半导体基础知识

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半导体基础知识
D
G
S 图 P 沟道结型场效应管结构图
S 符号
二、工作原理
N 沟道结型场效应管用改变 UGS 大小来控制漏极电
流 ID 的。
耗尽层
D 漏极
*在栅极和源极之间
加反向电压,耗尽层会变
栅极
G
N
P+ 型 P+
沟 道
N
S 源极
宽,导电沟道宽度减小, 使沟道本身的电阻值增大, 漏极电流 ID 减小,反之, 漏极 ID 电流将增加。
e
e
图 三极管中的两个 PN 结
c
三极管内部结构要求:
N
b
PP
NN
1. 发射区高掺杂。
2. 基区做得很薄。通常只有 几微米到几十微米,而且掺杂较 少。
3. 集电结面积大。
e
三极管放大的外部条件:外加电源的极性应使发射 结处于正向偏置状态,而集电结处于反向偏置状态。
三极管中载流子运动过程
c
Rc
IB
I / mA
60
40 死区 20 电压
0 0.4 0.8 U / V
正向特性
2. 反向特性 二极管加反向电压,反 向电流很小; 当电压超过零点几伏后, 反向电流不随电压增加而增
I / mA
–50 –25
0U / V
击穿 – 0.02 电压 U(BR) – 0.04
反向饱 和电流
大,即饱和;
反向特性
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
+4
+4
+4
自由电子
+4
+45
+4
施主原子
+4
+4

半导体的基本知识

半导体的基本知识

第1章 半导体的基本知识1.1 半导体及PN 结半导体器件是20世纪中期开始发展起来的,具有体积小、重量轻、使用寿命长、可靠性高、输入功率小和功率转换效率高等优点,因而在现代电子技术中得到广泛的应用。

半导体器件是构成电子电路的基础。

半导体器件和电阻、电容、电感等器件连接起来,可以组成各种电子电路。

顾名思义,半导体器件都是由半导体材料制成的,就必须对半导体材料的特点有一定的了解。

1.1.1 半导体的基本特性在自然界中存在着许多不同的物质,根据其导电性能的不同大体可分为导体、绝缘体和半导体三大类。

通常将很容易导电、电阻率小于410-Ω•cm 的物质,称为导体,例如铜、铝、银等金属材料;将很难导电、电阻率大于1010Ω•cm 的物质,称为绝缘体,例如塑料、橡胶、陶瓷等材料;将导电能力介于导体和绝缘体之间、电阻率在410-Ω•cm ~1010Ω•cm 范围内的物质,称为半导体。

常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。

用半导体材料制作电子元器件,不是因为它的导电能力介于导体和绝缘体之间,而是由于其导电能力会随着温度的变化、光照或掺入杂质的多少发生显著的变化,这就是半导体不同于导体的特殊性质。

1、热敏性所谓热敏性就是半导体的导电能力随着温度的升高而迅速增加。

半导体的电阻率对温度的变化十分敏感。

例如纯净的锗从20℃升高到30℃时,它的电阻率几乎减小为原来的1/2。

而一般的金属导体的电阻率则变化较小,比如铜,当温度同样升高10℃时,它的电阻率几乎不变。

2、光敏性半导体的导电能力随光照的变化有显著改变的特性叫做光敏性。

一种硫化铜薄膜在暗处其电阻为几十兆欧姆,受光照后,电阻可以下降到几十千欧姆,只有原来的1%。

自动控制中用的光电二极管和光敏电阻,就是利用光敏特性制成的。

而金属导体在阳光下或在暗处其电阻率一般没有什么变化。

3、杂敏性所谓杂敏性就是半导体的导电能力因掺入适量杂质而发生很大的变化。

在半导体硅中,只要掺入亿分之一的硼,电阻率就会下降到原来的几万分之—。

半导体基础知识

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设VCC = 5V 加到A,B的 VIH=3V
VIL=0V 二极管导通时 VDF=0.7V
A BY 0V 0V 0V 0V 3V 2.3V 3V 0V 2.3V 3V 3V 2.3V
规定2.3V以上为1 0V以下为0
A BY 0 00 0 11 1 01 1 11
二极管构成的门电路的缺点
• 电平有偏移 • 带负载能力差
第三章 门电路
3.1 概述 • 门电路:实现基本运算、复合运算的单元电路,如
与门、与非门、或门 ······
门电路中以高/低电平表 示逻辑状态的1/0
获得高、低电平的基本原理
高/低电平都允许有 一定的变化范围
正逻辑:高电平表示1,低电平表示0 负逻辑:高电平表示0,低电平表示1
3.2半导体二极管门电路
T1 , T2同时导通
若T1 , T2参数完全对称,VI
1 2
VDD时,VO
1 2 VDD
三、输入噪声容限
在VI 偏离VIH 和VIL的一定范围内,VO 基本不变; 在输出变化允许范围内,允许输入的变化范围称为输入噪声容限
VNH VOH(min) VIH (min) VNL VIL(max) VOL(max)
• 硅管,0.5 ~ 0.7V • 锗管,0.2 ~ 0.3V
• 近似认为:
• VBE < VON iB = 0 • VBE ≥ VON iB 的大小由外电路电压,电阻决定
iB
VBB VBE Rb
三极管的输出特性
• 固定一个IB值,即得一条曲线, 在VCE > 0.7V以后,基本为水平直线
iC f (VCE )
iC f (VCE )
三、双极型三极管的基本开关电路

