1单晶硅片 (企业标准)
单晶硅技术参数
单晶硅抛光片的物理性能参数同硅单晶技术参数厚度（T） 200-1200um总厚度变化（TTV）＜10um弯曲度（BOW）＜35um翘曲度（WARP）＜35um单晶硅抛光片的表面质量：正面要求无划道、无蚀坑、无雾、无区域沾污、无崩边、无裂缝、无凹坑、无沟、无小丘、无刀痕等。
背面要求无区域沾污、无崩边、无裂缝、无刀痕。
（2）加工工艺知识多晶硅加工成单晶硅棒：多晶硅长晶法即长成单晶硅棒法有二种：CZ（Czochralski）法FZ（Float-Zone Technique）法目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。
其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。
CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。
而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。
CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。
另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。
目前国内主要采用CZ法CZ法主要设备：CZ生长炉CZ法生长炉的组成元件可分成四部分（1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁（2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件（3）气氛压力控制：包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀（4）控制系统：包括侦测感应器及电脑控制系统加工工艺：加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长（1）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。
杂质种类有硼，磷，锑，砷。
（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多晶硅原料熔化。
（3）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。
由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩劲生长使之消失掉。
缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（4-6mm）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。
硅片的等级标准
硅片的检测1：硅片表面光滑洁净2：TV：220±20um 。
3：几何尺寸：边长：125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；边长：103±0.5mm、对角：135±0.5mm；边长：150±0.5mm、156±0.5mm、对角：203±0.5mm、200±0.5mm、。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm垂直度：任意两边的夹角：90°±0.3二、合格品一级品：垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5二级品：1：表面有少许污渍、线痕。
凹痕、轻微崩边。
2：220±30um ≤TV≤220±40um。
3：凹痕：硅片表面凹痕之和≤30um4：崩边范围：崩边口不是三角形，崩边口长度≤1mm ，深度≤0.5mm 5：几何尺寸：边长：125±0.52mm；对角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm；边长：103±0.52mm、对角：135±0.52mm；边长：150±0.52mm、156±0.52mm、对角：203±0.52mm、200±0.52mm、。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.5mm垂直度：任意两边的夹角：90°±0.8三级品：1：表面有油污但硅片颜色不发黑，有线痕和硅洛现象。
2：220±40um ≤TV≤220±60um。
3：硅落：整张硅片边缘硅晶脱落部分硅晶脱落。
三、不合格品严重线痕、厚薄片：TV＞220±60um。
崩边片：有缺陷但可以改￠103的硅片气孔片：硅片中间有气孔外形片：切方滚圆未能磨出的硅片。
倒角片（同心度）：任意两个弧的弦长之差＞1.5mm菱形片：（垂直度）：任意两边的夹角＞90°±0.8凹痕片：硅片两面凹痕之和＞30um脏片：硅片表面有严重污渍且发黄发黑尺寸偏差片：几何尺寸超过二级片的范围。
单晶硅片成品检验规范
4.3检测硅片的外观：
4.3.1目测硅片无裂痕、裂纹、空洞以及尖锐缺损，边缘缺损或缺口长≤0.5mm，深度≤0.3mm，每片崩边数量≤2个；
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审核
编制
修改履历
页码
内容
状态
Hale Waihona Puke 备注4.3.2目测硅片表面无异常斑点、玷污；
4.3.3目测表面无凹坑，使硅片表面局部凹凸不平≤20μm；
4.3.4目测表面无明显的切割线，切割刀痕深度≤20μm。
6、验收规则
