晶体管的结构
合集下载
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
2. 晶体管及放大电路基础 2.1 晶体管
2.1.1 晶体管的结构
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
2.1.1 晶体管的结构
半导体三极管又称简称晶体管。
模拟电子技术
半导体三极管的放大作用和开关作用， 促进了电子技术的飞跃发展。
2. 晶体管及放大电路基础 三极管的主要类型：
（1） 根据结构分: NPN型和PNP型 （2）根据使用的半导体材料分: 硅管和锗管
1. NPN型三极管结构示意图和符号
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础 发射极E(e) 发射结Je 集电结Jc
发射区 N+
基区 P
集电区 N
基极B(b)
集电极C(c)
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
NPN型三极管符号
箭头的方向
集பைடு நூலகம்极
N 代表晶体管
C(c)
放大时射极
P
B (b)
电流的方向
T
发射极
E(e)
基极B(b)
N
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
2. PNP型三极管结构示意图和符号
E(e) 发射区 基区
C(c)
集电区
P+
N
P
Je
Jc
B(b)
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
PNP型三极管符号
箭头的方向
集电极 N
P
C(c)
代表晶体管 放大时射极 电流的方向
B (b)
T
发射极
E(e)
基极B(b)
P
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
E(e) 发射区 基区 集电区 C(c)
N+
P
N
几
百
Je Jc
微
B(b)
米
3. 三极管的内部结构特点：
（1）发射区面积小，掺杂浓度大。
eb
几 微 米
c
（2）集电区掺杂浓度低，集电区面积大。
（3）基区掺杂浓度很低，且很薄。
模拟电子技术
谢 谢！
模拟电子技术
2.1.1 晶体管的结构
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
2.1.1 晶体管的结构
半导体三极管又称简称晶体管。
模拟电子技术
半导体三极管的放大作用和开关作用， 促进了电子技术的飞跃发展。
2. 晶体管及放大电路基础 三极管的主要类型：
（1） 根据结构分: NPN型和PNP型 （2）根据使用的半导体材料分: 硅管和锗管
1. NPN型三极管结构示意图和符号
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础 发射极E(e) 发射结Je 集电结Jc
发射区 N+
基区 P
集电区 N
基极B(b)
集电极C(c)
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
NPN型三极管符号
箭头的方向
集பைடு நூலகம்极
N 代表晶体管
C(c)
放大时射极
P
B (b)
电流的方向
T
发射极
E(e)
基极B(b)
N
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
2. PNP型三极管结构示意图和符号
E(e) 发射区 基区
C(c)
集电区
P+
N
P
Je
Jc
B(b)
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
PNP型三极管符号
箭头的方向
集电极 N
P
C(c)
代表晶体管 放大时射极 电流的方向
B (b)
T
发射极
E(e)
基极B(b)
P
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
E(e) 发射区 基区 集电区 C(c)
N+
P
N
几
百
Je Jc
微
B(b)
米
3. 三极管的内部结构特点：
（1）发射区面积小，掺杂浓度大。
eb
几 微 米
c
（2）集电区掺杂浓度低，集电区面积大。
（3）基区掺杂浓度很低，且很薄。
模拟电子技术
谢 谢！
模拟电子技术