单晶硅棒在拉制中的影响因素
单晶硅棒的拉晶速度
单晶硅棒的拉晶速度【原创实用版】目录1.单晶硅棒的概述2.单晶硅棒的拉晶过程3.拉晶速度对单晶硅棒质量的影响4.提高拉晶速度的方法5.结论正文一、单晶硅棒的概述单晶硅棒是半导体材料中的一种,具有优良的电学性能和良好的机械强度。
在半导体产业中,单晶硅棒被广泛应用于生产集成电路、光电子器件等领域。
单晶硅棒的制作方法主要有直拉法和浮动区熔法等,其中直拉法是最为常见的一种。
二、单晶硅棒的拉晶过程单晶硅棒的拉晶过程是指通过一定的方法,在多晶硅原料中生长出单晶硅棒的过程。
这个过程主要分为两个阶段:熔化和拉晶。
在熔化阶段,多晶硅原料被加热至高温,使其熔化成硅熔体。
在拉晶阶段,将单晶硅种浸入硅熔体中,并通过连续地提升晶种移动离开硅熔体表面,在移动过程中生长出单晶硅棒。
三、拉晶速度对单晶硅棒质量的影响拉晶速度是影响单晶硅棒质量的重要因素。
拉晶速度过快,容易导致硅棒内部产生缺陷、杂质和应力,影响其电学性能和机械强度;拉晶速度过慢,则容易导致硅棒生长不均匀,影响其形状和尺寸。
因此,在拉晶过程中,需要合理控制拉晶速度,以保证单晶硅棒的质量。
四、提高拉晶速度的方法要提高拉晶速度,可以从以下几个方面入手:1.优化熔体成分:通过调整熔体中的硅、氧、碳等元素的比例,使其达到最佳的熔化和生长条件,从而提高拉晶速度。
2.提高熔体温度:适当提高熔体温度,可以降低硅熔体的粘度,提高拉晶速度。
3.优化拉晶工艺:采用合适的晶种、坩埚和拉晶速度等参数,以提高拉晶过程的稳定性和生长速度。
4.使用高效真空泵:提高真空泵的抽速,可以加快氩气的循环速度,从而提高拉晶速度。
五、结论总之,单晶硅棒的拉晶速度是影响其质量的关键因素。
排气对单晶棒拉制过程的影响
排气对单晶棒拉制过程的影响[摘要]在单晶生长过程中,单晶炉的排气问题对拉晶起着关键的作用。
单晶炉排气路线是氩气经过副室,进入主炉室,带走拉晶过程中挥发杂质,经过排气管道--开关阀--节流阀-滤尘筒-电磁阀进入真空泵,最后从排气管道排出。
导致排气不畅的原因很多,排气不畅会导致产生出来的杂质无法及时带走,引起断棱,拉晶失败。
在实际生产中会遇到很多排气不畅的问题很多,最明显的现象是节流阀开度达到100%,室腔内有可见杂质产生。
常见的现象有:炉壁上盖附着杂质较多、真空管路中杂质较多、炉底附着杂质较多,如下图:【关键词】杂质;排气一、影响排气的原因什么原因会引发杂质的数量?答案有很多,比如:硅料熔化,硅液挥发,烤料,晶体回熔或者拉晶过程中造成的杂质挥发,热场保温等原因。
而炉体内压力以及氩气的流量和流动方向直接影响杂质的排放量。
其中怎样控制杂质蒸发量,是在生产中维持排气畅通的关键因素之一。
1、杂质蒸发无论液体或者熔体,在合适的温度下,溶剂和熔质总是要蒸发,特别是在真空条件下,蒸发现象尤其显著,因此,蒸发必定影响溶质在溶液的分布和溶液的杂质浓度。
液体表面积大,相同时间里从液面逸出的微粒数增多。
所以,液体表面越大,蒸发越快。
温度升高,液体微粒运动的速度增大,能够从液面逸出的微粒增加,所以液体的温度愈高,蒸发速度愈大。
真空中进行蒸发时,蒸发速度与液面上气压成反比例增大。
必须指出:液体在某温度的饱和蒸发压决定于液体性质,温度和液体表面曲率,与液体上面其它气体压力无关。
解决措施:控制热场保温,降低化料、挥发功率,挥发过程防止液面沸腾。
控制化料期间氩气流量,不能过低,便于更好的将杂志挥发物带走。
2、氩气流向、压力不合适对排气造成的影响正常情况下氩气如图箭头标识所示,通过副室经过导流筒,到液面,带走液体表面挥发出的杂质,经过导流筒、加热器通过管道排气口排出炉腔。
如果热场状态密封良好,单向流畅的流向是杂质被顺利带走的关键。
连续直拉单晶硅棒生产制造关键技术创新与应用
连续直拉单晶硅棒是光伏产业中非常重要的一环。
它是太阳能光伏电池的主要原料,并且在半导体电子器件的制造过程中也扮演着重要的角色。
目前,全球能源危机愈演愈烈,清洁能源行业风生水起,光伏产业正在迅速发展壮大。
而单晶硅棒的生产制造技术的创新与应用,将直接影响到光伏产业的发展速度和效率。
在这个背景下,连续直拉单晶硅棒生产制造关键技术的创新与应用问题备受关注。
1. 前言单晶硅棒的生产制造过程中,连续直拉技术是一项非常重要的技术。
传统的单晶硅生产制造工艺中,采用的是坩埚法,这种方法生产出来的硅块需要通过切片后才能得到晶体硅片。
而连续直拉技术可以直接将硅棒拉制成所需要尺寸的硅片,大大提高了生产效率,减少了生产成本,符合了清洁能源产业的要求。
连续直拉单晶硅棒的生产制造关键技术创新与应用一直备受关注。
2. 原材料准备在连续直拉单晶硅棒的生产制造过程中,高纯度硅块是原材料的重要组成部分。
传统的高纯度硅块主要通过坩埚法生产,但是这种方法存在着很多的问题:生产周期长、生产成本高、能耗大等。
研发出一种新的高纯度硅块生产工艺技术至关重要。
目前,一种叫做气相混合法的技术得到了广泛的应用。
这种方法可以将硅气和氢气在适当的温度下进行反应,形成高纯度的硅单质并在载气中传输到下游设备中,大大加快了生产速度,降低了生产成本。
3. 晶体生长连续直拉单晶硅棒的生产制造过程中,晶体生长是非常关键的一步。
要生长出高质量、无缺陷的单晶硅棒,需要精密的控制晶体生长环境和生长速度。
传统的晶体生长方法主要是采用单晶炉来进行,但这种方法存在着生产周期长、生产效率低等问题。
目前,一种叫做悬浮区法的晶体生长技术正在逐渐成熟,这种方法可以不需要借助单晶炉设备,直接在气相中进行晶体生长,大大提高了生产效率,降低了生产成本。
4. 拉晶成型在晶体生长完毕后,需要将晶体拉制成所需的直径和长度,这是整个生产过程中比较关键的一步。
传统的方法是采用拉晶机进行拉制,但是这种方法存在着生产效率低、拉晶成型不均匀等问题。
单晶硅棒拉制工艺流程
单晶硅棒拉制工艺流程一、单晶硅生产1. 原料准备:将高纯度的二氧化硅颗粒和氧气置于石棉炉中进行还原反应,生成高纯度的硅气体SiH4。
2. 气相沉积:将SiH4气体输送至石棉炉中,通过化学气相沉积(CVD)的方法,在高温环境下使得硅原子逐渐沉积在单晶硅硅片上。
3. 晶体生长:通过将硅片置于高温石棉炉中,使其逐渐形成单晶体。
4. 切割:将单晶硅片切割成小块,供后续的拉丝工艺使用。
二、单晶硅条准备1. 清洗:将单晶硅块进行去除表面杂质的清洗处理,以保证后续工艺的纯净度。
2. 熔融:通过将分别混合硅块放入石棉炉中进行高温熔融,使硅块达到适当的液态状态。
3. 拉丝:将熔融的硅块通过拉丝机械拉制成细长的单晶硅条。
4. 弯曲:将拉制的单晶硅条进行适当的弯曲处理,保证后续加工的顺畅性。
三、单晶硅棒拉制1. 大气氧化:将单晶硅棒通过高温处理和氧化处理,使其表面形成硅氧化物保护层,以防止外界杂质对单晶硅的影响。
2. 涂覆液位控制:将单晶硅棒通过涂覆技术进行表面处理,以保证拉制过程中的精确控制。
3. 加热处理:将硅棒通过加热处理,使其达到适当的软化状态,以便后续的拉丝工艺。
4. 拉丝:将加热处理后的硅棒通过拉丝机进行拉制,并且在拉制过程中不断调整温度和拉力,以保证拉丝的顺利进行。
5. 晶棒抽拉:将拉制后的硅棒进行顶部拉制,使得硅棒逐渐变细,同时保证拉制的均匀性和纯净度。
6. 切割:将拉制好的单晶硅棒进行适当的切割,得到符合要求的单晶硅片。
四、单晶硅棒清洗和包装1. 清洗:将单晶硅片进行去除表面杂质的清洗处理,以保证其最终产品的纯净度。
2. 检测:对清洗后的单晶硅片进行严格的质量检测,确保产品的质量和规格符合要求。
3. 包装:对通过检测的单晶硅片进行适当的包装,并进行标签贴标,以便产品的追踪和管理。
以上就是单晶硅棒拉制工艺流程的详细步骤,通过这些步骤,我们可以得到高质量的单晶硅产品,满足各种行业的需求。