抽样频率为500PCS为一个单位即20%，每25PCS为一篮，每一篮抽5PCS,记录在《线切割硅片返工卡》、《#机硅片检验记录表》中，电阻率、少子寿命及尺寸全检记录在表单编号：TNGWQ-OO1-01《圆棒检验记录》、表单编号：TNGWQ-OO2-01《方棒检验记录》中。
附表三 《退片检验反馈单》表单编号：TNGWQ-005-03
附表四《单晶硅片电阻率抽测记录》表单编号：TNGWQ-005-04
附表五 《厚度抽测简易图》表单编号：TNGWQ-005-05
7.5检验工序必须保证及时正确的检验校验的成品几半成品及原料，防止因产品积压影响上下工序的正常生产。
7.6对已经检验完成的成品、废品，要及时办理入库手续，不得随意阻滞交验的物品，必须及时反馈检验信息给相关人员检验结果。
8、相关记录
附表一《线切割返工卡》表单编号：TNGWQ-005-01
附表二 《#机检验记录表》表单编号：TNGWQ-005-02
3.4.1无裂痕、裂纹、空洞以及尖锐缺损，边缘缺损或缺口长≤0.5mm，深度≤0.3mm，每片崩边数量≤2个；
3.4.2表面无异常斑点、玷污；
1单晶硅片 (企业标准)
太阳能级单晶硅片1 范围本标准规定了太阳能级单晶硅片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于太阳能电池用的太阳能级单晶硅片（以下简称单晶硅片）。
2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可以使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划3 术语和定义3.1本产品导电类型为p-型半导体硅片导电类型是指半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性，本产品导电类型是p-型半导体，其多数载流子为空穴的半导体。
3.2杂质浓度单位体积内杂质原子的数目。
本产品的主要杂质是指氧含量、碳含量。
3.3体电阻率单位体积的材料对于两平行面垂直通过的电流的阻力。
一般来说，体电阻率为材料中平行电流的电场强度与电流密度之比。
符号为ρ，单位为Ω·cm 。
3.4四探针测量材料表面层电阻率的一种探针装置。
排列成一直线、间距相等的四根金属探针垂直压在样品表面上，使电流从两外探针之间通过，测量两内探针的电位差。
3.5寿命晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数载流子浓度衰减到其始值的1/e(e=2.718)所需的时间。
又称少数载流子寿命，简称少子寿命。
寿命符号τ，单位为μs 。
3.6孪晶在晶体中晶体是两部分，彼此成镜象对称的晶体结构。
连接两部分的界面称为孪晶或孪晶边界。
在金刚石结构中，例如硅，孪晶面为（111）面。
3.7单晶不含大角晶界或孪晶界的晶体。
3.8直拉法（CZ）本产品单晶硅的生长方式为直拉法，其工艺为沿着垂直方向从熔体中拉制单晶体的方法，又称切克劳斯基法，表示符号为CZ。
单晶硅片的技术标准
单晶硅片的技术标准1 范围本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。
2 规范性引用文件ASTM F42-02 半导体材料导电率类型的测试方法ASTM F26 半导体材料晶向测试方法F84 直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法ASTM F1391-93 太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法ASTM F121-83 太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法3 术语和定义TV ：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；TTV :总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5点厚度：边缘上下左右6mn处4点和中心点）；位错:晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷；位错密度：单位体积内位错线的总长度（cm/cm3），通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示；崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；四角同心度：单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。
密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条4分类单晶硅片的等级有A级品和B级品，规格为：125’ 1251 （mm）125’ 125 H （mm）156’ 156（mm。
5技术要求外观见附录表格中检验要求。
外形尺寸方片TV为200士20 um,测试点为中心点；方片TTV小于30um,测试点为边缘6mn处4点、中心1点；硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15%相邻C段的垂直度：90°士；其他尺寸要求见表1。
表1单晶硅片尺寸要求图1硅单晶片尺寸示意图材料性质导电类型:硅片电阻率：见下表；硅片少子寿命：见下表（此寿命为2mmf羊片钝化后的少子寿命）；晶向：表面晶向<100>+/°;位错密度w 3000pcs/cm2;氧碳含量：氧含量w 20ppma碳含量w。
单晶硅片产品规格书HRS-+QA-001(外)
太阳能级单晶硅片产品规格书
1 范围 本规范规定了单晶硅片的性能、标识、包装、贮存、运输。 本规范适用于海润光伏科技股份有限公司生产的太阳能级单晶硅片，详细描述了该系列硅 片的特性和适用范围。
