光刻与刻蚀工艺流程
光刻与刻蚀工艺
涂胶/显影技术
01
02
03
涂胶
在晶圆表面涂上一层光敏 胶，以保护非曝光区域并 提高图像对比度。
显影
用适当的溶剂去除曝光区 域的光敏胶，以形成所需 的图案。
控制胶厚
保持胶厚均匀，以避免图 像的扭曲和失真。
烘烤与曝光技术
烘烤
通过加热去除晶圆表面的湿气，以提高光敏胶的灵敏度和图像质 量。
曝光
将掩模图像投影到光敏胶上，通过光化学反应将图像转移到晶圆 上。
非接触式光刻
投影式非接触
利用光学系统将掩膜板上的图像投影到光刻胶涂层上，优点是无需直接接触，缺点是难度较高，需要精确的控 制系统。
电子束光刻
利用电子束在光刻胶上直接曝光，优点是分辨率高、无需掩膜板，缺点是生产效率低。
投影式光刻
接触式投影
掩膜板与光刻胶涂层之间保持接触，通过投影系统将图像投影到光刻胶上，优点是操作简单、高效， 缺点是图像质量可能受到掩膜板损伤和光刻胶污染的影响。
要点二
损伤控制
是指在刻蚀过程中避免对材料产生损伤。对于某些特殊 材料，如脆性材料，损伤控制尤为重要。如果刻蚀过程 中产生过多损伤，可能会导致材料性能下降甚至破裂。
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光刻工艺的基本步骤
涂胶
将光刻胶涂敷在硅片表面，以形成 光刻胶层。
烘烤
通过烘烤使光刻胶层干燥并固化。
曝光
将掩膜版上的图形对准硅片上的光 刻胶层，并使用曝光设备将图形转 移到光刻胶上。
显影
使用显影液将曝光后的光刻胶进行 化学处理，使图形更加清晰地展现 出来。
光刻工艺的重要性
光刻工艺是半导体制造中的关键环节，直接影响芯片的制造 质量和性能。
集成电路制造工艺之光刻与刻蚀工艺
任意粒子曝光的最高的分辨率
关于光束的线宽限制，对其他的粒子束同样适用。任何粒子束都具有波动性，即 德布罗意物质波，其波长λ与质量m、动能E的关系描述如下。粒子束的动能E为
其动量p 粒子束的波长
E 1 mV 2 2
phmV 2mE
由此，用粒子束可得到的 最 细线h 条为
、对比度
为了测量光刻胶的对比度，将一定厚度的光刻胶膜在不同的辐照剂量下曝光，然 后测量显影之后剩余光刻胶的膜厚，利用得到的光刻胶膜厚-曝光剂量响应曲线进行 计算就可以得到对比度。
光刻胶的对比度：不同的光刻胶膜厚-曝光剂量响应曲线的外推斜率。
Y2 Y1
X2 X1 光刻胶的对比度会直接影响到曝光后光刻胶膜的倾角和线宽。
根据对比度定义， Y2＝0，Y1=1.0，X2＝log10Dc，X1＝ log10Do。
正胶的对比度
p
1 log10 (Dc
Do )
Dc为完全除去正胶膜所需要的最小曝光剂量， Do为对正胶不产生曝光效果所允许的最大曝光剂量。
光刻胶的侧墙倾斜
在理想的曝光过程中，投到光刻胶上的辐照区域应该 等于掩模版上的透光区域，在其他区域应该没有辐照能 量。
显影方式与检测
目前广泛使用的显影的方式是喷洒方法。 可分为三个阶段： ①硅片被置于旋转台上，并且在硅片表面上喷洒显影液； ②然后硅片将在静止的状态下进行显影； ③显影完成之后，需要经过漂洗，之后再旋干。
喷洒方法的优点在于它可以满足工艺流水线的要求。
显影之后，一般要通过光学显微镜、扫描电镜(SEM)或者激光系统来检查图形的 尺寸是否满足要求。
8.3、光刻胶的基本属性
光学光刻胶通常包含有三种成份： ①聚合物材料(树脂)：附着性和抗腐蚀性 ②感光材料：感光剂 ③溶剂：使光刻胶保持为液态
光刻与刻蚀工艺流程
光刻与刻蚀工艺流程光刻和刻蚀是微电子加工过程中常用的两个工艺步骤。
光刻用于创建芯片上的图案，而刻蚀则用于移除不需要的材料。
以下是光刻和刻蚀的工艺流程。
光刻工艺流程：1.沉积光刻胶：首先，在硅片上沉积一层光刻胶。
这是一个具有高度选择性和可重复性的光敏聚合物材料，能够在曝光过程中改变化学性质。
2.乾燥和前处理：将光刻胶乾燥，然后对其进行前处理，例如去除表面的污垢和残留物。
3.涂布光刻胶：用涂胶机将光刻胶均匀地涂布在硅片的表面。
4.烘烤：将涂覆有光刻胶的硅片进行烘烤，以去除溶剂并使光刻胶层变得坚硬和耐久。
5.对位：将掩模对位仪对准硅片上的光刻胶层，确保光刻胶上的图案与所需的芯片图案完全一致。
6.曝光：通过紫外线照射机将光传递到光刻胶上，使其形成与掩模图案相同的图案。
7.显影：使用显影液处理光刻胶，显影液会将未曝光的部分光刻胶溶解掉，只留下曝光过的部分。
刻蚀工艺流程：1.腐蚀栅极：首先，通过化学腐蚀将栅极区域的金属材料去除，只保留未覆盖的部分，以便后续步骤。
2.沉积绝缘层：然后，在晶圆上沉积一层绝缘层材料，用以隔离电路的不同层次。
3.涂胶和曝光：使用同样的光刻胶工艺，在绝缘层表面涂覆光刻胶，并将掩模对位仪对准绝缘层上的光刻胶层。
4.显影：通过显影液处理光刻胶，保留所需的图案，暴露绝缘层。
5.刻蚀绝缘层：使用化学腐蚀或物理刻蚀技术，将未被光刻胶保护的绝缘层材料去除，使其与下方的层次保持相同的图案。
6.清洗和检验：最后，对晶圆进行清洗，以去除残留的光刻胶和刻蚀剂。
然后，对刻蚀图案进行检验，确保其质量和精确度。
这就是光刻和刻蚀的工艺流程。
通过这些步骤，可以在微电子芯片上创建复杂的电路和结构，以实现功能丰富的科技产品。
光刻与刻蚀工艺流程ppt
硅片准备
涂胶种类
根据光刻掩膜版的要求，选择合适的涂胶材料。
涂胶厚度