半导体基础知识

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第一章、半导体器件
1、为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体,导电性能极差,又将其掺杂,改善导电性能?
制成本征半导体是为了讲自然界中的半导体材料进行提纯,然后人工掺杂,通过控制掺杂的浓度就可以控制半导体的导电性,以达到人们的需求
2、为什么半导体器件的温度稳定性差?是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素?
导致半导体性能温度稳定性差的主要原因有二:β
(1)禁带宽度与温度有关(一般,随着温度的升高而变窄);(2)少数载流子浓度与温度有关(随着温度的升高而指数式增加)。

多子。

3、为什么半导体器件有最高工作频率?
这是因为半导体器件的主要组成单元是PN结,PN结的显著特征是单向导电性,因为PN结的反向截止区是由耗尽层变宽导致截止,而这个过程是需要一定的时间的,如果频率太高导致时间周期小于截止时间就可能造成PN结失去单向导电性,导致半导体器件不能正常工作,所以半导体器件有最高工作频率的限制。

4、整流,是指将交流电变换为直流电称为AC/DC变换,这正变换的功率流向是由电源传向负载,称之为整流。

5、为什么基极开路集电极回路会有穿透电流?
虽然集电结是反偏的,虽然基极是开路的,但是,晶体管芯,是块半导体材料。

半导体材料,又不是绝缘体,加上电压,就有微弱的电流,这很正常。

从集电区向基区出现的“反向饱和电流Icbo”,在基极没有出路,就流向发射极了。

这一流动,就形成了一个Ib。

这个Ib,就引出了一个贝塔倍的Ic; 这个Ib和Ic之和,就是穿透电流Iceo,等于(1+贝塔)Icbo。

6、
展开。

半导体基础知识

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生20%波动时,负载电压基本不变。
求:电阻R和输入电压 ui 的正常值。
解:令输入电压达到上限时,流过稳压管的电
流为Izmax 。
i
I zmax
U ZW RL
25mA
1.2ui iR U zW 25R 10
——方程1
(1-37)
令输入电压降到下限 时,流过稳压管的电 流为Izmin 。
i
iL
+4
+4
+4
+4
共价键有很强的结合力,使原子规 则排列,形成晶体。
共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为 束缚电子,常温下束缚电子很难脱离共价键成为自 由电子,因此本征半导体中的自由电子很少,所以 本征半导体的导电能力很弱。
(1-8)
二、本征半导体的导电机理 1.载流子、自由电子和空穴
在绝对0度(T=0K)和没有外界激发时,价 电子完全被共价键束缚着,本征半导体中没有 可以运动的带电粒子(即载流子),它的导电 能力为 0,相当于绝缘体。
R
ui
DZ
iZRL uo
i
I
zm in
U ZW RL
10mA
0.8ui iR U zW 10R 10
——方程2
联立方程1、2,可解得:
ui 18.75V, R 0.5k
(1-38)
1.3.2 光电二极管
反向电流随光照强度的增加而上升。
I U
照度增加
(1-39)
1.3.3 发光二极管
有正向电流流过 时,发出一定波长 范围的光,目前的 发光管可以发出从 红外到可见波段的 光,它的电特性与 一般二极管类似。
注意:
1、空间电荷区中没有载流子。

半导体的基本知识

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半导体的基本知识半导体是一种电导率介于导体和绝缘体之间的材料。

半导体的电性质可以通过施加电场或光照来改变,这使得半导体在电子学和光电子学等领域有广泛的应用。

以下是关于半导体的一些基本知识:1. 基本概念:导体、绝缘体和半导体:导体(Conductor):电导率很高,电子容易通过的材料,如金属。

绝缘体(Insulator):电导率很低,电子很难通过的材料,如橡胶、玻璃。

半导体(Semiconductor):电导率介于导体和绝缘体之间的材料,如硅、锗。

2. 晶体结构:半导体通常以晶体结构存在,常见的半导体材料有硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等。

