空位与位错
空位与位错
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位错的萌生与增殖 萌生:①液态金属凝固时出现点阵错排,形成位错; ②过饱和空位凝聚后坍塌形成位错; ③晶体内部某些界面如第二相质点、晶界和微裂纹附近,出现应力集中,促使该 局部区域发生塑性变形,产生位错. 晶体中位错的增殖:F-R源增殖机制(弗兰克-瑞德源) F-R机制的基点是通过位错的一端或两端被固定在滑移面上的一段位错线的运动来阐明 位错的增值机制. F-R位错源开动的所需要的分切应力包括(1)滑移的晶格阻力,即派-纳力 (2)位错弯曲的切应力:克服位错线的张力所需要的切应力:τ =Gb/(2R) a.位错处于直线,即R=∞,此时切应力最小; b.位错弯成半圆,R=L/2,τ =Gb/L,切应力最大; 临界切应力τ c=Gb/L,L为位错线长. 在塑性变形的过程中,会产生越来越多的位错, 它们之间如果发生交截,就会使可动位错越来越短, 对开动位错源所需要的临界分切应力就越来越高, 这也是加工硬化的原因之一. 实际晶体中的位错组态:不全位错、堆垛层错、扩展位错 根据柏氏矢量的不同,可以把位错分为以下几种形式: ①柏氏矢量恰好等于单位点阵矢量的称为单位位错; ②柏氏矢量恰好等于单位点阵矢量整数倍的称为全位错; ③柏氏矢量不等于单位点阵矢量或其整数倍的称为不全位错或部分位错 层错:是指在密排晶体结构中的整层密排面上的原子发生了错排,这是实际晶体在滑移 过程中所造成的一种缺陷.可分为“抽出型层错”和“插入型层错” 一个插入型层错相当于两个抽出型层错,在面心立方晶体中的层错可以看成是嵌入了 薄层密排六方结构;同理密排六方的层错可以看做嵌入了面心立方薄层. 层错是一种晶格缺陷,引起能量上升,通常把单位面积层错产生所需要的能量称为层错能 原子仅发生错排,产生很少的畸变,层错能越小,出现层错的几率越大. 面心立方、不锈钢和α-黄铜,可以见到大量层错,铝则看不到. 不全位错:晶体中往往只在局部区域出现层错,而不贯穿整个晶体,于是在层错区与完整 晶体的交界处就会出现不全位错.有肖克莱不全位错和弗兰克不全位错. 肖克莱不全位错:可以再具有堆垛层错的(111)面滑移,属于可动位错,其滑移引起层错 的扩大或者缩小,但不能进行攀移. 弗兰克不全位错:柏氏矢量与层错面和位错线垂直,是纯刃型位错,由于柏氏矢量与位错线 所构成的平面不在{111}滑移面上,所以不能滑移,只能借助原子扩散进行攀移. 位错反应:位错之间的相互转化称为位错反应,其结果降低体系自由能,满足条件: ①几何条件:∑b前=∑b后,反应前后位错在三维方向上的分矢量和必须相等; ②能量条件:∑b2前>∑b2后,位错反应后,应变能必须降低,这是反应的驱动力; 扩展位错:如果层错两端都终止在晶体内部,即一个层错的两端与两个不全位错相连,像 这样的两个不全位错之间夹有一个层错的位错组态层位扩展位错. 其表达式为: 扩展位错的宽度与金属的比层错能γ 成反比,γ 大,则不宜形成扩展位错,金属的层错能 的大小及扩展位错宽度对塑性变形的过程及材料强化起重要作用 位错的束集:所谓束集就是扩展位错所形成的两个不全位错重新合并为一个单位位错的 过程。面心立方晶体的交滑移可形成位错束集. 在金属中,层错能越低,层错宽度就越大,就越不容易产生束集,越难产生交滑移.热激活 有助于束集的实现,升高温度可以促进扩展位错的交滑移.(一个滑移面到另外一个滑移面)
位错产生的机制
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位错是晶体中结构缺陷或失序引起的晶格位移。
它可以通过以下几种机制产生:
1.移位机制:当晶体在应力作用下发生变形时,晶格会出现位错线或位错面,从而导致原子位置发生位移。
这是最常见的位错产生机制,可分为边界位错、螺旋位错和混合位错等不同类型。
2.弥散机制:在某些条件下,原子可以通过晶格间的空位、间隙等进行扩散和迁移,从而引起位错的形成。
这主要发生在高温或其他非平衡条件下。
3.特殊条件下的位错引入:在一些特殊条件下,如材料的激发、气氛或外场的影响等,位错可以被引入晶体中,例如辐射损伤、塑性变形等。
4.生长缺陷引起的位错:在晶体的生长和形成过程中,由于晶格的失序、扩散速率不均等因素,可能会产生位错。
总体而言,位错产生是晶体为了适应外界应力或内部缺陷而发生的晶格变形,引发了晶体内部的局部结构变化,进而改变了材料的性质和行为。
位错的产生和影响在材料科学与工程中具有重要意义,对材料的强度、塑性、热力学性能等方面有着重要影响。
(优选)位错和缺陷之间的相互作用
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斯诺克气团
• 体心立方晶体中间隙原子如C、N 等与螺位错切应力场发生的交互 作用
• C、N原子使得α-Fe产生四方畸变
• 间隙原子分布于α-Fe的(1/2,0,0) (0,1/2, 0) ( 0,0,1/2)间隙位置
• 在应力作用下,三个间隙位置的原子应 变能不同,从应变能大的位置跳到应变 能小的位置,即斯诺克效应
为“扭折” 在运动过程中,这种折线在线张力的作用下可能被拉长而消失
柏氏矢量互相平行的互相垂直刃型位错的交截
• 位错线AB和XY发生交割后 • AB变为APP’B,XY变为xQQ’y • PP’台阶高度为b1, QQ’台阶高度为b2,两台阶和分别与b2和b1平 行,是螺型位错 • 它们位于原位错的滑移面上,是扭折
(优选)位错和缺陷之间的相互作用
位错与溶质原子的交互作用
• 溶质原子处于位错的应力场之中,会产生弹性交互作用
• 在刃型位错中显得尤其重要 • 不论是置换型还是间隙型溶质原子均会引起晶格畸变
间隙原子以及尺寸大于溶剂原子的溶质原子使周围基体晶格原子受到压缩应力 尺寸小于溶剂原子的溶质使基体晶格受到拉伸
溶质原子与位错的交互作用
位错与溶质原子的交互作用
• 至于溶质原子能否移至理想的位置,则取决于溶 质原子的扩散能力
• 溶质原子分布于位错周围使位错的应变能下降, 位错的稳定性增加,晶体强度提高
科垂耳气团
通常把把溶质原子与位错交互作用后,围绕位错而
形成的溶质原子聚集物,称为“科垂耳气团”
(Cottrell Atmosphere) 气团阻碍位错运动,产生固溶强化效应,但气团
位错与空位的电学交互作用
材料科学基础试题及答案