单晶硅拉制设备中的翻转技术研究
单晶硅拉制设备中的翻转技术研究单晶硅是一种重要的半导体材料,广泛应用于光伏发电、集成电路等领域。
在单晶硅的生产过程中,翻转技术起到了关键作用。
本文将对单晶硅拉制设备中的翻转技术进行研究。
单晶硅拉制是通过将高纯度硅材料熔化,再逐渐拉制成薄长的单晶硅棒。
而翻转技术则是将这些拉制好的单晶硅棒进行倒置,使其某一端成为“头”部,以便后续加工和利用。
翻转技术主要有两种方法:机械翻转和液体翻转。
机械翻转是指通过机械装置将单晶硅棒倒置。
这种方法的优点是翻转速度快、效率高。
常见的机械翻转设备有翻转架、翻转臂等。
翻转架一般由电机、减速器、传动装置等组成,通过电机驱动传动装置旋转,从而实现单晶硅棒的翻转。
翻转臂则是通过机械手臂等装置实现单晶硅棒的翻转。
机械翻转技术具有操作简单、成本相对较低的优点,但也存在翻转过程中对单晶硅棒的损伤风险较高的问题。
液体翻转是将单晶硅棒浸入特定的液体中,通过液体的浮力和表面张力等作用使其翻转。
常见的液体翻转技术有气垫翻转和真空吸附翻转。
气垫翻转是利用气垫在单晶硅棒的两端产生的浮力,从而实现翻转。
真空吸附翻转则是利用真空吸附装置将单晶硅棒吸附住,然后通过控制真空度使其翻转。
液体翻转技术具有对单晶硅棒的损伤较小的优点,但操作比较复杂且成本较高。
单晶硅拉制设备中的翻转技术在实际应用中需要考虑诸多因素。
首先是翻转的稳定性和准确性。
翻转时需要确保单晶硅棒倒置后仍能保持稳定的姿态,以免影响后续加工和利用。
此外,翻转的准确性也非常重要,高度精确的翻转可以提高单晶硅产品的质量和效率。
其次是翻转过程中对单晶硅棒的损伤控制。
无论是机械翻转还是液体翻转,都存在对单晶硅棒的损伤风险。
因此,需要采取相应的措施减少损伤,例如在机械翻转中使用缓冲装置减少碰撞力,或在液体翻转中控制液体的性质和浸泡时间等。
此外,翻转技术还需要考虑操作的便捷性和自动化程度。
在工业生产中,设备的操作便捷性和自动化程度对提高生产效率和降低人工成本至关重要。
拉晶工艺参数对N型单晶硅氧含量的影响研究
第53卷第5期2024年5月人㊀工㊀晶㊀体㊀学㊀报JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS Vol.53㊀No.5May,2024拉晶工艺参数对N 型单晶硅氧含量的影响研究柴㊀晨1,张㊀军1,王玉龙2,韩庆辉1,李怀铭1(1.晶澳太阳能科技股份有限公司,北京㊀100160;2.晶澳太阳能有限公司,邢台㊀055550)摘要:TOPCon 电池基板是以N 型硅片为主,N 型硅片的氧含量在一定程度上影响着TOPCon 电池的转换效率㊂本文采用直拉法进行单晶硅的拉制,通过调整埚转㊁氩气流量和炉压来研究拉晶工艺参数对N 型单晶硅氧含量的影响㊂数值模拟分析和实验结果表明:坩埚转速的增加会抑制浮力-热毛细漩涡,减少熔体界面处SiO 的挥发,提高硅熔体内部和单晶硅棒氧含量;增大氩气流量和降低炉压可增大熔体界面处SiO 的质量流量,有效促进SiO 挥发,减少固液界面处氧含量,从而降低单晶硅棒氧含量㊂根据单晶硅氧含量测试和EL 检测结果可知,坩埚转速5r /min㊁氩气流量100L /min 和炉压1200Pa 时拉制的N 型单晶硅氧含量最低,电池端同心圆比例也是最低的㊂本文研究结果可为N 型单晶硅棒降氧提供一定思路㊂关键词:N 型单晶硅;降氧;坩埚转速;氩气流量;炉压;同心圆中图分类号:O782㊀㊀文献标志码:A ㊀㊀文章编号:1000-985X (2024)05-0792-11Research on the Influence of Czochralski Process Parameters on Oxygen Content of N-Type Monocrystalline SiliconCHAI Chen 1,ZHANG Jun 1,WANG Yulong 2,HAN Qinghui 1,LI Huaiming 1(1.JA Solar Technology Co.,Ltd.,Beijing 100160,China;2.JA Solar Co.,Ltd.,Xingtai 055550,China)Abstract :TOPCon cell substrates are dominated by N-type silicon wafers,and the oxygen content of N-type silicon wafers affects the conversion efficiency of TOPCon cells to a certain extent.In this paper,the Czochralski method was used to grow monocrystalline silicon,and the influence of crystal growth process parameters on the oxygen content of N-type monocrystalline silicon were studied by adjusting the crucible rotation rates,argon flow rates and furnace pressure.The numerical simulation analysis and experimental results show that:the accretion of crucible rotation rates can suppress buoyancy-thermal capillary vortices,reduce the volatilization of SiO at the melt interface,and increase the oxygen content in the silicon melt and in the monocrystalline silicon rods;increasing the argon flow rates and decreasing the furnace pressure can enlarge the mass flow rates of SiO at the melt interface,effectively promote SiO volatilization,reduce the oxygen content at the solid-liquid interface,and thus lessen the oxygen content in the monocrystalline silicon rods.The monocrystalline silicon oxygen content test and EL detection results show that,with the 5r /min of crucible rotation rate,100L /min of argon flow rate,and 1200Pa of furnace pressure,the oxygen content in N-type monocrystalline silicon is the lowest,and the concentric circle ratio is also the lowest in the production of photovoltaic cells.The research in this paper can provide some ideas for reducing oxygen content in N-type monocrystalline silicon