阻容吸收器阻容参数的简单计算
阻容吸收器阻容参数的简单计算
阻容吸收器阻容参数的简单计算阻容吸收器是一个频敏元件，不同于压敏元件（如避雷器）。
其可以看作一个典型的串联RC 保护电路，R、C、L同时起作用。
一、电容选值操作过电压，其实质是开关断开时产生的电磁能量震荡过程。
在回路中没有保护器存在时，总电容值很小，导致震荡频率f很高。
电容的引入，可以大大提高回路总电容值，降低震荡频率。
最佳的效果应是降低频率正好到工频（50Hz），基本计算公式如下：f=ω/2π （1）ω=（1/LC－（R/2L）2）1/2 （2）由于每个电路的初始L和C都不同，最佳值是不可能得到的。
只能依据真空断路器大致的情况进行经验比较。
根据多年运行经验，取电容0.1μF时，一般可以将f限制在150Hz以下，因此0.1就成为一个比较通用的值。
理论上讲，若对具体电路可以做到精确测算，容量再大些对保护效果会更好（这就是有些地方用0.2或0.15的原因），但若没有精确测算，导致f 太小将造成副作用。
二、电阻选值R是一个阻尼元件，一方面对震荡频率有影响，一方面对电容器保护有利。
对震荡频率的影响可以参考上面的公式（2），R不应小于其临界值2（L/C）1/2，否则对降低频率不利。
所以存在电阻值不应小于100Ω的说法。
R值高同样有利于保护电容本身安全，防止电容过载烧毁。
故一般高安全性的阻容吸收装置，都适当的增大了R的值（一般最高做到400Ω）。
但是R值如果太大，将大大提高时间常数，导致暂态时间延长，不利于保护的高效性。
所以我们希望R能够是一个压敏元件，在低压下电阻尽可能大，以保护电容；在高压下达到百欧姆级，以利于工作。
自控式阻容吸收器的最主要改革就在于此。
而且这样改革后，额外的起到了限制正常电压下阻容吸收器接地电流的作用，不会造成以往出现的阻容吸收器接地电流引发系统误判断的问题，简化了整体设计。
为什么要在晶闸管两端并联阻容网络一、在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。
各种原件吸收功率计算公式
各种原件吸收功率计算公式在电路中，各种原件（例如电阻、电容、电感等）都会吸收一定的功率。
了解各种原件吸收功率的计算公式对于电路设计和分析非常重要。
本文将介绍各种原件吸收功率的计算公式，并举例说明其应用。
电阻吸收功率计算公式。
电阻是电路中最常见的原件之一，它会吸收电能并将其转化为热能。
电阻吸收功率的计算公式为：P = I^2 R。
其中，P表示电阻吸收的功率，单位为瓦特（W）；I表示电流，单位为安培（A）；R表示电阻值，单位为欧姆（Ω）。
举个例子，如果一个电阻的阻值为10Ω，通过它的电流为2A，那么它吸收的功率为：P = 2^2 10 = 40W。
电容吸收功率计算公式。
电容是一种储存电能的元件，当电压施加在电容上时，它会吸收一定的功率。
电容吸收功率的计算公式为：P = (C U^2 f) / 2。
其中，P表示电容吸收的功率，单位为瓦特（W）；C表示电容值，单位为法拉（F）；U表示电压，单位为伏特（V）；f表示频率，单位为赫兹（Hz）。
举个例子，如果一个电容的值为100μF，电压为220V，频率为50Hz，那么它吸收的功率为：P = (100 10^-6 220^2 50) / 2 = 1.21W。
电感吸收功率计算公式。
电感是一种储存磁能的元件，当电流通过电感时，它会吸收一定的功率。
电感吸收功率的计算公式为：P = I^2 R。
其中，P表示电感吸收的功率，单位为瓦特（W）；I表示电流，单位为安培（A）；R表示电感的内阻，单位为欧姆（Ω）。
举个例子，如果一个电感的内阻为5Ω，通过它的电流为3A，那么它吸收的功率为：P = 3^2 5 = 45W。
交流电路中各种原件吸收功率计算公式。
在交流电路中，各种原件的吸收功率计算公式稍有不同。
对于电阻，吸收功率的计算公式为：P = I_rms^2 R。
其中，P表示电阻吸收的功率，单位为瓦特（W）；I_rms表示电流的有效值，单位为安培（A）；R表示电阻值，单位为欧姆（Ω）。
阻容吸收器
阻容吸收器
工作原理：
正常运行时，阻容吸收器并联在开关柜出线端，当操作过电压来时，由于其电压幅值高，而电容器具有储存电能作用，所以，开始对电容器充电，并通过电阻吸收能量，从而达到降低过电压幅值的目的，而且由于阻容吸收器其电容值（0.1μF）远大于开关柜控制的感性设备的对地电容值（不超过50PF），改变了感性设备的电感和其对地电容发生振荡的条件，因为，根据LC发生振荡的频率的计算公式f＝1/2π√LC，电容C越大，频率f越小，使感性设备相邻匝间在过电压时的电位差变小，从而保护感性设备的匝间绝缘。
因阻容吸收器限制过电压的原理与MOA不同，它不存在残压问题，而是靠操作过电压高频出现后引起容抗(ZＣ=1/(2πfc))降低，增大电容器上电流，来吸收产生过电压震荡的能量，从而限制操作过电压。
正常工频工作状态下，电流很小，所以其使用寿命较长。
RCD吸收电路参数的计算
RCD吸收电路参数的计算
RCD（Resistor-Capacitor-Diode）吸收电路是一种用于解决继电器
或电磁阀等设备造成的电源开关噪声、高压踢击或电源波动等问题的电路。
该电路利用电阻、电容和二极管的组合，通过对电源的压力进行消耗和滤
波来保护电器设备。
在计算RCD吸收电路参数之前，需要确定电磁设备的工作电压和电流。
为了简化计算，我们以一个工作电压为120V，电流为1A的电磁设备为例。
1.计算电流限制电阻（R）的数值：