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第一章 原子排列与晶体结构1. fcc 结构的密排方向是 ,密排面是 ,密排面的堆垛顺序是 ,致密度为 ,配位数是 ,晶胞中原子数为 ,把原子视为刚性球时,原子的半径r 与点阵常数a 的关系是 ;bcc 结构的密排方向是 ,密排面是 ,致密度为 ,配位数是 ,晶胞中原子数为 ,原子的半径r 与点阵常数a 的关系是 ;hcp 结构的密排方向是 ,密排面是 ,密排面的堆垛顺序是 ,致密度为 ,配位数是 ,,晶胞中原子数为 ,原子的半径r 与点阵常数a的关系是 。
2. Al 的点阵常数为0.4049nm ,其结构原子体积是 ,每个晶胞中八面体间隙数为 ,四面体间隙数为 。
3. 纯铁冷却时在912ε 发生同素异晶转变是从 结构转变为 结构,配位数 ,致密度降低 ,晶体体积 ,原子半径发生 。
4. 在面心立方晶胞中画出)(211晶面和]211[晶向,指出﹤110﹥中位于(111)平面上的方向。
在hcp 晶胞的(0001)面上标出)(0121晶面和]0121[晶向。
5. 求]111[和]120[两晶向所决定的晶面。
6 在铅的(100)平面上,1mm 2有多少原子?已知铅为fcc 面心立方结构,其原子半径R=0.175×10-6mm 。
第二章 合金相结构一、 填空1) 随着溶质浓度的增大,单相固溶体合金的强度 ,塑性 ,导电性 ,形成间隙固溶体时,固溶体的点阵常数 。
2) 影响置换固溶体溶解度大小的主要因素是(1) ;(2) ;(3) ;(4) 和环境因素。
3) 置换式固溶体的不均匀性主要表现为 和 。
4) 按照溶质原子进入溶剂点阵的位置区分,固溶体可分为 和 。
5) 无序固溶体转变为有序固溶体时,合金性能变化的一般规律是强度和硬度 ,塑性 ,导电性 。
6)间隙固溶体是 ,间隙化合物是 。
二、 问答1、 分析氢,氮,碳,硼在α-Fe 和γ-Fe 中形成固溶体的类型,进入点阵中的位置和固溶度大小。
已知元素的原子半径如下:氢:0.046nm ,氮:0.071nm ,碳:0.077nm ,硼:0.091nm ,α-Fe :0.124nm ,γ-Fe :0.126nm 。
金属学与热处理课后习题答案第七章
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第七章金属及合金的回复和再结晶7-1 用冷拔铜丝线制作导线,冷拔之后应如何如理,为什么?答:应采取回复退火(去应力退火)处理:即将冷变形金属加热到再结晶温度以下某一温度,并保温足够时间,然后缓慢冷却到室温的热处理工艺。
原因:铜丝冷拔属于再结晶温度以下的冷变形加工,冷塑性变形会使铜丝产生加工硬化和残留内应力,该残留内应力的存在容易导致铜丝在使用过程中断裂。
因此,应当采用去应力退火使冷拔铜丝在基本上保持加工硬化的条件下降低其内应力(主要是第一类内应力),改善其塑性和韧性,提高其在使用过程的安全性。
7-2 一块厚纯金属板经冷弯并再结晶退火后,试画出截面上的显微组织示意图。
答:解答此题就是画出金属冷变形后晶粒回复、再结晶和晶粒长大过程示意图(可参考教材P195,图7-1)7-3 已知W、Fe、Cu的熔点分别为3399℃、1538℃和1083℃,试估算其再结晶温度。
答:再结晶温度:通常把经过严重冷变形(变形度在70%以上)的金属,在约1h的保温时间内能够完成超过95%再结晶转变量的温度作为再结晶温度。
1、金属的最低再结晶温度与其熔点之间存在一经验关系式:T再≈δTm,对于工业纯金属来说:δ值为0.35-0.4,取0.4计算。
2、应当指出,为了消除冷塑性变形加工硬化现象,再结晶退火温度通常要比其最低再结晶温度高出100-200℃。
如上所述取T再=0.4Tm,可得:W再=3399×0.4=1359.6℃Fe再=1538×0.4=615.2℃Cu再=1083×0.4=433.2℃7-4 说明以下概念的本质区别:1、一次再结晶和二次在结晶。
2、再结晶时晶核长大和再结晶后的晶粒长大。
答:1、一次再结晶和二次在结晶。
定义一次再结晶:冷变形后的金属加热到一定温度,保温足够时间后,在原来的变形组织中产生了无畸变的新的等轴晶粒,位错密度显著下降,性能发生显著变化恢复到冷变形前的水平,称为(一次)再结晶。
晶体缺陷类型
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晶体缺陷类型晶体缺陷是指晶体中存在的原子或离子排列不规则或异常的现象。
晶体缺陷可以分为点缺陷、线缺陷和面缺陷三种类型。
一、点缺陷点缺陷是晶体中原子或离子位置的局部不规则,主要包括空位、间隙原子和杂质原子。
1. 空位空位是指晶体中原子或离子在其晶体格点上的位置空缺。
晶体中的空位可以通过热处理、辐射或化学反应形成。
空位的存在会降低晶体的密度和电子迁移率,影响材料的性能。
2. 间隙原子间隙原子是指晶体中原子或离子占据晶体格点之间的空隙位置。
间隙原子的存在会导致晶体的畸变和疏松,影响材料的机械性能和导电性能。
3. 杂质原子杂质原子是指晶体中非本原子或离子替代晶体中的原子或离子。
杂质原子的存在会改变晶体的导电性、光学性质和热稳定性。
常见的杂质原子有掺杂剂、杂质原子和缺陷聚集体。
二、线缺陷线缺陷是晶体中原子或离子排列沿着一条线或曲线出现的不规则现象,主要包括位错和螺旋线缺陷。
1. 位错位错是晶体中原子或离子排列的一种不规则现象,可以看作是晶体中某一面上原子排列与理想晶体的对应面上的原子排列不匹配。
位错的存在会导致晶体的畸变和塑性变形,影响材料的力学性能。
2. 螺旋线缺陷螺旋线缺陷是晶体中原子或离子排列呈螺旋状的一种不规则现象。
螺旋线缺陷的存在会导致晶体的扭曲和磁性变化,影响材料的磁学性能。
三、面缺陷面缺陷是晶体中原子或离子排列在一定平面上不规则的现象,主要包括晶界和堆垛层错。
1. 晶界晶界是晶体中两个晶粒之间的交界面,是晶体中最常见的面缺陷。
晶界的存在会影响晶体的力学性能、导电性能和晶体的稳定性。
2. 堆垛层错堆垛层错是晶体中原子或离子排列在某一平面上的堆垛出现错误的现象。
堆垛层错的存在会导致晶体的畸变和位错密度增加,影响材料的机械性能和热稳定性。
总结:晶体缺陷是晶体中存在的原子或离子排列不规则或异常的现象。
根据缺陷的不同类型,晶体缺陷可以分为点缺陷、线缺陷和面缺陷。
点缺陷主要包括空位、间隙原子和杂质原子,线缺陷主要包括位错和螺旋线缺陷,面缺陷主要包括晶界和堆垛层错。
(完整版)固态相变原理考试试题+答案