3. 电子能带:价带和导带:半导体中的电子能带分为价带和导带。

电子在价带中,但在施加电场或光照的作用下,电子可以跃迁到导带中,形成电流。

能隙:价带和导带之间的能量差称为能隙。

半导体的能隙通常较小,这使得它在室温下就能够被外部能量激发。

4. 本征半导体和杂质半导体:本征半导体:纯净的半导体材料,如纯硅。

杂质半导体:在半导体中引入少量杂质(掺杂)以改变其导电性质。

掺入五价元素(如磷、砷)形成n型半导体,而掺入三价元素(如硼、铝)形成p型半导体。

5. p-n 结:p-n 结:将p型半导体和n型半导体通过特定工艺连接在一起形成p-n 结。

这是许多半导体器件的基础,如二极管和晶体管。

6. 半导体器件:二极管(Diode):由p-n 结构构成,具有整流特性。

晶体管(Transistor):由多个p-n 结构组成,可以放大和控制电流。

集成电路(Integrated Circuit,IC):在半导体上制造出许多微小的电子器件,形成集成电路,实现多种功能。

7. 半导体的应用:电子学:微电子器件、逻辑电路、存储器件等。

光电子学:光电二极管、激光二极管等。

太阳能电池:利用半导体材料的光伏效应。

这些是半导体的一些基本知识,半导体技术的不断发展推动了现代电子、通信和计算机等领域的快速进步。

半导体器件的基础知识

半导体器件的基础知识

向电压—V(BR)CBO。 当集电极开路时,发射极与基极之间所能承受的最高反
向电压—V(BR)EBO。
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28
1.2 半导体三极管
③ 集电极最大允许耗散功率 PCM 在三极管因温度升高而引起的参数变化不超过允许值时, 集电极所消耗的最大功率称集电极最大允许耗散功率。
三极管应工作在三极 管最大损耗曲线图中的安 全工作区。三极管最大损 耗曲线如图所示。
热击穿:若反向电流增大并超过允许值,会使 PN 结烧 坏,称为热击穿。
结电容:PN 结存在着电容,该电容为 PN 结的结电容。
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5
1.1 半导体二极管
1.1.3 半导体二极管
1.半导体二极管的结构和符号 利用 PN 结的单向导电性,可以用来制造一种半导体器 件 —— 半导体二极管。 电路符号如图所示。
将两个 NPN 管接入判断 三极管 C 脚和 E 脚的测试电 路,如图所示,万用表显示阻
值小的管子的 值大。
4.判断三极管 ICEO 的大小 以 NPN 型为例,用万用 表测试 C、E 间的阻值,阻值 越大,表示 ICEO 越小。
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33
1.2 半导体三极管
1.2.6 片状三极管
1.片状三极管的封装 小功率三极管:额定功率在 100 mW ~ 200 mW 的小功率 三极管,一般采用 SOT-23形式封装。如图所示。
精选课件
21
1.2 半导体三极管
由图可见: (1)当 V CE ≥ 1 V 时,特性曲线基本重合。 (2)当 VBE 很小时,IB 等于零,三极管处于截止状态。
精选课件
22
1.2 半导体三极管
(3)当 VBE 大于门槛电压(硅管约 0.5 V,锗管约 0.2 V) 时,IB 逐渐增大,三极管开始导通。

半导体的基础知识

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I
内电场 外电场
R
E 外电场与内电场的方向相反,内电场变弱,结果使空 间电荷区(PN结)变窄。
(2)反向截止
① 定义: P区接电源负极,N区接电源正极,则为 加反向电压,称反向偏置,简称反偏。如图所示。 ② 电路图 耗尽层 P区 N区
内电场 外电场
R
E 外电场与内电场的方向相同,内电场变弱,结果使空 间电荷区(PN结)变宽。
(2)负载电压的平均值
数学理论证明,一个周期内,半波整流电路输出电压的平 1 均值是交流电压 即峰值的
UO
2 E2

0.45E2
(6-1)
(3)负载电流的平均值
Uo E2 IL 0.45 RL RL
(6-2)
(4)整流元件的选择
流过整流二极管VD的平均电流: I D I L
T
负载
e1
e2
RL
U0
图6—2单相半波整流电路
(1)工作原理
设变压器副边感应交流电压为 E2 为交流电压的有效值 e2 2 E 2 sin t A、在交流电压的正半周(0-π ),输出电压极性a端为 正、b端为负,如图6—3(a)所示,二极管VD正偏导通, 负载RL上获得的电压为 U o e2
2、二极管的伏安特性
iD/mA 1)二极管伏安特性曲线 20 AB段:正向导通区 接 近 直 线
15
10 OC段:反向截止区 5
B
O
C -40 -30 -20 -10 -10
A 0.8 u / V D
0.2 0.4 0.6 OA段:死区
D
CD段:反向击穿 区
-20
-30
-40
相关题:121、245

