离子束溅射仪的使用

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聚焦离子束溅射(FIB)

聚
题目：A Review of Focused Ion Beam Sputtering
作者：Mohammad Yeakub Ali, Wayne Hung and Fu Yongqi
期刊：International journal of precision engineering and manufacturing vol. 11, no. 1, pp. 157-170
3FIB溅射模型
尽管FIB溅射能制备高精确度的微元件，控制溅射深度是相当困难的。如果衬底的材料既不是集成电路，也不是晶圆，那么SIMS（二次离子质谱技术）能以20nm的精确度探测并鉴定出过渡层。但是，对于单一组成的材料而言，SIMS技术则无法使用。这样就导致末端点的检测成为FIB溅射的难点。表面粗糙度的估测则是FIB溅射微加工中的另一个关键性问题。在如下几个部分中，若干模型被讨论如何达到期望的溅射深度、几何完整性以及表面抛光处理。
他们较高的质量能诱导溅射效应的发生。加速电压使离子在接地点加速，加速电压越高，离子移动速度越快
2.1仪器
基本的单波束仪器由液态金属离子源、一个离子柱、样品载台、真空腔组成。
典型的离子束显微镜包括液态金属离子源及离子引出极、预聚焦极、聚焦极所用的高压电源、电对中、消像散电子透镜、扫描线圈、二次粒子检测器、可移动的样品基座、真空系统、抗振动和磁场的装置、电路控制板和电脑等硬件设备。
在给定入射角度的溅射产额随有多种因素变化，通道的晶体取向。容易的通道取向，离子只经历非弹性作用，与躺在晶面里样品原子掠射角碰撞，在引起弹性散射前，深入晶体内部，因此只有少数原子从表面被溅射。这好比晶体取向效应对低能电子产额的影响。在垂直晶界的溅射通道效应。溅射剖面图还有赖于在样品表面扫描光栅的方向和序列。例如，环形的溅射轮廓，被快速和重复的扫描切割，与慢扫描逐点切割不同。

离子束溅射仪的使用

离子束溅射仪器的使用1、装样品1）充气：打开充气旋钮，使得空气进入钟罩。

2）开电源总开关，接通电源。

3）升钟罩：将“升”开关拨到下方，待钟罩升到合适位置时，按住“停”按钮，钟罩停止上升，将“升”开关拨回到上方。

4）放样品：将放有样品的载物台固定到钟罩中。

5）降钟罩：按一下“降”按钮，钟罩开始往下降，降到适当的位置使得钟罩密封时自动停止。

（注意，在钟罩将要降到底时可以在前边稍往上抬钟罩，以保证钟罩的密封效果，利于后面的真空抽取。

）6）将充气旋钮旋紧。

2、抽真空1）抽低真空：样品装好后，再一次确认充气旋钮已旋紧。

然后将电源开关旋钮打到机械泵，打开低真空计。

2）（逆时针）旋转管道阀门Ⅰ，在旋转到最满时回旋1-2圈；过一会后（一般这时候真空机压强在10Pa左右），逆时针旋转打开管道阀门Ⅱ。

3）上面步骤完成后，机械泵抽一段时间后，当真空计读数在6-5Pa左右时，可打开扩散泵。

4）通冷却水，再将电源开关旋到扩散泵。

5）约半小时后，关闭管道阀门Ⅰ，（逆时针）打开打开扩散泵旋钮（至满回旋1-2圈）。

这时候低真空计压强将会突然变大，待压强再一次回到<10Pa后，打开高真空计（方法看下一步）。

6）抽高真空：按下高真空计电源开关，再按下灯丝按钮；将压强档打到10-1档，抽真空到压强小于1×10-1Pa时，可打到10-2档，依次类推，知道满足自己的需要（一般最大能达到×10-3档）。

