模电 第6讲晶体三极管及基本放大电路
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晶体三极管及其基本放大电路(新)
练习题： 1、用直流电压表测得工作在放大区的某晶体管三个极 1， 2，3的电位分别为：V1= 2V，V2= 6V，V3=2.7V， 则 （ b ）。 (a) 1为发射极 E，2 为基极 B，3 为集电极 C (b) 1为发射极 E，2 为集电极 C，3 为基极 B (c) 1为基极B，2 为发射极 E，3 为集电极 C 2、晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体 管的 β( ) ，ICBO ( ) ，UBE ( ) 。(填“增大” 或 “减小”) ３、晶体管工作在放大区时，发射结为( )，集电结为 ( )；晶体管工作在饱和区时，发射结为( )，集电结 为( )；晶体管工作在截止区时，发射结为( )，集电 结为( )。 (填“正向偏置” 或 “反向偏置”)
U i U BE IB Rb
当 0 < IB< IBS，T处于放大状态
当 IB ≥ IBS，T处于饱和状态
当 IB< 0，T处于截止状态
例3：如图所示电路，VCC=6V，Rc=3k，Rb=10k， =25，当输入电压分别为3V，1V和1V时， 试问晶体管处于何种状态？ +VCC (1) 当UI=3V时，
晶体管的电流实际方向和发射结、集电结的实际极性
NPN型三极管
C IC IB B + + UCE + + UBE IE E B IB + -
PNP型三极管
C IC
-+ UCE
+
UBE + E
IE
UBE> 0， UCE> 0
UBE< 0， UCE< 0
共基极 4、晶体管的连接方式 共发射极 共集电极
3、温度对UBE的影响
晶体三极管及基本放大电路PPT
输出特性曲线
四、三极管器件手册的使用
三极管的类型非常多，从晶体管手册可以查找到三极管的型号，主要用途、主
要参数和器件外形等，这些技术资料是正确使用三极管的依据。
1．三极管型号
国产三极管的型号由五部分组成。
第一部分是数字“3”，表示三极管。 第二部分是用拼音字母表示管子的材料和极
性。 A——PNP锗材料，B——NPN锗材料， C——PNP硅材料，D——NPN硅材料。
电流iB经放大后获得对应的集电极电流iC，如图（d）所示。集—射极电压vCE 波形与输出电流iC变化情况相反，如图（e）所示。 vCE经耦合电容C2隔离直流成分 ，输出的只是放大信号的交流成分vo，波形如图（f）所示。
放大电路的电压和电流波形
第三节 放大电路的分析方法
一、主要性能指标 1．放大倍数 电压放大倍数
在实际放大电路中，除了共发射极联接方式外，还有共集电极和共基极联接方 式。
共发射极接法
共基极接法
共集电极接法
三、三极管的特性曲线 1．输人特性曲线
输人特性曲线是反映三极管输人回路电压和电流关系的曲线，它是在输出电压 VCE为定值时，iB与vBE对应关系的曲线。
当输入电压vBE较小时，基极电流iB很
第一节 晶体三极管
晶体三极管是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件，它由两个PN 结构成，在电路中主要作为放大和开关元件使用。
一、结构与分类
1．外形
近年来生产的小、中功率管多采用硅酮塑料封装；大功率三极管多采用金属封 装，通常做成扁平形状并有螺钉安装孔，有的大功率管制成螺栓形状。
塑料封装小功率管 塑料封装中功率管
集电极最大允许电流ICM 若三极管的工作电流超过ICM，其ß值将下降到正
四、三极管器件手册的使用
三极管的类型非常多，从晶体管手册可以查找到三极管的型号，主要用途、主
要参数和器件外形等，这些技术资料是正确使用三极管的依据。
1．三极管型号
国产三极管的型号由五部分组成。
第一部分是数字“3”，表示三极管。 第二部分是用拼音字母表示管子的材料和极
性。 A——PNP锗材料，B——NPN锗材料， C——PNP硅材料，D——NPN硅材料。
电流iB经放大后获得对应的集电极电流iC，如图（d）所示。集—射极电压vCE 波形与输出电流iC变化情况相反，如图（e）所示。 vCE经耦合电容C2隔离直流成分 ，输出的只是放大信号的交流成分vo，波形如图（f）所示。
放大电路的电压和电流波形
第三节 放大电路的分析方法
一、主要性能指标 1．放大倍数 电压放大倍数
在实际放大电路中，除了共发射极联接方式外，还有共集电极和共基极联接方 式。
共发射极接法
共基极接法
共集电极接法
三、三极管的特性曲线 1．输人特性曲线
输人特性曲线是反映三极管输人回路电压和电流关系的曲线，它是在输出电压 VCE为定值时，iB与vBE对应关系的曲线。
当输入电压vBE较小时，基极电流iB很
第一节 晶体三极管
晶体三极管是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件，它由两个PN 结构成，在电路中主要作为放大和开关元件使用。
一、结构与分类
1．外形
近年来生产的小、中功率管多采用硅酮塑料封装；大功率三极管多采用金属封 装，通常做成扁平形状并有螺钉安装孔，有的大功率管制成螺栓形状。
塑料封装小功率管 塑料封装中功率管
集电极最大允许电流ICM 若三极管的工作电流超过ICM，其ß值将下降到正
模拟电子技术基础半导体三极管及放大电路基础
本章主要内容
4.1 三极管的结构及类型 三极管的电流放大作用
三极管的共射特性曲线
三极管的主要参数
4.2 放大电路基本概念
共射放大电路
1
4.3 图解分析方法 小信号模型分析法
4.4 放大电路的工作点稳定问题 4.5 共集电极电路和共基极电路 4.6 放大电路的频率响应 4.7 多级放大电路
2
一、晶体三极管的结构和类型
温度每升高 10C，ICBO 约增大 1 倍。
24
2）. 温度升高，输出特性曲线向上移。 iC T2 > T1
O
iiiBBB=== 000uCE
温度每升高 1C， (0.5 1)%。
输出特性曲线间距增大。
25
四、晶体管的主要参数
1、电流放大系数
4 iC / mA 50 µA
1）. 共发射极电流放大系数
特点：
IB = 0 6 uCE /V
水平、等间隔
21
iC / mA 4饱
和 3区
放大区
2
I1CEO
截止区
O24
8 临界饱和时：
uCE = uBE
饱和区：
50 µA
uCE u BE
40 µA 30 µA 20 µA
uCB = uCE u BE 0
条件：两个结正偏
10 µA 特点：IC IB
IC mA +
A
+
+
V UCE
EC
RB
V UBE 输入回路
输出回路 –
+– –
–
EB 共发射极电路
发射极是输入回路、输出回路的公共端
16
1.输入特性
iB f (uBE) uCE常数
4.1 三极管的结构及类型 三极管的电流放大作用
三极管的共射特性曲线
三极管的主要参数
