材料科学基础ch3_例题(07级)1
材料科学基础各章习题
《材料科学基础》各章习题(总48页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--图2-1第一章 金属的晶体结构1.试证明四方晶系中只有简单四方和体心四方两种点阵类型。
2.为什么密排六方结构不能称作为一种空间点阵3.标出面心立方晶胞中（111）面上各点的坐标，并判断]101[是否位于(111)面上，然后计算]101[方向上的线密度。
4.标出具有下列密勒指数的晶面和晶向：a) 立方晶系)421(,)231(,)130(,[]112,[]311；b) 六方晶系 )1112(，)0111(，)2123(，]1112[，]1321[。
5.在立方晶系中画出{}111晶面族的所有晶面，并写出{123}晶面族和﹤221﹥晶向族中的全部等价晶面和晶向的密勒指数。
6.在立方晶系中画出以]001[为晶带轴的所有晶面。
7.试证明在立方晶系中，具有相同指数的晶向和晶面必定相互垂直。
8.已知纯钛有两种同素异构体，低温稳定的密排六方结构Ti -α和高温稳定的体心立方结构Ti -β，其同素异构转变温度为℃，计算纯钛在室温（20℃）和900℃时晶体中（112）和（001）的晶面间距（已知a a20℃=, c a20℃=, a β900℃=）。
9.试计算面心立方晶体的（100），（110），（111）等晶面的面间距和面致密度，并指出面间距最大的面。
10.平面A 在极射赤平面投影图中为通过NS 极和点0°N ，20°E 的大圆，平面B 的极点在30°N ，50°W 处，a)求极射投影图上两极点A 、B 间的夹角；b)求出A 绕B 顺时针转过40°的位置。
说明在fcc 的（001）标准极射赤面投影图的外圆上，赤道线上和0°经线上的极点的指数各有何特点b)在上述极图上标出)101(、)011(、)112(极点。
12.由标准的（001）极射赤面投影图指出在立方晶体中属于[110]晶带轴的晶带，除了已在图2-1中标出晶面外，在下列晶面中那些属于[110]晶带)212(),231(),131(),210(),211(。
清华大学硕士材料科学基础真题2007年
清华大学硕士材料科学基础真题2007年(总分：74.99，做题时间：90分钟)一、{{B}}一{{/B}}(总题数：1，分数：5.00)1.证明：对于立方晶系，有[hkl]⊥(hkl)。
（分数：5.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：()解析：本题要求证明的结论是，在立方晶系中相同指数的晶向与晶面相互垂直。
根据晶面指数的确定规则，(hkl)晶面ABC在a、b、c坐标轴上的截距分别是；根据晶面指数的确定规则，[hkl]晶向L=ha+kb+lc，如图1-2所示。
利用立方晶系中a=b=c，α=β=γ=90°的特点，因此有由于L与ABC面上相交的两条直线垂直，所以L垂直于ABC面，从而在立方晶系中有[hkl]⊥(hkl)。
二、{{B}}二{{/B}}(总题数：1，分数：10.00)2.画出下述物质的一个晶胞：金刚石：NaCl 闪锌矿纤锌矿石墨（分数：10.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：()解析：金刚石、Nacl、闪锌矿、纤锌矿、石墨的晶胞分别如图1-3所示。
三、{{B}}三{{/B}}(总题数：1，分数：10.00)3.请导出摩尔分数为x A、x B的二元系中的综合扩散系数D与分扩散系数D A、D B之间的关系。
（分数：10.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：()解析：如图1-4所示，引入两个平行的坐标系：一个是固定坐标系Oxy；一个是坐落在晶面上同晶面一起运动的坐标系O'x'y'。
《材料科学基础》部分章节试题及答案(大学期末复习资料).docx
第三章作业答案1.说明面心立方结构的潜在滑移系有12个，体心立方结构的潜在滑移系有48个。
解：面心立方晶体的滑移系是｛111｝ < 1-10> , (111｝有四个，每个｛111｝面上有三个〈110〉方向，所以共有12个潜在滑移系。
体心立方晶体的滑移系是(110｝ <- 111 > , ｛211｝ <- 111 >以及｛312｝ < -111 >o｛110｝面共有6个，每个｛110｝面上有两个<-111 >方向，这种滑移系共有12个潜在滑移系; ｛211｝面有12个，每个“211”面上有1个〈111〉方向，这种滑移系共有12个潜在滑移系；｛312｝面共有24个，每个｛312｝面上有1个<-111 >方向，这种滑移系共有潜在滑移系24个, 这样，体心立方晶体的潜在滑移系共有48个。
2.一个位错环能否各部分都是螺位错？能否各部分都是刃位错？为什么？解：螺位错的柏氏矢量与位错线平行，而一个位错只有一个柏氏矢量，一个位错环不可能与一个方向处处平行，所以一个位错环不能各部分都是螺位错。
刃位错的柏氏矢量与位错线垂直，如果柏氏矢量垂直位错环所在的平面，则位错环处处都是刃位错。
这种位错的滑移面是位错环与柏氏矢量方向组成的棱柱面，这种位错又称棱柱位错。
3.纯铁的空位形成能为105kJ/mol.将纯铁加热到850°C后激冷至室温(20°C),假设高温下的空位能全部保留，试求过饱和空位浓度与室温平衡空位浓度的比值。
解：G，=4exp(-g)850 °C (1123K)后激穆室温可以认为全部空位保留下来Exp(31.87)4.写出距位错中心为R1范围内的位错弹性应变能。
如果弹性应变能为R1范围的一倍，则所涉及的距位错中心距离R2为多大？解：距位错中心为&范围内的位错弹性应变能为E = 竺瓦马。
4忒Ab如果弹性应变能为&范围的一倍，则所涉及的距位错中心距离R2为2 竺= 也4.K Ab A TT K Ab即R,=¥2 Ab5.简单立方晶体(100)面有一个b=[001]的螺位错。