2 引用标准 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第一部分 按接受质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划
参数
备注
准正方形
125±0.5mm
150±0.5mm or 165±0.5mm
厚度（TV） 总厚度偏差（TTV）
Document#: HRS-QA-001
200 ± 20 μm, 最小厚度 不得低于180μm
≤30 μm
中心厚度
片内最大厚度与最小厚度差值（按5点法 测试）
1-2
Veቤተ መጻሕፍቲ ባይዱsion#:A 普通
备注
备注 备注
5.3 运输 产品运输过程中轻拿轻放、严禁抛掷，且采取防震、防潮措施。 5.4 贮存 产品储存在清洁、干燥的环境中，温度 10-40℃；湿度≤60%；避免酸碱腐蚀性空气，避 免油污、灰尘颗粒气氛。
Document#: HRS-QA-001
2-2
Version#:A 普通
海润光伏科技股份有限公司 Hareon Solar Technology Co., Ltd
4.2 单晶硅片表面质量 单晶硅片表面质量参数见下表：
项目
参数
边缘缺陷
无
缺口
无
线痕
深度≤15 μm
穿孔、凹坑、隐裂
无明显缺陷
沾污
无
弯曲/翘曲
≤30μm
4.3 单晶硅片电学性能 单晶硅片电学性能参数见下表：
单晶硅片产品规格书HRS-+QA-001(外)
海润光伏科技股份有限公司 Hareon Solar Technology Co., Ltd
备注
备注 备注
5.3 运输 产品运输过程中轻拿轻放、严禁抛掷，且采取防震、防潮措施。 5.4 贮存 产品储存在清洁、干燥的环境中，温度 10-40℃；湿度≤60%；避免酸碱腐蚀性空气，避 免油污、灰尘颗粒气氛。
Document#: HRS-QA-001
2-2
Version#:A 普通
太阳能级单晶硅片产品规格书
1 范围 本规范规定了单晶硅片的性能、标识、包装、贮存、运输。 本规范适用于海润光伏科技股份有限公司生产的太阳能级单晶硅片，详细描述了该系列硅 片的特性和适用范围。
2 引用标准 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第一部分 按接受质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划
海润光伏科技股份有限公司 Hareon Solar Technology Co., Ltd
4.2 单晶硅片表面质量 单晶硅片表面质量参数见下表：
项目
参数
边缘缺陷
无
缺口
无
线痕
深度≤15 μm
穿孔、凹坑、隐裂
无明显缺陷
沾污
无
弯曲/翘曲
≤30μm
4.3 单晶硅片电学性能 单晶硅片电学性能参数见下表：
项目
参数
电阻率（Ω·cm）
1.0～3.0Ω·cm
少子寿命（μs）
≥ 8μs
4.4 杂质含量
线切割单晶硅片检验规范
线切割单晶硅片检验规范1、目的:为明确产品质量要求，加强产品质量管控，特制订本规范。
2、适用范围适用于线切割后单晶硅片(125×125)和(156×156)的品质检验。
3、主要内容A．检验项目及要求：检测环境要求（温度20~28℃，湿度不大于60%）B．判定：a. 成品检验结果的判定:①以每根晶棒所切片数为一单位，按表1抽检方案对其进行外观检测，根据检测结果对合格品进行分类包装;②针对尺寸﹑电阻率﹑导电型号检测时,如发现一片不合格，则针对不合格项目进行全检，除去不合格品后,按其等级进行包装。
b. 出厂检验结果的判定:抽检判别不合格的批不合格产品，可以针对不合格项目进行全检，除去不合格品后，合格品可以重新组批。
重新送检的产品，复检时可以只对上次检验不合格项目进行检验判别。
c. 如客户有特殊质量要求时按客户的质量标准为依据。
4.包装、储运A．将每一收缩袋装满100片，并用封口机将其封口，标签上注明产品规格、数量、晶体编号；B．每四包硅片装入一包装盒内，两包之间用两片珍珠棉隔开，两端用硬泡沫板、瓦棱板固定；C．用胶带将包装盒封牢,顶盖上粘贴标签，注明产品名称、规格、晶体编号、数量、包装日期，加盖检验章；D．将规格相同、性能相似的硅片每六盒装入一纸箱内，用胶带将纸箱封牢,外标签上注明产品名称、规格、数量、包装日期，加盖检验章；E．包装箱外侧须印刷有：“易碎”、“小心轻放”、“防潮”、等标识，并标明产品名称、规格、数量、生产商名称及地址、毛重、净重等字样；F．每批产品须附产品质保书；G．产品应储存在清洁、干燥的环境中；H．运输过程中应轻装轻卸，防震、防潮、防挤压。
5、相关记录《单晶硅片检验报告单》. .可编辑。
单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准
单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准海关总署、国家经贸委关于下发《单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准》的通知（2001年6月14日署税发［2001］252号）广东分署，各直属海关：将《单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准（ＨＤＢ／ＹＤ００３－２０００）》印发你们，自２００１年８月１日起实施。
本标准实施后，各地外经贸主管部门应严格按本标准审批加工贸易合同（包括结转深加工），各地海关应严格按本标准进行备案、核销，２００１年８月１日前，仍按原标准审批、备案、核销加工贸易合同。
附件：单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准《（ＨＤＢ／ＹＤ００３－２０００）》及编制说明。
