Ch 4 纳米电子学简介N
合集下载
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
• 第二种类型的半导体单电 子晶体管是用刻蚀出的量 子点制作（U. Meiravand E. B. Foxman, Semicond. Sci. Technol. 10, 1995)
半导体量子点分类
(a)横向量子点结构，(b)竖直量子点结构
半导体竖直量子点
Images TEM image of a quantum dot.
漏电流功耗占总功 耗的比例变大
经典纳米电子学 弹道输运
弹道极限
准弹道输运 非弹道电子比例
漂移－扩散输运
弹道输运需要量子理论
经典纳米电子学 电导涨落
J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, M.A. Kastner, H.I. Smith, and D.A. Antoniadis（1989）
扫描探针
局部氧化制作 单电子晶体管
新器件物理
• 纳米结构中电子态 • –从能带到能级扩展态与（部分维数）局域态 • 纳米结构中载流子输运理论—量子输运理论 • –载流子的弹道输运理论——兰道尔公式 • –电子相干输运理论载流子隧穿输运理论 • –介观统计与涨落理论 • –自旋输运理论 • 器件工作原理 • –从经典电磁场和经典输运理论到量子力学和量子输运
• 除了用金属－绝缘体 （氧化层）－金属制造 单电子晶体管之外，还 可利用处于正常态和超 导态之间的金属岛制作 单电子晶体管，对此已 进行了大量研究（1994）提出了各种SET应用方案:包
括计量学中的各种应用，例 如各种电流标准在内的各种 标准
半导体单电子晶体管
• 第一个半导体单电子晶体 管是在2DEG中限制出的量 子点中制造的（J. H. F. Scott-Thomas, S. B. Field, M. A. Kastner, H. I. Smith, andD. A. Antoniadis, Phys. Rev. Lett. 62, 583 1989）
五种不同的碳结构材料：a.石墨 b. 金刚石 c.碳60 d.洋葱结构 e.碳管
自底向上制造 分子自组装
超分子蘑菇
聚合物噻吩线
超分子带锯
•自组装是指构筑基元在没有人为介入的情况下自发 地形成有序结构，它是组装的高级层次。 •其构筑基元可以是无机分子，有机小分子，高分子， 以及生物大分子等。
自底向上制造
纳米制造技术 自顶向下制造
• 纵向或竖直方向纳米制造技术 • –半导体材料表面异质外延生长 • 精度可以达到单个原子层 • 典型技术 • –分子束外延（MEB） • –金属有机化学气相沉积（MOCVD） • –化学束外延（CBE） • 可制造半导体异质结构
选择性生 长量子点 的图示
自底向上制造 合成碳纳米管
65纳米的Conroe
•2005年底、 2006年初世界 半导体市场“霸 主”英特尔量产 65nm芯片
•比ITRS2003要
求2007年实现
65nm工艺的规
划整整提前了一 65nm Conroe的晶体管数目是2亿
年
9100万
Conroe的尺寸为143平方毫米
45纳米的Penryn
2008年上半年， Intel有三座 300mm工厂生产 45nm处理器。 45nm Penryn移动 版TDP 35W，桌 面版TDP 65W， 服务器以及EE版 TDP 80W。
Chapter 4 纳电子学基础
• 本章提要： • 本章主要涉及纳电子学这门新兴学科的
入门知识，讲述了纳电子学的基本概念 及其器件应用，为以后进一步的学习打 下基础。涉及的内容比较笼统，大家的 目标主要是了解。
纳电子学简介
• 纳米电子学(也常称为“纳电子学”)是纳米科 技的重要分支之一。其主要目标是研究并且制 造超小尺寸、低功耗的电子器件及其组成系统。
新器件物理 纳米结构电子态
•描述方法 –包络函数法波包方法 •磁场对低维系统电子态的影响 –边沿态磁化电子自旋极化电子
新器件物理
量子输运理论
量子点接触 电导量子化
兰道尔公式
相当于电子 波通过单缝、 双缝、三缝 的衍射、干 涉
新器件物理
量子输运理论
扩散－漂移输运与弹道输运
L —结构的尺度, le—弹性平均自由程, lin—非弹性平均自由程