07年湖南大学材料科学基础真题
2007年材料科学基础真题一、名词解释（30分）1.孪晶：在切应力作用下，晶体的一部分沿一定的晶面（称为孪生面）和晶向（称为孪生方向）相对于另一部分晶体作均匀的切边时所长生的变形。
孪生变形后，相邻两部分晶体的取向不同，恰好以孪生面为对称面形成镜像对称，形成孪晶。
2.柯肯达尔效应：在置换式固溶体中，由于两种原子以不同的速度相对扩散而造成标记面飘移的现象。
3.二次渗碳体：从奥氏体中析出的渗碳体称为二次渗碳体，其形态一般沿奥氏体晶界呈网状分布。
4.小角度晶界：界面两侧的晶粒取向差小于10o的晶界，有对称倾侧晶界和非对称倾侧晶界之分。
5.成分过冷：在合金凝固过程中，虽然液相中的实际温度分布一定，但是由于固液界面前沿液相中的溶质富集，导致液相的实际熔点下降。
液相的实际凝固温度与熔体中的溶质的实际温度不一致，产生过冷现象。
这种过冷是由于成分变化与实际温度分布这两个因素共同决定，这种过冷呈为成分过冷。
6.施密特（Schmid）因子：拉伸变形时，能够引起晶体滑移的分切应力t的大小取决于该滑移面和晶向的空间位置（）。
t与拉伸应力σ间的关系为：被称为取向因子，或称施密特因子，取向因子越大，则分切应力越大。
二、简答题（任选5题，50分）1.简述柯垂尔气团和铃木气团的特点答：溶质与刃型位错之间产生交互作用，形成柯垂尔气团。
溶质原子与层错交互作用形成铃木气团。
当材料的温度升高时，柯垂尔气团容易消失而铃木气团受温度的影响很小。
2.写出FCC、BCC和HCP晶胞中的四面体、八面体间隙数，致密度和原子配位数。
答：（1）间隙FCC晶胞：4个八面体间隙，8个四面体间隙；BCC晶胞：6个八面体间隙；12个四面体间隙；HCP晶胞：6个八面体间隙；12个四面体间隙；（2）配位数BCC：最近邻8个，考虑次近邻为（8+6）个FCC：最近邻12个HCP：理想状态12个，非理想状态（6+6）个（3）致密度BCC：0.68 FCC：0.74 HCP：0.743.简述固溶体和中间相的特点答：（1）固溶体：固溶体保持了溶剂的晶格类型；成分可以在一定范围内变化，但不能用一个化学式来表示；不一定满足原子比或电子数比；在相图上为一个区域；具有明显的金属性质。
2007 年材料科学基础真题 湖南大学
2007年材料科学基础真题；一、名词解释（30分）名词解释（；1.孪晶：在切应力作用下，晶体的一部分沿一定的晶；）t与拉伸应力σ间的关系为：；被称为取向因子，或称施密特因子，取向因子越大，则；二、简答题（任选5题，50分）简答题（；1.简述柯垂尔气团和铃木气团的特点答：溶质与刃型；FCC晶胞：4个八面体间隙，8个四面体间隙；BC；3.简述固溶体和中间相的特点一、名词解释（30 分）名词解释（1.孪晶：在切应力作用下，晶体的一部分沿一定的晶面（称为孪生面）和晶孪晶：孪晶向（称为孪生方向）相对于另一部分晶体作均匀的切边时所长生的变形。
孪生变形后，相邻两部分晶体的取向不同，恰好以孪生面为对称面形成镜像对称，形成孪晶。
2.柯肯达尔效应：在置换式固溶体中，由于两种原子以不同的速度相对扩散柯肯达尔效应：柯肯达尔效应而造成标记面飘移的现象。
3.二次渗碳体：从奥氏体中析出的渗碳体称为二次渗碳体，其形态一般沿奥二次渗碳体：二次渗碳体氏体晶界呈网状分布。
4.小角度晶界：界面两侧的晶粒取向差小于 10o 的晶界，有对称倾侧晶界和小角度晶界：小角度晶界非对称倾侧晶界之分。
5.成分过冷：在合金凝固过程中，虽然液相中的实际温度分布一定，但是由成分过冷：成分过冷于固液界面前沿液相中的溶质富集，导致液相的实际熔点下降。
液相的实际凝固温度与熔体中的溶质的实际温度不一致，产生过冷现象。
这种过冷是由于成分变化与实际温度分布这两个因素共同决定，这种过冷呈为成分过冷。
6.施密特（Schmid）因子：拉伸变形时，能够引起晶体滑移的分切应力 t 的施密特（施密特）因子：大小取决于该滑移面和晶向的空间位置（） t 与拉伸应力σ间的关系为：。
被称为取向因子，或称施密特因子，取向因子越大，则分切应力越大。
二、简答题（任选 5 题，50 分）简答题（1.简述柯垂尔气团和铃木气团的特点答：溶质与刃型位错之间产生交互作用，形成柯垂尔气团。
溶质原子与层错交互作用形成铃木气团。
《材料科学基础》作业1
Ch1 习题及思考题1．名词解释晶体液晶非晶体长程有序短程有序等同点空间点阵结构基元晶体结构晶体点阵空间格子布拉菲点阵单胞(晶胞) 点阵常数晶系2．体心单斜和底心正方是否皆为新点阵？3．绘图说明面心正方点阵可表示为体心正方点阵。
4．试证明金刚石晶体不是布拉菲点阵，而是复式面心立方点阵。
金刚石晶体属于立方晶系，其中碳原子坐标是（000）、（0 1/2 1/2）、（1/2 1/2 0）、（1/20 1/2）、（1/4 1/4 1/4）、（3/4 1/4 3/4）、（1/4 3/4 3/4）、（3/4 3/4 1/4）。
5．求金刚石结构中通过（0，0，0）和（3/4，3/4，1/4）两碳原子的晶向，及与该晶向垂直的晶面。
6．画出立方晶系中所有的｛110｝和｛111｝。
7．写出立方晶系中属于｛123｝晶面族的所有晶面和属于〈110〉晶向族的所有晶向。
8．画出立方晶系中具有下列密勒指数的晶面和晶向：（130）、（211）、（131）、（112）、（321）晶面和[210]、[111]、[321]、[121]晶向。
9．试在完整的六方晶系的晶胞中画出（1012）晶面和[1120]、[1101]，并列出｛1012｝晶面族中所有晶面的密勒指数。
10．点阵平面（110）、（311）和（132）是否属于同一晶带？如果是的话，试指出其晶带轴，另外再指出属于该晶带的任一其它点阵平面；如果不是的话，为什么？11．求（121）和（100）决定的晶带轴与（001）和（111）所决定的晶带轴所构成的晶面的晶面指数。
12．计算立方晶系[321]与[120]夹角，（111）与（111）之间的夹角。
