数字电路教案-阎石第三章逻辑门电路
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第3章逻辑门电路
3.1 概述
逻辑门电路:用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。简称门电路。用逻辑
1和o 分别来
表示电子电路中的高、低电平的逻辑赋值方式,称为正逻辑,目前在数字技术中,大都采用正逻 辑工作;若用低、高电平来表示,则称为负逻辑。本课程采用正逻辑。
获得高、低电平的基本方法:利用半导体开关元件的导通、截止(即开、关)两种工作状态。
在数字集成电路的发展过程中,同时存在着两种类型器件的发展。一种是由三极管组成的双极 型集成电路,例如晶体管-晶体管逻辑电路(简称 TTL 电路)及射极耦合逻辑电路(简称 ECL 电 路)。另一种是由MOS 管组成的单极型集成电路, 例如N-MOS 逻辑电路和互补 MOS (简称COMS ) 逻辑电路。
3.2 分立元件门电路
3.3.1二极管的开关特性
性NPN 型三极管截止、放大、饱和 3种工作状态的特点
工作状态
截 止 放
大
饱
和
条 件
i B = 0
0 v i B < I BS
i B > I BS
工 作 吐 偏置情况
特
占
发射结反偏 集电结反偏
U BE <0, U BC <0
发射结正偏 集电结反偏
U BE >0,
U BC <0
发射结正偏 集电结正偏
U BE >0, U BC >0
A ID (mA)
4- - /
UD (V)
0 5 0.7
伏安特性二极管导通。
气W )V 时的等效电路 U]-0V 时,二极管截止, 如同开关断开,W 0 = OV S 屮弋时的等奴电路
a 3 = ?二极管导通,如
^|0.7V 的电压源.% =
二极管的反向恢复时间限制了二极管的开关速度,
3.2.2
三极管的开关特
集电极电流
i c = 0
i C
= 3 i B
i c = l es
ce 间电压
U CE = V CC
U CE = V CC —
i e R c
U CE = U cES =
0.3V
ce 间等效电 阻
很大, 相当开关
断 开
可变
很小, 相当开关
闭 合
3.2.3二极管门电路1、二极管与门
c
~>1 -------
Di °~ ---------- ° ----- j
n
¥只
丄3kQ
輸入 输出
A B
Y
0 0 0 0 1 0 1 0
1 1 1
5P IX1Z
o —o — 卫 E V -J V
5 o % 及B
2 2
0V 0V 0.7V 导通 导通 0V 5V 0.7V 导通 截止 5V 0V 0.7V 截止 导通 5V 5V
5V
截止 截止
2、二极管或门
U A U B U Y
D i D 2
0V 0V 0V 截止 截止 0V 5V 4.3V 截止 导通 5V 0V
4.3V 导通 截止 5V 5V
4.3V
导通
导通
5V
0V
~T
0 0
0 1 1 1 0 1
1 1
真值表
3.2.4三极管非门
电路图逻辑符号
1
(D UA-OV时.三极管截止,r E= 0, i c= 0, 输出
电压W Y=^C=5V
②细=5V时,三极管导通。基极电流为'
5-0.7 A’ A
it,= ----- mA = 1mA
£ 4.3
3.2.5组合逻辑门电路
1与非门电路
A
5
■V
r
j
V
乡
2、或非门电路
三极管临券饱和时
的基极电流为'
5-0.3
30x1
0 16
mA
怙〉』时三极管工作
在饱和状态右输出电
压旳=t^ES = 0
A y
01
10
3.3集成逻辑门电路
一、TTL与非门
1、电路结构
°+fM+W)
V
1
(1)抗饱和三极管
作用:使三极管工作在浅饱和状态。因为三极管饱和越深,其工作速度越慢,为了提高工作速度,需要
采用抗饱和三极管。
构成:在普通三极管的基极B和集电极C之间并接了一个肖特基二极管(简称SBD )
。
特点:开启电压低,其正向导通电压只有0.4V,比普通硅二极管0.7V的正向导通压降小得多;没有电荷存储效应;制造工艺和TTL电路的常规工艺相容,甚至无须增加工艺就可制造出SBD。(2)采用有源泄放电路
上图中的V6、R3、R6组成。
2、TTL与非门的工作原理
(1)V i的等效电路
V i是多发射极三极管,其有三个发射结为PN结。故输入级用
以实现A、B、C与的关系。其等效电路如右图所示。
(2)工作原理分析
①输入信号不全为1:女口U A=0.3V,UB= u c=3.6V
则U BI=0.3+0.7=1V,T2、T5截止,T3> T4 导通
忽略i B3,输出端的电位为:
UY ~ 5—0.7—0.7 = 3.6V
输出Y为高电平。
②输入信号全为1 :如
UA=UB=UC 3.6V
则UB1=2.1V , T2、T5导通, T4截止
输出端的电位为:
UY=U CES= 0.3V
输出Y为低电平。
功能0.3V 占□
3.6V B o
3.6V 匚0
Vi
V
①输入信号不全为1
+JW+5V)