电流限制电阻（R）的数值可以通过以下公式计算：
R=V/I
其中，V为电磁设备的工作电压，I为电磁设备的工作电流。
将工作电压V=120V和工作电流I=1A代入公式中，我们可以得到电流
限制电阻R的数值。
2.选择电容（C）的数值：
电容（C）的数值取决于要滤除的电压噪声大小。
一般情况下，我们
可以选择起电容为0.1μF。
3.选择二极管（D）的数值：
二极管（D）的选择应根据工作电压和电流来决定。
一般情况下，我
们可以选择一个额定电压为2倍工作电压（240V）的二极管。
以上是针对一个具体的120V、1A电磁设备的RCD吸收电路参数计算
的简要过程。
具体的电路设计还需要考虑其他因素，比如设备的起动电流、所使用的元件的额定容错能力等。
在实际的电路设计中，我们还需要考虑其他因素，比如电流起动保护、线路长度和布线规范等。
此外，还需要注意检查电路的稳定性，确保元件
的额定容量和电压范围能够满足实际使用的需求。
交流接触器线圈回路并接阻容抑制器参数的计算
ｉ ｅ ［ ｌＩ Ｏ （ ｌ ｔ ＝ “ ｃ ：ＣＳ ｂ ＝ ）＋ｃ ｓ （ ｌ ｔ ］＝ ２ ｉ ｂ ｎ ）
可见 ， 电容值与实 际相符 ， 电阻计 算值为２７ ６ｎ， ４
与阻容 吸收器 中电阻值 ２ ０Ｑ 相差 较大 ， ２ 这究 竟是 为
什 么？为了探 明究竟 ， 编写 Ｃ语言程序 帮助 分析如下 。
之一交流 电周期 ， ０ ０ ／ 为 ． ２ｓ４＝０ ０ ５ Ｓ ．０ 。给线 圈两
已知 ， 为开关分断前流过接触器线圈电流的有效值 ：
， Ｅ／ ／ ＋ ２ｆ）＝ ＝ ￣ （． ， ｒ ｒ ／
２ Ｏ ／ Ｏ ＋ （ ３ １ １ ２ ／￣５ ５ ２ ． ４ ６￥５ ０￥１ ． ） ＝０ ０ １５ ‘ ．６Ａ
１ 电路 方 程 的建 立
一
接触 器线 圈 自感 系数 ； 一线 圈 内阻 ； Ｃ一 Ｒ Ｒ、
： Ｌ ￣上 ＋ ｌ术 ｉ ｂ水 ＋ 一 １ 一 ０ ｓ （ｌ ｌ 术 ／１ ｂ ｓ （ｌ ｔ ７ ｙ） 尺 木ｉ ｂ ＝ ［ ｒ ｎ ｎ
： ＋ ］ ｝ ） ： ｔ （） ３
阻容抑制器 ； ｅ 交 流电源 电压 ； 率 ｆ ０Ｈ 。图 １ Ｕ一 频 ＝５ ｚ 中， 假定开关 Ｋ从 回路 电流 峰 值 时刻 开始 分 断 ， 时 此 线圈中储存的能量 最 多 ， 在线 圈两 端产 生 的感 生 电动 势最 大 ， 开关 Ｋ触点 间势必产 生 电弧。最快 的熄灭 电 弧 时刻发生 在电流第 一 次过零 点 ， 即熄 弧时 问为 四分
￣ ｌ＋２ ｅ “ ｉ ｂ ＋ ／ ｃ ｓ （ｌ ） ｃ ｎ ￡
（） ２
上式中， ａｓ（１√ １＋２ 。 ｙ＝ｒｉ Ｃ ｃ ｃ ） ｃｎ ／
于是 ， 电感 两端 电压为 ：
可控硅并联阻容吸收电路的选型与计算（修正）
可控硅并联阻容吸收电路的选型与计算为什么要在晶闸管两端并联阻容网络一、在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。
我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dl v/dlt。
它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断态转入通态的最低电压上升率。
若电压上升率过大，超过了晶闸管的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。
即使此时加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。
因为晶闸管可以看作是由三个PN结组成。
在晶闸管处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。
当晶闸管阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。
如果晶闸管在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。
因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。
为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。
因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。
同时，避免电容器通过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管。
由于晶闸管过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。
RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择电容的选择C=(2.5-5)×10的负8次方×IfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF选用2.5mF，1kv 的电容器电阻的选择：R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56选择10欧PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)2Pfv=2u(1.5-2.0)u=三相电压的有效值阻容吸收回路在实际应用中，RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。