控制涂胶的厚度，一般要求均匀、无气泡、无杂质。
涂胶
曝光方式
根据光刻掩膜版图形设计要求，选择合适的曝光方式。
曝光时间
控制曝光时间，保证光刻胶充分反应且不过度曝光。
曝光
显影液选择
根据光刻胶的性质，选择合适的显影液。
控制显影时间
显影时间要适当，以充分溶解光刻胶，同时避免损伤硅片表面。
纳米科技领域需要借助光刻和刻蚀技术来制造纳米级结构，从而进一步探索纳米世界的奥秘。
在生物医学工程领域，光刻和刻蚀技术可以制造出复杂的微纳结构，用于药物输送、组织工程等应用。
纳米科技
生物医学工程
建议与展望
06
优化工艺参数
通过严格控制实验参数，如波长、功率、曝光时间等，以提高工艺稳定性和效率。
引入先进设备
xx年xx月xx日
光刻与刻蚀工艺流程ppt
CATALOGUE
目录
光刻和刻蚀工艺简介光刻工艺详细流程刻蚀工艺详细流程光刻和刻蚀工艺的控制因素光刻和刻蚀工艺的未来发展建议与展望
光刻和刻蚀工艺简介
01
1
光刻工艺发展历程
2
3
最早的光刻工艺，分辨率较低，制程技术限制较大。
接触式光刻工艺
改善了分辨率和制程技术限制的问题，但仍然存在接触式光刻工艺的一些缺点。
采用先进的自动控制系统和智能化设备，实现工艺过程的实时监控和精准调控。
改进工艺流程
简化工艺流程，减少重复步骤，降低工艺时间和成本。
提高工艺稳定性与效率的措施
技术交叉融合
加强光刻和刻蚀工艺与材料科学、物理学、化学等学科的交叉融合，引入新技术，如纳米压印、离子束刻蚀等，提高工艺水平和效率。
光刻与刻蚀工艺流程
光刻与刻蚀工艺流程光刻和刻蚀是半导体工艺中重要的步骤，用于制备芯片中的电路。
光刻是一种通过使用光敏剂和光刻胶来转移图案到硅片上的技术。
刻蚀则是指使用化学物质或物理能量来去除或改变表面的材料。
光刻工艺流程分为四个主要步骤：准备硅片、涂敷光刻胶、曝光和开发。
首先，准备硅片。
这包括清洗硅片表面以去除杂质和污染物，然后通过浸泡于化学溶液中或使用化学气相沉积等方法在硅片上形成一层光刻胶的基础层。
第二步是涂敷光刻胶。
将光刻胶倒入旋转涂胶机的旋转碟中，然后将硅片放置在碟上。
通过旋转碟和光刻胶的黏度控制，使光刻胶均匀地铺在硅片上。
光刻胶的厚度取决于所需的图案尺寸和深度。
第三步是曝光。
在光刻机中，将掩膜对准硅片，然后使用紫外线照射光刻胶。
掩膜是一个透明的玻璃或石英板，上面有所需的电路图案。
曝光过程中，光刻胶中的光敏剂会发生化学反应，使得光刻胶在被曝光的区域变得溶解性，而未被曝光的区域仍保持完整。
最后一步是开发。
在开发过程中，使用盐酸、溶液或者有机溶剂等化学溶液将未曝光的光刻胶从硅片上溶解掉。
溶解后就会出现光刻胶的图案，这相当于将掩膜中的图案转移到硅片上。
在完成开发后，再对硅片进行清洗和干燥的处理。
刻蚀工艺流程通常根据需要的深度和形状来选择不同的刻蚀技术。
常见的刻蚀技术有湿刻蚀和干刻蚀。
湿刻蚀是将硅片浸泡在一个含有化学溶液的反应槽中，溶液会去除不需要的材料。
刻蚀速度取决于化学溶液中的浓度和温度以及刻蚀时间。
湿刻蚀通常用于较浅的刻蚀深度和简单的结构。
干刻蚀是使用物理能量如等离子体来去除材料。
等离子体刻蚀分为反应离子束刻蚀(RIE)和电感耦合等离子体刻蚀(ICP)。
在等离子体刻蚀中，通过加热到高温的氩气等离子体释放离子，离子会以高速束流撞击竖立在硅片表面的物质，去除不需要的材料。
干刻蚀通常用于深刻蚀和复杂的纳米级结构。
在刻蚀过程中，为了保护不需要刻蚀的区域，通常会将硅片用光刻胶进行覆盖。
在刻蚀结束后，光刻胶可以去除，暴露出所需要的图案。
第八章光刻与刻蚀工艺模板
第八章光刻与刻蚀工艺模板光刻与刻蚀工艺是现代集成电路制造中的重要工艺环节之一、光刻技术用于在硅片上制作电路图形，而刻蚀技术则用于去除不需要的材料，以形成所需的电路结构。
本章将介绍光刻与刻蚀工艺的基本原理及常见的工艺模板。
一、光刻工艺模板在光刻工艺中，需要使用光刻胶作为图形保护层，以及光罩作为图形的模板。
光刻模板通常由硅片或光刻胶制成，可以通过不同的工艺步骤来实现具体的图形需求。
1.硅片模板硅片模板是一种常见的光刻工艺模板，它的制作过程相对简单。
首先，将一块纯净的硅片进行氧化处理，形成硅的氧化层。
然后，在氧化层上通过光刻技术制作所需的图形。
最后，使用化学刻蚀方法去除不需要的硅的氧化层，就可以得到所需的硅片模板。
硅片模板具有较好的精度和可靠性，能够满足微纳加工的要求。
然而，硅片模板制作过程复杂，成本较高。
2.光刻胶模板光刻胶模板是利用光刻胶作为模板材料的一种工艺模板。
光刻胶是一种感光性的聚合物材料，可以在光照的作用下发生化学反应。
在光刻工艺中，首先将光刻胶涂覆在硅片上，然后通过光刻曝光将所需的图形转移到光刻胶上。
接下来，使用化学方法或溶剂去除不需要的光刻胶，就可以得到所需的光刻胶模板。
光刻胶模板制作过程简单，成本较低。
同时，光刻胶模板的精度较高，可以满足微纳加工的要求。
然而，光刻胶模板的使用寿命较短，通常只能使用几次。
在刻蚀工艺中，需要使用刻蚀胶作为图形保护层，以及刻蚀模板作为图形的模板。
刻蚀模板通常由硅片或光刻胶制成，可以通过不同的工艺步骤来实现具体的图形需求。
1.硅片模板硅片模板在刻蚀工艺中的制作方法与光刻工艺类似。
首先，在硅片上通过光刻技术制作所需的图形，然后使用化学刻蚀方法去除不需要的硅材料，就可以得到所需的刻蚀模板。
硅片模板具有较高的精度和可靠性，可以满足微纳加工的要求。