rods.Key words :N-type monocrystalline silicon;reduction of oxygen content;crucible rotation rate;argon flow rate;furnace pressure;concentric circle ㊀㊀收稿日期:2023-12-19㊀㊀作者简介:柴㊀晨(1994 ),女,山西省人,工程师㊂E-mail:chaichen0304@ 0㊀引㊀㊀言作为一种以超薄隧穿氧化层(tunnel oxide passivated contact,TOPCon)为钝化层结构的太阳能电池,TOPCon 电池是太阳能领域的后起之秀[1-3]㊂TOPCon 电池基板以N 型硅片为主,在电池背面制备一层超薄的氧化硅隧穿氧化层后,再沉积一层磷掺杂的多晶硅薄层,二者共同形成钝化接触结构,之后通过退火将钝㊀第5期柴㊀晨等:拉晶工艺参数对N型单晶硅氧含量的影响研究793㊀化性能激活,从而表现出优异的钝化性能[4-5]㊂TOPCon的背钝化接触结构可以阻挡电子空穴复合,从而降低金属接触复合电流,提高电池的开路电压和短路电流,进而提升电池的转换效率[6]㊂不断提高电池的光电转换效率和降低电池制造成本一直是光伏行业追求的目标,较为成熟的高效电池技术以选择性发射结(selective emitter,SE)技术为主,它的应用可以减小银铝浆和金属电极接触区域的接触电阻,降低金属电极接触区域的复合电流密度,提高电池的开路电压和填充因子,进而提高光电转换效率[7-8]㊂TOPCon电池高效技术以SE为主,该技术将常规的硼扩工艺步骤进行了二次拆分,整体的硼扩工艺需要经过两次高温扩散,工艺时长整体增加,该工艺的调整对硅片氧含量提出更高的要求㊂氧是直拉单晶硅无法避免的主要杂质之一,氧原子在硅中大部分以间隙原子状态存在,形成Si O Si 键,目前通过红外吸收光谱检测的氧即间隙氧,由于在不同温度下,晶体硅中氧的固溶度和扩散系数不同,在晶体生长完成后的冷却过程和硅器件的加工过程中,经过不同的热处理手段,氧会以合适的形式折出,形成氧施主现象和氧沉淀,对硅晶体品质产生有害影响[9]㊂TOPCon电池SE技术工艺的调整将加剧间隙氧转化形成更多的沉淀,导致氧沉淀环即同心圆的出现,该沉淀环影响硅片的少子寿命,进而影响电池的转换效率[10-12]㊂氧含量过高是N型硅片出现同心圆的关键因素之一,因此,高效的TOPCon太阳能电池对于单晶硅片的品质提出更高的要求,目前光伏单晶硅追求高产能和低成本,选用更大规格的炉型和热场进行单晶拉制㊂在大尺寸热场下,为确保石英坩埚内所有位置的硅熔体温度高于熔点且不发生凝结,石英坩埚壁处将获得更多的热量传递,对于氧杂质的控制将更加困难,从而对温场和流场提出更高的要求[13]㊂在直拉单晶硅氧含量控制研究方面,已有大量学者做了很多工作,并取得了一定成果[14-17]㊂潘国刚等[14]发现单晶硅片中氧含量的大小对硅产品成品率有着重要影响,氧含量高的单晶硅片在后续高温过程会产生更加严重的缺陷;高农农等[15]针对加热器直径对ϕ200mm单晶硅氧含量的影响进行了研究,发现减小加热器的直径可降低单晶硅的氧含量;李进等[16]针对氩气流速对400mm大直径磁场直拉单晶硅氧含量的影响进行了研究,发现用中等氩气流速可降低晶体中的氧含量,提高单晶硅的品质;吴明明等[17]发现改变氩气流量或炉内压力㊁热场几何尺寸㊁埚位㊁晶体转速和坩埚转速等拉晶条件,对控制晶体中的氧含量及分布均匀性会产生有利影响㊂以上研究结果表明通过优化热场部件结构和改变拉晶过程中的工艺参数在一定程度上可以控制氧含量,提高单晶硅的品质,而采用CGSim数值模拟和实验相结合的方式,使用大尺寸热场拉制单晶硅,优化拉晶工艺参数实现降低单晶硅氧含量的研究少有报道,且未见降氧与同心圆相关性的研究报道㊂本文采用直拉法进行单晶硅生长,其生长设备是一个由机械系统㊁热系统㊁氩气系统和真空系统等组成的复杂系统,复杂的生长系统很难通过实际测量确定炉内的温度分布㊁流场分布,因此计算机数值模拟技术成为研究直拉单晶硅的常用方法[18-22]㊂本文利用数值模拟分析改变拉晶工艺参数对于单晶硅氧含量的影响,从机理上研究了坩埚转速㊁氩气流量和炉压对于N型单晶硅氧含量的影响㊂N型硅片作为TOPCon电池的基底,其品质的优劣在一定程度上影响电池的效率和良率,电致发光(electroluminescence,EL)是一种高效的晶体硅太阳能电池缺陷检测技术,通过扫描可以检测硅电池同心圆[23]㊂本文通过降低硅片的氧含量来实现降低同心圆比例,从而提高电池转换效率㊂1㊀实㊀㊀验1.1㊀样品制备本文主要通过调节单晶拉制环节的工艺参数达到降氧的目的,硅片经过电池环节高温扩散工艺后采用EL 检测同心圆所占比例,表明氧含量和同心圆比例的内在联系㊂直拉单晶硅生长炉是制备单晶硅材料的主要设备,简称单晶硅炉㊂本文使用阳光设备1600型单晶硅炉进行单晶硅棒的拉制,以36英寸(1英寸=2.54cm)热场为例,使用新特电子级多晶硅料(纯度99.9999999%)作为原料,高纯石英坩埚(纯度99.99%)作为承载容器,高纯氩气(纯度99.999%)作为保护气源控制单晶硅炉压力,进行N型10.5英寸单晶硅棒拉制,为了确保实验结果的准确性,每种实验条件进行两炉次实验,每一炉次选取前7棒单晶硅作为样品进行测试㊂1.2㊀实验流程本文同心圆验证实验流程如图1所示,主要包括单晶硅棒拉制㊁氧含量测试和同心圆检测㊂794㊀研究论文人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第53卷图1㊀同心圆验证实验流程Fig.1㊀Concentric circle verification experimental procedure1.3㊀性能测试与表征单晶硅棒氧含量使用由美国Thermo Fisher Scientific公司生产,型号为Nicolet iS50的傅里叶变换红外(Fourier transform infrared,FT-IR)光谱仪进行测试,它基于材料在红外光谱范围内吸收特定波长的辐射原理,通过比较样品和标准参考样品的吸收谱,可以推断出氧含量的差异㊂测试波数范围为400~4000cm-1㊂同心圆的表征有两种方式:一种是通过使用匈牙利Semilab公司生产的Wafer Tester System,型号为WT-2000PVN硅晶片测试仪进行少子寿命扫描;另外一种是电池端通过电致发光测试仪进行扫描,该设备由上海哲为公司生产,型号为SA-500D㊂1.4㊀模型建立与计算本文采用STR公司研发的晶体生长建模软件CGSim进行模型分析,该软件可以模拟直拉法单晶硅生长,对生长过程不同阶段存在的热传输㊁质量传输㊁温场分布㊁流场分布㊁固液界面形状㊁氧含量分布和一系列化学反应等可以进行有效预测㊂模型的建立原理㊁控制方程和边界条件等可参考STR发布的流体模型理论手册[24]㊂模拟直拉法单晶硅生长的工艺参数设置为:设定晶体直径为10.5英寸,晶转速度为8r/min,晶体生长速度为1.5mm/min,熔体区域三相点处温度设置为硅的熔点为1685K,晶体生长过程中,环境标准温度为300K,标准压力为101.325kPa,炉腔充入冷却水,壁面温度为300K㊂在此条件下,通过改变坩埚转速㊁氩气流量和炉压对不同等径阶段下炉体的温度场及流场进行分析㊂CGSim软件模拟过程所用材料物性参数设定值如表1所示㊂表1㊀模拟过程所用材料的主要物性参数Table1㊀Physical properties of the materials used during the simulation process Material Thermal conductivity/(W㊃K-1㊃m-1)Specific