3、溅射1）先讲溅射装置打开，有加速电压、中和电压、阴极电流和阳极电压。

（注意还有外接的毫安表，这是用来测试流过靶材的电流。

）2）先将真空计回旋一档（×10-2），通Ar气，当达到满足的要求时位置（通气时要慢慢的旋转通气旋钮，防止通气忽大忽小不易控制。

）3）调加速电压（如200V），屏级电压（如1000V），阴极电流（如12A）和阳极电压（如55V）进行溅射。

（调剂经验：在加速电压调好后，先调节屏级电压到要求值，然后调节阴极电流和阳极电压到比预定值稍小，最后通过协调这三个旋钮调出束流。

离子溅射仪的工作原理

离子溅射仪的工作原理
嘿，朋友们！今天咱来聊聊离子溅射仪这玩意儿的工作原理哈。

你说这离子溅射仪啊，就像是一个神奇的魔法盒子。

它里面有离子在欢快地跳动呢！想象一下，这些离子就像一群小精灵，在里面忙碌地工作着。

那它到底是咋工作的呢？简单来说呀，就是先有个靶材，这靶材就好比是小精灵们的舞台。

然后呢，通过一些特殊的手段，让气体变成离子态。

这些离子可厉害啦，它们会像小炮弹一样冲向靶材。

哎呀，这一冲可不得了，就会从靶材上撞下一些小颗粒来。

这些小颗粒就像是从舞台上洒落的星星点点，然后呢，它们就会乖乖地附着在我们要处理的样品上。

这过程是不是很有意思呀？
就好像我们平时做手工，要把一些漂亮的装饰贴到物品上一样。

只不过离子溅射仪这个“手工大师”更厉害，它能做得特别精细、特别均匀。

你想想看呀，如果没有离子溅射仪，我们好多高科技的东西可就没法制造出来啦。

比如那些超级精细的电子元件，没有它给它们披上那层薄薄的“外衣”，那还能正常工作吗？
离子溅射仪的工作原理其实并不复杂，但它却有着大用处呢！它能让我们的材料变得更加优秀，性能更加出色。

所以说呀，科技的力量真是不可小觑。

离子溅射仪就是这样一个看似普通却又无比重要的小盒子，它在默默地为我们的科技发展贡献着力量呢！咱可得好好感谢它呀，是它让我们的生活变得更加美好，更加精彩！你们说是不是呀！。

离子束溅射

离子束溅射
离子束溅射（Ion Beam Sputtering，IBS）是一种物理溅射方式，利用离子束将材料溅射到另一种物质表面上。

它使用加速的离子束发生碰撞和释放能量，从而将被溅射物质激烈地离开原位，形成粒子流，这些粒子会击中目标表面，因此在溅射表面形成一层薄膜。

离子束溅射技术可以用来制备各种材料的膜、涂层或其他复合材料，广泛应用于航空航天、半导体、信息存储、光学等多个领域。

由于它的超微细粒度和均匀分布，离子束溅射可以用来制备更好的磁性记录层、光学膜和涂层材料。

离子束溅射讲解学习

离子束溅射
1.离子束溅射的基本原理
产生离子束的独立装置被称为离子枪，它提供一定的束流强度、一定能量的Ar离子流。离子束以一定的入射角度轰击靶材并溅射出其表层的原子，后者沉积到衬底表面即形成薄膜。在靶材不导电的情况下，需要在离子枪外或是在靶材的表面附近，用直接对离子束提供电子的方法，中和离子束所携
2.4 溅射产额与入射离子能量的关系
这个图给出的是Ni的溅射产额与入射离子能量之间的关系。由图可以清楚地看出的规律是：从一定阈值开始有溅射，随着入射离子能量的增加，溅射产额增加。然后又逐渐下降。这是因为：随着入射离子能量的增加，位移原子的数目及能量都跟着增加，但另一方面，当入射离子能量增加时，它射入晶格更深处，而深处的位移原子并不能从表面上逸出，因而溅射产额降低，这两个因数决定了溅射与入射离子能量的关系。
2.5 溅射产额与衬底温度的关系
这个图给出了35KeV的Co+轰击Si靶，在Si基底上的相对溅射产额与衬底温度的关系图，从图可知，随着衬底温度的升高，相对溅射产额逐渐降低。导致溅射产额下降的主要原因是，当温度升高时，有一部分离子穿入到膜的内部，从而把能量消耗在材料内部。另一方面，由于温度的升高，晶格原子的布郎运动加剧，阻止了离子进一步遂穿到膜内部，从而有助于产额的提高。但由于设备不能够提供足够高的温度，所以图中没有最低点和逐渐上升的部分。
溅射产额
溅射产额指的是一个初级离子平均从表面上溅射的粒子数。也就是指平均每入射一个粒子从靶表面溅射出来的原子数，即
溅射出来的原子数 Y 每入射一个粒子
影响溅射产额的因素
❖ 靶材料的表面结构、原子序数 ❖ 入射离子的角度、能量 ❖ 衬底温度
2.1 溅射产额与靶表面的关系