ＨＤＢ／ＹＤ００３－２０００单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准（商品编号：２８０４６１１０、３８１８００１１）１、范围本标准规定了以多晶硅（商品编号２８０４６１９０）为主要原料加工制成４英寸、５英寸单晶硅棒（商品编号２８０４６１１０）和单晶硅片（商品编号３８１８００１１）的加工贸易单耗标准。
本标准适用于海关和外经贸部门对用多晶硅（商品编号２８０４６１９０）加工生产单晶硅棒（商品编号２８０４６１１０）、单晶硅片（商品编号３８１８００１１）的加工贸易企业进行加工贸易单耗备案，审批和核销管理。
２、定义本标准采用以下定义：多晶硅加工单晶硅棒单耗指：在正常生产条件下，加工生产每公斤单晶硅棒所耗用多晶硅质量（ｋｇ）。
（包括净耗和工艺损耗）单晶硅棒加工单晶硅片净耗指：在正常生产条件下，物化在每千片单晶硅片中单晶硅棒的质量（ｋｇ）。
多晶硅加工单晶硅棒损耗率（％）：单晶硅棒在正常加工过程中，因生产工艺所必需但不能物化在成品中的多晶硅耗用量占多晶硅投入量的百分比。
单晶硅棒加工单晶硅片损耗率（％）：单晶硅片在正常加工过程中，因生产工艺所必需但不能物化在成品中的单晶硅棒耗用量占单晶硅棒投入量的百分比。
３、单、损耗标准３．１原料的品质规格原料品质为免洗料，符合相关国内或国际行业技术标准规定及合同对产品质级的认定。
行业标准《硅单晶腐蚀片》编制说明
行业标准《硅单晶腐蚀片》（送审稿）编制说明一、工作简况1、立项目的和意义硅单晶产品已广泛应用在电子工业和能源领域，优质的硅材料产品不仅取决于硅单晶的拉制工艺，而且与硅单晶后期加工过程密切相关。
当前硅基半导体材料以多种形式应用在各类高新技术产业中，传统的硅单晶衬底材料主要以切片、磨片、抛光片为主，以上几种硅单晶片形式满足了不同类型的半导体材料和器件的需要。
近年来，随着产业的发展和技术的进步，硅磨片和硅抛光片的中间产品－硅单晶腐蚀片以其较磨片更优的性能、较抛光片更低的成本和加工产业链短等特点越来越被重视，以腐蚀片作为终端衬底材料的太阳能电池片、整流器件、二极管、三极管等在电力电子、汽车电子、能源等领域得到广泛应用，但目前硅材料标准中只有磨片、抛光片等产品标准，没有腐蚀片的相关标准。
切割片、研磨片和抛光片标准中，对硅片的几何参数和宏观的表面参数进行了一定的规范，但是对硅片表面的微观性能的定义规范较少，制定《硅单晶腐蚀片》的行业标准，能进一步补充半导体硅材料产品标准体系，有利于规范、指导硅单晶腐蚀片的生产，促进产业的进步和发展。
2、任务来源根据《工业和信息化部办公厅关于印发2014年第三批行业标准制修订计划的通知》（工信厅科函[2014] 628号）的要求，由天津市环欧半导体材料技术有限公司负责《硅单晶酸腐片》的编制，项目编号：2014-1459T-YS，要求2015年完成。
2014年11月在江苏徐州召开的任务落实会上中，经过与会的行业技术人员讨论，决定将硅单晶碱腐片也纳入到标准中，因此将标准名称由“硅单晶酸腐片”更改为“硅单晶腐蚀片”。
3、项目承担单位概况本项目承研单位天津市环欧半导体材料技术有限公司，成立于2000年，其前身是天津半导体材料厂，成立于1958年，是我国最早的半导体材料专业生产厂家之一，拥有50余年的半导体材料生产历史和专业经验，公司目前注册资金30000万元。
2003年以来，企业的经济效益连续数年持续稳定增长。
工业和信息化部关于修订《光伏制造行业规范条件》和《光伏制造行业规范公告管理暂行办法》的公告
工业和信息化部关于修订《光伏制造行业规范条件》和《光伏制造行业规范公告管理暂行办法》的公告文章属性•【制定机关】工业和信息化部•【公布日期】2024.11.15•【文号】工业和信息化部公告2024年第33号•【施行日期】2024.11.15•【效力等级】部门规范性文件•【时效性】现行有效•【主题分类】电子信息正文中华人民共和国工业和信息化部公告2024年第33号关于修订《光伏制造行业规范条件》和《光伏制造行业规范公告管理暂行办法》的公告为贯彻落实党中央、国务院决策部署，进一步加强光伏行业规范管理，推动产业加快转型升级和结构调整，推动我国光伏产业高质量发展，工业和信息化部对《光伏制造行业规范条件》和《光伏制造行业规范公告管理暂行办法》进行了修订，现予以公告。
《光伏制造行业规范条件（2021年本）》和《光伏制造行业规范公告管理暂行办法（2021年本）》（工业和信息化部公告2021年第5号）同时失效。
工业和信息化部2024年11月15日光伏制造行业规范条件（2024年本）为加强光伏行业管理，引导产业加快转型升级和结构调整，推动我国光伏产业高质量发展，根据国家有关法律法规及《国务院关于促进光伏产业健康发展的若干意见》等政策，按照优化布局、调整结构、控制总量、鼓励创新、支持应用的原则，制定本规范条件。
本规范条件是鼓励和引导行业技术进步和规范发展的引导性文件，不具有行政审批的前置性和强制性。
一、生产布局与项目设立（一）光伏制造企业及项目应符合国家资源开发利用、环境保护、节能管理等法律法规要求，符合国家产业政策和相关产业规划及布局要求，符合当地国土空间规划、社会经济发展规划和环境保护规划等要求，符合区域生态环境分区管控及规划环评要求。
（二）光伏制造项目未建设在国家法律法规、规章及规划确定或省级以上人民政府批准的自然保护区、饮用水水源保护区、生态功能保护区，已划定的永久基本农田及生态保护红线，以及法律、法规规定禁止建设工业企业的区域内。
硅片检验标准
好亚光伏能源有限公司文件编号：Q09-PZ-01单晶硅片检验标准.版本号：A/1 页码：第1页共4页生效日期：2009-7-15一、目的为明确产品质量要求，加强产品质量管控，使公司单晶生产成品执行的检测工作有据可依，特制定本标准。
二、适用范围适用于线切割后太阳能级单晶硅片的品质检验。
三、主要内容1、检测环境要求：温度18～28℃，湿度不大于60%。