heat/(J㊃K-1㊃kg-1)Radiation coefficient Density/(kg㊃m-3) Si(melt)66.509150.302570Si(crystal)110.6019990.462285 Quartz crucible 4.0012320.852650Graphite56.127200.7022302㊀结果与讨论2.1㊀原㊀理同心圆可分为轻微同心圆和严重同心圆㊂轻微同心圆现象是指晶体生长过程中在径向产生的生长条㊀第5期柴㊀晨等:拉晶工艺参数对N 型单晶硅氧含量的影响研究795㊀纹,本质是杂质分布的不均匀,其不会造成电池转换效率的降低㊂严重的同心圆现象是氧原子㊁自间隙和空位缺陷共同作用形成的环状分布,导致少子寿命降低,影响电池效率和良率㊂TOPCon 电池的二次高温工艺对硅片含氧量较为敏感,氧含量过高,在高温条件下,氧的极限固溶度升高,氧形核数少,但是氧扩散速度快,氧沉淀容易长大,易形成严重的同心圆,影响电池的转换效率[11]㊂图2为两种扫描方式下同心圆的表现图,图2(a)为硅晶片测试仪扫描的同心圆图,图2(b)为电致发光测试仪检测的同心圆图,均为较严重的同心圆㊂为了进一步提高光伏硅片的产能,单晶硅炉㊁热场和石英坩埚向着更大规格和尺寸发展,石英坩埚尺寸增大㊁装料量增多和熔体对流加剧在一定程度上会提高单晶硅棒的含氧量㊂石英坩埚的主要成分是SiO 2,在高温熔融态下,熔体内部发生自然对流和由晶转㊁埚转引起的强迫对流,对流的大小和强度会影响SiO 2和熔体硅的化学反应以及反应生成气态SiO 的挥发,流动的氩气能够带走部分SiO,残余的氧原子会随着单晶硅的拉制进入硅棒,引起单晶硅棒氧含量超标,如图3所示㊂倘若N 型单晶硅氧含量过高,将会导致硅片在高温处理中产生沿径向分布的环形或者螺旋形氧沉淀环,在电致发光下表现为黑色氧环[6,13]㊂因此,低氧N 型硅片是高效TOPCon 电池的重要基础㊂图2㊀同心圆少子寿命扫描图(a)和EL 扫描图(b)Fig.2㊀Concentric minority lifetime scan image (a)and EL scan image(b)图3㊀单晶硅拉制过程中SiO 的产生过程Fig.3㊀Production process of SiO during the growth of monocrystalline silicon 2.2㊀坩埚转速对N 型单晶硅氧含量的影响坩埚转速是影响强制对流的重要因素之一,同时会对单晶成晶率产生较大影响,因此,本文将坩埚转速作为第一条件进行数值模拟和分析㊂坩埚转速会影响熔体内部强迫对流,进而改变熔体表面SiO 的挥发量,影响单晶硅棒的氧含量㊂本文通过数值模拟和实验探究不同坩埚转速下,坩埚内部对流强度和单晶硅棒氧含量的分布情况㊂本文进行四种坩埚转速的模拟分析,分别设定坩埚转速为8㊁6㊁5和4r /min,进行硅熔体流速矢量分布情况和石英坩埚内壁与熔体界面处氧含量分布情况的研究㊂2.2.1㊀不同坩埚转速下熔体内部轴向速度场分布图4模拟了四种坩埚转速下坩埚内熔体内部轴向流速矢量分布情况,炉压和氩气流量分别为1500Pa 和80L /min㊂随着坩埚转速的增加,熔体流场中出现了3种对流方式,分别为晶体生长界面下的泰勒-普劳德曼漩涡,靠近坩埚壁附近(区域1)的浮力-热毛细漩涡,以及由于二者方向相反而在中间产生的次级漩涡[20,25]㊂浮力-热毛细漩涡主要是石英坩埚旋转引起的熔体对流,其可以加速由于坩埚和熔体发生化学反应生成的氧在自由表面的挥发[13]㊂图4(a)~(d)依次为坩埚转速为4㊁5㊁6和8r /min 条件下熔体内部轴向速度场的分布情况㊂随着坩埚转速的增加,浮力-热毛细漩涡所处的区域逐渐缩小,且速度降低,说明此时坩埚内壁附近的浮力-热毛细漩涡的大小和强度受到抑制,从而导致氧的挥发受到了限制㊂2.2.2㊀不同坩埚转速下熔体和坩埚界面处氧含量分布图5为不同坩埚转速条件下熔体和坩埚界面处的氧含量分布情况㊂图5(a)和(b)分别为等径长度200和1000mm 时熔体和坩埚界面处的氧含量随坩埚转速变化的分布图,轴向300mm 以内,熔体和坩埚界面处的氧含量差异较为明显,氧含量随着坩埚转速的增大而提高㊂结合图4的模拟结果可知,坩埚转速的增加导致浮力-热毛细漩涡的强度减弱,致使熔体和坩埚界面处生成的氧化物不能被及时带走,抑制了氧在自由796㊀研究论文人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第53卷表面的挥发,使得熔体中的氧含量增加㊂图4㊀坩埚转速不同时熔体内部轴向速度场分布Fig.4㊀Distribution of axial velocity field inside the melt under different crucible rotation rates图5㊀等径长度200mm㊁1000mm时不同坩埚转速下熔体和坩埚界面处氧含量的分布Fig.5㊀Distribution of oxygen content at the interface of quartz crucible and silicon liquid under different cruciblerotation rates at the equal diameter length of200mm and1000mm2.2.3㊀不同坩埚转速下单晶硅氧含量分布通过数值模拟结果可知坩埚转速越小,坩埚与熔体界面处的氧含量越低,对硅单晶品质越有利;但在实际拉晶生产过程中,较低的坩埚转速对成晶会产生不利影响,结合生产拉晶经验,埚转4r/min单晶成晶率很差,因此,本文从氧含量控制和成晶率综合考虑,设定5r/min的坩埚转速为本文的最优工艺参数之一㊂本文设定氩气流量为80L/min㊁炉压为1500Pa,分别进行8㊁6和5r/min坩埚转速下N型单晶硅棒的拉制,每种坩埚转速下进行条件相同的两炉次实验,每炉次8棒,尾棒氧含量干扰因素过多,选取前7棒的头尾进行样片切割和制备,测试氧含量,为了区分,将第一炉次实验使用1标注,第二炉次实验使用2标注㊂图6为不同坩埚转速条件下拉制单晶硅头尾氧含量的分布图㊂图6(a)~(c)分别为坩埚转速8㊁6和5r/min 时,所拉制两炉次循环硅棒氧含量的分布情况,可以看出,相同实验条件下,两炉次实验硅棒的氧含量趋势一致,且随着循环棒数的增加,氧含量均呈现出上升的趋势,其主要原因是:1)随着石英坩埚使用时间的延长,受腐蚀程度增加,熔体内氧含量增大;2)为了保证每一棒单晶硅拉制过程液口距一致,拉制过程会出现升埚位的操作,由此进入高温区的熔体量变多,对流影响氧含量增大;3)随着拉制时间的延长,单晶炉抽气孔位置的挥发物逐渐堆积,导致真空泵的抽气效果逐渐减弱㊂以上三个因素造成随着单晶硅循环棒数的增加,氧含量呈现上升的趋势㊂为了更直观地对比坩埚转速不同带来氧含量的差异,图6(d)将三种坩埚转速下氧含量均值计算并进行平行对比,可以发现,随着坩埚转速的减小,循环硅棒的氧含量也在逐渐降低,结合模拟结果,说明坩埚转速降低,浮力-热毛细漩涡所处的区域逐渐增大,此时坩埚内壁附近的浮力-热毛细漩涡的大小和强度变大,可以有效促进熔体界面处SiO的挥发,熔体内氧含量减小,单晶硅棒头尾氧含量也随着坩埚转速的降低而减小㊂ 第5期柴 晨等:拉晶工艺参数对N型单晶硅氧含量的影响研究797图6 坩埚转速为8r/min(a)、6r/min(b)、5r/min(c)时循环单晶硅棒头尾氧含量,以及三种埚转条件下循环单晶硅棒头尾氧含量平均值(d)Fig.6 Oxygencontentintheheadandtailofmonocrystallinesiliconcirculatingrodsunderdifferentcruciblerotationratesof8r/min(a),6r/min(b),5r/min(c),andtheaverageoxygencontentofmonocrystallinesiliconcirculatingrodsunderdifferentcruciblerotationrates(d)2.3 氩气流量和炉压对N型单晶硅氧含量的影响SiO是热化学反应的产物,在饱和蒸气压一定时,SiO分压越小,其越易蒸发。