•当前信息技术不断进步主要 归功于低价格、高速度、高密 度和高可靠的信息表述和处理 方式的进步 •计算机技术取得成功的关键是 固体电子器件小型化和集成度 的持续不断提高 •先进的多媒体技术和社会对信 息处理的需求都要求进一步减 小芯片的器件尺寸
发展趋势 Moore定律
英特尔微处理器的发展规律
Intel 创始人之一 Gordon E. Moore
Intel 45nm Penryn双核处理器集成4亿1000万晶体管,四 核达到了8.2亿； Penryn的芯片尺寸在110平方毫米左右
纳米尺度器件
•90nm、65nm、45nm、…MOSFET相继问世，经 典IC的特征尺度已经达到亚100纳米的尺度范围。 •图为纳米尺度MOSFET
Intel发展趋势
Nature Nanotechnology 5, 366 - 373 (2010)
• 当三层竖直氧化锌纳米线阵列交流 发电机相互串联连接时，输入电压 可提高到0.243伏特。这个值接近二 极管的阈门电压，使得输出电荷的 储存成为可能。与此同时，运用低 温水热分解方法，通过巧妙的实验 设计和组装，研究小组在一般的柔 性基底上成功合成出700余列生长方 向和晶格取向都平行排列的水平氧 化锌纳米阵列。这些水平纳米线相 互串并联连接在一起，在仅仅0.19% 的慢性形变下，就将输出电压提高 到了1.26伏特。
量子纳米电子学
• 以量子力学现象和效应为工作原理 • 量子效应器件 • –隧穿器件 • –单电子器件 • –量子点器件 • 量子信息处理 • –量子计算与量子计算机 • –量子通讯 • –量子密钥
共振隧穿晶体 管（RTT）横 截面和工作原 理草图
单电子晶体管（SET）
• 单电子晶体管（Singleelectron transistors）是 利用能够通过栅极调节 库仑阻塞效应的结构
经典纳米电子学的困难
• MOS器件进入纳米尺度遇到： • 物理问题 • 技术上的困难 • 如何面对技术发展： • –克服困难、解决问题，维持IC进一步小型化——
了解问题和困难的实质，研究解决方案——经典 纳米电子学的核心问题 • –应对即将到来的经典电子学的极限—问题和困难 最终会终结经典电子学的寿命—为下一代电子学 作技术准备—量子纳米电子学
经典纳米电子学 技术困难
• 阻碍半导体器件进一步缩小，集成度进一步提 高的具体的技术因素：
• –强电场 • –热耗散 • –材料非均匀性的影响 • –氧化层厚度减少和非均匀性 • –工艺精度和制造价格 • –……
强电场
• 对于尺度非常小的器件，在短距离内加偏置电 压，器件中会产生很强的电场。
• 载流子在强电场加速下，并通过碰撞，使大量 电子具有很高的能量，会出现所谓载流子热化 现象。
• 由于纳米电子学研究的对象(器件、信号、功 率、能量等)处于纳米尺度。而电子在这个尺 度下其行为将明显不同于在传统电子器件中的 运行规律，即必须考虑电子的“量子效应”。 也正是因为这些量子效应工作的量子器件，才 使得人们可以开发出性能远远优于现在电子器 件的新一代产品，带来第三次的电子学革命。
信息技术发展的趋势
•总的漏电流达 到一定程度就会 影响器件的功能
精度和价格
• 现代集成电路生产设备和生产线的价格 已高达以亿元为单位
• 但是它仍然不能满足纳米尺度的工艺精 度要求
• 研制、开发、制备下一代，精度更高的 生产设备，其价格将是天文数字。
• 经济因素也会成为制约现代半导体技术 及一步发展的障碍
经典纳米电子学极限预测
漏电流的功率
非均匀性
• 若MOSFET栅长50nm,栅宽100nm，如果 沟道载流子数目为2＊1012/cm2,沟道中平 均有100个电子。
• 如果存在单个杂质涨落，引起沟道电导 变化为实际电导的40％。
• 这是非常显著的涨落
介质厚度
• 氧化层薄到一定尺度就不能阻止电子从栅极漏 出而到达漏极
•当氧化层不均 匀时，通过薄的 地方的漏电流会 很大，这些漏电 流也包括通过氧 化层的直接隧穿 电流。
集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个 月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
