低频电子线路复习题一.doc
电子线路1课后习题答案
.
V V 由于 C E (cu)t
C E (sa)t
故
v0mmin VC[E( QVCE)S(,VCC VCE)Q] VCE (cu) t4.3V 7
31
.
（4）求最大输入电压幅值 v im 和此时基极
电流交流分量幅值 ibm
vim
v0m Av
4.37V 158
28mV
ibm
vim rbe
（3）输出电阻
R0Rd10 K
58
.
(4) 电压增益
v0gm vgsRd//RL vi gm vgsRsvgsgmRs1vgs A vv v0 i gm 1 R g dm /R /s R L1.67
59
.
习题2.18 已知图所示放大电路中的结型
场效应管的 VP3V, IDS S3mA
试求：
.
（2）估算Q点
VB
Rb2 Rb1 Rb2
VCC
40202K0K12V 4V
IC Q IEQ V B R e V BE 42 K 0 . 7 V 1 .6m 5
IBQICQ14.60541A
V CE V Q C C IC(Q R c R e) 4 .6 V 35
.
（3）动态参数计算 交流通路
iB、 iC、 vBE、 vCE
图2- 4
7
.
解：
(1)
I BQ
ICQ
21.7 A
VCEQ VCC I CQ RC 7 .6 6V
rbe rbb rbe
1 VT 1.2 K
ICQ
8
.
(2)
I bm
V sm R s rb e
9 A
Icm Ibm 0 .9 m A
电子线路题库
正确 错误 (10) 差分放大器有四种接法，而放大器的差模放大倍数只取决于输
出端的接法，而与输入端的接法无关。 正确 错误
(11) 在具有选频回路的正弦波振荡器中，即使正反馈极强，也能产 生单一频率的振荡。
正确 错误 (11) 在多级放大器中，级间常常接有去耦滤波电路，用以防止电源 内阻的耦合作用引起的自激振荡。
正确 错误 (12) 任何“电扰动”，如接通直流电源、电源电压波动、电路参数变 化等，都能供给振荡器作为自激的初始信号。
正确 错误 (13) 当输入信号为零时，则输出功率也为零，电源供给电路的功率 最小，这时单管功率放大器的效率最高。
正确 错误 (12) 稳定振荡器中晶体三极管的静态工作点，有利于提高频率稳定 度。
正确 错误 (13) 反相运算放大器是一种电压并联负反馈放大器。
正确 错误 (14) 在推挽功率放大器电路中，只要两只晶体管具有合适的偏置电 流，就可消除交越失真。
正确 错误 (15) 甲类功率放大器一般采用变压器耦合而不采用电容耦合，以便 于提高电压放大倍数。 2．选择题 (1) 用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆 挡拔到（ ）。
A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子 (2) 面接触型晶体二极管比较适用于( )。 A．小信号检波 B．大功率整流 C．大电流开关 (3) 晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管所处 的状态是( )。 A．放大状态 B．饱和状态 C．截止状态 (4) 晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管所处的状态是
的差分放大器电路中，电阻
的作用是（ ）。 A．提高差模信号放大能力 B．对共模信号构成负反馈以提高抑制零点漂移能力 C．加强电路的对称性
郑州大学电子线路非线性部分复习总结
郑州大学电子线路非线性部分复习总结第一篇：郑州大学电子线路非线性部分复习总结第一章1.（变压器乙类推挽乙类互补推挽）2.乙类互补推挽放大电路工作原理【乙类工作时，为了在负载上合成完整的正弦波，必须采用两管轮流导通的推挽电路】3.实际电路问题（小题）（交越失真产生的原因及补救的措施）【由于导通电压的影响，造成传输电路传输特性的起始段弯曲，在正弦波的激励下，输出合成电压波形将在衔接处出现严重失真，这种失真称为交越失真】【在输入端为两管加合适的正偏电压，使它们工作在甲乙类状态】4.互补推挽电路提出的原因，解决了什么样的问题【当乙类功率管工作时，只在半个周期导通为了在负载上合成完整的正弦波，必须采用两管轮流导通的推挽电路】5.单电源供电的互补推挽电路中，电容起到了什么作用，怎么等效成双电源供电【与双电源供电电路比较，仅在输出负载端串接一个大容量的隔直流电容Cl，VCC 与两管串接，若两管特性配对，则VO = VCC/2，CL 实际上等效为电压等于 VCC/2 的直流电源】6.传输线变压器传输信号的时候采用了什么样的方法【传输线变压器，低频依靠变压器磁耦合方式传输信号，高频依靠传输线电磁能交换方式传输信号，所以高频受限于传输线长度，低频受限于初级绕组电感量】 7.整流器的作用【整流器：电网提供的50Hz交流电—直流电。
整流电路的功能是将电力网提供的交流电压变换为直流电压】8.计算：利用传输线变压器，端电压相等，两端电流大小相等方向相反这样的准则计算传输线变压构成的阻抗变换器的阻抗比第二章丙类谐振功率放大器 1.电路结构【ZL ——外接负载，呈阻抗性，用 CL 与 RL 串联等效电路表示Lr 和 Cr ——匹配网络，与 ZL 组成并联谐振回路调节 Cr 使回路谐振在输入信号频率VBB——基极偏置电压，设置在功率管的截止区，以实现丙类工作】2.偏置条件【基极偏置电压，是静态工作点设置在功率管的截止区，以实现丙类（导通小于半个周期）工作】 3.工作原理【输入完整正余弦波形，ib和ic为脉冲波形，要求输出为同频率正余弦电压，所以在输入、输出端要有谐振回路，使ib和ic电流变为基波电压，实现无失真输出】 4.谐振回路的作用【选频：利用谐振回路的选频作用，可将失真的集电极电流脉冲变换为不失真的输出余弦电压阻抗匹配：调节 Lr 和 Cr , 谐振回路将含有电抗分量的外接负载变换为谐振电阻Re，实现阻抗匹配】5.直流供电【因为丙类功率谐振放大器是放大高频信号，对于高频信号的直流供电来说，应该引入高频扼流圈和滤波电容，进行高低频信号隔离，提高稳定性】 6.谐振功率放大器工作状态【欠压、临界和过压状态（波形形貌）】7.谐振功率放大器外部特性【负载特性放大特性（可以构成线性放大器，作为线性功放和振幅限幅器）调制特性（运用到基极、集电极调制电路，实现调幅作用）】第三章1.