4.2 放大电路基本概念
共射放大电路
1
4.3 图解分析方法 小信号模型分析法
4.4 放大电路的工作点稳定问题 4.5 共集电极电路和共基极电路 4.6 放大电路的频率响应 4.7 多级放大电路
2
一、晶体三极管的结构和类型
温度每升高 10C，ICBO 约增大 1 倍。
24
2）. 温度升高，输出特性曲线向上移。 iC T2 > T1
O
iiiBBB=== 000uCE
温度每升高 1C， (0.5 1)%。
输出特性曲线间距增大。
25
四、晶体管的主要参数
1、电流放大系数
4 iC / mA 50 µA
1）. 共发射极电流放大系数
特点：
IB = 0 6 uCE /V
水平、等间隔
21
iC / mA 4饱
和 3区
放大区
2
I1CEO
截止区
O24
8 临界饱和时：
uCE = uBE
饱和区：
50 µA
uCE u BE
40 µA 30 µA 20 µA
uCB = uCE u BE 0
条件：两个结正偏
10 µA 特点：IC IB
IC mA +
A
+
+
V UCE
EC
RB
V UBE 输入回路
输出回路 –
+– –
–
EB 共发射极电路
发射极是输入回路、输出回路的公共端
16
1.输入特性
iB f (uBE) uCE常数
【精选文档】三极管基本放大电路PPT
【放大电路的分类】 按信号的大小分，可分为小信号放大器和大信号放 大器；按信号的频率分，可分为直流放大器、低频放大器、中频放大器、 视频放大器、高频放大器等；按放大器的构成形式分，可分为分立元件 放大器和集成电路放大器；按用途分，可分为电压放大器、电流放大器 和功率放大器。本章所学的是低频小信号放大器。
三极管基本放大电路
1.晶体三极管的结构及符号
2个PN结：集电结、发射结 3个区：集电区、基区、发射区 3个引脚：集电极（c)、基极(b)、发射极(e) 三极管的两种结构及电路图形符号
注意符号中箭头 方向的区别！
PNP型
NPN型
有箭头的一侧为发 射极，箭头方向表 示发射极正向电流
方向用V表示
第2节 三极管基本放大电路
1.放大电路的基本知识
放大电路也称放大器，收音机、电视机、扩音机都是放 大电路的典型应用，下图所示为扩音机结构和外型示意图。首 先话筒把声音信号转换为电信号，然后经扩音机内部的放大电 路对其放大后，送给扬声器，最后扬声器又把被放大的电信号 还原成了声音信号。
【放大电路的概念】 能把外界送入微弱的电信号不失真地放大至所需数 值并送给负载的电路就称为放大电路。
有箭头的一侧为发射极，箭头方向表示发射极正向电流方向用V表示
三种组态画放大直电路流的比通较 路原则 ：将电容视为开路。
（1）放大器的静态工作点 【定义】多级放大电路是指两个或两个以上的单级放大电路所组成的电路。 为了能自动稳定静态工作点，常采用分压式偏置放大电路和射极偏置放大电路。 【多级放大电路的耦合方式】在多级放大电路中，各级放大电路输入和输出之间的连接方式称为耦合方式。 电压放大倍数接近于1而小于1，而且输入电阻很高、输出电阻很低 （2）低频特性不很好，不能用于直流放大器中 【解析】画直流通路的原则是交流信号视为零、电容视作开路，画交流通路的原则是直流电源电源、电容视作短路。 避免放大电路输入端与信号源之间相互影响 多级放大电路的耦合方式 对于输入级，一般采用输入阻抗较高的放大电路，以便从信号源获得较大的电压输入信号并对信号进行放大。 其中，基极下偏置电阻Rb2可以使电源电压Vcc经Rb1与Rb2串联分压后为基极提供稳定电压UB，发射极电阻Re的作用是稳定静态电流 IE（IC），发射极旁路电容Ce的作用是提供交流信号的通道，减少信号的损耗，使放大器放大能力不会因为Re而降低。 *第5节 多级放大器 (a)放大电路 使发射结正偏，集电极反偏，保证三极管工作在放大状态
三极管基本放大电路
1.晶体三极管的结构及符号
2个PN结：集电结、发射结 3个区：集电区、基区、发射区 3个引脚：集电极（c)、基极(b)、发射极(e) 三极管的两种结构及电路图形符号
注意符号中箭头 方向的区别！
PNP型
NPN型
有箭头的一侧为发 射极，箭头方向表 示发射极正向电流
方向用V表示
第2节 三极管基本放大电路
1.放大电路的基本知识
放大电路也称放大器，收音机、电视机、扩音机都是放 大电路的典型应用，下图所示为扩音机结构和外型示意图。首 先话筒把声音信号转换为电信号，然后经扩音机内部的放大电 路对其放大后，送给扬声器，最后扬声器又把被放大的电信号 还原成了声音信号。
【放大电路的概念】 能把外界送入微弱的电信号不失真地放大至所需数 值并送给负载的电路就称为放大电路。
有箭头的一侧为发射极，箭头方向表示发射极正向电流方向用V表示
三种组态画放大直电路流的比通较 路原则 ：将电容视为开路。
（1）放大器的静态工作点 【定义】多级放大电路是指两个或两个以上的单级放大电路所组成的电路。 为了能自动稳定静态工作点，常采用分压式偏置放大电路和射极偏置放大电路。 【多级放大电路的耦合方式】在多级放大电路中，各级放大电路输入和输出之间的连接方式称为耦合方式。 电压放大倍数接近于1而小于1，而且输入电阻很高、输出电阻很低 （2）低频特性不很好，不能用于直流放大器中 【解析】画直流通路的原则是交流信号视为零、电容视作开路，画交流通路的原则是直流电源电源、电容视作短路。 避免放大电路输入端与信号源之间相互影响 多级放大电路的耦合方式 对于输入级，一般采用输入阻抗较高的放大电路，以便从信号源获得较大的电压输入信号并对信号进行放大。 其中，基极下偏置电阻Rb2可以使电源电压Vcc经Rb1与Rb2串联分压后为基极提供稳定电压UB，发射极电阻Re的作用是稳定静态电流 IE（IC），发射极旁路电容Ce的作用是提供交流信号的通道，减少信号的损耗，使放大器放大能力不会因为Re而降低。 *第5节 多级放大器 (a)放大电路 使发射结正偏，集电极反偏，保证三极管工作在放大状态
模拟电子技术模电之三极管和基本放大电路课件
(2) 温度对 的影响 温度每升高1℃， 值约增大0.5%~1%。
(3) 温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响 温度升高时，V(BR)CBO和V(BR)CEO都会有所提高。
2. 温度对BJT特性曲线的影响
end
1、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。 在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。
4.1.3 BJT的V-I 特性曲线
特性曲线是指各电 极之间的电压与电 流之间的关系曲线。 将BJT看作一双口网 络，我们主要考察：
输入特性曲线 输出特性曲线
1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例）
iB=f(vBE) vCE=const.