2、硅片分类原则：项目内容A符合《硅单晶切割片企业内控标准》的硅片B物理参数合格，但外观存在：线痕、崩边、边缘、色差、外圆未磨光、尺寸不良（边长、对角线）、倒角差、厚度异常、TTV异常，且符合下表－B级品判定标准C物理参数合格，但外观存在：线痕、崩边、尺寸不良（边长、对角线）、应力、花片、污片、倒角差、厚度异常、TTV异常，且符合下表－C级品判定标准不合格品物理性能不合格或缺角、缺口、亮点、穿孔；备注：电阻率按照0.5~1Ω.cm，1~3Ω.cm，3~6Ω.cm单独包装入库2、判定标准（见下表）：批准审核编制修改履历页码内容状态备注受控好亚光伏能源有限公司文件编号：Q09-PZ-01 单晶硅片检验标准版本号：A/1页码：第2页 共4页生效日期：2009-7-15内容 项目检测标准A等外品不合格品备注BC厚度T 及 厚度偏差TV 总厚度变化TTV WARP ：① 180u m ±20 u m ； ② 200 u m ±20 u m ③ TTV ≤30um ； ④warp ≤50um① 180u m ±25 u m ； ② 200 u m ±25u m ③ TTV ≤40 u m ④ warp ≤50um① 180u m ±25 u m ； ② 200 u m ±25u m ③ TTV ≤40 u m ④ warp ≤50um其中厚度T 为硅片中心点厚度，TV 为一批硅片中心点厚度偏差，TTV 同一张硅片厚度最大值减去最小值，warp 为硅片的翘曲度。
单晶硅企业标准标准
0I CS企业标准硅单晶XXX有限公司发布前言本标准修改采用了Ibis Technology《美国Ibis公司硅单晶产品样本》，其他技术要求执行了GB/T 12962-2005标准。
编写格式按GB/T 1.1-2009《标准化工作导则第1部分：标准结构和编写》标准修订。
本标准于XXX 首次发布。
硅单晶1 范围本标准规定了硅单晶的产品术语、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。
本标准适用于直拉法制备的硅单晶。
产品主要用于制作太阳能电池及其组件。
2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。
凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1551 硅锗单晶电阻率测定直流二探针法GB/T1552 硅锗单晶电阻率测定直排四探针法GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T12964 硅单晶抛光片GB/T13387 电子材料晶片参考面长度测量方法GB/T14140 （所有部分）硅片直径测量方法GB/T14143 300μm-900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法GB/T14844 半导体材料牌号表示方法Ibis Technology 美国Ibis公司硅单晶产品样本3 术语和定义下列术语和定义适用于本标准。
3.1 径向电阻率变化晶片中心点与偏离中心的某一点或若干对称分布的设定点（典型设定点是晶片半径的1/2处或靠近晶片边缘处）的电阻率之间的差值。
这种电阻率的差值可以表示为中心值的百分数。
又称径向电阻率剃度。
单晶硅片的技术标准
单晶硅片的技术标准1范围本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。
2 规范性引用文件ASTM F42-02半导体材料导电率类型的测试方法ASTM F26半导体材料晶向测试方法F84直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法ASTM F1391-93太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法ASTM F121-83太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法ASTM F 1535用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法3 术语和定义TV：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；TTV：总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5点厚度：边缘上下左右6mm处4点和中心点）；位错：晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷；位错密度：单位体积内位错线的总长度(cm/cm3)，通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示；崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；四角同心度：单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。
密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条4 分类单晶硅片的等级有A级品和B级品，规格为：125′125Ⅰ(mm)、125′125Ⅱ(mm)、156′156(mm)。
5 技术要求外观见附录表格中检验要求。
外形尺寸方片TV为200±20 um,测试点为中心点；方片TTV小于30um，测试点为边缘6mm处4点、中心1点；硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15%；相邻C段的垂直度：90o±；其他尺寸要求见表1。