13．写出镍晶体中面间距为0.1246nm的晶面族指数。
镍的点阵常数为0.3524nm。
14． 1）计算fcc结构的（111）面的面间距（用点阵常数表示）；2）欲确定一成分为18%Cr，18%Ni的不锈钢晶体在室温下的可能结构是fcc还是bcc，由X射线测得此晶体的（111）面间距为0.21nm，已知bcc铁的a=0.286nm，fcc铁的a=0.363nm，试问此晶体属何种结构？Ch2.1-2 习题及思考题1．分别说明什么是过渡族金属、镧系金属和锕系金属？2．什么是一次键、二次键？它们分别包括哪些键？3．什么是离子键、共价键和金属键？它们有何特性，并给予解释。
武汉理工大学07年材料科学基础考研试题
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缩率，有人建议将原来的粒度降低一半，有人建议将烧结时间延长一倍，你认为哪一种方法 更有效，为什么？ 八、 （10 分）粒径为1μ球状Al2 O3由过量的MgO微粒包围，观察尖晶石的形成，在恒定温度 下，第 1 个小时有20%的Al2 O3起了反应，计算完全反应时间。 1.用杨德方程计算； 2.用金斯特林格方程计算； 3.比较以上两个结果并分析产生差异的原因。 九、 （20 分）如图为Na2 O − CaO − SiO2系统部分相图，根据此三元系统相图解答下列问题：
∆L
5γδ3 Dv √2kT
� r −5 t 5 ，为了提高烧结初期的线收Fra bibliotek2 5
6 2
1.判断化合物NC3S6，NCS5，N3 S8 ，NS的性质； （4 分） 2.用箭头表示未标注温度变化的相区界线的温度变化方向及界线性质； （4 分） 3.写出三元无变量点Q、P、H的平衡过程及性质； （4 分） 4.用规范化写法写出1点对应组分的平衡结晶过程； （8 分）
1.A块、B块主要反应的是哪种离子的配位情况？写出其配位多面体和配位数； （4 分） 2.指出结构中氧离子的配位数和配位多面体，并判断其电价是否平衡； （4 分） 3.若尖晶石的晶胞分子数为 8， 且A块、 B块在空间交替出现， 请构造尖晶石的单位晶胞； （4 分） 4.计算结构中空隙填充率； （4 分） 5.分析该结构是正尖晶石还是反尖晶石。 （4 分） 三、 （20 分） 1.硅酸盐晶体滑石的化学式为Mg3 [Si4 O10 ](OH)2，判断其结构类型，用氧化物写法表征 滑石的分子式，分析其结晶习性。 2.在钠硅酸盐玻璃中，分析Na2 O对熔体粘度的影响，并说明理由。 3.为什么相同组成的固体的表面能总是高于液体的表面能？ 四、 （20 分） 1.CaO形成肖特基缺陷，写出其缺陷反应方程式，并计算单位晶胞CaO的肖特基缺陷数 2.CsCl溶入MgCl2中形成空位型固溶体，并写其固溶体化学式； 3.Al2 O3掺入到MgO中，请写出二个合理的方程及其固溶体化学式。 五、 （10 分）已知Mg2+ ，Al3+ 和O2−和在尖晶石MgAl2 O4中的自扩散系数与温度的关系分别 为 257700 × 4.18 J⁄mol � m2 ⁄s DMg = 7.8 × 10−3exp �− RT 235704 × 4.18 J⁄mol � m2 ⁄s DAl = 1.8 × 10−3 exp �− RT 478000 × 4.18 J⁄mol � m2 ⁄s DO = 9.3 × 10−3 exp �− RT 1.试求1282K时Mg2+ ，Al3+ 和O2−在MgAl2 O4中的扩散系数。 2.若在此温度下，O2+基本不动，哪种离子控制着MgAl2 O4的生成，为什么？ 六、 （10 分）铜的熔点Tm = 1385K，在过冷度∆T = 0.3Tm 时，通过均相成核得到晶体铜， （CaO的密度是3.2 克�厘米 ，其晶格参数是0.481nm，分子量为56） ；
07年研究生材基试题加答案
2007年材料科学基础研究生试题及答案1、名词解释(10分,每个2分)对称中心：若晶体中所有的点在经过某一点反演后能复原，则该点就称为对称中心间隙固溶体：溶质原子分布于溶剂晶格间隙而形成的固溶体称为间隙固溶体重合位置点阵：两个相邻晶粒的点陈彼此通过晶界向对方延伸，则其中一些原子将出现有规律的相互重合。
由这些原子重合位置所组成比原来晶体点阵大的新点阵，称为重合位置点阵堆垛层错：实际晶体结构中，密排面的正常堆垛顺序遭到破坏和错排，称为堆垛层错割阶：在位错的滑移运动过程中，其位错线往往很难同时实现全长的运动，可能通过其中一部分线段(n个原子间距)首先进行滑移，在原位错线上形成一段折线，若该曲折线段垂直于位错的滑移面时，称为割阶2、已知某二元合金的共晶反应为：L（75%B）≒α（15%B）+β（95%B）。
试求含60%B的合金完全结晶后，初晶α与共晶（α+β）的重量%，合金中α相与β相的重量%，共晶体中α相与β相的重量比。
（10分）答：初晶α的重量%=（75-60）/（75-15）=15/60=0。
25=25%（2分）共晶（α+β）的重量%=（60-15）/（75-15）=45/60=0。
75=75%（2分）共晶体中α相的重量%=（95-75）/（95-15）=（20 /80）=25%共晶体中β相的重量%=1-25%=75%共晶体中α相与β相的重量比=25%W/75%W=1/3=（95-75）/（75-15）=20/60=1/3（2分）共晶α相在合金中的重量%=（95-75）/（95-15）*75%=（20 /80）*75%=18.75%共晶β相在合金中的重量%=（75-15）/（95-15）*75%=（60 /80）*75%=56.25%合金中α相的重量%=25%+18.75%=43.75%（2分）合金中β相的重量%=56.25%（2分）3、简述小角度晶界的结构特点（6分）答：（1）对称倾斜晶界是由一列柏氏矢量平行的（0.5分）刃型位错（0.5分）垂直排列所构成（0.5分）；有一个自由度（0.5分）；（2）不对称倾斜晶界是由两组柏氏矢量相互垂直的刃型位错交错排列而构成的（1.5分）；有二个自由度（0.5分）；（3）扭转晶界扭转晶界是两部分晶体绕某一轴在一个共同的晶面上相对扭转一个θ角所构成的（0.5分）．该晶界的结构可看成是由互相交叉的螺型位错所组成（1分），有一个自由度（0.5分）。