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固态相变原理考试试题一、(20分)1、试对固态相变地相变阻力进行分析固态相变阻力包括界面能和应变能,这是由于发生相变时形成新界面,比容不同都需要消耗能量.(1)界面能:是指形成单位面积地界面时,系统地赫姆霍茨自由能地变化值.与大小和化学键地数目、强度有关.共格界面地化学键数目、强度没有发生大地变化,最小;半共格界面产生错配位错,化学键发生变化,次之;非共格界面化学键破坏最厉害,最大.(2)应变能①错配度引起地应变能(共格应变能):共格界面由错配度引起地应变能最大,半共格界面次之,非共格界面最小.②比容差引起地应变能(体积应变能):和新相地形状有关,,球状由于比容差引起地应变能最大,针状次之,片状最小.2、分析晶体缺陷对固态相变中新相形核地作用固相中存在各种晶体缺陷,如空位、位错、层错、晶界等,如果在晶体缺陷处形核,随着核地形成,缺陷将消失,缺陷地能量将给出一供形核需要,使临界形核功下降,故缺陷促进形核.(1)空位:过饱和空位聚集,崩塌形成位错,能量释放而促进形核,空位有利于扩散,有利于形核.(2)位错:①形成新相,位错线消失,会释放能量,促进形核②位错线不消失,依附在界面上,变成半共格界面,减少应变能.③位错线附近溶质原子易偏聚,形成浓度起伏,利于形核.④位错是快速扩散地通道.⑤位错分解为不全位错和层错,有利于形核.Aaromon总结:刃型位错比螺型位错更利于形核;较大柏氏矢量地位错更容易形核;位错可缠绕,割阶处形核;单独位错比亚晶界上位错易于形核;位错影响形核,易在某些惯习面上形成.(3)晶界:晶界上易形核,减小晶界面积,降低形核界面能二、(20分)已知调幅分解1、试分析发生调幅分解地条件只有当R(λ)>0,振幅才能随时间地增长而增加,即发生调幅分解,要使R(λ)>0,得且. 令R(λ)=0得λc—临界波长,则λ<λc时,偏聚团间距小,梯度项很大,R(λ)>0,不能发生;λ>λc时,随着波长增加,下降,易满足,可忽略梯度项,调幅分解能发生.2、说明调幅分解地化学拐点和共格拐点,并画出化学拐点、共格拐点和平衡成分点在温度——成分坐标中地变化轨迹化学拐点:当G”=0时.即为调幅分解地化学拐点;共格拐点:当G”+2η2Y=0时为共格拐点,与化学拐点相比共格拐点地浓度范围变窄了,温度范围也降低了.3、请说明调幅分解与形核长大型相变地区别1、阐明建立马氏体相变晶体学表象理论地实验基础和基本原理(1)实验基础1 / 32 /3 ① 在宏观范围内,惯习面是不应变面(不转变、不畸变);② 在宏观范围内,马氏体中地形状变形是一个不变平面应变;③ 惯习面位向有一定地分散度(指不同片、不同成分地马氏体);④ 在微观范围内,马氏体地变形不均匀,内部结构不均匀,有亚结构存在(片状马氏体为孪晶,板条马氏体为位错).(2)基本原理在实验基础上,提出了马氏体晶体学表象理论,指出马氏体相变时所发生地整个宏观应变应是下面三种应变地综合:① 发生点阵应变(Bain 应变),形成马氏体新相地点阵结构.但是Bain 应变不存在不变平面,不变长度地矢量是在圆锥上,所以要进行点阵不变切变.② 简单切边,点阵不变非均匀切变,在马氏体内发生微区域变形,不改变点阵类型,只改变形状,通过滑移、孪生形成无畸变面.③ 刚体转动,①②得到地无畸变地平面转回到原来地位置去,得到不畸变、不转动地平面.用W-R-L 理论来表示:P 1=RPB,P 1为不变平面应变地形状变形,B 为Bain 应变、用主轴应变来表示,R 为刚体转动、可以用矩阵来表示,P 为简单应变.2、阐明马氏体相变热力学地基本设想和表达式地意义答:基本设想:马氏体相变先在奥氏体中形成同成分地体心核胚,然后体心核胚再转变为马氏体M.所以马氏体相变自由能表达式为:M M G G G γγαα→→→∆=∆+∆,式中:① M G γ→∆表示奥氏体转变为马氏体地自由能差.,此时温度为Ms 温度.② G γα→∆表示母相中形成同成分地体心核胚时地自由能变化,定义为T 0温度γ与α地平衡温度,,为T<T 0时,产生核胚地温度.③ MG α→∆表示体心核胚转变为马氏体M 而引起地自由能变化.消耗于以下几个方面:切变能(进行不变平面切变、改变晶体结构和形状地能量);协作形变能(周围地奥氏体产生形变地能量);膨胀应变能(由于比容变化而致);存储能(形成位错地应变能、形成孪晶地界面能);其他(表面能、缺陷能、能量场地影响等).四、(20分)1、试解释沉淀相粒子地粗化机理由Gibbs-Thompson 定理知,在半径为r 地沉淀相周围界面处母相成分表达式: 2()()(1)m V C r C RTr αασ=∞-当沉淀相越小,其中每个原子分到地界面能越多,因此化学势越高,与它处于平衡地母相中地溶质原子浓度越高. 即:C (r 2)> C(r 1) .由此可见在大粒子r 1和小粒子r 2之间地基体中存在浓度梯度,因此必然有一个扩散流,在浓度梯度地作用下,大粒子通过吸收基体中地溶质而不断长大,小粒子则要不断溶解、收缩,放出溶质原子来维持这个扩散流.所以出现了大粒子长大、小粒子溶解地现象. 需要画图辅助说明!2、根据沉淀相粒子粗化公式:,分析粒子地生长规律(奥斯瓦尔德熟化)①当时,r=r ,rt ∂∂=0粒子不长大;②当时,r <r ,r t ∂∂<0小粒子溶解;③当时,r>r ,r t ∂∂>0粒子长大;④当时,r=2r ,r t ∂∂最大,长大最快;⑤长大过程中,小粒子溶解,大粒子长大,粒子总数减小,r 增加,更容易满足②,小粒子溶解更快;⑥温度T 升高,扩散系数D 增大,使rt ∂∂增大.所以当温度升高,大粒子长大更快, 小粒子溶解更快.五、(20分)已知新相地长大速度为:1、 试分析过冷度对长大速度地影响过冷度很小,∆gv 很小,∆gv 随过冷度地增加而增加,∆gv 越小长大速率越大,表明:长大速度u 与过冷度或者成正比,也就是当T 下降,过冷度增大,上升,长大速度u 增大.(1) 过冷度很很大,∆gv/kT 很大,exp(-∆gv/kT)→0,此时,温度越高长大速率越大,2、 求生长激活能过冷度很大时,exp(-∆gv/kT)→0,公式转化为0exp()Q kT μλν=-3 / 3 两边取对数,0exp()Q kT μλν=-则(ln )(1/)d Q K d T μ=-则为单个原子地扩散激活能,再乘以阿伏加德罗常数N 0,得生长激活能.。
材料科学基础复习题第二部分