表1单晶硅片尺寸要求图1硅单晶片尺寸示意图材料性质导电类型：硅片电阻率：见下表；硅片少子寿命：见下表（此寿命为2mm样片钝化后的少子寿命）；晶向：表面晶向<100>+/°；位错密度≤3000pcs/cm2；氧碳含量：氧含量≤20ppma，碳含量≤。
硅片检验标准
版本状态临时版文件名称硅片检验页码1/5编制/日期：审核/日期批准/日期：1．目的监测硅片质量，确保电池片质量稳定。
J2．适用范围适用于本公司品质部对所有来料硅片质量的监视和测量。
3．职责3.1 品质部负责制订硅片检验文件。
3.2 品质部负责来料硅片质量的控制。
4．检验4.1核对对照送检单，核对硅片的来源、规格和数量，供方所提供的参数、如电阻率、厚度、对角线长、边长。
检查供方出具的材质报告（碳含量、氧含量、晶向及位错密度），如有不符，须先与采购部沟通，无误后进行检验。
4.2 外观检验4.2.1用刀片划开封条，划时刀片不宜切入太深，刀尖深入不要超过5mm，防止划伤泡沫盒内的硅片。
塑封好的硅片，用刀尖轻轻划开热缩膜四个角，然后撕开热缩膜。
4.2.2 抽出两边的隔版，观察盒内有没有碎片，如有则要及时清理碎片。
4.2.3 检验时戴PVC手套。
从盒内拿出100片硅片（不得超过100片），先把硅片并齐并拢后观察硅片四边是否对齐平整,并用硅片模板进行对照，鉴别是否存在尺寸不对的现象，如不符合，则用游标卡尺测量，并及时记录于硅片外观检验原始记录表上。
4.2.4 再将100片硅片分出一部分使其旋转90度或180度，再并拢观察硅片间是否有缝隙，如有则说明有线痕或是TTV超标的现象。
将缝隙处的硅片拿出来，用MS-203测硅片上不固定的数点厚度(硅片边缘2-5cm以内取点),根据厚度结果确定是否超标。
将线痕、TTV超标片区别放置。
再观察四个倒角是否能对齐，如有偏差，对照硅片模板进行鉴别，把倒角不一致硅片分开放置。
并在硅片外观检验原始记录表上分别记录数量。
4.2.5 观察硅片是否有翘曲现象，翘曲表现为硅片放在平面上成弧形或是一叠硅片并拢后容易散开。
如有，则要把硅片放在大理石平面上，用塞尺测量其翘曲度，将翘曲度超标片区别放置，在硅片外观检验原始记录表上记录数量。
4.2.6 逐片检验硅片，将碎片、缺角、崩边、裂纹、针孔、污物、微晶（特指多晶硅片）等不合格品单独挑出，分别存放，并在硅片外观检验原始记录表上记录。
单晶硅产品质量标准
单晶硅产品质量标准英文回答：Silicon Single Crystal Quality Standards.1. Surface Characteristics.The surface of the single crystal silicon shall be free from any visible defects, such as scratches, pits, and cracks.The surface roughness shall not exceed a specified value, typically in the range of 0.1 to 1.0 micrometers.2. Crystallographic Properties.The single crystal silicon shall have a well-defined crystal structure with a specified orientation.The crystal lattice shall be free from any defects,such as dislocations, stacking faults, and grain boundaries.3. Electrical Properties.The electrical resistivity of the single crystalsilicon shall be within a specified range, typically in the range of 0.1 to 100 ohm-centimeters.The carrier concentration shall be within a specified range, typically in the range of 10^14 to 10^18 atoms per cubic centimeter.4. Mechanical Properties.The single crystal silicon shall have a specified hardness, typically in the range of 7 to 8 on the Mohs scale.The fracture strength shall be within a specified range, typically in the range of 3 to 5 gigapascals.5. Thermal Properties.The thermal conductivity of the single crystal silicon shall be within a specified range, typically in the range of 100 to 200 watts per meter-Kelvin.The specific heat capacity shall be within a specified range, typically in the range of 0.6 to 0.8 joules per gram-Kelvin.6. Optical Properties.The single crystal silicon shall have a specified refractive index, typically in the range of 3.4 to 3.6.The absorption coefficient shall be within a specified range, typically in the range of 1 to 1000 inverse centimeters.7. Chemical Properties.The single crystal silicon shall be chemically pure, with a purity of at least 99.999%.The surface shall be free from any contaminants, such as metals, oxides, and hydrocarbons.中文回答：单晶硅产品质量标准。