阻容吸收元件的选择
整流晶闸管阻容吸收元件的选择电容的选择:C=(2.5-5)×10的负8次方×If （单位μF）If=0.367Id 硅整流件正向平均电流Id-直流电流值如果整流侧采用500A的晶闸管可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5μF电容器耐压：UC=(1.1~1.5)UrwmUrwm-硅整流件的额定反向峰值电压选用2.5μF，1kv 的电容器电阻的选择：R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56选择10欧PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2Pfv=2u(1.5-2.0)u-三相电压的有效值追加的分数是不是太少。
算了，还是港告诉你吧！电阻：10欧姆，电容0.5微法电阻功率：P=F*C*Um*10^(-6)为什么要在晶闸管两端并联阻容网络一、在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。
我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。
它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断态转入通态的最低电压上升率。
若电压上升率过大，超过了晶闸管的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。
即使此时加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。
因为晶闸管可以看作是由三个PN结组成。
在晶闸管处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。
当晶闸管阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。
如果晶闸管在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。
因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。
为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。
可控硅并联阻容吸收电路的选型与计算
可控硅并联阻容吸收电路的选型与计算可控硅并联阻容吸收电路是一种常见的电路配置，用于保护电路中的电子元件免受过电压的影响。
它通过并联的方式将可控硅、电阻和电容器连接在一起，以吸收过电压或过电流，从而保护其他元件的安全运行。
本文将介绍可控硅并联阻容吸收电路的选型与计算方法。
在选择可控硅并联阻容吸收电路时，首先需要确定所要保护的电路的额定电压和额定电流。
根据额定电压和电流的大小，可以选择合适的可控硅、电阻和电容器。
可控硅是可控硅并联阻容吸收电路的核心元件之一，其主要作用是在过电压或过电流时将电路连接到地。
可控硅的选择应考虑其额定电压和额定电流。
额定电压应大于或等于被保护电路的额定电压，额定电流应大于或等于被保护电路的额定电流。
此外，还应考虑可控硅的触发电压和触发电流，以确保可控硅在需要时能够正常工作。
电阻是可控硅并联阻容吸收电路中的另一个重要元件，其作用是限制电路中的电流。
电阻的选择应根据被保护电路的额定电流和可控硅的额定电流来确定。
电阻的阻值应能够满足电路中的电流要求，同时还要考虑电阻的功率耗散能力，以避免过载损坏。
电容器是可控硅并联阻容吸收电路中的第三个元件，其作用是吸收过电压。
电容器的选择应根据被保护电路的额定电压和可控硅的额定电压来确定。
电容器的容值应足够大，以保证在过电压时能够吸收足够的能量。
此外，还需要考虑电容器的耐压能力和频率特性，以确保其在工作过程中的稳定性和可靠性。
在进行可控硅并联阻容吸收电路的计算时，需要考虑电路中的电压和电流。
首先，根据被保护电路的额定电压和额定电流，计算出可控硅的额定电流和额定功率。
然后，根据电阻的阻值和可控硅的额定电流，计算出电阻的功率耗散能力。
最后，根据被保护电路的额定电压和可控硅的额定电压，选择合适的电容器容值。
除了选型和计算，还需要注意可控硅并联阻容吸收电路的安装和使用。
安装时应确保电路连接正确，并采取防护措施，以防止电路中的高压和高温对人身安全造成伤害。
阻容充电计算公式
阻容充电计算公式阻容充电是一种电路充电方式，它包含一个电阻和一个电容器。
在这种方式下，电压在电容器上逐渐充电，直到达到输入电压的一些百分比。
阻容充电的计算公式涉及电阻值、电容值、输入电压和所需充电百分比等参数。
阻容充电的基本公式为：V(t)=V0*(1-e^(-t/RC))其中，V(t)表示电容器上的电压随时间变化的函数，V0表示输入电压，t表示已充电时间，R表示电阻值，C表示电容值。
这个公式可以解释为，电压V(t)是一个指数函数，随着时间的增加而逐渐接近输入电压V0。
其中指数函数的底数为e，这是一个常数，约等于2.718这个公式可以通过微积分推导得出，但不必深入解释。
我们可以通过这个公式来计算电容器充电的过程。