单晶硅拉制设备中的温度梯度控制技术研究
单晶硅拉制设备中的温度梯度控制技术研究单晶硅拉制是制备高纯度硅晶片和太阳能电池的关键工艺之一。
在单晶硅拉制过程中,温度梯度控制技术是确保晶体质量和生产效率的重要因素。
本文将对单晶硅拉制设备中的温度梯度控制技术进行研究和分析,从而提高单晶硅的质量和生产效率。
一、单晶硅拉制工艺简介单晶硅拉制工艺是将高纯度的硅液逐渐冷却结晶,形成单晶硅棒的过程。
整个过程包括预成核、生长和拉制三个阶段。
在预成核阶段,通过引入适当的预成核剂和控制温度,使硅液中的Si原子在合适的条件下形成晶核,为后续的生长提供良好的晶体基础。
在生长阶段,通过控制下拉速度和温度梯度,使硅熔液中晶体不断生长并逐渐变细、变长,形成单晶硅棒。
在这个过程中,温度梯度的控制非常重要,它会影响晶体的生长速度、取向和质量。
在拉制阶段,将生长出的单晶硅棒通过ICZ(Induction Coupled Zone)法加热,并在特定的温度下拉制成硅片。
该阶段的控制主要依赖于加热功率和拉速的控制。
二、温度梯度的作用温度梯度是指沿晶体生长方向上的温度变化率。
它对单晶硅拉制过程中的晶体生长、结晶速度和晶格缺陷有着重要的影响。
1. 晶体生长速度:温度梯度通过对晶体的生长速度进行调控,可以控制晶体的径向生长速度,从而影响单晶硅棒的直径和形状。
2. 晶体结晶速度:温度梯度控制着晶体的结晶速度,通过调节温度梯度可以控制晶体的结晶形态和晶粒尺寸,进而影响单晶硅的质量。
3. 晶格缺陷:温度梯度的大小和均匀性会影响晶体内部的晶格缺陷分布,高温区域有利于晶体的自愈修复作用,低温区域则可以减缓晶体内部缺陷的扩散,从而实现晶体结构的改善。
三、温度梯度控制技术为了实现单晶硅拉制过程中温度梯度的精确控制,需要依靠先进的控制技术和设备。
1. 透明套管炉控制技术透明套管炉是单晶硅拉制中常用的加热设备之一。
它采用透明的石英套管,可以实时观测晶棒的生长情况。
通过控制套管内的电加热线圈温度,可以精确地控制拉制过程中的温度梯度。
硅的直拉法单晶生长
直拉法是运用熔体的冷凝结晶驱动原理, 在固液界面处,藉由熔体温度下降,将 产生由液态转换成固态的相变化。当前 国际上供应单晶硅生长设备的主要著名 厂商是美国KAYEX公司和德国CGS公司。 这两个公司能供应生长不同直径的单晶 硅生长设备,尤其是生长直径大于 200ram的单晶硅生长设备系统。
为了生长质量合格(硅单晶电阻率、氧含量及氧浓度分 布、碳含量、金属杂质含量、缺陷等)的单晶硅棒,在 采用直拉法生长时,必须考虑以下问题。首先是根据技 术要求,选择使用合适的单晶生长设备;其次是要掌握 一整套单晶硅的制备工艺、技术,包括: (1)单晶硅系 统内的热场设计,确保晶体生长有合理稳定的温度梯度; (2)单晶硅生长系统内的氩气气体系统设计; (3)单晶
• 直拉法的基本过程:
• 1. 引晶:通过电阻加热,将装在坩埚中的 多晶硅熔化,并保持略高于硅熔点的温度, 将籽晶浸入熔体,然后以石英一定速度向上 提拉籽晶并同时旋转引出晶体; 2. 缩颈:生长一定长度的缩小的细长颈的 晶体,以防止籽晶中的位错延伸到晶体中; 3. 放肩:将晶体控制到所需直径; 4 等径生长:根据熔体和单晶炉情况,控制 晶体等径生长到所需长度; 5. 收尾:直径逐渐缩小,离开熔体; 6. 降温:降级温度,取出晶体,待后续加 工。
孔;
5一放肩;6一缩颈; 7一图像传感
器;
8一卷轴旋转系统; 9一提拉
绳; 10一至真空泵; 11一光学系统; 12一石
英坩埚; 13一石墨托; 14一石墨加热器;
15一保温罩
熔体的流动 在Cz晶体生长过程中,熔体流动状态
非常复杂,由于熔体不透明,难以直接观察;因
此,常常用数字模拟,实验模拟,以及用x光照射
硅的直拉法单晶生长
了解单晶硅
生产工序之间产品质量的互相影响
生产工序之间产品质量的互相影响为了使我们的产品质量能够达到国内一流水平,增强员工的质量意识,增强生产线上操作工的自检能动力,所以今天我们探讨一下,我公司生产产品的上一环节的质量对下一环节的质量影响。
从我们使用的主原料多晶硅源头说起,采购的多晶硅杂质含量高,就会造成制备单晶硅时配料不好控制,单晶硅的一切电性能低下,也就是做成的电池片转换效率低,衰减快。
接着我们分生产工序来讲:一、单晶硅制备过程,在这个制备过程他有一定的技术,主要还是要有责任感和使命感。
1、原料多晶硅腐蚀清洗后的包装:在包装过程中要严把质量关,将带有污渍、碱斑、酸斑和其他杂物等不符合要求的硅料一定要返洗,若不然流入到单晶硅制备工序,将料装到炉内,就会造成制晶的艰难,甚至更严重会导致硅料在石英坩埚化料过程中,石英坩埚经腐蚀后漏硅现象,将整件石墨热场损坏,就会造成几十万元以上的损失。
2、单晶硅制备工艺:①.拉晶手在装料的过程中,也要进行二次的筛选,将清洗后的硅料表面(含其他杂物)有不符合要求的,一定要挑拣出来,特别是针对外购回来的免洗料,否则不进行挑拣,也就会造成以上状况;②.还有在装石英坩埚时,也一定要自检,将坩埚内涂层不匀的、带有气泡的、裂纹的,一定不要使用,用后就会造成切出的硅片气孔多,这是因为石英与硅发生反应形成二氧化硅气体,在制备单晶硅棒时,当二氧化硅气体向四周排畅不出,就形成了单晶硅棒内部的缺陷,也就是我们看到的硅片气孔。
③.再就是在降籽晶夹头时,一定要有人看管,若人员离开再加上你将自动控制开关按下,这样就会造成籽晶夹头掉进化好的料埚里,跟料一起融化,那就会损失更大,整埚料甚至到石墨热场。
④.在单晶硅制备等径过程中,一定要自控能力强,若选择手动拉等径,就要在可控制状况下做,否则拉制出的单晶硅棒晶向扭曲成“S”型,“糖葫芦”形状,也容易断棱,这样就会造成切方棒粘棒工序困难,也会切出不同心方棒。
二、单晶硅方棒制备过程,在这个生产制备中,看着每个加工环节都没有什么技术含量的工作,可他有一定的责任感和使命感。
单晶硅棒在拉制中的影响因素
第一篇单晶硅棒在拉制中的影响因素一热循环的通畅热循环就是气流的循环,从氩气输进到被真空泵抽走的一个循环过程。
它的外在显示值即炉压(真空泵的抽速与氩气输入量的平衡值)组成部分,1 氩气调节整个单晶硅棒拉制中热循环的流量和流速,是在拉晶过程中不可缺少的保护气体。
(属性惰性气体特点不易燃烧)2 真空泵稳压持续抽走炉内的气体挥发物,保持炉内真空平衡。
由这两个系统所组成热循环系统的作用:有效的带走炉内沉积的挥发物,防止石墨器件及热场的氧化增加使用寿命。
增强成晶硅溶面与内溶液温度差提高成晶速度。
降低单晶硅棒在生产过程中的氧碳含量等,从而提高公司的产品质量。
二处于最良好状态下的热场热场的作用效果是单晶生产中最奥义的地方,可以这么说要是能有一套完美的生产热场,公司的成本成品率将是质的飞跃。
1 良好的保温部分,A 热场中石墨保温筒连接的严密程度,B 保温碳毡缠在保温筒的均匀度和紧密度。
2 良好状态下的成晶温梯度由轴向梯度(在热场内平面的整个温度值)和纵向梯度(在热场中纵面的整个温度值)交错所组成的成晶梯度温差网是否能够达到我们的要求,主要体现在,成晶速度快且均匀成晶状态好且稳定。
三稳定的电控系统动力电是我们生产中不可缺少的组成部分,其作用和使用费用也是我们单晶生产中的重大资源开销。
组成部分:1 整流柜(组成变压器快速熔断器可控规等)功能调节电压把三项交流电转化为我们需要的可调直流电,2 功率补偿柜(组成熔断器接触器电感线圈等)功能降低无用损耗,提高功率因素。