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复习题(下)第六章空位与位错本章的主要内容:晶体中的缺陷,晶体缺陷的分类晶体缺陷的形成点缺陷:点缺陷的种类,点缺陷的形成,点缺陷的运动,点缺陷的平衡浓度,点缺陷对材料性能的影响位错:位错理论的起源:理论切变强度,位错学说位错的观察位错基本类型及特征:刃型位错,螺型位错,混合位错柏氏矢量:确定方法,柏氏矢量的模,实际晶体中的柏氏矢量,柏氏矢量的特性,位错密度外力场中作用在位错线上的力位错运动:滑移,攀移,派一纳力,混合位错的运动位错的弹性性质:直螺错的应力场,直刃错的应力场,混合直位错的应力场位错的应变能及位错线张力位错间的交互作用:两根平行螺位错的交互作用,两根平行刃位错的交互作用,位错的相互交截:螺型位错与螺型位错,刃错与刃错,螺错与刃错位错的塞积位错的增殖实际晶体中的位错:单位位错,堆垛层错,不全位错:肖克莱,弗兰克不全位错位错反应及汤普逊四面体位错与溶质原子的交互作用:弹性交互作用,柯垂尔气团,斯诺克气团,静电交互作用化学交互作用1 填空1 空位是热力学_______________的缺陷,而位错是热力学_____________的缺陷。
2 fcc晶体中单位位错(全位错)的柏氏矢量是_________________;bcc晶体中单位位错(全位错)的柏氏矢量是_________________;hcp晶体中单位位错(全位错)的柏氏矢量是_________________;fcc中Frank位错的柏氏矢量是___________。
3 一根柏氏矢量b=a/2<110>的扩展位错滑出晶体后,在晶体表面产生的台阶的高度为_____________________。
4 在某温度下,晶体中的空位数与点阵数的比值称为__________________。
2ξ为位错线单位矢量,b为柏氏矢量,则bξ=0时为_______位错,bξ=b时为________________位错,bξ =-b时为______________位错。
中南大学材料科学基础课后习题答案1位错
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一、解释以下基本概念肖脱基空位:晶体中某结点上的原子空缺了,则称为空位。
脱位原子进入其他空位或者迁移至晶界或表面而形成的空位称为肖脱基空位弗兰克耳空位:晶体中的原子挤入结点的空隙形成间隙原子,原来的结点位置空缺产生一个空位,一对点缺陷(空位和间隙原子)称为弗兰克耳(Frenkel )缺陷。
刃型位错:晶体内有一原子平面中断于晶体内部,这个原子平面中断处的边沿及其周围区域是一个刃型位错。
螺型位错:沿某一晶面切一刀缝,贯穿于晶体右侧至BC 处,在晶体的右侧上部施加一切应力τ,使右端上下两部分晶体相对滑移一个原子间距,BC 线左边晶体未发生滑移,出现已滑移区与未滑移区的边界BC 。
从俯视角度看,在滑移区上下两层原子发生了错动,晶体点阵畸变最严重的区域内的两层原子平面变成螺旋面,畸变区的尺寸与长度相比小得多,在畸变区范围内称为螺型位错混合位错:位错线与滑移矢量两者方向夹角呈任意角度,位错线上任一点的滑移矢量相同。
柏氏矢量:位错是线性的点阵畸变,表征位错线的性质、位错强度、滑移矢量、表示位错区院子的畸变特征,包括畸变位置和畸变程度的矢量就称为柏氏矢量。
位错密度:单位体积内位错线的总长度ρυ=L/υ ;单位面积位错露头数ρs =N/s位错的滑移:切应力作用下,位错线沿着位错线与柏氏矢量确定的唯一平面滑移, 位错线移动至晶体表面时位错消失,形成一个原子间距的滑移台阶,大小相当于一个柏氏矢量的值. 位错的攀移: 刃型位错垂直于滑移面方向的运动, 攀移的本质是刃型位错的半原子面向上或向下运动,于是位错线亦向上或向下运动。
弗兰克—瑞德源:两个结点被钉扎的位错线段在外力的作用下不断弯曲弓出后,互相邻近的位错线抵消后产生新位错,原被钉扎错位线段恢复到原状,不断重复产生新位错的,这个不断产生新位错、被钉扎的位错线即为弗兰克-瑞德位错源。
派—纳力:周期点阵中移动单个位错时,克服位错移动阻力所需的临界切应力单位位错:b 等于单位点阵矢量的称为“单位位错”。
位错期末考试 (2)

一、解释概念(3×5=15分)1.空位:晶格中某格点上的原子空缺了,则称为空位,这是晶体中最重要的点缺陷。
脱位原子有可能挤入格点的间隙位置,形成间隙原子。
2.刃型位错:有一多余半原子面,好象一把刀插入晶体中,使半原子面上下两部分晶体之间产生了原子错排,称为刃型位错。
其半原子面与滑移面的交线为刃型位错线。
3.螺型位错:晶体沿某条线发生上下两部分或左右两部分错排,在位错线附近两部分原子是按螺旋形排列的,所以把这种位错称为螺型位错。
4.攀移:刃型位错在垂直于滑移面方向的运动称作攀移。
通常把多余半原子面向上运动称为正攀移,向下运动称为负攀移。
攀移可视为半原子面的伸长或缩短,可通过物质迁移即空位或原子扩散来实现。
5.割阶:一个运动的位错线特别是在受到阻碍的情况下,有可能通过其中一部分线段首先进行滑移。
若该曲折线段垂直于位错的滑移面时,称为割阶6.层错:实际晶体结构中,密排面的正常堆垛顺序遭到破坏和错排,称为堆垛层错,简称层错。
7.晶界:属于同一固相但位向不同的晶粒之间的界面称为晶界。
8.扭折:一个运动的位错线特别是在受到阻碍的情况下,有可能通过其中一部分线段首先进行滑移。
若由此形成的曲折在位错的滑移面上时,称为扭折。
9.柏氏矢量:用来表征位错特征,揭示位错本质的物理量。
其大小表示位错的强度,方向及与位错线的关系表示位错的正负及类型。
10.扩展位错:通常把一个全位错分解成两个不全位错,中间夹着一个堆垛层错的位错组态称为扩展位错。
11.科垂尔气团:围绕刃型位错形成的溶质原子聚集物,通常阻碍位错运动,产生固溶强化效果。
12.面角位错:在FCC晶体中形成于两个{111}面的夹角上,由三个不全位错和两个层错构成的不能运动的位错组态。
二、填空(1×15=15分)1.螺位错的滑移矢量与位错线________,凡是包含位错线的平面都可以作为它的滑移面。
但实际上,滑移通常是在那些原子________面上进行。
材料科学基础课后习题答案

BC A
1/2
D
y
1/2
x
z
1/4
B C
3/4 1/2
y A
3/2
x
1/2
c
B a3 C
a1
A
a2
1/2
c
2/3
B
a3
A
C a2
a1
2. 写出镍(Ni,FCC)晶体中面间距为 0.1246nm 的晶面族指数。镍的点阵常数为 0.3524nm。