下面是一个例子：假设我们有一个电阻为100Ω，电容为100μF的电路，输入电压为10V，我们想要计算在这个电路中，电容器充电至输入电压的60%所需的时间。
首先，我们需要把百分比转换为小数，即60%=0.6然后，我们把这些值带入公式：0.6=1-e^(-t/RC)接下来，我们对这个方程两边进行一些变换：e^(-t/RC)=0.4然后，我们可以对方程两边取自然对数（以e为底的对数）：ln(e^(-t/RC)) = ln(0.4)由于自然对数的性质，我们可以把指数移到对数前面：-t/RC * ln(e) = ln(0.4)由于ln(e)等于1，我们可以消去这一项：-t/RC = ln(0.4)接下来，我们用-RC除以方程两边：t = -RC * ln(0.4)现在，我们可以带入具体的数值计算结果：t = -100Ω * 100μF * ln(0.4)所以，在以上给定的条件下，电容器充电至输入电压的60%所需要的时间为9162.9μs。
这就是阻容充电的计算公式和一个实际的计算例子。
希望以上内容对您有所帮助！。
220v双向可控硅阻容吸收电路计算
220v双向可控硅阻容吸收电路计算一、双向可控硅阻容吸收电路简介双向可控硅阻容吸收电路是一种用于交流电源系统的电力电子元件，具有高效、可控、可靠的优点。
它主要由双向可控硅、电阻和电容组成，能够实现交流电的正反向导通和截止。
在电路中，双向可控硅作为核心元件，控制电阻和电容的充放电过程，实现电源系统的稳定输出。
二、计算双向可控硅阻容吸收电路的步骤1.确定电路参数：根据电源系统的要求，确定双向可控硅的额定电压、电流、频率等参数。
2.选择阻容元件：根据电路工作电压和电流，选择合适的电阻和电容元件，确保其在允许的电压范围内工作。
3.计算元件值：根据电路参数和元件选取原则，计算电阻和电容的数值。
4.校核元件容量：检查所选电容元件的容量是否满足电路需求，避免因容量不足导致的电路失控等问题。
5.考虑电路补偿：为减小电路的电压波动和电流谐波，可对电路进行补偿设计。
三、电路元件参数选择要点1.电阻选择：电阻值应根据电路工作电压和电流选取，保证其在允许的电压范围内工作，同时考虑电阻的热效应，选择合适的材料和结构。
2.电容选择：电容值应根据电路工作电压和电流选取，确保其在工作电压下具有足够的容量。
同时，考虑电容的耐压性能、频率响应和寿命等因素。
3.双向可控硅选择：根据电路工作电压、电流和频率选择双向可控硅，注意其额定电压、电流和开关速度等参数。
四、电路元件布局与调试1.布局：合理布局电路元件，确保电路的稳定性、可靠性和美观性。
注意元件之间的间距和散热设计。
2.调试：在电路组装完成后，进行调试和测试，确保电路正常工作。
对电阻、电容和双向可控硅等元件进行校核，调整参数，直至满足电路要求。
五、总结与建议双向可控硅阻容吸收电路在电力电子系统中具有广泛应用。
在设计和使用过程中，要充分考虑电路元件的选取和布局，确保电路的稳定性和可靠性。
阻容降压工作原理及参数计算
阻容降压工作原理及参数计算2011-09-12 22:50转载自wcdstar最终编辑wcdstar阻容降压工作原理及参数计算一.工作原理利用电容在一定的交流信号频率下产生的容抗来限制最大工作电流,该电容如果是理想电容,则它所作的功为无功功率.因此,电容降压实际上是利用容抗限流.而电容器实际上起到一个限制电流和动态分配负载两端二.参数计算1.电路原理图:2.参数计算公式:(1)容抗公式:Xc = 1/(2πf·C) = 1/(ω·C)(2)电流计算公式:Ic = U/Xc = 2πf·CU3.举例: 图2中，已知C1为0.33μF，交流输入为220V/50Hz，求电路能供给负载的最大电流解:由(2)得Ic = U/Xc = 2πf·CU = 2 x 3.14 x 50 x 0.33 x 10-6 x 220 = 0.0228 (A)三.器件选择1.电路设计时，应先测定负载电流的准确值，然后参考示例来选择降压电容器的容量。
因为通过降Io，实际上是流过C1的充放电电流 Ic。
C1容量越大，容抗Xc越小，则流经C1的充、放电电流的充放电电流时，多余的电流就会流过稳压管，若稳压管的最大允许电流Idmax小于Ic-Io时易造2.为保证C1可靠工作，其耐压选择应大于两倍的电源电压。
3.泄放电阻R1的选择必须保证在要求的时间内泄放掉C1上的电荷。
理想情况下RC时间常数<T(T 不能取太小,否则R1功耗大,一般我们取RC时间常数<300mS.注意电阻耐压,常用的0.25W碳膜电阻压700V.4.实际电路如图4加入R2,R3限流,防止首次上电和在快速插拔电源插头或插头接触不良时所产生坏.图4电容C2首次上电刚好碰在波峰处,因C2在通电瞬间呈短路状态,此时交流电源直接加在R 2Usin(ωt+φ)=Umsin(ωt+φ),R2,R3上有220VAC x 1.414=311VDC瞬间直流电压;电容C2在快速时,如果C2在n+1波峰处断电,n+2波峰处通电,此时间内放掉ΔV(由C2,R1决定),此时R2,R3上有1.414 –ΔV) = 622VDC –ΔV瞬间直流电压,考虑电网波动,此电压会更高,所以R2,R3要选择般选大功率氧化膜电阻或金属膜电阻,阻值一般取40-50欧姆之间,电阻太大,电路功耗大,电阻太小值电流一般比较大,如1N400X系列峰值电流为200A.图4中,D1,D2为整流二极管,组成半波整流回路,C3,C4组成第一级滤波,其最高耐压=(Umax X =22.2VDC,所以C3,C4选耐压>25VDC的产品,R4,C5,C6组成第二级RC滤波同时ZD1将电压稳定在图4中,R4的大小决定了产品在低工作电压下的纹波大小.R5防止快速插拔或插头接触问题对容上耦合过去,防止稳压二极管损坏.