然而，硅片模板制作过程复杂，成本较高。
2.光刻胶模板光刻胶模板在刻蚀工艺中的制作方法与光刻工艺类似。
首先，将光刻胶涂覆在硅片上，然后通过光刻曝光将所需的图形转移到光刻胶上。
第八章光刻与刻蚀工艺
8.1 光刻工艺流程
2.涂胶Spin Coating ①对涂胶的要求：粘附良好，均匀，薄厚适当 胶膜太薄－针孔多，抗蚀性差； 胶膜太厚－分辨率低（分辨率是膜厚的5－8倍） ②涂胶方法：浸涂，喷涂，旋涂√
Photoresist Spin Coater
EBR: Edge bead removal边缘修复
8.6.6 投影式曝光
利用光学系统，将光刻版的图形投影在硅片上。
8.6.6 投影式曝光
优点：光刻版不受损伤， 对准精度高。 缺点：光学系统复杂， 对物镜成像要求高。 用于3μm以下光刻。
分步重复投影光刻机--Stepper
采用折射式光学系统和4X~5X的缩小透镜。 光刻版： 4X~5X； 曝光场：一次曝光只有硅片的一部分； 采用了分步对准聚焦技术。
h 2 2m E
a. E给定：m↑→ΔL↓→R↑，即R离子 > R电子 b. m给定：E↑→ΔL↓→R↑
8.3 光刻胶的 基本属性
1）光刻胶类型：正胶和负胶 ①正胶：显影时，感光部分 溶解，未感光部分不溶解； ②负胶：显影时，感光部分 不溶解，不感光部分溶解。
正胶（重氮萘醌）的光分解机理
负胶（聚乙烯醇肉桂酸脂）的光聚合机理
8.1 光刻工艺流程
③影响显影效果的主要因素： ⅰ）曝光时间； ⅱ）前烘的温度与时间； ⅲ）胶膜的厚度； ⅳ）显影液的浓度； ⅴ）显影液的温度； ④显影时间适当 t太短：可能留下光刻胶薄层→阻挡腐蚀SiO2(金属） →氧化层“小岛”。 t太长：光刻胶软化、膨胀、钻溶、浮胶 →图形边缘破坏。
第八章 光刻与刻蚀工艺
掩模版
掩膜版的质量要求 若每块掩膜版上图形成品率＝90％，则 6块光刻版，其管芯图形成品率＝（90％）6＝53％； 10块光刻版，其管芯图形成品率＝（90％）10＝35％； 15块光刻版，其管芯图形成品率＝（90％）15＝21％； 最后的管芯成品率当然比其图形成品率还要低。 掩膜版尺寸：①接触式和接近式曝光机：1∶1 ②分步重复投影光刻机（Stepper）： 4∶1；5∶1；10∶1
光刻及刻蚀讲解
1.光刻胶的分辨率（Resolution）
• 在光刻胶层能够产生的最小图形通常被作为 对光刻胶的分辨率。
• 产生的线条越小，分辨率越高。分辨率不仅 与光刻胶本身的结构、性质有关，还与特定 的工艺有关，比如：曝光光源、显影工艺等。
• 正胶的分辨率较负胶好，一般2μm以下工艺 用正胶
2.灵敏度S（Sensitivity）
光刻的要求
• 对光刻的要求
（1）高分辨率 （2）高灵敏度 （3）精密的套刻对准 （4）大尺寸硅片上的加工 （5）低缺陷
• 1.高分辨率
• 分辨率是将硅片上两个邻近的特征图形 区分开来的能力，即对光刻工艺中可以 达到的最小光刻图形尺寸的一种描述， 是光刻精度和清晰度的标志之一。随着 集成电路的集成度提高，加工的线条越 来越细，对分辨率的要求也越来越高。
与硅片表面接触不平整而产生的光散射现象。 • 为了提高分辨率，减少图形畸变，一次曝光的象场较小，采用扫描
式曝光。 • Fraunhofer diffraction 夫琅禾费衍射 • 投影式曝光虽有很多优点，但由于光刻设备中许多镜头需要特制设
备复杂
光学曝光的各种曝光方式及其利弊
接 优点：设备简单，分辨率高。 触 式 缺点：掩膜版与晶片易损伤，成品率低。
• 由于光刻胶顶层平面不平，所以该曝光方式中间隔并不严格为0
接近式曝光- proximity printing
• 最小宽带：Wm=（dλ）½ • d:间隔； λ：光源波长 • 分辨率取决于间隙的大小，一般分辨率较差，
为2-4μm，d=10μm，I-line（365nm）
→W≈2μm • 优点：接近式曝光是以牺牲分辨率来延长了掩
正胶和负胶的比较
• 正胶 a)分辨率高 小于1μm b)抗干法刻蚀能力强 c)较好的热稳定性
光刻与刻蚀工艺流程教材
+PR & -PR
Negative Photo-resist 负性光刻胶－负胶 曝光后不可溶解 显影时未曝光的被溶解 便宜 Positive Photo-resist 正性光刻胶－正胶 曝光后可溶解 显影时曝光的被溶解 高分辨率
ห้องสมุดไป่ตู้
光刻胶涂布-丝网印刷法
丝网印刷的基本原理是：利用丝网印版图文部分的网孔渗透油墨，非图文部分的 网孔不渗透油墨的基本原理进行印刷。印刷时在丝网印版一端上倒入油墨，用刮 印刮板在丝网印版上的油墨部位施加一定压力，同时朝丝网印版另一端移动，油 墨在移动中被刮板从图文部分的网孔中挤压到承印物上，如图所示。印刷过程中 刮板始终与丝网印版和基片呈线接触，一般接触角为30-60度。这种制作方法操 作简单、成本低、易实现大面积制作等优点。
140 120 100
T/℃
80 60 40 20 0 0 20 40 60 t/min 80 100 120
退 胶
氢氧化钠溶液
正胶工艺
基板处理
负胶工艺
涂胶 + 烘烤
曝光 显影、光刻
光刻胶涂布-旋转涂布法
滴胶 基片
旋转
旋涂结果