正弦波振荡器【反馈振荡器、负阻振荡器】 2.反馈振荡器结构组成【由主网络和反馈网络构成的闭合环路】3.闭合环路成为反馈振荡器的三个条件【(1)起振条件——保证接通电源后从无到有地建立起振荡(2)平衡条件——保证进入平衡状态后能输出等幅持续振荡(3)稳定条件——保证平衡状态不因外界不稳定因素影响而受到破坏】 4.三点式正弦波振荡器组成法则【交流通路中三极管的三个电极与谐振回路的三个引出端点相连接，其中，与发射极相接的为两个同性质电抗，而另一个（接在集电极与基极间）为异质电抗】 5.判断能否产生正弦振荡的方法【(1)是否可能振荡——首先看电路供电是否正确；二是看是否满足相位平衡条件(2)是否起振——看是否满足振幅起振条件(3)是否产生正弦波——看是否有正弦选频网络】6.3.2.3例题（不看例2）7.对于各个类型的振荡电路的优势【晶体振荡器优势：将石英谐振器作为振荡器谐振回路，就会有很高的回路标准性，因此有很高的频率稳定度】8.实现负阻振荡器利用的是什么【平均负增量电导】9.平均负增量电导在正弦波振荡器当中实现的作用【当正弦电压振幅增加时，相应的负阻器件向外电路提供的基波功率增长趋缓。
低频电子线路-《低频电子线路》
RL
ri
50 3 50 3
46
电流增益推导
Ai I o Ii
IC
RC RL RC
I b RB rbe
RB
I C RC RB I b RL RC RB rbe
3 540
3 3 540 3
100 1 1 50 2
47
电流增益推导
其中
Io
I 0
RC RL RC
b
oe ce
10
H参数模型及其参数的推导与表示
可得线性方程组
V h I h V
be
ie b
re ce
I h I h V
c
fe b
oe ce
11
晶体管输入电阻hie
当输出电压恒定，即vCE=VCEQ,输出端交流短路 时（ VCE=0)
V BE hie
i B V CEQ
()
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微变等效电路分析法 低频小信号（低频交流）微变量 网络模型参数（H参数） 适合进行交流参数分析计算
4
2.4.1 晶体管H参数等效电路
将晶体管等效为二端口网络，取其 网络参数。
5
1、H参数模型及其参数
电路的网络参数很多，如:
Z参数， Y参数， A参数， H参数等。
低频电子线路 练习题
（2）无负反馈放大器增益：
Av
v0 vi
4 40 0.1
由此可得: BvAA vvfA Avvf4 40 0 2 20 00.025
习题4.4
解：
负反馈所能抑制的干扰和噪声是 B 。 A、 输入信号所包含的干扰和噪声 B、 反馈环内的干扰和噪声 C、 反馈环外的干扰和噪声 D、 输出信号中的干扰和噪声
(g)电压串联负反馈
Ri ,R0, 可稳定 v0
(h)电压并联负反馈
Ri ,R0, 可稳定 v0
习题4.3 一个电压串联负反馈放大器，
当输入电压为0.1V时，输出电压为2V。 去掉负反馈后，对于0.1V的输入电压，输出 电压为4V ，计算它的电压反馈系数B v。
解：（1）负反馈放大器增益：
A vfv v0 i 1A A vvB v A vf0 2 .120
解：（1）电压并联负反馈
（2）由图可得：
if
v0 Rf
,
ii
vi Rs
在理想集成运放电路中：由“虚地”有：
ii if
v v0 i R R 1 f 3 vi1 V v03 V
习题4.13 判断图题4-13中各电路反馈的极性 及交流反馈的组态。
解：（a）电流串联负反馈
（b）电流并联负反馈 （c）电压并联负反馈
解法一：
（1）拆环等 效交流通路
信号源变换后等效交流通路
在深度负反馈条件下 并联负反馈的 R if 很 小，一般有 Rif Rs
（2）由图可得： if 1 , ii 1 v0 Rf vs Rs
在深度负反馈条件下： ii if
v0 v0 ii v0 ii vs ii vs if vs
Rf 3000 10 Rs 300
低频电子线路试卷(十套)
模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。
3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。
5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V；若u i1=1500µV, u i2=500µV，则差模输入电压u id为µV，共模输入信号u ic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE的变化情况为（）。
A．β增加，I CBO,和u BE减小 B. β和I CBO增加，u BE减小C．β和u BE减小，I CBO增加 D. β、I CBO和u BE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的茶分放大电路主要（）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比K CMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
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《高频电子线路》复习题（含解答）一、是非题（在括号内打“√”表示对，“×”表示错。
）1．多级耦合的调谐放大器的通频带比组成它的单级单调谐放大器的通频带宽。
（×）2．多级耦合的调谐放大器的选择性比组成它的单级单调谐放大器的选择性差。
（×）3．功率放大器是大信号放大器，要求在不失真的条件下能够得到足够大的输出功率。
（√）4．放大器必须同时满足相位平衡条件和振幅条件才能产生自激振荡。
（√）5．电感三点式振荡器的输出波形比电容三点式振荡器的输出波形好。
（×）6．在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻R可以加宽通频带。
（√）7．双边带（DSB）信号的振幅与调制信号的规律成正比。
（×）8．调频有两种方法，分别称为直接调频和间接调频。
（√）9．锁相环路与自动频率控制电路实现稳频功能时，锁相环路的性能优越。