同时PCB Layout时该电阻放在滤波电容C5,C6的后面,防止寄响.四.设计注意事项1.根据负载的电流大小和交流的工作频率选取适当的电容,而不是依据负载的电压和功率.2.限流电容必须采用无级性电容,绝对不能采用电解电容.而且电容的耐压必须在400V以上,最理想3.电容降压不能用于大功率条件,因为不安全.4.电容降压不适合动态负载条件.5.电容降压不适合容性和感性负载.6.当需要直流工作时,尽量采用半波整流.不建议采用桥式整流.而且要满足恒定负载的条件.7.电容降压式电源是一种非隔离电源,在应用上要特别注意隔离,防止触电.五.主要运用产品有1.LED小夜灯.2.直管节能小夜灯.3.声控灯.4.其他小功率低电流电源部分.。
RC阻容吸收计算公式
阻容吸收器是一个频敏元件，不同于压敏元件（如避雷器）。
其可以看作一个典型的串联RC保护电路，R、C、L同时起作用。
一、电容选值操作过电压，其实质是开关开端时产生的电磁能量震荡过程。
在回路中没有保护器存在时，总电容值很小，导致震荡频率f很高。
电容的引入，可以大大提高回路总电容值，降低震荡频率。
最佳的效果应是降低频率正好到工频（50Hz），基本计算公式如下：f=ω/2π（1）ω=（1/LC－（R/2L）2）1/2 （2）由于每个电路的初始L和C都不同，最佳值是不可能得到的。
只能依据真空断路器大致的情况进行经验比较。
根据多年运行经验，取电容0.1μF时，一般可以将f限制在150Hz 以下，因此0.1就成为一个比较通用的值。
理论上讲，若对具体电路可以做到精确测算，容量再大些对保护效果会更好（这就是有些地方用0.2或0.15的原因），但若没有精确测算，导致f太小将造成副作用。
二、电阻选值R是一个阻尼元件，一方面对震荡频率有影响，一方面对电容器保护有利。
对震荡频率的影响可以参考上面的公式（2），R不应小于其临界值2（L/C）1/2，否则对降低频率不利。
所以存在电阻值不应小于100Ω的说法。
R值高同样有利于保护电容本身安全，防止电容过载烧毁。
故一般高安全性的阻容吸收装置，都适当的增大了R的值（一般最高做到400Ω）。
但是R值如果太大，将大大提高时间常数，导致暂态时间延长，不利于保护的高效性。
所以我们希望R能够是一个压敏元件，在低压下电阻尽可能大，以保护电容；在高压下达到百欧姆级，以利于工作。
自控式阻容吸收器的最主要改革就在于此。
而且这样改革后，额外的起到了限制正常电压下阻容吸收器接地电流的作用，不会造成以往出现的阻容吸收器接地电流引发系统误判断的问题，简化了整体设计非线性阻容吸收器选用的7个关键词作者：阅读人次：295 发布时间：2010-10-21 17:14:01 关键词：阻容吸收过电压操作过电压阻容吸收器是一种特殊的吸收操作过电压设备，由于工作原理上与氧化锌避雷器类限幅设备不同，由于目前大多数地方是使用氧化锌避雷器类限幅设备限制操作过电压的，导致很多用户不知道如何选择阻容吸收器才是合适的。
阻容吸收器有什么作用
阻容吸收器有什么作用?真空开关设备、由于其灭弧能力特别强、因此在开断电动机、变压器、电抗器、电容器负载时容易引起截流多次重燃及三相同步开断等操作过电压。
随着电力系统稳定安全供电重要性的增强。
对提高系统可靠性和安全性要求愈加严格。
而操作过电压危害极大。
在很大程度上影响着系统的稳定性。
可靠性和安全性。
因此必须开发，研制和生产出新的过电压保护装置以满足上述的需求。
ZR阻容过电压吸收器是完全能满足上述需求的一种全新的高科技产品。
该产品是将一种被称之谓“保护电容器”（接于电力线路与地之间用以吸收冲击过电压的电容器）的专用电容器和电阻器串联后再接到开关的负荷侧与地之间、它可有效抑制操作过电压的瞬间振荡和高频电流、使过电压的波形变缓、陡度和幅值降低。
再加上电阻的阻尼作用、使高频振荡迅速衰减.无论对哪种负荷设备都非常有效.是使电器设备避免因操作过电压造成绝缘损坏.保证电器设备安全运行必不可少的理想过电压保护装置。
过电压保护器特点：(1) 过电压保护器(采用四星形接线)，可将相间过电压大大降低，与普通MOA相比，可降低60%～70%，可靠地保护了电动机的相间绝缘。
(2) 同带串联间隙的MOA一样，由于采用了氧化锌阀片与间隙串联的结构，提高了保护器的使用寿命，且使保护器在系统出现单相接地、间隙性弧光接地和谐振过电压等状态下均可安全运行。
阻容吸收器特点：(1) 阻容吸收器可随时吸收回路的过电压，当真空断路器切断电动机或变压器时，R－C的加入可使操作过电压的震荡衰减较快，较好地限制了过电压的幅值和震荡频率。
(2) 因阻容吸收器限制过电压的原理与MOA不同，它不存在残压问题，而是靠操作过电压高频出现后引起容抗(ZＣ=1/(2πfc))降低，增大电容器上电流，来吸收产生过电压震荡的能量，从而限制操作过电压。
正常工频工作状态下，电流很小，所以其使用寿命较长。
真空断路器虽然熄弧能力很强，但是在开断小电流感性负载时，引起的操作过电压问题，要综合考虑，区分对待。
阻容吸收元件的选择