旋转涂布也称为甩胶，用转速和旋转时间可自由设定的甩胶机来进行，是利用高 速旋转的离心力作用，将光刻胶在基片表面均匀地展开，多余的光刻胶被甩掉， 最终获得一定厚度的光刻胶膜，光刻胶的膜厚是由光刻胶的粘度和甩胶的转速来 控制，通常这种方法可以获得优于±2%的涂布均匀性（边缘除外）。光刻胶涂 布的厚度与转速、时间、胶的特性有关系，此外旋转时产生的气流也会有一定的 影响。同时也存在一定的缺陷：气泡、彗星(胶层上存在的一些颗粒)、条纹、边 缘效应等，其中边缘效应对于小片和不规则片尤为明显。
(完整版)光刻与刻蚀工艺
光刻工艺过程
❖涂胶 coating ❖前烘 prebaking ❖曝光 exposure ❖显影 development ❖坚膜 postbake ❖刻蚀 etch ❖去胶 strip ❖检验 inspection
1、涂胶
SiO2
Si （1）氧化、清洗
光刻胶 SiO2
Si （2）涂胶、前烘
1、涂胶
❖ 在图形曝光的工 作区域，则需要等级 10或1的洁净室。
lithography
❖Introduction
❖ 光刻 ▪ 洁净室 ▪ 工艺流程 ▪ 光刻机 ▪ 光刻胶 ▪ 掩膜版
光刻原理（1）
❖ 掩膜版图形转移到光刻胶
▪ 在光刻过程中，光刻胶受到光辐射之后发生光 化学反应，其内部分子结构发生变化，在显影 液中光刻胶感光部分与未感光部分的溶解速度 相差非常大。
❖涂胶目的
▪ 在硅片表面形成厚度均匀、附着性强、并且没 有缺陷的光刻胶薄膜。
❖怎样才能让光刻胶粘的牢一些？
可以开始涂胶了……
❖ 怎么涂？
▪ 旋转涂胶法：把胶滴在硅片，然后使硅片高速旋转， 液态胶在旋转中因离心力作用由轴心沿径向（移动） 飞溅出去，但粘附在硅表面的胶受粘附力的作用而留 下。在旋转过程中胶所含的溶剂不断挥发，故可得到 一层均匀的胶膜
▪ （2）等级为M3.5的洁净室（公制），直径大 于或等于0.5um的尘埃粒子总数不超过103.5 （约3500个/m3)
❖ 100个/ft3= 3500个/m3
▪ 一个英制等级100的洁净室相当于公制等级 M3.5的洁净室。
洁净室（4）
❖ 对一般的IC制造 区域，需要等级100 的洁净室，约比一般 室内空气低4个数量 级。
Resist coat (wafer track)
光刻和刻蚀工艺流程
光刻和刻蚀工艺流程第一步：光刻掩膜准备光刻工艺的第一步是制备掩膜。
掩膜是一种类似于胶片的薄膜，上面有制作好的电路图形。
通常，光刻掩膜由专门的光刻工艺工程师根据电路图形设计，并通过专业软件生成掩膜图形。
之后将掩膜图形转移到掩膜胶片上。
第二步：光刻胶涂覆接下来，在待加工的硅片表面涂覆一层光刻胶。
光刻胶是一种特殊的光敏物质，具有对紫外光敏感的特性。
使用旋涂机将光刻胶均匀涂覆在硅片上。
第三步：软烘烤硅片上涂覆好光刻胶之后，需要进行软烘烤步骤。
软烘烤的作用是去除光刻胶中的溶剂以及帮助光刻胶更好地附着在硅片表面上。
软烘烤的温度和时间根据不同的光刻胶种类和工艺要求进行调节。
第四步：曝光曝光是光刻工艺的关键步骤。
在曝光台上，将掩膜和被涂覆光刻胶的硅片对准，并通过紫外光照射。
光刻胶中被曝光的部分会发生化学变化，形成光刻胶的图形。
第五步：后烘烤曝光之后，需要进行后烘烤。
烘烤的目的是加强光刻胶的图形，使其更稳定并提高精度。
烘烤温度和时间根据不同的光刻胶种类和工艺要求进行调节。
第六步：显影显影是将光刻胶中未曝光的部分溶解掉的步骤。
将硅片浸入特定的显影液中，显影液会将光刻胶中溶解掉的部分清除掉，形成具有电路图形的光刻胶。
第七步：刻蚀刻蚀是将未被光刻胶保护的硅片表面精确地去除掉部分的步骤，以形成电路图形。
刻蚀液根据硅片的材料和刻蚀目标而确定。
将硅片浸入刻蚀液中，刻蚀液会剥离掉没有光刻胶保护的硅片表面，形成光刻胶的图形。
第八步：去光刻胶刻蚀完成后，需要将光刻胶从硅片上去除。
通常使用酸性或碱性溶液将光刻胶溶解掉。
去光刻胶后，就得到了具有电路图形的硅片。
以上就是光刻和刻蚀的工艺流程。
光刻和刻蚀工艺对于微电子芯片的制造至关重要，能够提供精确的电路图形，是制造集成电路的基础步骤。
随着技术的不断发展，光刻和刻蚀工艺也在不断改进，以满足高集成度和高性能的微电子芯片的制造需求。
光刻技术流程各步骤
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1. 衬底准备。
清洁衬底，去除表面污染物和颗粒。
进行表面处理，如等离子体刻蚀或物理气相沉积（PVD），以提高光刻胶与衬底的附着力。
刻蚀工艺流程
刻蚀工艺流程
《刻蚀工艺流程》
刻蚀是一种常见的微电子制造过程，用于制作集成电路和其他微型器件。
刻蚀工艺流程是通过化学溶液或气体对硅片或其他材料进行局部腐蚀，从而在表面形成所需的图案和结构。
刻蚀工艺流程通常包括以下几个步骤：
1. 排版设计：首先，需要根据产品的设计要求进行排版设计，确定需要刻蚀的图案和结构。
这一步通常由电子设计自动化软件完成。
设计完成后，将图形转换成掩蔽膜。
2. 清洗和处理：在进行刻蚀之前，需要对硅片或其他基片进行清洗和处理，以去除表面的污垢和杂质，同时提高图案的精度和稳定性。
3. 光刻：光刻是将掩膜图形通过光刻胶转移到硅片表面的过程。
首先，将光刻胶均匀涂布在硅片上，然后使用掩膜和紫外光曝光，最后进行显影和固化，形成所需的图案。
4. 刻蚀：在光刻完成后，硅片被放入刻蚀设备中，通过化学溶液或气体对硅片进行局部腐蚀，去除未被光刻胶保护的部分。
常用的刻蚀方法包括湿法刻蚀和干法刻蚀。