ETD-900型离子溅射仪使用说明书

ETD-900型离子溅射仪使用说明书目录一. 离子溅射仪的工作原理和组成二. 离子溅射仪的一般操作步骤三. 基本参数四. 经验分享一. 离子溅射仪的工作原理和组成（参考图1）离子溅射仪的工作原理是在一个较低真空的腔体内，在负电极和正电极之间加载几百伏特以上的电压，产生辉光放电，在电场的作用下加速正离子轰击靶电极（负极），引起靶中原子溅射，在样品上形成一层簿膜。

溅射原子的平均能量是10eV，所以会产生很大的热量，请注意被镀材料特性，是否需要采取特殊的防护方法，使样品不被灼伤。

其基本组成和作用如下：1.上盖：密闭样品真空室；2.上部电极：安装镀膜材料的装置（负极）；3.样品台：固定被镀样品的装置（阳极）；4.定时选择开关(TIME-SECONDS)：旋转此开关，设置镀膜时间。

注意：定时器有三种状态：停止、暂停和运行；5. 电源开关（START PUMP）：搬动此开关，确定设备工作状态；6.手动开关(SET PLASMA)：按下此开关，测试溅射电流强弱。

在定时器工作期间不起作用；7.启动开关(START PROCESS)：按触此开关，启动定时器及加载溅射电压。

如果在溅射期间，发生过流保护，再次加载溅射电压时，需要再次按触此开关；8. 微调进气阀门(LEAK)：旋转此钮，控制样品真空室中的真空度，调整溅射电流。

可以通入多种气体；9. 限流指示灯(CURREN LIMIL)：此灯亮起，提示当前若加载溅射电压将过载；10. 电流指示表(PROCESS CURRENT)：显示当前电离电流值；11. 真空指示表(CHAMBER PRESSURE)：显示当前设备的真空度；二. 离子溅射仪的一般操作步骤1.放置样品，合上上盖；2.选择溅射时间；3. 打开电源开关（START PUMP）。

观察真空指示表(CHAMBER PRESSURE)。

当真空度到达4×10⁻ 2 托，可以调整“微调进气阀”(LEAK)降低真空度到适合的值；4. 触按“启动开关”(START PROCESS)。

磁控溅射与分子束外延安全操作及保养规程

磁控溅射与分子束外延安全操作及保养规程1. 引言磁控溅射和分子束外延是一种常用的薄膜生长技术，广泛应用于材料科学、表面工程、光电子学和纳米器件制备等领域。

然而，这些技术涉及高温、高真空和高能量密度等危险因素，因此在操作过程中必须严格遵循安全操作规程，以确保实验人员的人身安全和设备的正常运行。

本文将介绍磁控溅射和分子束外延的安全操作规程和日常保养注意事项。

2. 磁控溅射安全操作规程2.1 准备工作•安全防护：佩戴防护眼镜、手套和防护服，确保人身安全。

•仪器检查：检查溅射装置的各个部件是否完好无损，确保仪器正常工作。

•工作环境：确保操作场所干燥、通风良好，避免引发火灾和爆炸。

2.2 操作步骤1.打开溅射装置的真空泵，并监控真空度的变化，确保达到所需的工作真空度。

2.将待沉积的靶材安装到溅射装置中，并确保靶材表面干净平整。

3.连接电源，确保正负极的接线正确，避免电源短路。

4.打开气体进气阀，将工作气体注入溅射装置，注意控制气体流量和压力。

5.打开溅射源开关，产生磁场并加热靶材，开始溅射过程。

6.溅射结束后，关闭气体进气阀，关闭溅射源开关，待装置冷却后方可停止真空泵运行。

7.清理工作区域，清除沉积物和废气，保持工作区环境整洁。

2.3 安全注意事项•高真空环境下操作时，避免突然打开大气门，以免引起爆炸或损坏真空装置。

•注意靶材的选择和安装，避免使用破损或有毒的靶材。

•在溅射过程中，要随时检查溅射源和真空泵的运行情况，确保仪器正常工作。

•操作过程中禁止随意触碰溅射源和加热装置，以免烫伤。

•操作完成后，尽量将溅射装置恢复至初始状态，避免对下次实验产生影响。

3. 分子束外延安全操作规程3.1 准备工作•安全防护：佩戴防护眼镜、手套和防护服，确保人身安全。

•仪器检查：检查分子束外延装置的各个部件是否完好无损，确保仪器正常工作。

•工作环境：确保操作场所干燥、通风良好，避免引发火灾和爆炸。

3.2 操作步骤1.打开分子束外延装置的真空泵，并监控真空度的变化，确保达到所需的工作真空度。

rpd溅射原理

rpd溅射原理RPD溅射原理引言：RPD溅射（Reactive Pulsed Deposition）是一种薄膜制备技术，通过高能量离子束轰击靶材表面，使靶材表面原子释放出来并沉积在基底上形成薄膜。