（√）10．LC回路的品质因数Q值愈小，其选频能力愈强。
（×）11．调谐放大器兼有放大和选频功能。
（√）12．DSB调幅波中所包含的频率成分有载频、上下边频。
（×）13．LC回路的品质因数Q值愈小，其选频能力愈弱。
（√）14.调谐功率放大器是采用折线近似分析法。
（√）二、选择题（将一个正确选项前的字母填在括号内）1．欲提高功率放大器的效率，应使放大器的工作状态为（ D ）A．甲类 B．乙类 C．甲乙类 D．丙类2．为提高振荡频率的稳定度，高频正弦波振荡器一般选用（ B ）A．LC正弦波振荡器 B．晶体振荡器 C．RC正弦波振荡器3．若载波u C(t)=UCcosωC t,调制信号uΩ(t)= UΩcosΩt，则调相波的表达式为（ B ）A．u PM(t)=U C cos（ωC t＋m f sinΩt） B．u PM(t)=U C cos（ωC t＋m p cosΩt）C．u PM(t)=U C（1＋m p cosΩt）cosωC t D．u PM(t)=kUΩU C cosωC tcosΩt4．某调频波，其调制信号频率F＝1kHz，载波频率为10.7MHz，最大频偏Δf m＝10kHz，若调制信号的振幅不变，频率加倍，则此时调频波的频带宽度为（ B ）A．12kHz B．24kHz C．20kHz D．40kHz5．MC1596集成模拟乘法器不可以用作（ D ）A．混频 B．振幅调制 C．调幅波的解调 D．频率调制6．某丙类谐振功率放大器工作在临界状态，若保持其它参数不变，将集电极直流电源电压增大，则放大器的工作状态将变为（ D ）A．过压 B．弱过压 C．临界 D．欠压7．鉴频的描述是（ B ）A．调幅信号的解调 B．调频信号的解调 C．调相信号的解调8．下图所示框图能实现何种功能？（ C ）其中u s(t)= U s cosωs tcosΩt， u L(t)= U L cosωL tA．振幅调制 B．调幅波的解调 C．混频 D．鉴频9．二极管峰值包络检波器，原电路正常工作。
低频电子线路复习题一
低频电子线路复习题一1.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是 [ ]A.NPN 型硅管 B.PNP 型硅管 C.NPN 型锗管 图1.1 2V 6V D. PNP 型锗管 1.3V1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[ ]A. 饱和B. 放大C. 截止 图1.2D. 已损坏1.3 在如图1.3所示电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA 。
若把电源电压调整到V=10V ，则电流的大小将是 [ ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定图1.31.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V 不变。
当温度为20O C 时测得二极管的电压U D =0.7V 。
当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是[ ]A.仍等于0.7VB.大于0.7VC. 小于0.7VD.不能确定图1.41.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 [ ]A.I CBOB.I CESC.I CERD.I CEO1.7二极管的主要特性是 [ ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.9 下列选项中，不属三极管的参数是[ ]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM1.10 温度升高时，三极管的β值将A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.11 在N型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大1.13 在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[ ]A. 0.1 mAB. 2.5mAC. 5mAD. 15 mA图 1.131.14 在P型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.15 下列对场效应管的描述中，不正确的是[ ]A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；C 场效应管工作时多子、少子均参与导电；D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。
模拟电子线路习题.doc
一、判断题：（1）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ 错 ）（2）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ 对 ）（3）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ 错 ）（4）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ 错 ）（5）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ 对 ）（7）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ 错 ）（8）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ 对 ）（9）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（错 ）（11）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( 错 )（12）阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，( 对 )它只能放大交流信号。