5. 清洗和检验：刻蚀完成后，需要对硅片进行清洗，去除残留的光刻胶和刻蚀产物。
然后进行图案和结构的检验，确保其质
量和精度符合要求。
通过以上步骤，刻蚀工艺流程可以实现对硅片或其他材料的精确刻蚀，制作出需要的微型器件和集成电路。
随着微电子技术的发展，刻蚀工艺流程也在不断改进和完善，以满足各种复杂器件的制造需求。
半导体图案化工艺流程之：刻蚀
半导体图案化工艺流程之：刻蚀图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。
其中，刻蚀工艺是光刻（Photo）工艺的下一步，用于去除光刻胶（Photo Resist，PR）未覆盖的底部区域，仅留下所需的图案。
这一工艺流程旨在将掩模（Mask）图案固定到涂有光刻胶的晶圆上（曝光→显影）并将光刻胶图案转印回光刻胶下方膜层。
随着电路的关键尺寸（Critical Dimension, CD）小型化（2D视角），刻蚀工艺从湿法刻蚀转为干法刻蚀，因此所需的设备和工艺更加复杂。
由于积极采用3D单元堆叠方法，刻蚀工艺的核心性能指数出现波动，从而刻蚀工艺与光刻工艺成为半导体制造的重要工艺流程之一。
一、沉积和刻蚀技术的发展趋势在晶圆上形成“层（Layer）”的过程称为沉积（化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）和物理气相沉积（PVD）），在所形成的“层”上绘制电路图案的过程称为曝光。
刻蚀是沉积和曝光工艺之后在晶圆上根据图案刻化的过程。
光刻工艺的作用类似于画一张草图，真正使晶圆发生明显变化的是沉积和刻蚀工艺。
自从半导体出现以来，刻蚀和沉积技术都有了显著发展。
而沉积技术最引人注目的创新是从沟槽法（Trench）转向堆叠法（Stack），这与20世纪90年代初装置容量从1兆位（Mb）DRAM发展成4兆位（Mb）DRAM相契合。
刻蚀技术的一个关键节点是在2010年代初，当时3D NAND闪存单元堆叠层数超过了24层。
随着堆叠层数增加到128层、256层和512层，刻蚀工艺已成为技术难度最大的工艺之一。
二、刻蚀方法的变化在2D（平面结构）半导体小型化和3D（空间结构）半导体堆叠技术的发展过程中,刻蚀工艺也在不断发展变化。
在20世纪70年代，2D半导体为主流，电路关键尺寸（CD）从100微米（㎛）迅速下降到10微米（㎛），甚至更低。
在此期间，半导体制造流程中的大部分重点工艺技术已经成熟，同时刻蚀技术已经从湿法刻蚀过渡到干法刻蚀。
光刻与刻蚀工艺流程课件
REPORT
CATALOG
DATE
ANALYSIS
SUMMAR Y
02
刻蚀工艺简介
刻蚀工艺的定义
刻蚀工艺：是指利用物理或化学方法，将材料表面的一部分 去除，以达到形成图案或结构的目的。
在半导体制造中，刻蚀工艺是关键的步骤之一，用于形成电 路、器件和其它微结构。
刻蚀工艺的原理
物理刻蚀
利用物理能量，如高能粒子或等 离子体，轰击材料表面，使其原 子或分子从表面溅射出来。
总结词
胶的均匀涂布是光刻工艺中的重要环节，直接影响到光刻胶的覆盖质量和均匀 性。
详细描述
在涂胶过程中，要确保胶液的均匀分布，避免出现胶层厚薄不均、气泡等问题 。可以采用匀胶机进行涂布，控制好涂布速度和温度，以保证胶的均匀性。
曝光能量控制问题
总结词
曝光能量是光刻工艺中的关键参数， 直接影响到曝光质量和光刻胶的溶解 度。
预烘
预烘
使光刻胶中的溶剂挥发， 增强光刻胶与硅片之间的 黏附力。
预烘温度和时间
根据光刻胶类型和特性而 定。
预烘作用
提高光刻胶的黏附性和稳 定性。
曝光
曝光
通过掩膜版将所需图案投影到光 刻胶上，使光刻胶发生化学反应
。
曝光方式
接触式曝光、接近式曝光、扫描 式曝光等。
曝光剂量
影响光刻胶的溶解性和分辨率。
坚膜温度的控制问题
总结词
坚膜温度是光刻工艺中的重要参数，直接影响到光刻胶的硬度和附着力。
详细描述
要选择合适的坚膜温度，以保证光刻胶的硬度和附着力。坚膜温度过高会导致光刻胶变脆，而坚膜温度过低会导 致光刻胶附着力下降，影响光刻效果。
腐蚀深度的问题
总结词
刻蚀工艺流程
刻蚀工艺流程刻蚀工艺是一种常用的微纳加工技术，用于制备微细结构、图案或器件。
刻蚀工艺通常包括以下几个步骤：准备衬底、光刻固化、刻蚀加工和清洗处理。
首先是准备衬底。
衬底通常采用硅片或玻璃片，其表面需要进行清洗和去除杂质处理，以确保刻蚀过程的精确度和稳定性。
第二步是光刻固化。
光刻是刻蚀工艺中必不可少的一步，主要用于制备模板图案。
首先，在衬底表面涂上一层感光胶，然后将模板图案通过照相机或激光曝光到感光胶上，形成暴露和未暴露的区域。
暴露过程中，通过模板图案上的透明和不透明区域的遮光作用，使得胶层在暴露区域发生物理或化学变化。
未暴露区域的胶层则保持不变。
接下来是刻蚀加工。
刻蚀加工通过化学反应将暴露区域的胶层或衬底材料去除，从而形成图案或结构。
刻蚀加工可以分为湿刻蚀和干刻蚀两种方式。
湿刻蚀是利用酸、碱或其他溶液对衬底进行腐蚀。
一般情况下，刻蚀液与刻蚀时间会根据所需的刻蚀深度和刻蚀速率进行调整。
湿刻蚀过程中，需要对刻蚀液的温度、浓度和流速进行精确控制，以确保刻蚀过程的准确性。
干刻蚀是通过物理或化学反应将暴露区域的胶层或衬底材料去除。
常用的干刻蚀技术包括物理刻蚀、放电刻蚀和等离子体刻蚀等。
干刻蚀通常需要在低真空或高真空的环境下进行，以保证刻蚀过程的精确和稳定。