(1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态， 开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下iB减小，特性曲线右移。 当vCE≥1V时，保持vBE不变，发射区扩散到基区电子数目不变，曲线
画直流通路原则：
vs 短路，is 开路
电容开路
所有电量大写
直流通路
分析动态参数时，使用交流通路 画交流通路原则：
VBB，VCC 短路
电容短路 所有电量小写
交流通路
(a)直流通路
(b)交流通路
(1)静态工作情况
IB
VCC VBE Rb
VCC Rb
IC β IB
VCE VCC IC Rc
基本重合。
共射极连接
管子正常工作时，vBE
ห้องสมุดไป่ตู้
0.7V(硅管） - 0.2V(锗管）
2. 输出特性曲线
iC=f(vCE) iB=const.
(3) 温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响 温度升高时，V(BR)CBO和V(BR)CEO都会有所提高。
2. 温度对BJT特性曲线的影响
end
1、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。 在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。
4.1.3 BJT的V-I 特性曲线
特性曲线是指各电 极之间的电压与电 流之间的关系曲线。 将BJT看作一双口网 络，我们主要考察：
输入特性曲线 输出特性曲线
1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例）
iB=f(vBE) vCE=const.
(1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态， 开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下iB减小，特性曲线右移。 当vCE≥1V时，保持vBE不变，发射区扩散到基区电子数目不变，曲线
画直流通路原则：
vs 短路，is 开路
电容开路
所有电量大写
直流通路
分析动态参数时，使用交流通路 画交流通路原则：
VBB，VCC 短路
电容短路 所有电量小写
交流通路
(a)直流通路
(b)交流通路
(1)静态工作情况
IB
VCC VBE Rb
VCC Rb
IC β IB
VCE VCC IC Rc
基本重合。
共射极连接
管子正常工作时，vBE
ห้องสมุดไป่ตู้
0.7V(硅管） - 0.2V(锗管）
2. 输出特性曲线
iC=f(vCE) iB=const.
晶体三极管及其基本放大电路解读PPT课件
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2. 设置静态工作点的必要性
为什么放大的对象是动态信号，却要晶体管在信号为零 时有合适的直流电流和极间电压？
输出电压必然失真！ 设置合适的静态工作点，首先要解决失真问题，但Q点 几乎影响着所有的动态参数！
第14页/共79页
三、基本共射放大电路的波形分
析
动态信号
驮载在静
态之上
与iC变化 方向相反
当VCC>>UBEQ时，IBQ 已知：VCC＝12V，
VCC Rb
Rb＝600kΩ，
Rc＝3kΩ ，
β
＝100。
Q
＝？
第23页/共79页
二、等效电路法
输入回路等效为 恒压源
•
半 利
导 用
体 线
器 性
件 元
的 件
非 建
线 立
性 模
特 型
性 ，
使 来
放 描
大 述
电 非
路线IBQ的性＝分器VBB析件－RU复的b BE杂特Q
第36页/共79页
直流负载线和交流负载线
B
I CQ RL'
Uom=? Q点在什么位置Uom最大？
交流负载线应过Q点，且 斜率决定于（Rc∥RL）
第37页/共79页
§4.4 晶体管放大电路的 三种接法
一、静态工作点稳定的共射放大电路 二、基本共集放大电路 三、基本共基放大电路 四、三种接法的比较
第38页/共79页ห้องสมุดไป่ตู้
• 在Ui不变的情况下， Rb减小，Uo如何变化？Au如何变化？
当Uo最大时，再减小Rb，会出现失真吗？
•
在增什大么，不情 真一了定？行！
况A下u ，UU空oi 载
2. 设置静态工作点的必要性
为什么放大的对象是动态信号，却要晶体管在信号为零 时有合适的直流电流和极间电压？
输出电压必然失真！ 设置合适的静态工作点，首先要解决失真问题，但Q点 几乎影响着所有的动态参数！
第14页/共79页
三、基本共射放大电路的波形分
析
动态信号
驮载在静
态之上
与iC变化 方向相反
当VCC>>UBEQ时，IBQ 已知：VCC＝12V，
VCC Rb
Rb＝600kΩ，
Rc＝3kΩ ，
β
＝100。
Q
＝？
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二、等效电路法
输入回路等效为 恒压源
•
半 利
导 用
体 线
器 性
件 元
的 件
非 建
线 立
性 模
特 型
性 ，
使 来
放 描
大 述
电 非
路线IBQ的性＝分器VBB析件－RU复的b BE杂特Q
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直流负载线和交流负载线
B
I CQ RL'
Uom=? Q点在什么位置Uom最大？
交流负载线应过Q点，且 斜率决定于（Rc∥RL）
第37页/共79页
§4.4 晶体管放大电路的 三种接法
一、静态工作点稳定的共射放大电路 二、基本共集放大电路 三、基本共基放大电路 四、三种接法的比较
第38页/共79页ห้องสมุดไป่ตู้
• 在Ui不变的情况下， Rb减小，Uo如何变化？Au如何变化？
当Uo最大时，再减小Rb，会出现失真吗？
•
在增什大么，不情 真一了定？行！
况A下u ，UU空oi 载
《模拟电子技术》第3章 晶体三极管及放大电路基础
• 放大器的静态：当输入的交流信号为零时，这时 三极管的基极、集电极和发射极中都只有直流电 流。
• 放大器的动态：当输入的交流信号不为零时，基 极、集电极和发射极中的电流既含有直流电流成 分又含有交流电流成分。
3.3 共射基本放大电路
3.3.1 电路结构和元器件的作用
3.3.2 共发射极放大电路的工作原理
3.1.5 三极管的工作状态
1.三极管的三种组态
2.共发射极放大电路的输入输出特性
三极管的工作状态说明
3.三极管截止和饱和时的等效电路
• 三极管的工作状态判断。
①当UBE<UTH时，IB=0，三极管截止，C、E间相当于开关断开， Ic=0；
②当iB>IBS时，三极管饱和，C、E间相当于开关闭合，iC=ICS；
第三章 晶体三极管及放大 电路基础
学习目标：