3 晶体生长控制柜调节用电的功率(电流电压)由这三个部分组成拉可持续供电切稳定性非常强的电控系统。
四合理的单晶拉制工艺的设定工艺的设定是根据具体的炉型热场的不同,从而不断对其生产自动流程的设定改进。
1 拉速工艺随着硅溶液在拉制过程中越来越少散热量越来越大,温梯差减小成晶速度减慢,为拉保持目标直径,的所以通过降低拉速拉进行调节, A 初始拉速的设定。
B降拉速的幅度。
单晶硅棒
单晶硅棒、单晶硅片加工工艺关于硅材料知识(2008/03/18 10:36)目录:太阳能行业资料浏览字体:大中小单质硅有无定形及晶体两种。
无定形硅为灰黑色或栗色粉末,更常见的是无定形块状,它们是热和电的不良导体、质硬,主要用于冶金工业(例如铁合金及铝合金的生产)及制造硅化物。
晶体硅是银灰色,有金属光泽的晶体,能导电(但导电率不及金属)故又称为金属硅。
高纯度的金属硅(≥99.99%)是生产半导体的材料,也是电子工业的基础材料。
掺杂有微量硼、磷等元素的单晶硅可用于制造二极管、晶体管及其他半导体器件。
由于半导体技术不断向高集成度,高性能,低成本和系统化方向发展,半导体在国民经济各领域中的应用更加广泛。
单晶硅片按使用性质可分为两大类:生产用硅片;测试用硅片。
半导体元件所使用的单晶硅片系采用多晶硅原料再经由单晶生长技术所生产出来的。
多晶硅所使用的原材料来自硅砂(二氧化硅)。
目前商业化的多晶硅依外观可分为块状多晶与粒状多晶。
多晶硅的品质规格:多晶硅按外形可分为块状多晶硅和棒状多晶硅;等级分为一、二、三级免洗料。
多晶硅的检测:主要检测参数为电阻率、碳浓度、N型少数载流子寿命;外形主要是块状的大小程度;结构方面要求无氧化夹层;表面需要经过酸腐蚀,结构需致密、平整,多晶硅的外观应无色斑、变色,无可见的污染物。
对于特殊要求的,还需要进行体内金属杂质含量的检测。
单晶硅棒品质规格:其中电阻率、OISF密度、以及碳含量是衡量单晶硅棒等级的关键参数。
这些参数在单晶成型后即定型,无法在此后的加工中进行改变。
测试方法:电阻率:用四探针法。
OISF密度:利用氧化诱生法在高温、高洁净的炉管中氧化,再经过腐蚀后观察其密度进行报数。
碳含量:利用红外分光光度计进行检测。
单晶硅抛光片品质规格:单晶硅抛光片的表面质量:正面要求无划道、无蚀坑、无雾、无区域沾污、无崩边、无裂缝、无凹坑、无沟、无小丘、无刀痕等。
背面要求无区域沾污、无崩边、无裂缝、无刀痕。
单晶硅棒拉制过程
单晶硅棒拉制过程单晶硅棒拉制过程是制备单晶材料的关键步骤之一。
单晶硅通常用于制造集成电路和太阳能电池等高科技产品。
以下是单晶硅棒拉制过程的详细介绍。
1. 原材料制备单晶硅棒的原材料是高纯度硅。
制备过程中需要先将硅石经过破碎、洗涤、脱除杂质等多道工艺处理,得到纯度高达99.99999%的单晶硅料。
然后将单晶硅料加入到高温熔炉中。
2. 溶液制备将单晶硅料加入高温熔炉后,需要经过多道步骤的化学反应,得到具有一定浓度的硅液溶液。
这样的硅液溶液有时是掺杂的,以便将后续电子元器件中所需要的特性添加进去。
3. 晶体生长将硅液溶液慢慢地冷却下来,以控制温度梯度,使溶液中的硅原子进行结晶。
在这个过程中,形成一个由原子序列完美排列的晶体结构,这样的结构具有极佳的电学性质。
然后,晶体边缘的晶体核心中心将会继续成长,从而形成一个长长的硅棒结构。
4. 棒体拉伸将形成的硅棒垂直地插入拉伸机中,开始拉伸。
在拉伸的过程中,硅棒被拉伸成更细的形状,一直到达所需要的尺寸。
这个过程需要严格的控制合适的拉伸速度,以保证硅棒拉伸出来的结构是单晶硅结构,并且质量不会受到任何的瑕疵问题。
拉伸操作之后还需要进行多个步骤的实验检查,确保所拉制的单晶硅棒符合制备要求。
5. 切割、涂层和加工最后,所拉制出的硅棒也需要进行切割、涂层和加工,以便得到所需要的尺寸和形状。
这个过程经过多个步骤的优化技术开发,以确保硅棒的最终质量完美无瑕。
单晶硅棒拉制过程是一个极其复杂的技术过程,需要多个步骤的完美配合和实验控制。
只有严格按照制备要求进行操作,才能得到完美的单晶硅棒,从而应用于制造高科技产品,如微处理器、晶体管以及太阳能电池等。
简述直拉法制备单晶硅棒的工艺流程
简述直拉法制备单晶硅棒的工艺流程下载提示:该文档是本店铺精心编制而成的,希望大家下载后,能够帮助大家解决实际问题。
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CCz连续直拉单晶简介
CCZ技术简介要得到优质晶体,在晶体生长系统中必须建立合理的温度分布,在单晶炉的炉膛内存在不同的介质,如熔体、晶体以及品体周围的气氛等。
不同的介质具有不同的温度,就是在同一介质内,温度也不是均匀分布的,炉膛内的温度是随空间位置而变化的。
晶体生长过程中最理想的是炉内温场不随时间而变化;即温度分布与时间无关,这样的温场称稳态温场。
而实际生长过程中,炉膛中的温场随时间而变化,也就是炉内的温度是空间和时间的函数,这样的温场称为非稳温场。
根据晶体生长方式不同,当前制备单晶硅技术主要分为悬浮区熔法(FZ法)和直拉法(CZ法)两种,直拉法相对来说成本更低,生长速率较快,更适合大尺寸单晶硅棒的拉制,目前我国90%以上的太阳能级单晶硅通过直拉法进行生产,预计今后仍将大比例沿用。
Fz区熔硅CZ直拉法的原理是将高纯度的多晶硅原料放置在石英坩埚中加热熔化,再将单晶硅籽晶插入熔体表面,待籽晶与熔体熔和后,慢慢向上拉籽晶,晶体便会在籽晶下端生长,并随着籽晶的提拉晶体逐渐生长形成晶棒。
CZ是从熔体中生长晶体的一种常用方法,属于保守系统,它要求晶体一致共熔,其主要优点在于它是一种直观的技术,可以在短时间内生长出大而无位错的单晶。
优点:1. 便于精密控制生长条件,可以较快速度获得优质大单晶;2. 可以使用定向籽晶,选择不同取向的籽晶可以得到不同取向的单晶体;3. 可以方便地采用“回熔”和“缩颈”工艺,以降低晶体中的位错密度,提高晶体的完整性;4. 可以在晶体生长过程中直接观察生长情况,为控制晶体外形提供了有利条件;缺点:1. 一般要用坩埚作容器,导致熔体有不同程度的污染;保温材料和发热体材料杂质也属于这类污染;2. 当熔体中含有易挥发物时,则存在控制组分的困难;3. 不适合生长冷却过程中存在固态相变的材料;4.分凝系数导致溶质分布不均匀或组分不均匀;5. 随着生长过程的进行,坩埚中熔体液面会不断下降,坩埚内壁逐渐地裸露出来。
由于埚壁的温度很高,因而对晶体、熔体中的温场影响很大,甚至发生界面翻转。
单晶硅拉制设备中拉伸过程的晶格缺陷分析
单晶硅拉制设备中拉伸过程的晶格缺陷分析单晶硅(Si)是一种材料特性非常优异的半导体材料,在电子工业中广泛应用。
单晶硅的制备过程中,拉制设备起着关键作用。
在单晶硅拉制设备中,拉伸过程对于形成高品质单晶硅材料具有重要影响。
本文将对单晶硅拉制设备中拉伸过程中的晶格缺陷进行分析。
拉制设备中的拉伸过程是将多晶硅或溶液中的硅原料通过一系列工艺步骤转化为单晶硅的关键环节。
在拉伸过程中,硅原料首先被熔化成液态,在合适的条件下逐渐拉制成单晶棒。
然而,由于材料物理化学性质的变化以及拉伸设备的影响,导致晶格缺陷的产生。
晶格缺陷是指晶体内部的原子排列出现的异常情况,它对于单晶硅的物理性能和电子特性具有重要影响。
在拉伸过程中,晶格缺陷主要包括位错、晶界、空位、间隙等缺陷。
位错是晶体中原子排列出现错位的情况。
在拉制过程中,在晶体表面形成的位错称为外在位错;而在晶体内部形成的位错称为内在位错。
位错的存在会导致晶体的局部张力和应变,进而影响晶体的结构和性能。
晶界是晶体中不同晶体颗粒之间的界面。
在拉制过程中,晶体在不同方向生长的晶粒会相互错位形成晶界。
晶界内部的原子排列出现不规则的情况,导致晶体内部存在应力场和局部应变。