3. 根据位错反应必须满足的条件,判断下列位错反应在 FCC 中能否进行,并确定无外力作
14、固态金属原子的扩散可沿体扩散与晶体缺陷扩散,其中最慢的扩
散通道是:
。
(A)
A、体扩散
B、晶界扩散
C、表面扩散
15、高温回复阶段,金属中亚结构发生变化时,
。
(C)
A、位错密度增大 B、位错发生塞积 C、刃型位错通过攀移和滑移构
成亚晶界
16 、 加 工 硬 化 是 一 种 有 用 的 强 化 手 段 , 其 缺 点 是
六、解:
由 Cs − Cx = erf ( x )
Cs − C0
2 Dt
10h=3600s, C0 = 0 , Cs = 1.3% , D = 1.5 ×10−7 cm2/s,代入上式得:
1.3% − Cx 1.3%
=
erf
(
x 0.147
)
∴ Cx = 1.3%(1− erf (6.8x) )
一、 填空题(每空 1 分,共 10 分)
(D
)
A. [110]
B. [100]
C. [211]
D [111]
4、体心立方结构八面体的间隙半径是
名词解释

1.阵点:晶体中的质点抽象位规则排列于空间的几何点。
2.空间点阵:阵点在空间呈周期性规则排列,并具有完全相同的周围环境,这种由它们在三维空间规则排列的阵列称为空间点阵。
3.空间格子:用来描述空间点阵的三维几何格架。
4.简单晶胞:只有在平行六面体每个顶角上有一阵点的晶胞。
5.复杂晶胞:除在顶角外,在体心、面心或底心上有阵点。
6等同点:晶体结构中物质环境和几何环境完全相同的点。
7.合金:由两种或两种以上的金属或金属与非金属经熔炼、烧结或其他方法组合而成,并具有金属特性的物质。
8.组元:组成合金的基本的、独立的物质。
9.相:合金中具有同一聚集状态、同一晶体结构和性质并以界面相互隔开的均匀组成部分。
10.单相合金:有一种相组成的合金。
11.多相合金:由几种不同的相组成的合金。
12.固溶体:以某一组元位溶剂,在其晶体点阵中融入其他组元原子(溶质原子)所形成的均匀混合的固态溶体,它保持着溶剂的晶体结构类型。
13.中间相:两组元A 和B 组成合金时,除了形成以A 为基或以B 为基的固溶体外,还可能形成晶体结构与A,B 两组元均不相同的新相。
由于它们在二元相图上的位置总是位于中间,故通常把这些相称为中间相。
14.中间相的分类:正常价化合物、电子化合物、与原子尺寸因素有关的化合物(间隙相和间隙化合物、拓扑密堆相)固溶体根据溶质原子在溶剂点阵中所处位置,分为置换固溶体和间隙固溶体。
按固溶度分类:有限固溶体和无限固溶体。
按各组元原子分布的规律性分类:无序固溶体和有序固溶体。
15.置换固溶体:溶质原子置换了溶剂点阵的部分溶剂原子的固溶体。
16.极限电子浓度:最大溶解度时的电子浓度数值接近位1.4。
17.间隙固溶体:溶质原子分布于溶剂晶格间隙而形成的固溶体。
18间隙相:当非金属X和金属M原子半径的比值r x/r M<0.59时,形成具有简单的晶体结构的相。
19.间隙化合物:当r x/r M>0.59时,形成具有复杂的晶体结构的相。
固态相变原理测验试题+答案

固态相变原理测验试题+答案--————--———-——---————-——-————--— 作者: —————————————-——-—-——-—-——-—--—— 日期:固态相变原理考试试题一、(20 分) 1、试对固态相变的相变阻力进行分析 固态相变阻力包括界面能和应变能,这是由于发生相变时形成新界面,比容不同都需要消耗能量。
界面能 :是指形成单位面积的界面时,系统的赫姆霍茨自由能的变化值。
与大小和化学键的数目、强度有关。
为表面张力,为偏摩尔自由能, 为由于界面面积改变而引起的晶粒内部自由能变化 (1) 共格界面的化学键数目、强度没有发生大的变化,σ最小;半共格界面产生错配位错,化学键发生变化,σ次之;非共格界面化学键破坏最厉害,σ最大. (2) 应变能 ① 错配度引起的应变能(共格应变能):共格界面由错配度引起的应变能最大,半共格界面次之,非共格界面最小。
② 比容差引起的应变能(体积应变能):和新相的形状有关,,球状由于比容差引起的应变能最大,针状次之,片状最小。
2、分析晶体缺陷对固态相变中新相形核的作用固相中存在各种晶体缺陷,如空位、位错、层错、晶界等,如果在晶体缺陷处形核,随着核的形成,缺陷将消失,缺陷的能量将给出一供形核需要,使临界形核功下降,故缺陷促进形核。
(1) 空位:过饱和空位聚集,崩塌形成位错,能量释放而促进形核,空位有利于扩散,有利于形核。
(2) 位错:①形成新相,位错线消失,会释放能量,促进形核②位错线不消失,依附在界面上,变成半共格界面,减少应变能。
③位错线附近溶质原子易偏聚,形成浓度起伏,利于形核。
④位错是快速扩散的通道.⑤位错分解为不全位错和层错,有利于形核。
Aaromon 总结:刃型位错比螺型位错更利于形核;较大柏氏矢量的位错更容易形核;位错可缠绕,割阶处形核;单独位错比亚晶界上位错易于形核;位错影响形核,易在某些惯习面上形成.(3)晶界:晶界上易形核,减小晶界面积,降低形核界面能二、(20 分) 已知调幅分解浓度波动方程为:1、试分析发生调幅分解的条件,其中:只有当 R(λ)>0,振幅才能随时间的增长而增加,即发生调幅分解,要使 R(λ)>0,得 G”<0 且| G”|>2η2Y+8π2k/λ2 令 R(λ)=0 得 λc—临界波长,则 λ<λc 时,偏聚团间距小,梯度项 8π2k/λ2 很大,R(λ)>0,不能发生;λ>λc 时,随着波长增加,8π2k/λ2 下降,易满足| G”| >2η2Y+8π2k/λ2,可忽略梯度项,调幅分解能发生。
空位与位错习题讲解

• 某面心立方晶体可动滑移系为(11-1)[-110],点阵常数a=0.2nm. 1.指出引起滑移的单位位错柏氏矢量 2.滑移由刃型位错引起,指出滑移线方向 3.滑移由螺型位错引起,指出滑移线方向 4.上述情况下滑移时位错线滑移方向 5.假定该滑移系上作用0.7MPa的切应力,计算单位刃型位错和螺型位错
• 解答
• 1. 弯折:被b= a [010]刃位错交割,则 交截部分位错沿[010]方向有一段位移 (位错线段),此位错线段柏氏矢量 仍为b= a [001],故决定的新的滑移面 为(100),故为扭折。
• 2. 同理,被a [100]的螺位错交割,则 沿[100] 方向形成一段位错线段,此位 错线段柏氏矢量仍为b= a [001],由 [100]与[001] 决定的滑移面为(010),故为割阶
(111)
[1-10] (11-1)