（１）了解三极管的电流放大作用。 （２）掌握万用管的三种组态特点。掌握共射电路的
基本结构。 （４）了解放大电路性能指标。掌握用万用表调试三
极管各参数的方法。 （5） 制作放大电路，把微弱的信号进行放大，如做
IE＝IC＋IB，在放大状态下，IC＝βIB。
本章回顾
(3)三极管的特性曲线和参数是用来描述三极管 性能，是选择三极管时的依据。选择三极管时 要考虑的主要参数是工作频率、耐压、放大倍 数。型号相同的三极管可以互换，型号不同， 但对于该电路来说关键参数相似也可以替换。
(4)放大器是三极管电路中最常见和最基本的电 路。放大器的基本任务就是放大信号。放大器 用一些性能指标来表征放大器性能：电压（电 流、功率）放大倍数、输入电阻、输出电阻是 最主要的三个。单级共射小信号放大器是最基 本的放大电路。
3.4 三种基本组态放大电路的比较
• 放大器的动态：当输入的交流信号不为零时，基 极、集电极和发射极中的电流既含有直流电流成 分又含有交流电流成分。
3.3 共射基本放大电路
3.3.1 电路结构和元器件的作用
3.3.2 共发射极放大电路的工作原理
3.1.5 三极管的工作状态
1.三极管的三种组态
2.共发射极放大电路的输入输出特性
三极管的工作状态说明
3.三极管截止和饱和时的等效电路
• 三极管的工作状态判断。
①当UBE<UTH时，IB=0，三极管截止，C、E间相当于开关断开， Ic=0；
②当iB>IBS时，三极管饱和，C、E间相当于开关闭合，iC=ICS；
第三章 晶体三极管及放大 电路基础
学习目标：
（１）了解三极管的电流放大作用。 （２）掌握万用管的三种组态特点。掌握共射电路的
基本结构。 （４）了解放大电路性能指标。掌握用万用表调试三
极管各参数的方法。 （5） 制作放大电路，把微弱的信号进行放大，如做
IE＝IC＋IB，在放大状态下，IC＝βIB。
本章回顾
(3)三极管的特性曲线和参数是用来描述三极管 性能，是选择三极管时的依据。选择三极管时 要考虑的主要参数是工作频率、耐压、放大倍 数。型号相同的三极管可以互换，型号不同， 但对于该电路来说关键参数相似也可以替换。
(4)放大器是三极管电路中最常见和最基本的电 路。放大器的基本任务就是放大信号。放大器 用一些性能指标来表征放大器性能：电压（电 流、功率）放大倍数、输入电阻、输出电阻是 最主要的三个。单级共射小信号放大器是最基 本的放大电路。
3.4 三种基本组态放大电路的比较
工学模电三极管及放大电路
为什么要设置静态工作点？ 放大电路建立正确的静态工作点，是为了使三极管工作在线性区，以
保证信号不失真。
IB
IC
IB
Q
IC
Q IB
UBE
UBE
第22页/共97页
UCE
UCE
不设置静态工作点的工作情况
只有交流通路的情况.
iB (A)
ib A ib
I B1
t
0
0
说明产生
了非线性
失真(钟
0
形波)
t
U BE1
第2页/共97页
C
集电极
N
B
+_ +_+_+_+_+_+_+_+_+_+_+_+
集电结(JC)
P _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
基极
+_+ + + + + + + + + + + +
发射结(JE)
N
E
发射极
第3页/共97页
3、分类
按结构分：NPN型、PNP型 按频率分：高频、中频、低频 按功率分：大功率（＞3W）、中功率（0.5 ～ 3W）、小功率（＜0.5W） 按材料分：硅（Si）、锗（Ge） 按制造工艺分：平面型和合金型。
VBE=VBB—IB*RB
Ⅱ为输出回路，V—I特性： IC=βIB VCE=VCC—IC*RC =VCC—βIB *RC
输入回路和输出回路共接到发射极，故称为“共发射极”放大电路，简称“共射 放大电路”。总结：P.72
第8页/共97页
三极管及其放大电路 ppt课件
② 基区：很薄（通常为几微米～几十微米），低
掺杂浓度；(薄牛肉)
c
③ 集电区： 掺杂浓度要比发 射区低；
面积比发射区大；
N
b
P
N
e
ppt课件
7
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
2.1.2 BJT的电流放大作用
1.三极管的偏置 为实现放大，必须满足三极管的内部结构和外部 条件两方面的要求。
c
N
输出特性曲线可以划分为三个区域： 饱和区——iC受vCE控制的区域，该区域内vCE的 数值较小。此时Je正偏，Jc正偏
iC /mA
pp2t课5件℃
=80μA =60μA =40μA
=20μA
vCE /2V0
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
饱和区——iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的数值较 小。此时Je正偏，Jc正偏。
2.极限参数 （1）集电极最大允许电流ICM 指BJT的参数变化不超过允许值时集电极允 许的最大电流。
ppt课件
27
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
（1）集电极最大允许电流ICM
指BJT的参数变化不超过允许值时集电极允许的最大电流。
（2）集电极最大允许功率损耗PCM
表示集电极上
过流区
允许损耗功率
Ii
Io
+
+
Rs Vi
放大电路 Ri (放大器)
Vo
RL
-
-
Ri
Ri决定了放大电路从信号源吸取信号幅值的大
小，即它决定了放大电路对信号源的要求。
Ri越大，Ii就越小，放大电路从信号源索取的电流越
小。放大电路所得到的输入电压Vi越接近信号源电压Vs。
晶体三极管及放大电路PPT课件
输入特性
IBf(UBE )UCE 常 数
特点:非线性
IB(A) 80 60
UCE1V
40
发射结正偏时发射结导通 电压： NPN型硅管
UBE 0.6~0.7V PNP型锗管
20
UBE 0.2 ~ 0.3V
O 0.4 0.8 UBE(V)
开启电压：硅 管0.5V，锗 管0.1V。
16
2. 输出特性 描述基极电流iB为一常量时，集电极电流ic与
VBB 补充。
晶体管内部载流子的运动
多数电子在基区继续运动，
到达集电结的一侧。
10
3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流Ic，集电
结反偏，有利于收集基区漂移过来的电子而形成集电极电流 Icn。 其能量来自外接电源 VCC 。
c IC
ICBO
IB
b Rc
Rb
另外，集电区和基区的
少子在外电场的作用下将
V UCE
+ EC
输出回路 –
–
EB
发射极是输入回路、输出回路的公共端 14
1、输入特性曲线 描述管压降UCE一定的情况下，基极Leabharlann 电流iB与发射结压降uBE之间的函数关
系，即
iB f(uBE)UCE
为什么像PN结的伏安特性？
