传感器课程设计——霍尔传感器测量磁场

目录

二、元件介绍…………………………………………………………………….…....

三、课程设计原理…………………………………………………………………...

3.1霍尔效应………………………………………………………………………...

3.2测磁场的原理,载流长直螺线管内的磁感应强度……………………..

四、课程设计内容………………………………………………………...………...

4.1电路补偿调节……………………………………………………………...…..

4.2失调电压调零…………………………………………………………….…..

4.3按图4-3接好信号处理电路……………………………………………......

4.4按图4-4接好总测量电路……………………………………………….….

4.5数据记录与处理……………………………………………………….……....

4.6数据拟合 (13)

五、成品展示……………………………………………………………………….....

六、分析与讨论………………………………………………………………..….…

实验所需仪器…………………………………………………………………….……

个人总结………………………………………………………………………………...

致谢…………………………………………………………………………….………….

参考文献………………………………………………………………………..……….

参考网址…………………………………………………………………………...…….

一、课程设计目的与要求

1.了解霍尔传感器的工作原理

2.掌握运用霍尔传感器测量磁场的方法

二、元件介绍

CA3140

CA3140高输入阻抗运算放大器,是美国无线电公司研制开发的一种BiMOS高电压的运算放大器在一片集成芯片上，该CA3140A和CA3140BiMOS运算放大器功能保护MOSFET的栅极（PMOS上）中的晶体管输入电路提供非常高的输入阻抗，极低输入电流和高速性能。操作电源电压从4V至36V（无论单或双电源),它结合了压电PMOS晶体管工艺和高电压双授晶体管的优点.(互补对称金属氧化物半导体)卓越性能的运放。

应用范围:

.单电源放大器在汽车和便携式仪表

.采样保持放大器

.长期定时器

.光电仪表

.探测器

.有源滤波器

.比较器

.TTL接口

.所有标准运算放大器的应用

.函数发生器

.音调控制

.电源

.便携式仪器

3503霍尔元件

UGN3503LT，UGN3503U和UGN3503UA霍尔效应传感器准确地跟踪磁通量非常小的变化，密度变化通常太小以致不方便操作霍尔效应开关。

可作为运动探测器，齿传感器和接近探测器，磁驱动机械事件的镜像。作为敏感电磁铁的显示器，就可以有效地衡量一个系统的负载量可以忽略不计的性能，同时提供隔离污染和电气噪声。

每个霍尔效应集成电路包括一个霍尔传感元件，线性放大器和射极跟随器输出级。

三种封装形式提供了对磁性优化包大多数应用程序。封装后缀“LT”是一个缩影SOT-89/TO243AA表面贴装应用的晶体管封装;后缀“U”是一个微型三引脚塑料SIP，而'UA'

是一个三引脚超小型SIP 协议。所有器件的额定连续运行温度

范围为-20 °C 至+85°C 。 特点: ·极为敏感

·至23kHz 的平坦的响应

·低噪声输出 ·4.5V 至6V 的操作 ·磁性优化装箱

图2-43503

霍尔元件封装及引脚图

三、课程设计原理

3.1霍尔效应

图3-1-1霍尔效应原理图

度为B 的磁

把矩形的金属或半导体薄片放在磁感应强

场中，薄片平面垂直于磁场方向。如图3-1-1所示，在横向方向通以电流I ，那么就会在纵向方向的两端面间出现电位差，这种现象称为霍尔效应，两端的电压差称为霍尔电压，其正负性取决于载流子的类型。(图3-1-1载流子为带负电的电子，是N 型半导体或金属)，这一金属或半导体薄片称为霍尔元件。假设霍尔元件由N 型半导体制成，当霍尔元件上通有电流时，自由电子运动的方向与电流I 的流向相反的。由于洛伦兹力e m ⨯-=的作用，电子向一侧偏转，在半导体薄片的横向两端面间形成电场

称为霍尔电场H ，对应的电势差称为霍尔电压U H 。电子在霍尔电场H 中所受的电场力为

H H E e F -=，当电场力与磁场力达到平衡时，有

若只考虑大小，不考虑方向有 E H =vB 因此霍尔电压 U H =wE H =wvB(1)

根据经典电子理论，霍尔元件上的电流I 与载流子运动的速度v 之间的关系为 I=nevwd(2)

式中n 为单位体积中的自由电子数，w 为霍尔元件纵向宽度，d 为霍尔元件的厚度。由式

(1)和式(2)可得

IB K IB d R end IB U H H H =⎪⎭⎫

⎝⎛==

(3)

即

I K U B H H

=

(4)

式中

en R H 1

=

是由半导体本身电子迁移率决定的物理常数，称为霍尔系数，而K H 称为霍

尔元件的灵敏度。在半导体中，电荷密度比金属中低得很多，因而半导体的灵敏度比金属导体大得多，所以半导体中，电荷密度比金属中低得多，因而半导体的灵敏度比金属导体大得多，所以半导体能产生很强的霍尔效应。对于一定的霍尔元件，K H 是一常数，可用实验方法测定。

虽然从理论上讲霍尔元件在无磁场作用(B=0)时，U H =0，但是实际情况用数字电压表测量并不为零，这是由于半导体材料结晶不均匀、各电极不对称等引起附加电势差，该电势差U HO 称为剩余电压。随着科技的发展，新的集成化(IC)器件不断被研制成功，本课程设计采用AN503型集成霍尔传感器。AN503型集成霍尔传感器有三根引线，分别是：“V+”、“V －”、“Vout ”。其中“V+”和“V －”构成“电流输入端”，“Vout ”和“V －”构成“电压输出端”。由于AN503型集成霍尔传感器它的工作电流已设定，被称为标准工作电流，使用传感器时，必须使工作电流处于该标准状态。在实验时，只要在磁感应强度为零(B=0)条件下，“Vout ”和“V －”之间的电压为2.500V ，实际测得2.53V ，则传感器就处于标准工作状态之下（V+标号为1，V-标号为2，Vout 标号为3）。

所以要对霍尔传感器进行电路补偿，使得传感器在0磁场的条件下接入电路输出电压Uo=0V ，则补偿电路如下：

图3-1-2霍尔传感器的补偿电路

3.2测磁场的原理,载流长直螺线管内的磁感应强度

对于密绕的螺线管，可以看成是一列有共同轴线的圆形线圈的并排组合，因此一个载流长直螺线管轴线上某点的磁感应强度，可以从对各圆形电流在轴线上该点所产生的磁感应强度进行积分求和得到。根据毕奥—萨伐尔定律，当线圈通以电流IM 时，管内轴线上P 点的磁感应强度为

图3-2-1