03——07年5年湖南大学材料科学基础真题汇总 (1)
2004年材料科学基础真题一、名词解释 1.电子化合物：由第一族或过渡族元素与第二至第四元素构成的化合物，它们不遵守化合价规律，但满足一定的电子浓度，虽然电子化合物可用化学式表示，但实际成分可在一定的范围变动，可溶解一定量的固溶体。
2.成分过冷：固溶体合金凝固时，由于液相中溶质的分布发生变化，合金熔点也发生变化，即使实际温度分布不变，固液界面前沿的过冷度也会发生变化。
所以固溶体合金的过冷度时由变化着的合金的熔点与实际温度分布两个方面的因素共同决定的。
这种因液相成分变化而形成的过冷称为成分过冷。
3.莱氏体：高碳的铁基合金在凝固过程中发生共晶转变所形成的奥氏体和碳化物(或渗碳体)所组成的共晶体。
莱氏体是液态铁碳合金发生共晶转变形成的奥氏体和渗碳体所组成的共晶体，其含碳量为ωc＝4.3％。
当温度高于727℃时，莱氏体由奥氏体和渗碳体组成，用符号Ld表示。
在低于727℃时，莱氏体是由珠光体和渗碳体组成，用符号Ld’表示，称为变态莱氏体。
因莱氏体的基体是硬而脆的渗碳体，所以硬度高，塑性很差。
4.吕德斯带：指退火的低碳钢薄板在冲压加工时，由于局部的突然屈服产生不均匀变形，而在钢板表面产生条带状皱褶的一种现象。
在拉伸时，试样表面出现的与拉伸轴呈40°角的粗糙不平的皱纹称为吕德斯带。
5.本质晶粒度：表示钢在一定条件下奥氏体晶粒长大的倾向性。
6.弥散强化：第二相微细颗粒通过粉末冶金法加入而起到强化作用。
7.多边形化：经过冷塑性形变的金属或者合金在回复时形成小角度亚晶界和较完整的亚晶粒的过程。
8.共格晶面：所谓共格晶界，是指界面上的原子同时位于两相晶格的结点上，即两相的晶格是彼此衔接的界面上的原子为两者共有。
二、简答题1.简述纯金属枝晶的形成条件和长大过程。
2.何谓一次二次三次渗碳体？显微镜下它们的形态有何特点。
3.什么叫择优取向？什么叫形变枝构？它们有什么实际意义？4.何谓全位错？单位位错？不全位错？并指出典型金属晶体中单位位错的柏氏矢量。
《材料科学基础》试卷及参考答案
《材料科学基础》试卷及参考答案一. 选择题：（共15小题，每小题2分，共30分）。
1. 在下列材料中，哪一类材料结晶时，液-固界面为粗糙界面？（ ）A. 金属材料B. 无机材料C. 高分子材料D. 半导体材料 2. 在三元系中有右图的两种三相平衡区，它们的反应类型分别为（ ）。
A. （a ）是包晶型，（b ）是共晶型B. （a ）是共晶型，（b ）是包晶型C. （a ）、（b ）均为包晶型D. （a ）、（b ）均为共晶型3. 高分子材料随温度的变化，通常有玻璃态、高弹态和粘流态三个物理状态。
则橡胶的工作状态是（ ）。
A. 玻璃态B. 高弹态C. 粘流态D. 高弹态 、粘流态和玻璃态 4. 4p 原子轨道径向分布图中峰数为多少？其钻穿能力比4d （ ）？ A. 3，强 B. 2，强 C. 3，弱 D. 2，弱 5. 在硅酸盐玻璃中减少变性体的量，会使（ ）。
A. 桥氧含量下降，粘度增大B. 桥氧含量增多，粘度减小C. 桥氧含量下降，粘度减小D. 桥氧含量增多，粘度增大6. 在晶体中形成空位时，离位原子迁移到晶体表面，这样的缺陷称为（ ）。
A. 面缺陷 B. 线缺陷 C. 肖脱基缺陷 D. 弗兰克尔缺陷7. 在由扩散控制的反应扩散，相宽度变化关系式为t B L j =∆；由相界面反应速度控制时，新相厚度与时间呈线性关系dt C K d iυχ=。
在实际反应扩散过程中，反应扩散后期受（ ）控制。
A. 界面反应速度 B. 扩散 C. 界面反应速度和扩散 D. 无法确定8. 关于刃型位错应力场，下列说法哪种是不正确的？（ ）A. 各种应力分量的大小与r 成反比B. 应力场对称于多余的半原子面C. 滑移面上只有正应力，无切应力D. 应力场是轴对称的 9. 下列说法正确的是（ ）。
A. 点缺陷是热力学不稳定缺陷B. 两位错交割必形成割阶C. 线缺陷是热力学不稳定缺陷D. 空位形成能大于间隙形成能10. 面心立方的配位数，四面体空隙数及晶胞原子数分别为（ ）。
材料科学基础1-8章例题、作业题及其解答
第2章 例 题（A ）1. 在面心立方晶胞中画出[012]和[123]晶向。
2. 在面心立方晶胞中画出（012）和（123）晶面。
3. 右图中所画晶面的晶面指数是多少？4. 设晶面（152）和（034）属六方晶系的正交坐标表述，试给出其四轴坐标的表示。
反之，求（3121）及（2112）的正交坐标的表示。
5. （练习），上题中均改为相应晶向指数，求相互转换后结果。
答案：2. (2110) 4. （1562）， （0334） 5. [1322] [1214] （123） （212）[033] [302]第2章 例题答案(A)4. （152）)2615(6)51()(⇒-=+-=+-=v u t （034）)4303(3)30()(⇒-=+-=+-=v u t （1213）⇒ （123） （2112） ⇒ （212）5. [152]]2231[22)51(31)(313)152(31)2(311)512(31)2(31⇒⎪⎪⎪⎭⎪⎪⎪⎬⎫==-=+-=+-==-⨯=-=-=-⨯=-=W w V U t U V v V U u [034]]4121[41)30(31)(312)032(31)2(311)302(31)2(31⇒⎪⎪⎪⎭⎪⎪⎪⎬⎫==-=+-=+-==-⨯=-=-=-⨯=-=W w V U t U V v V U u]3121[]033[33)1(20)1(1⇒⎪⎭⎪⎬⎫===--=-==---=-=w W t v V t u U[2112]]302[20)1(13)1(2⇒⎪⎭⎪⎬⎫===---=-==--=-=w W t v V t u U第2章 例 题（B ）1. 已知Cu 的原子直径为2.56A ，求Cu 的晶格常数，并计算1mm 3Cu 的原子数。