整流晶闸管阻容吸收元件的选择电容的选择:C=(2.5-5)×10的负8次方×If （单位μF）If=0.367Id 硅整流件正向平均电流Id-直流电流值如果整流侧采用500A的晶闸管可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5μF电容器耐压：UC=(1.1~1.5)UrwmUrwm-硅整流件的额定反向峰值电压选用2.5μF，1kv 的电容器电阻的选择：R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56选择10欧PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2Pfv=2u(1.5-2.0)u-三相电压的有效值追加的分数是不是太少。
算了，还是港告诉你吧！电阻：10欧姆，电容0.5微法电阻功率：P=F*C*Um*10^(-6)为什么要在晶闸管两端并联阻容网络一、在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。
我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。
它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断态转入通态的最低电压上升率。
若电压上升率过大，超过了晶闸管的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。
即使此时加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。
因为晶闸管可以看作是由三个PN结组成。
在晶闸管处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。
当晶闸管阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。
如果晶闸管在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。
因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。
为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。
阻容吸收器(ZWBBP)
阻容阻容吸收器吸收器吸收器（（ZWBBP ZWBBP））产品使用说明书产品使用说明书陕西中维电气有限公司陕西中维电气有限公司一、产品用途产品用途ZWBBP 复合型阻容吸收器是有效的保护操作过电压和大气过电压的专用保护器器，产品具有阻容吸收器和氧化物避雷器的双重作用，可以广泛用于真空接触器、断路器等操作的发电机、电动机、变压器、电抗器及配电线路中。
二、技术参数表技术参数表 注明：Z 型是保护发电机、电动机，P 型是保护变压器、电抗器、线路， 三、使用条件使用条件 1.适用于户内。
2.环境温度：不低于－40℃，不高于＋40℃；相对湿度：不大于95%（25℃）。
3.海拔高度不超过3000m，超出3000m 可根据实际情况特制。
`4.地震烈度7度及以下地区；最大风速不超过35m/S。
5.电网频率：58～62Hz（60Hz 系统），48～52Hz（50Hz 系统）。
6.安装场所的空气中不应含化学腐蚀气体和蒸气，无爆炸性尘埃。
四、使用须知使用须知1. ZWBBP 复合型阻容吸收器应连接在真空断路器（或真空接触器）出口电流互感器下侧与被保护设备（如：电动机或变压器）之间。
2. ZWBBP 复合型阻容吸收器分为Z 型（适用于发电机、电动机）和P 型（适用于保护配电变压器、电抗器、线路），订货和安装应根据被保护对象，选用合适的产品。
3．ZWBBP 复合型阻容吸收器退出运行及检查时、应在接线端子O-N 之间对阻容回路进行放电。
无、运输及储存运输及储存1. ZWBBP 复合型阻容吸收器装箱运输，运输中应防雨、轻放、向上直立、防碰。
2.存放时应保持直立状态，存放地点环境温度在－40℃～＋40℃范围内，不允许有易燃易爆性气体及阻容支路 避雷支路1.2/50µS 冲击放电电压kV 雷电冲击残压 kV 产品型号 系统标 称电压（有效值） kV 设备最高运行电压 （有效值） kV额定 电容 µF ±10% 自动接入电网工频电压 （有效值） kV±10% 验收时电容直流 耐压 10S kV 工频放电电压 （有效值） ≥kV ≤（峰值） ZWBBP-6Z818.718.7ZWBBP -6P 66.90.111 34.51624 24 ZWBBP-10Z 153131ZWBBP-10P 1011.50.119452641 41 ZWBBP -20 20 24 0.1 38 85 51 81.5 81.5 ZWBBP -42/8003540.50.15112080124124化学物质。
RC吸收电路参数计算
RC吸收电路参数计算RC吸收电路是一种常见的电子电路，用于实现对输入信号的快速衰减和稳定输出。
它由一个电阻(R)和一个电容(C)组成，通过合理地选择电阻和电容的数值，可以实现不同的吸收特性。
本文将从以下几个方面介绍RC吸收电路的参数计算。
1.电阻值的选择电阻的值会直接影响电路的吸收速度和输出稳定性。
一般情况下，电阻的取值范围在几千欧姆到几十兆欧姆之间。
为了保证电路的稳定性，电阻的阻值应远大于电容的阻抗值，即R>>1/(2πfC)，其中f为信号频率，C为电容的电容值。
此外，为了加快电路响应时间，电阻的取值应尽量小。
2.电容值的选择电容的值决定了RC吸收电路的时间常数，即衰减速度。
一般情况下，电容的取值范围在几皮法到几百微法之间。