( 对 )（13）直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响，( 对 )它只能放大直流信号。
( 错 )（14）只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
( 错 )（16）运放的共模抑制比cd CMR A A K ( 对 ) （17）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( 错 )（18）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
（ 错 ）（20）若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。
（ 错 ）（21）只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。
（ 错 ）（22）放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。
（ 错 ）（23）反馈量仅仅决定于输出量。
（ 对 ）（24）既然电流负反馈稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。
（ 错 ）（25）运算电路中一般均引入负反馈。
（ 对 ）（26）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（ 错 ）（27）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
高频电子线路复习题-期末考试题库
高频电子线路复习题第一、二章绪论及选聘网络练习题1. 连续波三种调制方式为： 、 、 。
调频 调幅 调相；2. .无线电超外差调幅接收机电路包括：接收天线、高频小信号放大器、 、 、中频放大器、 、低频放大器、电源等。
3.当信号源频率ω ω0（回路谐振频率）时，并联谐振回路呈感性。
小于 或 ＜4. 并联谐振又称为 谐振。
品质因数为Q 的谐振回路的谐振电阻等于电感支路或电容支路电抗值的 倍。
电流 Q5、串联谐振又称为 谐振，若已知信号源电压振幅为S V ，回路品质因数为Q ，则谐振时回路中的回路元件上的电压=0L V , =0C V 。
并联谐振回路的相对通频带为 。
（4分）电压 s V jQ sV jQ - 07.02f f ∆或Q 1 （4分）6、晶体管单谐振回路放大器的矩形系数为：（2分）0.1010.72 ( )2r f K f ⋅∆==≈∆9.957、已知某晶体管的特征频率为300MHz ，则可估算此晶体管工作在10MHz 时的电流放大系数为 。
（2分）308、有一雷达接收机的中频为30MHz ，通频带为10MHz ，则所需中频回路的Q L 值为： ．（2分）3 （2分）9. LC 谐振回路的谐振频率为300kHz ，通频带为10kHz ，此回路的相对通频带为 。
1/3010. 已知一并联谐振回路的谐振频率和其通频带，欲展宽其通频带可以采用在现有谐振回路 。
两端并联电阻的方法并联谐振回路通频带展宽一倍的方法是在回路两端并联一个电阻，其阻值等于回路谐振电阻。
√11、有3级相同的单级增益为A 带宽为Δf 的单调谐回路组成的中放电路的总的增益和带宽分别为 和 。
A 3 0.51Δf （或Δf 21）12、选频网络的品质因数Q 值愈大，其选频能力愈强。
LC 回路的品质因数Q 值愈小，其选频能力愈强。
×13、选择性滤波器主要有 滤波器、 晶体滤波器、 滤波器和 波滤器。
（4分）LC 集中选择性 石英晶体 陶瓷 表面声波 （4分）14、例3.1.1 设某一串联谐振回路的谐振频率为600kHz ，它的L=150H μ，5R =Ω。
电子线路期末试卷及答案
(1)在半导体内部，只有电子是载流子.(2)在N型半导体中,多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子.（3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压（门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。
（4）在外电场作用下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流.（5）晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。
（6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极.(7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。
（8）在单管放大电路中，若V G不变,只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值.(9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为A v1、A v2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为A v，A v=A v1+A v2。
（10）晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大.（1）当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是( )。
A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子（2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为( ).A．v o＝i c R c B．v o＝-R c i c C．v o＝—I c R c(3）用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到（）。