本文将介绍RPD溅射原理及其应用。

一、RPD溅射原理1. 离子束轰击RPD溅射中，使用离子束轰击靶材表面。

离子束是由离子源产生的，通过加速器加速到一定能量后轰击靶材表面。

离子束的能量决定了靶材表面原子的释放程度。

2. 靶材原子释放当离子束轰击靶材表面时，靶材表面原子会受到离子束的冲击而释放出来。

这些释放的原子会以高能量的形式沉积在基底上。

离子束的轰击使得靶材表面原子与基底原子发生碰撞并结合。

3. 薄膜沉积释放的原子沉积在基底上，形成一层薄膜。

这些原子在基底表面扩散并结合，形成致密的薄膜结构。

薄膜的性质取决于靶材的成分和离子束的能量。

二、RPD溅射的应用1. 防护膜由于RPD溅射制备的薄膜具有致密的结构和优异的附着力，可以用于制备防护膜。

防护膜可以在金属表面形成一层保护层，防止金属表面受到氧化、腐蚀等因素的侵蚀。

2. 光学薄膜RPD溅射可以制备高质量的光学薄膜。

通过控制离子束的能量和靶材的成分，可以制备出具有特定折射率、透过率和反射率的光学薄膜。

这些薄膜在光学器件和光学仪器中有着广泛的应用。

3. 硬质涂层RPD溅射制备的薄膜具有高硬度和耐磨性，可以用于制备硬质涂层。

硬质涂层可以提高材料的抗磨损性能，延长材料的使用寿命。

因此，RPD溅射在汽车、航空航天等领域有着重要的应用。

4. 电子器件RPD溅射可以制备高质量的导电膜和绝缘膜，用于制备电子器件中的电极和绝缘层。

这些薄膜具有良好的导电性和绝缘性能，能够提高电子器件的性能和稳定性。

总结：RPD溅射是一种常用的薄膜制备技术，通过离子束的轰击和靶材表面原子的释放，可以制备出具有特定性质的薄膜。

RPD溅射在防护膜、光学薄膜、硬质涂层和电子器件等领域有着广泛的应用。

随着科技的不断进步，RPD溅射技术将会得到更广泛的应用和发展。

离子束溅射

离子束溅射离子束溅射是世界上最先进的技术之一，它利用离子束溅射技术来实现超精确的表面处理或修饰。

离子束溅射可以用来在金属、陶瓷或玻璃材料表面生成具有特殊性能的结构，其厚度可以达到几十到几百纳米。

这种技术可以在原子级上精确控制物质结构，从而产生更丰富的功能性材料，并创造出更多新的应用。

离子束溅射技术最初是由国际原子能机构在20世纪50年代发展的，而20世纪80年代发展出的技术，是把离子束技术的用途扩大到了表面改性、表面清洗、表面涂层以及电子材料等方面。

离子束溅射技术的应用主要分为四大类：用作特定表面处理（如涂层）的表面反应，用作表面粗糙度修改的表面组成改变，用作表面调节的表面组织改变，以及用作表面功能化的表面/界面改性。

离子束溅射技术有很多优点，其中包括结构精准、制备成本低、施工速度快、表面质量良好、可靠性高、耐腐蚀性好等，它可以实现超精确表面处理或修饰，从而改善产品机械性能、抗腐蚀性能和耐磨性能，大大提高产品的使用寿命。

此外，离子束溅射还可以用来制作功能涂层，比如涂层用于抗腐蚀、抗紫外线、抗振动和抗氧化等，它还可以提高真空绝热效果，减少物体的模拟信号干扰。

离子束溅射技术在国内应用也越来越广泛，它在军工、航空航天以及汽车等行业已有重要作用。

由于离子束技术很难控制制备过程，也就是说它不能用于大量生产，不能满足大规模应用，所以离子束技术在实际应用中一般只用于小批量的精密零件的生产和特殊功能的表面处理，对于这类应用，离子束技术的优点将能够得到充分发挥。