新位错柏氏矢量方向 [110 ]与两个滑移面 (111)(11-1)的交 线[1-10]垂直,为刃型
位错,新位错滑移面 为[110 ]与 [1-10]决定 的平面,即(001) 面,不能滑移
[110]
23
[11-2]/6 [112]/6
(111)
新位错的组态性质:
新位错柏氏矢量为
a[110 ]/3 ,而两个位
错反应后位错线只能
是两个滑移面(111)
与(11-1)的交线,
[1-10]
即[1-10], 即:位错线与柏氏矢
量垂直,故为刃型位
(11-1)
错,其滑移面为[110 ] 与 [1-10]决定的平面,
即(001)面,也不是
fcc中的惯常滑移面, [110] 故不能滑移。
a [100]
a [010]
材料科学基础复习题

5、Al-w Cu4%合金在130~150℃人工时效发生的相变顺序为:α相→α相+ →α相+ →α相+θ'相→α相+ 。
、固态相变时,非均匀形核时体系自由能变化由四部分组成:缺陷处体系自由能降低的部分、、、。
在一定条件下固体中的扩散的快慢与激活能Q有关,影响激活能Q的主要因素有扩散机制、、、。
1.扩散按是否有新相生成可分为______________和___________。
马氏体按其基本形态可分为____________和_____________。
7、马氏体相变和 Al—Cu合金的淬火时效分别属于______________和___________相变。
()5、调幅分解不存在形核势垒,新旧两相完全共格,因此,在形核和长大时不存在界面能和应变能。
()6、扩散的根本驱动力是扩散前后体积自由能差,与界面能无关。
()8、扩散型相变中往往先产生亚稳定的过渡相,过渡相与母相的界面能一般很低,保持共格与半共格的关系。
9、()固态相变中的4()结晶、重结晶、再结晶、二次再结晶都是形核-长大过程。
非均匀形核,一般在不平衡缺陷处,如晶界、层错、夹杂物等能量较高的位置处形成。
5、()固态相变均匀形核与结晶的均匀形核相比,相变阻力有一定的区别,结晶的均匀形核没有。
A.界面能 B.内能 C.弹性应变能 D.共格弹性应变能8、()原子在纯材料中的扩散,属于空位扩散,其扩散激活能有两项构成,分别为空位形成能和。
A .空位迁移能 B.自扩散形成能 C.界面能 D.弹性应变能7、()固态相变均匀形核与结晶的均匀形核相比,相变阻力有一定的区别,固态相变中增加了一项。
A.界面能 B.内能 C.弹性应变能 D.共格弹性应变能9、()间隙原子或空位在晶体内部点阵中的扩散,通常称为或点阵扩散。
A.间隙扩散 B.互扩散 C.体扩散 D.自扩散10、()固态相变非均匀形核时,体系自由能变化由四部分组成,既包括动力又包括阻力,其中为阻力。
位错规律总结

位错规律总结位错是晶体中原子或离子的位置偏离其理想的坐标位置,可以导致晶体的畸变和性质的变化。
位错规律是研究位错形成和运动的基本原理和关系的科学,对于理解晶体缺陷行为、晶体生长、相变及其它相关现象具有重要意义。
下文将详细介绍位错规律及其总结。
1.位错分类根据晶体中原子位移方向和位移面的不同,位错可以分为线位错、面位错和体位错。
线位错是晶体中一维的位错,描述了某一面或平行于某一方向面的原子位置发生偏移。
常见的线位错有边位错和螺旋位错。
面位错是晶体中二维的位错,描述了某一层面或平行于某一层面的原子位置发生偏移。
常见的面位错包括错配位错、平移位错和层错。
体位错是晶体中三维的位错,描述了晶体中原子整体发生平移的情况。
体位错可以看作是线位错或面位错的堆叠。
2.位错的形成和移动位错的形成通常由外界应力或温度变化引起。
当晶体中的原子或离子受到应力作用时,原子可能发生位移以消除或缓解应力。
这种位移会导致新的晶体结构缺陷形成,即位错的形成。
位错的移动可以通过原子的滑移或旋转来实现。
滑移是指位错沿晶体晶面发生平行位移,而旋转则是指位错沿某一方向发生转动。
位错的移动过程中,原子之间发生相互切变、滑动和扩散,从而引起位错的传播和畸变。
3.位错的影响位错对晶体的性质和行为具有重要影响。
首先,位错会引起晶体的畸变。
位错形成后,晶体中的原子排列发生变化,导致晶体形状和结构的变化。
这种畸变可以通过适当的外界条件下进行修正,如加热退火或应力释放。
其次,位错会影响晶体的力学性能。
位错会引起晶体中应力场的存在,导致力学性能如强度、韧性、硬度等发生变化。
一些金属的加工硬化、回复等性质变化都与位错的运动和积累有关。
此外,位错还会影响晶体的电学和输运性能。
位错附近的原子排列不规则,会导致晶体中电荷的扩散障碍、介质常数的变化和电导率的变化,从而影响晶体的电学性质和输运行为。
4.位错和晶体缺陷位错是晶体中最常见的缺陷之一。
晶体中的其他缺陷如点缺陷、面缺陷等也与位错有密切关系。
材料科学基础重点总结 2 空位与位错

第2章晶体缺陷晶体缺陷实际晶体中某些局部区域,原子排列是紊乱、不规则的,这些原子排列规则性受到严重破坏的区域统称为“晶体缺陷”。
晶体缺陷分类:1)点缺陷:如空位、间隙原子和置换原子等。
2)线缺陷:主要是位错。
3)面缺陷:如晶界、相界、层错和表面等。
2.1 点缺陷空位——晶体中某结点上的原子空缺了,则称为空位。
点缺陷的形成:肖特基空位:脱位原子迁移到晶体表面或者内表面的正常结点位置,从而使晶体内部留下空位,这样的空位称为肖特基(Schottky)空位。
(内部原子迁移到表面)肖特基(Schottky)空位弗仑克耳(Frenkel)空位弗仑克耳空位:脱位原子挤入点阵空隙,从而在晶体中形成数目相等的空位和间隙原子,称为弗仑克耳(Frenkel)空位。
(由正常位置迁移到间隙)外来原子:外来原子也可视为晶体的点缺陷,导致周围晶格的畸变。
外来原子挤入晶格间隙(间隙原子),或置换晶格中的某些结点(置换原子)。
空位的热力学分析:空位是由原子的热运动产生的,晶体中的原子以其平衡位置为中心不停地振动。
对于某单个原子而言,其振动能量也是瞬息万变的,在某瞬间原子的能量高到足以克服周围原子的束缚,离开其平衡位置从而形成空位。
空位是热力学稳定的缺陷点缺陷的平衡浓度系统自由能F=U- TS (U为内能,S为总熵值,T为绝对温度)平衡机理:实际上为两个矛盾因素的平衡a 点缺陷导致弹性畸变使晶体内能U增加,使自由能增加,降低热力学稳定性b 使晶体中原子排列混乱度增加,熵S增加,使自由能降低,增加降低热力学稳定性熵的变化包括两部分:①空位改变它周围原子的振动引起振动熵,Sf。
②空位在晶体点阵中的存在使体系的排列方式大大增加,出现许多不同的几何组态,使组态熵Sc增加。