较大的电容值可以实现较慢的衰减速度，适用于对信号的平滑处理；较小的电容值可以实现较快的衰减速度，适用于对信号的快速处理。
电容的数值可以通过经验公式计算得到，例如对于希望在时间常数为τ时电压下降到原有值的37%以下的情况，电容的阻抗值应满足1/(2πfC)≤τ。
3.时间常数的计算时间常数是衡量RC吸收电路衰减速度的重要参数，它表示电压或电流下降到原有值的37%以下所需要的时间。
时间常数可以通过以下公式计算得到：τ=R*C，其中τ为时间常数，R为电阻的电阻值，C为电容的电容值。
根据需要，可以选择合适的时间常数来实现对输入信号的快速衰减或平滑处理。
4.激励信号频率的考虑RC吸收电路对激励信号的频率也有一定的要求。
当激励信号的频率过高时，电阻和电容的阻抗值会变小，从而导致电路对信号的吸收能力减弱。
因此，在选择电阻和电容的数值时，需要根据激励信号的频率来确定合适的数值范围。
5.输出波形的稳定性RC吸收电路的输出波形稳定性是指输出信号的变化幅度和波形失真程度。
在实际应用中，为了保证输出波形的稳定性，可以通过适当选择电阻和电容的数值来实现。
一般情况下，电阻的值越大，输出波形的稳定性越好；电容的值越大，输出波形的平滑性越好。
阻容元件的选择
精心整理整流晶闸管阻容吸收元件的选择1）电容的选择：（容量通常在0.1~1uF之间,耐压选元件的1.1~1.5倍）C=(2.5~5)×103-×It式中It =0.367IdId为直流电流值总结：阻容吸收电路要尽量靠近晶闸管，引线要短，最好采用无感电容及安规电容。
电容耐压一般选晶闸管电压的1.1~1.5倍。
整流晶闸管阻容吸收元件的选择电容的选择:C=(2.5-5)×103-×IfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用500A的晶闸管可以计算C=(2.5-5)×103 ×500=1.25-2.5μF选用2.5μF，1kv的电容器选择u-1※瞬间出现反向电流，使残留的载流子迅速消失，形成极大的di/dt。
即使线路中串联的电感很小，由于反向电势V=-Ldi/dt，所以也能产生很高的电压尖峰（或毛刺），如果这个尖峰电压超过晶闸管允许的最大峰值电压，就会损坏器件。
对于这种尖峰电压一般常用的方法是在器件两端并联阻容吸收回路，利用电容两端电压不能突变的特性吸收尖峰电压。
阻容吸收回路要尽可能靠近晶闸管A、K端子，引线要尽可能短，最好采用无感电阻，千万不能借用门极回路的辅助阴极导线（因辅助阴极导线的线径很细，回路中过大的电流会将该线烧断）。
※交流侧过电压及其保护由于交流侧电路在接通断开时出现暂态过程，因此产生过电压。
例如交流开关的开闭，交流侧熔断器熔断等引起的过电压。
对于这类过电压保护，目前普遍的保护方法是并接阻容吸收电路和压敏电阻。
阻容吸收保护应用广泛，性能可靠，但正常运行时电阻上消耗功率，引起电阻发热，且体积较大，对于能量较大的过电压不能完全抑制。
压敏电阻是一种非线性元件，它是以氧化锌为基体的金属氧化物，有两个电极，极间充填有氧化铋等晶粒。
正常电压时晶粒呈高阻，漏电流仅有100uA左右，但过电压时发生的电子雪崩使其呈低阻，电流迅速增大从而吸收了过电压。
晶闸管阻容保护计算方法
晶闸管的保护内容很多，使用的保护方法也很多。
这里叙述的仅是晶闸管本身的过电压保护所常用的阻容吸收以及电阻电容取值计算方法。
尽管计算公式很简单，使用很频繁，但还是常有问询者了解此事。
一、计算公式例如图一是一个晶闸管三相全波整流桥。
每只晶闸管两端都并联了一组串联的电阻R和电容C，这就是所谓的“阻容吸收”。
图一晶闸管阻容吸收示意图王兆安和张明勋主编的“电力电子设备设计和应用手册”第二版第五章5.2.1节，提供了计算公式：吸收电容：C = (2～4)×10-3 IT(AV) (μf)式中IT(AV)为晶闸管中通过的通态电流平均值。
系数(2～4)表示2、3、4三数字中自选。
电容交流电压选晶闸管两端交流有效值的1.5倍。
如电容以直流电压标称，则选晶闸管两端交流有效值的5倍。
吸收电阻：R = 10～30 Ω (10到30欧自选)电阻功率：P ≥ f•C•10-6•(UARM)2 (瓦)式中：f 为电源频率(Hz)C为上式计算的吸收电容值(μf)UARM 为晶闸管两端反向工作峰值电压(V)二、实例晶闸管三相全波整流桥，阻性负载，输入电压交流有效值380V，输出直流电流平均值ID = 1500A，计算每只晶闸管上阻容吸收的电阻、电容值。
经计算，每只晶闸管两端反向工作峰值电压为：V = 380V × 1.41 = 536V每只晶闸管通过的通态平均电流为IT(AV) = 0.333 ID = 1500×0.333 = 500A1，吸收电容：C = (2～4)×10-3 IT(AV)= 3×10-3×500 = 1.5μf (取系数为3)电容耐压(交流) VC(AC) = 380 × 1.5 = 570V电容耐压(直流) VC(DC) = 38 × 5 = 1900V2，取吸收电阻：R = 30 Ω吸收电阻功率P ≥ f•C•10-6•(UARM)2= 50 × 1.5 ×10-6×(536)2= 21.55瓦选用30Ω、50瓦电阻。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
阻容吸收器阻容参数的简单计算
阻容吸收器是一个频敏元件，不同于压敏元件（如避雷器）。
其可以看作一个典型的串联RC 保护电路，R、C、L同时起作用。
一、电容选值
操作过电压，其实质是开关断开时产生的电磁能量震荡过程。