2. 已知Al 相对原子质量Ar （Al ）=26.97，原子半径γ=0.143nm ，求Al 晶体的密度。
3. bcc 铁的单位晶胞体积，在912℃时是0.02464nm 3；fcc 铁在相同温度时其单位晶胞体积是0.0486nm 3。
中南大学2007年材料科学基础考研试题及答案
考试科目：材料科学基础0 分）从以下题中任选 2 道。 1．说明材料中的结合键与材料性能的关系。 2．任意选择一种材料，说明其可能的用途和加工过程。 3．说说你对材料的成分、组织、工艺与性能之间关系的理解。 4．谈谈你所了解的新材料、新工艺。 5．试举例分析材料加工过程对材料使用性能的影响。 6．谈谈你对高强度材料的理解。 二、 （共 70 分）根据图 10-1 所示的二元相图，回答下列问题。
1． （15 分）Al 为面心立方金属，写出单胞中的原子数、致密度、配位数、密排面与密排方 向。在单胞中画出密排面与密排方向。指出 的晶体结构。 与 均是 Al 与 Cu 相互作用 昀结果，说明 与 的结构差别。 2. （15 分） 何谓再结晶全图和起始再结晶温度？制订一种测定再结晶温度的方案， 简述原理。 3． （20 分）比较纯铝平衡结晶时与 x 合金平衡结晶时的异同点。分析 x 合金平衡结晶和非 平衡结晶中组织转变的过程。 4． （20 分）x 合金塑性变形后的组织、性能有何变化？用位错理论解释 x 合金的室温强化措 施。 三、 （共 20 分） 1．写出图 10-2 中 x 合金的成分。
3
可以成为新材料， 新材料经过长期生产和应用之后也就成为传统材料。 弱前新材料往往与新 的加工技术联系在一起， 如通过一种快速冷却或机械合金化等加工方法， 可以制备非晶态的 金属合金，而在这之前人们不知道金属还可以做成非晶态；其他如喷射沉积技术、半固态加 工技术、进行薄带连续铸造技术等都是新的加工技术。某些高分子材料，采用挤压成丝工艺 以后，使有机纤维的比强度和比刚度大幅度提高；采用 CVD+熔融或离子交换制备新型光纤 材料等等。 其中铝合金制备新技术有： 热顶铸造、 气隙铸造及电磁铸造技术， 铝合金电磁铸轧技术， 大型铝合金型材挤压技术，特宽锅合金中厚板轧制技术，半固态金属成形技术，锅合金显微 组织结构预测及性能控制技术。 5．参考答案：材料加工过程对材料使用性能有重要而复杂的影响，材料也必须通过合 理的工艺流程才能制备出具有实用价值的材料来。 通过合理和经济的合成和加工方法， 可以 不断创制出许多新材料或改变和精确控制许多传统材料的成分和结构， 可以进一步发掘和提 高材料的性能。 材料的制备／合成和加工不仅赋予材料一定的尺寸和形状， 而且是控制材料成分和结构 的必要手段。如钢材可以通过退火、淬火、回火等热处理来改变它们内部的结构而达到预期 的性能， 冷轧硅钢片经过复杂的加工工序能使晶粒按一定取向排列而大大减少铁损。 飞机发 动机的叶片可以遥过铸造的凝固控制做成单晶体叶片， 使之没有晶粒边界， 大大提高它的使 用温度和性能。 6．参考答案：对于结构材料，最重要的性能指标之一是强度。强度是指材料抵抗变形 和断裂的能力，提高材料的强度可以节约材料，降低成本。人们在利用材料的力学性能时， 总是希望所使用的材料具有足够的强度， 人们希望合理运用和发展材料强化方法， 从而挖掘 材料性能潜力的基础。 从理论上讲，提高金属材料强度有两条途径：一是完全消除内部的位错和其他缺陷， 使 它的强度接近于理论强度。 目前虽然能够制出无位错的高强度金属晶须， 但实际应用它还存 在困难，因为这样获得的高强度是不稳定的，对操作效应和表面情况非常敏感，而且位错一 旦产生后，强度就大大下降。因丽在生产实践中，主要采用另一条途径来强化金属，即在金 属中引入大量的缺陷，以阻碍位错的运动，例如金属材料的强化手段一般有固溶强化、细晶 强化、第二相粒子强化、形变强化等。综合运用这些强化手段，也可以从另一方面接近理论 强度，例如在铁和钛中可以达到理论强度的 38%。一些新型高强铝合金，如 Al-Li 合金、 Al-Cu-Mg 系合金和 Al-Zn-Mg 系合金以及高 Zn 含量 Al-Zn-Mg 合金、 Al-Mg-Sc 系合金、 Al-Zn-Mg-Sc 系合金、铝基复合材料等，应用各种强化方法均获得了很高的强度和其他综合 性能。 二、 1．Al 单胞中原子数 4，致密度 0.74，配位数 12，密排面{111}，密排方向< 110>。 的晶体结构 FCC。 晶体结构与 Al 相同， 与 均是 Al 与 Cu 相互作用的结果， 是固溶体， 是化合物，晶体结构与 Al、Cu 均不相同。 2．再结晶全图是变形金属变形程度、退火温度与退火后晶粒大小的图，起始再结晶温 度指大变形金属退火 1h 后开始再结晶的温度。一种测定再结晶温度的方案可以是大变形金 属退火 lh 后，测量硬度变化，硬度大幅下降温度为开始再结晶温度。 3.纯铝平衡结晶时，需要能量与结构起伏，x 合金平衡结晶时还需要成分起伏，结晶速 度快于纯金属，有溶质原子再分配、成分过冷等。 x 合金的平衡结晶组织转变过程为：
《材料科学基础》习题及参考答案
形核功，还是可以成核的。
答案
(7)测定某纯金属铸件结晶时的最大过冷度，其实测
值与用公式ΔT=0.2Tm计算值基本一致。
答案
(8) 某些铸件结晶时，由于冷却较快，均匀形核率N1
提高，非均匀形核率N2也提高，故总的形核率为N=
N1 +N2。
答案
返回
53
(9) 若在过冷液体中，外加10 000颗形核剂，则结晶
❖ ②比较Cu-10% Sn合金铸件和Cu-30%合金铸件的铸造性能 及铸造组织，说明Cu-10% Sn合金铸件中有许多分散砂眼的 原因。
③ω(Sn}分别为2%，11%和15%的青铜合金，哪一种可进行 压力加工?哪种可利用铸造法来制造机件?