最后是清洗处理。
刻蚀加工完毕后，需要对衬底进行清洗处理，以去除残留的感光胶和刻蚀液。
清洗处理可以采用不同的溶剂和清洗工艺，如超声波清洗、旋转式清洗等。
清洗处理的目的是保持衬底表面的干净和平滑，以便进行后续的加工或测试。
总结起来，刻蚀工艺流程主要包括准备衬底、光刻固化、刻蚀加工和清洗处理。
这些步骤的精确性和稳定性对于微纳加工的质量和性能至关重要，因此需要严格控制每个步骤的工艺条件和参数。
同时，刻蚀工艺的发展和突破将进一步推动微纳加工技术的创新和应用。
chap8光刻与刻蚀工艺
7
2、高灵敏度：为了提高产量要求曝光所需 要的时间越短越好，也就是要求灵敏度高。也 称感光度，以光刻胶发生化学反应所需要的最 小曝光量的倒数来表示。 3、精密的套刻对准 4、大尺寸硅片的加工 5、低缺陷 四、光刻三要素： 光刻胶、掩膜版和光刻机
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8.1 光刻工艺流程
以负胶为例来说明这八个步骤，一般 可分为： 打底膜->涂胶->前烘->曝光->显影-> 后烘（坚膜）->腐蚀（刻蚀）->去胶。
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图形转移——刻蚀
14
图形转移——剥离（lift-off）
15
去胶
溶剂去胶 （strip）：Piranha (H2SO4:H2O2)。 正胶：丙酮
氧化去胶 450 C O2+胶CO2+H2O 干法去胶（Ash)
等离子去胶（Oxygen plasma ashing） 高频电场 O2电离O－＋O＋ O＋活性基与胶反应 CO2， CO ，H2O。
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8.5 抗反射涂层工艺
使用抗反射涂层（ARC）工艺，可以降低驻波 效应的影响。 驻波效应：曝光光波在进入到光刻胶层之后， 如果没有被完全吸收，就会有一部分光波穿过光 刻胶膜达到衬底表面，这一部分光波在衬底表面 被反射之后，又回到光刻胶中。这样，反射光波 与光刻胶中的入射光波发生干涉，从而形成驻波。 表现为以λ/2n为间隔，在光刻胶中形成强 弱相间的曝光区域。会导致线宽发生变化，减低 分辨率。
44
紫外曝光的方法及各自特点
接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜 版和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小 的间隙(10～25mm)，可以大大减小掩膜版的损 伤，分辨率较低。 投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的 图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多 的曝光方式。
光刻与刻蚀工艺
张道礼 教授 Email: zhang-daoli@ Voice: 87542894
微电子工艺学
6.1 概述
扩散掺杂 掺 杂 离子注入掺杂 物理气相淀积 微电子单项工艺 薄膜制备 化学气相淀积
外 延
光 图形转移 刻 蚀 刻
6.1 概述
在集成电路制造中，主要的光刻设备是利用紫外光(≈0.2～ 0.4m)的光学仪器。 刻蚀：在光刻胶掩蔽下，根据需要形成微图形的膜层不同，采 用不同的刻蚀物质和方法在膜层上进行选择性刻蚀。 这样，去掉光刻胶以后，三维设计图形就转移到了衬底的相关 膜层上。图形转移工艺是如此重要，以至一种微电子工艺技术的水 平通常以光刻和刻蚀的图形线宽（特征尺寸）表示。
8.2 光刻工艺
光刻胶的性能参数
a. 光学性质：如灵敏度、分辨率、对比度、折射率；
b. 力学和化学性质 ：如固溶度、黏滞度、抗蚀性、热稳定性、流 动性和对环境气氛的敏感度；
c. 其它性质：如纯度、金属含量、可使用范围、有效期和燃点；
一、分辨率 分辨率是指每毫米宽度内能够光刻出可分辨的最多线对数，它 是对光刻工艺可以达到的最小图形尺寸的一种描述。在线宽 L 与 线条间距相等的情况下，分辨率为：R 1 (mm 1 ) ，光刻分辨率受 2L 光刻系统、光刻胶和光刻等多方面因素影响。
+
_ 显影后的理想光刻胶剖面
_
8.2 光刻工艺
Imin
Imax
另一个可以从对比度中得到的光刻胶性能指标是调制传输函 I max I min MTF 数（MTF），它可以用来描述曝光图形的质量： I max I min 其中Imax 和Imin 分别为曝光图形上最大和最小辐照强度。 D D 光刻胶临界调制传输函数（CMTF）为：CMTF D100 D0 100 0 CMTF的典型值约为0.4。如果一个实际光刻图形的MTF小 于所用光刻胶的CMTF，则光刻图形上的最小尺寸线条不能被分 辨。反之，则可能被分辨。 101/ 1 对比度与CMTF的关系为： CMTF 101/ 1 对于曝光系统，如果该系统对各种线条的MTF均已知，则 根据光刻胶对比度可计算出该系统能够形成的最小图形尺寸。
光刻工艺流程
光刻工艺流程光刻工艺是指利用光刻胶和光刻机将电子设计图案转移到硅片上的一种微细制造工艺。
光刻工艺被广泛应用于集成电路制造、微电子器件制造等领域。