发展趋势 Moore定律如何延续？
存储器的发展历程
发展趋势 硅工业
硅技术创 造了今天 信息技术 的神话
极限？
量子器件 是未来的 神话
纳米电子学是工业发展的必然
2005预测 (ITRS)—The International Technology Roadmap for Semiconductors
不同形状的半导体量子点
2DEG加上横向限制量子点
共振隧穿量子点 两个耦合量子点
纳米电子学的三大领域
• 纳米精度的制造技术 • –纳米制造技术 • 新器件物理 • –经典器件量子效应模拟 • –量子器件物理 • 新的信息处理方法 • –纳米电路创新 • –量子信息技术
纳米制造技术
• 自顶向下（Top-down）: • –去掉多余的材料制造纳米客体 • –异质外延生长技术纳米光刻技术 • 自底向上（Bottom-up） • –用更小的单元（原子、分子）制造纳米客体 • –扫描探针技术 • –自组织生长技术或自组装技术 • –分子电子与化学技术 • –有机分子电子与生物技术
特征尺度节点
90纳米的Prescott
•经典纳米电子学时 代开始的标志
–2003年下半年英特尔等世 界顶级IC公司陆续量产 90nm芯片
Prescott 所采用的 半导体工 艺
栅极宽度 50nm
技术的实际发展比国际半导体 技术蓝图ITRS2001／2003预 测2004年实现90nm工艺的规 划提前了一年
• 王中林说，这种三维设计的多层纳 米发电机也为未来大规模实际应用 提供了一条可行的实施方案，如收 集风能、潮汐能、引擎的转动、空 调或其他机器运转时的机械能、人 行走时肌肉的伸缩能或脚对地面的 压缩能，甚至在人体内由于呼吸、 心跳或血液流动带来的体内某处压 力的细微变化而产生的机械能等。
•
树立质量法制观念、提高全员质量意 识。20.1 0.2120.1 0.21We dnesda y, October 21,2020
wenku.baidu.com
经典纳米电子学 物理问题
• 物理效应 –量子效应 •量子化效应 •隧穿效应 •干涉效应
• –介观效应 •弹道输运 •电导涨落 •单电子现象 •散粒噪声
经典纳米电子学 量子化效应
(a) 势阱和量子化能级
(b) 经典与量子力 学电荷密度对比
经典纳米电子学 隧穿效应
热发射 FN隧穿 直接隧穿 束缚态隧穿 带－带隧穿
新器件物理
纳米量子器件
自旋电子器件
新器件物理
纳米器件进程
王中林小组开发出具有高电压输出纳米发电机
（a）基于垂直于基片生长的纳米线所设计的纳米发电机 （(VING）。（b）基于平行于基片多行生长的纳米线所设计 的纳米发电机（LING）。（c）基于一行平行于基片生长的氧 化锌纳米线所组成的纳米发电机。（d）在微小形变下能产生 1.2伏输出电压的纳米发电机的光学照片。
• 具有很高的能量的电子跑出半导体，引起“雪 崩击穿”，电流急剧增加并且器件受到破坏。
• 这个问题在纳米尺度半导体器件中会很严重
热耗散
• 随着器件尺寸缩小和集成电路密度提高，散热问题 会越来越严重
• 由于过热会引起电路失效，所以必须限制集成电路 的热功率
热功耗对 于任何类 型纳米尺 度器件的 高密度封 装都是严 重的问题
新器件物理
纳米结构电子态
•低维限制系统中的电子状态密度
–二维系统 一维系统 零维系统
新器件物理
纳米结构电子态
•低维限制系统中的电子状态
二维系统（一维限制）——一维量子阱，二维 电子气
一维系统（两维限制） ——一维量子线 零维系统（三维限 制）——原子、三维箱 中粒子、刚性球中的粒 子
一维量子线电子波函数
•
人生得意须尽欢，莫使金樽空对月。2 1:37:24 21:37:24 21:3710/21/202 0 9:37:24 PM
•
安全象只弓，不拉它就松，要想保安 全，常 把弓弦 绷。20.1 0.2121: 37:2421: 37Oct-2 021-Oct-20
•
加强交通建设管理，确保工程建设质 量。21: 37:2421: 37:2421 :37Wed nesday, October 21,2020
半导体量子点分类
(a)横向量子点结构，(b)竖直量子点结构
半导体竖直量子点
Images TEM image of a quantum dot.