答案
返7回8
❖ 9.如下图所示，已知A，B，C三组元固态完全不互溶，质量 分数分别84%A,，10%B，10%C的O合金在冷却过程中将进 行二元共晶反应和三元共晶反应，在二元共晶反应开始时， 该合金液相成分(a点)为60%A，20%B，20%C，而三元共 晶反应开始时的液相成分(E点)为50%A，10%B，40%C。
答案
返回
6
❖ 6.位错受力后运动方向处处垂直于位错线，在运动
过程中是可变的，晶体作相对滑动的方向应是什么
方向？
答案
❖ 7.位错线上的割阶一般如何形成？
答案
❖ 8.界面能最低的界面是什么界面？
答案
❖ 9. “小角度晶界都是由刃型位错排成墙而构成的”这
种说法对吗？
答案
返回
7
三、综合题
❖ 1. 作图表示立方晶体的（123）（0 -1 -2） （421）晶面及[-102][-211][346]晶向。 答案
❖ 9. 在Fe中形成1mol 空位的能量为104. 67kJ，
材料科学基础第七章习题及答案
1页 1．已知某二元合金的共晶反应为：(1) 试求含50％B 的合金完全结晶后，初晶α与共晶(α+β)的重量％，α相与β相的重量％；共晶体中α相与β相的重量％。
(2) 若测出显微组织中β初晶与(α+β)共晶各占一半时，试求该合金成分。
2. 已知在A-B 二元合金中，A (熔点600℃)与B (熔点500℃)在液态无限互溶，固态时A 在B 中的最大固溶度(质量分数)为w A ＝0.30，室温时为w A ＝0.10；但B 在固态和室温时均不溶于A 。
在300℃时，含w B ＝0.40的液态合金发生共晶反应。
试绘出A-B 合金相图；并分析w A ＝0.20，w A ＝0.45，w A ＝0.80的合金在室温下组织组成物和相组成物的相对量。
3. 试根据含碳量3.5％亚共晶白口铁的平衡组织，计算其中各组织组成物的相对含量。
答案1. 解：(1)根据杠杆定律可得(2) 设该合金中B 的重量％为wB ，则 2. 解：（1）A －B 合金相图如下图所示（2）合金为0.2A －0.8B 时，室温下相组成物为A 和β相，其相对量为室温下组织组成物为β+A Ⅱ，其相对量与相组成物相同，即（3）合金为0.45A －0.55B 时，室温下相组成物为A 和β相，其相对量为 室温下组织组成物为β初+(A+β)共晶+A Ⅱ，在共晶反应刚完成时，冷却至室温时，将由β初’和(A+β)共晶的β中析出A Ⅱ。
由于共晶β中析出的A Ⅱ与共晶A 连接在一起，故略去不计。
由β初’中析出的A Ⅱ的相对量为%所以，室温下β初的相对量为 '%%%50%11.11%38.89%A ββ=-=-=Ⅱ初初该合金室温下组织组成物的相对量为（4）合金为0.8A －0.2B 时，室温下相组成物为A 和β相，其相对量为 室温下组织组成物为A+(A+β)共晶，其相对量为3. 解：含碳量3.5％的亚共晶白口铁的平衡组织为P+Fe3C Ⅱ+Ld’。
共晶反应刚完成时，室温下组织组成物的相对量为 4. 解：(1) 冷却曲线如图所示。
武汉理工大学2007年研究生入学考试真题及答案--材料科学基础
武汉理工材料科学基础2007年考研真题参考答案一、同质多晶：化学组成相同的物质，在不同的热力学条件下形成结构不同晶体的现象。
重建型转变：不能通过简单的原子位移来实现，转变前后结构差异大，必须破坏原子间的键形成新键的结构的转变。
热释电效应：在某些绝缘物质中，由于温度的变化引起极化状态改变的现象称为热释电效应。
位错攀移：在热缺陷或外力作用下，位错线沿垂直于滑移面方向上的运动，结果导致晶体中空位或间隙质点的增殖或减少。
大角度晶界：相邻晶粒的取向差 )1510(o o o o ≤≤>θθθ时，称为大角度晶界。
网络形成体：单链强度大于335Kg/mol ，能单独形成玻璃的氧化物。
表面化学力：凝聚系统：没有气相或虽有气相但其影响可以忽略不计的系统。
稳定扩散：空间任意一点的浓度不随时空变化，扩散通量不随位置变化的扩散。
非扩散型相变：相变过程中不存在原子（离子）扩散，或虽存在扩散但不是相变所必需的或不是主要过程的相变。
晶粒长大：在烧结中、后期细小晶粒逐渐长大，是晶界移动的结果，其结果是平均晶粒尺寸增加。
广义材料腐蚀：材料由于环境作用而引起的变质和破坏过程。
蠕变：固体材料在保持应力不变的条件下，应变随时间延长而增加的现象。
铁弹效应：外电场作用下电畴取向一致，电场消失后仍然保持着净极化的现象。
二、1，A 块主要反映Mg2+离子配位[MgO4]B 块主要反映Al3+离子配位[AlO6]2，CNO2-=4，[OMgAl3] 静电强度=-==⨯+⨯=22363142O 的电价数。
34，Mg2+离子占据四面体空隙的1/8，Al3+占据八面体空隙的1/25，正尖晶面三、1，层状结构，3MgO ∙4SiO2∙H2O2，Na2O 能降低熔体粘度，因为Na+半径大，电荷少，与O2-的作用力较小，提供了系统中的自由氧，降低了Si/O 比，导致原来的硅氧负离子团解聚为较简单的结构单元，因而降低了粘滞活化能，粘度变小。
3，同一种物质，其液体固体表面结构不同，液体分子可以自由移动，总是通过形成球形表面来降低其表面能，固体则不能，固体质点不能自由移动，只能通过表面质点的极化、变形、重排来降低体统表面能，固体表面处于搞能量状态（由于表面力的存在）。
《材料科学基础》课后习题及参考答案
绪论1、仔细观察一下白炽灯泡，会发现有多少种不同的材料？每种材料需要何种热学、电学性质？2、为什么金属具有良好的导电性和导热性？3、为什么陶瓷、聚合物通常是绝缘体？4、铝原子的质量是多少？若铝的密度为2.7g/cm3，计算1mm3中有多少原子？5、为了防止碰撞造成纽折，汽车的挡板可有装甲制造，但实际应用中为何不如此设计？说出至少三种理由。