半导体器件基础知识

半导体器件基础知识

半导体基础知识一、半导体本础知识(一)半导体自然界的物质按其导电能力区别,可分为导体、半导体、绝缘体三类。

半导体是导电能力介于导体和绝缘体之前的物质,其电阻率在10-3~109Ω范围内。

用于制作半导体元件的材料通常用硅或锗材料。

(二)半导体的种类在纯净的半导体中掺入特定的微量杂质元素,能使半导体的导电能力大提高。

掺入杂质后的半导体称为杂质半导体。

根据掺杂元素的性质不同,杂质半导体可分为N型和P型半导体。

(三)PN结及其特性1、PN结:PN结是构成半导体二极管、三极管、场效应管和集成电路的基础。

它是由P型半导体和N型半导体相“接触”后在它们交界处附近形成的特殊带电薄层。

2、PN结的单向导电性:当PN结外加正向电压(又叫正向偏置)时,PN结会表现为一个很小的电阻,正向电流会随外加的电压的升高而急速上升。

称这时的PN结处于导通状态。

当PN结外加反向电压(以叫反向偏置)时,PN结会表现为一个很大的电阻,只有极小的漏电流通过且不会随反向电压的增大而增大,这时的电流称为反向饱和电流。

称这时的PN结处于截止状态。

当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。

这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。

3、频率特性由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。

导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。

二、半导体二极管(一)半导体二极管及其基本特性1、半导体二极管:半导体二极管(简称为二极管)是由一个PN结加上电极引线并封装在玻璃或塑料管壳中而成的。

其中正极(或称为阳极)从P区引出,负极(或称为阴极)从N区引出。

以下是常见的一些二极管的电路符号:普通二极管稳压二极管发光二极管整流桥堆2、二极管的伏安特性二极管的伏安特征如下图所示:二极管的伏安特性曲线(二)二极管的分类二极管有多种分类方法1、按使用的半导体材料分类二极管按其使用的半导体材料可分为锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管、磷化镓二极管等。

半导体基础知识

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符号
1
+ W78XX +
2
_
3
_
W79XX
1 2
3
1.6.3 W78XX、W79XX系列 集成稳压器的使用方法
一、 组成输出固定电压的稳压电路
1. W78XX系列
+
1
W78XX
Co
2
+
Uo = 12V
改善负载 的暂态响 应,消除 高频噪声
注意 3 Ui 输入 Ci 电压 极性 抵消输入 长接线的 电感效, 防止自激 Ci : 0.1~1F
IR + +
R UR
IL

IZ RL
2、引起电压不 稳定的原因
UI
电源电压的波动 负载电流的变化
DZ
稳压二极管
+ UL

将微小的电压变化转 换成较大的电流变化
三端稳压器封装及电路符号
封装
塑料封装
金属封装
79LXX
W7805 1 3 2
W7905 1 3 2
78LXX
1
2
3
UI GND UO GND UI UO
空穴
负离子
电子
正离子
一、载流子的浓度差引 N型材料 起多子的扩散扩散使 交界面处形成空间电 荷区(也称耗尽层)
内电场方向
二、空间电荷区特点
基本无无载流子,仅 有不能移动的离子
三、扩散和漂移达到动态平衡
扩散电流= 漂移电流 总电流=0 利于少子的漂移
形成内电场
阻止多子扩散进行
1.2.2 PN结的单向导电性
外界条件决定半导体内部 载流子数量
三、本征半导体: 纯净的半导体

半导体基础知识

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半导体基础知识1. 半导体的概念与分类1.1 半导体的定义半导体是一种电导率介于导体和绝缘体之间的材料,其电导率会随着外界条件(如温度、光照、掺杂等)的变化而变化。

常见的半导体材料有硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等。

1.2 半导体的分类根据半导体材料的类型,可分为元素半导体和化合物半导体。

•元素半导体:如硅(Si)、锗(Ge)等。

•化合物半导体:如砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等。

根据导电类型,半导体可分为n型半导体和p型半导体。

•n型半导体:掺杂有五价元素(如磷、砷等)的半导体材料。

•p型半导体:掺杂有三价元素(如硼、铝等)的半导体材料。

2. 半导体物理基础2.1 能带结构半导体的导电性能与其能带结构密切相关。

一个完整的周期性晶体结构可以分为价带、导带和禁带。

•价带:充满电子的能量状态所在的带,电子的能量低于价带顶。

•导带:电子的能量高于导带底时,可以自由移动的状态所在的带。

•禁带:价带和导带之间的区域,电子不能存在于这个区域。

2.2 掺杂效应掺杂是向半导体材料中引入少量其他元素,以改变其导电性能的过程。

掺杂分为n型掺杂和p型掺杂。

•n型掺杂:向半导体中引入五价元素,如磷、砷等,使得半导体中的自由电子浓度增加。

•p型掺杂:向半导体中引入三价元素,如硼、铝等,使得半导体中的空穴浓度增加。

2.3 载流子在半导体中,自由电子和空穴是载流子,负责导电。

n型半导体中的载流子主要是自由电子,而p型半导体中的载流子主要是空穴。

2.4 霍尔效应霍尔效应是研究半导体中载流子运动的一种重要物理现象。

当半导体中的载流子在外加磁场作用下发生偏转时,会在半导体的一侧产生电势差,即霍尔电压。

3. 半导体器件3.1 半导体二极管半导体二极管(DIODE)是一种具有单向导电性的半导体器件。

它由p型半导体和n型半导体组成,形成PN结。

当外界电压正向偏置时,二极管导通;反向偏置时,二极管截止。

(完整word版)半导体基础知识

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1.1 半导体基础知识概念归纳本征半导体定义:纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。