空位浓度,是指晶体中空位总数和结点总数(原子总数)的比值。
随晶体中空位数目n的增多,自由能先逐渐降低,然后又逐渐增高,这样体系中在一定温度下存在一个平衡空位浓度,在平衡浓度下,体系的自由能最低。
2空位与位错

在一定温度下,晶体中有一定平衡数量的 空位和间隙原子
• 在晶体中,空位并非固定不变的,它是处于不断地产生和消失过 程中。 • 在晶体中,空位的数量通常是用“空位浓度”衡量。所谓空位浓 度,是指晶体中空位总数和结点总数的比值。晶体中的空位在
500K 10-11
700K 10-8.1
900K 10-6.3
1000K 10-5.7
2014-7-21
17
2.1.4 空位的迁移
空位在晶体中并非静止不动,空位在晶体中的分布是
一个动态平衡,它可借助热激活而作无规则的运动,
不断地与周围原子交换位臵。空位的迁移,实质上是
其周围原子的逆向运动。
当原子获得一定能量后,就会越过“势垒”发生 迁移。这个势垒,即空位移动所必需的能量,就是空 位迁移能Em。
刃型位错应力场22刃型位错在xxyy面上的xx应力场1应力的大小与r呈反比与gb呈正比2有正切应力同一地点xxyyyy较复杂不作重点考虑3y0xx0为压应力y0xx0为拉应力y0xxyy0只有切应力yx只有xxzz刃位错周围应力场的特点2427位错的受力?已知使位错滑移所需的力为切应力其中刃型位错的切应力方向垂直于位错线螺位错的切应力方向平行于位错线而使位错攀移的力又为正应力不同的应力类型及方向给讨论问题带来麻烦?在讨论位错源运动或晶体屈服与强化时希望能把这些应力简单地处理成沿着位错运动的方向有一个力f推着位错线前进如果能找到力f和位错滑移的切应力的关系就可以简便地将作用在位错上的力在图中表示出来25271外力作用在位错上的力与柏氏矢量平行的切应力可使刃位错沿自身法线方向移动应用虚功原理求法向滑移力图中设外加应力使一位错线段dl在滑移面上滑移dl距离此线段的运动促使da面上边的晶块相对下面的晶块错开了一柏氏矢量b26作用在位错上的力外加切应力在位错线上作功
空位与位错习题讲解

33
习题
• 金属材料的强化方式有哪些?
– 解答:金属材料的塑性变形通过位错运动实现, 故强化途径有两条: – 1.减少位错,小于10-2 cm-2,接近于完整晶 体,如晶须。 – 2.增加位错,阻止位错运动并抑制位错增殖 – 强化手段有多种形式:冷加工变形强化,细 晶强化,固溶强化,有序强化,第二相强化 (弥散或沉淀强化,切过与绕过机制),复合 材料强化
26
习题 1.解释下列名词:滑移,滑移系,孪生,屈服,应变时效, 加工硬化,织构 2.已知体心立方的滑移方向为<111>,在一定的条件下滑移 面是{112},这时体心立方晶体的滑移系数目是多少? 解答:{112}滑移面有12组,每个{112} 包含一个<112>晶向, 故为12个 3.如果沿fcc晶体的[110]方向拉伸,写出可能启动的滑移系; 4.写出fcc金属在室温下所有可能的滑移系;
[1-10] (11-1) [112]/6
[110]
23
(111) [11-2]/6
[112]/6
新位错的组态性质: 新位错柏氏矢量为 a[110 ]/3 ,而两个位 错反应后位错线只能 是两个滑移面(111) 与(11-1)的交线, 即[1-10], [1-10] 即:位错线与柏氏矢 量垂直,故为刃型位 错,其滑移面为[110 ] (11-1) 与 [1-10]决定的平面, 即(001)面,也不是 fcc中的惯常滑移面, [110] 故不能滑移。
他部位为混合位错 各段位错线所受的力:τ1 =τb,方向垂直位错线
在τ的作用下,位错环扩展
刃型
在τ的作用下,若使此位 错环在晶体中稳定不动,则τ =Gb/2R,其最小半径应为R =Gb/2τ
螺型
8
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7.4.2 刃型位错的运动---两种方式:滑移、 攀移
1.滑移 位错线在滑移面上的运动,如右图,位错线移动到晶体表 面时,位错即消失,形成柏氏矢量值大小的滑移台阶。
The motion of an edge dislocation and the production of a unit step of slip at the surface of the crystal under the action of a shearing force.
式中A=exp(ΔSV/k),由振动熵决定,约为1-10
若已知ΔEV和ΔSV,则可由上式计算出任一温度T下的浓度C. 由上式可得:
1)晶体中空位在热力学上是稳定的,一定温度T对应一平衡 浓度C 2)C与T呈指数关系,温度升高,空位浓度增大
3)空位形成能ΔEV大,空位浓度小
例如:已知铜中ΔEV=1.7×10-19J,A取为1,则
16
特点:滑移方向与位错线平行,与位错线垂直的面不是平面,呈螺 施状,称螺型位错。 刃型位错与螺型位错区别:
17
(1)刃型位错有一个额外半原子面;螺形位错没有额外半原子 面; (2)刃型位错线是一个具有一定宽度的细长晶格。畸变管道, 其中既有正应变,又有切应变;而螺型位错其中只有切应变, 而无正应变; (3)刃型位错线与晶体滑移的方向垂直,即位错线运动的方向 垂直于位错线。而螺型位错线与滑移方向平行,位错线运动 的方向与位错线垂直。
U为内能,S为系统熵(包括振动熵SV和排列熵SC)
空位的引入,一方面由于弹性畸变使晶体内能增加; 另一方面又使晶体中混乱度增加,使熵增加。而熵 的变化包括两部分:
① 空位改变它周围原子的振动引起振动熵,SV ② 空位在晶体点阵中的排列可有许多不同的几何组 态,使排列熵SC增加。
设在温度T时,含有N个结点的晶体中形成n个空位, 与无空位晶体相比
18
6.2.3 混合位错
位错线上任一点的滑移矢量相同,但两者方向夹角呈 任意角度,图为混合位错的产生
位错具有以下基本性质: (1) 位错是晶体中原子排列的线缺陷,不是几何 意义的线,是有一定尺度的管道。 (2) 形变滑移是位错运动的结果,并不是说位错 是由形变产生的,因为一块生长很完事的晶体中,本 身就存在很多位错。 (3) 位错线可以终止在晶体的表面(或多晶体的 晶界上),但不能终止在一个完事的晶体内部。 (4) 在位错线的附近有很大应力集中,附近原子 能量较高,易运动。 位错具有一个重要性质:柏格斯矢量 。
性质:
空位和原子的扩散,引起晶体体积变化,叫非守恒(非保守) 运动