6、描述不同材料常用的加工方法。
7、叙述金属材料的类型及其分类依据。
8、试将下列材料按金属、陶瓷、聚合物或复合材料进行分类：黄铜钢筋混凝土橡胶氯化钠铅-锡焊料沥青环氧树脂镁合金碳化硅混凝土石墨玻璃钢9、 Al2O3陶瓷既牢固又坚硬且耐磨，为什么不用Al2O3制造铁锤？晶体结构1、解释下列概念晶系、晶胞、晶胞参数、空间点阵、米勒指数（晶面指数）、离子晶体的晶格能、原子半径与离子半径、配位数、离子极化、同质多晶与类质同晶、正尖晶石与反正尖晶石、反萤石结构、铁电效应、压电效应.2、（1）一晶面在x、y、z轴上的截距分别为2a、3b、6c，求出该晶面的米勒指数；（2）一晶面在x、y、z轴上的截距分别为a/3、b/2、c，求出该晶面的米勒指数。
3、在立方晶系的晶胞中画出下列米勒指数的晶面和晶向：（001）与[210]，（111）与[112]，（110）与[111]，（322）与[236]，（257）与[111]，（123）与[121]，（102），（112），（213），[110]，[111]，[120]，[321]4、写出面心立方格子的单位平行六面体上所有结点的坐标。
5、已知Mg2+半径为0.072nm，O2-半径为0.140nm，计算MgO晶体结构的堆积系数与密度。
6、计算体心立方、面心立方、密排六方晶胞中的原子数、配位数、堆积系数。
7、从理论计算公式计算NaC1与MgO的晶格能。
MgO的熔点为2800℃，NaC1为80l℃, 请说明这种差别的原因。
8、根据最密堆积原理，空间利用率越高，结构越稳定，金钢石结构的空间利用率很低(只有34.01％)，为什么它也很稳定?9、证明等径圆球面心立方最密堆积的空隙率为25．9％；10、金属镁原子作六方密堆积，测得它的密度为1.74克/厘米3，求它的晶胞体积。
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第三章 晶体缺陷
例题5. 在图中晶体二维图形，晶格间距a 例题5. 在图中晶体二维图形，晶格间距a，含正刃 位错和负刃位错，（ ，（1 围绕两个位错作柏氏回路， 位错和负刃位错，（1）围绕两个位错作柏氏回路， v v b =？；（2）围绕单个作柏氏回路， =？（表明方 ？；（2 围绕单个作柏氏回路， ？（表明方 b 向和强度） 向和强度） 例题解答： 例题解答： • （ 1） 0 •
v • 负刃： 向左，强度a 负刃： 向左，强度a b
右手定则：食指--位错线；中 --位错线 右手定则：食指--位错线； v 指-- b ；拇指—多余半原子面)
v 方右，强度a；( 正刃： （2）正刃： 方右，强度a b
第三章 晶体缺陷 例题6 方形晶体中有两根刃型位错，如下图：（ 例题6：方形晶体中有两根刃型位错，如下图：（1）当周围晶 ：（1 体中：（a）空位多于平衡值；(b）空位少于平衡值；(c）间隙 体中：（ ：（a 空位多于平衡值；(b）空位少于平衡值；(c） 原子多于平衡值；（ ；（d 间隙原子少于平衡值时， 原子多于平衡值；（d）间隙原子少于平衡值时，位错易于向 何种方向攀移？（ ？（2 加上怎样的外力， 何种方向攀移？（2）加上怎样的外力，才能使这两根位错线通 过纯攀移而相互靠拢？ 过纯攀移而相互靠拢？ 晶体中刃型位错的正攀移（ （1）晶体中刃型位错的正攀移（空位迁 移到或间隙原子离开多余半原子面下端， 移到或间隙原子离开多余半原子面下端， 多余半原子面缩小） 多余半原子面缩小）会吸收空位或产生间 隙原子，反之，负攀移（ 隙原子，反之，负攀移（间隙原子迁移到 或空位离开多余半原子面下端， 或空位离开多余半原子面下端，多余半原 子面扩大）会吸收间隙原子和放出空位， 子面扩大）会吸收间隙原子和放出空位， ）（d 故（a）（d）两种情况下位错易发生正攀 移；(b) (c) 两种情况下位错易发生负攀移 • （2）方形晶体受到如下图所示的压应力 时，会使这两根位错线都发生正攀移而相 互靠拢。 互靠拢。 •
第三章 晶体缺陷 例题解答： 例题解答： • 为右螺位错， 为 （1）AB为右螺位错，CD为 ） 为右螺位错 左螺位错； 为正刃位错 为正刃位错， 左螺位错；BC为正刃位错， DA为负刃位错。 为负刃位错。 为负刃位错
• 右手定则：食指指向位错线方向，中指指向柏氏矢量方向， 右手定则：食指指向位错线方向，中指指向柏氏矢量方向， 指向位错线方向 指向柏氏矢量方向 拇指指向多余半原子面方向 指向多余半原子面方向。 拇指指向多余半原子面方向。 • 左(右)法则来判断：拇指指向螺旋前进的方向，而其余四指 法则来判断 拇指指向螺旋前进的方向， 来判断： 代表旋转方向，凡符合右手法则的称为右螺旋型位错， 代表旋转方向，凡符合右手法则的称为右螺旋型位错，凡符 合左手法则的称为左螺旋位错。 合左手法则的称为左螺旋位错。
第三章 晶体缺陷 • （2）在一个完整的晶体中有 ） 一个正四棱柱贯穿晶体的上下 表面，它和滑移面MNPQ相交 表面，它和滑移面 相交 于ABCDA，将棱柱上部相对于 ， 下部滑移b，棱柱外的晶体不滑 下部滑移 ， 移。 作用下， （3）在足够大的切应力 作用下，位错环上部将不断沿 轴 ）在足够大的切应力τ作用下 位错环上部将不断沿x轴 方向运动，下部将沿x轴负方向运动 轴负方向运动， 方向运动，下部将沿 轴负方向运动，这种运动必然使位错环 个边向位错环的外侧运动，使位错环扩大。 个边向位错环的外侧运动，使位错环扩大。 作用下， 为右螺位错 为右螺位错， 为左 （4）在足够大的正应力 作用下，AB为右螺位错，CD为左 ）在足够大的正应力σ作用下 螺位错，是不动的。位错环的BC、DA将发生攀移。BC为正 螺位错，是不动的。位错环的 、 将发生攀移。 为正 将发生攀移 刃位错， 方向运动； 为负刃位错沿 方向运动。 为负刃位错沿-Y方向运动 刃位错，沿-Y方向运动；DA为负刃位错沿 方向运动。 方向运动