A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡（4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于().A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关(5)晶体三极管工作在饱和状态时,它的I C将( )。
A．随I B增加而增加 B．随I B增加而减小 C．与I B无关，只决定于R C和V G(6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是（ ).A．同相位 B．相位差90° C．相位差180°（7）NPN型三极管放大电路中,当集电极电流增大时,则晶体三极管（ ).A．基极电流不变； B．集电极对发射极电压V CE下降； C．集电极对发射极电压V CE上升(8）当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将（ )。
电子线路单元复习测试题《低频小信号》
A.10
B.20
C. 40
D. 100
答题卡
1
2
3
4
5
6பைடு நூலகம்
7
8
9
10
是
非
题 11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
单
选
题 11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
16. 某放大器的电压放大倍数为 1000, 电流放大倍数为 100,那么它的功率增益为
（ ）dB。
A.20
B.30
C. 40
D. 50
17.在分压式共射极放大电路中，若更换管子使β由 100 变为 50，则电路中的电压
放大倍数（ ）。
A. 基本不变 B. 为原来的 0.5 倍 C. 为原来的 2 倍 D. 为原来的 4 倍
8.三极管的β值,在任何电路中都是适当选取。
（）
9.要使信号在整个周期内不发生非线性失真取决静态工作点的设置。 （ ）
10.共发射极放大器集电极电阻 Rc 的作用是：防止输出的交流信号对地短路，把放
大的电流转换成电压。（ ）
11.放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（ ）
12.小信号交流放大器造成截止失真的原因是静态工作点选得过高，可以增大 Rb
B. Rc 短路
C. Rc 开路
D. Rb 开路
4.分压式偏置放大器用作音频放大器，Ucc=12V,现用万用表测得 UCE=12V，说明
通信电子线路 复习题(含答案)
通信电子线路复习题（含答案）一、填空题1．无线电通信中，信号是以电磁波形式发射出去的。
它的调制方式有调幅、调频、调相。
2. 针对不同的调制方式有三种解调方式，分别是检波、鉴频、和鉴相。
3. 在无线电技术中，一个信号的表示方法有三种，分别是数学表达式、波形、频谱。
4. 调频电路有直接调频、间接调频两种方式5. 根据工作特点的不同，检波器有同步检波器和非同步检波器两种。
6.对于FM广播、TV、导航移动通信均属于超短波波段通信。
7. 晶体管选定后，接入系数和回路总电容不变时，单调谐回路放大器的增益和通频带成反比关系。
与单调谐回路相比，双调谐回路谐振放大器的优点是选择性好。
8. 谐振功率放大器通常工作在丙类，此类功率放大器的工作原理是：当输入信号为余弦波时，其集电极电流为脉冲波，由于集电极负载的滤波作用，输出的是与输入信号频率相同的正弦波。
9.检波有同步和非同步检波两种形式。
10.电话话音信号的频率范围为300~3400Hz，音频信号的频率范围为20~20KHz。
11.通信系统的组成为信息源、发送设备、传输信道、接收设备和收信装置。
12.调谐放大器主要由晶体管和调谐电路组成，其衡量指标为放大倍数和选频性能。
13. 角度调制是用音频信号控制载波的频率、相位。
14. 短波的波长较短，地面绕射能力弱，且底面吸收损耗较大，不宜地面传播。
15.实际谐振曲线偏离理想谐振曲线的程度，用矩形系数指标衡量。
16.和振幅调制相比，角度调制的主要优点是抗干扰能力强，因此它们在通信中获得了广泛的应用。
17.小信号调谐放大器的集电极负载为LC谐振回路。
18.小信号调谐放大器双调谐回路的带宽为单调谐回路带宽的1.4倍。
13电子专业电子线路月考试卷(修改后)
宿城中等专业学校2015-2016学年度第一学期月考考试高二年级电子专业电子线路命题人：王翠荣分值：120分一、选择题(4分×8题=32分)1、在甲类单管功率放大器中，输入信号越小输出功率越小时，则（）A、管子的损耗就越小B、管子的损耗就越大C、管的损耗不变D、管子的损耗为零2、甲类功率放大器的最高理想效率是（）A、78.5%B、65%C、50%D、30%3、有一甲类单管功率放大器，其输入信号为一正弦波，输入信号越大（设放大倍数恒定），输出的交流功率也越大，此时直流电源供给的功率应（）A、越大B、减小C、不变D、等于零4、甲乙类功放提供一定的偏置电流的目的是为了（）A、消除饱和失真B、增大放大倍数C、消除交越失真D、改善频率特性5、一个乙类功放的理想输出功率为4W，当输入信号为0时，则功放管的管耗为（）A、4WB、2WC、0.88WD、0W二、判断题（2分×5题=10分）1、功率放大器是大信号放大器，要求在不失真的条件下，能得以足够大的输出功率和效率。
………………………………………………………………………………（）2、当单管功率放大器的输入信号为零时，此时电源供给的直流功率PE=0。
（）3、当单管放大器输出功率为零时此时晶体管消耗的功率最大，效率最低。
（）4、甲乙类推挽功放电路的输出正弦波中存在着交越失真现象。
……………（）5、甲类功率放大电路没有信号输入时，此时晶体管的损耗是最小的。
…（）6、乙类功放的效率比甲类功放的效率高。
…………………………………（）7、为使单管甲类功率放大器有足够的输出功率，允许功放三极管工作在极限状态。
……………………………………………………………………………（）8、有一单管甲类功放，其输出变压器原先接8欧扬声器，有人把它错接成4欧的，其他条件不变，则输出功率变小大。
………………………………………（）9、乙类功放的效率最高，故乙类功放应用最广泛。
…………………………（）10、在推挽功放电路中，只要两个三极管具有合适的偏置电流，就可以消除交越失真。