下面将介绍一个典型的光刻工艺流程。
光刻工艺流程主要包括：准备硅片、涂覆光刻胶、暴光、显影、蚀刻和去胶等环节。
首先，准备硅片。
硅片是光刻工艺的基础，通常是由高纯度单晶硅制成的圆片。
在制造过程中，硅片需要经过酸洗、去菌、去胶等处理，确保表面的洁净和平整。
其次，涂覆光刻胶。
光刻胶是一种覆盖在硅片表面的敏感树脂。
通过旋涂机将光刻胶均匀涂覆在硅片表面，形成一层均匀的光刻胶膜。
然后，进行暴光。
将经过电子设计的掩膜放置在光刻机上，与硅片上的光刻胶膜对齐。
然后，利用紫外光源照射在掩膜上，通过透过掩膜上的光刻图案的部分，将光刻胶进行曝光。
在曝光后，光刻胶会发生化学变化，形成暴光区域和未暴光区域。
接下来，进行显影。
显影是将暴光后的光刻胶膜中的未暴光部分溶解掉，以显示出图案。
将硅片放置在显影液中，未暴光的光刻胶会溶解掉，暴光的光刻胶会保留下来。
经过显影后，图案的形状和尺寸就会出现在光刻胶膜上。
然后，进行蚀刻。
蚀刻是将暴光后的光刻胶膜作为掩膜，将硅片表面不需要的部分进行刻蚀。
通过将硅片置于蚀刻液中，蚀刻液会将暴露在外的硅片进行化学反应，使其被蚀刻掉。
而由于光刻胶的保护，光刻胶下方的硅片不会被蚀刻。
最后，去除光刻胶。
在蚀刻后，需要将光刻胶膜从硅片上去掉。
通过化学方法或机械方法去除光刻胶。
去除光刻胶后，就得到了一个具有预定图案的硅片。
整个光刻工艺流程中，每一步都十分关键，需要严格控制各个参数。
例如，在涂覆光刻胶时，需要确保涂覆的厚度均匀；在暴光时，需要保证掩膜与硅片的对位精度；在蚀刻过程中，需要控制蚀刻液的浓度和蚀刻时间等。
总之，光刻工艺是一项十分复杂且精细的微细制造工艺，它在集成电路制造、微电子器件制造等领域发挥着重要的作用。
通过严格控制每个步骤，可以获得高精度和高质量的微细图案。
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曝光时间差异
a) 、9s
b) 、10s (9.36µm )
c) 、11s (10.44µm )
d) 、12s (16.6µm )
显
碳酸氢钠（ ） 负胶 碳酸氢钠（1%）----负胶 HCL( 5% )---正胶 正胶 Nhomakorabea影
喷淋 水浴
坚 膜
在显影过程中，显影液溶解掉了需要去除的那部分光刻胶膜， 在显影过程中，显影液溶解掉了需要去除的那部分光刻胶膜，同时也使 不需要去除的光刻胶膜软化，含有过多的水分， 不需要去除的光刻胶膜软化，含有过多的水分，并且与基片的附着性变差 降低了后续刻蚀工艺的耐蚀性，必须经过一定温度和时间的烘烤， ，降低了后续刻蚀工艺的耐蚀性，必须经过一定温度和时间的烘烤，以挥 发掉残留的显影液和水分，使胶膜致密坚固， 发掉残留的显影液和水分，使胶膜致密坚固，进一步提高胶膜与基体表面 的附着力和抗化学腐蚀性，减少刻蚀时所出现的钻蚀和针孔现象。 的附着力和抗化学腐蚀性，减少刻蚀时所出现的钻蚀和针孔现象。
曝光后不可溶解 显影时未曝光的被溶解 便宜
曝光后可溶解 显影时曝光的被溶解 高分辨率
+PR & -PR基本原理 基本原理 正胶工艺
基板处理 涂胶 + 烘烤
负胶工艺
曝光
显影、 显影、光刻
+PR & -PR 树脂分子结构
正胶：曝光时切断树脂聚合体主链和从链之间的联系， 正胶：曝光时切断树脂聚合体主链和从链之间的联系，
140 120 100 T/℃ 80 60 40 20 0 0 20 40 60 t/min 80 100 120
退 胶
氢氧化钠溶液
正胶工艺
基板处理 涂胶 + 烘烤
负胶工艺
曝光
显影、 显影、光刻
光刻、显影工艺简介 光刻、
光刻胶( 光刻胶 Photo-resist )概述 概述 +PR 和 –PR的区别 的区别
描述光刻工艺的步骤
四种对准和曝光系统
光刻胶概述
光刻胶是TFT制作的基本工艺材料之一：由树脂、感光化 制作的基本工艺材料之一： 树脂、 光刻胶是 制作的基本工艺材料之一 合物、 个基本部分组成； 合物、溶剂 3 个基本部分组成； 具有光化学敏感性：被紫外光、电子束、 射线 射线、 具有光化学敏感性：被紫外光、电子束、X射线、电子束 等曝光光源照射后，发生光化学反应，溶解度发生变化； 等曝光光源照射后，发生光化学反应，溶解度发生变化；
•坚膜 •退胶
135 °C ； NaOH ；
光刻胶涂布-辊涂法 光刻胶涂布 辊涂法
辊涂法主要是利用圆筒滚动的方法来转移光刻胶，如图所示，利用辊筒 和辊筒 和辊筒2 辊涂法主要是利用圆筒滚动的方法来转移光刻胶，如图所示，利用辊筒1和辊筒 的转动将光刻胶转移在刻有精细凹槽的辊筒2上 再通过辊筒2和辊筒 和辊筒3之间的挤 的转动将光刻胶转移在刻有精细凹槽的辊筒 上，再通过辊筒 和辊筒 之间的挤 压将辊筒2上凹槽里的光刻胶转移至基片上 这种方法的最大优点是可以实现流 上凹槽里的光刻胶转移至基片上。 压将辊筒 上凹槽里的光刻胶转移至基片上。这种方法的最大优点是可以实现流 水线式运作，自动化程度高，生产效率也比较高。但是转移光刻胶均匀性不好， 水线式运作，自动化程度高，生产效率也比较高。但是转移光刻胶均匀性不好， 辊涂后的基片上也容易留下辊筒凹槽的痕迹，而且仪器清洗困难， 辊涂后的基片上也容易留下辊筒凹槽的痕迹，而且仪器清洗困难，辊筒也容易损 坏，设备的购买成本和维护成本比较高 ；
光刻胶涂布-丝网印刷法 光刻胶涂布 丝网印刷法