电流形成过程:自由电子在外电场的作用下产生定向移动形成电流。

绝缘体原子结构:最外层电子受原子核束缚力很强,很难成为自由电子。

绝缘体导电性:极差。

如惰性气体和橡胶.半导体原子结构:半导体材料为四价元素,它们的最外层电子既不像导体那么容易挣脱原子核的束缚,也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧.半导体导电性能:介于半导体与绝缘体之间.半导体的特点:★在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性。

★在光照和热辐射条件下,其导电性有明显的变化.晶格:晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵,称为晶格。

共价键结构:相邻的两个原子的一对最外层电子(即价电子)不但各自围绕自身所属的原子核运动,而且出现在相邻原子所属的轨道上,成为共用电子,构成共价键。

自由电子的形成:在常温下,少数的价电子由于热运动获得足够的能量,挣脱共价键的束缚变成为自由电子.空穴:价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。

电子电流:在外加电场的作用下,自由电子产生定向移动,形成电子电流。

空穴电流:价电子按一定的方向依次填补空穴(即空穴也产生定向移动),形成空穴电流。

本征半导体的电流:电子电流+空穴电流.自由电子和空穴所带电荷极性不同,它们运动方向相反。

载流子:运载电荷的粒子称为载流子。

导体电的特点:导体导电只有一种载流子,即自由电子导电。

本征半导体电的特点:本征半导体有两种载流子,即自由电子和空穴均参与导电。

本征激发:半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发.复合:自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴,使两者同时消失,这种现象称为复合。