晶硅硅片检验要求
本文件规定了光伏电池技术部生产所用单晶硅硅片的来料检验要求。
本文件适用于公司管理体系以规范来料检验。
2．规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而称为本标准的条款。
GB/T 15496企业标准体系要求
GB/T 19001质量管理体系要求
3．术语和定义
本标准采用GB/T 19001和GB/T 15496中的术语和定义。
180±20 um
大于10 us
P型
项目
锯痕
电阻率
TTV
弯曲度
标准
＜15um
0.5-3Ω.cm
30um
50um
注：a.少子寿命为硅片的体寿命。
b.来料硅片不作任何钝化处理，实测少子寿命﹥1μs。
4.3包装要求
4.3.1 300片或400片为一包装盒。
4.3.2包装盒上应注明产品名称，生产厂家，生产批号，生产日期，数量。
4.3.3每次供货，厂家必须附上该批货物的合格检验报告，应包含但不限于样品名和技术要求中涉及的项目。
4.4储存条件
密封保存于干燥通风阴凉处，注意防潮，避免阳光直射
4.5最短有效少子寿命
无
4.6除以上要求外，其他要求必须符合国标和部标要求。
4.7附表/图纸
无
4．检验要求物料编号：
分子量：28
化学式：Si
4.2技术要求
项目
氧含量
碳含量
掺杂
晶向
垂直度
标准
≤1.0*1018
≤3.0*1016
B
<100>
±0.5度
项目
对角直径
对边距离
厚度
少子寿命
导电类型
单晶硅片技术参数
Oxygen Contents（氧含量）
≤1x1018at/cm3
Carbon Contents（含碳量）
≤5.0x1016at/cm3
Diameter（直径）
150±1
mm
附图直径B
Length（长度）
125x125±0.5
Hale Waihona Puke mm附图边长AThickness（厚度）
240±30
μm
四条方边宽度尺寸最大允许差值
1、硅片表面无通孔和裂纹（拉丝）现象；
DB13_T1828-2013太阳能级类单晶硅片
ICS 29.045H 82DB13 河北省地方标准DB13/T 1828—2013太阳能级类单晶硅片Quasi-mono crystalline silicon solar wafers2013-12-02发布2013-12-20实施前言本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。
本标准由保定市质量技术监督局提出。
本标准起草单位：英利能源（中国）有限公司。
本标准主要起草人员：张运锋、孟庆超、尹青松、张晓芳、高文宽、潘明翠。
太阳能级类单晶硅片1 范围本标准规定了太阳能级类单晶硅片的分类、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。
本标准适用于太阳能级类单晶硅片。
2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。
凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T 191 包装储运图示标志GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T 1558 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划GB/T 14264 半导体材料术语GB/T 25074 太阳能级多晶硅GB 50034-2004 建筑照明设计标准DB13/T 1633-2012 太阳能级多晶硅片3 定义和术语GB/T 14264、GB/T 25074和DB13/T 1633界定的及下列术语和定义适用于本文件。
为了便于使用，以下重复列出了DB13/T 1633的术语和定义。
3.1类单晶硅片 quasi-mono crystalline silicon wafers由类单晶硅锭进行加工得到的，并且单晶比例大于80%的硅片称为类单晶硅片。
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太阳能级单晶硅片
1 范围
本标准规定了太阳能级单晶硅片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于太阳能电池用的太阳能级单晶硅片（以下简称单晶硅片）。
2 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可以使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划3 术语和定义
3.1
本产品导电类型为p-型半导体硅片
导电类型是指半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性，本产品导电类型是p-型半导体，其多数载流子为空穴的半导体。
3.2
杂质浓度
单位体积内杂质原子的数目。
本产品的主要杂质是指氧含量、碳含量。
3.3
体电阻率
单位体积的材料对于两平行面垂直通过的电流的阻力。
一般来说，体电阻率为材料中平行电流的电场强度与电流密度之比。