为什么UCE增大曲线右移？ 为什么UCE增大到一定值曲线右移就 不明显了？
1.发射结加正向电压，扩散运动
c
形成发射极电流发射区的电子越
过发射结扩散到基区，基区的空
Rc
穴扩散到发射区—形成发射极电 流 IE (基区多子数目较少，空穴电
IB
流可忽略)
b Rb
e
2. 扩散到基区的自由电子与 空
晶体三极管及其基本放大电路
P
N IEN e IE
RC
15V UCC
2019/9/6
电路与模拟电子技术基础
27
2、集电极最大允许电流ICM
ICM：β下降到正常值的2/3时的iC。 当iC >ICM时，虽然管子不致于损坏，但 β值已经明显减小。
2019/9/6
电路与模拟电子技术基础
28
3、集电极最大允许耗散功率PCM
iC
ICM
＋＋
UCC
UBB
uBE V
V uCE
－－
2019/9/6
电路与模拟电子技术基础
13
RC
5.1.3.1 共射极输入特性曲线 ＋
iC mA
RB
iB
－
共射组态晶体 管的输入特性：UBB
μA
＋＋
UCC
uBE V
V uCE
－－
它是指一定集电极和发射极电压UCE下，三极管 的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。
5.1.3 晶体管的共射特性曲线
晶体管特性曲线：描述晶体管各极电流与
极间电压关系的曲线。
iB
b 输入 回路
iC
c
输出 回路
iB b
iE
e
iE
e
iC c
e
(a)共发射极
c
(b)共集电极
b
(c)共基极
2019/9/6
电路与模拟电子技术基础
12
下面以共射极电路为测试电路
RC
＋
i C mA
－
RB
iB
μA
UCC RC RB
＋
＋
V
RL
uo
ui
－
模电——三极管课件PPT
（一）晶体三极管的概念、分类、结构、符号及类型判断
• 提问： • ⑴图中位于左右两边的N区可以互相调换位子嘛？
– 答：通过之前对内部结构的分析得出，由于各区掺杂浓度不同以及各区的特 点，两个N区是不能互换的。
• ⑵晶体管只能有三个引脚嘛？ – 答：一般的只有三个引脚，但一些金属封装的大功率管就只有两个引脚，分 别为b,e极，c极为金属外壳。
放大状态的外部条件为发射结正偏，
集电结反偏。由此我们得出
Vbb<<Vcc
（四）三极管的输入和输出特性
• 一、共发射极输入特性曲线
•
集射极之间的电压VCE一
定时，发射结电压VBE与基极
电流IB之间的关系曲线。
三极管的输入特性
（四）三极管的输入和输出特性
• 由图可见：
• 1．当V CE ≥2 V时，特性曲线基本重
（三）晶体三级管的工作电压和基本连接方式
何为发射结G正B为称偏基偏，极置集电电电源源结，又反偏？Rb为基极电阻
V为三极管R阻c。为集电极G电C为集源电极电
三极管电源的接法
（三）晶体三级管的工作电压和基本连接方式
三极管在电路中的三种基本连接方式：
• 共射极连接法
共基极连接法
共集电极连接法
（三）晶体三级管的工作电压和基本连接方式
小变化不失真的放大输入。
（二）晶体三级管的电流放大作用
• 三极管放大原理 • 三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流控制大电流。 • 即三极管放大的原理就在于：通过小的交流输入，控制大的静态直流。 • 切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。 • 放大的条件 • 内部：发射区杂质浓度远大与基区杂质浓度，且基区很薄，集电结面积大（即各区特点） • 外部：发射结正偏，集电结反偏 • 何为发射结正偏，集电结反偏？
晶体三极管及基本放大电路
晶体三极管及基本 放大电路
目录
• 晶体三极管简介 • 基本放大电路 • 晶体三极管在基本放大电路中的应用 • 晶体三极管放大电路的性能指标 • 晶体三极管放大电路的应用 • 晶体三极管放大电路的设计与制作
01
CATALOGUE
晶体三极管简介
晶体三极管的基本结构
01
02
03
三个电极
集电极、基极和发射极， 是晶体三极管的主要组成 部分。
THANKS
感谢观看
总结词
通频带和最高频率响应是衡量放大电路 对不同频率信号的放大能力的参数。
VS
详细描述
通频带表示放大电路能够正常工作的频率 范围，其宽度由晶体三极管的截止频率和 放大倍数决定。最高频率响应表示放大电 路能够处理的最高频率信号，其大小由晶 体三极管的截止频率决定。通频带和最高 频率响应是晶体三极管放大电路的重要性 能指标，决定了电路的应用范围和性能表 现。
05
CATALOGUE
晶体三极管放大电路的应用
在音频信号处理中的应用
音频信号放大
晶体三极管放大电路可以用于放 大音频信号，如麦克风、扬声器 等设备中的信号放大。
音频效果处理
在音频信号处理中，晶体三极管 放大电路可以用于实现各种音效 效果，如失真、压缩、均衡等。
音频功率放大
在音响系统中，晶体三极管放大 电路可以作为功率放大器使用， 将音频信号放大到足够的功率以 驱动扬声器发声。
共发射极放大电路
总结词
共发射极放大电路是晶体三极管最常用的放大电路，具有电压和电流放大作用。
详细描述
共发射极放大电路由晶体三极管、输入信号源、输出负载和偏置电路组成。输入信号加在 基极和发射极之间，通过晶体三极管的放大作用，将信号电压或电流放大后，从集电极和 发射极之间输出。
目录
• 晶体三极管简介 • 基本放大电路 • 晶体三极管在基本放大电路中的应用 • 晶体三极管放大电路的性能指标 • 晶体三极管放大电路的应用 • 晶体三极管放大电路的设计与制作
01
CATALOGUE
晶体三极管简介
晶体三极管的基本结构
01
02
03
三个电极
集电极、基极和发射极， 是晶体三极管的主要组成 部分。
THANKS
感谢观看
总结词
通频带和最高频率响应是衡量放大电路 对不同频率信号的放大能力的参数。
VS
详细描述
通频带表示放大电路能够正常工作的频率 范围，其宽度由晶体三极管的截止频率和 放大倍数决定。最高频率响应表示放大电 路能够处理的最高频率信号，其大小由晶 体三极管的截止频率决定。通频带和最高 频率响应是晶体三极管放大电路的重要性 能指标，决定了电路的应用范围和性能表 现。
05
CATALOGUE
晶体三极管放大电路的应用
在音频信号处理中的应用
音频信号放大
晶体三极管放大电路可以用于放 大音频信号，如麦克风、扬声器 等设备中的信号放大。
音频效果处理
在音频信号处理中，晶体三极管 放大电路可以用于实现各种音效 效果，如失真、压缩、均衡等。
音频功率放大
在音响系统中，晶体三极管放大 电路可以作为功率放大器使用， 将音频信号放大到足够的功率以 驱动扬声器发声。
共发射极放大电路
总结词
共发射极放大电路是晶体三极管最常用的放大电路，具有电压和电流放大作用。
详细描述
共发射极放大电路由晶体三极管、输入信号源、输出负载和偏置电路组成。输入信号加在 基极和发射极之间，通过晶体三极管的放大作用，将信号电压或电流放大后，从集电极和 发射极之间输出。