动态平衡:在一定的温度下,本征激发所产生的自由电子与空穴对,与复合的自由电子与空穴对数目相等,达到动态平衡。

载流子的浓度与温度的关系:温度一定,本征半导体中载流子的浓度是一定的,并且自由电子与空穴的浓度相等。

半导体基础知识详细

半导体基础知识详细

半导体基础知识详细半导体是一种电子特性介于导体和绝缘体之间的材料。

它的电阻率介于导体和绝缘体之间,而且在外界条件下可以通过控制电场、光照、温度等因素来改变其电子特性。

半导体材料广泛应用于电子器件、太阳能电池、光电器件、传感器等领域。

1. 半导体的基本概念半导体是指在温度为绝对零度时,其电阻率介于导体和绝缘体之间的材料。

在室温下,半导体的电阻率通常在10^-3到10^8Ω·cm之间。

半导体的导电性质可以通过控制材料中的杂质浓度来改变,这种过程称为掺杂。

2. 半导体的晶体结构半导体的晶体结构分为两种:共价键晶体和离子键晶体。

共价键晶体是由原子间共享电子形成的晶体,如硅、锗等。

共价键晶体的晶格结构稳定,电子在晶格中移动时需要克服较大的势垒,因此其导电性较差。

离子键晶体是由正负离子间的静电作用形成的晶体,如氯化钠、氧化镁等。

离子键晶体的晶格结构较稳定,电子在晶格中移动时需要克服较小的势垒,因此其导电性较好。

3. 半导体的能带结构半导体的能带结构是指半导体中电子能量的分布情况。

半导体的能带结构分为价带和导带两部分。

价带是指半导体中最高的能量带,其中填满了价电子。

导带是指半导体中次高的能量带,其中没有或只有很少的电子。

当半导体中的电子受到外界激发时,可以从价带跃迁到导带,形成电子空穴对。

4. 半导体的掺杂半导体的掺杂是指向半导体中加入少量的杂质原子,以改变其电子特性。

掺杂分为n型和p 型两种。

n型半导体是指向半导体中掺入少量的五价杂质原子,如磷、砷等。

这些杂质原子会向半导体中释放一个电子,形成自由电子,从而提高半导体的导电性能。

p型半导体是指向半导体中掺入少量的三价杂质原子,如硼、铝等。

这些杂质原子会从半导体中吸收一个电子,形成空穴,从而提高半导体的导电性能。

5. 半导体器件半导体器件是利用半导体材料制造的电子器件,包括二极管、晶体管、场效应管、集成电路等。

二极管是一种由n型半导体和p型半导体组成的器件,具有单向导电性。

半导体主要知识点总结

半导体主要知识点总结

半导体主要知识点总结一、半导体的基本概念1.1半导体的定义与特点:半导体是介于导体和绝缘体之间的一类材料,具有介于导体和绝缘体之间的电阻率。

与导体相比,半导体的电阻率较高;与绝缘体相比,半导体的电子传导性能较好。

由于半导体具有这种特殊的电学性质,因此具有重要的电子学应用价值。

1.2半导体的晶体结构:半导体晶体结构通常是由离子键或共价键构成的晶体结构。

半导体的晶体结构对其电学性质有重要的影响,这也是半导体电学性质的重要基础。

1.3半导体的能带结构:半导体的电学性质与其能带结构密切相关。

在半导体的能带结构中,通常存在导带和价带,以及禁带。

导带中的载流子为自由电子,价带中的载流子为空穴,而在禁带中则没有载流子存在。

二、半导体的掺杂和电子输运2.1半导体的掺杂:半导体的电学性质可以通过掺杂来调控。

通常会向半导体中引入杂质原子,以改变半导体的电学性质。

N型半导体是指将少量的五价杂质引入四价半导体中,以增加自由电子的浓度。

P型半导体是指将少量的三价杂质引入四价半导体中,以增加空穴的浓度。

2.2半导体中的载流子输运:在半导体中,载流子可以通过漂移和扩散两种方式进行输运。

漂移是指载流子在电场作用下移动的过程,而扩散是指载流子由高浓度区域向低浓度区域扩散的过程。

这两种过程决定了半导体材料的电学性质。

三、半导体器件与应用3.1二极管:二极管是一种基本的半导体器件,由N型半导体和P型半导体组成。

二极管具有整流和选择通道的功能,是现代电子设备中广泛应用的器件之一。

3.2晶体管:晶体管是一种由多个半导体材料组成的器件。

它通常由多个P型半导体、N型半导体和掺杂层组成。

晶体管是目前电子设备中最重要的器件之一,具有放大、开关和稳定电流等功能。

3.3集成电路:集成电路是将大量的电子器件集成在一块芯片上的器件。

它是现代电子设备中最重要的组成部分之一,可以实现各种复杂的功能,如计算、存储和通信等。

3.4发光二极管:发光二极管是一种将电能转化为光能的半导体器件,具有高效、省电和寿命长的特点。

半导体基本知识

半导体基本知识
PN结的形成过程如图所示。由图(a)可知,交界面两侧明显存在载流子的浓 度差,N区的多子(电子)必然向P区扩散,并与交界面附近P区的空穴复合,在N 区留下一层不能移动的正离子;同样,P区的多子(空穴)也会向N区扩散,并与 交界面附近的N区电子复合而消失,在P区留下一层不能移动的负离子。扩散的结 果是使交界面出现了空间电荷区,如图(b)所示。
4)温度升高,激发的电子空穴对数目增加,半导体的导电能力增强。 空穴的出现是半导体导电区别于导体导电的一个主要特征。
如果在本征半导体中掺入微量杂质(其他元素),形成杂质半导体,其导电 能力会显著变化。根据掺入杂质的不同,可以分为P型半导体和N型半导体。
在本征半导体硅(或锗)中掺入微量的 五价元素,如磷、砷、锑等,就形成N型半 导体。杂质原子替代了晶格中的某些硅原子, 它的四个价电子和周围四个硅原子组成共价 键,而多出的一个价电子很容易受激发脱离 原子核的束缚成为自由电子,但并不同时产 生空穴,相应的五价元素的原子因失去一个 电子而成为不能自由移动的带正电粒子—— 正离子,由于杂质原子可以提供电子,故也 称施主原子,如右图所示。
在本征半导体硅(或锗)中掺入微量的 三价元素,如硼、铝、铟等,就形成P型半导 体。杂质原子替代了晶格中的某些硅原子, 它的三个价电子和周围四个硅原子组成共价 键,而第四个共价键因缺少一个价电子出现 空位,由于空位的存在,使邻近共价键内的 电子只需很小的激发能便能填补这个空位, 相应的三价元ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ的原子因得到一个电子而成 为不能自由移动的带负电粒子——负离子, 由于杂质原子得到电子,故也称为受主原子, 如右图所示。
这种杂质半导体的多子是空穴,因空穴 带正(positive)电,所以称为P型半导体。P 型半导体中空穴的浓度比电子的浓度高得多。 当在其两端加电压时,主要由空穴定向移动 形成电流。
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半导体基础知识 1.什么是导体、绝缘体、半导体?
容易导电的物质叫导体,如:金属、石墨、人体、大地以及各种酸、碱、盐的水溶液等都是导体。 不容易导电的物质叫做绝缘体,如:橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷、纯水、油、空气等都是绝缘体。 所谓半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。如:硅、锗、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅等。半 导体大体上可以分为两类,即本征半导体和杂质半导体。本征半导体是指纯净的半导体,这里的纯净包括两个意思, 一是指半导体材料中只含有一种元素的原子;二是指原子与原子之间的排列是有一定规律的。本征半导体的特点是导 电能力极弱,且随温度变化导电能力有显著变化。杂质半导体是指人为地在本征半导体中掺入微量其他元素(称杂质) 所形成的半导体。杂质半导体有两类:N 型半导体和 P 型半导体。