(完整版)高频电子线路复习题一答案
高频电子电路第一章（一) 填空题1、语音信号的频率范围为，图象信号的频率范围为，音频信号的频率范围为 .（答案：300～3400Hz；0～6MHz；20Hz～20kHz）2、无线电发送设备中常用的高频电路有、、、。
（答案：振荡器、调制电路、高频放大器、高频功率放大器）3、无线电接收设备中常用的高频电路有、、、 .(答案：高频放大器、解调器、混频器；振荡器）4、通信系统的组成: 、、、、。
（答案：信号源、发送设备、传输信道、接收设备、终端）5、在接收设备中，检波器的作用是。
（答案：还原调制信号）6、有线通信的传输信道是，无线通信的传输信道是。
（答案：电缆；自由空间）7、调制是用音频信号控制载波的、、。
（答案：振幅；频率;相位）8、无线电波传播速度固定不变，频率越高，波长 ;频率；波长越长. （答案：越短；越低）（二）选择题1、下列表达式正确的是 .A)低频信号可直接从天线有效地辐射.B）低频信号必须转载到高频信号上才能从天线有效地辐射.C）高频信号及低频信号都不能从天线上有效地辐射。
D）高频信号及低频信号都能从天线上有效地辐射。
（答案：B)2、为了有效地发射电磁波，天线尺寸必须与相比拟.A)辐射信号的波长。
B)辐射信号的频率。
C）辐射信号的振幅。
D）辐射信号的相位.（答案：A)3、电视、调频广播和移动通信均属通信。
A）超短波 B)短波 C)中波 D)微波(答案：A）（三）问答题1、画出通信系统的一般模型框图。
2、画出用正弦波进行调幅时已调波的波形。
3、画出用方波进行调幅时已调波的波形.第二章《高频小信号放大器》（一）填空题1、LC选频网络的作用是。
(答案：从输入信号中选出有用频率的信号抑制干扰的频率的信号）2、LC选频网络的电路形式是。
（答案：串联回路和并联回路）3、在接收机的输入回路中，靠改变进行选台。
（答案:可变电容器电容量）4、单位谐振曲线指。
(答案:任意频率下的回路电流I与谐振时回路电流I之比）5、LC串联谐振电路Q值下降，单位谐振曲线，回路选择性。
信号与系统课后习题答案
信号与系统课后习题答案《低频电⼦线路》⼀、单选题（每题2分，共28分：双号做双号题，单号做单号题）1.若给PN结两端加正向电压时，空间电荷区将（）A变窄B基本不变C变宽D⽆法确定2.设⼆极管的端电压为 U，则⼆极管的电流与电压之间是（）A正⽐例关系B对数关系C指数关系D⽆关系3.稳压管的稳压区是其⼯作（）A正向导通B反向截⽌C反向击穿D反向导通4.当晶体管⼯作在饱和区时，发射结电压和集电结电压应为 ( ) A前者反偏，后者也反偏B前者反偏，后者正偏C前者正偏，后者反偏D前者正偏，后者也正偏5.在本征半导体中加⼊何种元素可形成N型半导体。
（）A五价B四价C三价D六价6.加⼊何种元素可形成P 型半导体。
（）A五价B四价C三价D六价7.当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将（）。
A 增⼤B 不变C 减⼩ D不受温度影响8. 稳压⼆极管两端的电压必须（）它的稳压值Uz 才有导通电流，否则处于截⽌状态。
A 等于 B ⼤于 C ⼩于 D与Uz ⽆关9. ⽤直流电压表测得放⼤电路中某三极管各极电位分别是2V 、6V 、2.7V ，则三个电极分别是（） A （B 、C 、E ） B （C 、B 、E ） C （E 、C 、B ） D（B 、C 、E ）10. 三极管的反向电流I CBO 是由（）形成的。
A 多数载流⼦的扩散运动 B 少数载流⼦的漂移运动 C 多数载流⼦的漂移运动D少数载流⼦的扩散运动11. 晶体三极管⼯作在饱和状态时，集电极电流Ci 将（）。
A 随B i 增加⽽增加 B 随B i 增加⽽减少C 与Bi ⽆关，只决定于eR 和CEuD不变12. 理想⼆极管的正向电阻为( )A A.零 B.⽆穷⼤ C.约⼏千欧 D.约⼏⼗欧13. 放⼤器的输⼊电阻⾼，表明其放⼤微弱信号能⼒（）。
A 强B 弱C ⼀般 D不⼀定14. 某两级放⼤电路，第⼀级电压放⼤倍数为5，第⼆级电压放⼤倍数为20，该放⼤电路的放⼤倍数为（）。
(完整word)高频电子线路期末复习题
高频电子线路复习题第一章 复习题一、填空题：1. （1）为了改善系统的性能、实现信号的（远距离有效传输）及（多路复用），通信系统中广泛采用调制技术。
（2）用待传输的基带信号去改变高频载波信号某一参数的过程，称为（调制），用基带信号去改变载波信号的幅度，称为（调幅）。
（3）无线电波传播方式大体可分为（沿地面传播）、（直线传播）、（依靠电离层的传播）。
（4）非线性器件能够产生（新频率分量），具有（频率变换）的作用.1.3已知调制信号()2cos(2π500)V,u t t Ω=⨯载波信号5()4cos(2π10)V,c u t t =⨯令比例常数1a k =，试写出调幅波表示式，求出调幅系数及频带宽度。
画出调幅波频谱图。
解: ))](cos cos(1[00t t m U U c a m ϖΩ+==4(1+0.5cos V t t )102cos()50025⨯⨯ππ5.0420===Ωm m aa U U k m 14212121=⨯⨯=ma a U m BW=2F=2⨯500=1000Hz2、已知调制信号 ,)8002cos(3)(V t t u ⨯=Ωπ 载波信号 ,)102cos(66V uc ⨯=π令比例常数1a k =，试写出调幅波表示式，求出调幅系数及频带宽度。
画出调幅波频谱图。
解:))](cos cos(1[00t t ma U U c m ϖΩ+==6(1+0.5cos2πV t t )102cos()8006⨯⨯π5.0630===Ωm m a a U U k m 5.16212121=⨯⨯=ma maU BW=2F=HZ 16008002=⨯三、问答题：下图是通信系的基本组成框图。
试述各组成部分的作用？信源:信息的来源输入变换器:将信源输入的信息变换成电信号,该信号称为基带信号发送设备:将基带信号进行某种处理并以足够的功率送入信道信道:信号传输的通道接收设备:由信道传送过来的已调信号由接收设备取出并进行处理,得到与发送端相对的基带信号(解调),复原成原来形式的信息.输出调换器:将信源输出电信号复原成原来形式的信息.第二章复习题一、单选题：1. 单调谐放大器中，Qe对选择性和通频带的影响是（B ）。