晶体三极管及其放大电路
能量转换
在放大过程中，电能转换 为信号能量，实现信号的 放大。
晶体三极管放大电路的特性
电压放大倍数
晶体三极管放大电路的电压放大倍数取决于电路参数和晶体三极 管特性。
输入电阻与输出电阻
适当选择电路参数，可以提高放大电路的输入电阻和降低输出电阻， 提高电路性能。
稳定性与失真
在实际应用中，需要考虑放大电路的稳定性，避免自激振荡和失真 现象。
晶体三极管及其放大 电路
目 录
• 晶体三极管基础 • 晶体三极管放大电路 • 晶体三极管放大电路的应用 • 晶体三极管放大电路的调试与优化
01
晶体三极管基础
晶体三极管的结构
晶体三极管由三个半导体区域组 成，分别是发射区、基区和集电
区。
晶体三极管内部有两个PN结， 分别是集电极-基极PN结和发射
视频放大
总结词
视频放大电路利用晶体三极管的高频放大性能，对视频信号进行放大，以驱动 显示屏等输出设备。
详细描述
视频放大电路主要用于电视机、显示器等视频设备的信号处理。它能够将微弱 的视频信号放大并传输到显示屏上，确保图像清晰、色彩鲜艳。视频放大电路 对提高视频设备的性能和图像质量具有重要作用。
信号放大
பைடு நூலகம்
03
晶体三极管放大电路的 应用
音频放大
总结词
音频放大是晶体三极管放大电路的重要应用之一，用于将微 弱的音频信号放大，满足扬声器等输出设备的驱动需求。
详细描述
音频放大电路通常采用音频信号作为输入，通过晶体三极管 将信号放大后驱动扬声器或其他音频输出设备。这种电路广 泛应用于音响设备、麦克风、耳机等音频产品中，提供清晰 、动态的音质效果。
总结词
模拟电子技术基础课件：晶体三极管
iC
放大區
為什麼uCE較小時iC隨uCE變 化很大？為什麼進入放大狀態
曲線幾乎是橫軸的平行線？
iB
iC iB
UCE 常量
截止區 β是常數嗎？什麼是理想電晶體？什麼情況下 ?
電晶體的三個工作區域
狀態 截止 放 Uon
iC ICEO βiB ＜βiB
uCE VCC ≥ uBE ≤ uBE
iB f (uBE ) UCE
為什麼像PN結的伏安特性？ 為什麼UCE增大曲線右移？ 為什麼UCE增大到一定值曲 線右移就不明顯了？
對於小功率電晶體，UCE大於1V的一條輸入特性曲線 可以取代UCE大於1V的所有輸入特性曲線。
2. 輸出特性 iC f (uCE ) IB
對應於一個IB就有一條iC隨uCE變化的曲線。 飽和區
電晶體工作在放大狀態時，輸出回路的電流 iC幾乎僅僅 決定於輸入回路的電流 iB，即可將輸出回路等效為電流 iB 控制的電流源iC 。
四、溫度對電晶體特性的影響
T (℃) ICEO
u
不变时
BE
iB
，即iB不变时uBE
五、主要參數
•
直流參數：
、 、ICBO、 ICEO
IC
IE
iC iE 1
VCC Rc
(12 )mA 5
2.4mA
臨界飽和時的 iCmax 56
iB
1. 分別分析uI=0V、5V時T是工作在截止狀態還是導通狀態； 2. 已知T導通時的UBE＝0.7V，若uI=5V，則β在什麼範圍內T
處於放大狀態?在什麼範圍內T處於飽和狀態？
討論二
2.7
ΔiC
PCM iCuCE
uCE=1V時的iC就是ICM
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则电压增益为
Rb
Rc
RL
( R // R ) U I O c c L A u r U I i b be ( R // R ) I ( R c // R L ) b c L U I r r
b be be
源电压增益
A uS
I C h fe I B
I C h oe U CE
H参数的确定（续）
2) 计算法
:一般用测试仪测出；
rbe :与Q点有关，可用图示仪测出。 一般也用公式估算 rbe （忽略 r’e ） rbe= rbb’ + (1+ ) re 其中对于低频小功率管 rbb’≈200
( Rc ∥ RL ) Au 11 Rb rbe
Ri Rb rbe 11k Ro Rc 3k
讨论五：阻容耦合共射放大电路的静态分析
为什么可 忽略？
I BQ
VCC U BEQ 20μA Rb
I CQ I BQ 1.6m A U CEQ VCC I CQ R c 7.2V
第四章教学要求
1、了解三极管结构与内部载流子的运动，掌握其外特性， 在实际应用中正确选择三极管的参数； 2、理解基本放大电路的组成原则，掌握基本放大电路的图 解分析法和等效电路分析法； 3、掌握三种基本放大电路的特点及其应用； 4、了解放大电路的频率响应。
重点与难点
重点：三极管的放大作用，三极管的外特性，放大电 路的基本分析方法，三种基本放大电路的特点及其 应用。 难点： 三极管内部载流子运动，图解分析法，频率 响应。
I b
I c R I b c
U i
Rb
RL U O
H参数小信号等效电路
交流等效原则
1、恒定的电压看作交流短路； 2、恒定的电流看作交流开路。 画微变等效电路
3) 求电压增益
根据
I r U i b be I I c b I (R // R ) U O c c L
U U O i US US
' U R R O i L U R S R i rbe i
4) 求输入电阻(92页） I I I i b
b
I I cc R I b b c
Ro
V U i i
Ri 5) 求输出电阻
Ro Ut It
80 ，rbe 1.5k
讨论五：阻容耦合共射放大电路的动态分析（续）
80 ，rbe 1.5k
( R c ∥ R L ) 80 A u rbe U U ( R c ∥ R L ) U Ri o i A us o 48 U U U R R r
可得小信号模型
BJT双口网络
BJT的H参数模型
1. BJT的H参数及小信号模型 H参数小信号模型 受控电流源hfeib ，反映 了BJT的基极电流对集电极 电流的控制作用。电流源的 流向由ib的流向决定。 hrevce是一个受控电压 源。反映了BJT输出回路电 压对输入回路的影响。 H参数都是小信号参数，即微变参数或交流参数。
I R U o c c
Ro Rc
U β Rc o Au Ui Rb rbe
Ui Ri Rb rbe Ii
放大电路等效电路分析法举例
参PP.93～95
例4.3.5
例4.3.6
讨论四：基本共射放大电路的静态分析
80
rbb' 200
ic= hfeib+ hoevce
1. BJT的H参数及小信号模型 H参数的引出 其中：
vBE h ie iB
iC h fe iB
VCE
vbe= hieib+ hrevce ic= hfeib+ hoevce
输出端交流短路时的输入电阻；
VCE
输出端交流短路时的正向电流传输比或电 流放大系数；
hre和hoe都很小，常 忽略它们的影响。 一般采用习惯符号 即 rbe= hie = hfe
μT = hre
H参数的确定 1）图解法
用图示仪测出输入、输出特性曲线，再按定义求出各H 参数.