总之，离子束溅射技术是一种高精度、高效率、结构精准的表面处理技术，它在表面改性、表面清洗、表面涂层以及电子材料等方面具有重要应用，有利于提高产品机械性能、抗腐蚀性能和耐磨性能，对于小批量精密零件的生产和特殊功能的表面处理有重要作用。

离子溅射仪结构

离子溅射仪结构离子溅射仪是一种重要的表面分析仪器，用于研究材料表面的组成、结构和性质。

其主要原理是利用高能离子轰击样品表面，使得样品表面发生化学反应、物理变化等现象，并通过对反应产物的分析来获得有关样品表面的信息。

本文将详细介绍离子溅射仪的结构。

一、离子源离子源是离子溅射仪中最重要的部件之一，其主要作用是产生高能离子束。

常见的离子源有电喷雾源、电弧放电源、激光蒸发源等。

其中，电喷雾源是目前应用最广泛的一种。

1. 电喷雾源电喷雾源是将液态样品通过高压喷嘴雾化成小液滴，并在高压电场作用下形成带电液滴，在真空环境中经过干燥和加速后形成离子束。

其优点是可以直接使用液态样品进行分析，并且产生的离子束能量较低，不会对样品造成太大损伤。

2. 电弧放电源电弧放电源是利用电弧放电的方式产生离子束。

其优点是产生的离子束能量较高，能够对样品进行剥离，但缺点是需要使用固态样品，并且容易对样品造成较大损伤。

3. 激光蒸发源激光蒸发源是利用激光将样品表面局部加热，使得样品表面产生蒸发和剥离现象，并形成离子束。

其优点是可以对非导体材料进行分析，但缺点是需要使用高功率激光器，并且容易对样品造成较大损伤。

二、加速器加速器是将离子束加速到一定能量的部件。

常见的加速器有静电加速器、磁聚焦加速器等。

1. 静电加速器静电加速器是利用静电场将带电粒子加速到一定能量的装置。

其优点是结构简单、能耗低、稳定性好，但缺点是粒子束容易发散。

2. 磁聚焦加速器磁聚焦加速器则通过在粒子轨道上施加磁场来实现粒子束的聚焦和定向。

其优点是能够将粒子束聚焦到较小的直径，但缺点是结构复杂、能耗较高。

三、样品台样品台是离子溅射仪中用于支持和定位样品的部件。

常见的样品台有旋转样品台、平移样品台等。

1. 旋转样品台旋转样品台可以使得离子束均匀地照射到整个样品表面，从而获得更加准确的分析结果。

其优点是结构简单、操作方便，但缺点是不能进行局部分析。

2. 平移样品台平移样品台则可以实现对局部区域的分析。

flj-560磁控溅射仪使用方法

FJL-560型磁控与离子束复合溅射沉积系统操作说明A、操作说明1、打开角阀V4，往真空室内充气，直到真空室内气压为一个大气压。

2、打开右侧控制柜电源（先不通水，关闭报警按钮），电动抬升真空室上盖。

3、取出旧样品，并放入新基片后，电动下降真空室上盖（现将上盖右旋些许以免定位片凸片顶上真空室壁体上沿，等定位凸片下端低于真空室壁体上沿再及时左旋上盖使定位凸片贴紧真空室壁体）。

4、打开机械泵开关，并打开角阀V1，进行粗真空的获得。

5、打开真空计电源，测量真空室的气压（不要开启左边的电离规管）。

6、当真空室气压小于10.0Pa时，开启左侧控制柜电源，开启循环水，并打开右侧控制柜电源的报警按钮。

7、党真空室气压小于5.0Pa时，关闭角阀V1，打开电磁阀后再打开分子泵运行按钮。

（开泵前确认是否已开循环水）。

8、在第七步完成10秒左右后，再打开板阀（板阀的开启：开始会有些重，听到打开的声音后必须是很轻松地旋出的，卡紧时要退些回来再往外旋，开到底后再回旋半圈）。

9、依靠分子泵获取自己所需的真空，注意V3，的开启或闭合（电力规管在气压小于0.1Pa会自动开启，但要自己手动关闭，请不要长期观察高真空情况，更不要反复开关电离规管，以延其寿命）。