空位和间隙是晶体中原子排列不完整产生的缺陷。
当晶体结构中存在缺失原子时,即形成空位;当晶体结构中存在额外的原子时,即形成间隙。
由于空位和间隙的存在,晶体的结构和性能会发生改变。
晶格缺陷的产生和发展与拉制设备的工艺参数和操作条件密切相关。
拉制温度、拉速、拉力等工艺参数的变化都会对晶格缺陷产生影响。
例如,拉制温度过高会导致原子扩散速度加快,从而增加位错和晶界的形成;拉速过快会导致晶粒内部的应力积累,进而形成位错和空位。
因此,在拉制设备中降低晶格缺陷的产生,需要合理控制工艺参数和操作条件。
除了拉制设备中的因素,原材料的质量和纯度也会对晶格缺陷产生影响。
原材料含有的杂质和非晶相都会引入晶体中,形成晶格缺陷。
因此,在单晶硅的制备过程中,原材料的选择和净化也是十分重要的环节。
单晶硅拉制设备中的真空系统设计与应用
单晶硅拉制设备中的真空系统设计与应用单晶硅拉制设备是用于生产单晶硅棒的关键设备,而真空系统是单晶硅拉制设备中不可或缺的组成部分。
真空系统的设计和应用在单晶硅拉制过程中扮演着至关重要的角色,对于保证单晶硅棒的质量和提高生产效率具有重要意义。
真空系统在单晶硅拉制设备中的作用首先体现在两个方面:一是为了确保在拉制过程中的环境干净和无杂质,以避免对单晶硅棒造成污染;二是为了提供必要的压力和温度控制,以促进单晶硅棒的生长。
首先,针对环境干净和无杂质的要求,真空系统需要通过各种真空泵和阀门来消除空气中的杂质和湿气。
高效的真空泵通常包括根泵、分子泵和扩散泵等,以确保在真空室内形成足够的真空度。
同时,配备合适的过滤器和吸附剂可以进一步净化气体,防止杂质进入拉制过程,从而保证单晶硅棒的纯净度。
其次,真空系统还需要提供必要的压力和温度控制来促进单晶硅棒的生长。
在单晶硅拉制过程中,通过控制真空室内的气压,可以调节单晶硅液面的高度,从而控制单晶硅棒的直径。
此外,适当的温度控制也可以对单晶硅棒的生长速度和晶体结构进行调控。
因此,真空系统需要配备精确可靠的真空度和温度控制装置,确保单晶硅棒的生长过程稳定可控。
在真空系统的应用中,还有一些值得注意的关键技术。
首先,装备合适的真空密封结构很重要,以防止真空泄漏和污染物进入系统。
各种管路和接头的连接处需要密封可靠,同时要采取适当的密封材料和润滑剂。
其次,对于真空泵和其他设备的选型和安装也需要经验和技巧。
合理选择真空泵的类型和规格,布置合理的管路系统,能够提高系统的运行效率和可靠性。
另外,为了确保真空系统的稳定和安全运行,还需要进行定期的维护和保养。
例如,定期检查和更换真空泵的密封件、过滤器和吸附剂,清洗管路系统和真空室内的杂质,调整温度和压力控制装置等。
同时,建立完善的设备运行和维护记录,及时处理故障和异常情况,可以提前发现问题并及时采取措施修复,以确保设备的可靠性和连续性生产。
单晶硅棒拉制过程
单晶硅棒拉制过程
单晶硅棒拉制过程是指在单晶硅生产过程中,将硅原料经过熔化和晶化后,通过拉制机器将硅棒细长拉出的过程。
这个过程是单晶硅制备的关键环节之一。
单晶硅棒拉制的基本步骤包括:准备原料、熔化、晶化、拉棒、切割、清洁、包装等。
首先要将硅原料经过精细加工,如洗涤、研磨、筛分等,保证原料的纯度和均匀性。
之后将原料放入熔炉中,加热到适当的温度使其熔化。
在熔化过程中,还需要对熔池进行搅拌,以保证熔池中的组成均匀,避免夹杂等问题的发生。
接下来的晶化过程是根据熔池的熔点和硅棒的拉制速度来控制的。
晶化温度会慢慢降低,当达到一定的温度,硅原料就会开始凝固。
在晶化的过程中,需要对晶体质量进行监测和调整,以保证晶体的完整性和均匀性。
当晶化完成后,就可以进行拉棒了。
拉棒机是通过拉伸晶体来制备硅棒的。
拉棒过程是一个温度和速度都会影响拉棒质量的过程,因此需要对温度和拉速进行精确的控制。
同时,拉出来的硅棒还需要进行切割、清洗和包装等工序,最终得到的单晶硅棒就可以用来制备晶体管、太阳能电池等。
单晶硅棒拉制过程是一个技术含量很高的过程,需要严格的控制和技术要求。
通过优化技术和工艺,可以提高单晶硅棒的品质和产量,降低成本。
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单晶硅棒单位产品综合能耗限额
单晶硅棒单位产品综合能耗限额单晶硅棒单位产品综合能耗限额这个话题,说起来可能让不少人头疼,觉得有点晦涩难懂。
可要是我们把它说得通俗点,嘿,瞬间就能变得简单有趣。
你想想,这不就是“如何用更少的电,做出更多的好东西”嘛!对吧,大家都知道,单晶硅是我们做半导体、光伏电池的核心材料,不管是手机、电脑,还是太阳能电池板,离开了它,生活简直要崩溃了。
所以,这个单位产品综合能耗限额,不外乎就是指,在制造这些硅棒的过程中,我们能耗控制在一个什么样的范围,能让它既环保又高效。
哎,说到这个,你可能会觉得,制造个小小的硅棒,能耗能有多大?其实呢,大家可能不知道,制造单晶硅棒可是大有文章的。
这个过程得通过高温熔炼,再经过提纯、拉制成棒的步骤,每一步都需要大量的能源。
想要做出质量高、效率高的单晶硅棒,还得非常讲究控制能耗。
就像你做饭一样,不是随便丢点调料进去就行,要火候到位,才能做出好味道。
而且能耗一高,不仅意味着成本增加,更糟糕的是,对环境的影响也会加大,造成资源的浪费,大家都不想看到那样的局面,是吧?说到这里,咱们再来想想看,这些“限额”是怎么来的呢?其实呢,是国家为了推动绿色发展,保护咱们的蓝天白云,才提出的这个概念。
就像你看到路边不时有个小小的“限速标志”,告诉你在这里开车不能超过多少公里一样,这个“限额”也就像是一个“警钟”,提醒着大家在追求经济效益的同时,不能忽略了节能降耗。
你说,有的工厂如果不管不顾,任由能耗攀升,最终可能会给环境带来巨大的压力,那可得不偿失。
所以,设置这样的能耗限额,就是为了把好这个关口。
至于怎么控制能耗嘛,嘿,这还真不是一个容易的任务。
生产过程中的每一个环节,都要精打细算。
原料的选择非常重要,硅砂的纯度高低,直接影响到最后产品的质量。
再有,熔炼时的温度得精准控制,既不能太高,也不能太低,过高了费电,过低了生产效率就上不去。
就是拉棒过程中的速度和精度问题,别看那小小的硅棒,一条拉下来,那也是考验技术和设备的时候。
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第一篇单晶硅棒在拉制中的影响因素
一热循环的通畅
热循环就是气流的循环,从氩气输进到被真空泵抽走的一个循环过程。
它的外在显示值即炉压(真空泵的抽速与氩气输入量的平衡值)组成部分,1 氩气调节整个单晶硅棒拉制中热循环的流量和流速,是在拉晶过程中不可缺少的保护气体。
(属性惰性气体特点不易燃烧)2 真空泵稳压持续抽走炉内的气体挥发物,保持炉内真空平衡。
由这两个系统所组成热循环系统的作用:有效的带走炉内沉积的挥发物,防止石墨器件及热场的氧化增加使用寿命。
增强成晶硅溶面与内溶液温度差提高成晶速度。
降低单晶硅棒在生产过程中的氧碳含量等,从而提高公司的产品质量。
二处于最良好状态下的热场
热场的作用效果是单晶生产中最奥义的地方,可以这么说要是能有一套完美的生产热场,公司的成本成品率将是质的飞跃。
1 良好的保温部分, A 热场中石墨保温筒连接的严密程度,B 保温碳毡缠在保温筒的均匀度和紧密度。
2 良好状态下的成晶温梯度由轴向梯度(在热场内平面的整个温度值)和纵向梯度(在热场中纵面的整个温度值)交错所组成的成晶梯度温差网是否能够达到我们的要求,主要体现在,成晶速度快且均匀成晶状态好且稳定。
三稳定的电控系统
动力电是我们生产中不可缺少的组成部分,其作用和使用费用也是我们单晶生产中的重大资源开销。