影响攀移因素:
①温度。温度升高,原子扩散能力增大,攀移易于进行 ② 正应力。垂直于额外关原子面的压应力,促进正攀移,拉应
力,促进负攀移 ③大量塑性变形
7.4.3 螺型位错的运动
螺位错无多余半原子面,只能作滑移。图为螺型位错滑移时周围原子的移动 情况
位错由1→2经过不对称状态,位错必越过一势垒 才能前进。 位错移动受到一阻力——点阵阻力,又叫派—纳 力(PeirlsNabarro),此阻力来源于周期排列的晶体点阵。
29
派—纳力(τp)实质上是周期点阵中移动单个位错所需的临界 切应力,近似计算得:
p
2G (1 v)
exp
2W
b
2G (1 v )
zz v(xx yy)
xz zx yz zy 0
xy
yx
D
x(x2 y2 ) (x2 y2)2
y=0,滑移面上,只有切应力 Y大于0,压应力。反之拉应力
空位形成引起点阵畸变,亦会割断键力,故空位形成需能量, 空位形成能(ΔEV)为形成一个空位所需能量。
4
1.1 空位的热力学分析
点缺陷是热力学稳定的缺陷:点缺陷与线、面缺陷的区别 之一是后者为热力学不稳定的缺陷。在一定温度下,晶体中
有一定平衡数量的空位和间隙原子,其数量可近似算出。
设自由能F=U-TS
b1 b2 b3
26
b1 b2 b3 b4 0
位错密度
单位体积位错的总长度 单位面积位错的露头数
27
7.4 位错的运动
7.4.1 位错滑移时的晶格阻力 位错的易动性,如图可见,处于1或2处的位错,其两侧
原子处于对称状态,作用在位错上的原子互相抵消,位错处 于低能量状态
重要影响
2 位错的基本类型及特征
位错理论及其发展 刃型位错 螺型位错, 混合位错
2.1 刃型位错---刃位错结构示意图
11
位错宽度,2~5个原子间距 位错是一管道 额外(多余)半原子面 滑移矢量 滑移面
应力状态
12
基本点如下: 位错线:晶体中已滑移区与未滑移区的边界
正、负刃位错 弹性畸变
刃位错不一定是直线, 可为纯刃型位错环
特点 1,运动方向与柏氏矢量垂直 2,与刃型位错运动结果相同
7.4.4 混合位错的运动
混合位错的滑移过程 运动方向的判断:右 手螺旋法则(四指指 向滑移晶体转向柏氏 矢量方向)
38
位错环的运动
39
7.5 位错的应力场(位错的弹性行为)
位错的存在,在其周围的点阵发生不 同程度的畸变。
中心部分畸变程度最为严重,为位错 中心区,这部分超出了弹性应变范围, 不讨论。
3)b表征了位错强度
同一晶体中b大的位错具有严重的点阵畸变,能量高且 不稳定。
位错的许多性质,如位错的能量,应力场,位错受力 等,都与b有关。
3.柏氏矢量特征
1)柏氏矢量与回路起点选择无关,也与柏氏回路的 具体路径,大小无关
2)几根位错相遇于一点,其方向朝着节点的各位错 线的柏氏矢量 b之和等于离开节点之和。如有几根位 错线的方向均指向或离开节点,则这些位错线的柏 氏矢量之和值为零
采用圆柱坐标表示,则为:
rr
zz
D sin
r
2 D v sin
r
r
r
D
cos
r
z z rz zr 0
分析以上两式,可了解刃位错周围应力场的特点。并可得出坐 标系各区中应力分布
xx
D
y(3x2 (x2
y2) y2 )2
yy
D
y(x2 y2 ) (x2 y2)2
在实际晶体中作一柏氏回路,在完整晶体中按其相同 的路线和步伐作回路,自路线终点向起点的矢量, 即“柏氏矢量”。
如右图为刃型位错的柏氏回路与柏氏矢量
图为螺型位错的柏氏回路和柏氏矢量
23
2.柏氏矢量b的物理意义
1) 表征位错线的性质
据b与位错线的取向关系可确定位错线性质
2)b表征了总畸变的积累
围绕一根位错线的柏氏回路任意扩大或移动,回路中 包含的点阵畸变量的总累和不变,因而由这种畸变 总量所确定的柏氏矢量也不改变。
理想晶体的1/100~1/1000。
2)τp随a值的增大和b值的减小而下降,在晶体中, 原子最密排面其面间距a为最大,原子最密排方向其 b值为最小,可解释晶体滑移为什么多是沿着晶体中 原子密度最大的面和原子密排方向进行
3)τp随位错宽度减小而增大
可见总体上强化金属途径:一是建立无位错状态,二 是引入大量位错或其它障碍物,使其难以运动。
rr zz r r rz zr 0
只有沿Z方向的切应力
42
切应力 z , z 亦可用直角坐标表示:
xz
zx
Gb
2
x2
y
y2
yz
zy
Gb
2
x2
x
y2
xy
yx
0
特征:1)只有切应力,无正应力
z
G z
Gb
2r
2)τ的大小与r呈反比,与G、b呈正比
3)τ与θ无关,所以切应力是轴对称的
exp
2a
(1
v)b
式中b为柏氏矢量的模,G:切变模量,v:泊松比 W为位错宽度,W=a/1-v,a为面间距
由此可得:
p
2G exp 2W
(1 v) b
2G (1 v )
exp
2a
(1
v)b
1)通过位错滑动而使晶体滑移,τp 较小 一般a≈b,v约为0.3,则τp为(10-3~10-4)G,仅为
1.对电阻的影响
空位引起点阵畸变,使传导电子受到散射,产生附加电阻
2.对力学性能的影响
3.对高温蠕变的影响
1.5 空位小结
1、空位是热力学稳定的缺陷
2、不同金属空位形成能不同。
3、空位浓度与空位形成能、温度密切相关
C
n N
exp(SV
/ k)exp(EV
/ kT)
Aexp(EV
/ kT)
4、空位对金属的物理及力学性能有明显影响 5、空位对材料的高温蠕变、沉淀、回复、表面氧化、烧结有
2)螺型位错与滑移矢量平行,故一定是直线
3)包含螺位错的面必然包含滑移矢量,故螺 位错可以有无穷个滑移面,但实际上滑移通 常是在原子密排面上进行,故有限
4)螺位错周围的点阵也发生了弹性畸变,但 只有平行于位错线的切应变,无正应变(在 垂直于位错线的平面投影上,看不出缺陷)
5)位错线的移动方向与晶块滑移方向互相垂 直
仅讨论中心区以外的弹性畸变区,借 助弹性连续介质模型讨论位错的弹性性 质。
7.5.1 螺型位错应力场
如图,在圆柱体内引入相当于螺型 位错周围的应力场,此时沿z轴的切应 变为 εθz。 从这个圆柱体中取一个 半径为r的薄壁圆筒展开,便能看出εθz。
z
b
2 r
z
G z
Gb
2r
G为切变模量
由于圆柱体只在z方向产生位移,在x、y方向没有位移,所以其 余的应力分量均为0,即
33
特点
刃型位错滑移时,其位错线的运动方向 与柏氏矢量方向一致,其所在的滑移面 为位错线与柏氏矢量组成的平面,由于 刃型位错线与柏氏矢量相垂直,故刃型 位错只有一个确定的滑移面。