多晶则是有多个单晶晶粒组成的晶体,在其晶界处的颗粒间的晶体学取向彼此不同,其周期性与规则性也在此 处受到破坏。
7.常用半导体材料的晶体生长方向有几种?
我们实际使用单晶材料都是按一定的方向生长的,因此单晶表现出各向异性。单晶生长的这种方向直接来自晶 格结构,常用半导体材料的晶体生长方向是<111>和<100>。
29.半导体芯片制造对厂房洁净度有什么要求?
空气中的一个小尘埃将影响整个芯片的完整性、成品率,并影响其电学性能和可*性,所以半导体芯片制造工艺需 在超净厂房内进行。1977 年 5 月,原四机部颁布的《电子工业洁净度等级试行规定》如下:
电子工业洁净度等级试行规定
洁净室等 洁净度 温度(℃) 相对湿度 正压值 噪声
电阻率 ρ=1/σ,单位为 Ω*cm
9.PN 结是如何形成的?它具有什么特性?
如果用工艺的方法,把一边是 N 型半导体另一边是 P 型半导体结合在一起,这时 N 型半导体中的多数载流子电子 就要向 P 型半导体一边渗透扩散。结果是 N 型区域中邻近 P 型区一边的薄层 A 中有一部分电子扩散到 P 型区域中去了, 如图 2-6 所示(图略)。薄层 A 中因失去了这一部分电子 而带有正电。同样,P 型区域中邻近 N 型区域一边的薄层 B 中有一部分空穴扩散到 N 型区域一边去了,如图 2-7 所示(图略)。结果使薄层 B 带有负电。这样就在 N 型和 P 型两 种不同类型半导体的交界面两侧形成了带电薄层 A 和 B(其中 A 带正电,B 带负电)。A、B 间便产生了一个电场, 这个带电的薄层 A 和 B,叫做 PN 结,又叫做阻挡层。
R= R□(L/W)
R□=ρ/d
R□的单位为欧姆,通常用符号 Ω/□表示。从上式可以看出,当 L=W 时有 R= R□,这时 R□表示一个正方形薄层的电 阻,它与正方形边长的大小无关,这就是取名方块电阻的原因。
15.什么是晶体缺陷?
晶体内的原子是按一定的原则周期性地排列着的。如果在晶体中的一些区域,这种排列遭到破坏,我们称这种破坏 为晶体缺陷。晶体缺陷对半导体材料的使用性影响很大,在大多数情况下,它使器件性能劣化直至失效。因此在材料 的制备过程中都要尽量排除缺陷或降低其密度。晶体缺陷的控制是材料制备的重要技术之一。
18.材料的常用表征参数有哪些? 电学参数、化学纯度、晶体学参数、几何尺寸。 电学参数包括电阻率、导电类型、载流子浓度、迁移率、少数载流子寿命、电阻率均匀性等。 化学纯度是指材料的本底纯度。 晶体学参数有晶向、位错密度。 几何尺寸包括直径、晶片的厚度、弯曲度、翘曲度、平行度和抛光片的平坦度等。 28.为什么说洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术?
13.迁移率表示什么?
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要因素。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面 取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。迁移率大小不仅关系着导电能 力的强弱,而且直接决定载流子运动的快慢。它对半导体器件工作速度有直接的影响。不同的材料,电子和空穴的迁 移率是不同的。载流子的迁移率是随温度而变化的。这对器件的使用性能有直接的影响。载流子的迁移率受晶体散射 和电离杂质散射的影响。载流子的迁移率与晶体质量有关,晶体完整性好,载流子的迁移率高。
当一种固体材料受到外力时就会发生形变,如果外力消失后,形变也随着消失,这种形变称为弹性形变;如果外力 消失后,形变不消失。则称为范性形变。位错就是由范性形变造成的,它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周 期排列而位移一段距离,位移区与非位移区交界处必有原子的错位,这样产生线缺陷称为位错。
17.什么是层错?
10.何谓 PN 结的击穿特性?
对 PN 结施加的反向偏压增大到某一数值时,反向电流突然开始迅速增大,这种现象称为 PN 结击穿。发生击穿时 的反向偏压称为击穿电压,以 VB 表示。击穿现象中,电流增大基本原因不是由于迁移率的增大,而是由于载流子数目 的增加。到目前为止,基本上有三种击穿机构:热电击穿、雪崩击穿和隧道击穿。从击穿的后果来看,可以分为物理 上可恢复的和不可恢复的击穿两类。热电击穿属于后一类情况,它将造成 PN 结的永久性损坏,在器件应用时应尽量避 免发生此类击穿。雪崩击穿和隧道击穿属于可恢复性的,即撤掉电压后,在 PN 结内没有物理损伤。
11.试述什么是光电二极管。
当光照到 PN 结上时,光能被吸收进入晶格,使电子的能级提高,这就导致某些电子脱离它们的原子,因此产生了 自由电子与空穴。在光电导光电二极管中,在 PN 结上加一反向电压,由光能在结构附近产生了电子与空穴,它们被电 场吸引从相反的方向穿过结形成电流,电流从负载电阻流出产生了输出信号。光的强度越高,产生的空穴与自由电子 就越多,电流也就越大。没有光时,电流只有 PN 结的小的反向漏电流,这种电流称为暗电流。
半导体芯片制造,尤其是随着高度集成复杂电路和微波器件的发展,要求获得细线条、高精度、大面积的图形, 各种形式的污染都将严重影响半导体芯片成品率和可*性。生产中的污染,除了由于化学药剂不纯、气体纯化不良、去 离子质量不佳引入之外,环境中的尘埃、杂质及有害气体、工作人员、设备、工具、日用杂品等引入的尘埃、毛发、 皮屑、油脂、手汗、烟雾等都是重要污染来源。例如,PN 结表面污染上尘埃、皮屑、油脂等将引起反向漏电或表面沟 道,手汗引起的 Na 离子沾污将会使 MOS 器件阈值电压漂移,甚至导致晶体管电流放大系数不稳定,空气中尘埃的沾 污将引起器件性能下降,以致失效;光刻涂胶后尘埃的沾污将使二氧化硅层形成针孔或小岛;大颗粒尘埃附着在光刻 胶表面,会使掩膜版与芯片间距不一致,使光刻图形模糊;高温扩散过程中,附着在硅片上的尘埃将引起局部掺杂和 快速扩散,使结特性变坏。所以洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术。
5.什么是半绝缘半导体材料? 定义电阻率大于 107Ω*cm 的半导体材料称为半绝缘半导体材料。 如:掺 Cr 的砷化镓,非掺杂的砷化镓为半绝缘砷化镓材料。 掺 Fe 的磷化铟,非掺杂的磷化铟经退火为半绝缘磷化铟材料。
6.什么是单晶、多晶?
单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则地排列,并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程 有序的晶体。
适用范围

