就可能不同,即使它们的热应变相同也是如此。

这种差别在晶粒表面产生了应力集中点,在这里,锡须成核的可能性就会比较高。

化学物质和电镀工艺参数的选择,对于决定锡处理的微观结构也很重要。

即使对于同样的电镀化学物质,控制某些工艺参数,也会导致不同的锡表面和晶粒方向。

图2a和b是用两组不同的电镀参数,经过了1,000次AATC循环之后的镀锡表面。

有一种工具能够提供颗粒方向信息,这就是X射线衍射仪(XRD)。

过程的变化能够在XRD光谱上显示为方向或者峰值亮度的差别。

在AATC测试期间,在与锡须生长的方向相关的数据方面,我们已经取得了初步的成功,这说明,可以把XRD用作一个有效的开发工具,来寻找最佳的工艺窗口以及研究工艺变化的效果。

低温、低湿度储存
对于低湿度,恒温储存测试,锡须生长的成因更加复杂。

因为测试的持续时间长,许多机制都会促成晶核形成和产生锡须生长。

镀后再结晶、表面氧化物、晶粒方向和金属间化合物(IMC)的生长,都会影响锡须生长的速度。

在这些因素中,锡铜界面上的IMC生长是锡铜材料组合产生应力的最主要来源。

在室内温度下,锡铜的I
IMC生长速度快,而且,在晶粒表面的生长速度更快。

IMC晶粒挤压到锡表面中增大了应力,加速了晶粒表面上晶核的形成和锡须的生长。

目前,减轻IMC无规律生长的最常见的技术,是烘烤工艺(在150℃温度下烘烤1小时),而且要在电镀后立即进行。

在这样的高温下,铜的导热性提高了,而烘烤过程也使IMC层也变得更加均匀。

改进IMC结构的好处在于,IMC晶粒挤压锡表面的问题会减少,这就降低了应力,因此减少锡须的生长。

高温、高湿度存储
锡的熔点较低,为232℃。

在测试温度为55℃时,如果湿度低,通常看不到有锡须生长,因为在这个温度下,应力可以通过相对较快的自扩散过程释放出去。

然而,如果湿度高,锡须就生长得很快。

在测试过程中,仔细检查一下引脚可以看到,通常是锡表面先出现腐蚀现象;然后,在腐蚀了的地方出现晶核,生长锡须。

此外,锡表面的腐蚀通常是从铜衬底暴露的地方开始,例如,引脚的根部和有伤痕部位(图3)。

这表明,腐蚀很可能是因为锡和铜之间电流电压不同而导致的。

锡比铜更容易受到阳极化侵蚀。

锡铜形成原电池,因而在存在湿气时,锡的腐蚀率会明显加快。

图2a用非最优工艺处理的镀
锡表面的锡须生长。

腐蚀作用完全是在局部地方。

在一项研究中,我们检查了10,000个引脚,测试时间超过4,000小时。

所有观测到的锡须全部是在腐蚀了的部位,而未腐蚀的其他表面没有锡须。

为什么腐蚀会加速锡须的成核和生长过程,目前还不明了。

但无论如何,这已经表明,可以通过电路板装配工艺降低腐蚀。

上面所提到的那些类似的元件,是用锡铅或者锡银铜焊膏安装到电路板上的,而且测试条件也相同。

经过4,000小时测试后,只有很少的引脚有腐蚀和锡须生长的迹象。

要想了解安装在电路板上的元件和散装元件之间锡须生长的区别,必须测量再流焊接后锡铅和锡银铜焊膏的原电池势能,并和纯锡焊膏作比较。

结果显示,两种焊膏都比纯锡焊膏更容易受到阳极化侵蚀,这说明,用这些焊膏中的任何一种来装配元件时,它们有利于降低锡的腐蚀速度。

考虑到腐蚀效果,对于腐蚀涉及厉害关系的应用条件而言,系统制造商必须采取其他措施。

例如,在可以控制或者消除表面腐蚀以及因腐蚀而导致锡须生长的情况下,也可以使用抗腐蚀涂层。

图2b以优化电镀工艺处理的镀
锡表面的锡须生长。

结论
从几个公布的评估中得出的测试和分析结果认为,荷载应力是镀锡处理中锡须生长最可能原因。

由于锡须成核和生长的过程复杂,必须使用系统的方法来减少或者消除锡须的生长。

根据目前对锡须生长机制的理解,减轻锡须生长的有效方法是,管理良好的电镀过程、镀后的烘烤工序,再加上元件和系统制造商的共同努力,就能够降低镀锡表面的腐蚀速度。

作者简介
Sheila Chopin是Freescale半导体公司和技术方案部材料技术集成经理,电子邮箱:sheila.chop-
in@。

Peng Su博士是Freescale半导体和和技术方案部高级封装技术专家, 电子邮箱:peng.su@。

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