在回路中没有保护器存在时，总电容值很小，导致震荡频率f很高。
电容的引入，可以大大提高回路总电容值，降低震荡频率。
最佳的效果应是降低频率正好到工频（50Hz），基本计算公式如下：
f=ω/2π （1）
ω=（1/LC－（R/2L）2）1/2 （2）
由于每个电路的初始L和C都不同，最佳值是不可能得到的。
只能依据真空断路器大致的情况进行经验比较。
根据多年运行经验，取电容0.1μF时，一般可以将f限制在150Hz以下，因此0.1就成为一个比较通用的值。
理论上讲，若对具体电路可以做到精确测算，容量再大些对保护效果会更好（这就是有些地方用0.2或0.15的原因），但若没有精确测算，导致f 太小将造成副作用。
二、电阻选值
R是一个阻尼元件，一方面对震荡频率有影响，一方面对电容器保护有利。
对震荡频率的影响可以参考上面的公式（2），R不应小于其临界值2（L/C）1/2，否则对降低频率不利。
所以存在电阻值不应小于100Ω的说法。
R值高同样有利于保护电容本身安全，防止电容过载烧毁。
故一般高安全性的阻容吸收装置，都适当的增大了R的值（一般最高做到400Ω）。
但是R值如果太大，将大大提高时间常数，导致暂态时间延长，不利于保护的高效性。
所以我们希望R能够是一个压敏元件，在低压下电阻尽可能大，以保护电容；在高压下达到百欧姆级，以利于工作。
自控式阻容吸收器的最主要改革就在于此。
而且这样改革后，额外的起到了限制正常电压下阻容吸收器接地电流的作用，不会造成以往出现的阻容吸收器接地电流引发系统误判断的问题，简化了整体设计。
为什么要在晶闸管两端并联阻容网络
一、在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。
我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。
它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断态转入通态的最低电压上升率。
若电压上升率过大，超过了晶闸管的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。
即使此时加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。
因为晶闸管可以看作是由三个PN结组成。
在晶闸管处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。
当晶闸管阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。
如果晶闸管在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。
因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。
为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联RC 阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。
因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。
同时，避免电容器通过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管。
由于晶闸管过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。
RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择
电容的选择
C=(2.5-5)×10的负8次方×If
If=0.367Id
Id-直流电流值
如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)
可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF
选用2.5mF，1kv 的电容器
电阻的选择：
R=((2-4) ×535)If=2.14-8.56
选择10欧
PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)2
Pfv=2u(1.5-2.0)
u=三相电压的有效值
阻容吸收回路在实际应用中，RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。
小功率负载通常取2毫秒左右，R=220欧姆1W，C=0.01微法400~630V。
大功率负载通常取10毫秒，R=10欧姆10W，C=1微法630~1000V。
R的选取：小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻；大功率选RX21线绕或水泥电阻。
C的选取：CBB系列相应耐压的无极性电容器。
看保护对象来区分：接触器线圈的阻尼吸收和小于10A电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴；接触器触点和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。
友情提示：本资料代表个人观点，如有帮助请下载，谢谢您的浏览！。