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本证半导体：纯净晶体结构的导体。常用的有硅和锗。

在外电场的作用下，自由电子定向移动形成电子电流；从而破坏晶格间原有的共价键，出现电子的空位，称为空穴。空穴也进行位置的相对移动，形成空穴电流。

N型半导体：在本征半导体中加入+5价的元素，（磷，锑，砷）。使导体内的每一个原子周围除形成共价键之外，有一个游离的电子，N型半导体的多数载流子电子，少数载流子空穴。电子受力移动，留下施主杂质带正电（不参与导电）。

所以，杂质半导体，多数载流子主要取决于杂质的浓度。少数载流子有共价键提供，其浓度取决于温度。整个半导体内先电中性。

二极管的应用：限幅电路

门电路

三极管的结构及类型

无论是PNP 还是NPN 型的三极管，都包含三个区：发射区(c)、基区(b)和集电极区(e)。 集电结

发射结

正向

反向

正向 饱和状态 放大状态 反向

反向放大

截止状态

三极管的接法：

b

e

c

I B

E C

(a ) 共基极b e I B

I E

I C

(b ) 共发射极b e I B

I E I C

(c ) 共集电极

c

c I e =I c +I b (共基极电流放大系数α，共

发射极电流放大系数β)

1：发射结(c)重掺杂。 2：基区(e)很薄。 3：集电极面积大。

三极管的放大作用

1：当Uce不变时，输入回路中的电流Ib与电压Ube之间的关

系曲线称为输入特性

三极管的特性曲线：2：当Ib不变时，输出回路中的电流Ic与电压Uce之间的关系

曲线称为输出特性

直流分析：即静态分析，基极电流Ib、集电极电流Ic=βI b，Uce。

电容开路

(先画出直流通路) 电感短路

信号源短路

共设极的电路：

1、输入电压与输出电压反相。

2、顶部失真，输入回路就出现开始失真。（饱和）Uce减小到极限

3、底部失真，输入端Ib没失真，在输出出现失真。（截止）Uce增静态工作点不合适大到极限近似等于Vcc

不失真，整个周期，三极管处在放大区。