漏电流功耗占总功 耗的比例变大
经典纳米电子学 弹道输运
弹道极限
准弹道输运 非弹道电子比例
漂移－扩散输运
弹道输运需要量子理论
经典纳米电子学 电导涨落
J.H.P. Scott-Thomas, S.B. Field, M.A. Kastner, H.I. Smith, and D.A. Antoniadis（1989）
扫描探针
局部氧化制作 单电子晶体管
新器件物理
• 纳米结构中电子态 • –从能带到能级扩展态与（部分维数）局域态 • 纳米结构中载流子输运理论—量子输运理论 • –载流子的弹道输运理论——兰道尔公式 • –电子相干输运理论载流子隧穿输运理论 • –介观统计与涨落理论 • –自旋输运理论 • 器件工作原理 • –从经典电磁场和经典输运理论到量子力学和量子输运
• 除了用金属－绝缘体 （氧化层）－金属制造 单电子晶体管之外，还 可利用处于正常态和超 导态之间的金属岛制作 单电子晶体管，对此已 进行了大量研究（1994）提出了各种SET应用方案:包
括计量学中的各种应用，例 如各种电流标准在内的各种 标准
半导体单电子晶体管
• 第一个半导体单电子晶体 管是在2DEG中限制出的量 子点中制造的（J. H. F. Scott-Thomas, S. B. Field, M. A. Kastner, H. I. Smith, andD. A. Antoniadis, Phys. Rev. Lett. 62, 583 1989）
五种不同的碳结构材料：a.石墨 b. 金刚石 c.碳60 d.洋葱结构 e.碳管
自底向上制造 分子自组装
超分子蘑菇
聚合物噻吩线
超分子带锯
•自组装是指构筑基元在没有人为介入的情况下自发 地形成有序结构，它是组装的高级层次。 •其构筑基元可以是无机分子，有机小分子，高分子， 以及生物大分子等。
自底向上制造
纳米制造技术 自顶向下制造
• 纵向或竖直方向纳米制造技术 • –半导体材料表面异质外延生长 • 精度可以达到单个原子层 • 典型技术 • –分子束外延（MEB） • –金属有机化学气相沉积（MOCVD） • –化学束外延（CBE） • 可制造半导体异质结构
选择性生 长量子点 的图示
自底向上制造 合成碳纳米管
65纳米的Conroe
•2005年底、 2006年初世界 半导体市场“霸 主”英特尔量产 65nm芯片
•比ITRS2003要
求2007年实现
65nm工艺的规
划整整提前了一 65nm Conroe的晶体管数目是2亿
年
9100万
Conroe的尺寸为143平方毫米
45纳米的Penryn
2008年上半年， Intel有三座 300mm工厂生产 45nm处理器。 45nm Penryn移动 版TDP 35W，桌 面版TDP 65W， 服务器以及EE版 TDP 80W。
Chapter 4 纳电子学基础
• 本章提要： • 本章主要涉及纳电子学这门新兴学科的
入门知识，讲述了纳电子学的基本概念 及其器件应用，为以后进一步的学习打 下基础。涉及的内容比较笼统，大家的 目标主要是了解。
纳电子学简介
• 纳米电子学(也常称为“纳电子学”)是纳米科 技的重要分支之一。其主要目标是研究并且制 造超小尺寸、低功耗的电子器件及其组成系统。
新器件物理 纳米结构电子态
•描述方法 –包络函数法波包方法 •磁场对低维系统电子态的影响 –边沿态磁化电子自旋极化电子
新器件物理
量子输运理论
量子点接触 电导量子化
兰道尔公式
相当于电子 波通过单缝、 双缝、三缝 的衍射、干 涉
新器件物理
量子输运理论
扩散－漂移输运与弹道输运
L —结构的尺度, le—弹性平均自由程, lin—非弹性平均自由程
•当前信息技术不断进步主要 归功于低价格、高速度、高密 度和高可靠的信息表述和处理 方式的进步 •计算机技术取得成功的关键是 固体电子器件小型化和集成度 的持续不断提高 •先进的多媒体技术和社会对信 息处理的需求都要求进一步减 小芯片的器件尺寸
发展趋势 Moore定律