符号为ρ，单位为Ω·cm 。
3.4
四探针
测量材料表面层电阻率的一种探针装置。
排列成一直线、间距相等的四根金属探针垂直压在样品表面上，使电流从两外探针之间通过，测量两内探针的电位差。
3.5
寿命
晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数载流子浓度衰减到其始值的1/e(e=2.718)所需的时间。
又称少数载流子寿命，简称少子寿命。
寿命符号τ，单位为μs 。
3.6
孪晶
在晶体中晶体是两部分，彼此成镜象对称的晶体结构。
连接两部分的界面称为孪晶或孪晶边界。
在金刚石结构中，例如硅，孪晶面为（111）面。
3.7
单晶
不含大角晶界或孪晶界的晶体。
3.8
直拉法（CZ）
本产品单晶硅的生长方式为直拉法，其工艺为沿着垂直方向从熔体中拉制单晶体的方法，又称切克劳斯基法，表示符号为CZ。
3.9
对角线
横穿圆片表面，通过晶片中心点且不与参考面或圆周上其他基准区相交的直线长度。
3.10
硅片中心厚度
硅片中心点垂直于表面方向穿过硅片的距离为硅片中心厚度。
3.11
厚度允许偏差
硅片厚度的测量值与标称值的最大允许差值。
3.12
总厚度变化 (TTV)
在厚度扫描或一系列点的厚度测量中，所测量的硅片的最大厚度与最小厚度的绝对差值。
3.13
翘曲度
硅片中心面与基准片面之间的最大和最小距离的差值。
翘曲度是硅片一种体性质而不是表面特性。
3.14
崩边
硅片边缘或表面未贯穿硅片的局部损伤区域，当崩边在硅片边缘产生时，其尺寸有径向深度和周边弦长给出。
3.15
缺角
上下贯穿硅片边缘的缺损。
3.16
裂纹、裂痕
延伸到硅片表面，有可能贯穿，也可能不贯穿整个硅片厚度的解理或裂纹或裂痕。
3.17
C角
单晶方棒四个角用滚磨机滚出圆弧形。
3.18
晶向
同一个格子可以形成方向不同的晶列，每一个晶列定义了一个反向，称为晶向。
3.19
晶向偏离度
晶体的轴与晶体方向不吻合时，其偏离的角度称为晶向偏离度。
4 技术要求
4.1 外观要求
外观要求见表1。
4.2 规格尺寸及极限偏差
4.2.1规格尺寸及极限偏差应符合表2、表3、表4规定。
4.2.2 单晶硅片对角线（Φ）、边长（W）、C角尺寸（C）见图1。
图1
4.3 理化指标
理化指标应符合表5规定。
项目
指标
A等B等
1 生长方式CZ CZ
2 晶向〈100〉〈100〉
3 晶向偏离度/（°）﹤±1.5 ±1.5
4 导电类型P P
5 掺杂剂Boron（B）Boron（B）
6 氧含量/（atoms/cm3）≤ 1.0×1018 1.0×1018
7 碳含量/（atoms/cm3）≤ 5.0×1017 5.0×1017
8 电阻率范围（ρ）/（Ω·cm） 1.0～3.0，3.0～6.0 1.0～3.0，3.0～6.0
9 少子寿命（τd）/（μs）≥10（钝化后）10（钝化后）
单晶硅片从该编号的单晶硅棒切割出来，该单晶硅棒的编号含义如下。
□□□□□□
晶棒位置
晶棒序号
该炉出炉的晶棒根数
出炉总数
炉号
年号
示例：单晶硅棒编号为090809322B表示该硅棒是2009年第8号炉出的第93炉的2根晶棒中的第2根晶棒，该截断晶棒在原出炉晶棒的B段，见图2。
头 A段 B段 C段尾
图2
5 试验方法
5.1 感官要求
在室温下，光线明亮的室内手感、目测检查。
5.2 规格尺寸
5.2.1 中心厚度和总厚度变化（TTV）
中心厚度和总厚度变化使用相应精度的千分表测量。
5.2.2 边长和对角线
边长和对角线使用相应精度的游标卡尺测量。
5.2.3 C角
C角使用90°角尺测量。
5.2.4 翘曲度
翘曲度使用塞尺测量。
5.2.5 线痕
线痕使用粗糙度测量仪测量。
5.2.6 崩边
崩边长度和深度使用相应精度的游标卡尺测量并目测。
5.3 理化指标
5.3.1 生长方式
生长方式由单晶硅棒生长炉而决定，因此检查单晶硅棒生长炉是否符合要求。
5.3.2 晶向和晶向偏离度
晶向和晶向偏离度使用晶向仪测量。
5.3.3 导电类型和掺杂剂
导电类型使用型号测试仪测量，掺杂剂用电阻率测试仪测量。
5.3.4 氧含量和碳含量
氧含量和碳含量使用氧碳含量测试仪测量。
5.3.5 电阻率
电阻率使用四探针电阻率测试仪测量。
5.3.6 少子寿命
少子寿命使用少子寿命测量仪测量。
6 检验规则
6.1 单晶硅片应经生产厂质检部门检验合格后，并附产品合格证方可出厂发货。
6.2 检验应逐批进行，采用GB/T 2828.1-2003的规定进行检验。
6.3 检验组批：以同一种型号、规格和等级的合格硅片组成一个检验批次。
6.4 单位产品：单晶硅片的单位产品为片。
6.5 批质量：以每百单位产品的不合格品数（即片）计算。
6.6 抽样方法：采取随机抽样的方法抽取。
6.7 检验项目：为本标准第4.1、4.2、4.3条。
6.8 抽样方案：采用正常检验一次抽样方案。
检验水平、接收质量限（AQL）见表6。
6.9逐批检验时，正常检验一次抽样方案按GB/T 2828.1-2003中表2-A制定出的表7进行操作。
表7：正常检验一次抽样方案
6.10 检验结果判定
当样本检验中发现的不合格数小于或等于其对应的接收数（Ac）时，则判定该批产品为可接收。
如果样本中发现的不合格数大于或等于其对应的拒收数（Re）时，则判定该批产品为不可接收。
7 标志、包装、运输和储存
7.1 标志
单晶硅片合格证标志内容如下：
a)泰州德通电气有限公司标志；
b)规格；
c)电阻率；
d)编号；
e)数量；
f)厚度；
g)日期；
h)分选员和检验员。
7.2 包装
单晶硅片每400片装入塑料泡沫包装盒内，每4只塑料泡沫包装盒装入瓦楞纸板外包装箱。
7.3 运输
运输工具应干燥、防雨，装卸时应轻拿、轻放，避免挤压，堆高限层应小于4层。
7.4 储存
产品应在清洁、干燥、常温的库房中存放，并按等级和规格分别堆放，堆高限层应小于4层。