丝网印刷的基本原理是：利用丝网印版图文部分的网孔渗透油墨， 丝网印刷的基本原理是：利用丝网印版图文部分的网孔渗透油墨，非图文部分的 网孔不渗透油墨的基本原理进行印刷。印刷时在丝网印版一端上倒入油墨， 网孔不渗透油墨的基本原理进行印刷。印刷时在丝网印版一端上倒入油墨，用刮 印刮板在丝网印版上的油墨部位施加一定压力，同时朝丝网印版另一端移动， 印刮板在丝网印版上的油墨部位施加一定压力，同时朝丝网印版另一端移动，油 墨在移动中被刮板从图文部分的网孔中挤压到承印物上，如图所示。 墨在移动中被刮板从图文部分的网孔中挤压到承印物上，如图所示。印刷过程中 刮板始终与丝网印版和基片呈线接触，一般接触角为30-60度。这种制作方法操 刮板始终与丝网印版和基片呈线接触，一般接触角为 度 这种制作方法操 作简单、成本低、易实现大面积制作等优点 等优点。 作简单、成本低、易实现大面积制作等优点。
Mask制作 制作
注意： ！！！ 注意：正图
/ 反图
！！！
曝光剂量
曝光剂量是指光刻胶所吸收紫外光的总和， 曝光剂量是指光刻胶所吸收紫外光的总和，曝光剂量可用下 式来表示： 式来表示：
E ( x) = I ( x) × t
式中Ex为光刻胶的曝光剂量（ 式中 为光刻胶的曝光剂量（mJ/cm2），Ix为曝光灯发出的 为光刻胶的曝光剂量 为曝光灯发出的 光强（ ），t为曝光时间 为曝光时间(s)。 光强（mW/cm2）， 为曝光时间 。 在光刻工艺中， 在光刻工艺中， 当曝光剂量Ex >E0时：光刻胶显影后能完全去除； 当曝光剂量 时 光刻胶显影后能完全去除； 当曝光剂量Ex <E0时: 光刻胶显影时会残留余胶； 当曝光剂量 时 光刻胶显影时会残留余胶；
光刻胶涂布-旋转涂布法 光刻胶涂布 旋转涂布法
滴胶 基片
旋转 旋涂结果
旋转涂布也称为甩胶，用转速和旋转时间可自由设定的甩胶机来进行， 旋转涂布也称为甩胶，用转速和旋转时间可自由设定的甩胶机来进行，是利用高 速旋转的离心力作用，将光刻胶在基片表面均匀地展开，多余的光刻胶被甩掉， 速旋转的离心力作用，将光刻胶在基片表面均匀地展开，多余的光刻胶被甩掉， 最终获得一定厚度的光刻胶膜， 最终获得一定厚度的光刻胶膜，光刻胶的膜厚是由光刻胶的粘度和甩胶的转速来 控制，通常这种方法可以获得优于±2%的涂布均匀性（边缘除外）。光刻胶涂 控制，通常这种方法可以获得优于± 的涂布均匀性（边缘除外）。光刻胶涂 获得优于 的涂布均匀性 ）。 布的厚度与转速、时间、胶的特性有关系， 布的厚度与转速、时间、胶的特性有关系，此外旋转时产生的气流也会有一定的 影响。同时也存在一定的缺陷：气泡、彗星(胶层上存在的一些颗粒 条纹、 胶层上存在的一些颗粒)、 影响。同时也存在一定的缺陷：气泡、彗星 胶层上存在的一些颗粒 、条纹、边 缘效应等，其中边缘效应对于小片和不规则片尤为明显。 缘效应等，其中边缘效应对于小片和不规则片尤为明显。
高分辨率 High Resolution； ； 高光敏性 High PR Sensitivity 精确对准 Precision Alignment
+PR & -PR
Negative Photo-resist 负性光刻胶－ 负性光刻胶－负胶
Positive Photo-resist 正性光刻胶－ 正性光刻胶－正胶
前烘） 预 烘（前烘）
目的： 目的：促使胶膜内溶剂充分地 挥发，使胶膜干燥， 挥发，使胶膜干燥，以提高光 刻胶在基片上的粘附性和均匀 性，以及提高胶膜的耐磨性而 不玷污mask； 不玷污 ； 前烘温度过高或时间太长： 前烘温度过高或时间太长：会 导致光刻胶中的树脂分子发生 光聚合或交联， 光聚合或交联，造成显影困难 图形边缘锯齿严重。 ，图形边缘锯齿严重。 反之：预烘烤不充分， 反之：预烘烤不充分，光刻胶 中的溶剂仍会有部分残留在胶 膜中， 膜中，曝光时会导致胶膜与掩 膜版粘连，损害掩膜版； 膜版粘连，损害掩膜版；同时 也影响到显影的质量， 也影响到显影的质量，光刻胶 在显影时容易脱落， 在显影时容易脱落，光刻图形 不完整。 不完整。
达到削弱聚合体的目的， 达到削弱聚合体的目的，所以曝光后光刻胶在随后的显影处 理中溶解度升高，曝光后溶解度几乎是未曝光时的10倍 理中溶解度升高，曝光后溶解度几乎是未曝光时的 倍；更 高分辨率（无膨胀现象） 制造应用更为普遍； 高分辨率（无膨胀现象）在IC制造应用更为普遍； 制造应用更为普遍
负胶： 负胶：曝光时树脂聚合体主链的随机十字链接更为紧密
，并且从链下坠物增长，所以聚合体溶解度降低；由于光刻 并且从链下坠物增长，所以聚合体溶解度降低； 胶膨胀而使分辨率降低；其主溶剂， 胶膨胀而使分辨率降低；其主溶剂，如二甲苯等会引起环境 和安全问题； 和安全问题；
光刻基本步骤
• 涂胶 Photo-resist coating • 对准和曝光 Alignment and exposure • 显影 Development
详细光刻工序
•基板清洗、烘干
目的：去除污染物、颗粒； 减少针孔和其它缺陷；提高光刻胶黏附性； 目的：去除污染物、颗粒； 减少针孔和其它缺陷；提高光刻胶黏附性；
•PR涂布
小尺寸：旋涂； 中大尺寸：丝网印刷&滚轮 小尺寸：旋涂； 中大尺寸：丝网印刷 滚轮
•预烘
110 °C ；
•Mask制作、曝光
auto CAD / Corel-draw； 小型曝光机：中型曝光机 ； 小型曝光机：