英特尔微处理器的发展规律
Intel 创始人之一 Gordon E. Moore
Intel 45nm Penryn双核处理器集成4亿1000万晶体管,四 核达到了8.2亿； Penryn的芯片尺寸在110平方毫米左右
纳米尺度器件
•90nm、65nm、45nm、…MOSFET相继问世，经 典IC的特征尺度已经达到亚100纳米的尺度范围。 •图为纳米尺度MOSFET
Intel发展趋势
Nature Nanotechnology 5, 366 - 373 (2010)
• 当三层竖直氧化锌纳米线阵列交流 发电机相互串联连接时，输入电压 可提高到0.243伏特。这个值接近二 极管的阈门电压，使得输出电荷的 储存成为可能。与此同时，运用低 温水热分解方法，通过巧妙的实验 设计和组装，研究小组在一般的柔 性基底上成功合成出700余列生长方 向和晶格取向都平行排列的水平氧 化锌纳米阵列。这些水平纳米线相 互串并联连接在一起，在仅仅0.19% 的慢性形变下，就将输出电压提高 到了1.26伏特。
量子纳米电子学
• 以量子力学现象和效应为工作原理 • 量子效应器件 • –隧穿器件 • –单电子器件 • –量子点器件 • 量子信息处理 • –量子计算与量子计算机 • –量子通讯 • –量子密钥
共振隧穿晶体 管（RTT）横 截面和工作原 理草图
单电子晶体管（SET）
• 单电子晶体管（Singleelectron transistors）是 利用能够通过栅极调节 库仑阻塞效应的结构
经典纳米电子学的困难
• MOS器件进入纳米尺度遇到： • 物理问题 • 技术上的困难 • 如何面对技术发展： • –克服困难、解决问题，维持IC进一步小型化——
了解问题和困难的实质，研究解决方案——经典 纳米电子学的核心问题 • –应对即将到来的经典电子学的极限—问题和困难 最终会终结经典电子学的寿命—为下一代电子学 作技术准备—量子纳米电子学
经典纳米电子学 技术困难
• 阻碍半导体器件进一步缩小，集成度进一步提 高的具体的技术因素：
• –强电场 • –热耗散 • –材料非均匀性的影响 • –氧化层厚度减少和非均匀性 • –工艺精度和制造价格 • –……
强电场
• 对于尺度非常小的器件，在短距离内加偏置电 压，器件中会产生很强的电场。
• 载流子在强电场加速下，并通过碰撞，使大量 电子具有很高的能量，会出现所谓载流子热化 现象。
• 由于纳米电子学研究的对象(器件、信号、功 率、能量等)处于纳米尺度。而电子在这个尺 度下其行为将明显不同于在传统电子器件中的 运行规律，即必须考虑电子的“量子效应”。 也正是因为这些量子效应工作的量子器件，才 使得人们可以开发出性能远远优于现在电子器 件的新一代产品，带来第三次的电子学革命。
信息技术发展的趋势
•总的漏电流达 到一定程度就会 影响器件的功能
精度和价格
• 现代集成电路生产设备和生产线的价格 已高达以亿元为单位
• 但是它仍然不能满足纳米尺度的工艺精 度要求
• 研制、开发、制备下一代，精度更高的 生产设备，其价格将是天文数字。
• 经济因素也会成为制约现代半导体技术 及一步发展的障碍
经典纳米电子学极限预测
漏电流的功率
非均匀性
• 若MOSFET栅长50nm,栅宽100nm，如果 沟道载流子数目为2＊1012/cm2,沟道中平 均有100个电子。
• 如果存在单个杂质涨落，引起沟道电导 变化为实际电导的40％。
• 这是非常显著的涨落
介质厚度
• 氧化层薄到一定尺度就不能阻止电子从栅极漏 出而到达漏极
•当氧化层不均 匀时，通过薄的 地方的漏电流会 很大，这些漏电 流也包括通过氧 化层的直接隧穿 电流。
集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个 月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
发展趋势 Moore定律如何延续？
存储器的发展历程
发展趋势 硅工业