B、溅射部分B1.磁控溅射1、当气压达到5*10-4Pa时，打开显示按钮（阀控）进行预热(需15 分钟)。

2、打开所需溅射靶位对应的电源，进行预热（需8分钟）。

3、关闭电离规管后，打开所需管路通道，使管路抽真空数分钟。

4、将左边一支流量显示仪拨到阀控档，右旋按钮（要预热充分后），调节流量到20SCCM。

5、内旋板阀，降低分子泵的抽气速度，将真空室内气压调节到4Pa左右。

6、打开所需溅射靶位上部的扇形挡板，开启所需溅射靶位对应的电源。

7、增加溅射电压，直到辉光放电现象产生。

8、调节溅射功率及气压所需值。

（2.4Pa→Cu）9、溅射功率计气压稳定，预溅射15分钟，再将圆形大挡板镂空处对准靶位，开始沉积（疤电源工作2小时后要关闭冷却半个小时）。

离子束磁控溅射

离子束磁控溅射
离子束磁控溅射是一种现代表面处理技术，在各种领域都有广泛应用，尤其在半导体、光电子和涂层行业中。

该技术通过将高能离子束引导到靶材表面并加热靶材，使其表面物质被剥离并沉积在基材表面上，从而实现对基材表面的改性、涂层和制备。

离子束磁控溅射技术具有以下几个特点：1）较高的沉积速率，2）沉积膜质量好，3）制备的涂层具有较高的致密性和附着力，4）沉积过程中可以控制溅射材料的成分和形态，5）适用于多种材料的制备。

离子束磁控溅射技术的发展与成熟，为现代制造业提供了更多的可能性和选择。

在未来，离子束磁控溅射技术将继续得到改进和应用，为各种行业的发展和创新提供更加广泛和深入的支持。

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超高真空磁控溅射镀膜与离子束清洗系统操作规程

超高真空磁控溅射镀膜与离子束清洗系统操作规程一．开机1 分子泵、各磁控靶接通冷却水，检查水路是否漏水。

2 各单元电源与总电源接通，总电源供电。

（启动总电源前，报警选择档指向报警；开总电源后，A、B、C灯亮）3 启动机械泵，缓慢打开旁抽阀V2，预抽溅射室。

4打开ZDF2AK复合真空计，当示数显示小于5 Pa时，关闭旁抽阀V2，打开电磁阀(有清脆的响声)，然后启动分子泵开关，待示数显示为零时，启动START，并马上打开闸板阀G1（逆时针旋转到底后稍微回转），开始抽高真空。

5 打开计算机，进行运行参数设置。

（见后面介绍）6 达到所需真空度后，准备镀膜。

（见后面介绍）7 镀膜完毕后，关闭直流或射频电源，关气路。

（见后面介绍）二、靶位自动调节程序1 挡板控制及状态各靶挡板显示与溅射室内靶挡板位置一致。

若不一致，则改变计算机上显示状态，点击“开（关）”按钮即可，在挡板没有达到相应的“开（关）”状态时，该按钮是闪烁的，达到所需状态时，按钮是亮的。

2 转盘控制与状态样品与样品挡板状态确定显示与当前溅射室内一致，若不一致，则重新标定。

例如：当前溅射室内状态为样品2对应样品位置A位，样品挡板显示A位，然而计算机显示样品1对应样品位置A 位，样品挡板显示A位。

拖动样品1到样品2，将弹出“样品编号”对话框，点击“否”，则可以重新标定样品编号。

重新标定样品挡板，样品位置时也是如此操作。

注意：样品位置和样品编号不能同时改变。

例如：样品1在A位置溅射完毕后，需要在B位溅射样品2，则应该先把样品1拖到样品2，将弹出“样品编号”对话框，点击“是”，可将样品2移动到A靶位；然后，将样品位置A拖到B，将弹出“样品位置”对话框，点击“是”，可将样品2移动到B靶位。