第三章 晶体缺陷 例题解答： 例题解答： • 根据位错的滑移原理，位错滑移 根据位错的滑移原理， 扫过的区域内晶体的上、 扫过的区域内晶体的上、下方相 对于滑移面发生的位移与柏氏矢 量一致， 量一致，切应力方向与柏氏矢量 一致。 一致。 • 刃型位错的柏氏矢量垂直于位错线。当刃型位错线从晶体的左 刃型位错的柏氏矢量垂直于位错线。 侧滑移至右侧时圆形标记相对于滑移面沿垂直于位错线方向错 开了一个原子间距， 的模，其外形变化如图。 开了一个原子间距，即b的模，其外形变化如图。刃位错滑移 的切应力方向垂直于位错线。 的切应力方向垂直于位错线。 • 螺型位错的柏氏矢量平行于位错线。当螺型位错线从晶体的左 螺型位错的柏氏矢量平行于位错线。 侧滑移至右侧时圆形标记沿平行于位错线方向错开了一个原子 间距，如图。螺位错滑移的切应力方向平行于位错线。 间距，如图。螺位错滑移的切应力方向平行于位错线。
•
（4） a [100 ] → ）
a a [111 ] + [1 1 1 ] 2 2
• 习题解答： 习题解答： • 根据位错反应的两个条件 • (1) 能 （2）、（ ）、（ ）均不能。 ）、（3）、（ ）、（ ）、（4）均不能。
第三章 晶体缺陷
本章小结
1、各类缺陷的定义和特征 2、点缺陷的类型和平衡浓度公式 3、线缺陷的类型（刃型、螺型、混合型位错），刃位错、螺位 线缺陷的类型（刃型、螺型、混合型位错），刃位错、 ），刃位错 错和混合位错的判断及其特征。 错和混合位错的判断及其特征。 柏氏矢量的特征， 4、柏氏矢量的特征，柏氏矢量与位错的关系 位错运动及特性、滑移、 交滑移、多滑移、攀移、交割、 5、位错运动及特性、滑移、(双)交滑移、多滑移、攀移、交割、 割价、扭折、 割价、扭折、塞积 位错的应力场、应变能、线张力、 6、位错的应力场、应变能、线张力、作用在位错上的力 位错密度、位错源、位错生成、位错的增殖(F (F7、位错密度、位错源、位错生成、位错的增殖(F-R源、双交滑 移机制等) 位错分解与合成、 移机制等)、位错分解与合成、位错反应 全位错、不全位错、 8、全位错、不全位错、堆垛层错 面缺陷、表面、表面( 界面( 晶界及类型、相界( 9、面缺陷、表面、表面(能)、界面(能)、晶界及类型、相界( 及类型、 能)及类型、孪晶界 10、晶界的特性( 小角度晶界) 10、晶界的特性(大、小角度晶界)
第三章 晶体缺陷
本章的知识结构
第三章 晶体缺陷
本章知识点
点缺陷平衡浓度计算公式； 1、点缺陷平衡浓度计算公式； 位错类型的判断及其特征； 2、位错类型的判断及其特征；柏氏矢量及其特 柏氏矢量、位错类型、外加切应力、 征；柏氏矢量、位错类型、外加切应力、位错运 动之间的关系；位错的滑移与位错的增殖(F (F动之间的关系；位错的滑移与位错的增殖(F-R源、 双交滑移过程及图示)；位错的滑移所需要的力； 双交滑移过程及图示) 位错的滑移所需要的力； 位错密度和位错反应； 位错密度和位错反应； 晶界与相界、晶界的特征和作用。 3、晶界与相界、晶界的特征和作用。
第三章 晶体缺陷
第 三 章 例题
第三章 晶体缺陷
第三章 晶体缺陷
第三章 晶体缺陷
例题3 例题 3 ： 在图中的阴影 面 MNPQ 为 晶 体 的 滑 移 面 ， 该 晶 体 的 ABCD 表 面 有 一 圆形标记，它与滑移面 相交，标记左侧有一根 位错线，试问当刃、螺 位错线从晶体的左侧滑 移至右侧时，表面的标 记发生什么变化？并指 出刃、螺位错滑移的切 应力方向。 应力方向。
第三章 晶体缺陷
பைடு நூலகம்
• 例题 判断下列位错反应能否进行： 例题9. 判断下列位错反应能否进行： • •
a a a （1） 2 [10 1 ] + 6 [ 1 21 ] → 3 [11 1 ] ） a a a [100 ] → [101 ] + [10 1 ] （2） ） 2 2
a a a [112 ] + [111 ] → [11 1 ] • （3） ） 3 2 6
第三章 晶体缺陷
• 例题4：已知位错环ABCD的 例题4 已知位错环ABCD的 柏氏矢量为，外应力τ 柏氏矢量为，外应力τ和σ，如 下图所示， ：（1 下图所示，求：（1）位错环 各边是什么位错？（ ？（2 各边是什么位错？（2）设想 在晶体中怎样才能得到这个位 ？（3 在足够大的切应力τ 错？（3）在足够大的切应力τ 作用下，位错环将如何运动？ 作用下，位错环将如何运动？ 在足够大的正应力σ （4）在足够大的正应力σ作用 位错环将如何运动？ 下，位错环将如何运动？
4. 概念和区别概念
第三章 晶体缺陷
第三章 晶体缺陷
例题8 试说明滑移，攀移及交滑移的条件， 例题8：试说明滑移，攀移及交滑移的条件，过程 和结果，并阐述如何确定位错滑移运动的方向。 和结果，并阐述如何确定位错滑移运动的方向。 例题解答： 例题解答： • • • 滑移：切应力作用、切应力大于临界分切应力 ； 滑移：切应力作用、 台阶。 台阶。 攀移：纯刃位错、正应力、热激活原子扩散； 攀移：纯刃位错、正应力、热激活原子扩散；多 余半原子面的扩大与缩小。 余半原子面的扩大与缩小。 交滑移：纯螺位错、相交位错线的多个滑移面； 交滑移：纯螺位错、相交位错线的多个滑移面； 位错增殖