组成部分:1 整流柜(组成变压器快速熔断器可控规等)功能调节电压把三项交流电转化为我们需要的可调直流电,2 功率补偿柜(组成熔断器接触器电感线圈等)功能降低无用损耗,提高功率因素。
3 晶体生长控制柜调节用电的功率(电流电压)由这三个部分组成拉可持续供电切稳定性非常强的电控系统。
四合理的单晶拉制工艺的设定
工艺的设定是根据具体的炉型热场的不同,从而不断对其生产自动流程的设定改进。
1 拉速工艺随着硅溶液在拉制过程中越来越少散热量越来越大,温梯差减小成晶速度减慢,为拉保持目标直径,的所以通过降低拉速拉进行调节,A初始拉速的
设定。
B降拉速的幅度。
2 适当稳定的埚升补给,作用保持埚缝不变,也就是让成晶最佳位置不变。
通过不定量(拉速)以一个定量(埚根曲线)调节的随动值A在进入坩埚TR角前的直壁补给(定量补给)进入TR角后的递增补给。
作用调节单晶在生产过程中的固液转换差,保持埚缝位置不变,永远处于最佳成晶位置,避免因为埚缝大小变化改变热循环的气流速度,造成温梯度网变化过大或过快,打破拉单晶在生长中的适宜环境。
五洁净(单晶炉原料等)
洁净在我们这行业虽然没有什么技术含量但却是重中之重。
1 在装料前对炉子热场的清理(石墨件炉体等)2 在装料过程中避免出现对原料的二次污染问题。
在此不做过多的书写。
第二篇针对单晶硅棒影响因素的调节
连续多次成晶失败,连续多天成品率过低的炉子。
排除操作问题,原料问题,坩埚质量问题,设备问题,我就从单晶的影响因素中谈谈自己对炉子和热场可以改变的看法和意见。
一热循环的解决
大清炉检查,拿出所有炉内热场清除炉内热场及抽空管道沉积过多的挥发物检查各路管道的畅通问题,漏气问题,保证热循环畅通无阻。
(顺便看看石墨器件的损伤老化程度及保温系统是否良好)
二温梯度的调节
1 轴向梯度调节A 改变导流罩口的大小从而改变成晶硅溶料受氩气作用影响的
面积。
B 调节氩气大小从而改变热循环的流量流速加强或减弱温梯差效应。
2 纵向梯度A 增加或减少导柱的高度 B 改变保温筒的高度,这样做从而改变加热器的相对位置,也就是器盖距,从加热器到盖板之间的距离(导流罩深入加热器的距离)3整体梯度对保温碳毡的缠绕层数进行调改。
三电系统稳定性的观察11
1 电控问题,检查在单晶生产过程中是否有因电流电压不稳造成功率翻跳变化,影响炉内温度不稳,联系电修查找出现问题的原因。
2 检查加热器与导柱的连接处是否正常良好(主要是指有杂物和碳化硅)或换一个加热器进行跟踪观察。
四工艺设定合理性的改进
1 观察等径降拉速的合理适当性,不会因为拉速问题,影响成晶温度稳定,造成断线。
(降快了降多了温度就比正常成晶温度高,降慢了降少了温度就是比正常成晶温度低)
2 埚升的补给是否能够达到埚缝大小的不变(当然没有绝对的不变,据本人多年观察在3毫米之内进行变动对单晶的影响还不算严重)然后根据情况和出现问题的不同我们对现行工艺进行修改。
(首先要测核准拉速埚升是否为1:1状态也就是显示值和实际运行值是否一样)
五不做无用书写只要记住本着我们最大的能力去清理炉体热场,以我们最大的限度去保持工作现场及原料的洁净。
第三篇生产中异常情况的发生及处理
设备在运转过程中,出现一些故障是避免不了的,我们能做的就是怎样减少意外事故的发生,降低出现意外事故的损失。
下面我就来谈谈自己对意外事件发生的处理方法和看法。
一炉压异常上涨
如果再有加热的情况下,出现炉内压力异常上涨,那么我们首先考虑主泵是否处于正常的工作状态,查看主泵皮带是否有破损或者老化严重的现象,如果主泵工作正常,那就是炉体的问题了。
如果主泵出现故障,则可先用副泵维持工作状态,抓紧时间抢修主泵。
如果是炉体漏水漏气或者漏料,在加热的情况下,维修几乎是不可能的,那就看当时的情况决定,如果可能要尽力维持把原料吊出。
说到这里顺便谈谈漏料的相关问题。
首先判定漏料必备的2个情况,A 炉体压力异常上涨,B液面下降或者在熔料过程中看不见溶液却看到原料下沉的现象。
如果判定出现漏料事件,那么要立即停止加热,这时可将主泵阀门关闭,关闭主泵,加大氩气供给量,将炉内冲到微正压,气体可由炉体破损处排出。
(一般多是下轴的波纹管)减少空气进入量,减小炉内石墨器件氧化程度。
二异常停电
异常的停电时有发生,尤其是在雷雨季节,出现的频率会更高,一般来说,当动力电突然消失,(马上联系供电所了解停电原因时间)先等几秒观察,看电源能否自动恢复,如果瞬间供电恢复,那么要检查工艺参数有无异常问题,在等径的炉子,大多需要退出自动状态,进行手动控制恢复。
如果短时间供电没有恢复,建议先关闭压气阀在关闭主泵阀门。
从理论上讲,在断电瞬间,泵头的电磁阀在弹簧力的作用下是会自动关闭的,从而隔断炉内管道与外界的连通,是不会倒吸的。
退一步讲,即使因为种种原因,电磁阀门无法自动关闭,突然停电,等操作者反应过来,再去关主泵阀门,倒吸现象也已经出现啦。
完成这些动作后,查看每台炉子都处于什么状态。
没加热的不去考虑,处于熔料状态的稍后考虑,处于放肩状态的,可立即手动降锅位,使其与溶液脱离,处于等径状态的看情况操作,因为如果短时间恢复供电,或许还能挽救回来。
过一段时间供电还未恢复的,那么也要手动将晶体脱离溶液。
手动降锅位时候要注意,一不要弄错方向,二脱开距离要大一点。
如果脱开距离过小,那么硅溶液冷凝后膨胀,还会把溶液和晶体粘连在一起的。
停电大都伴随着停水。
冷却的循环水突然停啦,炉体过一段时间温度就会升高,炉内残存的水受热气化,出现啪啪的响声。
这时候操作者要注意自身安全。
不要离炉体太近,避免冷却水关松开,高温蒸汽将人烫伤。
也不要靠近观察窗观察炉内状态,观察玻璃也是比较脆弱的地方,即使你去观察也无济于事,因为到拉这个时候你什么都做不了。
即使冷却水恢复后,也不急于靠近,需要等水循环运转几分钟后,炉体冷却啦,在靠近操作。
如果长时间循环水不能恢复,炉体已经很热,操作人员必须撤离,避免出现人员伤亡。
(本人曾经碰到过一次水电同停,不能恢复供给,车间冷却循环水管几乎全部爆裂,满车间水蒸气,地下都是水,有几台单晶炉体底盘被烧坏。
性好因为及时撤离,人员没有伤亡。
出现类似现象大家不要慌乱,看情况决定对策。
撤离时也不要忙乱,听从班长指挥。
)
根据以往的经历,坩埚内溶液凝固,如果时间不长就恢复供电,是可以继续升温将硅料化开,然后重新生产的。
但这要根据当时具体情况,并且有丰富的经验,不可轻易操作,否则会酿成更大的经济损失。
由此可见平时的操作实践经验积累是多么重要。
三硅溶液异常抖动
如果发现硅液面出现异常抖动,那么首先要查看前几炉生产记录本,看看是否有抖动现象的记录,如果也记录有抖动现象的发生,只是这炉抖动更加严重,那么应该是坩埚轴承或波纹管里有杂物的原因造成的。
在这炉生产结束后找机修查看原因在清理波纹管。
出现液面抖动,可先将锅位放在不同位置观察,是否在那个位置都有抖动现象出现,如果仅仅在一个位置抖动,应该是连杆上粘有硅料点造成的。
可先用低锅位拉单晶(吊料)提出部分硅料,使得正常成晶位置躲离有硅料点影响的位置,再重新生产。
如果任何锅位都有剧烈抖动的现象出现,而且功率伴有大浮动变化,则可能是石墨锅垹断裂,摩擦加热器造成的,遇到类似象同时出现,建议停炉铸料,避免更大损失。
四单晶炉在炉内有加热的情况下,氩气,循环水,是绝对要供给的不能停。
五对于一些经常发生的设备故障,操作者要牢记其故障表现并且做好记录,以保证自己所操作的设备正常运转。
拉晶工应该充分熟悉了解自己管理的3台单晶炉的工作性能和部件功能,工作原理,在紧急情况下能够简单处理维修,维持设备的正常工作。
综上述主要是针对单晶生产方面和一些应该具备的技能经验方面的阐述
以上书写仅仅是个人对单晶硅生产方面的认识,以及影响生产问题和出现意外事件的总结,写的肯定不是很全面,有待大家交流讨论补充。
只要大家在工作中能够不断的总结积累经验,并不断提高改善自己的工作方式,相信每个人都能成为一名出色的单晶生产人员。