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低频电子线路复习题一1.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是[ ]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管图1.1 2V 6VD.PNP型锗管 1.3V1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[ ]A.饱和B.放大C.截止图1.2D.已损坏1.3 在如图1.3所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[ ] A.I=2mA B.I<2mAC.I>2mAD.不能确定图1.31.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V不变。
当温度为20O C时测得二极管的电压U D =0.7V。
当温度上生到为40O C时,则UD的大小将是[ ]A.仍等于0.7VB.大于0.7VC. 小于0.7VD.不能确定图1.41.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[ ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是[ ]A.ICBO B.ICESC.ICERD.ICEO1.7二极管的主要特性是[ ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.9 下列选项中，不属三极管的参数是[ ]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM1.10 温度升高时，三极管的β值将A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.11 在N型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大1.13 在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[ ]A. 0.1 mAB. 2.5mAC. 5mAD. 15 mA图 1.131.14 在P型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.15 下列对场效应管的描述中，不正确的是[ ]A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；C 场效应管工作时多子、少子均参与导电；D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。
1.16 在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的[ ]A.可变电阻区B.截止区C.饱和区D.击穿区1.17 表征场效应管放大作用的重要参数是[ ]A.电流放大系数βB.跨导gm =ΔID/ΔUGSC.开启电压UT D.直流输入电阻RGS1.18 下列选项中，不属场效应管直流参数的是[ ]A.饱和漏极电流IDSS B.低频跨导gmC.开启电压UT D.夹断电压UP1.19 双极型晶体三极管工作时参与导电的是[ ]A 多子B 少子C 多子和少子D 多子或少子1.20 双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是[ ]A 发射结正偏，集电结正偏B 发射结正偏，集电结反偏C 发射结反偏，集电结反偏D 发射结反偏，集电结正偏1.21 选择括号中的答案填空（只填答案a、b、c、……）。
1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系，（a.温度，b.掺杂工艺，c.杂质浓度，d.晶体缺陷）2、当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。
当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。
(a.大于，b.小于，c.等于，d.变宽，e.变宽f.不变)3、温度升高时，晶体管的电流放大系数β，反向饱和电流ICBO，正向结电压UBE。
(a.变大，d.变小，c.不变)4、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
(a.上移，b.下移，c.左移，d.右移，e.增大，f.减小，g.不变)1.22 用大于号(>)、小于号(<)或等号(=)填空：1、在本征半导体中，电子浓度空穴浓度；2、在P型半导体中，电子浓度空穴浓度；3、在N型半导体中，电子浓度空穴浓度。
1.23 判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画√或×。
1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
（）2、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。
（）3、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ ）4、PN 结构的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
（ ）5、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
（ ）6、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。
（ ）7、PN 结方程可以描述PN 结在的正向特性和反向特性，也可以描述PN 结的反向击穿特性。
（ ）8、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
（ ）9、通常的JFET 管在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。