(%) (帕)
粒径 浓度(粒 最高 最低 最高 最低 逐级相差 (A 声级 (以集成电路工艺为
(微 /升)
≥66.661 分贝)
例)
米)
1 级 ≥0.5 ≤1 27 18 60 40 同上
≤70 超大规模、大规模集成 电路的光刻制版
10 级 ≥0.5 ≤10 27 18 60 40 同上 ≤70
规定用<111>和<100>表示晶向,用(111)和(100)表示晶面。
8.什么是电导率和电阻率?
所有材料的电导率(σ)可用下式表达:
σ=neμ 其中 n 为载流子浓度,单位为 cm-3;e 为电子的电荷,单位为 C(库仑);μ 为载流子的迁移率,单位为 cm2/V
*s;电导率单位为 S/cm(S 为西门子)。
2.半导体材料的特征有哪些? (1) 导电能力介于导体和绝缘体之间。 (2) 当其纯度较高时,电导率的温度系数为正值,随温度升高电导率增大;金属导体则相反,电导率的温度系
数为负值。 (3) 有两种载流子参加导电,具有两种导电类型:一种是电子,另一种是空穴。同一种半导体材料,既可形成
以电子为主的导电,也可以形成以空穴为主的导电。 (4) 晶体的各向异性。
当 P 型区域接到电池的负极,N 型区域接到电池的正极时,在 PN 结中流过的电流很小(这种接法称为反向连接)。 这是由于外加电压在 PN 结中所产生的电场方向是由 N 型区指向 P 型区,也即与原先在 PN 结中存在的电场方向是一 致的。这两个电场叠加的结果,加强了电场阻止多数载流子的扩散运动,此时,阻挡层的厚度比原来增大,原来漂移 和扩散的动态平衡也被破坏了,漂移电流大于扩散电流,正是这个电流造成反向漏电流。PN 结的这种性质叫做单向导 电性。
当 P 型区域接到电池的正极,N 型区域接到电池的负极时,漂移和扩散的动态平衡被破坏,在 PN 结中流过的电流 很大(这种接法称为正向连接)。这时,电池在 PN 结中所产生的电场的方向恰好与 PN 结原来存在的电场方向相反, 而且外加电场比 PN 结电场强,这两个电场叠加后电场是由 P 型区域指向 N 型区域的。因此,PN 结中原先存在的电场 被削弱了,阻挡层的厚度减小了,所以正向电流将随着外加正向电压的增加而迅速地上升。
简单的说,层错是在密排晶面上缺少或多余一层原子而构成的缺陷,层错是一种“面缺陷”。层错也是硅晶体中常见 的一种缺陷,层错对器件制备工艺以及成品性能都可以发生较大的影响。生产中最熟悉的是硅外延片中的层错。在硅 外延生长时,如果不采取特殊的措施,生长出的外延层中将含有大量的层错,以致严重的破坏了晶体的完整性。通过 研究发现,外延片中的层错主要起源于生长外延层的衬底晶体的表面。根据这个原因,不仅找到了克服层错大量产生 的途径,而且发现利用层错测量外延层的厚度的方法。
3.简述 N 型半导体。 常温下半导体的导电性能主要由杂质来决定。当半导体中掺有施主杂质时,主要*施主提供电子导电,这种依*
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