u BE h ie i B
u BE hre uCE
H参数的确定（续） 1）图解法（续）*
H参数的数值与工作点的位置有关。
H参数都是微变参数，所以只适合对交流信号的分析。
h参数的物理意义
uBE hie iB
U CE
rbe
uBE hre uCE
IB
b-e间的 动态电阻
内反馈 系数
h fe
iC iB
U CE
电流放大系数
iC hoe uCE
iB
3. 用H参数小信号模型分析共射极放大电路
（1）阻容耦合方式
1） 利用直流通路求Q点
VCC U BE IB Rb IC β IB
UCE VCC ICRc
共射极放大电路
一般硅管UBE=0.7V，锗管UBE=0.2V， 已知。
2） 画出小信号等效电路
ic +
uce
交流通路
共射极放大电路
4.4 基本放大电路的三种接法 4.5 放大电路的频率响应
4.3 放大电路的基本分析方法
4.3.1 放大电路的直流通路和交流通路 4.3.2 图解法 4.3.3 等效电路法
4.3.3 小信号模型分析法(等效电路法）
1. BJT的H参数及小信号模型
建立小信号模型的意义
由于三极管是非线性器件，这样就使得放大电路的 分析非常困难。建立小信号模型，就是将非线性器件做 线性化处理，从而简化放大电路的分析和设计。
1 rce
c-e间的电导
分清主次，合理近似！什么情况下h12和h22的作用可忽略不计？
1. BJT的H参数及小信号模型 模型的简化 BJT在共射连接时，其H
参数的数量级一般为
hie hre 103 103 ~ 104 he 2 h h 10 5 S fe oe 10
iC f 2 (iB , vCE )
BJT双口网络
在小信号情况下，对上两式取全微分得 vBE vBE dvBE VCE diB I B dvCE iB vCE iC iC diC VCE diB I B dvCE iB vCE 用小信号交流分量表示 vbe= hieib+ hrevce
VT (mV) 26(mV) (T=300K) 而 re I EQ (mA) I EQ (mA)
则
26( mV ) rbe 200 (1 ) I EQ ( mA )
注意:
• (1) (1+ ) re 是 re 折合到基极回路的等效电阻; • (2) re 是交流电阻,但与工作点IEQ有关; • (3) rbe公式的适用范围: 0.1mA＜IEQ＜5mA;
建立小信号模型的思路
当放大电路的输入信号电压很小时，就可以把三极管 小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把 三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处 理。
1. BJT的H参数及小信号模型 H参数的引出 对于BJT双口网络，已知输入 输出特性曲线如下： iB=f(vBE) vCE=const iC=f(vCE) iB=const 可以写成： vBE f1 (iB , vCE )
Rb
RL V U OO
U R i i R b // rbe Ii
vs 0, RL
令
0 U i
0 I b
0 I b
所以
Ro = Rc
3. 用H参数小信号模型分析共射极放大电路（续）
（2） 直接耦合方式 (P91)
放大电路的 交流等效电路
I (R r ) I (R r ) U i i b be b b be
本次课教学要求
• 1、掌握BJT的H参数等效电路的原理及参数 的确定方法； • 2、掌握基本共射放大电路的等效电路分析 法，即掌握共射放大电路电压放大倍数、 输入电阻、输出电阻的计算。
第4章 半导体三极管及放大电路基础
4.1 半导体三极管（BJT）
4.2 放大电路的组成原则
4.3 放大电路的基本分析法
Q
为什么用 图解法求解 IBQ和UBEQ？
IBQ≈35μA UBEQ≈0.65V
VBB小
I CQ I BQ 2.8mA U CEQ VCC I CQ Rc 3.8V
讨论四：基本共射放大电路的动态分析（续）
参P93 例4.3.4
UT rbe rbb' (1 ) 952 I EQ
IB
vBE h re vCE iC h oe vCE
输入端交流开路时的反向电压传输比；
IB
输入端交流开路时的输出电导。
四个参数量纲各不相同，故称为混合参数（H参数）。
1. BJT的H参数及小信号模型 H参数小信号模型 根据
vbe= hieib+ hrevce ic= hfeib+ hoevce
s s i s i be
R i R b ∥ rbe 1.5k R o R c 3k
课外作业
P123 4.11
END
Rb
Rc
RL
( R // R ) U I O c c L A u r U I i b be ( R // R ) I ( R c // R L ) b c L U I r r
b be be
源电压增益
A uS
I C h fe I B
I C h oe U CE
H参数的确定（续）
2) 计算法
:一般用测试仪测出；
rbe :与Q点有关，可用图示仪测出。 一般也用公式估算 rbe （忽略 r’e ） rbe= rbb’ + (1+ ) re 其中对于低频小功率管 rbb’≈200
( Rc ∥ RL ) Au 11 Rb rbe
Ri Rb rbe 11k Ro Rc 3k
讨论五：阻容耦合共射放大电路的静态分析
为什么可 忽略？
I BQ
VCC U BEQ 20μA Rb
I CQ I BQ 1.6m A U CEQ VCC I CQ R c 7.2V
第四章教学要求
1、了解三极管结构与内部载流子的运动，掌握其外特性， 在实际应用中正确选择三极管的参数； 2、理解基本放大电路的组成原则，掌握基本放大电路的图 解分析法和等效电路分析法； 3、掌握三种基本放大电路的特点及其应用； 4、了解放大电路的频率响应。
重点与难点
重点：三极管的放大作用，三极管的外特性，放大电 路的基本分析方法，三种基本放大电路的特点及其 应用。 难点： 三极管内部载流子运动，图解分析法，频率 响应。
I b
I c R I b c
U i
Rb
RL U O
H参数小信号等效电路
交流等效原则
1、恒定的电压看作交流短路； 2、恒定的电流看作交流开路。 画微变等效电路
3) 求电压增益
根据
I r U i b be I I c b I (R // R ) U O c c L
U U O i US US