硅技术创 造了今天 信息技术 的神话
极限？
量子器件 是未来的 神话
纳米电子学是工业发展的必然
2005预测 (ITRS)—The International Technology Roadmap for Semiconductors
不同形状的半导体量子点
2DEG加上横向限制量子点
共振隧穿量子点 两个耦合量子点
纳米电子学的三大领域
• 纳米精度的制造技术 • –纳米制造技术 • 新器件物理 • –经典器件量子效应模拟 • –量子器件物理 • 新的信息处理方法 • –纳米电路创新 • –量子信息技术
纳米制造技术
• 自顶向下（Top-down）: • –去掉多余的材料制造纳米客体 • –异质外延生长技术纳米光刻技术 • 自底向上（Bottom-up） • –用更小的单元（原子、分子）制造纳米客体 • –扫描探针技术 • –自组织生长技术或自组装技术 • –分子电子与化学技术 • –有机分子电子与生物技术
特征尺度节点
90纳米的Prescott
•经典纳米电子学时 代开始的标志
–2003年下半年英特尔等世 界顶级IC公司陆续量产 90nm芯片
Prescott 所采用的 半导体工 艺
栅极宽度 50nm
技术的实际发展比国际半导体 技术蓝图ITRS2001／2003预 测2004年实现90nm工艺的规 划提前了一年
• 王中林说，这种三维设计的多层纳 米发电机也为未来大规模实际应用 提供了一条可行的实施方案，如收 集风能、潮汐能、引擎的转动、空 调或其他机器运转时的机械能、人 行走时肌肉的伸缩能或脚对地面的 压缩能，甚至在人体内由于呼吸、 心跳或血液流动带来的体内某处压 力的细微变化而产生的机械能等。
•
树立质量法制观念、提高全员质量意 识。20.1 0.2120.1 0.21We dnesda y, October 21,2020
wenku.baidu.com
经典纳米电子学 物理问题
• 物理效应 –量子效应 •量子化效应 •隧穿效应 •干涉效应
• –介观效应 •弹道输运 •电导涨落 •单电子现象 •散粒噪声
经典纳米电子学 量子化效应
(a) 势阱和量子化能级
(b) 经典与量子力 学电荷密度对比
经典纳米电子学 隧穿效应
热发射 FN隧穿 直接隧穿 束缚态隧穿 带－带隧穿
新器件物理
纳米量子器件
自旋电子器件
新器件物理
纳米器件进程
王中林小组开发出具有高电压输出纳米发电机
（a）基于垂直于基片生长的纳米线所设计的纳米发电机 （(VING）。（b）基于平行于基片多行生长的纳米线所设计 的纳米发电机（LING）。（c）基于一行平行于基片生长的氧 化锌纳米线所组成的纳米发电机。（d）在微小形变下能产生 1.2伏输出电压的纳米发电机的光学照片。
• 具有很高的能量的电子跑出半导体，引起“雪 崩击穿”，电流急剧增加并且器件受到破坏。
• 这个问题在纳米尺度半导体器件中会很严重
热耗散
• 随着器件尺寸缩小和集成电路密度提高，散热问题 会越来越严重
• 由于过热会引起电路失效，所以必须限制集成电路 的热功率
热功耗对 于任何类 型纳米尺 度器件的 高密度封 装都是严 重的问题
新器件物理
纳米结构电子态
•低维限制系统中的电子状态密度
–二维系统 一维系统 零维系统
新器件物理
纳米结构电子态
•低维限制系统中的电子状态
二维系统（一维限制）——一维量子阱，二维 电子气
一维系统（两维限制） ——一维量子线 零维系统（三维限 制）——原子、三维箱 中粒子、刚性球中的粒 子
一维量子线电子波函数
•
人生得意须尽欢，莫使金樽空对月。2 1:37:24 21:37:24 21:3710/21/202 0 9:37:24 PM
•
安全象只弓，不拉它就松，要想保安 全，常 把弓弦 绷。20.1 0.2121: 37:2421: 37Oct-2 021-Oct-20
•
加强交通建设管理，确保工程建设质 量。21: 37:2421: 37:2421 :37Wed nesday, October 21,2020