样品速度和挡板速度公转速度和挡板公转速度均调为1.0 r/min即可，运行稳定。

3 运行设置点击“修改”按钮，输入控制语句，点击“关闭”按钮，然后点击“运行”按钮，设备将按照设置的语句运行。

离子束溅射

溅射镀膜是依靠动量交换作用使固体材料的原子、分子进入气相，溅射出的平均能量 10eV，高于真空蒸发粒子的100倍左右，沉积在基体表面上之后，尚有足够的动能在基体表面上迁移，因而薄膜质量较好，与基体结合牢固。
任何材料都能溅射镀膜，材料溅射特性差别较其蒸发特性差别小，即使是高熔点材料也能进行溅射，对于合金、靶材化合物材料易制成与靶材组分比例相同的薄膜，因而溅射镀膜的应用非常广泛。
这个图是在45kV加速电压条件下各种入射离子轰击Ag表面时得到的溅射产额随离子的原子序数的变化。易知，重离子惰性气体作为入射离子时的溅射产额明显高于轻离子。但是出于经济方面的考虑，多数情况下均采用Ar离子作为薄膜溅射沉积时的入射离子。
2.3 溅射产额与入射离子角度的关系
这个图给出的是入射离子能量为200eV时溅射产额与入射离子角度的关系。其中Θ角为入射方向与法线的夹角，由图见， Θ=80 ° -85°时溅射产额最大，但对不同的材料，增大情况不一样。这是因为当入射角Θ增大时，入射离子的能量更多地耗散在靶近表面区，使溅射产额增大。但当Θ过大时，入射离子弹性散射的几率增大，传给靶导致溅射的能量减少，因而使溅射产额急剧下降。
3.离子束溅射的淀积速率
淀积速率Zc：通常用淀积速率来表示溅射材料在基片上成膜的快慢。而把溅射材料在单位时间内淀积在基片上的厚度定义为淀积速率。
式中Kc为一常数，是由溅射镀膜装置决定的，它与真空室气压P、靶与基片距离有关；Y(E,θ)为溅射率，它是离子能量E和入射角度θ的函数，Jb是离子束流密度。
溅射镀膜中的入射离子一般利用气体放电法得到，因而其工作压力在10-2Pa~10Pa范围，所以溅射离子在飞到基体之前往往已与真空室内的气体分子发生过碰撞，其运动方向随机偏离原来的方向，而且溅射一般是从较大靶表面积中射出的，因而比真空镀膜得到均匀厚度的膜层，对于具有勾槽、台阶等镀件，能将阴极效应造成膜厚差别减小到可以忽略的程度。但是，较高压力下溅射会使膜中含有较多的气体分子。

108manual离子溅射仪使用说明

108auto离子溅射仪使用说明一、操作界面二、系统安装1、电源要求：220VAC，50HZ2、工作台要求：长120cm * 宽100cm3、小心拆开包装箱，取出真空泵和溅射仪主机，并置于工作台上，真空泵放在溅射仪主机的后面。

4、在真空泵上安装上油雾过滤器，并在进油口倒入适量的真空泵油，确保真空泵油在观察窗口的上线和下线之间（设备出厂时有可能已在真空泵中装有适当真空泵油）；5、小心将溅射仪主机上的溅射头抬起，并尽量向后仰，确保溅射头不会倒下。

移走溅射头保护垫，按上玻璃样品室，再小心轻轻的放下溅射头；6、用金属真空管件连接真空泵和溅射仪主机，连接前在真空泵上先装上真空管转接头，连接时每个接口都要垫上真空垫圈，连接后注意锁紧接口，以防真空泄漏；7、用电源线将真空泵和溅射仪主机连接上，并将真空泵上的开关打到开的位置；8、接上溅射仪主机的电源线，并打开溅射仪主机后面的进气口三、系统测试真空系统：1、检查电压是否合适，插上溅射仪主机电源2、关闭气体控制阀3、打开POWER（控制单元）4、让泵暖机5MIN5、关掉POWER，拔出溅射头上盖的放气阀放气，放气完后再放下阀6、再开POWER，检查0.1mb耗时，1.5分钟左右为合适。

7、运行15MIN，检查真空是否到0.01mb左右。

8、关掉电源溅射单元：1、抽真空至0.05mb以下2、调节前面控制面板上的气体控制阀，将压力稳定在0.08mb左右3、顺时针旋转主机后面的溅射电流控制旋钮到底4、按TEST，可见辉光放电，此时mb灯熄灭，mA灯亮，量表显示45mA左右。

四、镀膜步骤1、检查Ar阀是否处开启状态，调节阀压力为0.3bar（如接空气则不需要）A、检查time value为30秒，如有需要，重新设定B、等压力稳定后，检查压力是否为0.08mb，如果不是，重新设定2、按下TEST键，调节后面的溅射电流控制旋钮至20mA，再释放TEST3、按下start键开始镀膜4、镀膜完成后，拔出溅射头上盖的放气阀放气5、完全放气后，打开溅射头，取出样品6、若所镀膜的厚度不适，可更改溅射时间，先不要改电流或气体压力。