' U R R O i L U R S R i rbe i
4) 求输入电阻(92页） I I I i b
b
I I cc R I b b c
Ro
V U i i
Ri 5) 求输出电阻
Ro Ut It
80 ，rbe 1.5k
讨论五：阻容耦合共射放大电路的动态分析（续）
80 ，rbe 1.5k
( R c ∥ R L ) 80 A u rbe U U ( R c ∥ R L ) U Ri o i A us o 48 U U U R R r
可得小信号模型
BJT双口网络
BJT的H参数模型
1. BJT的H参数及小信号模型 H参数小信号模型 受控电流源hfeib ，反映 了BJT的基极电流对集电极 电流的控制作用。电流源的 流向由ib的流向决定。 hrevce是一个受控电压 源。反映了BJT输出回路电 压对输入回路的影响。 H参数都是小信号参数，即微变参数或交流参数。
I R U o c c
Ro Rc
U β Rc o Au Ui Rb rbe
Ui Ri Rb rbe Ii
放大电路等效电路分析法举例
参PP.93～95
例4.3.5
例4.3.6
讨论四：基本共射放大电路的静态分析
80
rbb' 200
ic= hfeib+ hoevce
1. BJT的H参数及小信号模型 H参数的引出 其中：
vBE h ie iB
iC h fe iB
VCE
vbe= hieib+ hrevce ic= hfeib+ hoevce
输出端交流短路时的输入电阻；
VCE
输出端交流短路时的正向电流传输比或电 流放大系数；
hre和hoe都很小，常 忽略它们的影响。 一般采用习惯符号 即 rbe= hie = hfe
μT = hre
H参数的确定 1）图解法
用图示仪测出输入、输出特性曲线，再按定义求出各H 参数.
u BE h ie i B
u BE hre uCE
H参数的确定（续） 1）图解法（续）*
H参数的数值与工作点的位置有关。
H参数都是微变参数，所以只适合对交流信号的分析。
h参数的物理意义
uBE hie iB
U CE
rbe
uBE hre uCE
IB
b-e间的 动态电阻
内反馈 系数
h fe
iC iB
U CE
电流放大系数
iC hoe uCE
iB
3. 用H参数小信号模型分析共射极放大电路
（1）阻容耦合方式
1） 利用直流通路求Q点
VCC U BE IB Rb IC β IB
UCE VCC ICRc
共射极放大电路
一般硅管UBE=0.7V，锗管UBE=0.2V， 已知。
2） 画出小信号等效电路
ic +
uce
交流通路
共射极放大电路
4.4 基本放大电路的三种接法 4.5 放大电路的频率响应
4.3 放大电路的基本分析方法
4.3.1 放大电路的直流通路和交流通路 4.3.2 图解法 4.3.3 等效电路法
4.3.3 小信号模型分析法(等效电路法）
1. BJT的H参数及小信号模型
建立小信号模型的意义
由于三极管是非线性器件，这样就使得放大电路的 分析非常困难。建立小信号模型，就是将非线性器件做 线性化处理，从而简化放大电路的分析和设计。
1 rce
c-e间的电导
分清主次，合理近似！什么情况下h12和h22的作用可忽略不计？
1. BJT的H参数及小信号模型 模型的简化 BJT在共射连接时，其H
参数的数量级一般为
hie hre 103 103 ~ 104 he 2 h h 10 5 S fe oe 10
iC f 2 (iB , vCE )
BJT双口网络
在小信号情况下，对上两式取全微分得 vBE vBE dvBE VCE diB I B dvCE iB vCE iC iC diC VCE diB I B dvCE iB vCE 用小信号交流分量表示 vbe= hieib+ hrevce
VT (mV) 26(mV) (T=300K) 而 re I EQ (mA) I EQ (mA)
则
26( mV ) rbe 200 (1 ) I EQ ( mA )
注意:
• (1) (1+ ) re 是 re 折合到基极回路的等效电阻; • (2) re 是交流电阻,但与工作点IEQ有关; • (3) rbe公式的适用范围: 0.1mA＜IEQ＜5mA;
建立小信号模型的思路
当放大电路的输入信号电压很小时，就可以把三极管 小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把 三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处 理。
1. BJT的H参数及小信号模型 H参数的引出 对于BJT双口网络，已知输入 输出特性曲线如下： iB=f(vBE) vCE=const iC=f(vCE) iB=const 可以写成： vBE f1 (iB , vCE )
Rb
RL V U OO
U R i i R b // rbe Ii
vs 0, RL
令
0 U i
0 I b
0 I b
所以
Ro = Rc
3. 用H参数小信号模型分析共射极放大电路（续）
（2） 直接耦合方式 (P91)
放大电路的 交流等效电路
I (R r ) I (R r ) U i i b be b b be
本次课教学要求
• 1、掌握BJT的H参数等效电路的原理及参数 的确定方法； • 2、掌握基本共射放大电路的等效电路分析 法，即掌握共射放大电路电压放大倍数、 输入电阻、输出电阻的计算。
第4章 半导体三极管及放大电路基础
4.1 半导体三极管（BJT）
4.2 放大电路的组成原则
4.3 放大电路的基本分析法
Q
为什么用 图解法求解 IBQ和UBEQ？
IBQ≈35μA UBEQ≈0.65V
VBB小
I CQ I BQ 2.8mA U CEQ VCC I CQ Rc 3.8V
讨论四：基本共射放大电路的动态分析（续）
参P93 例4.3.4
UT rbe rbb' (1 ) 952 I EQ
IB
vBE h re vCE iC h oe vCE
输入端交流开路时的反向电压传输比；
IB
输入端交流开路时的输出电导。
四个参数量纲各不相同，故称为混合参数（H参数）。
1. BJT的H参数及小信号模型 H参数小信号模型 根据
vbe= hieib+ hrevce ic= hfeib+ hoevce
s s i s i be
R i R b ∥ rbe 1.5k R o R c 3k
课外作业
P123 4.11
END