（ ）10、有人测得某晶体管的U BE =0.7V ，I B =20μA ，因此推算出r be =U BE /I B =0.7V/20μA=35k Ω。
（ ）11、有人测得晶体管在U BE =0.6V ，I B =5μA ，因此认为在此工作点上的r be 大约为26mV/I B =5.2k Ω。
（ ）12、有人测得当U BE =0.6V ，I B =10μA 。
考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到0.6060()100BE be B U r k I ∆-===Ω∆- （ ）1.24 选择正确的答案填空：1、用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指NPN 型还是PNP 型）与三个电极时以测出 最为方便。
a.中极间电阻b.各极对地电位c.各极电流2、一个硅二极管在正向电压U D =0.6V 时，正向电流I D =10mA 。
若U D 增大到0.66V （即增加10%），则电流I D 。
a.约为11mA （也增加10%）；b.约为20mA （增大1倍）；c.约为100mA （增大到原先的10倍）；d.仍为10mA （基本不变）。
3、设电路中保持V=5V 不变，当温度为20℃时测得二极管的电压U D =0.7V 。
当温度上升到40℃时，则U D 的大小将是 。
a. I =2mAb. I <2mAc. I >2mA1.25 填空：1、半导体中载流子的基本运动形式有：和。
2、二极管的最主要特性是，它的两个主要参数是反映正向特性的和反映反向的特性的。
3、在常温下，硅二极管的开启电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V；锗二极管的开启电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V。
4、场效应管从结构上分成和两大类型。
它们的导电过程仅仅取决于载流子。
5、场效应管属于控制型器件。
6、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参于导电。
7、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
场效应管从结构上分成和两大类型，它们的导电过程仅仅取决于载流子的流动。
8、场效应管属于控制型器件，而晶体管若用简化的h参数等效电路来分析则可以认为是控制型器件。
9、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于偏置，集电结处于偏置。
2.1 在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.2在基本共射放大电路中，负载电阻RL 减小时，输出电阻RO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定2.3 在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.4在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。
A 共射电路B 共基电路C 共集电路D 共射-共基电路2.5 在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.6 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真2.7以下电路中，可用作电压跟随器的是[ ]A．差分放大电路 B．共基电路C．共射电路 D．共集电路2.8 晶体三极管的关系式iE =f(uEB)|uCB代表三极管的A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性2.9 对于图2.9所示的复合管，穿透电流为（设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流）A.ICEO = ICEO2↓ICEOB.ICEO =ICEO1+ICEO2C.ICEO =（1+β2）ICEO1+ICEO2D.ICEO =ICEO1图2.9 [ ]2.10 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[ ]B.饱和失真 B.截止失真C.交越失真D.频率失真2.11对于基本共射放大电路， Rb 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定2.12在基本共射放大电路中，信号源内阻RS 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定2.13 在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.14 在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.15 某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为。
2.16 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结、集电结。
2.17 对于基本共射放大电路，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(a.增大，b.减小，c.不变)，选择正确的答案填入空格。
1、Rb 减小时，输入电阻Ri。
2、Rb 增大时，输出电阻Ro。
3、信号源内阻Rs 增大时，输入电阻Ri。
4、信号源内阻Rs 减小时，电压放大倍数||||oussUAU=。
5、负载电阻RL 增大时，电压放大倍数||||oussUAU=。
6、负载电阻RL 减小时，输出电阻Ro。
2.18 选择正确的答案填空。
1、复合管的额定功耗是。
(a.各晶体管额定功耗之和；b.前面管子的额定功耗；c.后面管子的额定功耗；d.各晶体管额定功耗的平均值)2、复合管的反向击穿电压等于。